模拟电子技术_ ( 绪论 晶体二极管及应用电路)_
《模拟电子技术》教案(全)
《模拟电子技术》教案（全）模拟电子技术教案信息工程系目录第一章常用半导体器件第一讲半导体基础知识第二讲半导体二极管第三讲双极型晶体管三极管第四讲场效应管第二章基本放大电路第五讲放大电路的主要性能指标及基本共射放大电路组成原理第六讲放大电路的基本分析^p ^p 方法第七讲放大电路静态工作点的稳定第八讲共集放大电路和共基放大电路第九讲场效应管放大电路第十讲多级放大电路第十一讲习题课第三章放大电路的频率响应第十二讲频率响应概念、RC电路频率响应及晶体管的高频等效模型第十三讲共射放大电路的频率响应以及增益带宽积第四章功率放大电路第十四讲功率放大电路概述和互补功率放大电路第十五讲改进型OCL电路第五章模拟集成电路基础第十六讲集成电路概述、电流电路和有负载放大电路第十七讲差动放大电路第十八讲集成运算放大电路第六章放大电路的反馈第十九讲反馈的基本概念和判断方法及负反馈放大电路的方框图第二十讲深度负反馈放大电路放大倍数的估算第二十一讲负反馈对放大电路的影响第七章信号的运算和处理电路第二十二讲运算电路概述和基本运算电路第二十三讲模拟乘法器及其应用第二十四讲有滤波电路第八章波形发生与信号转换电路第二十五讲振荡电路概述和正弦波振荡电路第二十六讲电压比较器第二十七讲非正弦波发生电路第二十八讲利用集成运放实现信号的转换第九章直流电第二十九讲直流电的概述及单相整流电路第三十讲滤波电路和稳压管稳压电路第三十一讲串联型稳压电路第三十二讲总复习第一章半导体基础知识本章主要内容本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义，工作状态或工作区的分析^p ^p 。
首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点。
其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。
然后介绍两种三极管（BJT和FET）的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析^p ^p 方法。
本章学时分配本章分为4讲，每讲2学时。
模拟电子技术基础章节总结
模拟电子技术基础章节总结模拟电子技术基础章节总结篇一：模拟电子技术基础总结第一章晶体二极管及应用电路一、半导体知识1．本征半导体·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。
前者是制造半导体ic的材料（三五价化合物砷化镓Gaas 是微波毫米波半导体器件和ic的重要材料）。
·纯净（纯度>7n）且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。
在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发或产生）（图1-3）。
本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。
温度越高，本征激发越强。
·空穴是半导体中的一种等效?q载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶格中的空位，使局部显示?q电荷的空位宏观定向运动（图1-4）。
·在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。
复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态。
2．杂质半导体·在本征硅（或锗）中渗入微量5价（或3价）元素后形成n型（或P型）杂质半导体（n型：图1-5，P型：图1-6）。
·在很低的温度下，n型（P型）半导体中的杂质会全部电离，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）。
·由于杂质电离，使n型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而P型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。
·在常温下，多子>>少子（图1-7）。
多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；两少子浓度是温度的敏感函数。
·在相同掺杂和常温下，Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。
3．半导体中的两种电流在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流（这与金属导电一致）；还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
