微电子实验报告一
毕业微电子实习报告
一、实习目的与意义随着科技的飞速发展，微电子技术已成为现代社会的重要支撑。
为了更好地将理论知识与实际应用相结合，提高自身的实践能力，我选择了微电子技术作为毕业实习的专业方向。
本次实习旨在通过实际操作，深入了解微电子技术的原理、应用及发展趋势，培养自身的动手能力和创新能力，为将来的职业发展打下坚实基础。
二、实习单位及环境本次实习单位为我国一家知名微电子企业——XX科技有限公司。
公司位于我国某高新技术产业园区，占地面积广阔，环境优美。
公司主要从事微电子器件的研发、生产和销售，产品广泛应用于通信、消费电子、汽车电子等领域。
实习期间，我所在的部门为研发部，主要负责新型微电子器件的研发工作。
部门内设有多个实验室，包括集成电路设计实验室、封装测试实验室等，设备先进，技术力量雄厚。
三、实习内容与过程1. 集成电路设计实习初期，我在导师的指导下，学习了集成电路设计的基本原理和流程。
通过查阅相关资料，了解了模拟电路、数字电路、混合信号电路等设计方法。
在导师的指导下，我参与了某款新型微电子器件的设计工作，从电路设计、仿真验证到版图设计，亲身体验了整个设计过程。
2. 封装与测试在完成集成电路设计后，我学习了封装与测试的相关知识。
了解了不同封装形式的特点、工艺流程及测试方法。
在导师的带领下，我参与了器件的封装与测试工作，学习了如何使用测试仪器对器件进行性能测试。
3. 项目实践实习期间，我还参与了多个项目实践。
其中包括某款无线通信模块的研发、某款汽车电子产品的升级等。
在项目实践中，我学会了如何将理论知识应用于实际，解决了项目过程中遇到的问题，提高了自己的实际操作能力。
4. 学术交流与培训实习期间，公司定期组织学术交流活动，邀请行业专家进行讲座。
我积极参加这些活动，拓宽了视野，了解了微电子领域的最新发展趋势。
此外，公司还为我提供了相关的培训课程，如EDA工具使用、半导体材料等，使我受益匪浅。
四、实习收获与体会1. 提高了实践能力通过本次实习，我掌握了微电子技术的实际操作技能，学会了如何将理论知识应用于实际，提高了自己的动手能力。
微电子工艺实验标准实验报告1
电子科技大学微电子与固体电子学院
标准实验报告（实验）课程名称：微电子工艺实验
电子科技大学教务处制表
电子科技大学
实验报告
学生姓名：学号：班级
指导教师：王姝娅、钟志亲、戴丽萍、王刚
实验地点：微固搂2搂IC实验室、IC测量室、3搂机房实验时间：
一、实验室名称功率半导体器件实验室、集成电路测量分析实验室、微固体学院机房
二、实验项目名称：
三、实验学时：32
四、实验原理：
五、实验目的：
1 熟悉半导体工艺的一般步骤。
2 掌握半导体工艺各个步骤的要求。
会计算方块电阻。
3 牢记温度控制、溶液配比要求。
六、实验内容：
1熟悉实验步骤和参数要求。
2 跟据实验原理和实验步骤进行实验操作。
七、实验器材（设备、元器件）：
八、实验步骤：
九、总结及心得体会：
十、实验建议
十一、思考题：
1 怎样计算结深？
2 一扩散炉斜坡式升温（从600℃开始）15分钟，在1100℃下保温30分钟，然后在15分钟内斜坡式降温到600℃。
计算有效扩散时间。
假定是硅中的磷。
3 试说明提高光刻精度的方法？
4（100）硅片上有若干掺磷的小岛，其表面掺磷浓度为6×cm3
22
10 。
硅片在900℃下在湿氧中氧化60分钟，分别计算在掺杂区和未掺杂区的氧化层厚度。
5 试说明方块电阻与掺杂剂量或注入剂量之间的关系，并由此进一步说明方块电阻的定义。
报告评分：
指导教师签字：。
微电子参考实验报告1-9
实验1 硅片氧化层性能测试预习报告实验调研1：新型氧化工艺调研实验报告●氧化层性能测试1质量要求: 二氧化硅薄膜质量好坏，对器件的成品率和性能影响很大。
因此要求薄膜表面无斑点、裂纹、白雾、发花和针孔等缺陷。
厚度达到规定指标并保持均匀，结构致密。
对薄膜中可动带电离子，特别是钠离子的含量要有明确的要求。
2检验方法●厚度的检查测量二氧化硅薄膜厚度的方法很多。
如精度不高的比色法，腐蚀法，京都要求稍高的双光干涉法，电容电压法，还有精度高达10埃的椭圆偏振光法等。
1）比色法利用不同厚度氧化膜，在白色垂直照射下会呈现出不同颜色的干涉色彩这一现象，用金相显微镜观察并对照标准的比色样品，直接从颜色的比较来得出氧化层的厚度。
其相应的关系如下表所示：2）双光干涉法[测试仪器与装置][实验原理]干涉显微镜可用来检测经过精加工后工件的表面粗糙度，也可用来检测薄膜厚度。
精加工后，工件表面的微观不平度很小，实际上工件表面存在许多极细的“沟槽”。
检测时，首先通过显微系统将“沟槽”放大，然后利用干涉原理再将微观不平度显示出来。
常用的干涉显微镜是以迈克耳逊干涉仪为原型的双物镜干涉显微镜系统。
它的典型光路如上图所示。
光源1(白织灯)由聚光镜2成象在孔径光阑16上，插入滤光片3可以获得单色光。
视场光阑17位于准直物镜4的前焦面上。
由物镜4射出的平行光束在分光板5处分为两部分：一束向上反射，经显微镜7会聚在被测工件表面M 2上，M 2与显微镜7的焦面重合。
由M 2返回的光束依次通过显微物镜7、分光板5后被辅助物镜9会聚在测微目镜12的分划板111—白织灯 2—聚光镜 3—滤光片 4—准直物镜 5—分光板 6—补偿板7、8—显微物镜 M 2—被测工件 M 1—参考反射镜 9—辅助物镜 10、14—反射镜 11—分划板 12—测微目镜 13—摄影物镜 15—照相底版或观察屏 16—孔径光阑 17—视场光阑处，分划板11与物镜9的焦平面重合。
