单结晶体管的识别及检测
单结晶体管的识别
精品课件
3
单结晶体管的主要参数
• （1）基极间电阻Rbb 。发射极开路时，基极b1、b2之间的 电阻，一般为2～10KΩ，其数值随温度上升而增大。通常 Rbb具有纯电阻特性，阻值大小与温度有关。 （2）分压比η 。分压比是指Rb1上产生电压Ub1与两基极 电压Ubb的比值，公式为：η=Ub1/Ubb=Rb1/Rbb，它由管 子内部结构决定的常数，一般为0.3～0.9。 （3）eb1间反向电压Vcb1 b2开路，在额定反向电压Vcb2 下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。 （4）反向电流Ieo 。b1开路，在额定反向电压Vcb2下， eb2间的反向电流。如果实际测得管子的反向电流太大，则 表明PN结的单向特性差，单结晶体管有漏电现象。 （5）发射极饱和压降Veo 。在最大发射极额定电流时， eb1间的压降。 （6）峰点电流Ip。 单结晶体管刚开始导通时，发射极电 压为峰点电压时的发射极电流。
• 应当说明的是，上述判别b1、b2的方法，不一定对所有的单 结晶体管都适用，有个别管子的e～b1间的正向电阻值较小。 即使b1、b2用颠倒了，也不会使管子损坏，只影响输出脉冲 的幅度（单结晶体管多在脉冲发生器中使用），当发现输出 的脉冲幅度偏小时，只要将原来假定的b1、b2对调过来就可 以了。
精品课件
单结晶体管的识别与检测
精品课件
1
• 单结晶体管的结构、外形及特点
• 单结晶体管（简称UJT）又称双基极二极管，是一种只有一 个PN结和两个电阻接触电极的三端半导体器件，单结晶体 管（简称UJT）又称基极二极管，它的基片为条状的高阻N
型硅片，两端分别用电阻接触引出两个基极b1和b2。
精品课件
六、怎样检测单结晶体管_快速学认电子元器件（双色版）_[共3页]
![六、怎样检测单结晶体管_快速学认电子元器件（双色版）_[共3页]](https://img.taocdn.com/s3/m/2772cbbe25c52cc58bd6bee2.png)
103快速学认电子元器件（双色版）
2．延时电路
单结晶体管可以用作延时电路。
图4-70所示为延时接通开关电路，电源开关SA接通后，继电器K并不立即吸合，这时电源经RP 和R1向C充电，直到C上所充电压达到峰点电压U P时，单结晶体管V导通，K才吸合。
触点K-1和K-2使K保持吸合状态。
调节RP可改变延时时间。
图4-70 延时电路
3．触发电路
单结晶体管还可以用作晶闸管触发电路。
图4-71所示为调光台灯电路，在交流电的每半周内，晶闸管VS由单结晶体管V输出的窄脉冲触发导通，调节RP便改变了V输出窄脉冲的时间，即改变了VS 的导通角，从而改变了流过照明灯泡EL的电流，实现了调光的目的。
六、怎样检测单结晶体管
单结晶体管可以用万用表进行检测。
1．检测两基极间电阻
万用表置于“R×1k”挡，两表笔（不分正、负）接单结晶体管除发射极E以外的两个引脚，如图4-72所示，读数应为3～10kΩ。
2．检测PN结
（1）检测PN结正向电阻时（以N型基极管为例，下同），黑表笔（表内电池正极）接发射极E，红表笔分别接两个基极，如图4-73。
单结晶体管的识别与检测
湖南省技工学校理论教学教案教师姓名：注：教案首页，教案用纸由学校另行准备湖南省劳动厅编制益阳高级技工学校益阳高级技工学校益阳高级技工学校以后，I E 继续增大，V E 略有上升，但变化不大，此时单结晶体管进入饱状态，图中对应于谷点V 以右的特性，称为饱和区。
当发射极电压减小到V E <V V 时，单结晶体管由导通恢复到截止状态。
综上所述，峰点电压V P 是单结晶体管由截止转向导通的临界点。
BB A A D P V V V V V η=≈+= （7-2-2）所以，V P 由分压比η和电源电压决定V BB 。
