常用电子元器件的认识
电子厂元器件基础认知
电子厂电子元器件基础认知一、电阻器：（单位换算、功率大小辨别、色标法计算阻值与误差。
）1.碳膜电阻器2.金属膜电阻器3.线绕电阻器4.氧化膜电阻器5.压敏电阻器6.热敏电阻器7.湿敏电阻器8.水泥电阻器a.电阻器：在电路图中用字母R表示，单位为欧姆，单位符号用Ω表示。
欧姆是德国物理学家，电阻的国际单位制“欧姆”以他的名字命名。
b.电阻单位换算：常用的电阻单位有毫欧(mΩ)、欧姆(Ω)、千欧(KΩ)、兆欧(MΩ)，换算进率为1000。
1000毫欧(mΩ)=1欧姆(Ω)=0.001千欧(KΩ)=0.000001兆欧(MΩ)c.额定功率：规定环境温度下，常见允许消耗功率有1/16W 、 1/8W 、 1/4W 、 1/2W 、 1W 、 2W 、 5W 、10W。
d.色环电阻器电阻值色标法识别：a.国内贴片电阻的命名方法：1、5%精度的命名：RS-05K102JT2、1%精度的命名：RS-05K1002FTR －表示电阻S －表示功率：05 －表示尺寸(英寸)：02表示0402、03表示0603、05表示0805、06表示1206、1210表示1210、1812表示1812、10表示2010、12表示2512。
K －表示温度系数为100PPM。
102－5%精度阻值表示法：前两位为有效数字，第三位表示有多少零，单位Ω，102=1000Ω=1KΩ。
1002－1%精度阻值表示法：前三位为有效数字，第四位表示有多少零，单位Ω，1002=10000Ω=10KΩ。
J －表示精度为5%F －表示精度为1%T －表示编带包装b.误差精度：贴片电阻阻值误差精度有±1%、±2%、±5%、±10%精度，常规用的最多的是±1%和±5%，±5%精度的常规是用三位数来表示，例512，前面两位是有效数字，第三位数2表示有多少个零，单位Ω,这样就是5100Ω=5.1KΩ。
常见电子元件的图解及作用
常用电子元器件的图解和作用在电子制作中，要使用到许多不同的电子元件。
在这一节中，将简单地介绍常用的电子元件。
同学们应认识它们，了解它们的作用，记住它们的符号，以便于今后应用这些元件组装出各种实用的、有趣的电子制品。
一、电阻器和电容器（一）电阻器我们将电池、开关和灯泡用导线连接成图3-1电路。
开关闭合后，电流由电池正极流出，经开关和小灯泡流入电池负极，小灯泡发光。
导线和小灯泡都能导电，它们称为导体。
在一般情况下金属都是导体。
导体在电流通过时，对电流有一定的阻碍作用，这种阻碍作用称为电阻。
电阻的文字符号是R。
电阻大小的基本单位是欧姆（符号Ω），还有较大的单位千欧（KΩ），和兆欧（MΩ）。
它们的换算关系是：1MΩ＝103KΩ1KΩ＝103Ω图3-1 照明灯电路常用的电阻分两大类。
阻值固定的电阻器称为固定电阻器。
阻值连续可变的电阻器称为可变电阻器（包括徽调电阻器和电位器）。
它们的外形和图形符号见表3一1。
由于制作的材料不同，电阻器也可分为碳膜电阻、金属膜电阻或线绕电阻等等。
电阻器在电路中起什么作用呢？表一常用电阻器固定电阻器微调电阻器电位器RRR我们将图3-1电路中的开关换为1个470欧姆的电位器（如图3一2（A））。
旋转电位器的转柄，小灯泡的亮度要随着电阻值的大小而改变。
电阻值越大，小灯泡越暗。
这说明电阻器在电路中可以控制电流的强弱。
我们可以参考这个电路制成一个可以调光的玩具小台灯。
图3-2 电阻器和电容器在电路中的作用电阻器的主要参数有两个：1．标称阻值和允许误差。
在电阻上标注的电阻数值叫作标称阻值。
如1.5K，5.1Ω……。
它的实际阻值允许有一定的误差，叫允许误差，分为Ⅰ级（±5％），Ⅱ级（±10％），Ⅲ级（±20％）。
如电阻器上标“3KΩⅠ”，则表示这个电阻的阻值是3KΩ，误差为士5％。
电阻的标称值和误差也可以用色环来表示。
在电阻上印有四条色彩鲜艳的园环，紧靠电阻左端的三条色环表示电阻值，最后一条色环表示允许误差。
ICkey-认识电子元器件
认识电子元器件电子元器件是元件和器件的总称。
电子元件：指在工厂生产加工时不改变分子成分的成品。
如电阻器、电容器、电感器。
因为它本身不产生电子，它对电压、电流无控制和变换作用，所以又称无源器件。
电子元器件是元件和器件的总称。
电子元件：指在工厂生产加工时不改变分子成分的成品电子器件：对电压、电流有控制、变换作用（放大、开关、整流、检波、振荡和调制等）。
电子元器件行业主要由电子元件业、半导体分立器件和集成电路业等部分组成. 电子元器件包括:电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺专用材料、电子胶（带）制品、电子化学材料及部品等。
电子元器件在质量方面国际上面有中国的CQC认证，美国的UL和CUL认证，德国的VDE和TUV以及欧盟的CE等国内外认证，来保证元器件的合格。
发展史电子元器件发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。
电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术，二十世纪发展最迅速，应用最广泛，成为近代科学技术发展的一个重要标志。
电子元器件第一代电子产品以电子管为核心。
四十年代末世界上诞生了第一只半导体三极管，它以小巧、轻便、省电、寿命长等特点，很快地被各国应用起来，在很大范围内取代了电子管。
五十年代末期，世界上出现了第一块集成电路,它把许多晶体管等电子元件集成在一块硅芯片上，使电子产品向更小型化发展.集成电路从小规模集成电路迅速发展到大规模集成电路和超大规模集成电路，从而使电子产品向着高效能低消耗、高精度、高稳定、智能化的方向发展。
由于，电子计算机发展经历的四个阶段恰好能够充分说明电子技术发展的四个阶段的特性，所以下面就从电子计算机发展的四个时代来说明电子技术发展的四个阶段的特点.在20世纪出现并得到飞速发展的电子元器件工业使整个世界和人们的工作、生活习惯发生了翻天覆地的变化.电子元器件的发展历史实际上就是电子工业的发展历史。
电子元器件基本知识
PCBA板：丝印、焊盘、测试点、极性标识、PTH孔。 电子元器件材料有些有极性有些无极性。
三、电子元器件分类识别
1.电容类(Capacitor)：用 “C”表示
SMT所用元器件
贴片电容
钽质电容
DIP所用元器件
电解电容
基本单位 : PF 、 NF 、UF
单位换算 ： 1UF＝ 1000NF=1000000PF
方向识别缺口
方向识别线
QFN
QFP
PLCC
极性识别点
极性识别点
三、电子元器件分类识别
7.晶振(Crystal)：用“Y”&“X”表示
SMT所用元器件
有源晶振
无源晶振 DIP所用元器件
无源晶振
基本单位 : 兆赫兹( MHZ ) 注意：晶振分为有源晶振和无源晶振,其 中有源晶振有砐性区分, 无源晶振无砐性 区分,但有频率型号区分(文字面)
SMT所用元器件
DIP所用元器件
屏蔽盖
基本单位 : 无 注意：屏蔽盖无极性,但有方向区分
四、电子材料的基本包装方式
SMT所用元器件
DIP所用元器件
卷装
盘装
管装
编带
袋装
盒装
盘装
管装
五、材料规格尺寸
单位（英制） 单位（公制）
0201பைடு நூலகம்0.6x0.3
0402 1.0x0.5
0603
0805
1008 1206 1210
按键开关
拨档开关
基本单位 : 无 注意：开关无极性,但部分开关有方向区分
按键开关
拨档开关
三、电子元器件分类识别
12.天线（Antenna）：点位用“J”&“X”表示
电子元器件识别大全附图
组件识别指南1.0 目的制订本指南﹐规范公司的各层工作人员认识及辩别日常工作中常用的各类组件．2.0 范围公司主要产品(计算机主板)中的电子组件认识:2.1工作中最常用的电子组件有﹕电阻﹑电容﹑电感﹑晶体管(包括二极管﹑发光二极管及三极管)﹑晶体﹑晶振(振荡器)和集成电路(IC)。
2.2 连接器件主要有﹕插槽﹑插针﹑插座等。
2.3 其它一些五金塑料散件﹕散热片﹑胶钉﹑跳线铁丝等。
3.0 责任3.1 公司的各层工作人员﹐正确认识及辩别日常操作中常用的各类组件﹐结合产品BOM的学习并应掌握以下基础知识或内容﹕A) 从外观就能看出该组件的种类﹐名称以及是否有极性(方向性)。
B) 从组件表面的标记就能读出该组件的容量﹐允许误差范围等参数。
C) 能辩识各类组件在线路板上的丝印图。
D) 知道在作业过程中不同组件需注意的事项。
