光敏三极管的参数
第五讲 光敏三极管
大的信号电流－－b/c结大－－电容大－－ 频率响应降低
用上升时间和下降时间表示
高增益＋低输入阻抗的运算放大器，提高频 率响应和信号输出
温度特性
小信号时，温度升高，反向电流增 大，性能下降。
图2-57
光谱响应
由禁带宽度、几何工艺、制作工艺 决定
图2-58
特性参数和选用
注意：测试条件、型号
参数： 暗电流、光电流、电流放大 系 数、光调制截止频率、光谱峰 值波长、击穿电压、热阻、耗散功 率、集电极最大电流、灵敏度、光 谱响应范围、响应时间、使用温度、 结电容、最大使用功率、用途
性能比较和应用选择 接受光信号的方式
存在与否 按一定的频率交替变化 幅度大小 色度差异
光谱响应宽：PMT（偏紫外）和光敏电阻 （CdSe）（偏红外）
应用选择
要求：光电器件与被测信号、光学系统、 电子线路在特性和工作参数上匹配
选择要点： 1.与辐射信号源和光学系统在光谱特性上匹配。 2.光电转换特性与入射辐射能量匹配。
3.与光谱的调制形式、信号频率和波形匹配， 保证频率不失真的波形输出和良好的时间 响应。
预习
热电偶和热电堆原理与参数； 热敏电阻的原理与参数； 热释电探测器件的原理和参数。
性能比较
频率响应和时间响应：PMT和光电二极管 光电特性： PMT、光电二极管和光电池 灵敏度：PMT、雪崩光电二极管、光敏电
阻、光电三极管
输出电流大：大面积光电池、雪崩光电二 极管、光敏电阻、光电三极管
外加电压低：光电二、三极管，光电池无 外加电压
暗电流小：PMT、光电二极管
长期工作稳定性：光电二极管、光电池、 PMT和光电三极管
4.与输入电路在电特性上匹配，以保证有足够 大的转换系数、线性范围、信噪比、快速 的动态响应
光耦600参数
光耦600参数光耦是由光电技术和电子技术相结合的器件，通常用于电气隔离和信号转换等领域。
光耦600是一种将光信号转换为电信号的型号，其参数如下：1. 光电耦合器（LED）参数：光通量为10mW，最大直流工作电流为50mA，最高正向电压为1.6V。
2. 光敏三极管（Phototransistor）参数：最大允许反向工作电压为25V，最大集电电流为50mA，最大功耗为150mW。
3. 共模传递比（CMR）：CMR值为6000V/μs以上，为了保证光耦的隔离性能，CMR值应该尽可能大。
4. 工作温度范围：工作温度范围为-40℃至+85℃，在这个范围内保证正常工作。
5. 封装：光耦600通常采用双列直插封装，引脚间距为2.54mm，方便于PCB板上的安装和布局。
6. 光电耦合器（LED）和光敏三极管（Phototransistor）之间的耦合效率：光电耦合器和光敏三极管之间的耦合效率是光耦的重要指标之一，一般为30%到70%。
7. 响应时间：响应时间是指从光信号输入到输出电信号的时间，它主要取决于光电耦合器和光敏三极管的特性，一般在10μs到30μs之间。
8. 隔离电压：隔离电压是指光耦内部的LED和Phototransistor之间的电气隔离能力，一般应该大于1000V，以确保隔离效果的可靠性。
光耦600是一种性能优良的光耦器件，具有较高的隔离电压、共模传递比和耦合效率，可广泛应用于电气隔离和信号转换等领域。
光耦600的隔离性能非常好，具有较高的隔离电压，能够将输入端和输出端完全隔离开，避免了两个电路之间的相互干扰。
在工业控制、通讯等领域，光耦能够可靠地实现信号隔离，保证了电子设备的安全和稳定性。
光耦600的共模传递比（CMR）值很高，这也是衡量光耦隔离性能的重要指标之一。
CMR 值越高，表示光接收器和光发射器之间的隔离效果越好，能够对抗来自电力线、电场、磁场等噪声干扰的影响。
光耦600的响应时间较短，一般在10μs到30μs之间。
光敏三极管的主要技术特性及参数
3、光电特性
光敏三极管的光电特性反映了当外加电压恒定时，光电流I L与光照度之间的关系。
下图给出了光敏三极管的光电特性曲线光敏三极管的光电特性曲线的线性度不如光敏二极管好，且在弱光时光电流增加较慢。
4、温度特性
温度对光敏三极管的暗电流及光电流都有影响。
由于光电流比暗电流大得多，在一定温度范围内温度对光电流的影响比对暗电流的影响要小。
下两图中分别给出了光敏三极管的温度特性曲线及光敏三极管相对灵敏度和温度的关系曲线。
5、暗电流I D
在无光照的情况下，集电极与发射极间的电压为规定值时，流过集电极的反向漏电流称为光敏三极管的暗电流。
6、光电流I L
在规定光照下，当施加规定的工作电压时，流过光敏三极管的电流称为光电流，光电流越大，说明光敏三极管的灵敏度越高。
点击下载光敏三极管的主要技术特性及参数。
PT550光敏三极管数据
Fig. 1 Collector Power Dissipation vs. Ambient Temperature
175
Collector power dissipation PC ( mW )
150
125
100
75
50
25
0 - 25 0
25 50 75 100 125
Ambient temperature T a (˚C)
Rise time
time
Fall time
Symbol
Conditions
PT550
PT550F
IC
VCE = 5V
VCE = 5V
Ee = 0.1mW/cm2 Ee = 1mW/cm2