微电子技术实习报告
一、实习前言随着科技的飞速发展，微电子技术作为现代电子技术的核心，已成为推动社会进步的重要力量。
为了深入了解微电子技术的实际应用，提升自身的实践能力，我于2023年暑假期间，在XXX科技有限公司进行了为期一个月的微电子技术实习。
二、实习目的1. 熟悉微电子技术的基本原理和工艺流程。
2. 掌握微电子器件的设计、制造与测试方法。
3. 增强团队合作和沟通能力，提升自身的职业素养。
三、实习内容1. 微电子器件设计与仿真在实习期间，我参与了公司某款新型微电子器件的设计与仿真工作。
在导师的指导下，我学习了电路设计软件，如Cadence、LTspice等，并完成了器件原理图的设计、仿真与优化。
通过实际操作，我掌握了微电子器件的设计方法，为后续的制造与测试奠定了基础。
2. 微电子器件制造在实习过程中，我有幸参观了公司的微电子器件制造车间。
在导师的带领下，我了解了芯片制造的各个工序，包括晶圆制备、光刻、蚀刻、离子注入、扩散、镀膜、切割等。
此外，我还学习了设备操作和维护方法，对微电子器件的制造过程有了更为深刻的认识。
3. 微电子器件测试在实习后期，我参与了微电子器件的测试工作。
在导师的指导下，我学习了测试仪器的使用方法，如示波器、万用表、频谱分析仪等。
通过实际测试，我掌握了器件性能的评估方法，并参与了测试结果的整理与分析。
四、实习收获1. 理论知识与实践相结合通过实习，我将所学的微电子理论知识与实际应用相结合，提高了自身的综合素质。
2. 提升了动手能力在实习过程中，我掌握了微电子器件的设计、制造与测试方法，提升了自身的动手能力。
3. 培养了团队合作精神在实习期间，我与团队成员密切合作，共同完成了各项任务，培养了团队合作精神。
4. 明确了职业规划通过实习，我对微电子行业有了更为全面的认识，明确了自身的职业规划。
五、总结本次微电子技术实习使我受益匪浅。
在今后的学习和工作中，我将继续努力，不断提升自身能力，为我国微电子产业的发展贡献自己的力量。
微电子技术实验报告
微电子技术实验报告一、实验目的本实验旨在通过实际操作，加深对微电子技术的理解，掌握基本的电路设计和实验技能，提高学生的实践能力和动手能力。
二、实验原理微电子技术是一门研究电子器件、电路和系统中微观器件的制造工艺、物理特性、器件特性及其应用技术的学科。
本实验涉及到微电子技术中的基本器件，如二极管、场效应管等。
三、实验内容1. 利用示波器和信号源等工具，对二极管的正向和反向特性曲线进行测量。
2. 利用基本电路元件，如电阻、电容、电感等，设计并搭建一个简单的电路。
3. 使用场效应管并对其进行测试，掌握其工作原理和特性。
四、实验步骤1. 准备工作：连接示波器和信号源。
2. 测量二极管的正向特性曲线：在示波器上设置适当的参数，连接二极管并记录电压-电流特性曲线。
3. 测量二极管的反向特性曲线：更改示波器参数，连接二极管并记录反向漏电流。
4. 搭建简单电路：根据设计要求，选取合适的元件，进行电路搭建。
5. 测试场效应管：通过实验测试场效应管的工作状态，并记录相关数据。
五、实验数据及图表1. 二极管正向特性曲线图（插入图表）2. 二极管反向特性曲线图（插入图表）3. 搭建的简单电路图（插入图表）4. 场效应管测试数据（数据表）六、实验分析通过本次实验，我深刻理解了二极管的正反向特性曲线，掌握了电路设计和搭建的基本技能，并对场效应管有了更深入的了解。
实验过程中，通过数据的分析和曲线的对比，我得出了一些结论，并发现了一些问题需要进一步探讨和解决。
七、实验结论本实验通过对微电子技术中的基本器件进行实际操作，增强了我对电子器件特性的认识，提高了我的实验技能。
通过本次实验，我不仅学到了理论知识，还掌握了实践技能，为将来的学习和工作打下了坚实的基础。
八、参考文献1. 《微电子技术基础》2. 《电子技术实验指导》（以上为实验报告内容，供参考。
）。
微电子实习报告
微电子实习报告第一篇：微电子实习报告课程名称认识实习课程编号A200001A实习地点光电学院1101微电子工艺实验室实习时间2020年11月14日校外指导教师校内指导教师王智鹏、周围评阅人签字王智鹏成绩实习内容微电子工艺认识实习一、实习目的和意义学习光刻机原理，硅片的制作和加工，简单MOS器件的制备二、实习单位和岗位重庆邮电大学三、实习内容和过程实验内容：在2020年11月14日的下午我们班聚集在实验室门口等待，在老师的带领下我们进入实验室并且按规矩穿好实验服。
在将近半小时的参观下我们了解到半导体的制作原理。
半导体制作原理：图1.1半导体构造组成制造流程半导体工业所使用之材料包含单一组成的半导体元素，如硅(Si)、锗(Ge)(属化学周期表上第四族元素)及多成分组成的半导体含二至三种元素，如镓砷(GaAs)半导体是由第三族的镓与第五族的砷所组成。
在1950年代早期，锗为主要半导体材料，但锗制品在不甚高温情况下，有高漏失电流现象。
因此，1960年代起硅晶制品取代锗成为半导体制造主要材料。
半导体产业结构可区分为材料加工制造、晶圆之集成电路制造(wafer fabrication)(中游)及晶圆切割、构装(wafer package)等三大类完整制造流程，如图1.2所示。
其中材料加工制造，是指从硅晶石原料提炼硅多晶体(polycrystalline silicon)直到晶圆(wafer)产出，此为半导体之上游工业。
