光电子微纳制造工艺平台2016年试卷(上半年)及导师确认说明-1

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光电子器件的纳米制造技术考核试卷

光电子器件的纳米制造技术考核试卷
6.透明导电膜常用的材料是_______。
7.光电子器件的波导结构可以实现_______作用。
8.在光电子器件中,_______结构可以实现光的全反射。
9.下列技术中,_______可以用来精确控制纳米制造中的材料厚度。
10.为了增加光电子器件的光吸收率,可以采取的方法是_______。
四、判断题(本题共10小题,每题1分,共10分,正确的请在答题括号中画√,错误的画×)
2.描述纳米制造技术在光电子器件中的应用,并讨论这些技术的主要优势与挑战。
3.解释光电子器件中波导结构的工作原理,并分析不同类型的波导结构对器件性能的影响。
4.讨论在光电子器件的纳米制造过程中,如何通过表面修饰技术改善器件的光电性能,并举例说明。
标准答案
一、单项选择题
1. C
2. B
3. B
4. C
4.在光电子器件中,以下哪种结构可以实现光的波导作用?()
A.电阻器
B.电容器
C.光纤
D.金属线
5.纳米制造中,下列哪种材料常用于制造光学膜层?()
A.硅(Si)
B.钛(Ti)
C.二氧化硅(SiO2)
D.铜Cu)
6.下列哪种技术被广泛应用于纳米光电子器件的表面修饰?()
A.化学气相沉积
B.磁控溅射
C.原子层沉积
(以下为试卷其他部分的起始格式,本题只要求完成上述内容)
二、填空题(本题共10小题,每小题2分,共20分)
三、简答题(本题共5小题,每小题10分,共50分)
四、计算题(本题共2小题,每小题25分,共50分)
五、论述题(本题共1题,共30分)
二、多选题(本题共20小题,每小题1.5分,共30分,在每小题给出的四个选项中,至少有一项是符合题目要求的)

光电子器件制造中的微细加工技术考核试卷

光电子器件制造中的微细加工技术考核试卷
A.硅
B.硅氧烷
C.钽
D.铌
18.微细加工技术中,以下哪种方法可以实现纳米级线宽的制备?()
A.光刻
B.电子束光刻
C.湿法腐蚀
D.干法腐蚀
19.以下哪种现象可能导致光电子器件性能下降?()
A.表面污染
B.光刻胶厚度增加
C.腐蚀速率过快
D.光吸收层厚度减小
20.光电子器件中,光开关的响应时间取决于:()
14. D
15. B
16. C
17. B
18. B
19. A
20. C
二、多选题
1. ABC
2. ABCD
3. BC
4. ABC
5. ABC
6. ABC
7. AB
8. ABC
9. ABC
10. ABCD
11. ABC
12. ABCD
13. ABC
14. ABC
15. ABC
16. ABC
17. ABC
A.超声波清洗
B.氢氟酸腐蚀
C.碱性清洗剂
D.高压水射流
9.在光电子器件中,以下哪些因素会影响太阳能电池的转换效率?()
A.光吸收层的材料
B.表面纹理结构
C.电池面积
D.载流子寿命
10.以下哪些技术可以用于微细加工中的三维结构制造?()
A.立体光刻
B.纳米压印
C.湿法蚀刻
D.电子束光刻
11.光电子器件中,以下哪些部件常用作光耦合和传输?()
A.蚀刻
B.光刻
C.化学气相沉积
D.物理气相沉积
12.以下哪种方法可以减小光电子器件的串联电阻?()
A.增加器件长度
B.减小器件宽度

光电子器件的光学微型光谱仪考核试卷

光电子器件的光学微型光谱仪考核试卷
A. 光电二极管
B. 电阻
C. 光电三极管
D. 光电传感器
2. 微型光谱仪相较于传统光谱仪,具有以下哪项优势?( )
A. 成本更高
B. 体积更小
C. 分辨率更低
D. 操作更复杂
3. 光学微型光谱仪的核心部件是?( )
A. 光源
B. 分光镜
C. 光电探测器
D. 光栅
4. 下列哪种材料常用于制作光电子器件中的光电探测器?( )
A. 减小器件尺寸
B. 增加器件厚度
C. 提高掺杂浓度
D. 降低工作温度
14. 以下哪种现象是光电子器件中的基本过程?( )
A. 光生伏特效应
B. 热伏特效应
C. 霍尔效应
D. 光电导效应
15. 微型光谱仪的光源稳定性对测量结果有何影响?( )
A. 提高测量精度
B. 降低测量精度
C. 无影响
D. 引起测量误差
四、判断题
1. ×
2. ×
3. ×
4. √
5. ×
6. √
7. ×
8. ×
9. ×
10. √
五、主观题(参考)
1. 光电子器件利用光与电子的相互作用进行信息处理和传输。应用包括光通信、医疗诊断、环境监测等。
2. 微型光谱仪由光源、分光系统、光电探测器组成,优势在于体积小、便携、快速,适用于现场检测。
D. 混合光栅
11. 以下哪些因素会影响光电子器件的性能?( )
A. 材料特性
B. 封装工艺
C. 使用环境
D. 设备尺寸
12. 光电探测器在设计和使用过程中需要考虑以下哪些因素?( )
A. 响应速度
B. 灵敏度
C. 线性度