谷点电压V V 是单结晶体管由导通转向截止的临界点。
一般V V = 2～5V （V BB = 20V ）。
国产单结晶体管的型号有BT31、BT32、BT33等。
BT 表示半导体特种管，3表示三个电极，第四个数字表示耗散功率分别为100、200、300mW 。
单结晶体管的检测图7-2－3为单结晶体管BT33管脚排列、结构图及电路符号。
好的单结晶体管PN 结正向电阻R EB1、R EB2均较小，且R EB1稍大于R EB2，PN 结的反向电阻R B1E 、R B2E 均应很大，根据所测阻值，即可判断出各管脚及管子的质量优劣。
用万用电表R ×10Ω档分别测量EB 1、EB 2间正、反向电阻，记入表7－2-1表7-2－1R EB1(Ω)R EB2(Ω)R B1E (K Ω)R B2E (K Ω)结 论任务二 单结晶体管振荡电路制作与调试益阳高级技工学校图7-2-5单结晶体管振荡电路2、仪器仪表双踪示波器一台 MF47万用表 1只3、制作调试步骤（1）将元器件按要求整形，插入通用电路板的相应位置,并连接好导线。
（2）闭合开关，接通电源。
分别用示波器观察电容C两端电压vc及电路输出电压vo。
在图7-2-6相应坐标中作出vc、vo波形。
（3）调节电路中电位器阻值，观察两波形变化，可以看出，改变电位器阻值将改变输出脉冲的__________(相位、频率、幅值)。
省技工学校变频调速单结晶体管的识别与检测理论教学教案
一、教案基本信息1. 教案名称：省技工学校变频调速单结晶体管的识别与检测理论教学教案2. 学科领域：电气工程及自动化3. 课时安排：共5课时，每课时45分钟4. 教学目标：(1) 让学生了解单结晶体管的基本结构和工作原理。
(2) 使学生掌握单结晶体管的识别方法。
(3) 培养学生运用万用表等工具检测单结晶体管的能力。
二、教学内容与步骤1. 导入新课教师简要介绍单结晶体管在变频调速中的应用，激发学生的学习兴趣。
2. 讲解单结晶体管的基本结构教师通过多媒体课件展示单结晶体管的结构图，讲解各部分的作用。
3. 分析单结晶体管的工作原理教师讲解单结晶体管的工作原理，引导学生理解其工作过程。
4. 学习单结晶体管的识别方法教师介绍单结晶体管的参数和标识方法，引导学生学会识别。
5. 实践操作：用万用表检测单结晶体管教师演示如何用万用表检测单结晶体管，学生分组进行实践操作。
6. 总结与评价教师对学生的实践操作进行点评，总结本节课的重点内容。
三、教学方法与手段1. 采用问题驱动的教学方法，引导学生主动探究。
2. 利用多媒体课件辅助教学，提高学生的学习兴趣。
3. 结合实际操作，培养学生的动手能力。
4. 分组讨论，促进学生之间的交流与合作。
四、教学评价1. 课堂问答：检查学生对单结晶体管基本知识的掌握。
2. 实践操作：评价学生在实际操作中运用单结晶体管识别与检测的能力。
3. 课后作业：布置相关题目，巩固所学知识。
五、课后作业1. 绘制单结晶体管的结构图。
2. 总结单结晶体管的识别方法。
六、教学资源准备1. 教案课件：制作详细的教学课件，包括单结晶体管的结构图、工作原理图等。
2. 实物模型：准备一些单结晶体管的实物模型，用于学生观察和识别。
3. 万用表：为学生提供足够的万用表，用于实践操作。
4. 测试电路：准备一些测试电路，用于演示和引导学生进行实践操作。
七、教学注意事项1. 在讲解单结晶体管的基本结构时，要注意用简洁明了的语言，确保学生能够理解。
场效应管、晶闸管和单结晶体管的识别与检测
6.2 晶闸管的识别与检测 晶闸管又叫可控硅，是一种大功率半导体器 件，具有体积小、重量轻、容量大、效率高、 控制灵敏等优点。晶闸管具有硅整流器件的 特性，能在高电压、大电流条件下工作，工 作过程可以控制，被广泛应用在可控整流、 交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等 电子电路中。