此类硅芯片再经过研磨加工及多次磊晶炉(Epitaxial reactor)则可制成研磨晶圆成长成为磊晶晶圆，其用途更为特殊，且附加价值极高。
其次晶圆之体积电路制造，则由上述各种规格晶圆，经由电路设计、光罩设计、蚀刻、扩散等制程，生产各种用途之晶圆，此为中游工业。
而晶圆切割、构装业系将制造完成的晶圆，切割成片状的晶粒(dice)，再经焊接、电镀、包装及测试后即为半导体成品。
图1.2 半导体产业结构上、中、下游完整制造流程制程单元集成电路的制造过程主要以晶圆为基本材料，经过表面氧化膜的形成和感光剂的涂布后，结合光罩进行曝光、显像，使晶圆上形成各类型的电路，再经蚀刻、光阻液的去除及不纯物的添加后，进行金属蒸发，使各元件的线路及电极得以形成，最后进行晶圆探针检测;然后切割成芯片，再经粘着、连线及包装等组配工程而成电子产品。
微电子期末实验报告
微电子期末实验报告实验目的本次实验的目的是通过设计和制作一片微电子芯片，学习和理解微电子器件的工作原理和制造过程，加深对微电子技术的认识和应用。
实验器材与原材料本实验涉及的器材和原材料如下：1. 纯净的硅晶圆2. 光刻机和曝光药水3. 溅射沉积设备4. 热氧化炉5. 电子束曝光设备6. 快速退火设备7. 电子显微镜8. 电阻计和电压源实验步骤及结果1. 硅晶圆的制作：首先，我们取出一块纯净的硅晶圆，将其放入热氧化炉中进行氧化处理，形成一层氧化硅薄膜。
然后，使用电子束曝光设备制作图案掩膜，在光刻机上对硅晶圆进行曝光，形成所需的图案。
最后，使用溅射沉积设备，在硅晶圆上沉积金属薄膜，形成导线和电极。
2. 芯片的制作：通过以上步骤，我们成功地制作了一片微电子芯片。
接下来，我们使用快速退火设备对芯片进行处理，使金属导线与硅基底良好地结合在一起。
然后，使用电阻计和电压源对芯片进行测试，确保芯片的电特性符合设计要求。
3. 电子显微镜的观察：为了进一步研究芯片的结构和性能，我们使用电子显微镜对芯片进行观察。
通过电子显微镜的放大和成像功能，我们可以清晰地看到芯片的微观结构和导线的连接情况。
实验结果分析通过实验步骤中的制作和测试过程，我们得到了一片功能正常的微电子芯片。
我们通过电阻计和电压源测量了芯片的电阻和电压特性，并与设计要求进行了比较。
实验结果表明，芯片的电特性符合预期，并且各个部件之间的连接良好，没有出现导线断裂或短路等问题。
通过电子显微镜的观察，我们进一步研究了芯片的微观结构。
观察结果显示，芯片表面的导线和电极均呈现出光滑的表面，金属导线与硅基底之间有良好的结合。
这表明我们在制作过程中注意了各个步骤的控制和操作，确保了芯片的质量和稳定性。
实验总结与心得体会通过本次实验，我们学习和理解了微电子器件的制造过程和性能测试方法。
我们通过制作一片微电子芯片，加深了对微电子技术的认识和了解。
实验过程中，我们学会了使用各种微电子器材和原材料，掌握了光刻、溅射和退火等工艺步骤，并学会了使用电阻计和电压源等测试仪器。
微电子认识实习报告
微电子认识实习报告微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术。
下面请看小编带来的微电子认识实习报告！微电子认识实习报告【1】实习报告专业：微电子学年级：XX级姓名：xx学号：xxxxxxxxxxxxx微电子学是研究在固体材料上构成的微小型化电路、电路及系统的电子学分支。
微电子专业主要研究电子或粒子在固体材料中的运动规律及其应用，并利用它来实现一定的信号处理功能。
微电子是一门综合性很强的边缘学科，包括半导体器件物理、集成电路工艺、集成电路及系统的设计、测试等多方面的内容；涉及电磁学、量子力学、热力学与统计物理学、固体物理学、材料科学、电子线路、信号处理、计算机辅助设计、测试和加工、化学等诸多领域。
自摩尔定律提出以来，微电子领域一直如神话般按其所预言的规律不断发展。
微电子行业的进步使计算机的计算能力成倍增加，硬件成本大幅度降低，极大地推动了信息产业和工业的发展，是现代信息业和工业的基础。
微电子专业主要培养掌握集成电路、微电子系统设计、制造工艺及设计软件系统，能在微电子及相关领域从事科研、教学、工程技术及技术管理等工作的高级专门人才。
德才兼备的大学生不仅需要广泛的通识教育、扎实的专业理论功底，更需要理论与实践相结合的正规化训练。
学校和学生个人都有义务和责任将大学生培养成为既有理论知识、又有实际动手能力的综合型人才。
实习是绝大多数大学生必须参与的一项实践教学环节，通过或长或短的实习，学生可以更深入地了解本行业各岗位的工作性质，及该领域的发展状况和发展方向，以便能结合自己的能力特点和兴趣爱好，尽早寻找到适合各人的工作定位，为自己制定更长远、更细致的职业规划。
另外，学生在实践过程中也更易于懂得如何将理论知识与具体实际相结合，做到学以致用，不断提升自己的创造能力。
在大学生活接近尾声的时候，我们也迎来了本专业的毕业实习，实习地点为北京，共历时三日。
在学院教师与辅导员的带领下，我们班同学于5月25日下午抵达北京。
微电子实验报告
泸州职业技术学院实验报告学生姓名周民斌班级名称2011级微电1班专业微电子技术课程名称集成电路设计指导教师吕老师实验时间2013年 06 月 20 日 17 周星期实验名称：实验一，氧化工艺实验，实验二，光刻工艺实验，实验三，硼扩散工艺实验，实验四，磷扩散工艺实验。
