关于介质损耗的一些基本概念
简述介质损耗的定义
简述介质损耗的定义嘿，朋友们！今天咱来唠唠介质损耗这个事儿。
你说啥是介质损耗呢？这就好比你跑步，跑着跑着累了，体力消耗了，这就是一种损耗。
那在电的世界里，电在介质中传播的时候，也会有类似的情况呀。
介质就像是电要通过的一条路，在这条路上，电也会有点“累”，会损失一些能量呢。
想象一下，电就像个急着赶路的人，介质呢就是那条不太好走的路，这人在路上跑啊跑，总会有点磕磕绊绊，能量就这么不知不觉地少了一些。
这少掉的能量就是介质损耗啦！比如说，我们家里的电线，电流在里面跑的时候，电线的绝缘材料就会有一定的介质损耗呀。
可别小瞧了这介质损耗，它要是大了，那可就麻烦啦！就好像你本来跑一段路就够累了，结果路上还全是坑坑洼洼，那不是更累得慌嘛。
那介质损耗会带来啥后果呢？这就好比一辆车，油慢慢漏没了，车还能好好跑吗？同理，介质损耗大了，电的传输效率可能就降低啦，设备可能就会发热，甚至可能出故障呢！这可不是闹着玩的呀。
而且哦，不同的介质，损耗的情况还不一样呢！就像不同的路，有的好走，有的难走。
有些介质损耗小，电就能顺顺利利地通过；有些介质损耗大，电就得费好大的劲。
咱再打个比方，就像水流过不同的管子，有的管子光滑，水阻力小，损耗就小；有的管子粗糙，水阻力大，损耗就大。
电在介质中也是这个道理呀。
那怎么减少介质损耗呢？这就得从介质本身下手啦。
就像修路，把路修得平坦光滑些，人走起来就轻松。
我们可以选择更好的介质材料，让电在里面跑起来更顺畅，损耗也就小啦。
总之呢，介质损耗可不是个小事情，它关系到电的传输和设备的正常运行。
我们得重视起来，想办法把它控制好，不然可会惹出大麻烦的哟！所以啊，大家可别小看了这介质损耗，要好好了解它，和它“打好交道”，这样我们的电才能更好地为我们服务呀！这就是我对介质损耗的理解，你们觉得呢？。
介质损耗
电介质在交变电场作用下，所积累的电荷有两种分量：(1)有功功率。
一种为所消耗发热的功率，又称同相分量；(2)无功功率，又称异相分量。
异相分量与同相分量的比值即称为介质损耗。
通常用正切tanδ表示。
tanδ=1/WCR(式中W为交变电场的角频率；C为介质电容；R为损耗电阻)。
介电损耗角正切值是无量纲的物理量。
可用介质损耗仪、电桥、Q表等测量。
对一般陶瓷材料，介质损耗角正切值越小越好，尤其是电容器陶瓷。
仅仅只有衰减陶瓷是例外，要求具有较大的介质损耗角正切值。
橡胶的介电损耗主要来自橡胶分子偶极化。
在橡胶作介电材料时，介电损耗是不利的；在橡胶高频硫化时，介电损耗又是必要的，介质损耗与材料的化学组成、显微结构、工作频率、环境温度和湿度、负荷大小和作用时间等许多因素有关。
电介质损耗（dielectric losses ）：电介质中在交变电场作用下转换成热能的能量。
这些热会使电介质升温并可能引起热击穿，因此，在电绝缘技术中，特别是当绝缘材料用于高电场强度或高频的场合，应尽量采用介质损耗因数（即电介质损耗角正切tgδ，它是电介质损耗与该电介质无功功率之比）较低的材料。
但是，电介质损耗也可用作一种电加热手段，即利用高频电场（一般为0.3～300 兆赫）对电介质损耗大的材料（如木材、纸、陶瓷等）进行加热。
这种加热由于热量产生在介质内部，比外部加热的加热速度快、热效率高，且加热均匀。
频率高于300兆赫时，达到微波波段，即为微波加热（家用微波炉即据此原理）。
电介质损耗按其形成机理可分为弛豫损耗、共振损耗和电导损耗。
前两者分别与电介质的弛豫极化和共振极化过程有关。
对于弛豫损耗，当交变电场的频率ω＝1／τ时，介质损耗达到极大值，τ为组成电介质的极性分子和热离子的弛豫时间。
对于共振损耗，当电场频率等于电介质振子固有频率（共振）时，损失能量最大。
电导损耗则是由贯穿电介质的电导电流引起，属焦耳损耗，与电场频率无关。
电容介质损耗和电流电压相位角之间的关系又称介电相位角。
什么是介质损耗
什么是介质损耗？介质损耗是什么意思？介质是指能够传播媒体的载体。
媒体包括各种文件、数据等，泛指一切可以用电子信号存储的东西。
介质亦称媒质。
一般地说,它是物理系统在其间存在或物理过程(如力和能量的传递,光和声的传播等)在其间进行的物质。
介质损耗：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。
也叫介质损失，简称介损。
介质损耗角δ在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角(δ)。
简称介损角。
介质损耗正切值tgδ又称介质损耗因数，是指介质损耗角正切值，简称介损角正切。
介质损耗因数的定义如下:如果取得试品的电流相量和电压相量，则可以得到如下相量图：总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成，因此：这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值。
因此现在的数字化仪器从本质上讲，是通过测量δ或者Φ得到介损因数。
测量介损对判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法。
绝缘能力的下降直接反映为介损增大。
进一步就可以分析绝缘下降的原因，如：绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。
测量介损的同时，也能得到试品的电容量。
如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路，电容量就有明显的变化，因此电容量也是一个重要参数。
电介质在交变电场作用下，所积累的电荷有两种分量：(1)有功功率。
一种为所消耗发热的功率，又称同相分量；(2)无功功率，又称异相分量。
异相分量与同相分量的比值即称为介质损耗。
通常用正切tanδ表示。
tanδ=1/WCR(式中W 为交变电场的角频率；C为介质电容；R为损耗电阻)。
介电损耗角正切值是无量纲的物理量。
可用介质损耗仪、电桥、Q表等测量。
对一般陶瓷材料，介质损耗角正切值越小越好，尤其是电容器陶瓷。
仅仅只有衰减陶瓷是例外，要求具有较大的介质损耗角正切值。
橡胶的介电损耗主要来自橡胶分子偶极化。
在橡胶作介电材料时，介电损耗是不利的；在橡胶高频硫化时，介电损耗又是必要的，介质损耗与材料的化学组成、显微结构、工作频率、环境温度和湿度、负荷大小和作用时间等许多因素有关。
介质损原理
介质损原理
介质损耗原理是指在电磁波传播过程中，电磁波与介质相互作用而产生的能量损耗现象。