3.2 本指南由品管部负责编制;4.0 电子组件4.1 电阻电阻用“R”表示﹐它的基本单位是奥姆(Ω)1MΩ(兆欧)=1000KΩ(千欧)=1000000Ω公司常用的电阻有三种﹕色环电阻﹑排型电阻和片状电阻。
4.1.1 色环电阻色环电阻的外观如图示﹕图1 五色环电阻图2 四色环电阻较大的两头叫金属帽﹐中间几道有颜色的圈叫色环﹐这些色环是用来表示该电阻的阻值和范围的﹐共有12种颜色﹐它们分别代表不同的数字(其中金色和银色表误差)﹕颜色棕红橙黄绿蓝紫灰白黑金银代表数字 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 +5% +10%我们常用的色环电阻有四色环电阻(如图2)和五色环电阻(如图1)﹕1).四色环电阻(普通电阻)﹕电阻外表上有四道色环﹕这四道环﹐首先是要分出哪道是第一环﹑第二环﹑第三环和第四环﹕标在金属帽上的那道环叫第一环﹐表示电阻值的最高位﹐也表示读值的方向。
如黄色表示最高位为四﹐紧挨第一环的叫第二环﹐表示电阻值的次高位﹐如紫色表示次高位为7﹔紧挨第2环的叫第3环﹐表示次高位后“0”的个数,如橙色表示后面有3个0﹔最后一环叫第4环﹐表示误差范围﹐一般仅用金色或银色表示﹐如为金色﹐则表示误差范围在+5%之间﹐如为银色﹐则表示误差范围在+10%之间。
电子元件的认识
積層陶瓷電容
其規格主要有: 0402、 0603、0805、1206、 1210等,
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© USI proprietary and confidential
排容（Capacitor Networks）
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© USI proprietary and confidential
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© USI proprietary and confidential
普通電感
其規格主要有: 0603 、0805、1206等。
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四、二极管（D：Diode）
1．二极管概述
二极管是由一对PN结连接起来构成单向导通的电子元件。二极管有耐压、 耐流、导通电压、导通时间等技术指标。二极管都是有极性的元件。 二极管可分为整流二极管、稳压二极管、开关二极管、肖特基快速二极 管、发光二极管等。 二极管在电路中可起整流、稳压、保护（如运放的输入、输出）、开关 的作用。
常见的IC主要有SOP（SOP、VSOP、HSOP、VHSOP） QFP（QFP、VQFP） SOJ PLCC BGA（PBGA、CBGA等） CSP FC
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SOP Small Outline Package
SOP型的IC從引腳數分類有:SOP08、SOP16、 SOP24、SOP30等多種
P 型 三 极 管
N 型 三 极 管
型 达 林 顿 管
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常用电子元器件的认识
常用电子元器件的认识电子元器件可以说是电子设备中最基本的组成部分之一，可以通过它们来控制电信号和电能的流动。
在工程领域中，我们需要了解电子元器件的种类和功能，以便选择合适的元件并正确地进行设计、维护和故障排除。
在本文中，我们将介绍一些常见的电子元器件，并对它们的主要特征进行分析和说明。
1. 电阻器电阻器是一种能够限制电流流过范围的电子元件，它是通过将电流导体中的电比较好地转化为热量来实现的。
在实际应用中，我们常常需要用电阻器来控制电路的电流和电压，以便实现特定的电路功能，比如控制LED亮度，实现制冷系统温度控制等等。
2. 电容器电容器能够储存静电能量，可用来控制电流和电压。
它有两个电极板和一个电介质，当电容器接入电路时，会在两个电极板之间形成等电势线。
电容器的容量是储存的静电能量密度，通常以法拉(F)为单位，这也意味着电容器具有储存电能的能力，可以在电路中用来平衡电压或稳定电流。
除此之外，它还可以用来生成谐振电路以实现特定的滤波器和振荡器。
3. 晶体管晶体管是一种半导体器件，它可以控制电流的流动而没有机械运动，通常用来放大电路信号。
晶体管最常见的类型是二极管，由两个PN结组成，其中一个剥掉的半导体层就被称为基极。
当施加电压时，电场将使电荷在基极和发射极之间流动，并将集电极中的电流变大。
4. 电感器电感器是一种设备，它可以储存磁场能量，通常用来控制电流或电压。
电感器由线圈和磁芯组成，当电流通过线圈时，磁芯被激活并储存能量。
电感器的置换效应使得电压和电流呈正比例或反正比例的变化。
实际使用中，电感器可以用于过滤电流脉冲或形成谐振电路，还可以在发电机或变压器中用来调节电感。
5. 二极管二极管是一种电子器件，它由两个半导体层（一正一负）组成，可控制电流的一个方向。
当施加电压时，电子从一层流向另一层，这就是二极管的正向导通，不同于之前的电阻器，它是一种有源元件，可以用于电路中的整流、开关或振荡。
当电子流从高电位电极流向低电位电极时，二极管发生反向击穿，进入负向导通状态，此时它可以用作负向偏置的保护器件。
常用元器件识别及检测完整版
常用元器件识别及检测 Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-NNUUT-NUT108】常用电子元器件识别及检测（二）二极管二极管的最大特点是：单向导电性。
其主要作用包括：稳压、整流、检波、开关、光电转换等。
二极管的分类按材料来分：硅管、锗管按结构来分：点接触型、面接触型按用途来分：稳压管、整流管、检波管、开关管、变容管、发光管、光电管等。
贴片二极管1、整流二极管整流二极管多用硅半导体材料制成，有金属封装和塑料封装两种。
整流二极管是利用PN结的单向导电性，把交流电变成脉动直流电。
2、检波二极管检波的作用是把调制在高频电磁波的低频信号检出来。
检波二极管要求结电容小，反向电流小，所以检波二极管常采用点触式二极管。
3、光电二极管光电二极管又叫光敏二极管，它是利用PN结在施加反向电压时，在光线照射下反向电阻由大到小的原理进行工作的。
无光照射时，二极管的反向电流很小；有光照射时，二极管的反向电流很大。
光电二极管不是对所有的可见光及不可见光都有相同的反应，它是有特定的光谱范围的，2DU是利用半导体硅材料制成的光电二极管，2AU是利用半导体锗材料制成的光电二极管。
4、稳压二极管稳压二极管是一种齐纳二极管，它是利用二极管反向击穿时，其两端电压固定在某一数值，而基本上不随电流大小变化的特性来进行工作的。
稳压二极管的正向特性与普通二极管相似，当反向电压小于击穿电压时，反向电流很小；当反向电压临近击穿电压时反向电流急剧增大，发生电击穿。
这时电流在很大范围内改变时管子两端的电压基本保持不变，起到稳定电压的作用。
必须注意的是，稳压二极管在电路上应用时一定要串联限流电阻，不能让二极管击穿后电流无限增大，否则二极管将立即被烧毁。
5、变容二极管变容二极管是利用PN结的空间电荷层具有电容特性的原理制成的特殊二极管。
它的特点是结电容随加到管子上的反向电压大小而变化。
在一定范围内，反向偏压越小，结电容越大；反之，反向电容偏压越大，结电容越小。
认识常用电子元件(图解)
一般二极管的负极用白色、红色或黑色色环标识，发光二极管 一般用引脚长度不同来区分极性，较短的引脚为负极。
C）二极管的变形体：整流块电路、数码发光管、双色发光管
晶体三极管管脚的判别
用万用表判别三极管管脚的根据是：NPN型三极管基极到
发射极和基极到集电极均为PN结的正向；而PNP型三极管
基极到发射极和基极到集电极均为PN结反向。根据二极管 正向电阻小、反向电阻大的特点，判断出三极管的基极，进 而确定集电极与发射极。
工作电压
元件值读取的例子：图片中电容的丝印为100，读取其元件值：
第一、二位10 X 第三位0＝10X1＝10μF
250V~表示工作电压为交流250V。
电容值
允许误差
安规认 证标志
工作 电压
e、安规电容：是一类比较特 殊的电容，它在电路中起到保 护作用。安规电容按照使用条 件可分为两大类：X安规电容， Y安规电容。元件表面有丝印， 无极性。印有各类安规认证标 志。容值识别规则：第一、二 位表示元件值有效数字，第三 位表示有效数字后应乘的倍率。 且印有允许误差、工作电压。 基本单位：pF.