微电子笔试(笔试和面试题)有答案

微电子笔试(笔试和面试题)有答案

微电子笔试(笔试和面试题)有答案第一部分:基础篇(该部分共有试题8题,为必答题,每位应聘者按自己对问题的理解去回答,尽可能多回答你所知道的内容。

若不清楚就写不清楚)。

1、我们公司的产品是集成电路,请描述一下你对集成电路的认识,列举一些与集成电路相关的内容(如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念)。

数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。

模拟信号,是指幅度随时间连续变化的信号。

例如,人对着话筒讲话,话筒输出的音频电信号就是模拟信号,收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号,也是模拟信号。

数字信号,是指在时间上和幅度上离散取值的信号,例如,电报电码信号,按一下电键,产生一个电信号,而产生的电信号是不连续的。

这种不连续的电信号,一般叫做电脉冲或脉冲信号,计算机中运行的信号是脉冲信号,但这些脉冲信号均代表着确切的数字,因而又叫做数字信号。

在电子技术中,通常又把模拟信号以外的非连续变化的信号,统称为数字信号。

FPGA是英文Field-Programmable Gate Array的缩写,即现场可编程门阵列,它是在PAL、GAL、EPLD 等可编程器件的基础上进一步发展的产物。

它是作为专用集成电路(ASIC)领域中的一种半定制电路而出现的,既解决了定制电路的不足,又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。

2、你认为你从事研发工作有哪些特点?3、基尔霍夫定理的内容是什么?基尔霍夫电流定律:流入一个节点的电流总和等于流出节点的电流总和。

基尔霍夫电压定律:环路电压的总和为零。

欧姆定律: 电阻两端的电压等于电阻阻值和流过电阻的电流的乘积。

4、描述你对集成电路设计流程的认识。

模拟集成电路设计的一般过程:1.电路设计依据电路功能完成电路的设计。

2.前仿真电路功能的仿真,包括功耗,电流,电压,温度,压摆幅,输入输出特性等参数的仿真。

光电子集成电路设计与制造考核试卷

光电子集成电路设计与制造考核试卷
A.焊接
B.封装材料填充
C.真空封装
D.表面贴装
A.所有光电子集成电路都使用同一种材料
B.光电子集成电路可以使用多种不同的半导体材料
C.硅材料不适合用于光电子集成电路
D.只有砷化镓可以用于高速光电子集成电路
13.光电子集成电路设计中,以下哪项设计考虑的是减少信号损耗?( )
A.增加波导长度
B.减小波导宽度
C.优化波导弯曲半径
D.提高波导材料损耗
14.光电子集成电路制造过程中,以下哪种工艺主要用于形成光波导?( )
光电子集成电路设计与制造考核试卷
考生姓名:__________答题日期:_______得分:_________判卷人:_________
一、单项选择题(本题共20小题,每小题1分,共20分,在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的)
1.光电子集成电路中,以下哪种材料最适合用于光发射?( )
A.材料纯度
B.哪些是光电子集成电路的常见应用?( )
A.光纤通信
B.光网络
C.光计算
D.传统电子设备
13.光电子集成电路中的光探测器主要有以下哪些类型?( )
A.硅光电池
B.雪崩光电二极管(APD)
C.光电晶体管
D.热探测器
14.光电子集成电路制造过程中的光刻工艺包括以下哪些步骤?( )
D.铜(Cu)
6.光电子集成电路中的光波导可以由以下哪些材料制成?( )
A.硅(Si)
B.砷化镓(GaAs)
C.聚合物
D.玻璃
7.以下哪些技术可以用于光电子集成电路的测试?( )
A.光谱分析
B.时域反射测量
C.电流-电压特性分析
D.扫描电子显微镜

微电子工艺作业参考答案(第1(第10次))-

微电子工艺作业参考答案(第1(第10次))-

微电子工艺作业参考答案(第1(第10次))-微电子工艺操作参考答案第一次操作(全体参与)1,微电子在人类社会中的作用简述a:自20世纪40年代晶体管诞生以来,微电子技术发展极为迅速,现已进入大规模集成电路和系统集成时代,成为整个信息时代的标志和基础。

毫不夸张地说,如果没有微电子技术,今天就不会有信息社会。

纵观人类社会发展的文明史,生产方式的所有重大变化都是由新的科学发明引起的。

科学技术作为第一生产力,推动着社会的发展。

1774年,英国格拉斯哥大学的修理工瓦特发明了蒸汽机,这引发了第一次工业革命,产生了现代纺织和机械制造业,把人类带入了一个机器被用来扩展和发展人类体力劳动的时代。