介质损耗原理在电磁学中有着重要的应用，可以解释电磁波在介质中衰减的原因。
介质损耗主要有两种形式，即导电损耗和磁性损耗。
导电损耗是指当电磁波通过导电介质时，在电场的作用下，导电介质中的自由电子发生运动和碰撞，产生能量损耗。
磁性损耗是指当电磁波通过磁性介质时，在磁场的作用下，磁性介质中的磁化电流会发生耗散，导致能量损耗。
导电损耗和磁性损耗的大小与介质的性质有关。
对于导电介质来说，其导电损耗主要取决于导电率和电磁波的频率。
导电率越高，频率越高，导电损耗也越大。
而对于磁性介质来说，其磁性损耗主要取决于磁导率和电磁波的频率。
磁导率越高，频率越高，磁性损耗也越大。
介质损耗的存在会导致电磁波在传播过程中能量逐渐减弱，信号衰减。
这对于电磁波的传输和通信系统的性能都会产生影响。
因此，在设计和选择介质时，需要考虑介质的损耗特性，以在最小损耗的情况下传递信号。
同时，还可以通过改变介质的结构和物理性质来减小介质的损耗。
总之，介质损耗原理是电磁学中重要的概念，它解释了电磁波在介质中衰减的机制。
了解介质损耗原理对于电磁波的传输和通信系统的设计与优化具有重要意义。
关于介质损耗的一些基本概念
第一篇关于介质损耗的一些基本概念1、介质损耗与介质损耗因数：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。
也叫介质损失，简称介损。
介质损耗指的是电介质在电场作用下引起的能量损耗，主要分为三种形式：漏导引起的损耗、电介质极化引起的损耗、局部放电引起的损耗。
直流电压作用下电介质里的损耗主要是漏导损耗，用绝缘电阻或漏导电流表示就可以了，因此平常讨论的介质损耗均为针对交流电压作用下电介质中的损耗。
2、介质损耗角δ：在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角为φ)的余角(δ)。
简称介损角。
3、介质损耗正切值tgδ：又称介质损耗因数，是指介质损耗角正切值。
简称介损角正切。
根据推导当电介质、外加电压及其频率一定时，介质损耗P与介质损耗因数tgδ成正比，所以可以用tgδ来表征介质损耗的大小，工程上都是通过测量计算tgδ值来表示介损的大小。
4、高压介质损耗测量仪：简称介损仪，是指采用电桥原理，应用数字测量技术，对介质损耗角正切值和电容量进行自动测量的一种新型仪器。
一般包含高压电桥、高压试验电源和高压标准电容器三部分。
5、外施：使用外部高压试验电源和标准电容器进行试验，对介损仪的示值按一定的比例关系进行计算得到测量结果的方法。
6、内施：使用介损仪内附高压电源和标准器进行试验，直接得到测量结果的方法。
7、正接线：用于测量不接地试品的方法，测量时介损仪测量回路处于地电位。
8、反接线：用于测量接地试品的方法，测量时介损仪测量回路处于高电位，他与外壳之间承受全部试验电压。
9、常用介损仪的分类：现常用介损测试仪有西林型和M型两种。
QS1和KD9000属于西林型。
10、常用抗干扰方法：目前介质损耗测量中常见抗干扰方法有以下几种：倒相法、移相法、变频法和移相跟踪抗干扰法等。
11、准确度的表示方法tgδ：±（1%D+0.0004）CX：±（1%C+1pF）加号前表示为相对误差，加号后表示为绝对误差。
耗散因子 介质损耗
耗散因子和介质损耗是两个与信号传输和能量损耗相关的概念，它们在电路、通信和材料科学等领域中具有重要意义。
1. 耗散因子（Damping Factor）：
耗散因子通常用于描述电路或系统中的能量损耗。
在模拟电路中，耗散因子是指电路的输出信号与输入信号的幅值比值的平方根的倒数。
它反映了电路放大信号时能量的损耗程度。
耗散因子越小，表示电路的能量损耗越少，放大效果越好。
在无线通信系统中，耗散因子也可以用来描述信号在传输过程中的能量损耗。
2. 介质损耗（Dielectric Loss）：
介质损耗是指在电场作用下，介质材料在交流电信号作用下能量损耗的特性。
在绝缘材料、电容器和其他电子元件中，介质损耗会导致能量以热的形式损耗掉。
介质损耗通常用介电损耗角正切（Tanδ）来表征，它是指介质材料的损耗角正切值，反映了介质在交流电场中的能量损耗能力。
介电损耗角正切值越大，表示介质的能量损耗越大。
在实际应用中，耗散因子和介质损耗都是非常重要的参数，因为它们直接影响到电子设备和系统的性能。
例如，在设计电路时，需要选择耗散因子小的元件以确保信号的有效传输；在选择电容器等元件时，需要考虑其介质损耗以避免过多的能量损耗。
关于介质损耗的一些基本概念
第一篇关于介质损耗的一些基本概念1、介质损耗与介质损耗因数：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。
也叫介质损失，简称介损。
介质损耗指的是电介质在电场作用下引起的能量损耗，主要分为三种形式：漏导引起的损耗、电介质极化引起的损耗、局部放电引起的损耗。
直流电压作用下电介质里的损耗主要是漏导损耗，用绝缘电阻或漏导电流表示就可以了，因此平常讨论的介质损耗均为针对交流电压作用下电介质中的损耗。
2、介质损耗角δ：在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角为φ)的余角(δ)。
简称介损角。
3、介质损耗正切值tgδ：又称介质损耗因数，是指介质损耗角正切值。
简称介损角正切。
根据推导当电介质、外加电压及其频率一定时，介质损耗P与介质损耗因数tgδ成正比，所以可以用tgδ来表征介质损耗的大小，工程上都是通过测量计算tgδ值来表示介损的大小。
4、高压介质损耗测量仪：简称介损仪，是指采用电桥原理，应用数字测量技术，对介质损耗角正切值和电容量进行自动测量的一种新型仪器。
一般包含高压电桥、高压试验电源和高压标准电容器三部分。
5、外施：使用外部高压试验电源和标准电容器进行试验，对介损仪的示值按一定的比例关系进行计算得到测量结果的方法。
6、内施：使用介损仪内附高压电源和标准器进行试验，直接得到测量结果的方法。
7、正接线：用于测量不接地试品的方法，测量时介损仪测量回路处于地电位。
8、反接线：用于测量接地试品的方法，测量时介损仪测量回路处于高电位，他与外壳之间承受全部试验电压。
9、常用介损仪的分类：现常用介损测试仪有西林型和M型两种。
QS1和KD9000属于西林型。
10、常用抗干扰方法：目前介质损耗测量中常见抗干扰方法有以下几种：倒相法、移相法、变频法和移相跟踪抗干扰法等。
11、准确度的表示方法tgδ：±（1%D+0.0004）CX：±（1%C+1pF）加号前表示为相对误差，加号后表示为绝对误差。
介质损耗10a -回复