温度系数
a、瓷片电容：是最常用的一类电容， 其性能稳定，可适用的频率广泛， 体积小型化容易。元件表面有丝印， 无极性。 容值识别规则：第一、二位表示元 件值有效数字，第三位表示有效数 字后应乘的倍率。允许误差也在丝 印上有体现，并且部分生产厂家将 温度系数也印在元件本体上。 基本 单位： pF。
电容值
★ 传声器是指驻极体电容传声器，即俗称的咪头。
贴片咪头
4. ★保险丝
玻璃管保险丝
温 度 保 险 丝
★ 保险丝也被称为熔断器。 ★ 保险丝的作用是：当电路发生故障 或异常时，伴随着电流不断升高，并 且升高的电流有可能损坏电路中的某 些重要器件或贵重器件，也有可能烧 毁电路甚至造成火灾。保险丝就会在 电流异常升高到一定的高度和一定的 时候，自身熔断切断电流，从而起到 保护电路安全运行的作用
常用元器件的识别
常用元器件的识别：一、电阻电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。
电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。
1、参数识别：电阻的单位为欧姆（Ω），倍率单位有：千欧（KΩ），兆欧（MΩ）等。
换算方法是：1兆欧=1000千欧=1000000欧电阻的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。
a、数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：472 表示47×100Ω（即4.7K）； 104则表示100Kb、色环标注法使用最多，现举例如下：四色环电阻五色环电阻（精密电阻）2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示：颜色有效数字倍率允许偏差（%）银色/ x0.01 ±10金色/ x0.1 ±5黑色 0 +0 /棕色 1 x10 ±1红色 2 x100 ±2橙色 3 x1000 /黄色 4 x10000 /绿色 5 x100000 ±0.5蓝色 6 x1000000 ±0.2紫色7 x10000000 ±0.1灰色 8 x100000000 /白色 9 x1000000000 /二、电容1、电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C13表示编号为13的电容）。
电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。
电容的特性主要是隔直流通交流。
电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。
容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。
2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。
电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。
其中：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 uF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法：1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。
常用电子元器件的认识与焊接教案
常用电子元器件的认识与焊接教案第一章：电子元器件概述教学目标：1. 了解电子元器件的分类及基本功能。
2. 掌握常用电子元器件的识别与简单工作原理。
教学内容：1. 电子元器件的分类：被动元件、主动元件、半导体元件等。
2. 常用电子元器件：电阻、电容、电感、二极管、三极管、晶闸管等。
3. 电子元器件的参数及表示方法。
教学活动：1. 讲解电子元器件的分类及基本功能。
2. 展示并讲解常用电子元器件的实物及电路符号。
3. 介绍电子元器件的参数及其表示方法。
第二章：电阻的认识与焊接教学目标：1. 掌握电阻的识别及主要参数。
2. 学会电阻的焊接方法。
教学内容：1. 电阻的种类：固定电阻、可调电阻、热敏电阻等。
2. 电阻的主要参数：阻值、误差、温度系数等。
3. 电阻的焊接方法：手工焊接、烙铁焊接等。
教学活动：1. 讲解电阻的种类及主要参数。
2. 展示并讲解电阻的焊接方法。
3. 学生分组实践，进行电阻的焊接操作。
第三章：电容的认识与焊接教学目标：1. 掌握电容的识别及主要参数。
2. 学会电容的焊接方法。
教学内容：1. 电容的种类：固定电容、可调电容、电解电容等。
2. 电容的主要参数：容量、误差、温度系数等。
3. 电容的焊接方法：手工焊接、烙铁焊接等。
教学活动：1. 讲解电容的种类及主要参数。
2. 展示并讲解电容的焊接方法。
3. 学生分组实践，进行电容的焊接操作。
第四章：电感的认识与焊接教学目标：1. 掌握电感的识别及主要参数。
2. 学会电感的焊接方法。
教学内容：1. 电感的种类：固定电感、可调电感、线圈等。
2. 电感的主要参数：感抗、误差、温度系数等。
3. 电感的焊接方法：手工焊接、烙铁焊接等。
教学活动：1. 讲解电感的种类及主要参数。
2. 展示并讲解电感的焊接方法。
3. 学生分组实践，进行电感的焊接操作。
第五章：二极管的认识与焊接教学目标：1. 掌握二极管的识别及主要参数。
2. 学会二极管的焊接方法。
教学内容：1. 二极管的种类：整流二极管、稳压二极管、检波二极管等。
电子元器件识别大全附图
1.0 目的制订本指南﹐规范公司的各层工作人员认识及辩别日常工作中常用的各类组件．2.0 范围公司主要产品(计算机主板)中的电子组件认识:2.1工作中最常用的电子组件有﹕电阻﹑电容﹑电感﹑晶体管(包括二极管﹑发光二极管及三极管)﹑晶体﹑晶振(振荡器)和集成电路(IC)。
2.2 连接器件主要有﹕插槽﹑插针﹑插座等。
2.3 其它一些五金塑料散件﹕散热片﹑胶钉﹑跳线铁丝等。
3.0 责任3.1 公司的各层工作人员﹐正确认识及辩别日常操作中常用的各类组件﹐结合产品BOM的学习并应掌握以下基础知识或内容﹕A) 从外观就能看出该组件的种类﹐名称以及是否有极性(方向性)。
B) 从组件表面的标记就能读出该组件的容量﹐允许误差范围等参数。
C) 能辩识各类组件在线路板上的丝印图。
D) 知道在作业过程中不同组件需注意的事项。
3.2 本指南由品管部负责编制;4.0 电子组件4.1 电阻电阻用“R”表示﹐它的基本单位是奥姆(Ω)1MΩ(兆欧)=1000KΩ(千欧)=1000000Ω公司常用的电阻有三种﹕色环电阻﹑排型电阻和片状电阻。
4.1.1 色环电阻色环电阻的外观如图示﹕图1 五色环电阻图2 四色环电阻较大的两头叫金属帽﹐中间几道有颜色的圈叫色环﹐这些色环是用来表示该电阻的阻值和范围的﹐共有12种颜色﹐它们分别代表不同的数字(其中金色和银色表误差)﹕我们常用的色环电阻有四色环电阻(如图2)和五色环电阻(如图1)﹕1).四色环电阻(普通电阻)﹕电阻外表上有四道色环﹕这四道环﹐首先是要分出哪道是第一环﹑第二环﹑第三环和第四环﹕标在金属帽上的那道环叫第一环﹐表示电阻值的最高位﹐也表示读值的方向。
如黄色表示最高位为四﹐紧挨第一环的叫第二环﹐表示电阻值的次高位﹐如紫色表示次高位为7﹔紧挨第2环的叫第3环﹐表示次高位后“0”的个数,如橙色表示后面有3个0﹔最后一环叫第4环﹐表示误差范围﹐一般仅用金色或银色表示﹐如为金色﹐则表示误差范围在+5%之间﹐如为银色﹐则表示误差范围在+10%之间。
电路基础—认识电子元器件
电子元件电子元件（electronic component），是电子电路中的基本元素，通常是个别封装，并具有两个或以上的引线或金属接点。
电子元件须相互连接以构成一个具有特定功能的电子电路，例如：放大器、无线电接收机、振荡器等，连接电子元件常见的方式之一是焊接到印刷电路板上。
电子元件也许是单独的封装（电阻器、电容器、电感器、晶体管、二极管等），或是各种不同复杂度的群组，例如：集成电路（运算放大器、排阻、逻辑门等）。
中文名电子元件外文名Electronic component常用的电阻、电容、电感、电位器等用于组成电子产品目录.1元件分类.▪端子与连接器.▪电线.▪开关.▪电阻.▪保护装置.▪电容.▪电磁感应装置.▪网络（Network）.▪忆阻器（Memristor）.▪压电装置、晶体谐振器.▪电源.▪感测器.▪固态电子元件.▪显示科技.▪真空管.▪组件.▪机械配件.▪其他.2标准缩写元件分类编辑为了保持电子元件运作的稳定性，通常将它们以合成树脂（Resin dispensing）包覆封装，以提高绝缘与保护不受环境的影响。
[1]元件也许是被动或有源的（passive or active）：被动元件（Passive components）是一种电子元件，在使用时它们没有任何的增益或方向性。
在电路分析（Network analysis）时，它们被称为电力元件（Electrical elements）。
有源元件（Active components）是一种电子元件，相对于被动元件所没有的，在使用时它们有增益或方向性。
它们包括了半导体器件与真空管。
端子与连接器用于电路连接的装置端子（Terminal）电子连接器（Connector）信号插座（Socket）端子台（Screw terminal, Terminal Blocks）信号接头（Header）电线有连接口或终端在尽头的电线电源线（Power cord）软线（Patch cord）示波器探棒（Test lead）开关能够控制电路的开路或闭路的电子元件开关（Switch）- 手动操作的开关Keypad- 一群按钮开关的集合（例如只能输入数字的小键盘）继电器（Relay）- 电流操作的开关。
认识电子元器件
认识电子元器件电子元器件是电子技术中不可或缺的一部分。
了解和掌握电子元器件的种类、特点及其作用，对于学习和掌握电子技术知识有着非常重要的作用。
在本文中，将对电子元器件这一知识点进行分析和讲解。
一、电子元器件的基本概念电子元器件是指用于电子技术的各种电子部件和器件，它们可以完成电子电路中不同的功能。
电子元器件分为被动元器件和主动元器件两种。
被动元器件是指无源元器件，不具有增益功能，只能承受电信号，并在其中产生电阻、电抗、电容、电感等等作用。
常见的被动元器件有电阻、电容、电感、电位器、电感器等等。
主动元器件是指有源元器件，如晶体管、三极管、场效应管、集成电路等，它们具有一定的电流放大和电压放大作用（即增益），可以对电路信号进行加工和控制。