1866年,德国科学家西门子发明了发电机,引发了以电气化工业为代表的第二次技术革命。

目前,我们正在经历一场新的技术革命。

虽然第三次技术革命包括新材料、新能源、生物工程、海洋工程、航天工程和电子信息技术等。

,以微电子学为核心的电子信息技术仍然是影响最大、渗透力最强和最具代表性的新技术革命。

信息是客观事物状态和运动特征的共同表现,是仅次于物质和能量的第三大资源,是人类物质文明和精神文明赖以发展的三大支柱之一。

当前,世界正处于一场跨越时空的新信息技术革命之中。

它将对社会经济、政治和文化产生比人类历史上任何其他技术革命更大的影响。

它将改变我们人类生产、生活、工作和治理国家的方式。

实现社会信息化的关键是各种计算机和通信设备,但其基础是半导体和微电子技术。

1946年,世界上第一台电子计算机ENIAC诞生于宾夕法尼亚大学摩尔学院,运行速度仅为每秒5000次,存储容量仅为1000位,平均稳定运行时间仅为7分钟。

当时,专家认为世界上只有四个ENIAC单元就足够了。

然而,仅仅半个多世纪后,现在世界上有数亿台计算机。

微电子学是这一巨大变化的技术基础。

现在,电子信息产业已经成为世界上最大的产业毫无疑问,21世纪将是信息化的世纪。

微电子产业在国民经济中的战略地位首先体现在现代食物链的关系上。

光电子微纳制造工艺平台2016年试卷(上半年)及导师确认说明-1

光电子微纳制造工艺平台2016年试卷(上半年)及导师确认说明-1

光电子微纳制造工艺平台2016年试卷(上半年)及导师确认说明-1武汉光电国家实验室分数光电子微纳制造工艺平台2016年试卷名称:超净间基本规范及安全培训考试时间:2016年单位:机械科学与工程学院导师姓名黄永安学生姓名尹锋一.单选择题(60分)1.化学试剂溅到身上,立即采用(喷淋头),用水冲洗15分钟。

冲洗后,不要擦拭皮肤,必要时前往医院治疗。

2.穿着超净服时,(用脚套包住裤腿)。

3.超净间内使用(圆珠笔)。

4.从(风淋室)进入超净间。

5对超净间内各处的门,(轻轻)关门。

6.穿着(洁净鞋或者鞋套)进入更衣间。

7.清洗间清洗槽的排气风扇因故障停止,(继续)清洗。

8.冲洗容器的稀释液倒入(排水槽)。

9.手套破损,(立即更换)。

10.酸、碱及有机溶剂容器的盖子,使用后(立即锁紧盖子)。

11.超声清洗及其它清洗中,通风柜的门(处于半关闭位置)。

12. 废液待温度降至室温时,倒入(收集桶)。

13.稀释酸液时,(将酸慢慢倒入水中)。

14.化学试剂不小心溅到脸上或眼睛里,立即采用(洗眼池),用大量水冲洗15分钟以上。

联系平台领导及工程师协助立即前往医院就医,同时通知导师。

15.进清洗间,(戴)防护眼镜或面罩、耐酸碱手套。

16.发生火警时,从(安全门)跑出超净间,在A区北面广场集合,便于清点人数。

17. 在工艺设备发生火灾时,如果火苗较小且没有过多烟雾时,同学们可使用(CO2灭火器)灭火。

18.密闭房间内,氮气泄漏有(窒息)威胁。

19.光刻工艺在(黄色光)条件下进行。

20.(取得)操作许可证,才能独立操作设备21.超净间级别由低到高依次为:(10000级、1000级、100级)。

22.进入超净间的个人动作顺序为:2)脱一次鞋→穿上净化服→戴上净化帽→洗手→戴上口罩手套→进风淋室→入室;23.要带入超净间的仪器、工具、硅片和掩模盒,请在(更衣室)进行清洁。

