图解半导体逻辑IC制程

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图解芯片制作工艺流程图ppt课件

图解芯片制作工艺流程图ppt课件

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• 光刻:由此进入50-200纳米尺寸的晶体管级别。一块晶圆
上可以切割出数百个处理器,不过从这里开始把视野缩小
到其中一个上,展示如何制作晶体管等部件。晶体管相当
于开关,控制着电流的方向。现在的晶体管已经如此之小,
一个针头上就能放下大约3000万个。
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• 溶解光刻胶:光刻过程中曝光在紫外线下的光刻 胶被溶解掉,清除后留下的图案和掩模上的一致。
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•芯 片 加 工 无 尘 车 间
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• 光刻胶(Photo Resist):图中蓝色部分就是在晶圆旋转过 程中浇上去的光刻胶液体,类似制作传统胶片的那种。晶 圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平。
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• 光刻:光刻胶层随后透过掩模(Mask)被曝光在紫外线(UV)之下,变得 可溶,期间发生的化学反应类似按下机械相机快门那一刻胶片的变化。 掩模上印着预先设计好的电路图案,紫外线透过它照在光刻胶层上, 就会形成微处理器的每一层电路图案。一般来说,在晶圆上得到的电 路图案是掩模上图案的四分之一。
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INTEL 图解芯片制作工艺流程
共九个步骤
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• 沙子:硅是地壳内第二丰富的元素,而脱氧后的沙子(尤 其是石英)最多包含25%的硅元素,以二氧化硅(SiO2)的 形式存在,这也是半导体制造产业的基础。
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• 硅熔炼:12 英寸/300毫米 晶圆级,下同。 通过多步净化 得到可用于半 导体制造质量 的硅,学名电 子级硅(EGS), 平均每一百万 个硅原子中最 多只有一个杂 质原子。此图 展示了是如何 通过硅净化熔 炼得到大晶体 的,最后得到 的就是硅锭 (Ingot)。

半导体制造工艺流程图

半导体制造工艺流程图

外延层淀积
1.VPE〔Vaporous phase epitaxy> 气相外延生长硅
SiCl4+H2→Si+HCl 2.氧化
Tepi>Xjc+Xmc+TBL-up+tepi-ox SiO2
N-epi
N+-BL
N+-BL
P-SUB
第二次光刻—P+隔离扩散孔
• 在衬底上形成孤立的外延层岛,实现元件的隔离.
• 2.阱区注入及推进,形成阱区
P-
N-Si
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
• 3.去除SiO2,长薄氧,长Si3N4
Si3N4
P-
N-Si
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
• 4.光II---有源区光刻
Si3N4
P-
N-Si
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
Wafer Fab、 • 晶圆针测制程〔Wafer Probe; • 後段〔Back End • 构装〔Packaging、 • 测试制程〔Initial Test and Final Test
一、晶圆处理制程
• 晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与 电子元件〔如电晶体、电容体、逻辑闸等,为上述各 制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程 ,以 微处理器〔Microprocessor为例,其所需处理步骤可 达数百道,而其所需加工机台先进且昂贵,动辄数千 万一台,其所需制造环境为为一温度、湿度与 含尘 〔Particle均需控制的无尘室〔Clean-Room,虽然详 细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关; 不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适 当的清洗 〔Cleaning之後,接著进行氧化〔Oxidation及沈积, 最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤,以完成 晶圆上电路的加工与制作.

半导体IC的制做工艺图解

半导体IC的制做工艺图解

芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(Wafer Fabrication)、晶圆针测工序(Wafer Probe)、构装工序(Packaging)、测试工序(Initial Test and Final Test)等几个步骤。

其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(Front End)工序,而构装工序、测试工序为后段(Back End)工序。

1、晶圆处理工序:本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关,但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。

2、晶圆针测工序:经过上道工序后,晶圆上就形成了一个个的小格,即晶粒,一般情况下,为便于测试,提高效率,同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品;但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。

在用针测(Probe)仪对每个晶粒检测其电气特性,并将不合格的晶粒标上记号后,将晶圆切开,分割成一颗颗单独的晶粒,再按其电气特性分类,装入不同的托盘中,不合格的晶粒则舍弃。