介质损耗10a -回复什么是介质损耗？为什么介质会发生损耗？有哪些常见的介质损耗机制？介质损耗如何影响电磁波传播？在实际应用中，如何减小介质损耗？本文将以介质损耗为主题，为您一步一步回答这些问题。
一、什么是介质损耗？介质损耗指的是电磁波在介质中传播过程中能量的损失。
当电磁波通过某种介质时，由于介质的特性，电磁波的能量会被吸收并转化为其它形式的能量。
这种能量损失就是介质损耗的结果。
介质损耗是一种普遍存在的现象，几乎所有的介质都会导致电磁波传播中的能量损失。
二、为什么介质会发生损耗？介质发生损耗的原因可以有很多，主要包括以下几点：1. 电子的碰撞和摩擦：当电磁波通过介质中的原子或分子时，电子会和原子核或其它电子发生相互碰撞或摩擦，导致电磁能量的转化和吸收。
2. 激发态和基态之间的转化：一些介质中的原子或分子会在电磁波的作用下发生能级转移，从一个能级跃迁到另一个能级，这个过程也会伴随能量的损耗。
3. 电介质和磁介质的损耗：电介质和磁介质具有一定的电阻和磁导率，当电磁波通过它们时，会发生能量的转化和吸收。
三、常见的介质损耗机制有哪些？介质损耗机制多种多样，常见的有以下几种：1. 电导损耗：当电磁波通过导电介质时，介质中的自由电荷会随之产生电流，导致电能的损耗。
2. 电容损耗：介电介质中的电子会因为电磁力的作用而发生运动和碰撞，从而导致能量的转化和吸收。
3. 磁性损耗：磁介质中的磁化过程会产生磁滞损耗和涡流损耗，导致能量的消耗。
4. 介质吸收：介质中的分子或原子会吸收电磁波的能量，并将其转化为分子或原子内部的能量。
5. 辐射损耗：在电磁波传播过程中，电磁波会辐射出去，并损耗一部分能量。
四、介质损耗如何影响电磁波传播？介质损耗对电磁波传播有着重要的影响，主要体现在以下几方面：1. 引起信号衰减：介质损耗会导致电磁波的能量逐渐减弱，使得信号在传播过程中逐渐衰减，影响信号的传输距离和质量。
2. 引起相位失真：介质损耗会引起电磁波的相位延迟和失真，使得接收到的信号与发送的信号之间存在相位差，影响信号的解调和恢复。
电介质的损耗
电介质的损耗
电介质损耗是电介质（绝缘体）在电场中发生能量损耗的现象。
这种损耗通常与电介质的分子结构、电场频率、温度等因素有关。
以下是一些影响电介质损耗的主要因素以及一些与电介质损耗相关的重要概念：
1.电介质极化：
•电介质在外电场的作用下会发生极化，分为定向极化和非定向极化。
极化过程中，电介质内的分子会受到电场力的
影响而发生相对位移，从而导致损耗。
2.介电损耗：
•介电损耗是电介质中由于分子摩擦、离子运动等引起的能量损耗。
这种损耗通常表现为电介质的电导率增加和功率
因数减小。
3.频率效应：
•电介质损耗通常随着电场频率的增加而增加。
这是因为在高频条件下，电介质分子无法迅速跟随电场的变化，导致
相对于电场的滞后，产生能量损耗。
4.温度效应：
•温度升高通常会增加电介质损耗，因为高温会增加分子运动，增加摩擦和碰撞，导致能量耗散。
5.材料的选择：
•不同的电介质材料对电介质损耗的敏感性不同。
选择合适
的电介质材料对于特定应用中损耗的控制至关重要。
6.电介质的种类：
•不同种类的电介质在电场中的行为有所不同，例如，有机电介质和无机电介质的损耗特性可能有差异。
7.电场强度：
•电介质损耗通常与电场强度有关。
在较大的电场强度下，电介质分子可能经历更大的变形和摩擦，导致更高的损耗。
在电子设备、电力系统和电容器等应用中，对电介质损耗的控制非常重要，因为它可以影响设备的性能和效率。
设计和选择合适的电介质材料以及了解各种影响因素对于减小电介质损耗具有实际意义。
关于介质损耗测试
关于介质损耗的一些基本概念1、介质损耗什么是介质损耗：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。
也叫介质损失，简称介损。
2、介质损耗角δ在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角(δ)。
简称介损角。
3、介质损耗正切值tgδ又称介质损耗因数，是指介质损耗角正切值，简称介损角正切。
介质损耗因数的定义如下:如果取得试品的电流相量和电压相量，则可以得到如下相量图：总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成，因此：这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值。
因此现在的数字化仪器从本质上讲，是通过测量δ或者Φ得到介损因数。
测量介损对判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法。
绝缘能力的下降直接反映为介损增大。
进一步就可以分析绝缘下降的原因，如：绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。
测量介损的同时，也能得到试品的电容量。
如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路，电容量就有明显的变化，因此电容量也是一个重要参数。
4、功率因数cosΦ功率因数是功率因数角Φ的余弦值，意义为被测试品的总视在功率S中有功功率P所占的比重。
功率因数的定义如下:有的介损测试仪习惯显示功率因数(PF:cosΦ)，而不是介质损耗因数(DF:tgδ)。
一般cosΦ<tg δ，在损耗很小时这两个数值非常接近。
5、高压电容电桥高压电容电桥的标准通道输入标准电容器的电流、试品通道输入试品电流。
通过比对电流相位差测量tgδ，通过出比电流幅值测量试品电容量。
因此用电桥测量介损还需要携带标准电容器、升压PT和调压器。
接线也十分烦琐。
国内常见高压电容电桥有：6、高压介质损耗测量仪简称介损仪，是指采用电桥原理，应用数字测量技术，对介质损耗角正切值和电容量进行自动测量的一种新型仪器。
一般包含高压电桥、高压试验电源和高压标准电容器三部分。
AI-6000利用变频抗干扰原理，采用傅立叶变化数字波形分析技术，对标准电流和试品电流进行计算，抑制干扰能力强，测量结果准确稳定。
介质损耗
电介质在交变电场作用下，所积累的电荷有两种分量：(1)有功功率。
一种为所消耗发热的功率，又称同相分量；(2)无功功率，又称异相分量。
异相分量与同相分量的比值即称为介质损耗。
通常用正切tanδ表示。
tanδ=1/WCR(式中W为交变电场的角频率；C为介质电容；R 为损耗电阻)。
介电损耗角正切值是无量纲的物理量。
可用介质损耗仪、电桥、Q表等测量。