24.所有的瓶罐,不论有无冲洗过,若没有贴上危险物质标示贴,只能由(工作人员)用水清洗。

光电子器件制造中的光刻技术考核试卷

光电子器件制造中的光刻技术考核试卷
A.减少反射
B.提高成像质量
C.防止光刻胶脱落
D.提高曝光剂量
14.下列哪些方法可以用于改善光刻胶的涂覆质量?()
A.优化涂覆工艺参数
B.使用旋涂法
C.使用喷枪涂覆
D.控制环境湿度和温度
15.光刻工艺中的显影步骤对显影液的要求包括哪些?()
A.适当的浓度
B.控制温度
C.良好的均一性
D.适当的显影时间
A.氩灯
B.紫外灯
C.激光
D. X射线
15.光刻工艺中,下列哪种方法可以减小曝光过程中的焦深效应?()
A.使用较小的曝光剂量
B.采用高数值孔径的光刻机
C.增加光刻胶的厚度
D.降低光源的功率
16.下列哪种光刻胶适用于深紫外光刻技术?()
A.正性光刻胶
B.负性光刻胶
C.化学放大光刻胶
D.无机光刻胶
17.光刻工艺中,下列哪种因素会影响图形的线宽控制?()
6. √
7. ×
8. ×
9. √
10. √
五、主观题(参考)
1.光刻技术是半导体制造中的关键工艺,决定了器件的图形精度和尺寸。主要步骤包括:涂覆光刻胶、前烘、曝光、显影、后烘和去除光刻胶。涂覆光刻胶是为了保护硅片和传递图形,前烘是为了固定光刻胶,曝光是通过光刻胶传递图形,显影是显影出图形,后烘是为了增强图形的稳定性,去除光刻胶是为了进行后续工艺。
2.描述光刻胶的两种类型(正性光刻胶和负性光刻胶)在曝光和显影过程中的行为差异。
3.光刻工艺中的分辨率受哪些因素影响?如何通过调整工艺参数来提高分辨率?
4.阐述极紫外光刻(EUVL)技术相对于传统光刻技术的优势,以及在实际应用中面临的主要挑战。
标准答案

光电子材料设计与制造考核试卷

光电子材料设计与制造考核试卷
15. 以下哪些措施可以减少光电子器件的功耗?( )
A. 优化电路设计
B. 提高材料的光电转换效率
C. 采用低功耗的驱动电路
D. 减小器件尺寸
16. 以下哪些材料在光电子领域具有铁电性质?( )
A. 钙钛矿
B. 铌酸锂
C. 锆钛酸铅
D. 氧化锌
17. 光电子器件的可靠性测试通常包括以下哪些内容?( )
B. 硒化锌
C. 硅酸锆
D. 钛酸锂
8. 光电子材料在制造过程中,以下哪个因素对性能影响最大?( )
A. 材料纯度
B. 结构尺寸
C. 工艺参数
D. 环境温度
9. 以下哪种方法可以用来测试光电子材料的发光性能?( )
A. 扫描电子显微镜
B. X射线衍射
C. 光谱分析仪
D. 透射电子显微镜
10. 以下哪种材料主要用于光电子器件的封装?( )
1. 光电子材料的特性包括以下哪些?( )
A. 高电光转换效率
B. 高热导率
C. 高机械强度
D. 良好的化学稳定性
2. 以下哪些是光电子材料的设计方法?( )
A. 计算机模拟
B. 实验优化
C. 经验设计
D. 随机设计
3. 光电子材料的应用涉及以下哪些领域?( )
A. 太阳能电池
B. 发光二极管
C. 光学传感器
光电子材料设计与制造考核试卷
考生姓名:__________ 答题日期:__________ 得分:__________ 判卷人:__________
一、单项选择题(本题共20小题,每小题1分,共20分,在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的)
1. 以下哪种材料是典型的光电子材料?( )

光电子技术试卷题及答案

光电子技术试卷题及答案

光电子技术试题一、选择题(12分,2分/题)1、光电子技术主要应用在(A、B、C、D)A.激光加工B. 光纤通信C. 光电调制D. 光电探测2、描述时间相干性的等效物理量是(A、B、C)A. 相干时间B. 相干长度C. 谱线宽度D. 简并度3、按照调制方式分类,光调制可以分为(B、C、D)等,所有这些调制过程都可以归结为将一个携带信息的信号叠加到载波光波上。