6.2.1 晶闸管的分类
6.1.4场效应管使用注意事项 1.使用场效应管之前，必须首先搞清楚场效应管 的类型及它的电极，必要时应通过仪表进行测试。 结型场效应管的S、D极可互换，MOS场效应管的 S、D极一般也可互换，但有些产品S极与衬底连 在一起，这时S极与D极不能互换。 2.在线路设计中，应根据电路的需要选择场效应 管的类型及参数，使用时不允许超过场效应管的 耗散功率、最大漏源电流和电压的极限值。 3.各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的 偏置接入电路中，要注意场效应管偏置的极性。 4.在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避 免靠近发热元件；为了防止管子振动，安装时要 将管子紧固；管脚引线在弯曲时，应当大于管子 根部尺寸５mm以上处进行，以防止弯断管脚而引 起漏气。
（2）单向晶闸管触发能力的判断
1 .对1A～10A的晶闸管，可用万用表的R×1档，红表笔接A极，黑表笔 接K极，表针不动；然后使红表笔周与A极相接的情况下，同时与控制极 G接触。此时可从万用表的指针上看到晶闸管的A-K之间的电阻值明显变 小，指针停在几欧到十几欧处，晶闸管因触发处于导通状态。给G极一 个触发电压后离开，仍保持红表笔接A极，黑表笔接K极，若晶闸管处于 导通状态不变，则表明晶闸管是好的；否则，晶闸管可能是损坏的。
6.3.3 单结晶体管的主要参数 （1）基极间电阻Rbb 。发射极开路时，基极b1、b2之间的 电阻，一般为2～10K ，其数值随温度上升而增大。通常 Rbb具有纯电阻特性，阻值大小与温度有关。 （2）分压比η 。分压比是指Rb1上产生电压Ub1与两基极 电压Ubb的比值，公式为：η=Ub1/Ubb=Rb1/Rbb，它由管 子内部结构决定的常数，一般为0.3～0.9。 （3）eb1间反向电压Vcb1 b2开路，在额定反向电压Vcb2 3 eb1 Vcb1 b2 Vcb2 下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。 （4）反向电流Ieo 。b1开路，在额定反向电压Vcb2下， eb2间的反向电流。如果实际测得管子的反向电流太大，则 表明PN结的单向特性差，单结晶体管有漏电现象。 （5）发射极饱和压降Veo 。在最大发射极额定电流时， eb1间的压降。 （6）峰点电流Ip。 单结晶体管刚开始导通时，发射极电 压为峰点电压时的发射极电流。
晶体管的检测经验
晶体管的检测经验1．从晶体管的型号命名上识别其材料与极性国产晶体管型号命名的其次部分用英文字母A"D表示晶体管的材料和极性。
其中，“A”代表锗材料PNP型管，“B”代表锗材料NPN型管，“C”代表硅材料PNP 型管，“D”代表硅材料NPN型管。
***产晶体管型号命名的第三部分用字母A"D来表示晶体管的材料和类型（不代表极性）。
其中，“A”、“B”为PNP型管，“C”、“D”为NPN型管。
通常，“A”、“C”为高频管，“B”、“D”为低频管。
欧洲产晶体管型号命名的第一部分用字母“A”和“B”表示晶体管的材料（不表示NPN或PNP型极性）。
其中，“A”表示锗材料，“B”表示硅材料。
2．从封装形状上识别晶体管的引脚在用法权晶体管之前，首先要识别晶体管各引脚的极性。
不同种类、不同型号、不同功能的晶体管，其引脚罗列位置也不同。
通过阅读上述“晶体管的封装形状”中的内容，可以迅速识别也常用晶体管各引脚的极性。
3．用判别晶体管的极性与材料对于型号标记不清或虽有型号但无法识别其引脚的晶体管，可以通过万用表测试来推断出该晶体管的极性、引脚及材料。