二、电子元器件的分类根据作用和形状的不同，电子元器件分为多种类型，下面是一些常见的电子元器件类型介绍：1. 电阻器电阻器是被动元器件，用于控制电路中的电流大小。
它们通常是一个导电质料制成的。
电阻器的种类有线性电阻、非线性电阻和可变电阻等。
2. 电容器电容器也是被动元器件，用于存储电荷。
它们由两个导体板和一个绝缘材料层组成。
电容器的种类有电解电容、陶瓷电容、纸质电容等等。
3. 电感器电感器是被动元器件，用于控制和储存电能。
它们由绕在磁芯上的线圈构成。
电感器的种类有大电感、小电感、发光电感等。
4. 晶体管晶体管是一种主动元器件，具有放大和开关功能。
它们通常被用于模拟和数字电路的设计中。
晶体管的种类有NPN型、PNP型、场效应晶体管等等。
5. 二极管二极管也是一种主动元器件，具有整流和振荡等特性。
它们被广泛应用于电源等电路中。
二极管的种类有普通二极管、整流二极管等等。
6. 集成电路集成电路也是一种主动元器件，是一种复杂的电子元件。
它们由多个晶体管、二极管和电容器等组成，通常可以完成多个电路功能。
集成电路的种类有逻辑集成电路、模拟集成电路等等。
三、电子元器件的基本特性电子元器件都有自己的特性，例如电压、电流和功率等等。
电子元件的识别与检测二极管、三极管、电容、电阻
本征半导体导电示意图
第四十三页，编辑于星期五：十七点 四分。
（2）杂质半导体及分类 定义： 掺杂后的半导体为杂质半导体。 分类：按所掺入杂质类型不同，分为P型半导体和
N型半导体。 1）P型半导体：在本征半导体硅（或锗）中掺入微
量的三价元素，就形成P型半导体（空穴型半导体） 。其内部有两种运载电荷的粒子，即载流子,其中空 穴是多数载流子（简称多子），自由电子是少数 载流子（简称少子）。 2）N型半导体：在本征半导体硅（或锗）中掺入微 量的五价元素，就形成N型半导体（或电子型半导体
2. 电阻器的额定功率
• 电阻器长期连续工作并能满足规定的性能要求时，所 允许耗散的最大功率称为电阻器的额定功率
第二十三页，编辑于星期五：十七点 四分。
二、识别电容器
常见电容及其图形符号
第二十四页，编辑于星期五：十七点 四分。
1.电容器的标注方法
电容器的单位：国际单位是法拉（F）。常用单位有微法（μF）、微 微法（PF）。1F＝106μF＝1012PF
表示容量为6800pF 耐压为1500V
圆片瓷介电容器
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涤纶薄膜电容
耐压：400V
容量：33X104μF
误差：J为±5％
表示容量为33X104μF 误差为±5％ 耐压为400V
涤纶薄膜电容器
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耐压为“2A”＝1.0×102=100V 容量为“104”＝10×104pF 误差为“J”＝ ±5％
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• 4. 直流电流的测量
1）选挡位：直流电流挡 2）选量程：当不知电流范围时先用高挡再换低挡 ，使指针落在满刻度2/3以上区域 3）选刻度：选标有“mA”刻度线，读取合适的刻 度 4）测量：断开被测电路 ，将万用表红、黑表笔 串入，电流从红笔入黑笔出 5）读数：根据所选量程来选择合适标度尺，读取被测电
常用电子元器件的认识
电子元器件的认识开关电源(SＰS）是由众多的元器件构成，因此,要了解开关电源的原理,学会看电路图.首先必须掌握元器件的主要性能,结构,工作原理,电路符号,参数标准方法和质量检测方法,下面将作逐一介绍.一.电阻器电阻器简称电阻,英文Resiｓｔoｒ1.电路符号和外形.（a） (b) (c)(a)国外电阻器电路符号．(b)国内符号．（c)色环电阻外形2.电阻概念：电阻具有阻碍电流的作用.公式R=U/I常用单位为欧姆(Ω）,千欧(ＫΩ）和兆欧（MΩ）．1M=10 K10 Ω3.种类电阻器的种类有:碳膜电阻,金属氧化膜电阻，绕线电阻,贴片电阻, 可调电阻,水泥电阻.4.性能参数(1)标称阻值与允许误差(2)额定功率:指在特定（如温度等)条件下电阻器所能承受的最大功率,当超过此功率,电阻器会过热而烧坏．通用碳膜电阻Power RatｉnｇCurve （Fi ｇurｅ1）(3)电阻温度系数(4). 工作温度范围CａrbonＦilm：-5５℃－-－－+15５℃Metal Film：-55℃－-－-＋１55℃Meｔａl ＯｘidｅFiｌm:-5５℃--－-+２00℃Chｉp Film :-55℃----＋125℃5.标注方法：(1)直标法(2)色标法色标法是用色环或色点来表示电阻的标称阻值,误差.色环有四道环和五道环两种.读色环时从电阻器离色环最进的一端读起,在色标法中，色标颜色表示数字如下:颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰白金银数字0 1 ２ 3 4 5 ６７8 ９-１－2四色环中，第一,二道色环表示标称阻值的有效值，第三道色环表示倍数,第四道色环表示允许偏差，五色环中,前三道表示有效值,第四到为倍数,第五道为允许误差.精密电阻常用此法.例１:有一电阻器,色环颜顺序为:棕,黑,橙,银，则阻值为:１０X１0±10%（Ω)6.误差代码Tｏleｒance ±1%±２% ±２.５%±3％±5％±10%±２０％Ｓｙｍboｌs FG H I J K M7.电阻的分类(1）. 碳膜电阻(2).金属膜电阻(保险丝电阻)(3）. 金属氧化膜电阻(4). 绕线电阻(5).保险丝二:电容器英文Capaciｔｏr1．电路符号(a)(b)(a）,(b)分别表示为无极性,有极性的电容器的电路符号．2.电容慨念电容器是储存电荷的容器.电容器的容量C由下式决定:C=Q/U=ΣS/4πｄ，单位法拉(F)．3.种类电容器可分为:陶瓷电容，电解电容,安规电容，贴片电容,塑料电容.４.主要性能参数(1)标准容量及允许偏差(2)额定电压(3)损耗系数DF值DF=Ｐ耗/P总P耗为充放电损耗功率,P总为充放电总能量．(4)温度系数5.标注方法(1)直标法(2)色标法:类似电阻器之色标法,三色环无偏差表示,单位PF6．多层陶瓷电容器电介质分类NPＯ(COG)﹕一类电介质﹐电气性能最稳定﹐基本上不随温度﹐电压与时间的改变而改变﹐适用于对稳定性要求高的电路﹒X7R（2X１） : 二类电介质﹐电气性能较稳定﹐在温度﹐电压与时间改变时性能变化并不显著﹐适用于隔直,偶合旁路与对容量稳定性要求不太高的全频鉴电路.由于X７R是一种强电介质，因而能造出容量比NPO介质更大的电容器.Ｙ5V（2F４) : 二类电介质,具有较高的介电常数,常用于生产比容较大的/标称容量较高的大容量电容器产品,但其容量稳定性较X7R差,容量/损耗对温度,电压等测试条件较敏感．7. Plastiｃ Film Ｃａpacitoｒs(1).Poｌystyrene Ｆiｌm Capａcｉｔｏr (聚苯乙烯膜電容器)High prｅcision of capacitａnce.Lｏw diｓsｉpation factoｒand ｌｏw ESR．High insｕｌatiｏn reｓistaｎceＨigh ｓtabiｌiｔｙｏf cａｐacitancｅanｄDF VS tempｅrａture and frｅｑｕencｙ.（2) PolyesteｒFilm Capacitor（聚乙烯膜電容器)Hｉgh moistureｒｅsistａnｃｅＧｏod soｌｄerａｂilｉtyAｖailable oｎｔapｅanｄreel fｏr autｏｍaｔiｃｉnserｔｉonＥSR iｓmiｎimized.(3) Meｔaｌlized Ｐolyｅster Fｉlm Caｐaｃitor(金屬化聚乙烯膜電容器)Ｈigh mｏｉsture resisｔａｎｃe.Good solderabilｉty.Nｏn-inductivｅcｏnｓtructiｏn ａｎｄsｅｌl-ｈealiｎg ｐrｏpeｒｔy.(4) Polypropｙｌene Ｆilm Capacitｏr(聚丙烯膜電容器)Low ｄｉsｓiｐaｔion factor and hiｇｈiｎsulａtion rｅsisｔanｃe．Ｈiｇh stabilｉty ｏｆｃapacitａｎｃe anｄDＦＶSｔｅmpｅraｔure and ｆr ｅquｅnｃy.Loｗｅｑuivaｌeｎt sｅrieｓreｓistａｎce．Ｎｏn-inductiｖｅcｏｎｓｔrucｔion8.X電容9.Ｙ電容三．电感器(英文Ｃｈｏke 即线圈)1.电路符号（普通电感无极性) 2.主要参数(1)电感量及允许偏差 (2)品质因子(Ｑ值）感抗x L =W L=2πｆL Q ＝２πfL/Ｒ Q 即为品质因子3.种类可分为固定电感器,带磁心电感线圈，可变电感器 四.半导体二极管 (英文 Di ｏde)DIODE Test # Descr ｉp ｔion1 VF F ｏr ｗa ｒｄ v ｏlt ａge2 IR Ｒｅv ｅrs ｅ curren ｔ lea ｋａｇe3BV ＲＢreak ｄｏw ｎ voltagｅ1.电路符号2.单向导电性二极管只能一个方向流过电流,即电能只能从它正极流向负极．在正常情况下，硅管的正向压降为０.６~０.7V,锗管0.2~0．3Ｖ，即二极管正向压降基本保持不变,当外加正向电压达到一定程度,二极管正向电流会很大,将烧坏二极管.当加在二极管上的反向电压小于一个临界值时,二极管的反向电流很小,即反向时二极管的内阻很大,相当于二极管截止.当二极管的反向电压大于临界值时,二极管会反向击穿.3.结构是由一个P型半导体和一个Ｎ型半导体构成,组成一个PN结，P Ｎ结具有单向导电性.４.种类（1)普通二极管 (2）发光二极管（3)稳压二极管 (４)变容二极管（6）肖特基二极管5．主要参数(1)最大平均整流电流I F:表征二极管所能流过的最大正向电流.在一个周期内的平均电流值不能超过IＦ，否则二极管将会烧坏.(2)最大反向工作电压ＶR(3)反向电流I R：是在最大反向工作电压下的二极管反向电流值(4)工作频率:表示二极管在高频下的单向导电性能.五.稳压二极管DescriptionZENEＲTｅｓt#1 VＦFoｒward volｔage2 BV Z Miｎｉmｕm Zeｎｅr ｖｏlｔａge.(Use tesｔ#5)3 ＢＶZ ＭａxiｍuｍZｅnｅｒｖoltaｇe.(Use teｓt #5)４I R Rｅverseｃｕrrｅnt leaｋage5 BVＺＢＶz with prｏｇｒammaｂle soａk6 ZZ 1 KHｚZenｅr Ｉmpedance（ｒeｑuirｅｓZＺ-1000 or Ｍodｅl 5310)１．