A. 位移调制B. 位相调制C. 强度调制D. 角度调制4、掺杂型探测器是由(D)之间的电子-空穴对复合产生的,激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。

A.禁带B.分子C.粒子D.能带二、判断题(8分,2分/题)5、任意一种朗伯体的辐射亮度都是均匀的,与辐射的方向角没有关系。

(∨)6、KDP晶体沿Z(主)轴加电场时,由双轴晶变成了单轴晶体。

(×)7、布拉格型声光调制器只限于低频工作,同时具有有限的带宽。

(×)8、当光辐射照在某些材料的表面上时,若入射光的光子能量足够大,就能使材料的电子逸出表面,向外发射出电子,这种现象叫内光电效应或光电子发射效应。

(∨)三、填空题(9分,3分/题)9、红外线,它是一种人眼看不见的光线,但实际上它与其他任何光线一样,也是一种客观存在的物质。

任何物质,只要它的温度高于__ O K__,就会有红外线向周围空间辐射。

10、磁光效应包括法拉第旋转效应、克尔效应和磁双折射效应等。

其中最主要的是法拉第旋转效应,它使一束线偏振光在外加磁场作用下的介质中传播时,其偏振方向发生旋转。

11、光照增强的同时,载流子浓度不断的增加,同时光敏电阻的温度也在升高,从而导致载流子运动加剧,因此复合几率也增大,光电流呈饱和趋势。

四、简答题(45分,15分/题)12、何为大气窗口,试分析光谱位于大气窗口内的光辐射的大气衰减因素。

答:对某些特定的波长,大气呈现出极为强烈的吸收。

光波几乎无法通过。

根据大气的这种选择吸收特性,一般把近红外区分成八个区段,将透过率较高的波段称为大气窗口。

光电子器件的光子芯片制造考核试卷

光电子器件的光子芯片制造考核试卷
2.光子芯片在光通信中用于光信号的调制、放大、检测和路由。其优势在于高带宽、低延迟和低功耗,适合高速、长距离通信。
3.光刻技术包括光刻胶涂覆、曝光、显影和蚀刻等步骤。关键参数有曝光波长、光刻胶灵敏度、分辨率和刻蚀深度等。
4.设计光子芯片时需考虑波导损耗、热效应、电光效应和光栅效率等因素。优化性能可通过改进材料、设计波导结构和光栅参数,以及热管理等方式实现。
5.铌酸锂
6.速度快
7.硅光子学
8.激光
9.蚀刻
10.高
四、判断题
1. ×
2. √
3. ×
4. √
5. ×
6. √
7. ×
8. √
9. ×
10. ×
五、主观题(参考)
1.光子芯片基于光波导传输光信号,而电子芯片基于电子的流动。光子芯片在光域内处理信息,速度快、带宽大,不受电子器件的发热和电磁干扰限制。
光电子器件的光子芯片制造考核试卷
考生姓名:__________答题日期:_______年__月__日得分:_____________判卷人:___________
一、单项选择题(本题共20小题,每小题1分,共20分,在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的)
1.光子芯片主要基于以下哪种技术?()
A.提高数据传输速率
B.减少能量消耗
C.增加数据通道数
D.减小通信系统的体积
(以下为答题纸部分,请考生将答案填写在答题纸上。)
三、填空题(本题共10小题,每小题2分,共20分,请将正确答案填到题目空白处)
1.光子芯片的核心部分是_______。()
2.光子芯片主要基于_______原理工作。()
3.在光子芯片中,用于控制光路的主要元件是_______。()

微电子工艺学试卷(A卷)参考答案

微电子工艺学试卷(A卷)参考答案

华中科技大学2011—2012学年第二学期 电子科学与技术专业《微电子工艺学》试卷A(开卷)一、判断下列说法的正误,正确的在后面括号中划“√”,错误的在后面括号中划“×”(本大题共10小题,每小题1分,共10分)1、单晶生长实际上是液固两相的转化,实现条件是在两相界面附近存在浓度梯度。