3、构装工序:就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上,并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接,以作为与外界电路板连接之用,最后盖上塑胶盖板,用胶水封死。

其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。

到此才算制成了一块集成电路芯片(即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色,两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块)。

4、测试工序:芯片制造的最后一道工序为测试,其又可分为一般测试和特殊测试,前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性,如消耗功率、运行速度、耐压度等。

经测试后的芯片,依其电气特性划分为不同等级。

而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数,从相近参数规格、品种中拿出部分芯片,做有针对性的专门测试,看是否能满足客户的特殊需求,以决定是否须为客户设计专用芯片。

半导体芯片制作流程工艺

半导体芯片制作流程工艺

半导体芯片制作流程工艺半导体芯片制作可老复杂啦,我给你好好唠唠。

1. 晶圆制造(1) 硅提纯呢,这可是第一步,要把硅从沙子里提炼出来,变成那种超高纯度的硅,就像从一群普通小喽啰里挑出超级精英一样。

这硅的纯度得达到小数点后好多个9呢,只有这样才能满足芯片制造的基本要求。

要是纯度不够,就像盖房子用的砖都是软趴趴的,那房子肯定盖不起来呀。

(2) 拉晶。

把提纯后的硅弄成一个大的单晶硅锭,就像把一堆面粉揉成一个超级大的面团一样。

这个单晶硅锭可是有特殊形状的,是那种长长的圆柱体,这就是芯片的基础材料啦。

(3) 切片。

把这个大的单晶硅锭切成一片一片的,就像切面包片一样。

不过这可比切面包难多啦,每一片都得切得超级薄,而且厚度要非常均匀,这样才能保证后面制造出来的芯片质量好。

2. 光刻(1) 光刻胶涂覆。

先在晶圆表面涂上一层光刻胶,这光刻胶就像给晶圆穿上了一件特殊的衣服。

这件衣服可神奇啦,它能在后面的光刻过程中起到关键作用。

(2) 光刻。

用光刻机把设计好的电路图案投射到光刻胶上。

这光刻机可厉害啦,就像一个超级画家,但是它画的不是普通的画,而是超级精细的电路图案。

这图案的线条非常非常细,细到你都想象不到,就像头发丝的千分之一那么细呢。

(3) 显影。

把经过光刻后的晶圆进行显影,就像把照片洗出来一样。

这样就把我们想要的电路图案留在光刻胶上啦,那些不需要的光刻胶就被去掉了。

3. 蚀刻(1) 蚀刻过程就是把没有光刻胶保护的硅片部分给腐蚀掉。

这就像雕刻一样,把不要的部分去掉,留下我们想要的电路结构。

不过这个过程得非常小心,要是腐蚀多了或者少了,那芯片就报废了。

(2) 去光刻胶。

把之前用来形成图案的光刻胶去掉,这时候晶圆上就留下了我们想要的电路形状啦。

4. 掺杂(1) 离子注入。

通过离子注入的方式把一些特定的杂质原子注入到硅片中,这就像给硅片注入了特殊的能量一样。

这些杂质原子会改变硅片的电学性质,从而形成我们需要的P型或者N型半导体区域。

芯片的工作原理详解图

芯片的工作原理详解图

芯片的工作原理详解图
抱歉,由于我是一个文本AI模型,无法直接提供图像。

我将
尽力为您提供文字信息来解释芯片的工作原理。

芯片是电子设备中的重要组成部分,它由数百万到数十亿个微小的半导体晶体管组成。

每个晶体管都有一个源极(Source)、漏极(Drain)和栅极(Gate)三个电极。

晶体管的基本功能
是控制电流的流动。

在芯片的工作中,晶体管的栅极提供了控制信号,决定了电流是否可以从源极流向漏极。

当栅极电压低于晶体管的阈值时,晶体管处于关闭状态,电流无法通过。

当栅极电压高于或等于阈值时,晶体管将打开,允许电流从源极流向漏极。

芯片中的晶体管通过连接在一起的导线和互连层(interconnect layers)相互连接。

这些导线和互连层用于传输信号和数据,
并实现各个晶体管之间的通信和协作。

除了晶体管,芯片还包括其他重要的组件,如寄存器、存储器、时钟电路等。

这些组件共同工作,实现了芯片的各种功能,如计算、存储和控制。

总之,芯片的工作原理可以简单概括为:通过对晶体管的控制,控制电流的流动,实现各种功能和操作。

这些功能和操作是通过晶体管之间的相互连接和协作来实现的。

180纳米逻辑芯片制造流程图

180纳米逻辑芯片制造流程图

NLDD 114 mask PLDD IMP
P
P
N-Well
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PLDD 113 mask NLDD IMP
• GATE2_OX PreCln
NCRRCAM
• GATE2 OX
750 C, 27+-2 A, wet
2000A poly
50Å thick gate oxide Final 70 A
32Å thin gate oxide
Thin gate
Thick gate
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Poly Gate Definition
NPRRM (SPM only)
AA SiN Pad oxide
P Substrate P Substrate
AA SiN Pad oxide
P Substrate
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STI CMP & NIT RM
• STI Pre-CMP THK-PO PAD (6100+-225 A) • STI Polish & in-situ Cln (STI_XXXX) ? CMP 是磨到NIT上。
STOP LAYER of STI CMP
7
STI ETCH
ADI = 0.23+-0.02
• SiON DEP(CVD)
FE DARC320 (w/I scrubber )
To reduce SIN reflection and improve PR resolution as an ARC layer