实验目的，实验原理，实验步骤实验一氧化工艺实验一、实验目的1.学习硅片清洗2.氧化工艺操作二、实验原理1.硅片清洗硅片清洗液是指能够除去硅片表面沾污物的化学试剂或几种化学试剂配制的混合液。
常用硅片清洗液有：名称配方使用条件作用备注I号洗液NH4OH：H2O2：H2O=1：1：5~1：2：7 80±5℃10min去油脂去光刻胶残膜去金属离子去金属原子II号洗液HCL：H2O2：H2O=1：1：6~1：2：8 80±5℃10min去金属离子去金属原子III号洗液H2SO4：H2O=3：1 120±10℃10~15min去油去腊去金属离子去金属原子2.氧化原理二氧化硅能够紧紧地依附在硅衬底表面，具有极稳定的化学性和电绝缘性，因此，二氧化硅可以用来作为器件的保护层和钝化层，以及电性能的隔离、绝缘材料和电容器的介质膜。
二氧化硅的另一个重要性质，对某些杂质（如硼、磷、砷等）起到掩蔽作用。
从而可以实行选择扩散；正是利用这一性质，并结合光刻和扩散工艺，才发展起来平面工艺和超大规模集成电路。
制备二氧化硅的方法很多，但热氧化制备的二氧化硅掩蔽能力最强。
是集成电路工艺最重要的工艺之一，本实验为热氧化二氧化硅制备工艺。
根据迪尔就格罗夫模型，热氧化过程须经历如下过程：1.氧化剂从其他内部以扩散形式穿过滞留层运动到SiO2-气体界面，其流密度用F1表示。
流密度定义为单位时间通过单位面积的粒子数。
2.氧化剂以扩散方式穿过SiO2层（忽略漂移的影响），到达SiO2-Si界面，其流密度用F2表示。
3. 氧化剂在Si表面与Si反应声称SiO2，流密度用F3表示。
微电子技术实习报告
实习报告一、实习背景和目的作为一名微电子工程专业的学生，为了加深对微电子技术的理解和实践能力，我参加了为期三个月的微电子技术实习。
实习的目的主要是通过实际操作和项目实践，掌握微电子器件的基本原理、制造工艺和测试技术，培养实际动手能力和创新能力。
二、实习内容和过程实习期间，我主要参与了以下几个方面的内容和过程：1. 微电子器件的基本原理学习：通过阅读教材和参加讲座，我深入了解了MOSFET、BJT等常见微电子器件的工作原理和特性，学习了器件的结构设计和参数优化方法。
2. 制造工艺的学习和实践：在实验室中，我参观了微电子器件的制造工艺流程，包括晶圆制造、光刻、蚀刻、离子注入等步骤。
通过实际操作，我掌握了工艺参数的调整和控制方法，了解了工艺流程中的关键技术和挑战。
3. 测试技术的实践：在实验室中，我使用了多种测试设备对微电子器件进行了电学特性测试，包括I-V特性测试、C-V特性测试等。
通过测试数据的分析和处理，我了解了器件的性能指标和可靠性评估方法。
4. 实际项目的参与：在实习期间，我参与了一个微电子器件的性能改进项目。
通过团队合作，我负责了器件的结构设计和参数优化工作。
通过项目实践，我学会了与团队成员有效沟通和协作，提高了自己的解决问题和团队合作能力。
三、实习收获和体会通过这次实习，我收获了很多，具体如下：1. 理论知识与实践能力的结合：实习过程中，我将所学的微电子器件理论知识和实际制造工艺相结合，提高了自己的实践能力。
2. 创新思维的培养：在实际项目中，我通过不断尝试和优化，培养了自己的创新思维和解决问题的能力。
3. 团队合作和沟通能力的提升：在项目实践中，我与团队成员密切合作，学会了有效沟通和协作，提高了自己的团队合作能力。
4. 对微电子技术的深入理解：通过实习，我对微电子技术有了更深入的理解，明确了自己未来学习和研究方向。
总之，这次微电子技术实习是一次非常有意义的经历。
通过实习，我不仅提高了自己的实践能力和团队合作能力，还对微电子技术有了更深入的理解和认识。
微电子器件基础实验
微电子器件基础实验报告指导老师：曾荣周姓名：郭衡班级：电科1704学号：17419002064湖南工业大学交通工程学院2019 年9 月实验一 Silvaco TCAD 软件的基本使用方法和PN 结的工作原理及特性仿真与分析一、实验目的与任务1．实验目的：（1）学会安装Silvaco TCAD 软件（2）学会Silvaco TCAD 软件的基本使用方法（3）通过对PN 结的特性仿真与分析，理解PN 结的工作原理2．实验任务：完成PN 结二极管的IV 特性和击穿特性仿真二、实验基本理1． Silvaco TACD 软件ATLAS 器件仿真器使用2．二极管工作原理：晶体二极管为一个由p 型半导体和n 型半导体形成的p-n 结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。
当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。
当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。
当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。
p-n结的反向击穿有齐纳击穿、雪崩击穿和热击穿之分。
3．均匀掺杂PN结二极管atlas代码：4．高斯掺杂PN结二极管atlas代码：三、实验仪器设备与工具软件1．PC 机（能运行Win7 或更高版本的系统）。
2． SILIV ACO-TCAD 软件。
四、实验内容1．二极管IV 特性仿真（1）用atlas 生成一个PN 结构二极管；（2）通过改变掺杂浓度和掺杂方式，观察耗尽区及其宽度；（3）对阳极正向偏压，仿真IV 曲线。