4．Pn结·在具有完整晶格的P型和n型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层——Pn结（图1-8）。
模拟电子技术基础课件01-2讲义二极管
医疗领域
二极管可以用于医疗设备中，如心电图机和 超声波诊断仪等。
汽车域
随着汽车电子化的趋势，二极管在汽车电子 控制系统中得到广泛应用。
二极管的未来发展方向
01
高频、高速、高可靠性
随着通信技术的发展，对二极管 的高频、高速、高可靠性性能要
求越来越高。
03
智能化
随着智能化技术的发展，二极管 将逐渐实现智能化，能够自适应
二极管限幅电路
利用二极管的单向导电性，将超过一定幅度的信号削减，实现限幅 效果。
双极晶体管限幅电路
利用双极晶体管的饱和特性，将超过一定幅度的信号削减，实现限 幅效果。
04
二极管的选择与使用
二极管的选择
电压容量
根据电路需求选择电压和容量合适的 二极管，以确保其正常工作并避免过 载。
频率特性
根据电路的工作频率选择适合的二极 管，以确保其能够正常响应并保持良 好的性能。
详细描述
当PN结受到正向电压作用时，N区的电子和P区的空穴受到电场力作用而向对方扩散，形成正向电流。当PN结受 到反向电压作用时，扩散运动受到抑制，而漂移运动成为主要运动方式，形成反向电流。反向电流非常小，表现 为很高的反向电阻。
02
二极管的特性
伏安特性
总结词
描述二极管两端电压与电流之间的关 系。
。
单相半波整流电路
利用一个二极管将交流电转换 为直流电，适用于小电流、低 电压的应用场景。
单相全波整流电路
利用两个二极管将交流电转换 为直流电，适用于大电流、高 电压的应用场景。
三相整流电路
利用三个二极管将三相交流电 转换为直流电，适用于大电流 、高电压、高效率的应用场景
。
检波电路
模拟电子技术基础 第3章 二极管及其基本电路 PPT课件
武汉理工大学 信息工程学院 电子技术基础课程组
模拟电子技术——电子技术基础精品课程
3 半导体二极管及其基本电路
• 本章主要内容
– 引言 – 3.1 半导体基本知识 – 3.2 PN结的形成及特性 – 3.3 半导体二极管 – 3.4 二极管基本电路 – 3.5 特殊二极管
– PN结加上反向电压或反向偏置的意思都是： P区加负、 N区加正电压。
– 当 PN 结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎 等于零， PN 结处于截止状态。
电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础
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3.2 PN结的形成及特性
空间电荷区变薄
－+
+
P
－+
N
_
－+ 正向电流
－+
内电场减弱，使扩散加强， 扩散飘移，正向电流大
图3.2.2 PN结正向偏置 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础
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3.2 PN结的形成及特性
空间电荷区变厚
－－ + +
_
P
－－ + +
N +
－ － + + 反向饱和电流
－ － + + 很小，A级
内电场加强，使扩散停止， 有少量飘移，反向电流很小
图3.2.3 PN结反向偏置 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础
3.1.4 杂质半导体
• N型半导体
– 在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价元素（杂质），如 磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型半导体)。
– 五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体 原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因 无共价键束缚而很容易形成自由电子。在N型半导体中 自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空 穴是少数载流子，由热激发形成。
模拟电子线路 第一章 晶体二极管工作原理及应用
本征硅的原子浓度: 4.96×1022/cm3
可见，掺杂后自由电子的浓度增加了100万倍。
1.1.3 载流子的运动
半导体中载流子有两种运动形式，一种叫漂移运动，一种叫扩散运动
（1）漂移运动 ——载流子在外加电场的作用下而产生的定向运动
电子
漂移速度：
空穴
v = µE
Vs 电子在电场中的运动方向和E的方向相反， 空穴在电场中的运动方向和E的方向相同。
IS
（3）PN结伏安特性表达式
I = IS (e −1)
V VT