( × )2、如果光刻胶的CMTF 小于实际光刻图形的MTF ,则光刻图形上的最小尺寸线条可能被分辨。

反之,不能被分辨。

(√ )3、热氧化过程中,硅内靠近Si-SiO 2 界面的杂质将在界面两边的硅和二氧化硅中形成再分布。

对于k <1、二氧化硅中的慢扩散杂质,再分布之后靠近界面处二氧化硅中的杂质浓度比硅中高,硅表面附近浓度下降。

( √ )4、研究表明,杂质在半导体晶体中的扩散虽然比较复杂,但可以归纳为几种典型的形式,如填隙式和替位式扩散,其中替位式扩散的速度较快。

( × )5、离子注入掺杂时,降低离子能量是形成浅结的重要方法。

但在低能情况下,沟道效应很明显,可能使结深增加一倍,且离子束稳定性降低。

( √ )6、氮化硅(Si 3N 4)薄膜介电常数约 6~9,不能作为层间绝缘层,否则将造成较大寄生电容,降低电路速度。

但它对杂质扩散有极强掩蔽能力,可以作为器件最终钝化层和机械保护层以及硅选择性氧化的掩模。

( √ )7、自掺杂效应是气相外延过程中的无意识掺杂效应,采取适当措施可以完全避免,例如降低由衬底蒸发的杂质量以及避免使蒸发出的杂质重新进入外延层。

( × )8、溅射仅是离子对物体表面轰击时可能发生的四种物理过程之一,其中每种物理过程发生的几率取决于入射离子的剂量。

( × )9、等离子体刻蚀与溅射刻蚀并无明显界限,化学反应和物理作用都可能发生,具体刻蚀模式取决于系统压力、温度、气流、功率及相关可控参数。

( √ )10、MOS 器件之间是自隔离的(self-isolated),可大大提高集成度。

光电子器件在微型光谱仪的研制考核试卷

光电子器件在微型光谱仪的研制考核试卷
D.钽酸锂探测器
14.光电子器件在微型光谱仪中,下列哪种情况会导致探测器输出信号降低?( )
A.光源亮度增加
B.光栅刻线变密
C.探测器灵敏度提高
D.光路中存在遮挡物
15.在微型光谱仪中,如何提高系统的信噪比?( )
A.降低光源亮度
B.提高探测器噪声
C.增加光栅刻线数
D.优化光路设计
16.下列哪种探测器适合用于微型光谱仪中的紫外光检测?( )
3.硅探测器对紫外光具有较高的响应度。()
4.微型光谱仪的体积越小,其测量精度越高。()
5.增加光源亮度可以减小微型光谱仪的杂散光影响。()
6.在微型光谱仪中,探测器的灵敏度与噪声成反比关系。()
7.微型光谱仪只能用于可见光范围内的光谱分析。()
8.光路中的灰尘会导致微型光谱仪的测量结果偏大。()
9.采用微电子技术可以显著减小光电子器件的体积。()
4.在光电子器件中,_______材料通常用于制造光电探测器。()
5.提高微型光谱仪分辨率的关键是_______和_______。()
6.适用于紫外光检测的探测器主要有_______和_______。()
7.光电子器件在微型光谱仪中的噪声主要来源于_______和_______。()
8.微型光谱仪在环境。()
9.光源的不稳定性会导致微型光谱仪的_______和_______。()
10.微型光谱仪的数据处理技术包括_______和_______等。()
四、判断题(本题共10小题,每题1分,共10分,正确的请在答题括号中画√,错误的画×)
1.光电探测器的工作原理是利用光电效应将光信号转换为电信号。()
2.光栅的刻线越密,微型光谱仪的分辨率越高。()

集成电路制造工艺员(三级)真题及答案一

集成电路制造工艺员(三级)真题及答案一

集成电路制造工艺员(三级)真题及答案一1、单选(江南博哥)物理气相沉积简称()。

A.LVDB.PEDC.CVDD.PVD答案:D2、多选对于非晶靶,离子注入的射程分布取决于()。

A.入射离子的能量B.入射离子的质量C.入射离子的原子序数D.靶原子的质量、原子序数、原子密度E.注入离子的总剂量答案:A,B,C,D,E3、单选电气测量仪表中,整流式对电流的种类与频率的适用范围是()。

A.直流B.工频及较高频率的交流C.直流及工频交流D.直流及工频与较高频率的交流答案:B4、单选为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染,可在靶室前增加一个()或采用无油泵。

A.液氮冷阱B.净化阱C.抽气阱D.无气泵答案:A5、多选树脂使用过程中需保持一定温度,阳树脂和阴树脂分别不能高于()度,使用温度不能过低,低于0度会使树脂冻裂。

A.80B.60C.40D.20E.10答案:A,C6、单选()是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。

A.LPCVDB.PECVDD.PVD答案:D7、多选电气测量仪表若按照电流的种类来分,有()。

A.低压仪表B.高压仪表C.直流仪表D.交流仪表E.交直流仪表答案:C,D,E8、单选在各种离子源常用的放电方式中,EOS是指有()。

A.电子振荡放电B.离子自动放电C.低电压弧光放电D.双等离子电弧放电答案:A9、单选离子从进入靶起到停止点所通过的总路程称作()。

A.离子距离B.靶厚C.射程D.注入深度答案:C10、单选局域网中使用中继器的作用是()。

A.可以实现两个以上同类网络的联接B.可以实现异种网络的互连C.实现信号的收集、缓冲及格式的变换D.实现传递信号的放大和整形答案:D11、多选扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺,现在主要被用来制作()。

A.埋层B.外延C.PN结D.扩散电阻E.隔离区答案:A,C,D12、单选由于离子交换树脂反应,它既可以去除水中杂质离子,又可以将失效树脂进行处理,恢复交换能力,所以称为()反应。

