半导体专业术语
dummy半导体术语
dummy半导体术语
以下是与半导体相关的一些术语：
1. 半导体（Semiconductor）：一种介于导体和绝缘体之间的材料，具有在特定条件下能够导电的特性。
2. 掺杂（Doping）：向半导体材料中引入掺杂剂，以改变其导电性能的过程。
3. 电子（Electron）：带有负电荷的基本粒子，当它在半导体中移动时，产生电流。
4. 空穴（Hole）：带有正电荷的缺失电子，能够在半导体中移动，参与导电过程。
5. PN结（PN Junction）：由一个P型半导体和一个N型半导体结合而成的界面，是常见的半导体器件结构。
6. 二极管（Diode）：由PN结组成的电子器件，能够只允许电流单向通过。
7. 晶体管（Transistor）：一种能够放大或开关电流的三层或更多层半导体器件。
8. 集成电路（Integrated Circuit）：在一个小芯片上集成了数十亿个晶体管和其他电子组件的电路。
9. MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）：一种常见的金属氧化物半导体场效应晶体管，是现代计算机芯片中最重要的基本元件之一。
10. CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）：一种集成电路技术，采用MOSFET构成的电路，具有低功耗、高集成度等优点。
这里仅列举了一些常见的术语，实际上半导体领域还有更多术语和专业名词。
常用半导体功能术语
常用半导体功能术语半导体是一种具有特殊电导性能的材料，广泛应用于电子和光电技术领域。
以下是一些常用的半导体功能术语：1. 传导带（Conduction Band）：带电的价电子从价带跃迁到传导带上，形成了电子-空穴对。
2. 价带（Valence Band）：在半导体材料中，价电子占据的能级带。
3. 杂质（Impurity）：被有意地或无意地引入到半导体中的不纯物质，可以影响其电导性。
4. 被激激发（Excitation）：原子或分子吸收外部能量后，其电子从较低能态跃迁到较高激发能态。
5. 能隙（Band Gap）：价带和传导带之间的能量差，决定了半导体的电导性质。
能隙越小，半导体的导电性越好。
6. 上升沿和下降沿（Rising and Falling Edge）：指信号电压在从低电平到高电平或从高电平到低电平的瞬间变化。
7. 倒障层（Barrier）：引入两种不同材料接触处的能级，阻碍电子或空穴跨越此界面。
8. PN结（PN Junction）：由N型半导体和P型半导体通过硅键连接形成的结构。
9. 正偏压（Forward Bias）：PN结中P区的端口连向正电压，N区的端口连向负电压，电子从N区向P区移动。
10. 反偏压（Reverse Bias）：PN结中P区的端口连向负电压，N区的端口连向正电压，电子从P区移动到N区。
11. 势垒（Barrier Potential）：PN结两侧的电场形成的势能差。
12. 整流（Rectification）：将交流信号转化为直流信号的过程。
13. 放大器（Amplifier）：接收弱信号并使其输出为强信号的电路或设备。
14. 栅极（Gate）：场效应晶体管中控制电流的电极。
15. 集电极（Collector）：双极晶体管中接收和输出电流的电极。
16. 基极（Base）：双极晶体管中控制和调制电流的电极。
17. 激活（Activate）：将物质暴露在高温环境下，使其具有半导体特性。
半导体专业术语
专业术语1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TRANSI STOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。
在标准之MO S制造过程中ACTI VE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTI VE AREA会受到鸟嘴（BIRD’SBEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BI RD’SBEAK 存在，也就是说AC TIVEAREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2 ACTONE丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查1.定义：AfterDevelo pingInspec tion之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。
发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。
3.方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查1. 定义：AEI即Af ter Etchin g Inspec tion，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
半导体专业术语
专业术语1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TR ANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTI VE AREA）。
在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTI VE AREA会受到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK 存在，也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查 1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。
发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。
3.方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查 1. 定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
半导体专业术语.