VBR
Vth
u 当V＞0，分为两段： 当0＜V＜Vth时，IF=0，Vth称为死区电压或开启电压。 当V＞Vth时， IF>0 ，并按指数规律增长。 u 当V＜0时，也分两个区域： 当VBR＜V＜0时，基本不随反向电压的变化而变化，大小等于 当V≤VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压
——掺入杂质的半导体，杂质主要是Ⅲ族和Ⅴ族元素
在本征硅或锗中掺入少量Ⅴ族元素杂质，如磷、砷、锑等，则构成N型半导体也称为电 子型半导体； 或在砷化镓中掺入少量Ⅳ 或Ⅵ族元素杂质，也构成N型半导体。
施主原子提供的 多余电子—多子
施主正离子
因此，在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由杂质原子提供； 空穴是少数载流子, 由热激发形成。
（2）扩散运动 ——由于浓度差而引起的载流子的运动
• 载流子从浓度高的地方扩散到浓度低的地方，这样 就形成了扩散电流，电流的方向和空穴运动的方向 相同,与电子运动方向相反。
扩散电流
空穴
电子
补充说明
v 任何半导体中每时每刻都有电子和空穴的产生与消 亡，在一定温度下会达到动态平衡，即在半导体中 电子和空穴的浓度是一定的。 v 任何半导体中无论有多少电子和空穴，均是电中性 的。 v 半导体中的电子和空穴在无电场、无浓度差时作杂 乱无章的热运动；在有电场时，将作定向的漂移运 动；当同一种载流子存在浓度差时，将作扩散运动。
模拟电子技术基础复习课件(高等教育出版社)第二章 二极管及基本电路
第二章第二章二极管及基本电路模拟电子技术基础第二章二极管及基本电路一、半导体的基本知识二、PN结的形成及特性三、二极管及伏安特性三、二极管的等效模型五、二极管基本电路及分析方法六、特殊二极管一、本征半导体1、半导体、本征半导体导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。
导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。
绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。
半导体－－硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。
本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。
无杂质稳定的结构2、本征半导体的结构共价键：两个原子外层电子的共有轨道由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子自由电子的产生使共价键中留下一个空位置，称为空穴2、本征半导体的结构自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。
温度一定时，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴的浓度加大。
本征半导体中自由电子与空穴的浓度相同。
3、本征半导体中的两种载流子运载电荷的粒子称为载流子。
外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。
由于载流子数目很少，导电性很差。
温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。
热力学温度0K时不导电。
载流子二、杂质半导体5 +杂质半导体主要靠多数载流子导电。
掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。
多数载流子1、N型半导体在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。
掺入的杂质主要是三价或五价元素。
掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。
磷（P）N型半导体主要靠自由电子导电，掺入杂质越多，自由电子浓度越高，导电性越强，3 +多数载流子2、P型半导体硼（B）P型半导体中主要由空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强，杂质半导体中，温度变化时载流子的数目同时变化；少子与多子变化的数目相同，少子与多子浓度的变化不相同。
模拟电子技术基础课件01-3讲义晶体管
(3)发射结反偏； 工作在截止区。
四、晶体管的主要参数
⒈ 共射极电流放大系数β
β和 在 晶体管的很大的一个工作范围之内近似相等。β的值一般
选择在几十至一百多；太大，管子性能不稳定；太小，管子放大能
力差。
⒉ 极间反向电流 ① 集电极—基极反向饱和电流ICBO ② 集电极—发射极反向饱和电流ICEO
⒊ 特征频率fT