2．二极管击穿仿真（1）用atlas 生成一维二极管结构；（2）为击穿仿真设置模型；（3）曲线追踪参数设置；（4）自动反向电压曲线追踪仿真。
微电子技术实验报告
微电子技术实验报告实验名称：MOS管的静态特性测量实验目的：1.了解MOS管的结构和工作原理；2.掌握MOS管的静态特性测量方法；3.熟悉MOS管静态特性参数的测量技术。
实验仪器和器件：1.函数发生器；2.示波器；3.DC稳压电源；4.万用表；5.n沟道MOS管一个。
实验原理：MOS（金属-氧化物-半导体）管是一种在集成电路中广泛应用的器件。
它由金属栅极、氧化层和半导体衬底组成。
MOS管分为n沟道和p沟道两种，本实验使用的是n沟道MOS管。
实验步骤：1.连接实验电路图，将函数发生器的正负极分别接到D极和S极，将示波器的探头接到D极和地。
2.打开仪器电源，设定适当的电压和频率。
3.通过变化函数发生器的输入电压，观察示波器上的输出波形。
4.记录输入电压和输出电压的数值，计算电流的数值。
5.重复步骤3和步骤4，分别改变输入电压和DC稳压电源的电压，测量不同情况下的电流。
实验数据处理：曲线图可以直观地反映MOS管的静态特性。
根据曲线图可以得出以下结论：1.当输入电压增大时，输出电压也随之增大，电流也随之增大；2.当输入电压过大时，MOS管会发生饱和，输出电压几乎不再增大；3.当输入电压为负时，MOS管处于关断状态，输出电流接近于0。
实验结论：本实验通过测量MOS管的静态特性，掌握了MOS管的基本工作原理和参数测量方法。
实验数据和曲线图反映出了MOS管的输入输出特性，并能根据曲线判断MOS管的工作状态。
此外，实验还加深了对MOS管的理论知识的理解，在实践中提高了实际操作能力。
附图：。
微电子专业实验报告
专业实验报告1.使用S-Edit 设计基本组件符号本实验主要以CMOS 的电路类型来学习Tanner Pro 软件的使用。
CMOS 电路的基本组件为NMOS，PMOS 等。
在S-Edit 中可建立如PMOS、NMOS、电阻、电容等组件符号，并可设置组件的各种性质，如NMOS 组件的信道宽度、信道长度等。
在本章中将以详细的步骤引导读者建立NMOS 组件及Vdd组件，并学习S-Edit 的基本功能。
主要的操作流程为: 建立新文件---环境设置---切换模式---绘制NMOS 符号---加入组件接脚---建立组件特性---更改模块名称---新增Vdd模块---切换模式---绘制Vdd符号---加入全域接脚。
2．使用S-Edit 设计简单逻辑电路在本实例中利用s-Edit将PMOS 与NMOS 组合成简单的逻辑电路，包括反相器(NOT)与与非门(NAND)，并以详细的步骤来引导读者学习s-Edit 的基本功能。
操作流程:进入S-Edit---建立新文件---环境设置---引用模块---建立反相器电路与符号---新增模块---建立与非门电路与符号。
编辑反相器电路会利用到NMOS, PMOS, Vdd与Gnd这4 个模块，所以要从组件库中复制NMOS, PMOS, Vdd与Gnd这4 个模块到Exl文件，并在Module0 中编辑画面引用。
其方法为:选择Module---Symbol Browser 命令，打开Symbol Browser 对话框，在Library 列表框中选取spice 组件库，其内含模块出现在Modules 列表框中，在Modules 列表框中选取MOSFET_N 选项(NMOS)，单击Place 按钮及Close按钮，则在Module0编辑窗口内将出现MOSFET_N 的符号。
以同样操作选出MOSFET_P 选项(PMOS)后单击Place 按钮，先不要单击Close 按钮，再选出Vdd与Gnd符号并在每次选择后分别单击Place 按钮，最后单击Close 按钮则出现如图3.6 所示的界面。
微电子技术实验报告
微电子技术实验报告班级：学号：姓名：指导老师：完成日期：实验一 用晶体管特性图示仪测试晶体管主要参数1．实验目的掌握晶体管特性图示仪测试晶体管的特性和参数的方法。
2．实验原理2．1 双极型晶体（以3DG6NPN 管为例）输入特性和输出特性的测试原理（1）输入特性曲线和输入电阻i R ，在共射晶体管电路中，输出交流短路时，输入电压和输入电流之比为i R ，即＝常数CE V BBE i I V R ∂∂=它是共射晶体管输入特性曲线斜率的倒数。
例如需测3DG 4在V CE ＝10时某一作点Q 的R 值，晶体管接法如图1.1所示。
各旋扭位置为峰值电压% 80% 峰值电压范围 0～10V 功耗电阻 250ΩX 轴作用 基极电压0.05V/度 Y 轴作用阶梯选择 μ20A/极级/簇 10 串联电阻 10K 集电极极性正（+）把X 轴集电极电压置于1V/度，调峰值电压为10V ，然后X 轴作用扳回基极电压0.1V/度，即得CE V ＝10V 时的输入特性曲线。
这样可测得图1.2：VCE V BBE i I V R 10=∆∆=根据测得的值计算出i R 的值图1.1 图1.2（2）输出特性曲线、转移特性曲线和β、FE h在共射电路中，输出交流短路时，输出电流和输入电流增量之比为共射晶体管交流电流放大系数β。
在共射电路中，输出端短路时，输出电流和输入电流之比为共射晶体管直流放大系数FE h 。
晶体管接法如图1.1所示。