• STI Pre-CMP THK-PO PAD (3600+-250 A) , SIN (1050+-50)
• AA NIT RM

最全半导体IC制造流程

最全半导体IC制造流程

最全半导体IC制造流程半导体是一种特殊的材料,可在一定条件下具有导电和绝缘特性。

半导体集成电路(IC)是在半导体材料上制造出的微小电子元件,可用于存储、处理和传输信息。

下面是半导体IC制造流程的详细步骤:1.单晶硅生长:首先,通过熔融法或气相沉积法将高纯度硅材料制备成硅单晶棒。

该单晶棒将充当晶圆的基材。

2.制备晶圆:将硅单晶棒锯成薄片,厚度通常为0.7毫米。

然后,使用化学机械抛光(CMP)将晶圆研磨成平坦表面。

3.清洗晶圆:使用一系列化学溶液和超纯水清洗晶圆表面,去除上一步骤中可能残留的污染物。

4.晶圆预处理:晶圆暴露在气氛中,以形成二氧化硅(SiO2)的保护层。

5.光刻:将光刻胶涂覆在晶圆上,然后使用光刻机按照特定的设计图案照射。

通过光刻胶的化学反应,将图案转移到晶圆表面。

6.电子束蒸发:使用电子束蒸发仪将金属材料蒸发到晶圆表面,形成导电线路,如金属电极。

7.离子注入:使用离子注入机将特定的离子注入晶圆表面,以改变导电性能。

此过程用于制造PN结,形成晶体管等。

8.化学腐蚀与刻蚀:使用刻蚀液和化学腐蚀液去除不需要的材料,只保留目标器件。

对于多层结构,需要多次重复该过程。

9.化学气相沉积(CVD):在需要的区域上沉积薄膜材料。

CVD是一种通过化学反应在晶圆表面上沉积原子或分子的方法。

10.金属蒸发:使用电子束蒸发仪将金属材料蒸发到需要的区域。

11.腐蚀与刻蚀:再次使用腐蚀液和刻蚀液去除不需要的材料,以形成更加精细的器件结构。

12.清洗晶圆:使用超纯水和化学溶液清洗晶圆,去除可能残留的污染物。

13.封装和测试:将制造好的芯片封装在外壳中,以保护芯片并提供外部电路连接。

封装后,进行电性能测试和功能测试,确保芯片的质量和可用性。

14.品质控制:在整个制造过程中,需要严格控制生产参数和工艺流程,以保证成品的质量和稳定性。

此外,需要对每一批次的芯片进行品质检验,确保符合相关标准和规范。

半导体IC制造是一项复杂且精密的过程,涉及多个步骤和精准的设备。

半导体制造流程PPT课件

半导体制造流程PPT课件

2019/9/10
3
晶圆处理制程
融化(MeltDown)
颈部成长(Neck Growth)
晶柱成长制程
晶冠成长(Crown Growth)
晶体成长(Body Growth)
尾部成长(Tail Growth)
2019/9/10
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晶圆处理制程
切片 (Slicing)
圆边 (Edge Polishin
2019/9/10
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晶圆处理制程
• 离子注入是另一种掺杂技术,离子注入掺杂也分为两 个步骤:离子注入和退火再分布。离子注入是通过高 能离子束轰击硅片表面,在掺杂窗口处,杂质离子被 注入硅本体,在其他部位,杂质离子被硅表面的保护 层屏蔽,完成选择掺杂的过程。进入硅中的杂质离子 在一定的位置形成一定的分布。通常,离子注入的深 度(平均射程)较浅且浓度较大,必须重新使它们再分 布。掺杂深度由注入杂质离子的能量和质量决定,掺 杂浓度由注入杂质离子的数目(剂量)决定。
• 一个现代的IC含有百万个以上的独立组件,而其尺寸通 常在数微米,在此种尺寸上,并无一合适的机械加工机 器可以使用,取而代之的是微电子中使用紫外光的图案 转换(Patterning),这个过程是使用光学的图案以及光感 应膜來将图案转上基板,此种过程称为光刻微影 (photolithography)
2019/9/10
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晶圆处理制程
曝光(exposure) • 在光刻微影过程,首先为光阻涂布,先将适量光阻滴上基
板中心,而基板是置于光阻涂 布机 的真空吸盘上,转盘 以每分钟數千转之转速,旋转30-60秒,使光阻均匀涂布 在 基板上,转速与旋转时间,依所需光阻厚度而定。 • 曝照于紫外光中,会使得光阻的溶解率改变。紫外光通过 光罩照射于光阻上,而在光照及阴影处产生相对应的图形 ,而受光照射的地方,光阻的溶解率产生变化,称之 为光 化学反应, 而阴影处的率没有变化,这整个过称之为曝光 (exposure)。

半导体IC的制做工艺图解(精)