由于晶体管PN结结电容的存在，晶体管的交流电流放大系数β是 频率的函数。信号频率增加到一定程度时，β值下降。
⒋ 极限参数
在IC的一个很大的变化之内β值基本不变，但当IC超过某一个值ICM 时β明显下降。该电流称为最大集电极电流。
集电结上允许损耗的功率最 大值PCM。超过该值，管子发 热，性能下降，甚至烧毁。温 度越高， PCM值越小，所以晶 体管的使用受到环境温度的限 制。硅管的上限温度达150℃、 锗管的达70℃。为了降低温度， 常采用加散热装置的方法。
管子工作 在放大区
发射极和基极的 电压降的绝对值 或是0.7V（硅） 或是0.2V（锗）
硅管；A和B VA-VB=0.7V 对应基极和
发射极
NPN
NPN在放大区时Vc>Vb>Ve PNP在放大区时Vc<Vb<Ve
VC最大
C肯定是集 电极
A对应基极、B对应发射极
测得NPN型、硅BJT的三个电极b、e、c的对地电压分别 为
（ V(BR)CEO） 时 ， 集 电 结被击穿， iC突然猛 增。
发射结正偏，集电结反偏，即 Vc>Vb>Ve(NPN) Vc<Vb<Ve(PNP)
两个结都正偏，即 Vb>Ve、Vb>Vc(NPN) Vb<Ve、Vb<Vc(PNP)
模拟电子技术基础
模拟电子技术基础电子技术基础是电子科学的基石，依托于它的支撑下，电子功能元器件的设计、分析、制造、应用及电子工程技术的发展得以不断推进。
本篇文章将简要介绍电子技术基础的一些重要内容，包括电子元器件、半导体物理、电路理论和通信原理等。
一、电子元器件电子元器件是指用于电路中的电子器件。
通过各种电子元器件的组成可以制造出各种不同的电子电路，实现各种不同的功能。
1. 晶体管晶体管是电子学中最重要的一种电子器件，它被称为电子吞噬了真空管。
它是采用半导体材料制成的，功能与真空管相似，但其体积小、功耗低、可靠性高，在现代电子技术中被广泛应用。
晶体管有三个区域，分别为基区、发射区和集电区。
在它的三个区域之间形成一个PNP结(或NPN结)，通过控制基区的电信号，可以控制发射极和集电极之间的电子流，实现电路的放大、开关等功能。
2. 二极管二极管是电子学中最简单的电子器件，它由一对PN结组成。
二极管的主要作用是将交流信号转换为直流信号，或者去掉交流信号中的负半周。
它的应用非常广泛，例如可用于稳压、整流、检波、电源滤波等电路中。
3. 集成电路集成电路是在单个芯片上集成了成千上万个传输电子的电子元器件。
它的优点是体积小、功耗低、可靠性高、功能强大等。
它被广泛应用于计算机、通讯设备、控制系统等高科技领域，是现代电子技术的重要组成部分。
二、半导体物理半导体物理是现代电子技术中的核心部分，它涉及到电子、能带理论、PN结、场效应管等重要内容。
了解半导体物理对于掌握现代电子技术是至关重要的。
1. 晶体的基本性质晶体的基本性质包括晶格常数、晶格结构、晶体的对称性等等，这些能够影响半导体材料的电学性质，包括载流子浓度和迁移率。
2. 半导体物理基础半导体物理基础概括了半导体中电子和空穴的能量分布、载流子的浓度和迁移率等重要物理特性。
其中最关键的是能带理论，它是描述半导体中载流子能量分布的基础。
该理论描述了半导体材料中电子和空穴的能量状态，以及电子和空穴之间的互相转换的机制。
模拟电子技术概念总结
模拟电子技术概念总结篇一：模拟电子技术基础_知识点总结第一章半导体二极管1.本征半导体?单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。
?导电能力介于导体和绝缘体之间。
?特性：光敏、热敏和掺杂特性。
?本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。
在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。
?空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。
?在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。
当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。
2．杂质半导体?在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
?P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。
?n型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。
?杂质半导体的特性?载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。
?体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
?在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