ICEO VCE = 10V, E e = 0, I B = 0
VCE ( sat ) λP
IC = 1mA, I B= 0 Ee = 0.1mW/cm2
Symbol
Rating
Unit
V CEO
35
V
V ECO
6
V
V CBO
35
V
IC
100
mA
PC
150
mW
T opr
- 25 to + 125
˚C
T stg
- 55 to + 150
˚C
T sol
260
˚C
*1 For 10 seconds at the position of 1.3mm from the bottom face of can package
10 - 10 5
10 - 11 5 - 25 0 25 50 75 100 Ambient temperature Ta (˚C)
光敏三极管基础知识1
光敏三极管基础知识一、光敏三极管简介光敏三极管（Phototransistor）和普通三极管相似，也有电流（Current）放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，同时也受光辐射的控制。
通常基极不引出，但一些光敏三极管的基极有引出，用于温度补偿（Temperature compensation）和附加控制等作用。
二、优越性当具有光敏特性的PN 结受到光辐射时，形成光电流，由此产生的光生电流由基极进入发射极，从而在集电极回路中得到一个放大了相当于β倍的信号电流。
不同材料制成的光敏三极管具有不同的光谱特性，与光敏二极管相比，具有很大的光电流放大作用，即很高的灵敏度。
三、光敏晶体管半导体通过添加一部分微量元素会使其特性发生翻天覆地的变化。
光敏晶体管就是一种重要的衍生物。
视觉是人体最重要的感觉，因此，我觉得通过光来控制电路真是太精妙了，而光敏的二极管三极管恰好就完成这个任务。
因为光敏三极管由于还具有放大作用，因此应用比二极管更加广泛。
光敏三极管用于测量光亮度，经常与发光二极管配合使用作为信号接收装置。
四、光敏三极管应用1.测量光亮度在教室图书馆，很多时候日光灯白天也亮着，在宿舍里面，日光灯经常是昼夜不息，同学们对这种浪费已经麻木不仁了。
有的同学早晨去教室，虽然教室很明亮但还要开灯，虽然一盏日光灯不会浪费多少资源，但积少成多，浪费就是很大了。
因此，我们可以在教室安装一个控制电路，当亮度达到一定程度的时候，使得教室里面和宿舍里面日光灯将无法启动。
我们可以利用光敏三极管附加电磁继电器来完成这个电路。
采光点的选取是一个关键，因为并不是每一个教室的明亮程度都是相同的，我们可以采用多点取样来达到这个要求。
例如在20个教室中都安放光敏三极管，我们可以设置，如果他们全部或者大部分亮度都很高，那么，日光灯就无法正常启动，达到节约能源的目的。
还有一种情况，就是如果有一天天空布满了乌云，亮度不够，那么日光灯可以开启了。
光敏三极管
光电三极管原理时间：2009-01-18 18:57:53 来源：资料室作者：集成电路光敏三极管(光电三极管)(Photo Transister)以接受光的信号而将其变换为电气信号为目的而制成之晶体管称为光敏三极管。
最普遍的外形如图1 所示。
罐形封闭(Can seal)之光敏三极管多半将半导体晶方装定在TO-18或TO-5封装引脚座后，利用附有玻璃之凸透镜及单纯之玻璃窗口之金属罩封闭成密不透气状态。
罐封闭型(玻璃窗口) 罐封闭型(玻璃透镜)树脂封入型(平导线透型) 树脂封入型(单端窗)图1作用原理光敏三极管一般在基极开放状态使用(外部导线有两条线的情形比较多)，而将电压施加至射极、集极之两个端子，以便将逆偏压施至集极接合部。
在此状态下，光线入射于基极之表面时，受到反偏压之基极、集电极间即有光电流(Iλ)流过，发射极接地之晶体管的情形也一样，电流以晶体管之电流放大率(hfe)被放大而成为流至外部端子之光电流(Ic)，为便于了解起见，请参照图2所示。
图2 光敏三极管的等效电路达林顿晶体管工作情况；电流再经过次段之晶体管的电流放大率被放大，其结果流至外部导线之光电流即为初段之基极、集极间所流过之光电流与初段及后段之晶体管的电流放大率三者之积。
种类由外观上如图1所示，可以区分为罐封闭型与树脂封入型，而各型又可分别分为附有透镜之型式及单纯附有窗口之型式。
就半导体晶方言之，材料有硅(Si)与锗(Ge)，大部份为硅。
在晶方构造方面，可分为普通晶体管型与达林顿晶体管型。
再从用途加以分类时，可以分为以交换动作为目的之光敏三极管与需要直线性之光敏三极管，但光敏三极管的主流为交换组件，需要直线性时，通常使用光二极管。
在实际选用光敏三极管时，应注意按参数要求选择管型。
如要求灵敏度高，可选用达林顿型光敏三极管；如要求响应时间快，对温度敏感性小，就不选用光敏三极管而选用光敏二极管。
探测暗光一定要选择暗电流小的管子，同时可考虑有基极引出线的光敏三极管，通过偏置取得合适的工作点，提高光电流的放大系数。
光敏三极管特性实验解读
实验内容
• 3、光照特性测量
• 按图连接好实验线路，光源选用 高亮度卤素灯，负载电阻选用 100K欧姆。 • 调节光照从“弱—强”，测得不 同(15个)照度条件下，测出光敏三 极管输出光电流IC与入射光照度 间的数据关系。照度依然用UR来 UR I 度量 。其中光电流 ph