电子制造考题、标准答案卷

电子制造考题、标准答案卷

填空题:1、实际阻值与标称阻值之间允许的最大偏差范围叫做阻值允许偏差,一般用标称阻值与实际阻值之差除以标称阻值所得的百分数暗示,又称阻值误差。

2、查抄电位器时,首先要看旋轴动弹是否平滑、开关是否灵活。

3、电容器是一种储存电能的元件,它由两块极板组成。

4、在电子设备中,电容是不成缺少的元件。

5、在半导体器件中,半导体二极管又称晶体二极管,简称二极管,同样,半导体三极管又称晶体三极管,简称三极管。

6、二极管的种类很多。

通常,我们按采用的材料可分为:锗二极管、硅二极管。

7、二极管的单向导电特性是二极管的最底子和重要的特性。

8、焊点的好坏取决于焊接材料的性能、被焊金属外表状态,同时也取决于焊接的工艺条件和操作方法。

9、手工焊接的查抄可分为目视查抄和手触查抄两种。

10、放大电路的核心器件是半导体三极管。

11、电感器在电路中有通直流、阻交流的作用。

12、电感器按电感量是否可调可分为固定电感器、可变电感器和微调电感器。

13、电阻器的标注方法有直标法、文字符号法、色标法。

14、学习和掌握常用元器件的性能、用途、质量判断方法,对提高电子产物的质量和可靠性起着至关重要的作用。

15、用阿拉伯数字和单元符号在电阻体外表直接标阻值,用百分比直接标出允许偏差的方法称为直标法。

16、电感器与电容器配合可起调谐、选频作用。

17、半导体三极管引脚摆列的方式因其封装形式的不同而不同。

18、职业是人们在社会中所从事的作为主要生活来源的工作。

职业通常称为工作岗位。

19、本质划分为生理本质、心理本质和社会文化本质三个层面。

20、职业本质是指劳动者通过教育、劳动实践和自我修养等途径而形成和开展起来的,在职业活动中阐扬重要作用的内在底子品质。

21、职业本质以专业常识、技能为特色。

22、职业本质的整体性是指劳动者的常识、能力和其他个性品质在职业活动中的综合暗示。

23、一个劳动者在职业中要有所成就,不仅要具备必然的常识、技能,还要具有必然的信念、社会责任感以及良好的自我控制能力、人际沟通能力和耐挫能力等。

光电子器件的制造设备与工艺考核试卷

光电子器件的制造设备与工艺考核试卷
( )
2. 描述光电二极管的工作原理,并说明其在光电子器件中的应用。
( )
3. 请阐述光子集成电路与传统硅微电子电路的主要区别,并介绍光子集成电路的优势。
( )
4. 讨论太阳能电池的效率受哪些因素影响,并说明提高太阳能电池效率的常见方法。
( )
标准答案
一、单项选择题
1. C
2. B
3. C
4. C
5. B
6. C
7. B
8. A
9. D
10. C
11. C
12. B
13. B
14. D
15. C
16. A
17. A
18. D
19. A
20. B
二、多选题
1. ABD
2. ABC
3. BC
4. AC
5. ABCD
6. CD
7. AD
8. AC
9. ABC
10. A
11. ABCD
12. AB
13. ABD
A. 化学气相沉积
B. 磁控溅射
C. 光刻
D. 离子注入
17. 以下哪些设备可以用于光电子器件的测试?( )
A. 光谱分析仪
B. 传输测试仪
C. 时域反射仪
D. 电参数测试仪
18. 在光电子器件中,以下哪些器件可以实现光信号的放大?( )
A. 光电二极管
B. 光电三极管
C. 光放大器
D. 光开关
19. 以下哪些因素会影响光电子器件的热稳定性?( )
7. 在光电子器件中,用于放大光信号的器件是?( )
A. 光电二极管
B. 光电三极管
C. 阵列波导光栅
D. 光开关
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武汉光电国家实验室分数
光电子微纳制造工艺平台2016年试卷
名称:超净间基本规范及安全培训考试时间:2016年
单位:机械科学与工程学院导师姓名黄永安学生姓名尹锋一.单选择题(60分)
1.化学试剂溅到身上,立即采用(喷淋头),用水冲洗15分钟。

冲洗后,不要擦拭皮肤,必要时前往医院治疗。

2.穿着超净服时,(用脚套包住裤腿)。

3.超净间内使用(圆珠笔)。

4.从(风淋室)进入超净间。

5对超净间内各处的门,(轻轻)关门。

6.穿着(洁净鞋或者鞋套)进入更衣间。

7.清洗间清洗槽的排气风扇因故障停止,(继续)清洗。

8.冲洗容器的稀释液倒入(排水槽)。

9.手套破损,(立即更换)。

10.酸、碱及有机溶剂容器的盖子,使用后(立即锁紧盖子)。

11.超声清洗及其它清洗中,通风柜的门(处于半关闭位置)。

12. 废液待温度降至室温时,倒入(收集桶)。

13.稀释酸液时,(将酸慢慢倒入水中)。

14.化学试剂不小心溅到脸上或眼睛里,立即采用(洗眼池),用大量水冲洗15
分钟以上。

联系平台领导及工程师协助立即前往医院就医,同时通知导师。

15.进清洗间,(戴)防护眼镜或面罩、耐酸碱手套。

16.发生火警时,从(安全门)跑出超净间,在A区北面广场集合,便于清点人
数。

17. 在工艺设备发生火灾时,如果火苗较小且没有过多烟雾时,同学们可使用
(CO2灭火器)灭火。

18.密闭房间内,氮气泄漏有(窒息)威胁。

19.光刻工艺在(黄色光)条件下进行。

20.(取得)操作许可证,才能独立操作设备
21.超净间级别由低到高依次为:(10000级、1000级、100级)。

22.进入超净间的个人动作顺序为:
2)脱一次鞋→穿上净化服→戴上净化帽→洗手→戴上口罩手套→进风淋室→入室;
23.要带入超净间的仪器、工具、硅片和掩模盒,请在(更衣室)进行清洁。