3.Pn结?在具有完整晶格的P型和n型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（Pn结）。
?Pn结中存在由n区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。
?Pn结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。
?正偏Pn结（P+，n-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。
?反偏Pn结（P-，n+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流is。
?Pn结的伏安（曲线）方程：4.半导体二极管?普通的二极管内芯片就是一个Pn结，P区引出正电极，n区引出负电极。
(完整版)模拟电路部分习题答案
1．放大电路的静态工作点ICQ和UCEQ计算如下。
根据题3-9图所示电路列写直流负载线方程如下：
分别令IC=0，UCE=0，代入直流负载线方程，得到负载线上两个坐标点，M（3，0），N（0，1），连接M、N得到直流负载线。
根据直流通路，得基极静态工作电流为
直流负载线MN与iB=IB=15.3μA的输出特性曲线的交点Q就是静态工作点。Q点坐标为
（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。
（6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。
（7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。
（8）错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽型N沟道MOS场效应管的UGS大于零，有绝缘层故而不影响输入电阻。2-3．怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏？
2．RL=∞时，输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值的计算。
若RL=∞，交流负载线斜率与直流负载线斜率相同，为
如题3-9图b所示。
输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值为
3．若RL=7kΩ，交流负载线斜率为
输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值为
3-6如题3-12图所示放大电路中，已知晶体管的β=100，UBE=－0.3V。
3．输入电阻和输出电阻。
解：
1．静态工作点计算
2．电压增益AU。
本题目电路中，有旁路电容C，此时放大电路的电压增益为，
3．输入电阻和输出电阻的计算。
解：
a不能。没有直流偏置，不能提供合适的静态工作点。
《模拟电子技术基础》教学教案
《模拟电子技术基础》教学教案第一章：绪论1.1 课程介绍1.2 模拟电子技术的基本概念1.3 模拟电子技术的发展历程1.4 模拟电子技术的应用领域第二章：常用半导体器件2.1 半导体基础知识2.2 晶体管的结构与工作原理2.3 场效应晶体管的结构与工作原理2.4 晶体二极管的结构与工作原理2.5 晶体三极管的结构与工作原理第三章：放大电路基础3.1 放大电路的基本概念3.2 放大电路的分类与性能指标3.3 放大电路的基本分析方法3.4 放大电路的频率响应3.5 放大电路的稳定性与调整第四章：集成运算放大器4.1 运算放大器的基本概念4.2 运算放大器的内部结构与工作原理4.3 运算放大器的性质与参数4.4 运算放大器的基本应用电路4.5 运算放大器的线性应用与非线性应用第五章：模拟信号处理5.1 滤波器的基本概念5.2 滤波器的分类与性能指标5.3 低通滤波器的原理与设计5.4 高通滤波器的原理与设计5.5 带通滤波器和带阻滤波器的原理与设计5.6 滤波器的应用实例第六章：直流稳压电源6.1 稳压电源的基本概念6.2 稳压电源的电路组成6.3 稳压二极管与稳压电路6.4 线性稳压电源的工作原理6.5 开关稳压电源的工作原理第七章：信号运算与处理7.1 模拟运算放大器的基本应用7.2 模拟信号运算与处理的基本概念7.3 模拟信号运算放大器的比例运算7.4 模拟信号运算放大器的积分与微分运算7.5 模拟信号运算放大器的对数与指数运算第八章：模拟信号转换8.1 模数转换器（ADC）的基本概念8.2 模数转换器的工作原理与类型8.3 模拟信号到数字信号的转换过程8.4 数模转换器（DAC）的基本概念8.5 数模转换器的工作原理与类型第九章：振荡电路9.1 振荡电路的基本概念9.2 LC振荡电路的工作原理9.3 RC振荡电路的工作原理9.4 石英晶体振荡电路的工作原理9.5 