实验原理
• 光敏三极管工作原理
• 光敏三极管可等效为一个光敏 二极管和普通三级管结合而成 。当具有光敏特性的PN结受到 光照时会形成光电流，此光生 电流由基极进入发射极，从而 在集电极回路中得到一个放大 了hFE倍的响应电流。
Ib
Ic=Ib*hFE
• 可见与普通三极管类似，光敏三极管同样具有电 流放大功能，只不过其控制端受入射光强控制。
光敏三极管的相对光响应灵敏 度与温度对应曲线如图所示： 由于光电三极管的 hFE 受环境 温度的影响较大，所以光电三 极管的灵敏度也会随环境温度 变化而出现较大的变化；故与 光电二极管相比，光电三极管 对温度变化更为敏感。
实验内容
• 1、判断光敏三极管极性
• 方法：
• 用万用表20K电阻档，黑表棒接发射极E，红 表棒接集电极C，无光照时显示∞，光照增强 时电阻迅速减小至1-2K欧姆； • 若将红表棒接发射极，黑表棒接集电极，则 不论光照变化与否万用表始终显示∞。
实验原理
• 光敏三极管伏安特性
• 在给定光照条件下，光敏三极管两端电压与其输 出电流Ic间的关系即为其伏安特性，具体特性曲 线如图所示： 无光照射时，集电极— 照度 发射极间的漏电流称为 暗电流。 Iceo=Icbo· hFE 可见光敏三极管的暗电 流也比光敏二极管增大 了hFE倍。 偏压
光敏三极管
光敏三极管的特性研究一、光照特性二、伏安特性三、光谱响应特性◆实验目的掌握光敏三极管的结构、原理及光照特性、伏安特性和光响应特性◆实验仪器用具CSY-2000G主机箱、发光二极管、滤色片、光电器件实模板、光敏三极管、光照度探头；◆实验原理在光敏二极管的基础上，为了获得内增益，就利用晶体三管的电流放大效应制造光敏三极管，光敏三极管可以等效一个光电二极管与一个晶体管基极集电极并联。
实验原理图等效电路图◆光敏三极管的光照特性就是当光敏三极管的测量电压为+5V时，光敏三极管的光电流随着光照强度的变化而变化，即调节照度，测量对应的电流◆实验数据照度04080120160200LX00.110.220.390.56 1.11电流mA光照特性曲线图◆实验结论◆由图可以看出，光敏三极管的光照特性曲线不是严格线性的，其流过三极管的电流随着照度的增加而增大，且增大的速率也越来越快。
◆光敏三极管的伏安特性就是在一定的光照强度下，光电流随外加电压的变化而变化，即当照度一定时，调节电压，测量电流大小◆实验数据电压U1.32345照度（ＬＸ）100电流mA0.270.280.280.290.29200电流mA0.870.880.900.910.92◆100Lx 光电三极管伏安特性曲线图◆200Lx光电三极管伏安特性曲线图◆光电三极管伏安特性曲线图◆实验结论：随照度增加，光敏三极管的伏安特性曲线逐渐变密，且电压对光电流的影响没有照度那么大◆光电三极管的光谱响应特性◆光敏三极管对不同波长的光的接收灵敏度不一样，它有一个峰值响应波长，当入射光的波长大于响应波长时，相对灵敏度就会下降，光子能量太小，不足以激发电子空穴对，当入射光的波长小于波长时，相对灵敏度也会下降，由于光子在半导体表面附近就被吸收◆光谱响应特性：光敏三极管的灵敏度与辐射波长的关系，即当照度一定时，测量不同波长的光对光电流的影响◆实验数据波长nm400480530570610660照度（LX 10电流mA00.020.010.010.020.03 50电流00.130.080.090.110.18光敏三极管光谱响应特性曲线图实验结论：照度越大，光敏三极管对波长的灵敏度就越明显谢谢观赏Company Logo。
光电二极管三极管的性能及运用
光电二极管及光电三极管的工作原理及用途可得工贸的光电二极管和光电三极管具有低功耗、响应速度快、抗干扰性能强等特点，可得公司是一家专业从事研发, 生产,销售LED和红外光电器件的高新技术企业：其中光敏二极管、850nm/940nm红外发射管，LED数码管，数码模块，以及发光二极管等产品以良好的品质受到市场的认可。
在红外遥制系统中，光电二极管(也称光敏二极管)及光电三极管(也称光敏三极管)均为红外线接收管，它把接收到的红外线变成电信号，经过放大及信号处理后用于各种控制。
除广泛用于红外线遥控外，还可用于光纤通信、光纤传感器、工业测量、自动控制、火灾报警器、防盗报警器、光电读出装置(纸带读出器、条形码读出器等)及光电耦合器等方面。
不同用途的光电二极管有不同的外形及封装，但用于红外遥控的光电二极管一般都是树脂封装的。
为减少可见光的干扰常采用黑色树脂，可以滤掉700nm波长以下的光线。
常见的几种光电二极管外形。
对方形或长方形的管子，往往做出标记角，指示受光面的方向。
一般如引脚长短不一样，长者为正极。
光电三极管可以等效为一个光电二极管与一只晶体三极管的组合，所以它具有电流放大作用。
其等效电路、外形及电路符号，光电三极管一般仅引出集电极及发射极两个引脚，外形与一般发光二极管一样，常用透明树脂封装。
光电二极管及光电三极管的管芯主要用硅材料制作。
光电二极管的两种工作状态当光电二极管加上反压时，管子的反向电流将随光照强度的变化而变化如同一个光敏电阻，光照强度越大电阻越小，反向电流越大。
大多数情况都工作于这种状态。
光电二极管上不加电压，利用P?N结受光照射时产生正向电压的原理，可看作微型光电池。
这种工作状态一般用作光电检测器。