旋钮位置如下：峰值电压范围 10V 峰值电压% 80% 功耗电阻 50ΩX 轴 集电极电压1V/度 Y 轴 集电极电流2mA/度阶梯选择 μ20A/极集电极极性正（+）得到图1.3所示共射晶体管输出特性曲线，由输出特性曲线上读出CE V =10V 时，第2、4、6三根曲线对应的C I 、B I 计算出交流放大系数β>FE h 主要是因为基区表面复合等原因导致小电流β较小造成的，β、FE h 也可用共射晶体管的转移特性（图1.4）进行测量只要将上述的X 轴作用开关拨到“基极电流或基极源电压”即得到共射晶体管的转移特性。
微电子技术实习报告加自我鉴定
微电子技术实习报告及自我鉴定一、实习报告在过去的三个月里，我有幸参加了微电子技术实习项目。
这次实习让我对微电子技术有了更深入的了解，并积累了宝贵的实践经验。
以下是我在实习期间的主要工作和学习内容。
1. 实习单位简介实习单位是某知名微电子企业，专注于研发和生产集成电路芯片。
公司拥有一流的研发团队和先进的生产设备，为员工提供了良好的学习和成长环境。
2. 实习内容（1）生产线实习在生产线实习期间，我了解了集成电路芯片的生产流程，包括晶圆制造、芯片设计、版图绘制、光刻、蚀刻、离子注入、金属化、封装和测试等环节。
通过实地观察和操作，我深刻掌握了各个环节的基本原理和操作技巧。
（2）研发部门实习在研发部门实习期间，我参与了集成电路芯片的设计和仿真工作。
通过使用EDA（电子设计自动化）工具，我学会了绘制电路原理图、编写Verilog/VHDL代码、进行仿真测试和功能验证。
此外，我还学会了与团队成员协作，共同完成项目任务。
（3）测试实验室实习在测试实验室实习期间，我学习了集成电路芯片的测试方法和设备操作。
通过使用ATE（自动测试设备）进行芯片测试，我掌握了测试方案的设计、测试程序的编写和测试结果的分析。
这使我能够更好地了解芯片的性能和质量。
3. 实习成果通过实习，我取得了以下成果：（1）掌握了微电子技术的基本原理和生产流程；（2）学会了使用EDA工具进行集成电路芯片设计和仿真；（3）具备了集成电路芯片测试和分析的能力；（4）提高了团队合作和沟通能力。
二、自我鉴定1. 学习态度在实习期间，我始终保持积极的学习态度，认真聆听导师的讲解，主动请教同事，积极参加培训和研讨活动。
我注重理论与实践相结合，不断丰富自己的专业知识。
2. 团队合作我意识到团队合作在实习过程中的重要性，始终保持团结协作的精神。
在与同事共同完成项目任务的过程中，我学会了倾听、沟通、协调和分工合作，为团队的整体发展做出了贡献。
3. 解决问题能力在实习过程中，我遇到了许多问题和挑战。
pspice微电子实验报告
智能1202 苏思韵201208070216微电子实验报告实验一运算放大电路—求差电路一、实验内容1.电压跟随器仿真电路如图a所示。
绘出其输出、输入波形图。
2.V3FREQ = 50HzVAMPL = 10VOFF = 0R110kR21kV112VV+V2-12VV-U1uA741+3-2V+7V-4OUT6OS11OS25图a 电压跟随电路输出波形输入波形2. 求差电路如图所示。
运放选用741，电源电压V+=+15V ，V-=-15V ，R1=R2=10K Ω，R3=R4=100K Ω。
（1）当V1=0，V2=－0.5sin(2π×100t)(V)时，绘出V2和输出电压的波形。
（2）当V1=0.5sin(2π×100t)(V)，V2=0时，绘出V1和输出电压的波形。
V2FREQ = 100Hz VAMPL = -0.5V VOFF = 0R110k0V315VV+V4-15V V-U1uA741+3-2V+7V-4OUT 6OS11OS25V1FREQ = 100Hz VAMPL = 0.5V VOFF = 0R310k100kR5100k图b 求差电路V_V5V(U1:OUT)-20V0V20V(1.4972,-14.788)(-1.5138,14.812)图c 电路的传输特性曲线（1） v2波形输出波形（2）v1波形输出波形实验二 基本共射极放大电路一、实验内容1. 下图为基本共射极放大电路的仿真电路图。
试计算静态工作点的各参数并与手算结果进行比较。
Q1Q2N2222R120kR22kV11VdcV29VdcV3AC =TRAN = sin(0v ,10mv ,1khz,0s,0,0)DC =分析：VBE=0.7V,IB=(1-0.7)/20k=15uA,实验中的电流放大系数是167（我的软件改不了放大系数）IC=167*IB=2.505mA，VCE=9-2k*2.505*10^-3=3.99V2.基于以上电路图，请分别绘出v s，v BE，i B，i C，v CE，v ce的波形图vs的波形图：vBE的波形图：ib的波形图：ic的波形图：vCE的波形图：vce的波形图：实验三 三极管输入输出特性一、实验内容1. 仿真共射极连接时的输入、输出特性曲线(三极管Q2N2222) 注意点：1> 电路图中的参数用花括号括起，如下图中的{VCE}等2> 图中的PARAMETERS: place →part →add library 后，添加special.olb 3> 双击PARAMETERS: 出现property editor ，选择New column, name 中写入相应的参数名，例如下图中的VCE ，初始值VCE=0V ，IB=10uA ， IE=1mA4> 仿真过程，需要先进行DC Sweep 设定，然后options 中选择parametric sweep, 在sweep varaible 栏中选择GLOBAL PARAMETER ，在parameter name 中将相应的参数名写入。