对于普通小功率晶体管，可以用万用表R×100Ω档或R×1k档，用两表笔测量晶体管随意两个引脚间的正、反向值。
在测量中会发觉：当黑表笔（或红表笔）接晶体管的某一引脚时，用红表笔（或黑表笔）去分离接触另外两个引脚，万用表上指示均为低阻值。
此时，所测晶体管与黑表笔（或红表笔）衔接的引脚便是基极B，而别外两个引脚为集电极C和放射极E。
若基极接的是红表笔，则该管为PNP管；若基极接的是黑表笔，则该管国 NPN管。
也可以先假定晶体管的任一个引脚为基极，与红表笔或黑表笔接触，再用另一表笔去分离接触另外两个引脚，若测出两个均较小的电阻值时，则固定不动的表笔所接的引脚便是基极B，而另外两个引脚为放射极E和集电极C。
找到基极B后，再比较基极B与另外两个引脚之间正向电阻值的大小。
单向晶闸管的认识和检测1
晶闸管的外形如下图所示
一、 单向晶闸管的认识和检测
1、 单向晶闸管结构的认识
单向晶闸管是由三个PN结及其划分为四个区组成.由外层的 P型和N型半导体分别引出阳极A和阴极K，由中间的P型半导体 引出控制极G。 文字符号用“VT”表示。
2、 单向晶闸管的工作特性
结论： ⒈单向晶闸管的导通必须具备两个条件： ①在阳极与阴极之间必须为正向电压；即： UAK＞0； ②在控制极与阴极之间也应有正向触发电压；即： UGK＞0。 ⒉晶闸管导通后，控制极（G）将失去作用，即：当UGK＝0，晶闸管仍 然导通。 ⒊单向晶闸管要关断时必须满足： IV＜IH 或UAK＜0。
3、单向晶闸管的主要参数 ⒈额定正向平均电流IT ⒉维持电流IH
维持电流IH是指在规定的环境温度和控制极G断开的条件下，保 持晶闸管处于导通状态所需要的最小正向电流。 额定正向平均电流IT是指在规定的环境温度和散热条件下，允 许通过阳极和阴极之间的电流平均值。
⒊控制极触发电压和电流
控制极触发电压和电流是指在规定的环境温度和一定的正向电压 条件下，使晶闸管从关断到导通时，控制极G所需要的最小正向电压 和电流。
⒋反向阻断峰值电压（额定电压）
反向阻断峰值电压是指在规定的环境温度和控制极G断开的条件 下，可以允许重复加到晶闸管的反向峰值电压；又称为晶闸管的额定 电压。
4、单向晶闸管的检测
（1）器材准备
序号 1 2 名 称 符 号 VT 3CT 型 号 500型或MF-47型 单位 台 个 数量 1 1
指针式万用表 单向晶闸管
⒉选用万用表的电阻R×l00Ω挡；将黑表棒接A极，红表棒接K极； 再将G极与黑表棒（或A极）瞬间相碰触一下，单向晶闸管应出现导 通状态即万用表指针向右偏转，并应能维持导通状态。
省技工学校变频调速单结晶体管的识别与检测理论教学教案
一、教案基本信息省技工学校变频调速单结晶体管的识别与检测理论教学教案课时安排：45分钟教学目标：1. 让学生了解和掌握变频调速单结晶体管的基本概念和特性。
2. 培养学生识别和检测变频调速单结晶体管的能力。
3. 使学生能够运用所学知识分析和解决实际问题。
教学内容：1. 变频调速单结晶体管的基本概念和特性。
2. 变频调速单结晶体管的识别方法。
3. 变频调速单结晶体管的检测方法。
4. 实际操作演练。
教学方法：1. 讲授法：讲解变频调速单结晶体管的基本概念、特性和识别检测方法。
2. 演示法：展示实际操作过程，让学生更加直观地了解识别检测方法。
3. 实践法：让学生亲自动手操作，提高实际操作能力。
教学准备：1. 教室内安装有多媒体设备，用于展示PPT和视频资料。
2. 准备相关的实物样品，用于展示和操作演示。
3. 准备操作工具和检测设备，让学生动手实践。
二、教学过程1. 导入（5分钟）教师通过提问方式引导学生回顾晶体管的相关知识，为新课的讲解做好铺垫。
2. 讲解（20分钟）讲解变频调速单结晶体管的基本概念、特性和识别检测方法。