振荡电路的应用实例第十章：调制与解调10.1 调制与解调的基本概念10.2 调幅（AM）的原理与实现10.3 调频（FM）的原理与实现10.4 调相（PM）的原理与实现10.5 解调电路的原理与实现第十一章：功率放大器11.1 功率放大器的基本概念11.2 功率放大器的分类与性能指标11.3 甲类功率放大器的工作原理11.4 乙类功率放大器的工作原理11.5 甲乙类功率放大器的应用与选择第十二章：模拟集成电路12.1 集成电路的基本概念12.2 模拟集成电路的分类与性能12.3 集成电路的制造工艺12.4 常用模拟集成电路的功能与原理12.5 模拟集成电路的应用与设计第十三章：数字电路与模拟电路的接口13.1 数字电路与模拟电路的接口概念13.2 模拟信号与数字信号的转换原理13.3 数字模拟转换器（DAC）的原理与应用13.4 模拟数字转换器（ADC）的原理与应用13.5 数字电路与模拟电路接口电路的设计与分析第十四章：噪声与滤波14.1 电子系统中的噪声来源14.2 噪声的度量与控制14.3 滤波器在电子系统中的应用14.4 线性滤波器的设计与分析14.5 非线性滤波器的设计与分析第十五章：模拟电子技术在实际应用中的案例分析15.1 模拟电子技术在通信系统中的应用15.2 模拟电子技术在信号处理中的应用15.3 模拟电子技术在医疗设备中的应用15.4 模拟电子技术在消费电子产品中的应用15.5 模拟电子技术在工业控制中的应用重点和难点解析重点：1. 模拟电子技术的基本概念、发展历程和应用领域。
《模拟电子技术基础》教学教案
《模拟电子技术基础》教学教案第一章：绪论1.1 教学目标让学生了解模拟电子技术的基本概念和特点使学生掌握模拟电子技术在工程应用中的重要性培养学生对模拟电子技术的兴趣和好奇心1.2 教学内容模拟电子技术的定义和发展历程模拟电子技术的基本特点和应用领域模拟电子技术在工程实践中的重要性1.3 教学方法采用讲授法，讲解模拟电子技术的概念和特点通过实例分析，使学生了解模拟电子技术在实际应用中的作用引导学生进行思考和讨论，培养学生的创新意识1.4 教学评估课堂问答：检查学生对模拟电子技术概念的理解程度第二章：常用半导体器件2.1 教学目标让学生掌握半导体器件的基本原理和特性使学生能够识别和使用常用的半导体器件培养学生对半导体器件在电路中的应用能力2.2 教学内容半导体的基本概念和性质常用半导体器件的结构和特性半导体器件的应用电路及功能2.3 教学方法采用讲解法，介绍半导体器件的基本原理和特性通过实验演示，使学生能够直观地观察半导体器件的工作状态引导学生进行实践操作，培养学生的动手能力2.4 教学评估课堂问答：检查学生对半导体器件原理的理解程度实验报告：评估学生在实验中对半导体器件的应用能力第三章：基本放大电路3.1 教学目标让学生了解放大电路的基本原理和分类使学生掌握基本放大电路的设计和分析方法培养学生对放大电路在模拟电路中的应用能力3.2 教学内容放大电路的基本原理和分类基本放大电路的设计和分析方法放大电路的应用实例及功能3.3 教学方法采用讲解法，介绍放大电路的基本原理和分类通过仿真实验，使学生能够直观地观察放大电路的工作状态引导学生进行实践操作，培养学生的动手能力3.4 教学评估课堂问答：检查学生对放大电路原理的理解程度实验报告：评估学生在实验中对放大电路的应用能力第四章：集成运算放大器4.1 教学目标让学生了解集成运算放大器的基本原理和特性使学生掌握集成运算放大器的应用电路及功能培养学生对集成运算放大器在模拟电路中的应用能力4.2 教学内容集成运算放大器的基本原理和特性集成运算放大器的应用电路及功能集成运算放大器的选择和使用方法4.3 教学方法采用讲解法，介绍集成运算放大器的基本原理和特性通过实验演示，使学生能够直观地观察集成运算放大器的工作状态引导学生进行实践操作，培养学生的动手能力4.4 教学评估课堂问答：检查学生对集成运算放大器原理的理解程度实验报告：评估学生在实验中对集成运算放大器的应用能力第五章：模拟信号处理5.1 教学目标让学生了解模拟信号处理的基本原理和方法使学生掌握模拟信号处理电路的设计和分析方法培养学生对模拟信号处理在实际应用中的创新能力5.2 教学内容模拟信号处理的基本原理和方法模拟信号处理电路的设计和分析方法模拟信号处理的应用实例及功能5.3 教学方法采用讲解法，介绍模拟信号处理的基本原理和方法通过仿真实验，使学生能够直观地观察模拟信号处理电路的工作状态引导学生进行实践操作，培养学生的动手能力5.4 教学评估课堂问答：检查学生对模拟信号处理原理的理解程度实验报告：评估学生在实验中对模拟信号处理电路的应用能力第六章：数字电子技术基础6.1 教学目标让学生了解数字电子技术的基本概念和特点使学生掌握数字电子技术在工程应用中的重要性培养学生对数字电子技术的兴趣和好奇心6.2 教学内容数字电子技术的定义和发展历程数字电子技术的基本特点和应用领域数字电子技术在工程实践中的重要性6.3 