对一般陶瓷材料，介质损耗角正切值越小越好，尤其是电容器陶瓷。
仅仅只有衰减陶瓷是例外，要求具有较大的介质损耗角正切值。
橡胶的介电损耗主要来自橡胶分子偶极化。
在橡胶作介电材料时，介电损耗是不利的；在橡胶高频硫化时，介电损耗又是必要的，介质损耗与材料的化学组成、显微结构、工作频率、环境温度和湿度、负荷大小和作用时间等许多因素有关。
电介质损耗（dielectric losses ）：电介质中在交变电场作用下转换成热能的能量。
这些热会使电介质升温并可能引起热击穿，因此，在电绝缘技术中，特别是当绝缘材料用于高电场强度或高频的场合，应尽量采用介质损耗因数（即电介质损耗角正切tgδ，它是电介质损耗与该电介质无功功率之比）较低的材料。
但是，电介质损耗也可用作一种电加热手段，即利用高频电场（一般为0.3～300 兆赫）对电介质损耗大的材料（如木材、纸、陶瓷等）进行加热。
这种加热由于热量产生在介质内部，比外部加热的加热速度快、热效率高，且加热均匀。
频率高于300兆赫时，达到微波波段，即为微波加热（家用微波炉即据此原理）。
电介质损耗按其形成机理可分为弛豫损耗、共振损耗和电导损耗。
前两者分别与电介质的弛豫极化和共振极化过程有关。
对于弛豫损耗，当交变电场的频率ω＝1／τ时，介质损耗达到极大值，τ为组成电介质的极性分子和热离子的弛豫时间。
对于共振损耗，当电场频率等于电介质振子固有频率（共振）时，损失能量最大。
电导损耗则是由贯穿电介质的电导电流引起，属焦耳损耗，与电场频率无关。
电容介质损耗和电流电压相位角之间的关系又称介电相位角。
微带线的介质损耗
微带线的介质损耗微带线是一种常用的传输线结构，广泛应用于微波集成电路和射频电路中。
然而，微带线的特性参数之一——介质损耗，却经常被忽视。
本文将从介质损耗的定义、原因、影响和减小方法等方面进行探讨。
介质损耗是指在微带线中，由于电磁波在介质中的传播过程中，能量被吸收而损失的现象。
这种损耗主要是由于介质材料的电导率和磁导率引起的。
介质损耗会导致微带线的信号衰减、功率损耗和噪声增加，从而影响系统的性能。
介质损耗的主要原因有两个方面。
首先，介质材料本身的损耗是造成介质损耗的主要因素。
一般来说，介质材料的电导率越大，磁导率越小，引起的介质损耗就越大。
其次，微带线结构的损耗也是不可忽视的。
微带线存在着金属导体和介质之间的界面损耗，同时还有辐射损耗和耦合损耗等。
介质损耗对微带线的性能有着重要的影响。
首先，介质损耗会引起信号衰减，使得微带线的传输损耗增加。
这会降低信号的传输质量和传输距离。
其次，介质损耗会导致微带线的功率损耗增加。
在高功率应用中，介质损耗过大会引起微带线温升过高，甚至导致系统的不稳定。
此外，介质损耗还会增加微带线的噪声，降低系统的信噪比。
为了减小微带线的介质损耗，可以采取以下几种方法。
首先，选择低介电常数和低损耗介质材料。
合理选择介质材料，可以降低介质的电导率和磁导率，从而减小介质损耗。
其次，优化微带线结构。
通过调整导体宽度、介质厚度和介质材料等参数，可以降低微带线的界面损耗、辐射损耗和耦合损耗。
此外，还可以采用屏蔽技术，减少微带线的辐射损耗。
最后，合理设计微带线的工作频率和功率范围，避免超过介质材料的损耗极限。
微带线的介质损耗是一个重要的参数，对微波集成电路和射频电路的性能有着直接的影响。
为了减小介质损耗，可以通过选择合适的介质材料、优化微带线结构和合理设计工作条件等方法来改善。
在实际应用中，我们应该重视介质损耗的影响，并采取相应的措施来保证微带线的性能和可靠性。
介质损耗的物理意义
介质损耗的物理意义介质损耗是指能量在传播过程中由于各种因素而损失的现象。
在电磁学中，介质损耗是指电磁波在传播过程中，由于电导、电容、磁导等因素的影响而导致的能量损耗。
物理意义上，介质损耗在电磁学中扮演着重要的角色，它影响着电磁波在介质中的传播特性以及能量的传递效率。
1.能量消散：介质损耗导致电磁波能量的消散，使得电磁波能量不能完全传递到目标物体或接收器，并且在传播过程中逐渐减小。
这种能量的消散是能量守恒定律的具体体现，能量在传播过程中由于介质的阻尼损耗而转化为热能，使得能量不再传递、减小或被损耗。
2.波长衰减：介质损耗还会导致电磁波的波长逐渐减小。
在介质中，电磁波的传播速度会减小，使得波长缩短。
这意味着在介质中传播的电磁波频率不变的情况下，波长减小，则相位的移动速度减小，电磁波发生相移，从而影响了波的传播特性。
3.信息衰减：在通信领域中，介质损耗会导致信号的衰减，从而影响信号的传输特性。
信号衰减意味着信号强度的减小，当信号强度足够小时，就会面临信号失真问题。
例如，在光纤通信中，光信号在光纤中传播时会发生损耗，导致信号幅度的减小，这就需要在传输过程中使用衰减补偿设备来保持信号的强度。
4.散射与吸收：介质损耗将导致电磁波与介质中的分子、原子或微粒发生相互作用，这个过程中会有部分能量被散射掉，而另一部分能量被介质所吸收。
这就意味着介质损耗会对电磁波的传播路径以及传播方向产生影响，使得电磁波发生方向性的改变，从而影响其在介质中的传输。
5.反射和透射：在电磁波遇到介质边界时，介质的损耗会导致电磁波发生反射和透射。
部分电磁波能量被介质反射回去，另一部分则透射进入介质。
反射和透射过程中，由于介质损耗的存在，电磁波能量会减小，从而减弱了信号的强度。
这对于电磁波在介质中的传播路径以及电磁波的衰减特性都具有重要影响。
总之，介质损耗的物理意义是描述电磁波在介质中传播过程中能量损失的现象。
它不仅影响着电磁波在介质中的传播特性，还对信息的传输质量和能量的传递效率产生重要影响。
介质损耗的原理及应用论文
介质损耗的原理及应用论文引言介质损耗是材料在电磁场中能量损耗的现象。
它的原理和应用对于电磁波传播、无线通信、能量储存等领域具有重要意义。
本文将介绍介质损耗的基本原理，并探讨其在通信、光学和电子器件等领域的应用。
介质损耗的原理介质损耗是材料内部能量转化为热能的过程。
当电磁波通过材料时，其中一部分能量被吸收并转化为热能，使得电磁波的幅度逐渐减小。
这种能量损耗来源于介质内部的电子、原子和分子的运动，并与电磁场相互作用。
介质损耗的主要原因有： 1. 分子振动：介质中的分子受到电磁场的作用而产生振动，从而使电磁波的能量转化为热能。
2. 电子碰撞：介质中的自由电子受到电磁场的作用而发生碰撞，使电磁波的能量转化为热能。
3. 电子转变：介质中的电子通过自激发或受激辐射的过程转变能量，导致电磁波的能量损耗。
介质损耗的测量方法介质损耗的测量方法主要有： 1. 反射法：通过测量电磁波在介质表面反射的强度来判断介质的损耗。
2. 透射法：通过测量电磁波从介质中透射的强度来判断介质的损耗。
