832微电子器件考试大纲详细
南京理工大学-研究生入学考试大纲-823电子技术基础
南京理工大学研究生入学考试大纲
科目名：《电子技术基础》
一. 考试内容
模拟电路部分
1半导体器件
（1）半导体的基本概念：本征半导体；PN结
（2）半导体二极管：①半导体二极管的伏安特性；半导体二极管的主要参数；半导体二极管电路的分析。
（3）稳压二极管：稳压二极管的伏安特性；稳压二极管的主要参数；稳压二极管电路的分析。
（4）半导体三极管：三极管的电流放大特性；三极管的特性曲线和主要参数
（5）场效应管：
①结型场效应管的工作原理；伏安特性；主要参数；输出特性曲线；转移特性曲线；
②绝缘栅型场效应管的工作原理；伏安特性；主要参数；输出特性曲线；转移特性曲线；输出特性曲线的三个区；
2基本放大电路
（1）三极管放大电路：固定偏置放大电路的组成和分析；分压偏置放大电路的组成和分析；有交流射极电阻的共射放大电路的组成和分析；共集放大电路的组成和分析；
（2）场效应管放大电路：场效应管放大电路；场效应管的微变等效模型；场效应管的两种静态偏置电路：自给偏压电路与分压式偏置电路；基本共源电路的组成、静态分析、动态分析方法；基本共漏电路及其静态、动态分析。
3 多级放大电路。
微电子制造概论考试复习提纲
– 4.9.1 蚀刻的种类 – 4.9.2 湿法刻蚀的特点，缺点 – 4.9.3 干法刻蚀的特点，优点，缺点，种类
4、半导体制造基础
• 4.10、杂质注入
– 4.10.1 扩散：原理、主要流程 – 4.10.2 离子注入：原理，设备，特点
• 4.11、CMP：化学机械抛光的原理 • 4.12、CMOS集成电路的制作过程
• 1.2 半导体的载流子（种类、特点） • 1.3 本征半导体和本征激发 • 1.4 杂质半导体的种类，p型和n型半导体的
类型区别，主要掺入杂质的种类，多数载 流子和少数载流子，施主杂质和受主杂质， 补偿效应
1、半导体物理基础
• 1.5 载流子迁移（漂移）运动和扩散运动 • 1.6 载流子浓度，费米能级的意义 • 1.7 非平衡载流子：热平衡和非热平衡的区
6、无源元件制造技术
• 6.4、无源元件及其制造
– 6.4.1 分类 – 6.4.2 薄膜电阻的主要工艺 – 6.4.3 电解电容的主要结构，铝电解电容的主要
工艺 – 6.4.4 集成式无源元件的优点 – 6.4.5 嵌入式无源元件的优点
7、PCB设计和制造技术
• 7.1、PCB的基本术语：PCB、基板、单面 板，双面板，多层板，焊盘，连接盘，导 线，过孔，盲孔，沉孔等
别，非平衡载流子载流子的特点，载流子 的复合（种类，寿命，复合中心）
2、半导体器件原理
• 2.1 pn结：pn结的形成，内电场，空间电荷区， pn结的电流电压特性，击穿的种类和原因；
• 2.2 双极型晶体管（三极管）：种类（pnp、 npn），结构，分析其能够产生电流放大的条件， 分析其开关特性的条件和原因
• 7.2、PCB设计准则
833电子技术考试大纲
《电子技术基础》硕士入学考试自命题大纲一、制定本大纲的根据国家教委高等教诲司《高等小学工科本科基础课程教学基本要求》之电子技术基础课程教学基本要求和小学专业教学计划要求制定的。
二、课程性质与任务本课程是电子类、自动控制类、电力类专业在电子技术方面入门性质的技术基础课，它具有自身的体系，是门实践性及工程性很强的课程。
本课程的任务是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术某些领域中的内容，为电子技术在专业中的应用打好基础。
三、本课程的教学内容，基本要求及学时分配本课程分模拟电子技术和数学电子技术两大部分。
《模拟电子技术》部分72学时一、绪论控制电子系统与信号、信号及其频谱、模拟信号和数字信号等基本概念。
控制放大电路的基本知，控制模拟信号放大电路的主要性能指标。
二、半导体二极管及其基本电路控制半导体的基本知识：半导体材料、半导体的共价键结构、本征半导体、空穴及其导电作用、杂质半导体、PN结的形成及特性。
控制半导体二极管的结构、二极管的V-I特性、二极管的参数。
熟练控制二极管基本电路及其分析主意。
了解异常二极管：齐纳二极管、变容二极管、光电子器件、光电二极管、发光二极管、激光二极管。
三、半导体三极管及放大电路基础控制半导体BJT的结构、BJT的电流分配与放大作用、BJT的特性曲线、BJTR的主要参数。
熟练控制共射极、共集电极、共基极放大电路的工作原理及静态工作点的设置与估算，用微变等效电路法分析增益、输入电阻和输出电阻。
了解图解分析法和电流源的工作原理。
控制放大电路的工作点稳定问题，了解温度对工作点的影响。
了解放大电路的频率响应。
四、场效应管放大电路控制结型场效应管：JFET的结构和工作原理、JFET的特性曲线及参数；控制金属—氧化物---半导体场效应管：N沟道增强型MOSFET、N沟道耗尽型MOSFET；各种FET的特性比较及使用注重事项控制场效应管放大电路：FET的直流偏置电路及静态分析、FET放大电路的小信号模型分析法；控制各种放大器件电路性能。
电子科技大学(成都)考研历年真题之832微电子器件2008--2015年考研真题
注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共 48 分，每空 1.5 分） 1、PN 结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（ （ 高而（ ）向偏置的
微电子器件 试题共 6 页，第 1 页
） ，因此τb/τB 可以表示 ） 。 ）的控制能力。 ） 。 （第二个空填 “大” 或 “小” ，
） ， 该控制能力越 （