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. Acid：酸4. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）5. Align mark(key)：对位标记6. Alloy：合金7. Aluminum：铝8. Ammonia：氨水9. Ammonium fluoride：NH4F10. Ammonium hydroxide：NH4OH11. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）12. Analog：模拟的13. Angstrom：A（1E-10m）埃14. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）15. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）16. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）17. Argon(Ar)氩18. Arsenic(As)砷19. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷20. Arsine(AsH3)21. Asher：去胶机22. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）23. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）24. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）25. Baseline：标准流程26. Benchmark：基准27. Bipolar：双极28. Boat：扩散用（石英）舟29. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。
半导体专业术语
1.acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2.acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3.Acid：酸4.Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）5.Align mark(key)：对位标记6.Alloy：合金7.Aluminum：铝8.Ammonia：氨水9.Ammonium fluoride：NH4F10.Ammonium hydroxide：NH4OH11.Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）12.Analog：模拟的13.Angstrom：A（1E-10m）埃14.Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）15.AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）16.ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）17.Argon(Ar)氩18.Arsenic(As)砷19.Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷20.Arsine(AsH3)21.Asher：去胶机22.Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）23.Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）24.Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）25.Baseline：标准流程26.Benchmark：基准27.Bipolar：双极28.Boat：扩散用（石英）舟29.CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。
30.Character window：特征窗口。
半导体 标准术语
半导体标准术语
半导体是指电导率介于导体和绝缘体之间的材料。
标准术语是指在半导体领域中被广泛接受和使用的术语和定义。
以下是一些半导体领域常见的标准术语：
1. PN结：由p型半导体和n型半导体构成的结，具有整流性质。
2. 硅：半导体材料中最常用的元素之一，常用符号为Si。
3. 锗：半导体材料中常用的元素之一，常用符号为Ge。
4. 掺杂：向半导体材料中引入少量杂质，改变其电导性质的过程。
5. 芯片：由半导体材料制成的微小电子器件，常用于集成电路中。
6. 导带：半导体中的能带，带有自由电子，可导电。
7. 价带：半导体中的能带，带有能够容纳电子的轨道。
8. 势垒：在PN结中形成的电势差，阻止电流的流动。
9. 禁带宽度：导带和价带之间的能量差，决定了半导体的导电性质。
10. 整流器：利用PN结的整流性质将交流电转换为直流电的
器件。
这些是半导体领域中常见的一些标准术语，但并不包括全部。
半导体科学和技术的发展不断涌现出新的术语和概念，因此标准术语也在不断更新和发展。
半导体行业术语
半导体行业术语1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。
在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以AC TIVE AREA会受到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK存在，也就是说ACTIVE ARE A比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2 ACTONE 丙酮1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4.对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。
发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。
3.方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查1. 定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
半导体制造行业专业术语