24.所有的瓶罐,不论有无冲洗过,若没有贴上危险物质标示贴,只能由(工作
人员)用水清洗。

25.(用镊子)拿硅片。

26.(N2O)为低毒类气体,发生泄漏时,在安全区域佩戴简易防护面罩手套,然
后前往特气室关闭钢瓶阀门及供气面板输出阀门。

27.(H2)为易燃易爆气体,为防止火星,操作时禁止使用手机,禁止穿化纤服
装,禁止穿铁掌皮鞋。

同学们不得自行操作此类气体。

28.(PH3)为剧毒性气体,操作时需要戴放毒面具。

同学们不得自行操作此类气
体。

29.光刻工艺对环境洁净度、温湿度要求高,在(百级)间进行。

30.金相显微镜、光刻机使用完毕后,在后续(没有人)使用情况下,一定要关
闭电源,延长光源使用时间。

二.判断题(40分)
1.手接触手套的外表面。

(错)
2.在千级间内喝水。

(错)
3.一个人在超净间内实验。

(错)
4.在超净间内给磁控溅射机靶材进行打磨工作。

(错)
5.穿皮鞋在更衣间或走廊间走动。

(错)
6.在百级间内缓慢走动。

(对)
7.千级间与技术夹道之间的门总是开着。

(错)
8.垃圾放入字纸篓或垃圾桶,并经常把垃圾袋清除到超净间外。

(对)
9.在超净间内补妆。

(错)
10. 化学清洗槽的抽气装置出故障了还继续使用。

(错)
11.戴着超净间内使用过的橡胶手套洗碗。

(错)
12.废液入桶,有机和无机的废液倒入一个桶中。

(错)
13. 发生火警时,担心弄脏超净服,所以先脱掉超净服再逃生。

(错)
14.火势很大,或烟雾过多时,同学们警告附近的人员立即逃生,不管其它任何
工作。

灭火工作求助119专业消防员。

(对)
15.未经平台主任或设备工程师审定,就实施自己的新工艺程序。

(错)
16.碰到设备故障时,自己尝试处理。

(错)
17.实验完成时,不通知工程师或助管,自行离开。

(错)
18.化学药品用毕后,在空瓶外贴上安全标示贴,清洗完的空瓶贴上“已清洗”。

(对)
19酸类调和后,立即盖紧存放。

(错)
20.私自带剧毒、易爆炸类物品进入超净间。

(错)
21.没通过安全培训,没有超净间通行证想要进入超净间工作。

(错)
22.无设备操作证书使用设备。

(错)
23.浓硫酸不小心溅到脸上,用大量水冲洗并用毛巾擦脸。

(错)
24.在超净且门关闭的房间内,没有异味,但是感到憋气且脸发红,可能有氮气
泄露。

应立即离开房间,通知工程师。

(对)
25.非设备管理人员未经允许,不得进入技术夹道动用工艺气瓶及其它装置。

(对)
26.书包带入超净间。

(错)
27.看硅片表面情况时,不戴口罩,鼻子对着硅片出气。

(错)
28.不戴手套做工艺,用手拿基片,用手开闭设备腔体盖子。

(错)
29.稀释浓硫酸,把水沿烧杯壁倒入浓硫酸中。

(错)
30.做工艺时,用戴着的手套外表面在皮肤上挠痒。

(错)
31.离开时,自己的物品放入租用的整理箱。

(对)
32.超净间同一房间内人数应维持二人及以上。

(对)
33.工艺测试设备每天要做清洁,整个超净间每周要做大扫除,各个团队负责自
己的包干区卫生。

(对)
34.微纳平台做实验实行预约登记制度,应提前一天预约,要做实验的每位同学
都有一张预约IC卡。

毕业时交给导师传给下一届同学使用。

(对)
35.为了保持光刻间洁净度,应保持光刻间的门经常处于关闭状态。

(对)
36.遗留在超净间内的化学药瓶不加标示。

(错)
37.酸碱液混合倾倒。

(错)
38.开展光刻工艺时必须戴手套和口罩。

(对)
39.光刻胶放置在研究生办公室。

(错)
40.未使用过的药品及材料带入超净间必须经微纳平台领导审核批准。

剧毒、易
爆炸类物品,原则上严禁带入超净间。

(对)
微纳平台实验计费确认说明
光电子微纳制造工艺平台:
本人系机械科学与工程学院(学院)尹锋 (姓名),
导师是黄永安。

即日起至 2019-06-30 (日期)在光电子微纳制造工艺平台做实验,申请使用黄永安老师的工艺测试费,如有变更,将另行说明。

此期间,已预约的实验因故不能做,需要在规定时间内取消,否则会按预约时间段收费。

其中:因平台方面原因(如设备故障、前期工艺没做好导致后面实验不能进行等)、不可抗力的自然因素等使得实验不能进行将不予扣费。

特此说明!
申请人:
年月日。

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