半导体IC的制做工艺图解(精)

芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(Wafer Fabrication)、晶圆针测工序(Wafer Probe)、构装工序(Packaging)、测试工序(Initial Test and Final Test)等几个步骤。

其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(Front End)工序,而构装工序、测试工序为后段(Back End)工序。

1、晶圆处理工序:本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关,但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。

2、晶圆针测工序:经过上道工序后,晶圆上就形成了一个个的小格,即晶粒,一般情况下,为便于测试,提高效率,同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品;但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。

在用针测(Probe)仪对每个晶粒检测其电气特性,并将不合格的晶粒标上记号后,将晶圆切开,分割成一颗颗单独的晶粒,再按其电气特性分类,装入不同的托盘中,不合格的晶粒则舍弃。

3、构装工序:就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上,并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接,以作为与外界电路板连接之用,最后盖上塑胶盖板,用胶水封死。

其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。

到此才算制成了一块集成电路芯片(即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色,两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块)。

4、测试工序:芯片制造的最后一道工序为测试,其又可分为一般测试和特殊测试,前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性,如消耗功率、运行速度、耐压度等。

经测试后的芯片,依其电气特性划分为不同等级。

而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数,从相近参数规格、品种中拿出部分芯片,做有针对性的专门测试,看是否能满足客户的特殊需求,以决定是否须为客户设计专用芯片。

半导体制造工艺设计流程图

半导体制造工艺设计流程图

半导体制造工艺流程半导体相关知识本征材料:纯硅 9-10个250000Ω.cm3N型硅:掺入V族元素--磷P、砷As、锑SbP型硅:掺入 III族元素—镓Ga、硼BPN结:半导体元件制造过程可分为前段(Front End)制程晶圆处理制程(Wafer Fabrication;简称 Wafer Fab)、晶圆针测制程(Wafer Probe);后段(Back End)构装(Packaging)、测试制程(Initial Test and Final Test)晶圆边缘检测系统一、晶圆处理制程晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件,为各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程,以微处理器(Microprocessor)为例,其所需处理步骤可达数百道,而其所需加工机台先进且昂贵,有时可达数千万一台,其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘(Particle)均需控制的无尘室(Clean-Room),虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关;不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗(Cleaning)之后,接著进行氧化(Oxidation)及沉积,最后进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤,以完成晶圆上电路的加工与制作。