）单向导电性。 （从以下选项中选择） C 空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层
8、MOSFET 的跨导是（
）特性曲线的斜率，而漏源电导是（
）特性曲
3、防止 PN 结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（ （
）的半导体材料，其热稳定性越好。 （第二个空填“大”或“小” ） ） ，共发射极增量输
4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（ 出电阻越（ ） 。 （填“大”或“小” ）
5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb 和τB，则 1/τB 表示的物理 意义为（ （ 6、MOSFET 的亚阈区摆幅 S 反应了在亚阈区中（ 栅氧化层越厚， 则S越 （ 第三个空填“强”或“弱” ） 7、当金属和 P 型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表 面将形成（ A 电子阻挡层 E 具有 ） ，该结构（ B 电子反阻挡层 F 不具有
2、一个 NPN 双极型晶体管，掺杂浓度为 NE=5×1018cm-3，NB=5×1016cm-3，NC=1×1013cm-3，发 射区和基区宽度为 WE=10µm，WB=2µm。偏置条件为 IB=2mA，VBC=-3V。电子和空穴的扩散 系数分别为 Dn=40cm2/s 和 Dp=20cm2/s，电子和空穴的寿命均为 1µs。求： （1） 器件的共发射极直流短路电流放大系数 β 为多少？ （2） 器件的跨导 gm 为多少？ （10 分）
电子科技大学832微电子器件17年考研真题
考试科目：832 微电子器件一、填空题（共45分，每空1.5分）1、根据输运方程，载流子的（扩散）电流主要与载流子浓度梯度相关，而（漂移）电流主要与载流子浓度相关。
2、俄歇复合的逆过程是（碰撞电离）。
3、当PN结反偏时候，反向电流由（少子）扩散电流和势垒区（产生）电流构成。
4、在二极管的反向恢复过程中，中性区存储的非少子浓度降低有两个原因，一是（载流子复合），二是（反向电流抽取）。
5、薄基区二极管是指P区和N区中至少有一个区的长度远小于该区的（少子扩散长度）。
在其它条件相同的情况下，薄基区二极管的中性区宽度越（小），扩散电流越大。
6、（热击穿）又称为二次击穿，这种击穿通常是破坏性的。
7、双极型晶体管的基区少子渡越时间是指少子在基区内从发射结渡越到集电结的平均时间，等于（基区非平衡少子电荷）除以基区少子电流。
8、半导体薄层材料的方块电阻与材料的面积无关，而与（掺杂浓度）和（厚度）相关。
（备注：填电阻率和厚度也可以）。
9、双极型晶体管的电流放大系数具有（正）温度系数，双极型晶体管的反向截止电流具有（正）温度系数。
（填”正”，”负”或”零”）10、双极型晶体管用于数字电路时，其工作点设置在（截至）区和（饱和）区；MOSFET用于模拟电路时，其直流工作点设置在（饱和）区。
11、由于短沟道器件的沟道长度非常短，起源于漏区的电力线将有一部分贯穿沟道区终止于源区，造成源漏之间的（势垒高度）降低，从而造成漏极电流的（变大）。
（第二个空填”变大”，”变小”或”不变”）12、高频小信号电压是指信号电压是指信号电压的振幅小于（KT/q）；高频小信号通常是叠加在（直流偏置）上的。
13、MOSFET漏源击穿的机理有两种，一种是（漏极PN结击穿），一种是（沟道穿通）。
14、漏源交流短路的情况下，MOSFET的（沟道载流子）电荷随（栅极）电压的变化，定义为MOSFET的本征栅极电容。
15、长沟道MOSFET的跨导与沟道长度（成反比），与栅源电压（成正比），而发生速度饱和的短沟道MOSFET的跨导与沟道长度（无关）。
天津理工大学2024年硕士研究生招生考试复试大纲 集成：《微电子器件》复试大纲
一、科目：《微电子器件》
二、考查的知识范围：
第一部分半导体器件基本方程
半导体器件基本方程的组成、基本形式与物理意义，主要简化方法与应用。
第二部分PN结
PN结空间电荷区的形成过程；PN结内建电场、内建电势及耗尽区宽度的计算；耗尽近似、中性近似的含义及应用；不同状态下的PN结能带图；理想PN 结I-V特性的推导与假设；大注入与小注入效应；PN结的击穿；PN结的扩散电容、势垒电容；PN结的开关特性。
第三部分双极结型晶体管
双极结型晶体管的结构、工作状态、少子浓度分布与能带图；双极结型晶体管放大状态下的电流传输过程；均匀基区晶体管中基区输运系数、基区渡越时间、发射结注入效率以及电流放大系数的定义及求解过程；缓变基区晶体管的电流放大系数；双极结型晶体管的直流电流电压方程与输出特性；双极结型晶体管的反向特性；基区宽度调变效应；基区穿通效应。
第四部分绝缘栅型场效应晶体管
MOSFET的结构、工作原理、基本类型、转移特性与输出特性；MOSFET阈值电压的推导与计算；衬底偏置效应；MOSFET的亚阈区特性；MOSFET的小尺寸效应。
三、参考书目：
《微电子器件》（第4版），陈星弼、陈勇、刘继芝、任敏编著，电子工业出版社，2018.7.。
清华考研辅导班-2020清华大学832半导体器件与电子电路考研真题经验参考书
清华考研辅导班-2020清华大学832半导体器件与电子电路考研真题经验参考书清华大学832半导体器件与电子电路考试科目，2020年初试考试时间为12月22日下午14:00-17:00进行笔试，清华大学自主命题，考试时间3小时。