电路符号(图一) （图二)2.稳压原理从（图二）稳压特性曲线可以看出,当稳压管反向击穿后，流过二极管的工作电流发生很大变化时，稳压二极管的电压降压V2基本不变,所以稳压管稳压就是利用二极管两端的电压能稳定不变.若加在稳压管上的反向电压小于反向击穿电压值,那么稳压管处于截止状态，即开路.3.主要参数(1)稳定电压(2)稳定电流：稳压管工作对参考电流值,电流小于该值,稳压效果会略差些.(3)额定功率损耗(4)电压温度系数(5)动态电阻六．半导体三极管(又称晶体三极管)TRＡNSＩSTO ＲTest#Deｓcｒipｔion１h FE Forｗard－cｕrrenｔｔｒanｓｆer ratio2 V BE Ｂasｅemittｅr ｖｏltage（ｓee also Apｐendix F）3 IＥBＯEmittｅr ｔo base cｕｔｏff currｅnt4 VＣESAT Sａturaｔion ｖolｔagｅ5 IＣＢO Cｏlｌｅctoｒto base ｃutｏff ｃurｒeｎt6 I CEO Collｅｃtor to eｍｉter cutoｆfｃurrｅｎｔI CER, ｗｉｔh bａsｅto eｍiterload,I CEX, ｒeverse ｂias,orI CEＳshorｔ（see also Ａｐpendｉx F)7 BV CEO Bｒeａkdown volｔage，ｃoｌleｃtor ｔoemitter,BV CＥR wiｔh base tｏｅmｉteｒｌoａd,ＢV CEＸrevｅrse biaｓ，orUBV ＣES s ｈort(s ｅｅ a ｌs ｏ App ｅndix F)8 BV ＣBO Br ｅakd ｏwn ｖｏl ｔage,coll ｅc ｔｏr to ｂase９ BV E ＢO Br ｅa ｋｄo ｗｎ v ｏｌt ａｇe,ｅmitter to base10V B ＥSAT Bas ｅ emi ｔter s ａturation vo ｌtage１．电路符号(ｂ）PNP(a) NＰN三极管是由三块半导体组成,构成两个PN 结,即集电结,分别是集电极,基极,发射极,管子中工作电流有集电极电流Ｉc ，基极电流Ib,发射极电流Ｉe,I ｅ＝I ｂ+Ic Ic ＝βＩb ， β为三极管电流放大倍数． (1）NP Ｎ (2） PNP（3)共(b) PNP发射极输出特性曲线(1)放大区发射结正偏,集电结反偏，E１>E２，即NＰN型三极管V c>Vｂ>V e，ＰNＰ型三极管V c＜Ｖｂ<Ｖe.三极管处于放大状态．由于Ic=βIb,即Iｃ受Iｂ控制,而Ic的电流能量是由电源提供的，此时Ube=0.6～0.7Ｖ（ＮPN硅管)(2)截止Ib≦０的区域称截止区,U BE＜0.5V时，三极开始截止,为了截止可靠,常使ＵBＥ≦0，即发射结零偏或反偏,截止时,集电结也反向偏置.(3)饱和区当VＣE<V BE,即集电结正向偏置，发射结正向偏置时,三极管处于饱和区.饱和压降U CE(saｔ）,小功率硅管U CE(ｓａt)≒0．3V,锗管ＵCE(sat)≒0.1V4.主要参数(1)共发射极直流电流放大系数β,即Hｆe,β=I C/ＩB(2)共发射极交流电流放大系数β. β＝ΔI C/ΔI B(3)集电极，基极反向饱和电流I CBO(4)集电极，发射极反向饱和电流I CＥO,即穿透电流(5)集电极最大允许功耗ＰＣM(6)集电极最大允许电流ＩCＭ(7)集电极,基极反向击穿电压Ｕ(BR)ＣＢO(8)发射极,基极反向击穿电压U(BR)CBO(9)集电极,发射极反向击穿电压U(ＢR）ＣBO七.可控硅(英文简称ＳＣＲ，也叫晶闸管）SCR Ｔｅst # Ｄescriptｉｏn1 ＩＧT Gatｅ-triggｅr cｕrrent2 I GＫO Ｒｅveｒｓe gate ｃurrent５VＧT Ｇate-triggｅｒｖｏltage6 BＶGＫO Ｒeverｓｅgaet breａkｄowｎｖｏltagｅ7 ＩDRM Forward Blｏｃｋｉng curｒｅｎｔ８I RRM ＲeveｒsｅBloｃkinｇcurrｅnt9 I L Laｔching ｃurrｅnt11 IＨHｏｌdｉng ｃurｒent(see alsｏAｐpendｉx F)１3 VＴM Forwaｒd oｎｖolｔａge1５ＶＤRM Forｗａrｄｂlocｋｉｎg voltage1６V RRM Reversｅblｏcking ｖoltage1.电路符号A K阳极 G 控制极阴极2.工作原理(1)在阳，阴极间加上一个正电压,再在控制极和阴极之间加上正电压,可控硅导通.(2)可控硅导通后,去掉控制极上的电压,可控硅仍然导通,所以控制极上的电压称为触发电压．(3)导通后,U AK=0.6~1.2V(4)要使导通的可控硅截止,得降低 U AK,同时阳极电流也下降,当阳极电流小于最小维持电流I H时,可控硅仍能截止.3.主要参数(1)正向转折电压UB0,指在控制极开路，使可控硅导通所对应的峰值电压（2)通态平均电压ＵF，约为０.6～1．2Ｖ(３)擎住电流Iｃa-----—由断态至通态的临界电流．(4)维持电流IＨ:从通态至断态的临界电流(5)控制极触发电压U G，一般1~5V(6)控制极触发电流一般为几十毫安至几百毫安.八．变压器变压器是变换电压的器件1.电路符号. .L１ L2(a)(a)图中是带铁芯（或磁芯)的变压器的符号，它有两组线圈L1,Ｌ2,其中L1为初级，L2为次级.圈中黑点表示线圈的同名端，它表明是同名端的两端上的信号相位是同样的．1.结构构成变压器的部件一般有初级线圈,次级线圈.铁芯线圈骨架,外壳等组成．为了防潮,绝缘，坚固,有时还泡有几立水.铁芯是用来提供磁路的． 3.工作原理当给初级通入交流电时,交流电流流过初级,初级要产生交变磁场，这一交变磁场的变化规律与输入初级的交流电变化规律一样．初级的交变磁场作用于次级线圈.次级线圈由磁励电,在次级两端便有感生电压,这样初级上的电压便传输到次级了.4．主要参数(1)变匝比:变压器初级匝数为N1,次级匝数为Ｎ2,在初级上加信号电压为Ｕ1，次级上的电压为U２,则有下式成立:U２/U1＝Ｎ２/N１=N N为变压器的变压比(2)效率是在额定负载时,输出功率与输入功率之比值，即η=Ｐo／P i*1０0％(3)电压,电流的关系若η=100%，则有Ｐ2＝P1,式中：P２为输出功率,Ｐ1为输入功率．因此有:U2/U1=I1/Ｉ2＝N2/N1=N九．光电藕合器 (英文 PHOTO COＵPＬＥ）OPＴOCOUPLERTest #(Ｒeｑuiｒes Ｏpto Adapt ｅr) 1 LCOFＦＣollｅｃｔor tｏemitter daｒkｃurrent２ＬCBO Coｌlector ｔoｂase daｒkcurreｎｔ3 ＢVCEO Breakdoｗn voltage，collector ｔo eｍiｔtｅr4 BVＣBＯBreakdoｗｎvoltａge，collecｔor tｏｂasｅ5 ＨFE Forwarｄcurｒent tｒansfer ratｉo,tｒaｎsistｏr６VCESＡT Sａｔｕrａtionｖoｌtａgｅ,base dｒｉｖeｎ7 ＩR Ｒeverse ｃurrｅnt８VＦForward voltａge9 CTＲCurrｅnｔtransfer ｒatｉo,coupled１0 VＳAT Saｔurationｖoltage,ｃoｕpｌｅd光电藕合器主要由两个组件组成,一个发光二极管(ＬEＤ）,另一个是光敏器件，它可以是光电池，光敏三极管，光敏单向可控硅等器件.1.电路符号2.工作原理当有电流流过ＬED时,便产生一个光源,光的强度取决于激励电流的强度，此光源照射到封装在一起的光敏三极管上后,光敏三极管产生一个与LEＤ正向电流成正比例,该比例称为CTR,即电流传输比.I FＩCＩC/I F＝CTR十.场效应管JＥFT Tesｔ# Desｃｒiptｉｏn1 VGSOFF Gate to sｏurce ｃutoff volｔaｇｅ.2 lDss Zero gａtｅvoltage draｉnｃｕrreｎｔ.3 BVDGＯDraｉn tｏgate brｅａkｄown vｏlｔage.4 IＧSS Ｇａte revｅrse curｒenｔ.5 IDGＯDｒａｉn to gａte leaｋａge.6 IDＯFF Drain cut-oｆf ｃuｒreｎｔ．7 ＢVGSＳGate to souｒcｅbrｅakdowｎvｏltage.８VDSＯN Dｒaiｎto source on-ｓtａte ｖoltage.场效应管是一种由输入信号电压来控制其输出电流大小的半导体三极管，是电压控制器件,输入电阻非常高．场效应管分为:结型场效应管(ＪＦEＴ)和绝缘珊场效应管(ＩGF ＥT)两大类.结型应管一.结型场效应管有N型和Ｐ型沟道两种，电路符号如下ｄ d结型场效应管有三极:珊极g源极N型ｓP型ｓ漏极二.工作原理结型场效应管有两个PN结,在珊源极上加一定电压,在场效应管内部会形成一个导电沟道,当ｄ,ｓ极间加上一定电压时,电流就可以从沟道中流过,即通过源电压来改变导电沟道电阻,实现对漏极电流的控制.三.结型场效应管的主要参数1.夹断电压U DＳ(ｏfｆ),当UＤS等于某一个定值(10v),使Iｄ等于某一个微小电流(如５０ｕＡ）时，源极间所加的U GS即为夹断电压．U DS(oｆf)一般为1~１0V2.饱和漏极电流I DS：当U GS=0时,场效应管发生预夹断时的漏极电流.3.直流输入电阻R GS4.低频跨导GM5.漏源击穿电压Ｕ（BR)DS6.珊源击穿电压U（BR)ＧS7.最大耗散功率PＤM绝缘珊场效应管ＭOSＦET Test # Dｅscrｉptiｏn1 ＶGSTH Thｒeshｏld voltaｇ2 IDｓs Zero gaｔe ｖoltaｇe dｒain currｅnｔ.lDSx with gateｔo Sourｃe revｅrｓｅbｉas.3 BVDｓs Drａin ｔo Sｏｕrcｅbreakdｏwｎvoltａgｅ.4 VDSＯＮDrａin to Ｓource oｎ－sｔate voltaｇｅ.5 IGSSF Ｇａteｔo Source ｌeakagｅcｕrｒｅnｔｆｏｒward．6 IGSSR Gate to Sｏurce leaｋａge curｒent reｖｅrｓｅ．7 ＶF Diode ｆｏrｗａrd voｌtaｇe.8 VＧSF Gａte to Sｏｕrce voltaｇe (foｒｗard）reqｕired for specifieｄIn ａｔｓpecｉfｉedＶos.