晶圆与晶片的区别制造半导体前,必须将硅转换为晶圆片。

这要从硅锭的生长开始。

单晶硅是原子以三维空间模式周期形成的固体,这种模式贯穿整个材料。

多晶硅是很多具有不同晶向的小单晶体单独形成的,不能用来做半导体电路。

多晶硅必须融化成单晶体,才能加工成半导体应用中使用的晶圆片。

晶片由晶圆切割成,直径和晶圆相同,厚度为300μm 由于硅很硬,要用金刚石锯来准确切割晶圆片,以得到比要求尺寸要厚一些的晶片。

激光锯也有助于减少对晶圆片的损伤、厚度不均、弯曲以及翘曲缺陷。

      切割晶圆片后,开始进入研磨工艺。

IC制作流程 ppt课件

IC制作流程 ppt课件
• 主要目的:
• 1. 確保元件能符合功能和溫度限制
• 2. 確保元件的工作溫度符合可靠性的要
2021/3/26
IC制作流程 ppt课件
9
TSOP IC Package Flow
2021/3/26
IC制作流程 ppt课件
10
BGA IC Package Flow
2021/3/26
IC制作流程 ppt课件
2021/3/26
設備的採購
Equipment preparation
驗收報告
Buy-off report
IC制作流程 ppt课件
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試產報告
SAT分析 材料清單
Trial Run Report SAT Analysis
BOM
Qual Run Assembly Report Qual Run Assembly Report
2021/3/26
IC制作流程 ppt课件
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FT flow
• FT1:常溫25度先做基本功能測試,如 open/short,basic read/write,Pattern
• Burn-In(燒機):125度,高電壓長時間 read/write test,主要是將早夭期的IC給提 早死亡
• FT2:低溫-10度基本功能測試
•晶圓的大小〈指其直徑〉由早先的三吋〈約7.5 公分〉到目前的八吋〈約20公分〉,未來將朝 的十二吋、十六吋等大尺吋方向前進,主要是 為了提高VLSI的產能且提升IC的良率,以增加 廠商自身的競爭力。
2021/3/26
IC制作流程 ppt课件
3
Wafer Testing
• WAT(Wafer Accept Test):每個Lot抽幾片 wafer判定是否整個Lot 允收

芯片工艺流程ppt课件

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腐蚀
-干法腐蚀/湿法腐蚀
去胶
精选课件
16
单项工艺-光刻(7)
光刻精选工课艺件过程
17
单项工艺-CVD(1)
精选课件
18
单项工艺-CVD(2)
初级离子气体被吸收到硅片表面
精选课件
19
单项工艺-CVD(3)
初级离子气体在硅片表面分解
精选课件
20
单项工艺-CVD(4)
玻璃的解吸
精选课件
21
单项工艺-CVD(5)
-匀光刻胶
精选课件
14
单项工艺-光刻(5)
前烘
-增加黏附作用 -促进有机溶剂挥发
对版
-对每个圆片必须按要求对版
匀胶
-用弧光灯将光刻版上的图案转 移到光刻胶上。
精选课件
15
单项工艺-光刻(6)
显影/漂洗
-将圆片进行显影/漂洗,不需要的 的光刻胶溶解到有机溶剂。


-硬化光刻胶。 -增加与硅片的附着性。
精选课件
22
单相工艺-离子注入(1)
精选课件
23
单相工艺-离子注入(2)
精选课件
24
单相工艺-离子注入(3)
精选课件
25
单相工艺-蒸发(1)
蒸发原理示意图
精选课件
26
单相工艺-蒸发(2)
溅射原理示意图
精选课件
27
单相工艺-蒸发(3)
精选课件
28
单相工艺-清洗
精选课件
29
基础认知
精选课件
52
中测抽测
2
测试系统
精选课件
53
减薄、抛光
2
减薄和抛光部分

180纳米逻辑芯片制造流程图

180纳米逻辑芯片制造流程图

1000RTA010S (1000C; 10sec
P-VT P-pthru
N-Well
P-Well
12
P-Well and Vt_N adjustment
• P_Well Photo (191 layer) • Implant:
• P WELL IMP • N CHANNEL IMP • N_VT IMP • PWELL Asher • PWELL Wet Strip
• GATE2_OX PreCln
NCRRCAM
• GATE2 OX
750 C, 27+-2 A, wet
2000A poly
50Å thick gate oxide Final 70 A
32Å thin gate oxide
Thin gate
Thick gate
14
Poly Gate Definition