半导体词汇1. ac cepta nce t estin g (WA T: wa fer a ccept ancetesti ng) 2. ac cepto r: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3.ACCES S：一个E DA（En ginee ringDataAnaly sis）系统4. Acid：酸5. Act ive d evice：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Ali gn ma rk(ke y)：对位标记7. All oy：合金8.Alumi num：铝9.Ammon ia：氨水10. Ammo niumfluor ide：N H4F 11. A mmoni um hy droxi de：NH4OH 12. A morph ous s ilico n：α-S i，非晶硅（不是多晶硅）13. An alog：模拟的14. A ngstr om：A（1E-10m）埃15. A nisot ropic：各向异性（如POL Y ETC H）16. AQ L(Acc eptan ce Qu ality Leve l)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17.ARC(A ntire flect ive c oatin g)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Ant imony(Sb)锑19. Argo n(Ar)氩20. Ars enic(As)砷21.Arsen ic tr ioxid e(As2O3)三氧化二砷22. A rsine(AsH3)23. Ash er：去胶机24. Asp ect r ation：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. A utodo ping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Bac k end：后段（C ONTAC T以后、P CM测试前）27. Bas eline：标准流程28. Benc hmark：基准29. B ipola r：双极30.Boat：扩散用（石英）舟31. C D：（C ritic al Di mensi on）临界（关键）尺寸。
半导体行业术语
反向的直流电压，如此残留在晶粒上氧化层与金属层之外来杂质离子或
腐蚀性离子将容易游离而使故障模式（Failure Mode）提早显现出来， 达到筛选、剔除「早期夭折」产品之目的。预烧试验分为「静态预烧」
（Static Burn in）与「动态预烧」（Dynamic Burn in）两种，前者在试验 时，只在组件上加上额定的工作电压即消耗额定的功率，而后者除此外
半导体行业术语
1 Active Area 主动区（工作区） 主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制 造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。在标准之MOS制造过程中 ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧 化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTIVE AREA会受 到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的 小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK存在， 也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。 2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。3. 在FAB内之用途，主要在 于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤 黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激
鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心度1000PPM。 3 ADI 显影后检查 1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目 的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。发现缺点后，如 覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。3.方法： 利用目检、显微镜为之。
半导体专业术语
1.acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子20.Asher：去胶机21.Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）Acid2.：酸22.Active device：有源器件，如MOS FET （非线性，可以对信号放大）Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 3.23.Back end：后段（ 4.Align mark(key)：对位标记CONTACT以后、PCM测试前）24. Baseline：标准流程Alloy5.：合金25.6.Aluminum：铝Benchmark：基准26. Bipolar：双极Ammonia7.：氨水27.8.Ammonium fluoride：Boat：扩散用（石英）舟NH4F28.CD：（Ammonium hydroxide9.：NH4OH Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。
，非晶硅（不是多晶硅）-SiAmorphous silicon10.：α29.Analog11.：模拟的Character window：特征窗口。
用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
30.）埃Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。
一种去掉圆片表面某种物质的方法。
1E-10mAAngstrom12.：（31.13.Chemical vapor deposition ）（CVD）：化学汽相淀积。
一种通过化学反应生成一层薄膜的工POLY ETCHAnisotropic：各向异性（如艺。
14. 95%AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以置信度通过质32.Chip：碎片或芯片。
量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）33.CIM等层的光刻）：抗反射层（用于15.ARC(Antireflective coating)METAL ：computer-integrated manufacturing 的缩写。
半导体用语
半导体用语
1、半导体用语
（一）硅片
1、硅片：半导体器件的基础，是由半导体绝缘体（如硅或硅基）制成的片状结构，平面可有一块。
2、基板：是硅片的基本结构，包括基板片、连接和双面封装用硅片，以及可能存在的外部电极等。
3、印制电路板（PCB）：用于连接硅片上的电路元件，分为直接印制电路板和印制电路板，可以增加元件的密度。