一、适用院系及专业清华大学026微电子与纳电子学系085400电子信息专业学位二、考研参考书目清华大学832半导体器件与电子电路2019年没有官方指定的考研参考书目，盛世清北根据专业老师指导及历年考生学员用书，推荐使用如下参考书目：《电子线路基础》高教出版社，1997 高文焕，刘润生《数字电子技术基础》高等教育出版社，第4版阎石《半导体物理与器件》（第三版）电子工业出版社，ISBN: 7-121-00863-7 (美) Donald A. Neamen著; 赵毅强, 姚素英, 谢晓东等译盛世清北建议：参考书的阅读方法目录法：先通读各本参考书的目录，对于知识体系有着初步了解，了解书的内在逻辑结构，然后再去深入研读书的内容。
体系法：为自己所学的知识建立起框架，否则知识内容浩繁，容易遗忘，最好能够闭上眼睛的时候，眼前出现完整的知识体系。
问题法：将自己所学的知识总结成问题写出来，每章的主标题和副标题都是很好的出题素材。
尽可能把所有的知识要点都能够整理成问题。
三、考研历年真题2018年清华大学832半导体器件与电子电路考研真题（回忆版）今年的题整体来看与往年风格略不同半器四道题证明费米能级给半导体掺杂浓度算内建电场，画载流子分布画n+n结的能带图计算接触电势老生常谈的mos管电流计算数电4道题给真值表化简并画电路图3-8译码＋数据选择器的真值表求一个组合逻辑的表达式并画状态转换图最要吐槽的就是这个！流水线给延时求周期模电也与往年风格略不同3道题分别是电流镜、集成运放以及波特图。
2010年清华大学832半导体器件与电子电路考研真题（回忆版）选择天空全是半导体与电子器件的概念大题：1、算二极管参数2、算MOS阈值电压3、MOS放大2级算静态工作电流电压增益米勒电容去零点电阻4、负反馈5、集成预防搭电路6、二进制数反补原+ 运算7、卡诺图8、2个电阻2个非门组合问工作原理电压传输曲线正负阈值电压9、D触发器时序图10、画COMS 异或门盛世清北建议：认真分析历年试题，做好总结，对于考生明确复习方向，确定复习范围和重点，做好应试准备都具有十分重要的作用。
电子技术科目考试大纲
《电子技术》科目考试大纲考试科目代码：807模拟电子技术局部：一、主要内容1、半导体器件：半导体，PN结与伏安特性，二极管与伏安特性，稳压二极管，双极型三极管和场效应管等半导体器件的工作原理、特性和使用方法。
2、根本放大电路：双极型三极管根本放大电路的组成、分析方法，场效应管放大电路的组成、分析方法。
3、集成运算放大器：多级放大器的一般问题，多级放大器的分析，差动放大器的结构和特点，差动放大器的分析，电流源、常用电流源，集成运算放大器组成、工作原理与主要指标。
4、放大电路的频率特性：三极管的高频等效电路，放大电路的频率特性、分析方法和计算方法。
5、反应：反应的概念、反应电路的组成、分类、判断，四种根本组态反应电路、根本分析方法、深度负反应放大电路的计算方法、负反应对放大器性能的影响、负反应放大电路的自激问题。
6、信号的运算和处理：理想运算放大器，根本运算电路〔比例、加减、积分、微分、对数、指数〕，模拟乘法器与应用，有源滤波器。
7、波形的产生和转换：正弦波振荡的条件和振荡器的组成，RC振荡器、LC振荡器、石英晶体振荡器，比拟器、非正弦信号发生电路〔包括矩形波、三角波和锯齿波〕以与波形的转换。
8、功率放大电路：功率放大器的一般问题，互补功率放大电路，功率放大器的安全运行，集成电功率放大电路。
9、直流电源：直流电源的组成，整流电路、滤波电路、稳压二极管稳压电路，线性稳压电路。
二、根本要求：根据课程在本专业知识结构中的作用，分为掌握、熟悉、了解、三个层次，具体要求如下：1、掌握局部：PN结与伏安特性、二极管与伏安特性、双极型三极管和场效应管的工作原理与特性、双极型三极管小信号模型、三极管放大电路的组成、三极管放大电路的静态和动态分析方法、场效应管小信号模型、场效应管放大电路的组成和分析方法、差动放大器的特点和分析方法、放大器的频率特性、反应的概念、反应的判断、深度负反应放大器的计算、理想运算放大器、根本运算电路、文氏电桥振荡器、根本LC振荡器、石英晶体振荡器、比拟器与应用、互补对称功率放大电路、直流电源的组成、整流电路、滤波电路、串联式线性稳压电源。
823电子技术基础考试大纲.doc
路宏敏等
科学出版社
《微波技术基础》
廖承恩
西电科大出版社
《微机原理与接口技术》
楼顺天等
科学出版社
《天线原理》
魏文元
国防工业出版社
9023电子信息技术综合知识二
《电磁场与电磁波基础》
路宏敏等
科学出版社
《数字信号处理》
奥本海姆
科学出版社
《模拟电子技术基础》
孙肖子等
西电科大出版社
《数字电子技术基础》四版）
吴功宜
电子工业出版社2007
9066会计综合
《财务管理》（四版）
卢家仪
清华大学出版社2011
《会计学原理》（四版）
徐晔等
复旦大学出版社2011
《应用经济统计学》（二版）
李心愉
北京大学出版社2008
9067项目管理基础
《现代项目管理概论》
白思俊
电子工业出版社2006
朴立明
清华大学出版社2009
《商业银行经营学》
戴国强
高等教育出版社2007
9061金融综合
《货币金融学》（七版）
米什金
人民大学出版社2006
《证券投资学》
朴立明
清华大学出版社2009
《应用经济统计学》（二版）
李心愉
北京大学出版社2008
9062管理科学与工程综合
《管理学》
王益峰
西电科大出版社2007
中日合编
人民教育出版社
282二外俄语
大学俄语1.2册（新版）
史铁强
外语教学与研究出版社
新大学俄语综合教程（1）
何红梅
高等教育出版社
283二外德语
832微电子器件-电子科技大学2015硕士入学考试真题