光电二极管的工作电压VR ，允许的最高反向电压一般不超过10V，最高的可达50V。
暗电流ID及光电流IL ，无光照时，加一定反压时的反向漏电流称为暗电流ID，一般ID小于100nA ???。
加一定反压并受到光照时流过管子的电流称为光电流 IL，一般光电流IL为几十微安 ???，并且与照度成线性关系。
光敏三极管的主要特性和参数
光敏三极管的主要技术特性及参数1、光谱特性光敏三极管由于使用的材料不同,分为错光敏三极管和硅光敏三极管,使用较多的是硅光敏三极管。
光敏三极管的光谱特性与光敏二极管是相同的。
2、伏安特性光敏三极管的伏安特性是指在给定的光照度下光敏三极管上的电压与光电流的关系。
光敏三极管的伏安特性曲线如图下图所示。
3、光电特性与光照度之间的关光敏三极管的光电特性反映了当外加电压恒定时,光电流IL系。
下图给出了光敏三极管的光电特性曲线光敏三极管的光电特性曲线的线性度不如光敏二极管好,且在弱光时光电流增加较慢。
4、温度特性温度对光敏三极管的暗电流及光电流都有影响。
由于光电流比暗电流大得多,在一定温度范围内温度对光电流的影响比对暗电流的影响要小。
下两图中分别给出了光敏三极管的温度特性曲线及光敏三极管相对灵敏度和温度的关系曲线。
5、暗电流ID在无光照的情况下,集电极与发射极间的电压为规定值时,流过集电极的反向漏电流称为光敏三极管的暗电流。
6、光电流IL在规定光照下,当施加规定的工作电压时,流过光敏三极管的电流称为光电流,光电流越大,说明光敏三极管的灵敏度越高。
7、集电极一发射极击穿电压VCE在无光照下,集电极电流IC为规定值时,集电极与发射极之间的电压降称为集电极一发射极击穿电压。
8、最高工作电压VRM在无光照下,集电极电流Ie为规定的允许值时,集电极与发射极之间的电压降称为最高工作电压。
9、最大功率PM最大功率指光敏三极管在规定条件下能承受的最大功率。
10、峰值波长λp当光敏三极管的光谱响应为最大时对应的波长叫做峰值波长。
11、光电灵敏度在给定波长的入射光输入单位为光功率时,光敏三极管管芯单位面积输出光电流的强度称为光电灵敏度。
12、响应时间响应时间指光敏三极管对入射光信号的反应速度,一般为1X10-3---1X10-7S。
13、开关时间1.脉冲上升时间t:光敏三极管在规定工作条件下调节输入的脉冲光,使光敏三τ极管输出相应的脉冲电流至规定值,以输出脉冲前沿幅度的10%-90%所需的时间。
光敏二极管和光敏三极管
光敏二极管和光敏三极管光敏二极管和光敏三极管是光电转换半导体器件，与光敏电阻器相比具有灵敏度高、高频性能好，可靠性好、体积小、使用方便等优。
一、光敏二极管1．结构特点与符号光敏二极管和普通二极管相比虽然都属于单向导电的非线性半导体器件，但在结构上有其特殊的地方。
光敏二极管在电路中的符号如图Z0129 所示。
光敏二极管使用时要反向接入电路中，即正极接电源负极，负极接电源正极。
2．光电转换原理根据PN结反向特性可知，在一定反向电压范围内，反向电流很小且处于饱和状态。
此时，如果无光照射PN结，则因本征激发产生的电子-空穴对数量有限，反向饱和电流保持不变，在光敏二极管中称为暗电流。
当有光照射PN结时，结内将产生附加的大量电子空穴对（称之为光生载流子），使流过PN结的电流随着光照强度的增加而剧增，此时的反向电流称为光电流。
不同波长的光（兰光、红光、红外光）在光敏二极管的不同区域被吸收形成光电流。
被表面P型扩散层所吸收的主要是波长较短的兰光，在这一区域，因光照产生的光生载流子（电子），一旦漂移到耗尽层界面，就会在结电场作用下，被拉向N区，形成部分光电流；彼长较长的红光，将透过P型层在耗尽层激发出电子一空穴对，这些新生的电子和空穴载流子也会在结电场作用下，分别到达N区和P区，形成光电流。
波长更长的红外光，将透过P型层和耗尽层，直接被N区吸收。
在N区内因光照产生的光生载流子（空穴）一旦漂移到耗尽区界面，就会在结电场作用下被拉向P区，形成光电流。
因此，光照射时，流过PN结的光电流应是三部分光电流之和。
二、光敏三极管光敏三极管和普通三极管的结构相类似。
不同之处是光敏三极管必须有一个对光敏感的PN结作为感光面，一般用集电结作为受光结，因此，光敏二极管实质上是一种相当于在基极和集电极之间接有光敏二极管的普通二极管。
其结构及符号如图Z0130所示。
当人射光子在基区及集电区被吸收而产生电子一空穴对时，便形成光生电压。
由此产生的光生电流由基极进入发射极，从而在集电极回路中得到一个放大了β倍的信号电流。
光电三极管也称光敏三极管
光电三极管也称光敏三极管，它的电流受外部光照控制。
是一种半导体光电器件。
比光电二极管灵敏得多，光照集中电结附近区域。
利用雪崩倍增效应可获得具有内增益的半导体光电二极管（APD）,而采用一般晶体管放大原理，可得到另一种具有电流内增益的光伏探测器，即光电三极管。
它的普通双极晶体管十分相似，都是由两个十分靠近的p-n结-------发射结和集电结构成，并均具有电流发大作用。
为了充分吸收光子，光电三极管则需要一个较大的受光面，所以，它的响应频率远低于光电二极管。
[1]2.1机构与工作原理光电三极管是一种相当于在基极和集电极之间接有光电二极管的普通三极管，因此，结构与一般晶体管类似，但也有其特殊地方。
如图2.1.1所示。