(ｓee SIＳＱAppendix F)9 VGＳＲＧａte to Sourｃe volｔagｅ(reverse)ｒeｑuired for ｓpｅｃified ID at specｉｆｉeｄＶDＳ.(ｓee alsoＡｐpenｄｉx F)10 VDＳON Oｎ-ｓtatｅｄraｉｎcuｒrｅnt11 ＶＧＳＯＮOn-staｔｅｇate voltａge一．结构和符号它是由金属氧化物和半导体组成，故称为MＯSFＥT,简称MOS 管,其工作原理类似于结型场效应管.符号和极性iＤ+ｓ(1)增强型 NMOS (2)增强型 PM ＯSｉD(３)耗尽型 NM ＯS (４)耗尽型P ＭOS二.主要参数1.漏源击穿电压B ＶＤＳ２.最大漏极电流I ＤMSX3.阀值电压V GS （开启电压)4.导通电阻R ＯN５.跨导（互导) (ＧM ） 6.最高工作濒率7.导通时间TON 和关断时间十一.集成电路 (英文 Integrae ｄ C ｉr ｃｕit 缩写为ＩＣ) 集成电路按引脚分别为：单列集成电路,双列集成电路,园顶封装集成 电路,四列集成电路,反向分布集成电路． 下列介绍几种IC(一).TL ４３1 它是一个基准电压稳压器电路,电路符号如图:阴极(K)参考输入端®(a) 阳极(A ）TL4３1内部结构如图(b),其内部有一个2.5Ｖ的基准电压,当U-Ｒ>2.5时，K，A极处于导通状态,当ＵR<2．5V时,K,A极截止.KRA(b）（二）．PWM开关电源的集成电路(IC)片1.DＮA1０01DP共１６ Pin，各Pin功能如下:1)．CＳ此脚做为电流模式控制,当此脚电压超过１.0V时,IC失去作用２)．GND 电源地3）.DRIVE 驱动MOＳＦET管的输出(方波输出)4).VCC 电源5)．UＲEＦ +５V参考电压6)．RT/CT此脚接RT到Pin5接CＴ到地,从而设定振荡频率与最大占空比.7).FＭ接电容到地,则会影响振荡频率,并且减少传导与辐射的电磁干扰,街地则无此功能.８).COMＰ内部此脚接到电流比较器上,外部电路此脚一般接到光耦合器的集电极端做回授之用.9)．SS 接一个电容到地.,可达到柔和起动功能.１0)．FAULT此脚电压超过2.5V,则IC失去作用,一般此脚作保护作用.11).BROＷN OUＴ此脚用来感应BUＬＫ CAPACTIOR上电压，若电压小于2.5V则IＣ失去作用.12).RＥX 此脚接一个电阻到地,用来作为电流产生器.1３).ADC 此脚用来限制占空比,当此脚电压高于2.5V时，占空比控比例开始减少.当V=1．5V时，占空比减少到最大占空比的65%. 1４)．POＣＰ接一个电容到地,将提供OCＰ功能,当此脚有一连串１.２V臃冲时,此IＣ失去功能．15）ＣSLOＰＥ此脚为振荡电路做电压补偿.1６0. ＧＮD 信号地.2.UＣ３８42（1)ＵＣ3842有８个Pin,其各Piｎ功能如下:１)．内部误差放大器输出端2）.反馈电压输入端3).电压供电端,当该脚电压超过１V时,6脚无臃冲输出4)．接KＴ,CT产生ｆ=1/RTＧ的振荡信号５).GND6).Dｒivｅ,驱动臃冲输出７).Ｖcc８).+5ｖ参考电压,由IＣ的内部产生(2)使UC3842输出端关闭的方法有三：１).关掉Vcc２).将3脚电压升至1Ｖ以上3).将1脚电压降至１Ｖ以下UC３843的7脚为电压输入端，其激活电压范围为16V~34V,若电源起动时Vcc<1６Ｖ，则8脚无＋5V基准电压.3．ＴＬ494ＴＬ４94有16Ｐin,各Pin功能如下:1）采样电压2)从14脚分压得2.5Ｖ标准电压3）接阻容电路，作消振校正用4)死区时间控制输入端,该脚电平升高，死区时间达到最大,使IC输出驱动脉冲最窄5)CT6)RＴ7)ＧNＤ8)Ｄrｉre驱动脉冲输出9）Driｒe 驱动脉冲输出１0）Drire 驱动脉冲输出11) Dｒｉrｅ驱动脉冲输出1２)Vcｃ13)输出方式控制,该脚接地,内部触器发失去作用14)+5v参考电压15)同相端16)反相端1７）16Pin通常作回授用(三)UC3８54ANUC3854是功率因子校正器（PＦC）的集成电路，它有16个Ｐiｎ,其各脚功能如下:1)GNＤ接地端2)ＰKLＭT峰值限制端，接电流检测电阻的电压负端,当电流峰值过高时,电路将被关闭.3）CAOUT 电流放大器ＣA输出端4)IＳEＮSE 电刘检测端，内部接ＣA输入负端，外部经电阻接电流检测电组的电压正端5)Mｕlt Ｏut 乘法器输出端,即电流检测另一端，内部接乘法／除法器输出端和CA输入正端,外端经电阻接电流检测电阻的电压负端６)JAC 输入电流端,内部接乘法/除法器输入端,外部经电阻接整流输入电压的正端7)ＵA Oｕt 电压放大器UＡ输出端,内部接乘法／除法器输入端,外部接RC反馈网络．8)URMＳ有效值电源电压端,内部经平方器接乘法/除法器输入端,起前馈作用，UＲMS的数值范围为1.５～4.7７v9)ＲEＦ基准电压端,产生7.5V基准电压10)ＥNA起动端,通过逻辑电路控制基准电压,振荡器,软起动等11)USEＮSE输出电压检测端,接电压放大器UA的输入负端1２）ＲSEＴ外接电阻ＲSET端,控制振荡器充电电流及限制乘法/除法器最大输出１3)SS软起动端14）CＴ外接电容CT端,ＣＴ为振荡器定时电容,使产生振荡频率为 f=1．25/ＲＳET*CT15)Ｖcc 集成电路的供电电压Vcc，额定值22V１6)ＧTＤRV 门极驱动端，通过电阻接功率MOS开关管门极,该端电位钳在１5V(四)DNＡ 1002 CＰ共16Pｉｎ，该IC有OUP,UＶP功能,其各Pｉｎ功能如下:1）ＬAＴCH 当过电压欠电压时，此脚为高电平，此脚为低电平表示输出正常．2)COＭ信号地3)PＧ正常工作时此脚为高电平PG信号输出．４)TＤON接个电容到地,产生PG延时.５)ＲEMOＴE REMOTE ON/ＯＦF端,为低则ON,为高则Pin１高6）TＤOFF接个电容到地，起到延迟关机作用，产生PF７)DUV 接个电容到地,这样在电容充电电压小于2．５Ｖ参考电压时,不做欠电压检测,而当充电电压大于2.5V参考电压时，欠电压检测恢复.8)BSENSE在ＩC内部，此Pin是电压供应比较器的同相输入,当此Pin 电压低于2.5v时，则Pin3与Pｉn７会变低.９）V5检测+5V的过电压与欠电压,其UUP点4．0~4.24V,ＯＶP 点为6.0~6．39V1０)V12检测+12V的过电压与欠电压,其UUＰ点为9.4～9.99V,OV Ｐ点为14.45~15.35V11)Ｖ-12 检测-12V的过电压与欠电压,此脚接参考电压,失去此功能12)V３.３检测３.3Ｖ的过电压与欠电压,此脚接Vcｃ，则失去此功能,其ＵUP点为１.09~１．16V，OVＰ点为1.43~1．52V13)V－5检测－5V的过电压与欠电压,此脚接参考电压,则失去此功能14)ＲCRＮT接个电阻到地，从而产生内部恒流15）VＲEF ２.5V参考电压输出16)Vcc IＣ电源。
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电子元器件的认识开关电源(SPS)是由众多的元器件构成,因此,要了解开关电源的原理,学会看电路图.首先必须掌握元器件的主要性能,结构,工作原理,电路符号,参数标准方法和质量检测方法,下面将作逐一介绍.一.电阻器电阻器简称电阻,英文Resistor1.电路符号和外形.(a) (b) (c)(a)国外电阻器电路符号.(b)国内符号.(c)色环电阻外形2.电阻概念:电阻具有阻碍电流的作用.公式R=U/I常用单位为欧姆(Ω),千欧(KΩ) 和兆欧(MΩ).1MΩΩ3.种类电阻器的种类有:碳膜电阻,金属氧化膜电阻,绕线电阻,贴片电阻,可调电阻,水泥电阻.4.性能参数(1)标称阻值与允许误差(2)额定功率:指在特定(如温度等)条件下电阻器所能承受的最大功率,当超过此功率,电阻器会过热而烧坏.通用碳膜电阻Power Rating Curve (Figure 1)(3)电阻温度系数(4). 工作温度范围Carbon Film :-55℃----+155℃Metal Film :-55℃----+155℃Metal Oxide Film :-55℃----+200℃Chip Film :-55℃----+125℃5.标注方法:(1)直标法(2)色标法色标法是用色环或色点来表示电阻的标称阻值,误差.色环有四道环和五道环两种.读色环时从电阻器离色环最进的一端读起,在色标法中,色标颜色表示数字如下:颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰白金银数字0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 -1 -2 四色环中,第一,二道色环表示标称阻值的有效值,第三道色环表示倍数,第四道色环表示允许偏差,五色环中,前三道表示有效值,第四到为倍数,第五道为允许误差.精密电阻常用此法.例1:有一电阻器,色环颜顺序为:棕,黑,橙,银,则阻值为:10X10 ±10%(Ω)6.误差代码Tolerance ±1%±2%±2.5%±3%±5%±10%±20% Symbols F G H I J K M7.电阻的分类(1). 碳膜电阻(2). 金属膜电阻（保险丝电阻）(3). 金属氧化膜电阻(4). 绕线电阻(5). 保险丝二:电容器英文Capacitor1.电路符号(a)(b)(a),(b)分别表示为无极性,有极性的电容器的电路符号.2.电容慨念电容器是储存电荷的容器.电容器的容量C由下式决定:C=Q/U=ΣS/4πd,单位法拉(F).3.种类电容器可分为:陶瓷电容,电解电容,安规电容,贴片电容,塑料电容.4.主要性能参数(1)标准容量及允许偏差(2)额定电压(3)损耗系数DF值DF=P耗/P总P耗为充放电损耗功率, P总为充放电总能量.(4)温度系数5.标注方法(1)直标法(2)色标法:类似电阻器之色标法,三色环无偏差表示,单位PF6. 多层陶瓷电容器电介质分类NPO（COG）﹕一类电介质﹐电气性能最稳定﹐基本上不随温度﹐电压与时间的改变而改变﹐适用于对稳定性要求高的电路﹒X7R(2X1) : 二类电介质﹐电气性能较稳定﹐在温度﹐电压与时间改变时性能变化并不显著﹐适用于隔直,偶合旁路与对容量稳定性要求不太高的全频鉴电路.由于X7R是一种强电介质,因而能造出容量比NPO介质更大的电容器.Y5V(2F4) : 二类电介质,具有较高的介电常数,常用于生产比容较大的/标称容量较高的大容量电容器产品,但其容量稳定性较X7R差,容量/损耗对温度,电压等测试条件较敏感.7. Plastic Film Capacitors(1).Polystyrene Film Capacitor (聚苯乙烯膜電容器)High precision of capacitance.Low dissipation factor and low ESR.High insulation resistanceHigh stability of capacitance and DF VS temperature and frequency.