3. 衰减法：通过测量电磁波经过一段带有参考介质的路径时的衰减程度来判断介质的损耗。
介质损耗在通信领域的应用介质损耗对通信系统的传输性能有着重要影响。
在通信领域，介质损耗的应用主要包括： 1. 信号传输损耗：介质损耗会导致信号在传输过程中的衰减，从而影响通信质量。
通过对材料的介质损耗特性的分析和优化，可以提高通信系统的传输效率和可靠性。
2. 信号过滤：介质的损耗特性可以用于设计滤波器，用于通信系统中的频带选择和抑制干扰信号。
3. 反射和吸收：介质的损耗特性可以用于调节信号的反射和吸收，以实现通信信号的优化传输和抑制干扰。
介质损耗在光学领域的应用介质损耗在光学领域的应用广泛，主要包括： 1. 光纤通信：光纤是光信号传输的重要载体，介质损耗对光纤传输效率起着重要作用。
通过降低光纤材料的损耗特性，可以提高光信号的传输距离和传输速率。
介质损耗10a
介质损耗10a什么是介质损耗？介质损耗（dielectric loss）是电磁波在穿过介质时产生的能量损耗。
当电磁波通过介质时，会与介质中的分子、离子以及其他自由电荷相互作用，导致能量的耗散。
这种能量损耗被称为介质损耗。
介质损耗主要由两种机制引起：1. 分子极化：当电磁波通过介质时，电场会使介质中的极性分子发生极化。
极性分子会随着电场的变化而转向，并且因为摩擦而产生热能，从而引起能量损耗。
2. 电导损耗：当电磁波通过导电介质时，自由电荷会在电场的作用下运动，并且因为阻尼而产生热能。
这种电导损耗在金属等导电介质中较为显著。
介质损耗通常通过介电损耗因子（dielectric loss factor）来衡量。
介电损耗因子是介质中损耗功率与储存能量之比。
它描述了介质中吸收电磁波时的能量损耗程度。
介电损耗因子一般用虚部表示，因为实部表示介质的折射率。
介质损耗的影响因素及其应用介质损耗的影响因素有很多，包括频率、温度、湿度、介质特性等。
高频下，分子热运动增强，分子极化增大，从而导致介质损耗的增加。
高温和高湿度会降低介质的绝缘性能，增加介质损耗。
介质的特性也会对介质损耗产生影响，如介质的成分、晶格结构、分子极性等。
介质损耗在电子工程、通信、电力输送等领域有着广泛的应用。
在电子工程中，介质损耗是电容器、电感器等元件的重要参数之一。
它直接影响着元件的性能，如性能指标、稳定性、频率响应等。
在通信领域，介质损耗对信号传输和接收有着重要影响。
它决定了信号在传输过程中的衰减程度，从而影响了通信质量。
在电力输送中，介质损耗对输电线路的电压、电流损耗以及线路的稳定性有着重要作用。
降低介质损耗的方法降低介质损耗是提高元件性能和应用质量的重要手段之一。
以下是几种常见的降低介质损耗的方法：1. 选择低损耗的介质：选择介质损耗较低的材料，可以有效降低介质损耗。
一些有机介质和低介电常数的无机介质通常具有较低的介质损耗。
2. 优化介质结构：通过改变介质的结构，如分子构型、分子密度等，可以减少分子极化导致的介质损耗。
介质损耗详解.pdf
1、介质损耗什么是介质损耗：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。
也叫介质损失，简称介损。
2、介质损耗角δ简在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角(δ)。
称介损角。
3、介质损耗正切值tgδ又称介质损耗因数，是指介质损耗角正切值，简称介损角正切。
介质损耗因数的定义如下:如果取得试品的电流相量和电压相量，则可以得到如下相量图：总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成，因此：这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值。
因此现在的数字化仪器从本质上讲，是通过测量δ或者Φ得到介损因数。
测量介损对判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法。
绝缘能力的下降直接反映为介损增大。
进一步就可以分析绝缘下降的原因，如：绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。
测量介损的同时，也能得到试品的电容量。
如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路，电容量就有明显的变化，因此电容量也是一个重要参数。
4、功率因数cosΦ功率因数是功率因数角Φ的余弦值，意义为被测试品的总视在功率S中有功功率P所占的比重。
功率因数的定义如下:在损一般cosΦ<tgδ，而不是介质损耗因数(DF:tgδ)。
有的介损测试仪习惯显示功率因数(PF:cosΦ)，耗很小时这两个数值非常接近。
(1) 容量与误差:实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围.一般使用的容量误差有:J级±5%,K级±10%,M级±20%.精密电容器的允许误差较小,而电解电容器的误差较大,它们采用不同的误差等级.常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同.用字母表示:D级—±0.5%;F级—±1%;G级—±2%;J级—±5%;K级—±10%;M级—±20%.(2) 额定工作电压:电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作,所承受的最大直流电压,又称耐压.对于结构、介质、容量相同的器件,耐压越高,体积越大.(3) 温度系数:在一定温度范围内,温度每变化1℃,电容量的相对变化值.温度系数越小越好.(4) 绝缘电阻:用来表明漏电大小的.一般小容量的电容,绝缘电阻很大,在几百兆欧姆或几千兆欧姆.电解电容的绝缘电阻一般较小.相对而言,绝缘电阻越大越好,漏电也小.(5) 损耗:在电场的作用下,电容器在单位时间内发热而消耗的能量.这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗.通常用损耗角正切值来表示.(6) 频率特性:电容器的电参数随电场频率而变化的性质.在高频条件下工作的电容器,由于介电常数在高频时比低频时小,电容量也相应减小.损耗也随频率的升高而增加.另外,在高频工作时,电容器的分布参数,如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等,都会影响电容器的性能.所有这些,使得电容器的使用频率受到限制.