重点讲解单结晶体管在变频调速中的应用和作用。
3. 演示（10分钟）教师展示实际操作过程，让学生更加直观地了解识别检测方法。
演示过程中，教师讲解操作步骤和注意事项。
4. 实践（5分钟）学生分组进行实际操作，教师巡回指导。
引导学生运用所学知识分析和解决实际问题。
5. 总结（5分钟）教师引导学生总结本节课所学内容，巩固知识点。
6. 布置作业（5分钟）布置作业，让学生进一步巩固所学知识，提高实际操作能力。
三、教学反思本节课结束后，教师应认真反思教学效果，针对学生的掌握情况，调整教学方法和策略，以提高教学效果。
关注学生的学习兴趣和需求，不断优化教学内容，提高教学质量。
四、课后评价通过课后作业、实践操作和课堂表现等多方面评价学生的学习效果，了解学生对变频调速单结晶体管识别与检测知识的掌握程度，为后续教学提供参考。
单结晶体管
单结晶体管单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。
在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。
其结构、符号和等效电呼如图1所示。
图1、单结晶体管一、单结晶体管的特性从图1可以看出，两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻：rbb=rb1+rb2式中：rb1----第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流ie而变化，rb2为第二基极与发射结之间的电阻，其数值与ie无关；发射结是PN结，与二极管等效。
若在两面三刀基极b2、b1间加上正电压Vbb，则A点电压为：VA=[rb1/(rb1+rb2)]vbb=(rb1/rbb)vbb=ηVbb式中：η----称为分压比，其值一般在0.3---0.85之间，如果发射极电压VE由零逐渐增加，就可测得单结晶体管的伏安特性，见图2图2、单结晶体管的伏安特性（1）当Ve＜η Vbb时，发射结处于反向偏置，管子截止，发射极只有很小的漏电流Iceo。
（2）当Ve≥η Vbb+VD VD为二极管正向压降（约为0.7伏），PN结正向导通，Ie显著增加，rb1阻值迅速减小，Ve相应下降，这种电压随电流增加反而下降的特性，称为负阻特性。
管子由截止区进入负阻区的临界P称为峰点，与其对就的发射极电压和电流，分别称为峰点电压Vp和峰点电流Ip和峰点电流Ip。
Ip 是正向漏电流，它是使单结晶体管导通所需的最小电流，显然Vp=ηVbb（3）随着发射极电流ie不断上升，Ve不断下降，降到V点后，Ve不在降了，这点V称为谷点，与其对应的发射极电压和电流，称为谷点电压，Vv和谷点电流Iv。
（4）过了V点后，发射极与第一基极间半导体内的载流子达到了饱和状态，所以uc继续增加时，ie便缓慢地上升，显然Vv是维持单结晶体管导通的最小发射极电压，如果Ve＜Vv，管子重新截止。
单结管和晶闸管的识别与检测
单结管和晶闸管的识别与检测一、单结晶体管[1]单结管即单结晶体管，又称为双基极二极管，是一种具有一个PN结和两个欧姆电极的负阻半导体器件。
常见的有陶瓷封装和金属壳封装的单结晶体管。
[2]单结晶体管可分为N型基极单结管和P型基极单结管两大类。
单结晶体管的文字符号为“VT”，图形符号如图所示。
[3]单结晶体管的主要参数有：①分压比η，指单结晶体管发射极E至第一基极B1间的电压（不包括PN结管压降）在两基极间电压中所占的比例。
②峰点电压UP，是指单结晶体管刚开始导通时的发射极E与第一基极B1的电压，其所对应的发射极电流叫做峰点电流IP。
③谷点电压UV，是指单结晶体管由负阻区开始进入饱和区时的发射极E与第一基极B1间的电压，其所对应的发射极电流叫做谷点电流IV。