• STI Pre-CMP THK-PO PAD (3600+-250 A) , SIN (1050+-50)
• AA NIT RM
NLH90AHPO2450A (50:1 HF + H3PO4)
• THIN OXIDE THK-P PAD ( 82+-17)
• STI PAD OX RM
NLH60A (50:1 HF 65 sec)
• PLDD1 Photo (113 layer) – Implant: • P Pocket implant: (A130K30E3T30R445) • PLDD implant (F005K20E4T00) – PLDD1 Asher & Wet Strip (21+ SPM)

IC解剖实验PPT课件

IC解剖实验PPT课件

结果要求
• 1 必须拍摄到硅片和连接硅片和管脚的引线 • 2 必须通过实验结果和思考画出NPN三极管内部的封装 结构示意图。
思考题
• 怎样用一个万用表判别C解剖实验

知识重温
P型半导体:由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成,会在 半导体内部形成带正电的空穴;
N型半导体:由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成,会 在半导体内部形成带负电的自由电子。
三极管
三极管载流子传输过程
实验步骤
• 1 分成四组,每组四个人分别从三极管正面,反面,顶 部,和一个侧面四个方向磨,直至硅片出现。 • 2 在爱国者显微镜下对硅片拍照并且保存 • 3 综合四个方向磨样的结果,绘制出实物三极管内部结 构的原理图。
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图解半导体逻辑IC制程电子机器的动作所必需的内部信号处理人致可以分为模拟信号处理和数字信号处理。

处理前者的是模拟用半导体器件,处理后者的数字信号处理的就是逻辑IC,逻辑IC中也有很多种类。

IC、LSI在制造程序上大致分为双极系列和MOS系列,还可以再分为混合两者的BiCMOS 等复合型。

逻辑IC是执行数字信号处理的IC、LSI,双极系列(也就是双极逻辑)现在只有TTL和ECL, 因此提及逻辑IC时,一般可以视为指CMOS逻辑系列以及BiCMOS系列。

而且,逻辑IC也可分为(1)通用逻辑、通用MPU之类的标准品:(2) ASIC (特殊用途用IC);(3)配合本公司规格开发的定制LSI专用产品这几类。

ASIC nJ"以分成ASCP (顾客专用品)和ASSP (待业专用品),ASCP还能进一步细分成门阵列(GA)、可现场编程式门阵列(FPGA)、标准单元(SC)、嵌入式单元阵列(ECA)等。

但是,即使是完全的定制IC,但通讯用或数码家电、车载系统中基本使用的电路及构件等都是相同的,开发上的平台大都由半导体生产厂家准备。

通过以平台为基础进行设计,可以缩短开发时间。

像这样定制IC和ASIC的界限没有明确区分,有时也将定制IC作为通用产品进行销售,由此可见,目前情况下这样的分类是非常困难的。

逻辑IC中有被称为MPR (niiciopenpheral:微控制器周边设备)的器件。

这是和于硬盘、图像处理、打印机等,主要用于计算机周边设备的专用LSI。

各机器生产厂家大都采用ASIC 的方法进行开发,和上述一样很难做出明确的分类。

逻辑IC可以分为制造工艺、应用领域、设计方法等3种,因此分类越来越困难。

逻辑IC、LSI的分类O双极逻辑IC、LSITTL (Transistor Transistor Logic)目前,只有部分生产厂家在生产,市场也在不断缩小。

ECL(Enutter Coupled Logic)通过把NPN双极晶体管放在非饱和区域使用,并缩小理论振幅来获得高速特性,可用于要求高速性的IC测试器、通讯用等。

O代表性的CMOS逻辑IC/LSI通用CMOS逻辑MPU (Micro Processing Unit)MCU(Micro Controller Unit)DSP(Digital Signal Processor)MPR(Micro Peripherals)ASIC(Application Specific IC)GA(Gate Array)SC(Standaid Cell)DSP的例子面向各种用途的逻辑ICCMOS和反相电路CMOS电路是由P通道能及N通道双方的MOS晶体管构成的电路。