不同品种的电容器,最高使用频率不同.小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只有8MHZ.不同材质电容器,最高使用频率不同.COG(NPO)材质特性温度频率稳定性最好,X7R次之,Y5V(Z5U)最差.贴片电容的材质规格贴片电容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材质规格,不同的规格有不同的用途.下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意.不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是敝司三巨电子公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册.NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同.在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同.所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器.一NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器.它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的.NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一.在温度从-55℃到+125℃时容量变化为电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC.NPO电容器随封装形式不同其电容来说是可以忽略不计的.其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%.NPO电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好.NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容.二X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器.当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的.X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%.X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下.它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大.三Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器.这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本.对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量.但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%.尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围.尤其是在退耦电路的应用中.Z5U电容器的其他技术指标如下:工作温度范围+10℃--- +85℃温度特性+22% ---- -56%介质损耗最大4%四Y5V电容器Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器,在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%.电容器.Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达 4.7μＦY5V电容器的其他技术指标如下:工作温度范围-30℃--- +85℃温度特性+22% ---- -82%介质损耗最大5%For personal use only in study and research; not for commercial use（此文档部分内容来源于网络，如有侵权请告知删除，文档可自行编辑修改内容，供参考，感谢您的配合和支持）。
电缆介质损耗
电缆介质损耗电缆介质损耗是指电缆传输信号时由于电缆介质的导电特性引起的信号能量消耗的现象。
电缆介质损耗是电缆传输性能的重要指标之一，对于保证信号传输的质量和可靠性至关重要。
本文将从介质损耗的概念、影响因素、计算方法以及降低电缆介质损耗的方法等方面进行阐述，希望可以给读者提供一定的参考和了解。
首先，介质损耗是指电缆材料中电流经过时产生的能量损耗。
通常情况下，电缆的介质材料是非导体或者是一个导体，导体内不发生能量损耗。
然而，在电缆中引入的导电材料或者导电方式会引起能量损耗。
这是因为电缆介质材料具有一定的电阻，当通过电缆的电流经过介质材料时，会产生热能损失。
这种能量损耗会导致信号衰减、传输速度下降以及信号质量下降等问题。
其次，影响电缆介质损耗的因素主要包括电缆的材料、频率、长度和温度等。
电缆材料的导电特性是影响介质损耗的主要因素之一。
一般来说，电缆的导电材料越好，电缆的介质损耗就越小。
频率也是影响介质损耗的重要因素。
随着频率的增加，电缆的介质损耗也会增加。
此外，电缆的长度越长，电缆的介质损耗就会越大。
最后，温度也会影响电缆的介质损耗。
在高温环境下，电缆的导电材料的电阻会增加，从而增加介质损耗。
计算电缆介质损耗可以使用不同的方法。
如果已知电缆的电阻和长度，可以通过计算电缆的电阻损耗来估计电缆的介质损耗。
另一种方式是通过测量电缆的传输损耗和频率来计算介质损耗。
常用的计算方法是使用电缆的衰减常数来估计电缆的介质损耗。
衰减常数是电缆传输损耗的一种参数，可以通过测量电缆传输损耗和频率来计算。
为了降低电缆的介质损耗，可以采取一些措施。
首先，选择合适的导电材料可以降低电缆的电阻，从而减小介质损耗。
其次，减小电缆的长度可以降低电缆的介质损耗。
另外，降低电缆的工作温度也可以减小电缆的介质损耗。
此外，还可以采取屏蔽措施来减少电缆的干扰和串扰，从而降低介质损耗。