图中e.b.c分别表示光电三极管的发射极.基极和集电极。
正常工作时保证基极--集电极结（b—c结）为反偏正状态，并作为受光结（即基区为光照区）。
光电三极管通常有npn和pnp型两种结构。
常用的材料有硅和锗。
例如用硅材料制作的npn结构有3DU型，pnp型有3GU型。
采用硅的npn型光电三极管其暗电流比锗光电三极管小，且受温度变化影响小，所以得到了广泛应用。
[2]光电三极管的工作有两个过程，一是光电转换;二是光电流放大。
光电转换过程是在集---基结内进行，它与一般光电二极管相同。
[3]当集电极加上相对于发射极为正向电压而基极开路时（见图2.1.1（b）），则b--c结处于反向偏压状态。
无光照时，由于热激发而产生的少数载流子，电子从基极进入集电极，空穴则从集电极移向基极，在外电路中有电流（即暗电流）流过。
当光照射基区时，在该区产生电子---空穴对，光生电子在内电场作用下漂移到集电极，形成光电流，这一过程类似于光电二极管。
于此同时，空穴则留在基区，使基极的电位升高，发射极便有大量电子经基极流向集电极，总的集电极电流为IC=IP +βI P=（1+β）IP2.1.1图2.1.1光电三极管结构及工作原理（a）结构示意图（b）光电变换原理（c）电流放大作用式中β为共发射极电流放大倍数。
全系列三极管参数
全系列三极管参数三极管是一种常用的电子元件，主要由三个控制电极组成：基极、发射极和集电极。
它可以将小信号放大成大信号，并具有放大和开关两种应用。
下面将详细介绍三极管的各种参数。
1.DC参数：（1）E-B击穿电压：控制电极到基极之间的击穿电压，通常是5V。
（2）集电极饱和电压：集电极电压和基极电压之间的差，通常是0.2V。
（3）极化电压：基极与发射极之间的电压，一般为0.6V。
（4）漂移电流：无输入信号时集电极电流，通常为1μA。
2.小信号参数：（1）共射放大参数：-电流放大倍数：基极电流和集电极电流之比，通常为20。
-输入电阻：基极电阻，通常为50kΩ。
-输出电阻：发射极电阻，通常为100Ω。
-最大功率增益：集电极功率和输入功率之比，通常为300。
-频率响应：放大器对不同频率信号的放大能力。
-带宽：能够通过的频率范围。
（2）共集放大参数：-电流放大倍数：发射极电流和集电极电流之比，通常为1-输入电阻：发射极电阻，通常为10Ω。
-输出电阻：集电极电阻，通常为10kΩ。
-最大功率增益：集电极功率和输入功率之比，通常为1-频率响应：放大器对不同频率信号的放大能力。
-带宽：能够通过的频率范围。
（3）共基放大参数：-电流放大倍数：基极和集电极电流之比，通常为0.99-输入电阻：集电极电阻，通常为10kΩ。
-输出电阻：发射极电阻，通常为0.1Ω。
-最大功率增益：集电极功率和输入功率之比，通常为0.99-频率响应：放大器对不同频率信号的放大能力。
-带宽：能够通过的频率范围。
3.大信号参数：（1）最大集电极电流：集电极电流的最大值。
（2）最大功率：集电极电流和集电极电压之积的最大值。
（3）最大集电极电压：集电极电压的最大值。
（4）开关时间：从信号输入到放大器开关的时间，一般小于1μs。
4.噪声参数：（1）噪声系数：直流电流吸收后引起的输出噪声。
（2）输出噪声电压：由于内部噪声而引起的输出电压。
以上是三极管的一些重要参数，这些参数可以帮助我们了解三极管的性能和适用范围。
PT1206BS 光敏三极管产品说明书
产品说明书1206贴片NPN光敏三极管PT1206BS ⏹描述PT1206BS是一款高速高灵敏度小型贴片NPN型光敏三极管1206封装，采用黑色环氧材料封装，产品适用于红外线的感光。
⏹特点●快速响应●高感光灵敏度●无铅环保●符合RoHS和REACH标准⏹应用●微型开关●计数器和分拣机●位置传感器●编码器●红外传感应用系统发射集集电极集电极标识建议回流焊焊盘尺寸注: 1. 所有尺寸单位位毫米(括号内单位为英寸) 2. 未标明误差的精度为± 0.2毫米(.008英寸) 3. 建议的焊盘尺寸仅供参考 请根据实际需要进行修改⏹封装尺寸⏹极限参数(Ta=25℃)参数名称符号参考值单位集电极-发射极电压V CEO 30V 发射极-集电极电压V ECO 5V 集电极电流Ic 20mA 焊接温度*1Tsol 260℃工作温度Topr -20~+85℃存储温度Tstg-40~+85℃说明:*1:焊接时间≦5seconds.Ambient Temperature Ta(°C)C o l l e c t o r P o w e rD i s s i p a t i o n (m W )40100020406080100-20-406080201008060200600Wavelength(nm)R e l a t i v e S p e c t r a l S e n s i t i v i t y (%)Ta=25°40700800900100011001200⏹光电参数(Ta=25℃)参数名称符号最小典型最大单位测试条件频谱范围λ0.5730--1100nm 感光峰值波长λP --940--nm 集电极–发射极击穿电压BV CEO30----V Ic=100μA,Ib=0发射极-集电极击穿电压BV ECO5----V Ic=100μA,Ib=0集电极暗电流I CEO ----100nA V CE =20V,H=0mw/cm2集电极-发射极饱和电压V CE （S ）---0.4V Ic=2mA,I B =100μA 集电极电流I C (on)0.10.6--mAEe=1mW/cm2,V CE =5V 直流电流放大倍数H FE 1000--1800V CE =5V,IC=2mA 上升/下降时间t r /t f--15/15μS V CE =5V,I C =1mA R L =1000Ω⏹特性曲线图图.1集电极耗散功率与环境温度图.2相对频谱灵敏度300Ambient Temperature Ta(°C)R e l a t i v e C o l l e c t o r C u r r e n t (%)40608060100160Vce=5V204080120140Ee=1mW/cm 21020507025Ambient Temperature (°C)C o l l e c t o rD a r k C u r r e n t IC E O(n A )50751000.1110100Vce=20V 0.1Irradiance Ee(mW/cm )C o l l e c t o r C u r r e n t I c (m A )1100.01101010101010-1-2-3Vce=5VT =25 Ca °20Collector-Emitter Voltage V CE (V)C o l l e c t o r C u r r e n t I c (m A )12340.51.01.52.02.53.03.5Ee=0.5mW/cm2Ee=0.75mW/cm2Ee=1.0mW/cm2Ee=1.25mW/cm2Ee=1.5mW/cm2图.3相对集电极电流与环境温度图.4集电极电流与辐照度图.5集电极暗电流与环境温度图.6集电极电流与集射电压注: 1. 所有尺寸单位为毫米(英寸)发射极集电极注: 1. 所有尺寸单位为毫米(英寸)2. 未注明误差的尺寸为 ± 0.1mm(.004")⏹包装尺寸图⏹载带尺寸图（数量：3000个/盘）注意事项:1.我公司保留更改产品材料和以上说明书的权利，更改以上产品说明书恕不另行通知。
02-02-光敏三极管-1
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4.光电式烟尘浓度计－图2.16
光源出发光线分成两束强度相等的光线，一路光线直接 到达7（参比信号）。一路光线穿过烟尘到6，烟尘对光 线的吸收或折射，发生衰减，烟尘浓度高，光线衰减大， 6的光电流就越小。两路光电流转换成电压信号U1、U2， 由8计算出U1、U2的比值，算出被测烟尘的浓度。
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图2.14 光电脉冲转换电路
光电转换电路如图。BG1为光敏三极管，光线照射BG1， 产生光电流，R1上压降增大，晶体管BG2导通，触发由 BG3和BG4组成的射极耦合触发器，U0为高电位。反之， U0为低电位。该脉冲信号U可送到计数电路计数。
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3.光控转速表－图2.15
光盘有若干个均布孔，随电动机转动。IC1等构成滞后比较 器、RW1用来调节比较电平。IC2等构成单稳态电路，K是量 程选择开关，3DJ6场效应管构成恒流电路，表头A指示转速 值。光线时断时续照射到3DU型光敏三极管上。它便导通一 次，使IC1输出一个脉冲，用其下跳沿去触IC2定时输出高电 平，也就是用IC2单稳态电路来测量光脉冲的频率，通过表 头A即可转换转速指示。
2.3 光敏三极管
2.3.1 光敏三极管的工作原理和结构 2.3.2 光敏三极管的基本特性 2.3.3 光敏三极管的型号参数 2.2.4 光敏三极管的应用
光敏三极管的应用范围如同光敏二极管，十分广泛地应 用于光纤通信、光电读出装置、红外线遥控器、光电耦 合器、控制伺服电机转速的检测等场合。
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2.3.1 光敏三极管的工作原理和结构-图2.9
表2.3中3DU系列光敏三极管用于近红外光探测器以及光 耦合、编码器、译码器、过程控制等方面。
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表2.4 硅光敏三极管的型号参数
上表为“紫外-可见-近红外”硅光敏三极管，用于炮筒 高温退火、印染颜色的识别与控制及光度测量等方面。
光敏三极管参数
光敏三极管参数
光敏三极管是一种光电转换器件，具有以下参数：
1. 光敏度：光敏三极管的光敏度指的是其对光的敏感程度。
通常以电流/瓦特（A/W）或电流/流明（A/lm）来度量。
光敏三
极管的光敏度越高，表示其在相同光照条件下产生的电流越大。
2. 光电流响应速度：光敏三极管的光电流响应速度指的是其对光信号的响应速度。
光敏三极管通常具有快速响应的特点，可以在纳秒或亚纳秒级别对光信号做出响应。
3. 光谱响应范围：光敏三极管的光谱响应范围指的是其对光的波长范围的响应能力。
不同的光敏三极管具有不同的光谱响应范围，可以选择适合不同波长光照的光敏三极管。