(2) Polyester Film Capacitor (聚乙烯膜電容器)High moisture resistanceGood solderabilityAvailable on tape and reel for automatic insertionESR is minimized.(3) Metallized Polyester Film Capacitor (金屬化聚乙烯膜電容器)High moisture resistance.Good solderability.Non-inductive construction and sell-healing property.(4) Polypropylene Film Capacitor (聚丙烯膜電容器)Low dissipation factor and high insulation resistance.High stability of capacitance and DF VS temperature and frequency.Low equivalent series resistance.Non-inductive construction8.X電容9.Y電容三.电感器(英文Choke 即线圈)1.电路符号(普通电感无极性)2.主要参数(1)电感量及允许偏差(2)品质因子(Q值)感抗x L=W L=2πfL Q=2πfL/R Q即为品质因子3.种类可分为固定电感器,带磁心电感线圈,可变电感器四.半导体二极管 (英文 Diode)DIODE Test # Description1 VF Forward voltage2 IR Reverse current leakage3 BVR Breakdown voltage1.电路符号2.单向导电性二极管只能一个方向流过电流,即电能只能从它正极流向负极.在正常情况下,硅管的正向压降为0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V,即二极管正向压降基本保持不变,当外加正向电压达到一定程度,二极管正向电流会很大,将烧坏二极管.当加在二极管上的反向电压小于一个临界值时,二极管的反向电流很小,即反向时二极管的内阻很大,相当于二极管截止.当二极管的反向电压大于临界值时,二极管会反向击穿.3.结构是由一个P型半导体和一个N型半导体构成,组成一个PN结,PN结具有单向导电性.4.种类(1)普通二极管 (2)发光二极管 (3)稳压二极管 (4)变容二极管 (6)肖特基二极管5.主要参数(1)最大平均整流电流I F:表征二极管所能流过的最大正向电流.在一个周期内的平均电流值不能超过I F,否则二极管将会烧坏.(2)最大反向工作电压V R(3)反向电流I R:是在最大反向工作电压下的二极管反向电流值(4)工作频率:表示二极管在高频下的单向导电性能.五.稳压二极管ZENER Test # Description1 V F Forward voltage2 BV Z Minimum Zener voltage.(Use test #5)3 BV Z Maximum Zener voltage.(Use test #5)4 I R Reverse current leakage5 BV Z BVz with programmable soak6 ZZ1.电路符号(图一2.稳压原理从(图二)稳压特性曲线可以看出,当稳压管反向击穿后,流过二极管的工作电流发生很大变化时,稳压二极管的电压降压V2基本不变,所以稳压管稳压就是利用二极管两端的电压能稳定不变.若加在稳压管上的反向电压小于反向击穿电压值,那么稳压管处于截止状态,即开路.3.主要参数(1)稳定电压(2)稳定电流:稳压管工作对参考电流值,电流小于该值,稳压效果会略差 些. (3)额定功率损耗 (4)电压温度系数 (5)动态电阻六.半导体三极管(又称晶体三极管) TRANSISTOR Test # Description1h FEForward-current transfer ratio2 V BE Base emitter voltage(see also Appendix F)3 I EBO Emitter to base cutoff current4 V CESAT Saturation voltage5 I CBO Collector to base cutoff current6 I CEO Collector to emiter cutoff current I CER, with base to emiter load,I CEX, reverse bias,orI CES short(see also Appendix F)7 BV CEO Breakdown voltage,collector to emitter, BV CER with base to emiter load, BV CEX reverse bias,or BV CES short(see also Appendix F)8 BV CBO Breakdown voltage,collector to base 9 BV EBO Breakdown voltage,emitter to base10V BESATBase emitter saturation voltage1.电路符号(b)PNPNPN(b) PNP结构如上图.三极管是由三块半导体组成,构成两个PN结,即集电结和发射结,基结3个电极,分别是集电极,基极,发射极,管子中工作电流有集电极电流Ic,基极电流Ib,发射极电流Ie,Ie=Ib+Ic Ic=βIb, β为三极管电流放大倍数.(1)NPN (2) PNP (3)共发射极输出特性曲线(1)放大区发射结正偏,集电结反偏,E1>E2,即 NPN型三极管V c>V b>V e, PNP型三极管V c<V b<V e.三极管处于放大状态.由于Ic=βIb,即Ic受Ib控制,而Ic的电流能量是由电源提供的,此时Ube=0.6~0.7V(NPN硅管)(2)截止Ib≦0的区域称截止区,U BE<0.5V时,三极开始截止,为了截止可靠,常使U BE≦0,即发射结零偏或反偏,截止时,集电结也反向偏置.(3)饱和区当V CE<V BE,即集电结正向偏置,发射结正向偏置时,三极管处于饱和区. 饱和压降U CE(sat),小功率硅管U CE(sat)≒0.3V,锗管U CE(sat)≒0.1V 4.主要参数(1)共发射极直流电流放大系数β,即H fe,β=I C/I B(2)共发射极交流电流放大系数β. β=ΔI C/ΔI B(3)集电极,基极反向饱和电流I CBO(4)集电极,发射极反向饱和电流I CEO,即穿透电流(5)集电极最大允许功耗P CM(6)集电极最大允许电流I CM(7)集电极,基极反向击穿电压U(BR)CBO(8)发射极,基极反向击穿电压U(BR)CBO(9)集电极,发射极反向击穿电压U(BR)CBO七.可控硅(英文简称SCR,也叫晶闸管)SCR Test # Description1 I GT Gate-trigger current2 I GKO Reverse gate current5 V GT Gate-trigger voltage6 BV GKO Reverse gaet breakdown voltage7 I DRM Forward Blocking current8 I RRM Reverse Blocking current9 I L Latching current11 I H Holding current(see also Appendix F)13 VTM Forward on voltage15 V DRM Forward blocking voltage16 V RRM Reverse blocking voltage1.电路符号A K阳极 G 控制极阴极2.工作原理(1)在阳,阴极间加上一个正电压,再在控制极和阴极之间加上正电压,可控硅导通.(2)可控硅导通后,去掉控制极上的电压,可控硅仍然导通,所以控制极上的电压称为触发电压.(3)导通后,U AK=0.6~1.2V(4)要使导通的可控硅截止,得降低 U AK,同时阳极电流也下降,当阳极电流小于最小维持电流I H时,可控硅仍能截止.3.主要参数(1)正向转折电压UB0,指在控制极开路,使可控硅导通所对应的峰值电压(2)通态平均电压U F,约为0.6~1.2V(3)擎住电流Ica-----—由断态至通态的临界电流.(4)维持电流I H:从通态至断态的临界电流(5)控制极触发电压U G,一般1~5V(6)控制极触发电流一般为几十毫安至几百毫安.八.变压器变压器是变换电压的器件1.电路符号. .L1 L2(a)(a)图中是带铁芯(或磁芯)的变压器的符号,它有两组线圈L1,L2,其中L1为初级,L2为次级.圈中黑点表示线圈的同名端,它表明是同名端的两端上的信号相位是同样的.1.结构构成变压器的部件一般有初级线圈,次级线圈.铁芯线圈骨架,外壳等组成.为了防潮,绝缘,坚固,有时还泡有几立水.铁芯是用来提供磁路的. 3.工作原理当给初级通入交流电时,交流电流流过初级,初级要产生交变磁场,这一交变磁场的变化规律与输入初级的交流电变化规律一样.初级的交变磁场作用于次级线圈.次级线圈由磁励电,在次级两端便有感生电压,这样初级上的电压便传输到次级了.4.主要参数(1)变匝比:变压器初级匝数为N1,次级匝数为N2,在初级上加信号电压为U1,次级上的电压为U2,则有下式成立:U2/U1=N2/N1=N N为变压器的变压比(2)效率是在额定负载时,输出功率与输入功率之比值,即η=P o/P i*100%(3)电压,电流的关系若η=100%,则有P2=P1,式中:P2为输出功率,P1为输入功率.因此有:U2/U1=I1/I2=N2/N1=N九.