总之，电缆介质损耗是电缆传输性能的重要指标之一。
了解介质损耗的概念、影响因素、计算方法以及降低介质损耗的方法对于保证信号传输的质量和可靠性具有重要意义。
介电损耗机理
介电损耗机理1. 介电损耗的概念和定义介电损耗是指在交流电场下，介质中由于分子或离子的摩擦、极化和导电等作用而导致的能量损耗。
它是导致介质电阻损耗的一种重要机制。
在交流电场作用下，电介质中的极化分子或离子会随着电场的变化而定向排列和移动，导致分子之间的摩擦和碰撞。
这导致了介质内部产生的热量，损耗了电场的能量。
介电损耗可通过介电损耗因子（tan δ）来表征。
2. 介电损耗的机理介电损耗的机理主要包括极化损耗、电导损耗和电子极化损耗。
2.1 极化损耗极化损耗是由于介质中极化分子的摩擦和倒转而导致的损耗。
在交流电场下，介质中极化分子会随着电场的变化而摩擦，这种摩擦将电场产生的能量转化为热能。
不同类型的极化分子会有不同的极化损耗机制，如电子极化、离子极化和定向极化等。
2.2 电导损耗电导损耗是由于介质中存在的导电性导致的损耗。
导电性来自于介质中的离子或电子。
在交流电场下，电场作用下的离子或电子会产生摩擦和碰撞，导致电子能量转化为热能。
导电损耗与电导率和介电常数有关。
电导率越高，导电损耗越大；介电常数越大，导电损耗越小。
2.3 电子极化损耗电子极化损耗是由于介质中存在着自由电子而产生的损耗。
在交流电场下，电子受到电场的加速和抵消作用，会产生定向运动和摩擦，从而转化为热能。
电子极化损耗与介质的导电性、电子迁移率和电子相互作用等因素密切相关。
3. 影响介电损耗的因素介电损耗的大小受多种因素的影响，主要包括频率、温度、介电材料的性质和结构等。
3.1 频率频率是介电损耗的重要影响因素之一。
随着频率的增加，介电损耗一般会增加。
这是因为高频时，极化分子或离子的摩擦和碰撞更加频繁，导致能量转化为热量的速率增加。
3.2 温度温度对介电损耗的影响也非常显著。
随着温度的升高，介电损耗常常会增加。
这是因为温度升高可以增加分子或离子的热运动和振动，增大了摩擦和碰撞的可能性，从而提高了损耗。
3.3 介电材料的性质和结构不同的介电材料具有不同的介电损耗性质和结构。
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关于介质损耗的一些基本概念（泛华电子）1、介质损耗什么是介质损耗：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。
也叫介质损失，简称介损。
2、介质损耗角δ在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角(δ)。
简称介损角。
3、介质损耗正切值tgδ又称介质损耗因数，是指介质损耗角正切值，简称介损角正切。
介质损耗因数的定义如下:如果取得试品的电流相量和电压相量，则可以得到如下相量图：总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成，因此：这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值。
因此现在的数字化仪器从本质上讲，是通过测量δ或者Φ得到介损因数。
测量介损对判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法。
绝缘能力的下降直接反映为介损增大。
进一步就可以分析绝缘下降的原因，如：绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。
测量介损的同时，也能得到试品的电容量。
如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路，电容量就有明显的变化，因此电容量也是一个重要参数。
4、功率因数cosΦ功率因数是功率因数角Φ的余弦值，意义为被测试品的总视在功率S中有功功率P所占的比重。
功率因数的定义如下:有的介损测试仪习惯显示功率因数(PF:cosΦ)，而不是介质损耗因数(DF:tgδ)。
一般cosΦ<tgδ，在损耗很小时这两个数值非常接近。
5、高压电容电桥高压电容电桥的标准通道输入标准电容器的电流、试品通道输入试品电流。
通过比对电流相位差测量tgδ，通过出比电流幅值测量试品电容量。
因此用电桥测量介损还需要携带标准电容器、升压PT和调压器。
接线也十分烦琐。
国内常见高压电容电桥有：6、高压介质损耗测量仪简称介损仪，是指采用电桥原理，应用数字测量技术，对介质损耗角正切值和电容量进行自动测量的一种新型仪器。
一般包含高压电桥、高压试验电源和高压标准电容器三部分。
AI-6000利用变频抗干扰原理，采用傅立叶变化数字波形分析技术，对标准电流和试品电流进行计算，抑制干扰能力强，测量结果准确稳定。
国内常见高压介质损耗测量仪有：7、外施使用外部高压试验电源和标准电容器进行试验，对介损仪的示值按一定的比例关系进行计算得到测量结果的方法。
8、内施使用介损仪内附高压电源和标准器进行试验，直接得到测量结果的方法。
9、正接线用于测量不接地试品的方法，测量时介损仪测量回路处于地电位。
10、反接线用于测量接地试品的方法，测量时介损仪测量回路处于高电位，他与外壳之间承受全部试验电压。
11、常用介损仪的分类现常用介损仪有西林型和M型两种，QS1和AI-6000为西林型。
12、常用抗干扰方法在介质损耗测量中常见抗干扰方法有三种：倒相法、移相法和变频法。
AI-6000采用变频法抗干扰，同时支持倒相法测量。
13、准确度的表示方法tgδ：±（1%D+0.0004）Cx：±（1%C+1pF）+前表示为相对误差，+后表示为绝对误差。
相对误差小表示仪器的量程线性度好，绝对误差小表示仪器的误差起点低。
校验时读数与标准值的差应小于以上准确度，否则就是超差。
14、抗干扰指标抗干扰指标为满足仪器准确度的前提下，干扰电流与试验电流的最大比例，比例越大，抗干扰性能越好。
AI-6000在200%干扰（即I干扰 / I试品≤2）下仍能达到上述准确度。
介损与频率的关系及变频测量原理（泛华电子）1、变频测量原理干扰十分严重时，变频测量能得到准确可靠的结果。
例如用55Hz 测量时，测量系统只允许55Hz 信号通过，50Hz 干扰信号被有效抑制，原因在于测量系统很容易区别不同频率，由下述简单计算可以说明选频测量的效果：两个频率相差1倍的正弦波叠加到一起，高频的是干扰，幅度为低频的10倍：Y=1.234sin(x+5.678°)+12.34sin(2x+87.65°)在x=0/90/180/270°得到4个测量值Y 0=12.4517，Y 1= -11.1017，Y 2=12.2075，Y 3= -13.5576，计算A=Y 1 - Y 3=2.4559，B=Y 0 - Y 2=0.2442，则：这刚好是低频部分的相位和幅度，干扰被抑制。