[4]单结晶体管共有三个管脚，分别是：发射极E、第一基极B1和第二基极B2。
图示为两种典型单结晶体管的管脚电极。
[5]单结晶体管最重要的特性是具有负阻性，其基本工作原理如图示（以N基极单结管为例）。
当发射极电压UE大于峰点电压UP时，PN结处于正向偏置，单结管导通。
随着发射极电流IE的增加，大量空穴从发射极注入硅晶体，导致发射极与第一基极间的电阻急剧减小，其间的电位也就减小，呈现出负阻特性。
[6]检测单结晶体管时，万用表置于“R×1k”挡，检测两基极间电阻：两表笔（不分正、负）接单结晶体管除发射极E以外的两个管脚，读数应为3～10kΩ。
[7]检测PN结正向电阻（N基极管为例，下同）：黑表笔接发射极E，红表笔分别接两个基极，读数均应为数千欧。
对调两表笔后检测PN结反向电阻，读数均应为无穷大。
如果测量结果与上述不符，说明被测单结管已损坏。
[8]测量单结晶体管的分压比η：按图示搭接一个测量电路，用万用表“直流10V”挡测出C2上的电压UC2，再按公式η=UC2/UB计算即可。
[9]单结晶体管的基本应用是组成脉冲产生电路，包括振荡器、波形发生器等，并可使电路结构大为简化。
简述单结晶体管的测试方法
简述单结晶体管的测试方法
单结晶体管是一种常用的电子元器件，它具有优异的电性能，广泛应用于各种电路中。
为了保证单结晶体管的质量和可靠性，需要对其进行测试。
单结晶体管的测试方法一般包括以下几个方面：
1. 外观检查。
首先需要检查单结晶体管的外观是否完好，包括引线、外壳、标识等是否清晰、无损伤、无氧化等情况。
2. 静态电特性测试。
静态电特性测试是单结晶体管测试中最基本的部分，主要包括测试单结晶体管的电阻、电流放大系数、开关特性等参数。
测试时需要使用万用表、数字电压表等仪器，并按照相关标准进行测试。
3. 动态电特性测试。
动态电特性测试是指测试单结晶体管在正常工作条件下的响应速度、频率响应等性能。
测试时需要使用示波器等仪器，对单结晶体管的输入输出信号进行观测和分析。
4. 可靠性测试。
可靠性测试是对单结晶体管的长期稳定性和可靠性进行测试，主要包括温度老化测试、振动测试、冲击测试等。
测试结果将直接影响单结晶体管的使用寿命和可靠性。
总之，单结晶体管的测试是一个非常复杂和重要的过程，需要综合运用多种测试手段和仪器，确保单结晶体管的品质和可靠性。
- 1 -。
单结晶体管的测试方法
单结晶体管的测试方法《嘿，来聊聊单结晶体管的测试方法那些事儿》嘿，朋友们！今天咱来唠唠单结晶体管的测试方法这码事儿。
你们知道吗，单结晶体管这小家伙虽然不起眼，但它在好多电路里可是起着大作用呢！要想玩转它，就得先搞清楚怎么测它。
话说，这测试单结晶体管就像是给它做个体检。
咱得先准备好各种工具，就像医生要有听诊器、血压计啥的一样。
然后呢，有几个关键步骤得注意。
比如说，咱得先找找它有几个电极。
就像你得先知道人的手脚在哪儿一样。
辨清了电极，接下来才能好好“摆弄”它呀！然后呢，就得给它来点小刺激。
哈哈，可不是真的刺激它，是给它加电。
就看看它在不同的电压、电流下会有啥反应。
这就像是观察一个人在不同情况下会不会发脾气一样，有趣吧！在这测试过程中啊，咱还得时刻留意各种数据和现象。
这就像警察办案抓细节一样，任何一点小异常都不能放过。
有时候，一个小小的电压波动，或者是电流的变化，都可能是单结晶体管在跟你“说话”呢，告诉你它身体好不好。
当然啦，咱也不是神仙，偶尔也会犯迷糊，搞错了数据啥的。
这时候可别灰心丧气，就当自己犯了个小糊涂，重新再来一遍就行啦。
毕竟，人无完人嘛，咱们在跟单结晶体管打交道的时候也会有失误的时候。
不过话说回来，一旦掌握了正确的测试方法，那感觉可真棒！就像是你找到了打开宝藏的钥匙一样，能了解单结晶体管的各种秘密。
然后你就可以根据测试结果，来决定怎么更好地利用它，让它在电路里发挥更大的作用。