4、热熔带：用于接通硅片上的电路，由熔融状态的热熔料组成，是一种常用的安装电路的简单方法。
5、焊锡：用于将硅片上的元件与PCB相连，由高熔点锡料组成，可根据元件要求进行不同的焊接工艺。
（二）封装
1、封装：半导体器件完成后，需要经过封装工艺，将器件封装到管壳中，以保护其芯片。
2、套管：硅片采用双层结构封装，一层是外部的硅管壳，另一层是内部的硅封装，套管可能是聚氯乙烯、铝箔、陶瓷或塑料。
3、外壳：用于封装硅片，外壳种类多样，如塑料壳、铝合金壳等，可以阻止外部环境的污染，并对结构进行支撑。
4、表面安装封装（SMT）：将器件封装到PCB表面上，可以使器件的安装密度更大。
5、浸渍封装（DIP）：将器件放入陶瓷中，再通过高温和高压，使器件固定在陶瓷中，可以提高封装的可靠性。
半导体 行业术语
半导体行业术语
1.芯片：一种半导体材料制成的微型电子元件，可用于存储和处理数据。
2. 集成电路：一种由许多芯片组成的电子元件，它能够实现许多复杂的功能。
3. 逻辑门：一种用于控制逻辑运算的电子元件，包括与门、或门、非门等。
4. MOSFET：金属氧化物半导体场效应管，是一种常见的半导体器件，可用于控制电流和电压。
5. PN结：一种半导体器件结构，由P型半导体和N型半导体组成，可用于制造二极管、光电器件等。
6. 晶体管：一种基于半导体材料的电子元件，可用于放大和开关电路。
7. 闪存：一种用于存储数据的半导体存储器，可用于制造USB 闪存驱动器、SSD等。
8. CMOS：互补金属氧化物半导体技术，是一种用于制造集成电路的主流技术。
9. MEMS：微电子机械系统，是一种将微型机械和电子技术相结合的技术。
10. LED：发光二极管，是一种半导体器件，可用于制造照明产品、指示灯等。
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半导体制造行业专业术语
29. Bipolar：双极
30. Boat：扩散用（石英）舟
31. CD： （Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。
32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
104. initial oxide：一氧
105. insulator：绝缘
106. isolated line：隔离线
107. implant : 注入
108. impurity n : 掺杂
109. junction : 结
110. junction spiking n :铝穿刺
68. effective layer thickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。
69. EM：electromigration，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。
70. epitaxial layer：外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导 体材料，这一单晶半导体层即为外延层。
80. flatband voltage：平带电压
81. flow coeபைடு நூலகம்ficicent：流动系数
82. flow velocity：流速计
83. flow volume：流量计
84. flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数
85. forbidden energy gap：禁带
97. host：主机
98. hot carriers：热载流子
半导体专业术语
半导体专业术语
1. “晶圆”呀，就像半导体世界的大舞台，各种芯片都要在这上面表演呢！比如你手机里的芯片，就是在晶圆上诞生的哟。
2. “光刻”不就是给半导体画画嘛，精细得很嘞！你想想看，能把那么复杂的电路画得那么准确，是不是很厉害呀！就像一个超级厉害的画家。
3. “掺杂”，这就像是给半导体加点特别的调料，让它有不同的性能呢！好比做菜，加点盐味道就不一样了，掺杂能让半导体变得更独特哦。
4. “封装”，可以说是给半导体穿上保护衣啦！就像给宝贝手机套上手机壳一样，能保护里面的芯片好好工作呀。
5. “MOSFET”，这可是半导体里的大明星呢！很多电子设备都离不开它，它就像一个超级能干的小助手，默默地奉献着。
比如电脑里就有它在努力工作哦。
6. “PN 结”，就像是半导体里的一道神奇关卡，控制着电流的通过呢！就像小区门口的保安，决定谁能进出一样。
7. “蚀刻”，这简直就是给半导体做雕刻呀，把不需要的部分去掉，留下精华！就像雕刻大师精心雕琢作品一样。
8. “半导体器件”，那可是各种各样的宝贝呀！从小小的二极管到复杂的集成电路，它们就像一个神奇的宝库，给我们的生活带来便利。
你家里的电器里肯定有它们的身影呢！
9. “禁带宽度”，这就像是半导体的一个小秘密，决定了它的很多特性呢！是不是很神秘呀？
10. “外延生长”，可以想象成让半导体像小树苗一样长大，变得更强大更优秀！是不是很有意思呀？。
半导体常用术语
半导体常用术语1. PN结：两种不同材料的半导体晶体形成的界面，其中一侧为正电荷载体（P区），另一侧为负电荷载体（N区）。
2. 栅极：在MOSFET器件中，用于控制电流和开关的电极。
3. 基极：在双极型晶体管中，用于控制电流和放大信号的电极。
4. 门极：在MOSFET器件中，类似于基极的功能，用于控制电流和信号。
5. 整流器：将交流电转换为直流电的电子器件。
6. 极化：在半导体器件中，通过施加电压或电流来改变材料的电特性。
7. 导电性：半导体材料具有可变的电导率，可以是n型（负载体）或p型（正载体）。
8. 掺杂：在半导体材料中添加杂质以改变其电导率或电特性。
9. 流明：用于衡量光通量的单位，表示单位面积上通过的光的总量。
10. 电子迁移率：表示材料中电子在电场中移动的能力，是衡量材料导电性能的指标。
11. 集成电路：将多个电子元件集成到一个芯片上的电路。
12. 噪声：随机电信号中的不规则波动，对电子设备和电路性能产生不利影响。
13. 功耗：电子器件或电路从电源耗电的功率。
14. 延迟：在电子器件或电路中，信号传播的时间延迟。
15. 反向偏置：对PN结施加电场，使电流不流过结的过程。
16. 正向偏置：对PN结施加电场，使电流流过结的过程。
17. 散射：电子或光子在材料中碰撞并改变方向或能量的过程。
18. 热传导：通过材料中原子或分子之间的振动转移热量的机制。
19. 量子效应：在纳米尺度下，量子力学效应对材料电子行为的影响。
20. 功能集成：将多个不同功能的电子元件或系统集成到一个芯片上的过程。
半导体业界常用术语
半导体业界常用术语
1. “晶圆，那可是半导体的根基啊！就好比是大楼的基石，没有它怎么能行呢？你想想，要是没有晶圆，那些芯片从哪儿来呀！”
2. “封装，这就像是给半导体穿上一件保护衣，让它能安全地工作呀！你看，把那些精细的器件包裹起来，多重要啊！”
3. “光刻机，哇哦，这可是半导体制造的关键设备呀！没有它，就像画家没有画笔，怎么能画出美丽的图案呢？”
4. “蚀刻，这简直就是在半导体上进行精细雕琢呀！就跟雕刻大师精心塑造作品一样，厉害吧！”