4. 噪声特性：光敏三极管的噪声特性指的是其在工作中产生的噪声电流或噪声电压。
光敏三极管的噪声特性对于一些高精度的应用来说是非常重要的。
5. 工作电压和工作电流：光敏三极管的工作电压和工作电流是指其在正常工作时需要的电压和电流。
通常情况下，光敏三极管需要外部供电才能正常工作。
这些参数会根据不同的光敏三极管型号和应用需求而有所不同，具体的参数可以参考光敏三极管的数据手册。
光敏三极管的应用电路[整理版]
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光敏二极管和光敏三极管简介及应用光敏二极管和光敏三极管是光电转换半导体器件，与光敏电阻器相比具有灵敏度高、高频性能好，可靠性好、体积小、使用方便等优。
一、光敏二极管1．结构特点与符号光敏二极管和普通二极管相比虽然都属于单向导电的非线性半导体器件，但在结构上有其特殊的地方。
光敏二极管使用时要反向接入电路中，即正极接电源负极，负极接电源正极。
2. 光电转换原理根据PN结反向特性可知，在一定反向电压范围内，反向电流很小且处于饱和状态。
此时，如果无光照射PN结，则因本征激发产生的电子-空穴对数量有限，反向饱和电流保持不变，在光敏二极管中称为暗电流。
当有光照射PN结时，结内将产生附加的大量电子空穴对（称之为光生载流子），使流过PN结的电流随着光照强度的增加而剧增，此时的反向电流称为光电流。
不同波长的光（兰光、红光、红外光）在光敏二极管的不同区域被吸收形成光电流。
被表面P型扩散层所吸收的主要是波长较短的兰光，在这一区域，因光照产生的光生载流子（电子），一旦漂移到耗尽层界面，就会在结电场作用下，被拉向N区，形成部分光电流；彼长较长的红光，将透过P型层在耗尽层激发出电子一空穴对，这些新生的电子和空穴载流子也会在结电场作用下，分别到达N区和P区，形成光电流。
波长更长的红外光，将透过P型层和耗尽层，直接被N区吸收。
在N区内因光照产生的光生载流子（空穴）一旦漂移到耗尽区界面，就会在结电场作用下被拉向P区，形成光电流。
因此，光照射时，流过PN结的光电流应是三部分光电流之和。
二、光敏三极管光敏三极管和普通三极管的结构相类似。
不同之处是光敏三极管必须有一个对光敏感的PN 结作为感光面，一般用集电结作为受光结，因此，光敏二极管实质上是一种相当于在基极和集电极之间接有光敏二极管的普通二极管。
其结构及符号如图Z0130所示。
三、光敏二极管的两种工作状态光敏二极管又称光电二极管，它是一种光电转换器件，其基本原理是光照到P-N结上时，吸收光能并转变为电能。
常用三极管型号及参数
常用三极管型号及参数常用的三极管型号及参数有很多，我在下面列出了一些常见的型号，并且提供了一些基本的参数说明。
1.NPN型三极管：- 2N2222：最大集电极电流(Ic)为800mA，最大集电极电压(Vceo)为30V，最大功耗(Pd)为500mW。
- 2N3904：最大集电极电流(Ic)为200mA，最大集电极电压(Vceo)为40V，最大功耗(Pd)为625mW。
- BC547：最大集电极电流(Ic)为100mA，最大集电极电压(Vceo)为45V，最大功耗(Pd)为625mW。
2.PNP型三极管：- 2N2907：最大集电极电流(Ic)为600mA，最大集电极电压(Vceo)为40V，最大功耗(Pd)为625mW。
- 2N3906：最大集电极电流(Ic)为200mA，最大集电极电压(Vceo)为40V，最大功耗(Pd)为625mW。
- BC557：最大集电极电流(Ic)为100mA，最大集电极电压(Vceo)为45V，最大功耗(Pd)为625mW。
3.功率三极管：- 2N3055：最大集电极电流(Ic)为15A，最大集电极电压(Vceo)为60V，最大功耗(Pd)为115W。
4.高频小信号三极管：- 2SC3355：最大集电极电流(Ic)为150mA，最大集电极电压(Vceo)为50V，最大功耗(Pd)为150mW。
- BF199：最大集电极电流(Ic)为25mA，最大集电极电压(Vceo)为20V，最大功耗(Pd)为250mW。
5.大功率RF三极管：- BLF278：最大集电极电流(Ic)为1500mA，最大集电极电压(Vceo)为65V，最大功耗(Pd)为200W。
- MRF151G：最大集电极电流(Ic)为10A，最大集电极电压(Vceo)为80V，最大功耗(Pd)为300W。
这些三极管的型号和参数只是一小部分常见的，还有很多其他型号和参数，根据具体的应用需求，可以选择不同的三极管来匹配电路设计。
光敏三极管光电特性(最全)word资料
光敏三极管光电特性(最全)word资料第19卷第4期半导体光电Vol.19No.4 1998年8月Sem iconducto r Op toelectronics A ug.1998光敏三极管光电特性①石仲斌(中国舰船研究院微电子中心,武汉430072摘要:给出理想光敏三极管的一种等效电路计算模型,在一维条件下得到理想光敏三极管的电流-电压(I-V关系式。
这些式子比较全面地描述了器件的基本特性,可以用作计算机辅助分析和设计的基本模型。
利用所得方程计算光敏三极管在不同工作状态下光电流的计算结果与实验值符合较好。
同时,利用所得结果对近年报道的“注入光敏器件”进行了分析讨论,指出“注入光敏器件”是光敏三极管诸多工作状态中的一种,且这种工作方式的器件的灵敏度和探测率并未提高。