电子科技大学 微电子器件实验报告MICRO-1
电子科技大学实验报告（实验）课程名称微电子器件实验一：双极晶体管直流特征的测量学生姓名：学号：************指导教师：***实验地点：211楼605实验时间：2015、6、一、实验室名称： 微电子器件实验室二、实验项目名称：双极晶体管直流特征的测量三、实验学时：3四、实验原理：1．XJ4810半导体管特性图示仪的基本原理方框图XJ4810图示仪的基本原理方框图如图1-3所示。
其各部分的作用如下。
（1）基极阶梯信号发生器提供必须的基极注入电流。
（2）集电极扫描电压发生器提供从零开始、可变的集电极电源电压。
（3）同步脉冲发生器用来使基极阶梯信号和集电极扫描电压保持同步，以便正确而稳定地显示特性曲线（当集电极扫描电压直接由市电全波整流取得时，同步脉冲发生器可由50Hz 市电代替）。
（4）测试转换开关是用于测试不同接法和不同类型晶体管的特性曲线和参数的转换开关。
（5）放大和显示电路用于显示被测管的特性曲线。
（6）电源（图中未画出）为各部分电路提供电源电压。
2．读测方法（以3DG6 npn 管为例）（1）输入特性曲线和输入电阻R i在共射晶体管电路中，输出交流短路时，输入电压和输入电流之比为R i ，即常数=∂∂=CE V B BEi I V R 它是共射晶体管输入特性曲线斜率的倒数。
例如需测3DG6在V CE = 10V 时某一工作点Q 的R i 值，晶体管接法如图1- 4所示。
各旋钮位置为：峰值电压范围 0~10V极性（集电极扫描） 正（+）极性（阶梯） 正（+）功耗限制电阻 0.1~1k Ω（适当选择）x 轴作用 电压0 .1V/度 y 轴作用阶梯作用 重复阶梯选择 0.1mA/级测试时，在未插入样管时先将x 轴集电极电压置于1V/度，调峰值电压为10V ，然后插入样管，将x 轴作用扳到电压0.1V/度，即得V CE =10V 时的输入特性曲线。
这样可测得图1-5；.200101.002.0310Ω=⨯=∆∆=-=V V B BE i CE I V R图1-4 晶体管接法 图1-5 晶体管的输入特性曲线（2）输出特性曲线、转移特性曲线和β、h FE 、α在共射电路中，输出交流短路时，输出电流和输入电流增量之比为共射晶体管交流电流放大系数β。
微电子认知实训报告
微电子认知实训报告第一篇：微电子认知实训报告实训报告一、培养应用型人才的目标培养德智体全面发展的人才，学生应具有强烈的事业心、高度的社会责任感、辨证唯物主义的世界观；必须保持心理健康、心态平和、乐观积极上进；保持真诚的虚心、执着的专心、不懈的恒心；成为有哲理、有品位、有高尚品格的人；培养适应社会需求的专业人才，应在通识教育的基础上，强化主干课，进行系列课程的改革，进行系统的实践训练，缩短适应工作的时间；在理论指导下进行实践，培养具有创新意识，创新思维能力，创新实践能力的有发展前途的应用型人才，适应科技形势的发展。
二、培养社会需求的人才信息产业的主要标志是微电子技术的发展和普遍应用。
微电子与计算机产业在世界所有制造业中发展最快、技术变化最大、附加值最高、应用面最广、影响最深远的工业。
微电子技术具有轻、薄、小、节能、价廉、可靠、多功能等特点，尤其各种机械器具实现智能化，且达到系统集成。
因此，培养懂电路系统又熟悉微电子技术的人才，必须具有扎实的基础理论知识、较强实践能力、理论联系实际的集成电路设计、制造和应用的人才。
三江学院培养的是应用型的本科毕业生，在教学计划的安排上，各门课程的教学大纲，实践性环节的训练都体现与培养目标和要求相一致。
在教学计划中，必须保证“电路与系统”方面的必修课程、专业课的主、骨干课程、实验及其课程设计、实验及IC课程设计，确保实践性环节不断线，有计划、有步骤地进行各种实践训练。
三、优化课程体系，以求全面发展培养学生既有理论又能实践，既有电路系统的知识，又熟悉集成电路设计制造与应用。
若理论与实践的关系处理不好，课程安排形成“拼盆”，增加学生负担，影响全面发展。
在优化课程体系上，制订出各门课程的教学大纲，注意相关课程之间相互衔接，关键内容不遗漏，达到“削枝强根”，突出重点，以求全面发展。
微电子技术专业，物理知识较为重要，在以往的教学计划中曾开设过：大学物理，热力学与统计物理，量子力学，固体物理和半导体物理等课程。
微电子光学实验实训报告
一、实验目的本次实验旨在让学生掌握微电子光学的基本原理和实验方法，熟悉光学显微镜、光学干涉仪等仪器的使用，培养学生在微电子光学领域进行实验和科学研究的能力。
二、实验原理微电子光学是研究光在微电子器件中的应用和光与电子相互作用的一门学科。
本实验主要包括以下几个方面：1. 光学显微镜的使用：了解光学显微镜的结构、工作原理，学习如何使用显微镜观察微电子器件。
2. 光学干涉仪的使用：了解光学干涉仪的原理，学习如何使用干涉仪测量光学薄膜的厚度。
3. 光学薄膜的制备与检测：学习光学薄膜的制备方法，如旋涂、蒸发等，并使用干涉仪检测薄膜的厚度。
4. 光学元件的加工与检测：了解光学元件的加工方法，如磨光、抛光等，并使用干涉仪检测光学元件的表面质量。
三、实验仪器与材料1. 实验仪器：光学显微镜、光学干涉仪、旋涂机、蒸发仪、磨光机、抛光机等。