由于具有消耗电流少、高速化方便、抗杂音能力强、输入输出全摆式等特点,因此现在几乎所有的LSI都是在这种技术的基础上构成的。

CMOS技术CMOS的结构是在N型基板中形成P通道的晶体管,在N型基板中做成较人的低浓度P型区域(叫娓娓动听P井),在P井中形成N通道晶体管。

还有与基相反,使用P型基板做成N井的。

反相器是逻辑IC/LSI的基本电路。

如图所示,举例说明N型或P型晶体管(TN、TP)串联形成的反相电路。

门极G上输入“1”信号(SP电位)的话,TN将为ON,而TP则成为OFF。

相反,输入“0"信号(SN电位)的话,TN为OFF,而TP则成为ON。

对于任何输入,总有一个对应的晶体管是OFF状态,且由SP到SN的电流不会流通,因此消耗电流将减少(PMOS、NMOS的1/100-1/1000)。

ON\OFF切换时因寄生电容会充放电,因此随着工作频率增加,耗电量将增大。

优点•非常少的耗电量•快速的动作速度•抗杂音较强•和TTL可兼弱容性•以低电压动作简单缺点•制作和序复杂且耗时长用途•标准逻辑(相当于TTL逻辑)•几乎所有的数字L S I (MPU\MCU) \D S P\图象处理L S I \语音处理)•电子计算器\钟表\游戏机•掌上电脑•电话机•存储器(R AM \ R OM)•其他\客户规格逻辑电路等输入输出输入信号输出信号―LJ -LTi—CMOS反相器的图形记号和动作CMOS反相器的电路图例:CMOS反相器的结构图通用逻辑(CMOS)指将构成数字电路的闸、缓冲器、正反器等最基本的功能予以独立的IC产品群。

而且,功能、引脚配置、电气特性等都是全球性标准化的产品群。

在制程上还有CMOS、BiCMOS、双极等。

通用逻辑的主要功能•逻辑运算功能(闸电路)图1•开关功能•数据的保持功能图2•总线驱动器(缓冲器)功能图3•计数器/除频功能•电平移动功能 品名和标准化附加74XXX 的品名的标准逻辑作为74规格,其功能、引脚配置都加以标准化。

如果品名(上述XXX 的部分)相同,则功能、引脚配置无论哪个生产厂商、哪个系列都相同。

系列 名不同,数据处理速度、驱动能力等性能将不同,相反,如果系列名相同,则无论哪个生产 厂商的性能人致相同。

各系列中有数十品种到百数十品种的产品(功能)。

*通用逻辑最早以使用双极系列逻辑为主,现在能方便地实现低耗电量/低电源电压的CMOS 逻辑已成为主流。

而且,双极系列中,ECL 也用于超高速应用领域(高速测试器等)。

14 V cc 13 6A 12 6Y 11 5A 10 5Y 9 4A 8 4Y(TOP VIEW)图 1 闸 IC 例/74VHC041A 1Y 2A 2A 3A 3A GND1CLR 1D 1CK 1PR 1Q 1Q GND图2正反器IC 例/74VHC74图3缓冲器IC 例/74VHC244G1*******D —1A2Y1A2Y1A2Y1A2YGN1 2 3 4 5 6 7(TOP VIEW)14 Vcc 13 2CLR 12 2D 11 2CK 10 2PR 9 2Q 8元4 1 YA 1 2 2 1C-G 1 4 2 3 3 2 C2YAYAYA V 12 12 12 09876543 1— 1— 1— 1— 1— 4— 1— □ nnnnnnnnn匚匚匚匚匚匚匚匚匚匚234567890TC 74 VHC 244 FT (EL)~r 〒曲涯關■懑 包装名!封装名 —功能名 L系列名 L表示74规格系列 生产厂商名品名的辨认证5V 系列廉列3 3VM 列5V 系列 74VC)(播列 741CXJJ 列 741VX® 列74VHC 系列 74 AC 系列 74HC 系列480系列741VT 廉列74ALVR 列 740CM 列 74A0T * 列74F 康列 74ASS9! 74S 廉穷 74ALS 系另 74LSJK9IIX 廉穷列-TTL — 5V 系列•双极系列2 3系列3 3V 柬列CCMOS 系列BiCMOS 系列通用逻辑的种类微处理器微处理器(micro-computer,简称nucon),作为计算机,通过LSI实现必要功能的小型计算机。