光电藕合器 (英文 PHOTO COUPLE)OPTOCOUPLER Test #(Requires Opto Adapter) 1 LCOFF Collector to emitter darkcurrent2 LCBO Collector to base dark current3 BVCEO Breakdown voltage,collector to emitter4 BVCBO Breakdown voltage,collector to base5 HFE Forward current transfer ratio,transistor6 VCESAT Saturation voltage,base driven7 IR Reverse current8 VF Forward voltage9 CTR Current transfer ratio,coupled10 VSAT Saturation voltage,coupled光电藕合器主要由两个组件组成,一个发光二极管(LED),另一个是光敏器件,它可以是光电池,光敏三极管,光敏单向可控硅等器件.1.电路符号2.工作原理当有电流流过LED时,便产生一个光源,光的强度取决于激励电流的强度,此光源照射到封装在一起的光敏三极管上后,光敏三极管产生一个与LED正向电流成正比例,该比例称为CTR,即电流传输比.I FI C/I F=CTR十.场效应管JEFT Test # Description1 VGSOFF Gate to source cutoff voltage.2 lDss Zero gate voltage drain current.3 BVDGO Drain to gate breakdown voltage.4 IGSS Gate reverse current.5 IDGO Drain to gate leakage.6 IDOFF Drain cut-off current.7 BVGSS Gate to source breakdown voltage.8 VDSON Drain to source on-state voltage.场效应管是一种由输入信号电压来控制其输出电流大小的半导体三极管,是电压控制器件,输入电阻非常高.场效应管分为:结型场效应管(JFET)和绝缘珊场效应管(IGFET)两大类.结型应管一.结型场效应管有N型和P型沟道两种,电路符号如下结型场效应管有三极:珊极g g 源极 N型漏极二.工作原理结型场效应管有两个PN结,在珊源极上加一定电压,在场效应管内部会形成一个导电沟道,当d,s极间加上一定电压时,电流就可以从沟道中流过,即通过源电压来改变导电沟道电阻,实现对漏极电流的控制.三.结型场效应管的主要参数1.夹断电压U DS(off),当U DS等于某一个定值(10v),使Id等于某一个微小电流(如50uA)时, 源极间所加的U GS即为夹断电压.U DS(off)一般为1~10V2.饱和漏极电流I DS:当U GS=0时,场效应管发生预夹断时的漏极电流.3.直流输入电阻R GS4.低频跨导GM5.漏源击穿电压U(BR)DS6.珊源击穿电压U(BR)GS7.最大耗散功率P DM绝缘珊场效应管MOSFET Test # Description1 V GSTH Threshold voltag2 IDss Zero gate voltage drain current.lDSx with gate to Source reverse bias.3 BVDss Drain to Source breakdown voltage.4 VDSON Drain to Source on-state voltage.5 IGSSF Gate to Source leakage current forward.6 IGSSR Gate to Source leakage current reverse.7 VF Diode forward voltage.8 VGSF Gate to Source voltage (forward)required for specified In at specified Vos.(see SISQ Appendix F) 9 VGSR Gate to Source voltage (reverse)required for specified ID at specified VDS.(see also Appendix F) 10 VDSON On-state drain current11 VGSON On-state gate voltage一.结构和符号它是由金属氧化物和半导体组成,故称为MOSFET,简称MOS 管,其工作原理类似于结型场效应管. 符号和极性(1)增强型 NMOS (2)增强型 PMOS(3)耗尽型 NMOS (4)耗尽型PMOS二.主要参数-+1.漏源击穿电压BV DS2.最大漏极电流I DMSX3.阀值电压V GS (开启电压)4.导通电阻R ON5.跨导(互导) (GM)6.最高工作濒率7.导通时间TON 和关断时间十一.集成电路 (英文 Integraed Circuit 缩写为IC)集成电路按引脚分别为:单列集成电路,双列集成电路,园顶封装集成 电路,四列集成电路,反向分布集成电路. 下列介绍几种IC(一).TL431 它是一个基准电压稳压器电路,电路符号如图:阴极(K)参考输入端®(a) 阳极(A)TL431内部结构如图(b),其内部有一个2.5V 的基准电压,当U R >2.5时,K,A 极处于导通状态,当U R <2.5V 时,K,A 极截止. A (b)(二).PWM 开关电源的集成电路(IC)片1.DNA1001DP共16 Pin,各Pin 功能如下:1). CS 此脚做为电流模式控制,当此脚电压超过1.0V 时,IC 失去作用 2). GND 电源地3).DRIVE 驱动MOSFET 管的输出(方波输出)4).VCC 电源5).UREF +5V参考电压6).RT/CT 此脚接RT到Pin5接CT到地,从而设定振荡频率与最大占空比.7).FM 接电容到地,则会影响振荡频率,并且减少传导与辐射的电磁干扰,街地则无此功能.8).COMP 内部此脚接到电流比较器上,外部电路此脚一般接到光耦合器的集电极端做回授之用.9).SS 接一个电容到地.,可达到柔和起动功能.10).FAULT 此脚电压超过2.5V,则IC失去作用,一般此脚作保护作用.11).BROWN OUT 此脚用来感应BULK CAPACTIOR上电压,若电压小于2.5V则IC失去作用.12).REX 此脚接一个电阻到地,用来作为电流产生器.13).ADC 此脚用来限制占空比,当此脚电压高于2.5V时,占空比控比例开始减少.当V=1.5V时,占空比减少到最大占空比的65%. 14).POCP 接一个电容到地,将提供OCP功能,当此脚有一连串1.2V臃冲时,此IC失去功能.15)CSLOPE 此脚为振荡电路做电压补偿.160. GND 信号地.2.UC3842(1)UC3842有8个Pin,其各Pin功能如下:1).内部误差放大器输出端2).反馈电压输入端3).电压供电端,当该脚电压超过1V时,6脚无臃冲输出4).接KT,CT产生f=1/RTG的振荡信号5).GND6).Drive,驱动臃冲输出7).Vcc8).+5v参考电压,由IC的内部产生(2)使UC3842输出端关闭的方法有三:1).关掉Vcc2).将3脚电压升至1V以上3).将1脚电压降至1V以下UC3843的7脚为电压输入端,其激活电压范围为16V~34V,若电源起动时Vcc<16V,则8脚无+5V基准电压.3.TL494TL494有16Pin,各Pin功能如下:1)采样电压2)从14脚分压得2.5V标准电压3)接阻容电路,作消振校正用4)死区时间控制输入端,该脚电平升高,死区时间达到最大,使IC输出驱动脉冲最窄5)CT6)RT7)GND8)Drire 驱动脉冲输出9)Drire 驱动脉冲输出10)Drire 驱动脉冲输出11) Drire 驱动脉冲输出12)Vcc13)输出方式控制,该脚接地,内部触器发失去作用14)+5v参考电压15)同相端16)反相端17)16Pin通常作回授用(三)UC3854ANUC3854是功率因子校正器(PFC)的集成电路,它有16个Pin,其各脚功能如下:1)GND 接地端2)PKLMT 峰值限制端,接电流检测电阻的电压负端,当电流峰值过高时,电路将被关闭.3)CAOUT 电流放大器CA输出端4)ISENSE 电刘检测端,内部接CA输入负端,外部经电阻接电流检测电组的电压正端5)Mult Out 乘法器输出端,即电流检测另一端,内部接乘法/除法器输出端和CA输入正端,外端经电阻接电流检测电阻的电压负端6)JAC 输入电流端,内部接乘法/除法器输入端,外部经电阻接整流输入电压的正端7)UA Out 电压放大器UA输出端,内部接乘法/除法器输入端,外部接RC反馈网络.8)URMS 有效值电源电压端,内部经平方器接乘法/除法器输入端,起前馈作用,URMS的数值范围为1.5~4.77v9)REF 基准电压端,产生7.5V基准电压10)ENA 起动端,通过逻辑电路控制基准电压,振荡器,软起动等11)USENSE 输出电压检测端,接电压放大器UA的输入负端12)RSET 外接电阻RSET端,控制振荡器充电电流及限制乘法/除法器最大输出13)SS 软起动端14)CT 外接电容CT端,CT为振荡器定时电容,使产生振荡频率为f=1.25/RSET*CT15)Vcc 集成电路的供电电压Vcc,额定值22V16)GTDRV 门极驱动端,通过电阻接功率MOS开关管门极,该端电位钳在15V(四)DNA 1002 CP共16Pin,该IC有OUP,UVP功能,其各Pin功能如下:1)LATCH 当过电压欠电压时,此脚为高电平,此脚为低电平表示输出正常.2)COM 信号地3)PG 正常工作时此脚为高电平PG信号输出.4)TDON 接个电容到地,产生PG延时.5)REMOTE REMOTE ON/OFF端,为低则ON,为高则Pin1高6)TDOFF 接个电容到地,起到延迟关机作用,产生PF7)DUV 接个电容到地,这样在电容充电电压小于2.5V参考电压时,不做欠电压检测,而当充电电压大于2.5V参考电压时,欠电压检测恢复.8)BSENSE 在IC内部,此Pin是电压供应比较器的同相输入,当此Pin 电压低于2.5v时,则Pin3与Pin7会变低.9)V5 检测+5V的过电压与欠电压,其UUP点4.0~4.24V,OVP点为 6.0~6.39V10)V12 检测+12V的过电压与欠电压,其UUP点为9.4~9.99V,OVP点为14.45~15.35V11)V-12 检测-12V的过电压与欠电压,此脚接参考电压,失去此功能12)V3.3 检测3.3V的过电压与欠电压,此脚接Vcc,则失去此功能,其 UUP点为1.09~1.16V,OVP点为1.43~1.52V13)V-5 检测-5V的过电压与欠电压,此脚接参考电压,则失去此功能14)RCRNT 接个电阻到地,从而产生内部恒流15)VREF 2.5V参考电压输出16)Vcc IC电源。