电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题电子科技大学2016年硕士研究生入学考试初试自命题科目及代码汇总•111单独考试政治理论•241法语(二外)•242德语(二外)•243日语(二外)•244英语(二外仅日语方向) •288单独考试英语•601数学分析•602高等数学•613分子生物学•615日语水平测试•616公共管理综合•621英语水平测试•622心理学综合•623新闻传播理论•625宪法学•688单独考试高等数学•689西方行政史•690中国近现代史•691政治学原理•692数学物理基础•694生物学综合•694生物学综合•695口腔综合•804行政法与行政诉讼法学•805新闻传播实务•806行政管理综合•808金融学基础•809管理学原理•811大学物理•812地理信息系统基础•813电磁场与电磁波•814电力电子技术•815电路分析基础•818固体物理•820计算机专业基础•821经济学基础•824理论力学•825密码学基础与网络安全•830数字图像处理•831通信与信号系统•832微电子器件•834物理化学•835线性代数•836信号与系统和数字电路•839自动控制原理•840物理光学•845英美文学基础知识及运用•846英语语言学基础知识及运用•847日语专业基础知识及应用•852近代物理基础•853细胞生物学•854国际政治学•855辩证唯物主义和历史唯物主义•856测控通信原理•857概率论与数理统计•858信号与系统•859测控通信基础•860软件工程学科基础综合电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共45分，每空1分）1、泊松方程的积分形式即是（）定理，它的物理意义是：流出一个闭合曲面的电通量等于该闭合曲面围成的体积内的（）。
2、PN结的扩散电容和势垒电容有很多不同之处。
823电工电子学考试大纲
考试内容
自激振荡RC振荡电路LC振荡电路
考试要求
1、掌握自激振荡的条件根据相位平衡条件判断电路能否产生自激振荡；
（五）直流稳压电源
考试内容
单相整流滤波电路集成稳压电源
考试要求
1、掌握单相半波、全波、桥式整流电路工作原理；
2、掌握整流波的平均值、有效值的计算和整流管的选择；
3、掌握集成稳压电源的工作原理。
2、利用理想变压器的伏安关系、阻抗变换性质进行简单计算
（八）交流电动机
考试内容
三相异步电动机的转动原理、同步转速、转差率三相异步电动机的电路分析三相异步电动机的转矩与机械特性三相异步电动机的起动、变频调速
考试要求
1、掌握三相异步电动机的转动原理；
2、掌握三相功率等基本概念进行一些必要的计算
（九）继电接触器控制系统
四、考试内容、考试要求和试卷结构
电工技术部分
（一）电路的基本概念和基本定律
考试内容
理想元件和电路模型电压、电流及其参考方向功率计算电阻、电容、电感、电压源电流源、受控源的伏安关系和基本性质基尔霍夫定律电位概念与计算
考试要求
1、掌握电阻、电容、电感等无源二端元件、电压源、电流源等有源元件和受控源的伏安关系及基本性质，熟练计算这些元件的功率；
考试要求
1、牢固掌握叠加定理、戴维南定理，并熟练灵活地运用这些定理分析计算电路
（四）正弦稳态分析
考试内容
正弦量三要素正弦量的相量表示电路定律和电路元件伏安关系的相量形式复阻抗和复导纳电压三角形和电流三角形阻抗三角形和导纳三角形无源和有源二端网络的等效电路正弦稳态电路功率计算借助相量图分析计算串联、并联谐振对称三相电路的分析计算不对称三相电路的概念三相电路功率的计算。
823电子技术基础考试大纲.doc
考试科目：初试：电子技术基础（参考书：《模拟电子技术基本教程》，华成英主编，清华大学出版社，2006年2月第1版）(适用于通信与信息系统、信号与信息处理、电子与通信工程、电路与系统、微电子学与固体电子学、电磁场与微波技术、物理电子学共7个专业)复试：电子科学与技术综合（参考书：①《半导体物理学(第7版)》刘恩科、朱秉升、罗晋生，电子工业出版社，2011年3月；或②《数字电子技术基础》（第五版），阎石主编，高等教育出版社，2006年5月第5版；或③《通信原理（第六版）》，樊昌信，国防工业出版社，2008年6月1日；或④《信号与系统（第3版）》，郑君里，应启绗，杨为理，高等教育出版社; 2011年3月第3版）(适用于通信与信息系统、信号与信息处理、电子与通信工程、电路与系统、微电子学与固体电子学、电磁场与微波技术、共6个专业)823电子技术基础考试大纲(适用于通信与信息系统、信号与信息处理、电子与通信工程、电路与系统、微电子学与固体电子学、电磁场与微波技术、物理电子学共7个专业)一、考查目标要求考生掌握低频模拟电路的基本理论概念、原理和分析方法，通过对各种电子电路进行分析和近似计算，观察电路工作特点，结合理论，对电路本质特性能够理解和应用。
二、考试形式和试卷结构1、考试形式试卷满分为150分，考试时间为180分钟，答题方式为闭卷笔试2、试卷结构（1）题型结构一、简答题。
(共20分)二、分析计算题 (共60分)三、设计题 (共40分)四、综合题 (共30分)（2）内容结构1、集成运放及其基本应用（约25分）2、半导体二极管及其基本应用电路（约5分）3、晶体三极管及其基本放大电路（约15分）4、场效应管及其基本放大电路（约15分）5、集成运算放大电路（约25分）6、放大电路中的反馈（约30分）7、信号的运算和滤波（约15分）8、波形的发生与变换电路（约15分）9、直流电源（约5分）三、考查范围1、集成运放及其基本应用放大的概念和放大电路的性能指标，集成运算放大电路，理想运放组成的基本运算电路（比例运算电路，加减运算电路，积分运算电路和微分运算电路），理想运放组成的电压比较器（单限比较器，滞回比较器）2、半导体二极管及其基本应用电路半导体基础知识，半导体二极管及其基本应用电路，稳压二极管及其基本应用电路3、晶体三极管及其基本放大电路晶体三极管及其放大电路的组成原则和基本分析方法（图解法，等效电路法）,晶体管放大电路的三种接法,放