总之啊，测试单结晶体管就是个既有趣又有点小挑战的事儿。
咱得带着耐心和细心去玩，别怕犯错，多尝试几次，肯定能掌握其中的窍门。
到时候，咱就能轻松驾驭这些小家伙啦，让它们乖乖听咱的话，为我们的电路世界增添光彩！哈哈，是不是很有意思呀？大家快来一起试试吧！。
BT33单结晶体管(双基极二极管)原理知识讲解
B T33单结晶体管(双基极二极管)原理单结晶体管（双基极二极管）原理体管又叫双基极二极管，它的符号和外形见附图判断单结晶体管发射极E的方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，黑表笔接假设的发射极，红表笔接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是单结晶体管的发射极。
单结晶体管B1和B2的判断方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，用黑表笔接发射极，红表笔分别接另外两极，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是B1极。
应当说明的是，上述判别B1、B2的方法，不一定对所有的单结晶体管都适用，有个别管子的E--B1间的正向电阻值较小。
不过准确地判断哪极是B1，哪极是 B2在实际使用中并不特别重要。
即使B1、B2用颠倒了，也不会使管子损坏，只影响输出脉冲的幅度（单结晶体管多作脉冲发生器使用），当发现输出的脉冲幅度偏小时，只要将原来假定的B1、B2对调过来就可以了。
单结晶体管工作原理-双基极二极管伏安特性曲线-单结管双基极二极管(单结晶体管)的结构双基极二极管又称为单结晶体管，它的结构如图1所示。
在一片高电阻率的N型硅片一侧的两端各引出一个电极，分别称为第一基极B1和第二基极B2。
而在硅片是另一侧较靠近B2处制作一个PN结，在P型硅上引出一个电极，称为发射极E。
两个基极之间的电阻为R BB，一般在2~15kW之间，R BB一般可分为两段，R BB =R B1+ R B2，R B1是第一基极B1至PN结的电阻；R B2是第一基极B2至PN结的电阻。
双基极二极管的符号见图1的右侧。
图1 双基极二极管的结构与符号等效电路双基极二极管的工作原理将双基极二极管按图2(a)接于电路之中，观察其特性。
首先在两个基极之间加电压U BB，再在发射极E和第一基极B1之间加上电压U E，U E可以用电位器R P进行调节。
这样该电路可以改画成图2(b)的形式，双基极二极管可以用一个PN结和二个电阻R B1、R B2组成的等效电路替代。
场效应管晶闸管和单结晶体管的识别与检测PPT文档28页
60、生活的道路一旦选定，就要勇敢地 走到底 ，决不 回头。 ——左
场效应管晶闸管和单结晶体管的识别 与检测
51、山气愿，帝乡不可期。 54、雄发指危冠，猛气冲长缨。 55、土地平旷，屋舍俨然，有良田美 池桑竹 之属， 阡陌交 通，鸡 犬相闻 。
56、书不仅是生活，而且是现在、过 去和未 来文化 生活的 源泉。 ——库 法耶夫 57、生命不可能有两次，但许多人连一 次也不 善于度 过。— —吕凯 特 58、问渠哪得清如许，为有源头活水来 。—— 朱熹 59、我的努力求学没有得到别的好处， 只不过 是愈来 愈发觉 自己的 无知。 ——笛 卡儿
即单结晶体管迅速导通
9.2 台灯调光电路的安装和测试
一、单相半波可控整流电路
1、电路结构
2、工作原理
u2为正半周时，在控制角α期间，晶闸管关断；在导通角θ期 间，晶闸管导通。u2为负半周时，晶闸管关断。
控制角α越大，导通角θ就越小，输出的负载电压uL（直流 电平均值）就越小。
二、单相桥式可控整流电路
1、电路结构ຫໍສະໝຸດ 2、工作原理实训：台灯调光电路