从身边的家电产品到计算机及小型控制机器,被广泛应用在系统中。

策处理器由进行运算、控制的CPU (中央运算处理装置)、进行记忆的存储器、进行和外部输入、输出的I/O的三部分构成。

它们之间的信息交换,通过以下三务总线进行。

(1)地址总线:用于指定存储器及IO地址的信号线;(2)数据总线:用于将数据传输到地址总线指定的存储器及I/O的信号线;(3 )控制总线:用于指示是否读取或写入存储器及LO.或其他从CPU进行各种控制的信号线。

人规模系统中,将各种结构要素加以集成化后的LSI进行组合,小规模系统中,使用将这些集成到一块芯片上的LSL地址总践ROM/RAMCPU和各种总线连接图CISC 和RISC计算机心脏部分一CPU人致分为两类。

一类是具有实现复杂且高度功能的命令,旨在提高性能的CISC。

还有一类是将命令设置单纯化,旨在提高命令执行速度的RISCoCISC方式减少一个处理所需的命令数,旨在提高性能。

通过1个命令就可以执行复杂的动作,因此叫做CISC (Complexed Iiistmction Set Computer:复杂命令集计算机)方式。

相反,命令长度可变,且比较复杂,因此解读需要一定的时间,用于执行的内部电路变得复杂,硬件设计的负担增加。

RISC方式只具有少数的单纯性命令,旨在加快执行速度。

命令长度固定,因此解码器电路及执行电路的规模较小。

命令只有最基本的,因此叫做RISC (Reduced Iiisti-uction Set Computer :缩小 命令集计算机)方式。

命令数量少,因此需要软件的负担增加,但通过使用C 语言等高级 语言,可以提高开发效率。

CISCRISC命令的种类•具有实現厦杂且爲度功絶的命令 •具有复册且多样的寻址模式 •访问存储黑的命今車直•段建于单功幾的墓*命令 •县址懵攻较少•袴储潺访同限定于取出儒再命今侖令的格戒•令令长度的种类丰冨 •恪式复杂且种类多•命令长«92 1多为32比特1 •ffl*的格式命令的欽行速度•廉敷个时钟•诵过1个聘神真行命令行的电路•很多能况下使用微型Rg •便用現线逻辑 ■线处理•实行非管钱飪理或是实行罩規的 •通过書线的■适化.163■线尺 绘级计赅陆技术的引丘加連Q 令谕用彷存咨数•较少(8个左右1•较多(帳多慣况下为32个 ________ JCISC 和RISO 的特征微处理器(MPU )MPU 是意气风发计算机所需的运算、控制功能集成到一块芯片上的LSE 随着半导体集成 电路技术的不断发展,以往将多个IC 进行组合后构成CPU 的器件现在可以用一个MPU 加 以实现。

何谓MPU 我们将构成微处理器要素中的运算部分和控制部分合在一起的心脏部分叫做CPU,将这个 CPU 通过1个LSI 加以实现的器件就是MPU (微处理器)。

MPU 不能单独作为计算机动作, 因此将存储器及VO 进行组合后构成计算机。

MPU 的基本动作CISC 系列和RISC 系列微处理TOSHirjA目前的大部分计算机都是从存储器读取命令、一个个逐步执行的被叫做诺依曼型的器件。

MPU读取写在存储器内的程序,解读写在程序内的命令,按照指示,执行将数据存储到存储器内,或将数据取出等作业。

微处理器的功作单元例微型周边设备(MPR)所谓微型周边设备(周边LSI),是指存在于MPU和输入输出设备之间接I I的LSI。

主要分为支持MPU的LSI和控制周边设备以及传输数据的LSI,根据不同用途,有各种种类。

MPR用于减轻对MPU的负担,提高整个微控制器系统的性能。

因为通过专用LSI控制周边设备,因此也可以减轻软件的负担。

MPR不断在必须采取图形用及MPEG等图像处理、声音识别等高速处理的领域中得到应用。

MPU支持用MPR存储器管理单元(Memory Management Unit: MMU)采用人量且多种存储器的系统中,管理存储器变得复杂,因此要使用MMU,减轻MPU的负担。

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