大电路的频率响应4、场效应管及其基本放大电路场效应管（结型场效应管，绝缘栅型场效应管），场效应管的主要参数，场效应管与晶体管的比较，场效应管基本放大电路（场效应管放大电路静态工作点的设置，场效应管的交流等效模型，共源放大电路的动态分析，共漏放大电路的动态分析）5、集成运算放大电路多级放大电路的耦合方式及其频率响应，集成运算放大电路简介（集成运放的电路特点，集成运放的方框图），差分放大电路（直接耦合放大电路的零点漂移现象，基本差分放大电路，具有恒流源的差分放大电路，差分放大电路的四种接法），各种类型功率放大电路，电流源（基本电流源电路，多路电流源，改进型电流源，以电流源作为有缘负载的放大电路），集成运放原理电路，集成运放的主要技术指标和集成运放的种类，集成运放的使用注意事项6、放大电路中的反馈反馈的基本概念及判断方法，交流负反馈的四种组态，负反馈放大电路的方框图及一般表达式，深度负反馈放大电路放大倍数的分析，负反馈对放大电路性能的影响，负反馈放大电路的自激振荡及消除方法，放大电路中的正反馈7、信号的运算和滤波运算电路（对数运算和指数运算电路，实现逆运算的方法）,模拟乘法器简介和在运算电路中的应用，了解有源滤波器8、波形的发生与变换电路正弦波振荡电路（RC正弦振荡电路，LC正弦波振荡电路，石英晶体正弦波振荡电路），非正弦波发生电路（矩形波发生电路，三角波发生电路，锯齿波发生电路，压控振荡器），波形变换电路（三角波—锯齿波变换电路，三角波—正弦波变换电路）9、直流电源直流稳压电源的组成及各部分的作用，单相整流电路（半波整流电路，桥式整流电路），滤波电路，稳压管稳压电路，线性稳压电路，开关型稳压电路。
2016年电子科技大学832微电子器件真题
电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共44分，每空1分）1、PN结的内建电势也称为扩散电势，是指耗尽区中从（）处到（）处的电位差。
掺杂浓度越高，内建电势将越（）。
2、根据耗尽近似和中性近似，在PN结势垒区内，（）已完全耗尽；而在势垒区之外，（）浓度等于电离杂质浓度，维持电中性。
3、在相同的电场强度和温度下，锗材料和硅材料相比较，碰撞电离率更高的是（），其原因是它的（）更小。
4、在计算实际PN结的雪崩击穿电压或势垒电容时，如果结两侧掺杂浓度相差较小，浓度梯度较小，而结深较大时，则可将其近似为（）结求解。
5、温度升高时，PN结的齐纳击穿电压会（），因为（）随温度升高减小了。
6、一个PN结二极管在制备完成后对其进行了电子辐照，该二极管的反向恢复时间将（），原因是电子辐照在半导体中引入了（）。
7、当PN结的正向电流增大时，其直流增量电阻会（），扩散电容会（）。
（填“变大”，“变小”或“不变”）8、双极型晶体管的基区宽度越小，其共发射极增量输出电阻越（），厄尔利电压越（）。
（填“大”或“小”）9、双极型晶体管的发射结注入效率是指（）电流与（）电流之比。
10、双极型晶体管的基区发生大注入时，由于基区载流子浓度急剧增加，其发射结注入效率γ会（）；同时，和PN结大注入相类似，基区内会发生（）效应。
11、高频双极型晶体管的工作频率范围一般在：（）< f <（）。
12、双极型晶体管的高频优值是指（）与（）的乘积。
13、小电流时，双极型晶体管的电流放大系数会下降，这是由于（）在（）中所占的比例增加所引起的。
14、MOS结构中，半导体的表面势是指从（）到（）的电势差。
一般来说，实际MOS结构的表面势是（）零的，这主要是由于（）以及（）所引起。
（第三个空填“>”、“<”或“=”）15、为了降低栅氧化层电荷的影响，MOSFET通常会采用（）晶面来制作。
杭州师范大学832普通物理学2021年考研专业课初试大纲
杭州师范大学832普通物理学2021年考研专业课初试大纲
2021年硕士研究生入学考试科目《普通物理学》考试大纲参考书大学基础物理学（上下册）张三慧，清华大学出版社
考试内容力学：质点运动学，牛顿运动定律，动量，功与能，刚体的定轴转动，振动与波热学：分子动理论，热力学
电磁学：静电场，导体，直流电，磁场，电磁感应，麦克斯韦方程组
光学：光的干涉和衍射，光的偏振，光的量子说
试卷内容结构力学占35%，热学占15%，电磁学占40%，光学占10%
试卷难易结构容易题占40%，中等难度题占50%，高难度题占10% 试卷题型结构客观题占30%，包括填空，选择题；主观题占70%，包括计算，问答，证明题试卷分值结构填空题15%，选择题15%，计算题40%，问答题20%，证明题10%
评分标准和要求要求有具体的评分标准和答案，评分标准科学合理，可操作，无争议
备注
一级学科硕士点召集人签名：(学院盖章)学院分管院长签名：。
半导体器件物理复习纲领-11页精选文档
第一章1试画出金属及半导体相对真空能级的能带图，并标出有关电势符号加以说明？2当金属－半导体紧密接触以后，如何建立统一的费米能级E f？说明Фb＝Φm－Χs的物理意义是什么？3说明公式qΦs＝qΧs＋q（E c－E f）的物理意义？4什么是“肖特基势垒”？写出其表达式？它是对什么区域电子而言？5金属－半导体结的正偏如何？6金属－半导体结的反偏特性如何？7肖特基势垒qΦb是金半结什么偏置下建立的？8金半的1/c2～(V R+Φ0)曲线是什么原理制作？9金半1/c2～V曲线有何应用？10什么是界面态？11表面态对E0<E f及E0>E f时对金半自建场有何影响？12试简述金半I－V的电流输运理论？13从热电子发射出发说明dn=N(c)·f(E)·dE的物理意义？14试简述热电子发射理论求得的电流方程式I0=ART2exp(-ｑΦm/KT)是如何建立的？15有金属－真空系统推倒的电流公式可用于M－S结吗？16写出金半的正偏、反偏及总的电流表达式？17如何从S－M结上的I－V特性曲线求I0及Φb?18什么是镜像力？它对电势有何影响？19在M－S结中镜像力对金属的势垒有何影响？20在M－S结的反偏时，其实际值与理论值差异是如何形成的？写出修正式？21试画出MIS结的能带图，并说明MIS对半导体势垒的影响？22MIS二极管的传导电流何种特性？写出其电流表达式？23MIS的氧化层对载流子有何影响？24什么是SBD二极管？有何特点？举例IC及高频方面的应用？25什么是欧姆接触（非整流的MS结）？26画出N型半导体或P型半导体形成欧姆接触能带图，并作说明。