9.3 触摸式风扇调速器的安装与测试
1、电路结构
该电路由电源电路、过电压保护电路、晶闸管触发电路、触摸输入 控制电路和触发灵敏度调节电路等部分组成。
电源电路：由VZ、VD1、R5、C1所组成 过电压保护电路：由耐压值为470V的压敏电阻器RV组成 晶闸管触发电路：主要由集成电路LS7232及其外围元件组成 触摸输入控制电路：由金属触摸片及R1、R2、SB、C5等组成 触发灵敏度调节电路：由R3组成
2、工作原理及电路仿真
三、 单结晶体管的认识和检测
1、单结晶闸管的结构
外形
单结晶体管是在一块高阻率的N型硅基片上用镀金陶瓷片制作成 两个接触电阻很小的极，作为第一基极b1和第二基极b2，在硅基片的 另一侧靠近b2处掺入P型杂质，从而形成PN结，并引出电极作为发射 极e。其等效电路是由第一基极b1和第二基极b2之间的电阻Rbb （Rbb=Rb1+Rb2）、发射极e与两基极之间的PN结（即二极管VD）所组 成
2、单结晶闸管的伏安特性
结论：
⒈单结晶体管的E极与B1极之间的电阻reb1随发射极电流IE 而变。当IE上升时reb1就会下降。单结晶体管的E极与B2极之间 的电阻reb2与发射极电流IE无关。
⒉单结晶体管的导通条件为：在E极与B1极之间应为正向 电压（即Ueb1＞0），且在B2极与B1极之间也应为正向电压 （即Ub2b1＞＞0）。 ⒊特性： 当Ueb1较低时，单结晶体管VT是截止的；但当Ueb1上升至某一 数值时，IE 会加大，而reb1迅速下降，即单结晶体管迅速导通，相 当于开关的闭合。因此，只要改变Ueb1的大小，就可控制单结晶体 管迅速导通或截止。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
湖南省技工学校
理论教学教案
教师：
以后，I E 继续增大，V E 略有上升，但变化不大，此时单结晶体管进入饱状态，图中对应于谷点V 以右的特性，称为饱和区。
当发射极电压减小到V E <V V 时，单结晶体管由导通恢复到截止状态。
综上所述，峰点电压V P 是单结晶体管由截止转向导通的临界点。
BB A A D P V V V V V η=≈+= （7-2-2）
所以，V P 由分压比η和电源电压决定V BB 。
谷点电压V V 是单结晶体管由导通转向截止的临界点。
一般V V = 2～5V （V BB = 20V ）。
国产单结晶体管的型号有BT31、BT32、BT33等。
BT 表示半导体特种管，3表示三个电极，第四个数字表示耗散功率分别为100、200、300mW 。
单结晶体管的检测
图7-2－3为单结晶体管BT33管脚排列、结构图及电路符号。
好的单结晶体管PN 结正向电阻R EB1、R EB2均较小，且R EB1稍大于R EB2，PN 结的反向电阻R B1E 、R B2E 均应很大，根据所测阻值，即可判断出各管脚及管子的质量优劣。
用万用电表R ×10Ω档分别测量EB 1、EB 2间正、反向电阻，记入表7－2-1
表7-2－1
R EB1(Ω)
R EB2(Ω)
R B1E (K Ω)
R B2E (K Ω)
结 论
任务二 单结晶体管振荡电路制作与调试
图7-2-5单结晶体管振荡电路
2、仪器仪表
双踪示波器一台 MF47万用表 1只
3、制作调试步骤
（1）将元器件按要求整形，插入通用电路板的相应位置,并连接好导线。
（2）闭合开关，接通电源。
分别用示波器观察电容C两端电压vc 及电路输出电压vo。
在图7-2-6相应坐标中作出vc、vo波形。
（3）调节电路中电位器阻值，观察两波形变化，可以看出，改变电位器阻值
将改变输出脉冲的__________(相位、频率、幅值)。
图7-2-6 vc、vo波形图
[布置作业]
完成实验报告
[课后预习]
调光台灯电路的制作与调试。