5. “掺杂，这可是改变半导体性能的重要手段呢！就好像给它注入了特别的力量，让它变得与众不同。
”
6. “外延，这就像是给半导体不断添砖加瓦，让它成长壮大呀，你说神奇不神奇？”
7. “MOS 管，嘿，这可是半导体里的小能手啊！在电路里发挥着大作用，就像一个勤劳的小蜜蜂！”
8. “集成电路，哇，这可是把好多好多的半导体元件集合在一起呀，那威力可大了去了，你能想象吗？”
9. “半导体材料，这可是一切的源头啊！没有好的材料，怎么能做出优秀的半导体呢，对吧？”
10. “PN 结，这可是半导体的重要结构呢！就像是一个神奇的开关，控制着电流的通过，厉害吧！”。
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1.acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2.acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3.Acid：酸4.Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）5.Align mark(key)：对位标记6.Alloy：合金7.Aluminum：铝8.Ammonia：氨水9.Ammonium fluoride：NH4F10.Ammonium hydroxide：NH4OH11.Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）12.Analog：模拟的13.Angstrom：A（1E-10m）埃14.Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）15.AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）16.ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）17.Argon(Ar)氩18.Arsenic(As)砷19.Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷20.Arsine(AsH3)21.Asher：去胶机22.Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）23.Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）24.Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）25.Baseline：标准流程26.Benchmark：基准27.Bipolar：双极28.Boat：扩散用（石英）舟29.CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。
30.Character window：特征窗口。
用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
31.Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。
一种去掉圆片表面某种物质的方法。
32.Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。
一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。
33.Chip：碎片或芯片。
34.CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。
用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。
35.Circuit design ：电路设计。
一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。
36.Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。
pensation doping：补偿掺杂。
向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。
38.CMOS：complementary metal oxide semiconductor的缩写。
一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。
puter-aided design（CAD）：计算机辅助设计。
40.Conductivity type：传导类型，由多数载流子决定。
在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。
41.Contact：孔。
在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅的孔。
42.Control chart：控制图。
一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。
43.Correlation：相关性。
44.Cp：工艺能力，详见process capability。
45.Cpk：工艺能力指数，详见process capability index。
46.Cycle time：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。
通常用来衡量流通速度的快慢。
47.Damage：损伤。
对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。
48.Defect density：缺陷密度。
单位面积内的缺陷数。
49.Depletion implant：耗尽注入。
一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。
（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。
）50.Depletion layer：耗尽层。
可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。
51.Depletion width：耗尽宽度。
53中提到的耗尽层这个区域的宽度。
52.Deposition：淀积。
一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。
53.Depth of focus（DOF）：焦深。
54.design of experiments (DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。
55.develop：显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程）56.developer：Ⅰ）显影设备；Ⅱ）显影液57.die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。