27为什么说实际欧姆接触仅是一种近似？电流机制是什么？28获得良好的欧姆接触的工艺措施是什么？29SBD二极管“周边效应”有何影响？30SBD二极管的改进结构如何？31什么是异质结？第二章1什么是PN结？什么是平衡PN结？2画出平衡PN结的能带图，并说明PN结平衡的标志是什么？3平衡结的空间电荷区是如何建立的，作图说明。
(整理)电子科技大学硕士考试大纲
熟练掌握常用数字逻辑功能单元电路（如译码器、编码器、数据选择器、比较器、加法器、计数器、移位寄存器等）的综合应用。能够根据给定的数字电路功能模块准确地设计出能完成指定任务要求的电路，同样也能够正确地分析出给定电路所能实现的数字逻辑功能。
三、题型及分值
填空题（20分）
选择题（20分）
180分钟
考试总分
150分
一、总体要求
主要考察学生掌握《电力电子技术》的基本知识，基本理论和基本技能的情况及其用分析的理论与方法分析问题和解决问题的能力。
二、内容
1.电力电子技术的基本概念
熟悉和掌握晶闸管、电力MOSFET、IGBT等电力电子器件的结构、原理、特性和使用方法。不可控器件：各种二极管；半控型器件：晶闸管；典型全控型器件：GTO、电力MOSFET、IGBT、BJT等其他电力电子器件；功率集成电路和智能功率模块；电力电子器件的串并联；电力电子器件的保护；电力电子器件的驱动电路。理解波形系数的概念，理解电力电子器件的动态特性。
6.软开关技术与组合变流
掌握软开关技术的分类与基本概念。理解基本电力电子装置的实验和调试方法。了解间接交流变流电路；交—直—交变频电路（VVVF）；恒压恒频变流电路（CVCF），开关电源的基本电路。
三、题型及分值比例
选择题（30分）
填空题（50分）
简答题（25分）
推论题（15分）
计算题(30分)
考试科目
15）高频晶体管最大功率增益与最高振荡频率的定义与计算，影响功率增益的主要因素
4．绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）
1）MOSFET的类型与基本结构
2）MOSFET的工作原理
3）MOSFET阈电压的定义、计算与测量、影响阈电压的各种因素、阈电压的衬底偏置效应
清华大学832半导体器件与电子电路考研参考书目、考研真题、复试分数线
清华大学832半导体器件与电子电路考研参考书目、考研真题、复试分数线832半导体器件与电子电路课程介绍《电子电路分析与设计:半导体器件及其基本应用》主要内容：电子学是研究电荷在空气、真空和半导体内运动的一门科学（注意此处不包括电荷在金属中的运动）。
这一概念最早起源于20世纪早期，以便和电气工程（主要研究电动机、发电机和电缆传输）加以区别，当时的电子工程是一个崭新的领域，主要研究真空管中的电荷运动。
如今，电子学研究的内容一般包括晶体管和晶体管电路。
微电子学研究集成电路（IC）技术，它能够在一块半导体材料上制造包含数百万甚至更多个电路元件的电路系统。
一个称职的电气工程师应该具备多种技能，比如要会使用、设计或构建电子电路系统。
所以在很多时候电气工程和电子工程之间的差别并不像当初定义的那么明显。
编辑推荐为了适应国内高校教学的需要，中译本分成3册出版：《电子电路分析与设计:半导体器件及其基本应用》《电子电路分析与设计:模拟电子技术》《电子电路分析与设计:数字电子技术》《电子电路分析与设计:半导体器件及其基本应用》是第1册，对应原书第1～8章的内容，讲述微电子器件及其基本应用：·半导体材料和PN结·二极管及二极管应用电路·场效应晶体管及基本场效应品体管线性放大电路·双极型晶体管及基本双极型晶体管线性放大电路·电路的频率特性·输出级电路和功率放大器电路《电子电路分析与设计:半导体器件及其基本应用》非常适合作为电类各专业模拟电路课程的教材和相关科研人员白学参考书，也适合作为教师遴选习题的范本。
清华大学考研参考书目科目名称参考书出版社作者335风景园林基础《西方现代景观设计的理论与实践》中国建筑工业出版社王向荣《图解人类景观—环境塑造史论》同济大学出版社[英]杰弗瑞·杰里柯//苏珊杰·里柯译者：刘滨谊《中国古典园林史》（第三版）清华大学出版社周维权342建筑学基础《中国城市建设史》中国建筑工业出版社董鉴泓，主编《外国城市建设史》中国建筑工业出版社沈玉麟，编《中国古代建筑史》中国建筑工业出版社刘敦祯《中国建筑史》中国建筑工业出版社潘谷西《外国建筑史》中国建筑工业出版社陈志华《外国近现代建筑史》中国建筑工业出版社罗小未601艺术概论《艺术概论》文化艺术出版社高等艺术院校《艺术概论》出版组《美学概论》人民出版社王朝闻主编602(建筑/城市、景观)历史《中国城市建设史》中国建筑工业出版社董鉴泓，主编《外国城市建设史》中国建筑工业出版社沈玉麟，编《西方现代景观设计的理论与实践》中国建筑工业出版社王向荣《图解人类景观—环境塑造史论》同济大学出版社[英]杰弗瑞·杰里柯//苏珊杰·里柯译者：刘滨谊《中国古典园林史》（第三版）清华大学出版社周维权《中国古代建筑史》中国建筑工业出版社刘敦祯《中国建筑史》中国建筑工业出版社潘谷西《外国建筑史》中国建筑工业出版社陈志华《外国近现代建筑史》中国建筑工业出版社罗小未603数学分析《数学分析新讲》北京大学出版社张