关键词:光敏三极管注入光敏器件光敏二极管中图法分类号:TN15;TN32Photoelectr ic properties of phototran sistorsSH I Zhongb in(W uhan M icroelectron ic Technology Research Cen ter,CSR DA,Wuhan430072,CHNAbstract: A group of new equati on s are given in th is repo rt describ ing the basic DC and low frequency cu rren t-vo ltage characteristics of desirab le p ho to tran sisto rs fo r one-di m en si onal m odel.N o t on ly these equati on s can be u sed as a basic m odel of CAD fo r p ho to tran sisto rs,bu t they can also generally describe p ho toelectric p roperties of pho to tran sisto rs.T he exp eri m en tal re2 su lts agree qu ite w ell w ith the calcu lated value derived from these new equati on s.T he pho tocu r2 ren t change in photo tran sisto rs under differen t vo ltage b iased conditi on s is also discu ssed.A naly2 sis show s that the in jecti on p ho to sen sitive device is one of the p ho to tran sisto rs w ith the operati on m odes.It is found that p ho tocu rren t of the in jecti on pho to sen sitive devices is low er than that in the p ho todi odes.Keywords:Pho to tran sisto r,In jecti on Pho to sen sitive D evice,Pho todi ode1引言光敏三极管自身具有光电信号放大作用和应用电路简单等优点,已被广泛使用。
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光敏三极管的主要技术特性及参数有哪些?
1、光谱特性
光敏三极管由于使用的材料不同，分为错光敏三极管和硅光敏三极管，使用较多的是硅光敏三极管。
光敏三极管的光谱特性与光敏二极管是相同的。
2、伏安特性
光敏三极管的伏安特性是指在给定的光照度下光敏三极管上的电压与光电流的关系。
3、光电特性
光敏三极管的光电特性反映了当外加电压恒定时，光电流IL与光照度之间的关系。
下图给出了光敏三极管的光电特性曲线光敏三极管的光电特性曲线的线性度不如光敏二极管好，且在弱光时光电流增加较慢。
4、温度特性
温度对光敏三极管的暗电流及光电流都有影响。
由于光电流比暗电流大得多，在一定温度范围内温度对光电流的影响比对暗电流的影响要小。
下两图中分别给出了光敏三极管的温度特性曲线及光敏三极管相对灵敏度和温度的关系曲线。
5、暗电流ID
在无光照的情况下，集电极与发射极间的电压为规定值时，流过集电极的反向漏电流称为光敏三极管的暗电流。
6、光电流IL
在规定光照下，当施加规定的工作电压时，流过光敏三极管的电流称为光电流，光电流越大，说明光敏三极管的灵敏度越高。
7、集电极一发射极击穿电压VCE
在无光照下，集电极电流IC为规定值时，集电极与发射极之间的电压降称为集电极一发射极击穿电压。
8、最高工作电压VRM
在无光照下，集电极电流Ie 为规定的允许值时，集电极与发射极之间的电压降称为最高工作电压。
9、最大功率PM
最大功率指光敏三极管在规定条件下能承受的最大功率。
10、峰值波长λp
当光敏三极管的光谱响应为最大时对应的波长叫做峰值波长。
11、光电灵敏度
在给定波长的入射光输入单位为光功率时，光敏三极管管芯单位面积输出光电流的强度称为光电灵敏度。
12、响应时间
响应时间指光敏三极管对入射光信号的反应速度，一般为1 X 10-3 --- 1 X 10-7S 。
13、开关时间
1.脉冲上升时间tτ:光敏三极管在规定工作条件下调节输入的脉冲光，使光敏三极管输出相应的脉冲电流至规定值，以输出脉冲前沿幅度的10% - 90% 所需的时间。
2.脉冲下降时间tt :以输出脉冲后沿幅度的90% - 10% 所需的时间。
3.脉冲延迟时间td :从输入光脉冲开始到输出电脉冲前沿的10% 所需的时间。
4.脉冲储存时间ts:当输入光脉冲结束后，输出电脉冲下降到脉冲幅度的90% 所需的时间。