58.dielectric：Ⅰ）介质，一种绝缘材料；Ⅱ）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能。
59.diffused layer：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。
60.drive-in：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。
61.dry etch：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。
62.effective layer thickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。
63.EM：electromigration，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。
64.epitaxial layer：外延层。
半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体材料，这一单晶半导体层即为外延层。
65.equipment downtime：设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。
66.etch：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。
67.exposure：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。
68.fab：常指半导体生产的制造工厂。
69.feature size：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。
70.field-effect transistor（FET）：场效应管。
包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。
71.film：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。
72.flat：平边73.flow velocity：流速计74.flow volume：流量计75.flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数76.forbidden energy gap：禁带77.four-point probe：四点探针台78.functional area：功能区79.gate oxide：栅氧80.glass transition temperature：玻璃态转换温度81.gowning：净化服82.gray area：灰区83.grazing incidence interferometer：切线入射干涉仪84.hard bake：后烘85.heteroepitaxy：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法86.high-current implanter：束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产87.hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉99.97%的大于0.3um的颗粒88.host：主机89.hot carriers：热载流子90.hydrophilic：亲水性91.hydrophobic：疏水性92.impurity：杂质93.inductive coupled plasma(ICP)：感应等离子体94.inert gas：惰性气体95.initial oxide：一氧96.insulator：绝缘97.isolated line：隔离线98.implant : 注入99.impurity n : 掺杂100.j unction : 结101.junction spiking n :铝穿刺102.k erf :划片槽103.l anding pad n :PAD104.l ithography n 制版105.m aintainability, equipment : 设备产能106.m aintenance n :保养107.m ajority carrier n :多数载流子108.m asks, device series of n : 一成套光刻版109.m aterial n :原料110.matrix n 1 :矩阵111.mean n : 平均值112.measured leak rate n :测得漏率113.median n :中间值114.memory n : 记忆体115.metal n :金属116.nanometer (nm) n ：纳米117.nanosecond (ns) n ：纳秒118.nitride etch n ：氮化物刻蚀119.nitrogen (N2 ) n：氮气，一种双原子气体120.n-type adj ：n型121.ohms per square n：欧姆每平方: 方块电阻122.o rientation n：晶向，一组晶列所指的方向123.o verlap n ：交迭区124.o xidation n ：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应125.p hosphorus (P) n ：磷，一种有毒的非金属元素126.p hotomask n ：光刻版，用于光刻的版127.p hotomask, negative n：反刻128.i mages：去掉图形区域的版129.p hotomask, positive n：正刻130.p ilot n ：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子131.plasma n ：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体132.p lasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) n：等离子体化学气相淀积，低温条件下的等离子淀积工艺133.p lasma-enhanced TEOS oxide deposition n：TEOS淀积，淀积TEOS的一种工艺134.p n junction n：pn结135.p ocked bead n：麻点，在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠136.p olarization n：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语137.p olycide n：多晶硅/金属硅化物，解决高阻的复合栅结构138.p olycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高浓度掺杂（>5E19）的硅，能导电。