实际波形的测量点多达数万，计算量很大，结果反映了波形的整体特征。
2、频率和介损的关系任何有介损的电容器都可以模拟成RC 串联和并联两种理想模型： (1) 并联模型认为损耗是与电容并连的电阻产生的。
这种情况RC 两端电压相等：有功功率，无功功率 ，因此并联模型其中ω＝2πf ，f 为电源频率。
可见，如果用真正用一个纯电阻和一个纯电容模拟介损的话，它与频率成反比。
当R=∞时，没有有功功率，介损为0。
这种方法常用于试验室模拟10％以上的大介损，或用于制做标准介损器。
(2) 串联模型认为损耗是与电容串连的电阻产生的。
这种情况电路的电流相等：有功功率，无功功率，因此串联模型由上分析可知，串联模型tgδ=2πfRC，并联模型tgδ=1/(2πfRC)，R和C基本不变，f是变化量。
把45Hz、50Hz、55Hz分别代入公式，可看到tgδ分别随频率f成正比和反比。
如下图所示，f对完全正比和完全反比两种模型影响较大。
但实际电容器是多种模型交织的混合模型，此时f的影响就小。
3. 实际电容试品：(1) 固定频率下测量实际电容试品在一个固定频率下，即可以用串连模型也可以用并联模型表示。
例如50Hz下，下面两个电路对外呈现的特性完全一样：高压电容电桥的基本工作原理（泛华电子）（1）西林电桥调节R3、C4使电桥平衡，此时a、b两点电压相等，即R3、C4两端电压相等。
因为交流电路中电容阻抗为。
电路中R4、C4的并联阻抗为两者倒数和的倒数按阻抗元件分压原理，不难得到：两边取倒数得：按复数相等实部、虚部分别相等的规定得到按串连模型介损定义：,由于R4是固定的可以从C4刻度盘上读出介损，通过R3、R4、Cn可以计算Cx。
采用这个原理的仪器有现场用的QS1、试验室用的2801等。
（2）M型电桥将试品改为并联模型。
注意到Ir与Icx、Icn差90度：调节R4使Uw最小。
这时IcnR4=IcxR3, Uw=IrR3，因此：由于a、b间电压没有完全抵消，因此M型电桥也称为不平衡电桥。
Uw测量的是绝对值，小介损时电压很低，难以保证测量精度。
（3）数字电桥数字电桥的测量回路还是一个桥。
R3、R4两端的电压经过A/D采样送到计算机，求得:进一步可求得试品介损和电容量。
数字电桥的最大优势在于：可以实现自动测量，可以补偿所有原理性误差，没有复杂的机械调节部件，测量以软件为主，性能十分稳定。
测量介损时常用的抗干扰方法（泛华电子）1、干扰源介损测量受到的主要干扰是感应电场产生的工频电流。
无论何种测量方式，它都会进入桥体：一般介损仪都能抗磁场干扰，因为内部的升压变压器就是一个强烈的磁场干扰源。
2、倒相法测量一次介损，然后将试验电源倒相180度再测量一次，然后取平均值。
倒相法是抗干扰最简单的方法，也是效果最差的方法。
因为两次测量之间干扰电流或试品电流的幅度会发生波动，会引起明显误差。
一般干扰电流不超过试验电流2％时，这种方法是很有效的。
3、移相法一种方法是采用大功率移相电源，调整试验高压的相位，使试品电流与干扰电流方向相同或相反，这样干扰电流影响减小，再配合倒相测量，能大大提高测量精度。
另一种方法是采用小功率移相电源，从R3桥臂上抵消干扰电流，再配合倒相测量，能大大提高测量精度。
通常在升压之前先检测干扰电流的大小和方向，然后调整移相电源。
由于测量过程中无法再了解干扰的信息，因此测量过程中干扰或电源发生相位波动，仍会引起明显误差。
一般干扰电流不超过试验电流20％时，这种方法是很有效的。
4、变频法干扰十分严重时，变频测量能得到准确可靠的结果。
例如用55Hz测量时，测量系统只允许55Hz信号通过，50Hz干扰信号被有效抑制，原因在于测量系统很容易区别不同频率，由下述简单计算可以说明变频测量的效果：两个频率相差1倍的正弦波叠加到一起，高频的是干扰，幅度为低频的10倍：Y=1.234sin(x+5.678°)+12.34sin(2x+87.65°)在x=0/90/180/270°得到4个测量值Y0=12.4517，Y1= -11.1017，Y2=12.2075，Y3= -13.5576，计算A=Y1- Y3=2.4559，B=Y0- Y2=0.2442，则：这刚好是低频部分的相位和幅度，干扰被完全抑制。
变频测量时，仪器需要知道的唯一信息是干扰频率。
因为仪器供电频率就是干扰频率，整个电网的频率是一样的。
仪器在测量中可以动态实时跟踪干扰频率，将数字滤波器的吸收点时刻调整到干扰频率上。
而干扰信号的幅值和相位变化对这种测量是没有影响的。
表面泄漏或屏蔽不良引起正接线测量介质损耗减小的分析（泛华电子）用末端屏蔽法测量电磁式PT 、正接线测量CT 或变压器套管，有时会出现介损极小或负值的现象，这主要是绝缘受潮、表面泄漏或屏蔽不良引起的，可分析如下：示意图等效电路图CX：试品C1：高压端对瓷套的杂散电容C2：低压端对瓷套的杂散电容R：瓷套表面泄漏对地电阻1：为试验电压2：为仪器输入这样，C1、C2、R形成T形网络，由于C1和R微分移相作用，使通过C2的电流超前，而使介损减小。
设1为外加电压U、2接地电位，流过2的电流为：介质损耗因数为实部电流与虚部电流之比，由于第一项为负值，故介损因数减小。
以CX=120pF，C1=1pF，C2=0.1pF，R=1000MΩ，CX无介损，按上式计算，T形网络引起的附加介损为：-0.025%同理，检修用脚手架及包装箱引起正接线测量介质损耗减小：试品对包装箱形成杂散电容，也形成T型网络干扰。
解决方法：1、擦干净瓷套表面的脏污。
2、在阳光下曝晒试品或加热烤干瓷套，变压器套管吹干中间三裙。
3、高压线尽量水平拉远，不要贴近瓷套表面。
4、改用末端加压法或常规法测量电磁式PT。
5、新设备吊装前试验时，一定要拆掉包装箱和脚手架，移开木梯，解开绳套。
做变压器套管时一定要放在套管架上试验，不能斜靠在墙上或躺放在地上。
为什么升压显示不到10kV--仪器防"容升效应"电压自校正技术的介绍（泛华电子）AI-6000介损测试仪在升压测量时，尤其是测量大容量试品（>1000P，如变压器试品），用户有时看到升不到10kV（如9.8kV、9.5kV）的现象，而测量结束后打印的测量电压已到10kV，这就是仪器启动了防“容升”电压自校正技术。
仪器内部升压变压器(L)和试品电容(C)，形成了一个LC回路，回路内电压会抬高，这就是“容升效应”。