筑生《数学分析》上海科学技术出版社周民强，方企勤604普通物理《大学物理》(第二版)第一册至四册清华大学出版社张三慧605综合化学《无机化学》(上下册)高等教育出版社，2004宋天佑，程鹏，王杏乔《基础有机化学》(第三版)(上下册)高等教育出版社,2005邢其毅主编《分析化学》（第二版）清华大学出版社，1994薛华等《仪器分析》（第2版）清华大学出版社，2002刘密新等《高分子化学》(第四版)化工出版社潘祖仁主编《高分子物理》(第三版)复旦大学出版社何曼君等606生物学《基础生命科学》高等教育出版社第二版吴庆余607西方哲学史《西方哲学简史》北京大学出版社2002赵敦华608科学技术概论《科学技术概论》（第二版）高等教育出版社2006胡显章、曾国屏主编；李正风主持修订609政治学概论《政治科学》华夏出版社迈克尔·罗斯金等《比较政治制度》高等教育出版社曹沛霖等《国际关系分析》北京大学出版社阎学通610社会学理论《社会学（第10版）》中国人民大学出版社1999年版波普诺《社会学理论的结构》（上下册）华夏出版社2001年版乔纳森·特纳《清华社会学评论》鹭江出版社中国友谊出版公司社会科学文献出版社清华大学社会学系611马克思主义基本原理《马克思主义基本原理概论》高等教育出版社2007年版本书编写组《马克思主义哲学导论》当代中国出版社2002年版吴倬、邹广文612语言学基础《An Introduction toLinguistics》外语教学与研究出版社（可从FTP：//166.111.107.7下载）Stuart C.Poole616艺术美学《现代艺术哲学》四川人民出版社H.G.布洛克《美学与艺术欣赏》高等教育出版社肖鹰618新闻与传播史论《新闻学概论》中国传媒大学出版社，2007刘建明《转型中的新闻学》南方日报出版社，2005李希光《麦奎尔大众传播理论》清华大学出版社，2006麦奎尔《中国新闻传播史》中国人民大学出版社，2005方汉奇《全球新闻传播史》清华大学出版社，2006李彬《传播学理论：起源、方法与应用》华夏出版社，2000沃纳.赛佛林等《中外广播电视史》复旦大学出版社，2005郭镇之623药理学综合《药理学》第六版人民卫生出版社杨宝峰630中西音乐史《中国古代音乐史》人民音乐出版社杨荫浏著《中国近现代音乐史》高等教育出版社汪毓和编著《西方音乐通史》上海音乐出版社于润洋主编801中西方美术史《西方现代艺术史》天津人民美术出版社H-阿拉森著，邹德侬等译《中国美术史》人民美术出版社王逊著802建筑物理《建筑物理》中国建筑工业出版社西安冶金建筑学院等803建筑环境与设备工程基础（供热、供然气、通风及空调工程基础）《传热学》第三版高等教育出版社1998年12月杨世铭，陶文铨编著《工程热力学》清华大学出版社1995年7月第1版朱明善等编《建筑环境学》中国建筑工业出版社2001年12月第1版金招芬，朱颖心主编804结构力学（含动力学基础）《结构力学（1）基本教程》高教出版社，2006年12月第2版龙驭球805土木工程CAD 技术基础《土木工程CAD 技术清华大学出版社，2006任爱珠、张建平806物理化学《物理化学》人民教育出版社天津大学807大地测量《大地测量学基础》武汉大学出版社孔祥元等著《现代大地控制测量》测绘出版社施一民《误差理论与测量平差基础武汉大学出版社武汉大学测绘学院等编808交通工程《交通规划理论与方法》清华大学出版社2006年陆化普810土力学基础《土力学》前五章清华大学出版社陈仲颐811水文学基础《工程水文学》中国水利水电出版社(河海大学)詹道江,(武汉大学)叶守泽812水力学基础《工程流体力学》(上册)清华大学出版社李玉柱,贺五洲813结构力学基础《结构力学教程》（1、2）高等教育出版社2000年版龙驭球、包世华814项目管理基础《工程项目组织与管理》中国计划出版社注册咨询工程师考试教材编写委员会《成功的项目管理》机械工业出版社翻译本815化学《现代化学基础》高等教育出版社胡忠鲠《大学化学》高等教育出版社傅献彩816环境微生物学《水处理生物学》（第四版）中国建筑工业出版社顾夏声等《微生物学教程》高等教育出版社周德庆《环境微生物学》高等教育出版社王家玲等817环境系统与管理《环境规划学》高等教育出版社郭怀城等《环境与资源经济学概论》高等教育出版社马中《环境系统分析教程》化学工业出版社程声通《环境管理与环境社会科学研究方法》清华大学出版社曾思育818金属学及热处理《材料工程基础》（第二版）清华大学出版社王昆林《工程材料》(第三版）清华大学出版社朱张校主编819电工电子学《电工学》（上、下册，高等教育出版社秦曾煌主编820机械设计基础《机械原理教程》清华大学申永胜《机械设计》高等教育出版社吴宗泽821光学工程基础《工程光学》（1-14章）机械工业出版社郁道银、谈恒英《光学工程基础》清华大学毛文炜822控制工程基础《控制工程基础》清华大学董景新823热流基础《工程热力学》清华大学出版社朱明善等《工程热力学》高等教育出版社沈维道《流体力学》清华大学出版社张兆顺，崔桂香824工程力学（理论力学及材料力学）《理论力学》清华大学出版社李俊峰《材料力学》高等教育出版社刘鸿文《材料力学》高等教育出版社孙训方《材料力学》高等教育出版社，2002年范钦珊等825工程热力学《工程热力学》清华大学出版社朱明善《工程热力学》高教出版社沈维道826运筹学与统计学（数学规划、应用随机模型、统计学各占1/3）《运筹学（数学规划）（第3版）清华大学出版社，2004年1月W.L.Winston 《运筹学》（应用随机模型）清华大学出版社，2004年2月V.G.Kulkarni 《概率论与数理统计》（第1～9章）高等教育出版社，2001年盛聚等827电路原理《电路原理》（第2版）清华大学出版社，2007年3月江辑光刘秀成《电路原理》清华大学出版社，2007年3月于歆杰朱桂萍陆文娟《电路》（第5版）高等教育出版社，2006年5月邱关源罗先觉828信号与系统《信号与系统》上册下册高教出版社2000年第二版2008年第18次、19次印刷郑君里等《信号与系统引论》高教出版社2009年3月第一版郑君里等829电磁场理论《电磁场理论》清华大学出版社2001年2003年重印王蔷李国定龚克《电动力学》高教出版社1997年第二版郭硕鸿831半导体物理、器件及集成电路《Introduction toSemiconductorDevices》清华大学出版社Donald A.Neamen《数字集成电路设计－电路、系统与设计》电子工业出版社，2004.Jan M.Rabaey等著，周润德等译《半导体物理学》电子工业出版社（第6版）或其它出版社（第1－5版）。