2. 实验材料：光学薄膜材料、光学元件材料、光学显微镜样品、光学干涉仪样品等。
四、实验步骤1. 光学显微镜的使用：观察光学显微镜的结构，学习如何调节显微镜的焦距、放大倍数等，观察微电子器件样品。
2. 光学干涉仪的使用：了解光学干涉仪的原理，学习如何使用干涉仪测量光学薄膜的厚度，进行实验操作。
3. 光学薄膜的制备与检测：（1）旋涂：将光学薄膜材料溶解于溶剂中，滴加在样品上，旋转样品使薄膜均匀分布。
（2）蒸发：将光学薄膜材料蒸发在样品上，形成均匀的薄膜。
（3）检测：使用干涉仪测量薄膜的厚度。
4. 光学元件的加工与检测：（1）磨光：使用磨光机对光学元件进行磨光处理。
（2）抛光：使用抛光机对光学元件进行抛光处理。
（3）检测：使用干涉仪检测光学元件的表面质量。
五、实验结果与分析1. 光学显微镜的使用：通过显微镜观察到微电子器件的微观结构，了解器件的制造工艺。
2. 光学干涉仪的使用：使用干涉仪测量薄膜的厚度，结果与理论值基本吻合。
3. 光学薄膜的制备与检测：通过旋涂和蒸发方法制备的光学薄膜，厚度均匀，表面质量良好。
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实验一MOS管的基本特性
班级姓名学号指导老师袁文澹
一、实验目的
1、熟练掌握仿真工具Hspice相关语法；
2、熟练掌握MOS管基本特性；
3、掌握使用HSPICE对MOS电路进行SPICE仿真，以得到MOS电路的I-V曲线。
二、实验内容及要求
1、熟悉Hspice仿真工具；
2、使用Hspice仿真MOS的输出特性，当VGs从0~5V变化，Vds分别从1V、2V、3V、4V 和5V时的输出特性曲线；
三、实验原理
1、N沟道增强型MOS管电路图
a)当Vds=0时，Vgs=0的话不会有电流，即输出电流Id=0。
b)当Vgs是小于开启电压的一个确定值，不管Vds如何变化，输出电流Id都不会改变。
c)当Vgs是大于开启电压的一个确定值，在一定范围内增大Vds时,输出电流Id增大。
但当
出现预夹断之后，再增大Vds，输出电流Id不会再变化。
2、NMOS管的输出特性曲线
四、实验方法与步骤
实验方法：
计算机平台：（在戴尔计算机平台、Windows XP操作系统。
）
软件仿真平台：（在VMware和Hspice软件仿真平台上。
）
实验步骤：
1、编写源代码。
按照实验要求，在记事本上编写MOS管输出特性曲线的描述代码。
并以aaa.sp 文件扩展名存储文件。
2、打开Hspice软件平台，点击File中的aaa.sp一个文件。
3、编译与调试。
确定源代码文件为当前工程文件，点击Complier进行文件编译。
编译结果有错误或警告，则将要调试修改直至文件编译成功。
4、软件仿真运行及验证。
在编译成功后，点击simulate开始仿真运行。
点击Edit LL单步运行查看结果,无错误后点击Avanwaves按照程序所述对比仿真结果。
5、断点设置与仿真。
…
6、仿真平台各结果信息说明.
五、实验仿真结果及其分析
1、仿真过程
1）源代码
*Sample netlist for GSMC $对接下来的网表进行分析
.TEMP 25.0000 $温度仿真设定
.option abstol=1e-6 reltol=1e-6 post ingold $设定abstol,reltol的参数值
.lib 'gd018.l' TT $使用库文件
* --- Voltage Sources ---
vdd VDD 0 dc=1.8 $分析电压源
vgs g 0 0 $分析栅源电压
vds d 0 dc=5 $分析漏源电压
vbs b 0 dc=0 $分析衬源电压
* --- Inverter Subcircuit ---
Mnmos d g 0 b NCH W=30U L=6U $Nmos管的一些参数
* --- Transient Analysis ---
.dc vds 0 5 0.1 SWEEP vgs 1 5 1 $双参数直流扫描分析
$vds从0V~5V,仿真有效点间隔取0.1
$vgs取1V、2V、3V、4V、5V
.print dc v(d) i(Mnmos) $输出语句。
直流模式输出节点d的电平。
输出Mnmos的电流.end $结束语句。
2）编译或调试过程
编译与调试并未出错
2、仿真结果及分析
1)仿真结果
仿真结果如上图所示，从上到下依次为U gs为5V、4V、3V、2V、1V，
且图中4V与5V的线在中途出现相交现象
将U gs数值改成3V、2.5V、2V、1.5V、1V，仿真结果如下图所示：
2) 仿真结果分析
在第一张仿真实验图中出现两线相交的情况，经分析是由于头文件gd018.L里面定义了NCH，NCH只能承受3.3V的电压，而上面第一张图也确实是当Vgs超过3.3V时才出现的错误，所以将U gs取为1V、1.5V、2V、2.5V、3V ，输出特性曲线如第二张图片所示，没有出现相交的情况，可知输出特性曲线符合预期。
六、实验结论
实验结论
1） 可变电阻区：
图中的虚线为预夹断轨迹，当U gs 愈大时，预夹断的U ds 也愈大 2） 恒流区
当U ds > U gs -U GS （OFF ）时，各曲线近似为水平平行线，当U ds 增大时，I d 仅略有增大 3） 击穿区
当U ds 过大时，就会出现击穿现象，即上图右侧区域
七、实验心得
可变电阻区
恒 流 区
击 穿 区
预
夹断轨迹。