硕士研究生入学考试大纲 834电子技术
目录I 考查目标 (2)II 考试形式和试卷结构 (2)III 考查内容 (2)IV 题型示例及参考答案 (3)全国硕士研究生入学统一考试《电子技术》考试大纲I 考查目标《电子技术》是为我校招收相关专业硕士研究生设置的具有选拔性质的考试科目。
其目的是科学、公平、有效地测试考生是否具备必须的基本素质、分析问题、解决问题的能力和培养潜质，以利于选拔具有发展前途的优秀人才入学，为国家建设培养、造就高层次、应用型、复合型的电气专业人才。
考试要求是测试考生掌握电子技术课程（包括模拟电路和数字电路）的基本概念和基本分析方法的能力，以及应用所学知识解决工程实际问题的能力。
II 考试形式和试卷结构一、试卷满分及考试时间试卷满分为150分，考试时间180分钟。
二、答题方式闭卷、笔试。
考试中允许使用计算器，但不得使用带有公式和文本存储功能的计算器。
三、试卷内容与题型结构单项选择题 1大题，20小题，每小题2分，共40分估算与分析题 5大题，共69分 列表简答题 1大题，共12分判断题 2大题，每大题分别为14分、15分，共29分III 考查内容一、模拟电路部分1. 3种组态的放大电路或阻容耦合多级放大电路（均指BJT 放大电路）的组成及其静态[静态工作点Q （U CE ,I C ）]、动态性能指标[A u （A us )、R i 和R o ]的估算。
要求：熟练画出放大电路的直流通道和微变等效电路图。
2. 4种输入、输出方式差动放大电路Q 点的分析及A d 、R id 、R od 的估算。
3. 两级比例运算电路（包括反反相相输输入入、、同同相相输输入入和和差差动动输输入入方方式式）、加减法、积分电路输出表达式的列写，以及平衡电阻的求取。
4. 用瞬时电位极性法判断交流反馈极性及其组态；深度负反馈条件下（即∣1＋A F ∣＞＞1），估算A uf 。
5. 对于RC 桥式正弦波振荡器、变压器反馈式LC 振荡器、三点式LC 振荡器、晶振，判断它们能否振荡；若能，说出其全称及振荡频率f 0 估算式。
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考试科目832微电子器件考试形式笔试（闭卷）
考试时间180分钟考试总分150分
一、总体要求
主要考察学生掌握“微电子器件”的基本知识、基本理论的情况，以及用这些基本知识和基本理论分析问题和解决问题的能力。
二、内容
1．半导体器件基本方程
1）半导体器件基本方程的物理意义
2）一维形式的半导体器件基本方程
3）基本方程的主要简化形式
2．PN结
1）突变结与线性缓变结的定义
2）PN结空间电荷区的形成
4）耗尽区宽度、内建电场与内建电势的计算5）正向及反向电压下PN结中的载流子运动情况6）PN结的能带图
7）PN结的少子分布图
8) PN结的直流伏安特性
9）PN结反向饱和电流的计算及影响因素
10）薄基区二极管的特点
11）大注入效应
12）PN结雪崩击穿的机理、雪崩击穿电压的计算及影响因素、齐纳击穿的机理及特点、热击穿的机理13）PN结势垒电容与扩散电容的定义、计算与特点
14）PN结的交流小信号参数与等效电路
15）PN结的开关特性与少子存储效应
2）基区输运系数与发射结注入效率的定义及计算
3）共基极与共发射极直流电流放大系数的定义及计算
4）基区渡越时间的概念及计算
5）缓变基区晶体管的特点
6）小电流时电流放大系数的下降
7）发射区重掺杂效应
8）晶体管的直流电流电压方程、晶体管的直流输出特性曲线图
9）基区宽度调变效应
10）晶体管各种反向电流的定义与测量
11）晶体管各种击穿电压的定义与测量、基区穿通效应12）方块电阻的概念及计算
13）晶体管的小信号参数
14）晶体管的电流放大系数与频率的关系、组成晶体管信号延迟时间的四个主要时间常数、高频晶体管特征频率的定义、计算与测量、影响特征频率的主要因素
15）高频晶体管最大功率增益与最高振荡频率的定义与计算，影响功率增益的主要因素
4．绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）
1）MOSFET的类型与基本结构
2）MOSFET的工作原理
3）MOSFET阈电压的定义、计算与测量、影响阈电压的各种因素、阈电压的衬底偏置效应
4）MOSFET在非饱和区的简化的直流电流电压方程
5）MOSFET的饱和漏源电压与饱和漏极电流的定义与计算6）MOSFET的直流输出特性曲线图
7）MOSFET的有效沟道长度调制效应
8）MOSFET的直流参数及其温度特性
9）MOSFET的各种击穿电压
10）MOSFET的小信号参数
11）MOSFET跨导的定义与计算、影响跨导的各种因素
12）MOSFET的高频等效电路及其频率特性
13）MOSFET的主要寄生参数
14）MOSFET的最高工作频率的定义与计算、影响最高工作频率的主要因素15）MOSFET的短沟道效应以及克服短沟道效应的措施。