教学方法采用讲授法，讲解数字电子技术的概念和特点通过实例分析，使学生了解数字电子技术在实际应用中的作用引导学生进行思考和讨论，培养学生的创新意识6.4 教学评估课堂问答：检查学生对数字电子技术概念的理解程度第七章：常用数字逻辑器件7.1 教学目标让学生掌握数字逻辑器件的基本原理和特性使学生能够识别和使用常用的数字逻辑器件培养学生对数字逻辑器件在电路中的应用能力7.2 教学内容数字逻辑器件的基本概念和性质常用数字逻辑器件的结构和特性数字逻辑器件的应用电路及功能7.3 教学方法采用讲解法，介绍数字逻辑器件的基本原理和特性通过实验演示，使学生能够直观地观察数字逻辑器件的工作状态引导学生进行实践操作，培养学生的动手能力7.4 教学评估课堂问答：检查学生对数字逻辑器件原理的理解程度实验报告：评估学生在实验中对数字逻辑器件的应用能力第八章：数字电路设计8.1 教学目标让学生了解数字电路设计的基本原理和方法使学生掌握数字电路设计的过程和技巧培养学生对数字电路设计在实际应用中的创新能力8.2 教学内容数字电路设计的基本原理和方法数字电路设计的过程和技巧数字电路设计的应用实例及功能8.3 教学方法采用讲解法，介绍数字电路设计的基本原理和方法通过仿真实验，使学生能够直观地观察数字电路设计的工作状态引导学生进行实践操作，培养学生的动手能力8.4 教学评估课堂问答：检查学生对数字电路设计原理的理解程度实验报告：评估学生在实验中对数字电路设计的应用能力第九章：数字信号处理9.1 教学目标让学生了解数字信号处理的基本原理和方法使学生掌握数字信号处理电路的设计和分析方法培养学生对数字信号处理在实际应用中的创新能力9.2 教学内容数字信号处理的基本原理和方法数字信号处理电路的设计和分析方法数字信号处理的应用实例及功能9.3 教学方法采用讲解法，介绍数字信号处理的基本原理和方法通过仿真实验，使学生能够直观地观察数字信号处理电路的工作状态引导学生进行实践操作，培养学生的动手能力9.4 教学评估课堂问答：检查学生对数字信号处理原理的理解程度实验报告：评估学生在实验中对数字信号处理电路的应用能力第十章：综合应用与实践10.1 教学目标让学生掌握模拟电子技术和数字电子技术的综合应用使学生能够独立完成复杂的电子系统设计和分析培养学生解决实际电子工程问题的能力10.2 教学内容模拟电子技术与数字电子技术的综合应用案例复杂电子系统的设计和分析方法实际电子工程问题的解决策略10.3 教学方法采用案例教学法，分析模拟电子技术与数字电子技术的综合应用通过项目驱动，让学生参与复杂电子系统的设计和分析引导学生进行创新实践，培养学生的工程能力10.4 教学评估项目报告：评估学生在项目中对模拟电子技术和数字电子技术的综合应用能力课堂展示：检查学生对复杂电子系统设计和分析的理解程度综合测试：评估学生解决实际电子工程问题的能力1. 教学目标让学生理解模拟电子技术的基本概念和原理使学生掌握常用半导体器件的结构、特性和应用培养学生运用模拟电子技术解决实际问题的能力2. 教学内容半导体的基本概念、性质和制备方法常用半导体器件（如二极管、晶体管、集成电路等）的结构和特性模拟电子技术在实际工程应用中的典型案例分析3. 教学方法采用讲授法，讲解模拟电子技术的基本原理和概念通过实验演示，让学生亲身体验半导体器件的工作状态结合实例分析，培养学生的实际应用能力4. 教学评估课堂问答：检查学生对模拟电子技术基本原理的理解程度课后作业：要求学生完成相关的半导体器件应用案例第一章：绪论模拟电子技术的定义和发展历程模拟电子技术的应用领域和重要性半导体导电性的基本原理第二章：半导体器件基础半导体的基本概念和性质常用半导体器件（如二极管、晶体管等）的结构和特性半导体器件的参数和应用第三章：放大器电路放大器电路的基本原理和类型放大器电路的设计和分析方法放大器电路的应用实例第四章：振荡器和滤波器振荡器的工作原理和类型滤波器的原理和设计方法振荡器和滤波器的应用案例第五章：模拟电子技术在工程应用中的案例分析模拟电子技术在信号处理中的应用模拟电子技术在通信系统中的应用模拟电子技术在控制系统和功率电子中的应用。
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《模拟电子技术》课程简介
模拟电子技术
主讲：刘颖教授
《模拟电子技术》课程组
北京交通大学电子信息工程学院
教材
[1] 《模拟集成电路基础》，路勇主编，中国铁道出
版社，2010
[2]《电子技术基础实验、综合设计实验与课程设计》，侯建军、佟毅、刘颖、曾涛、马英新编著，高等教育出版社，2007
[1]华成英主编，《模拟电子技术基本教程》, 清华大学出版社 ，2006
[2]孙肖子主编，《模拟电子电路及技术基础》, 西安电子科技大学出版社， 2013
[3]王淑娟主编，《模拟电子技术基础》, 高等教育出版社， 2013
[4]刘颖主编，刘颖 任希 曾涛编写，《模拟电子技术》，清华大学出版社/北京交通大学出版社，2008
[5]刘颖 任希 曾涛编著，《模拟电子技术习题精解及考试真题选编》,清华大学出版社/北京交通大学出版社， 2009年
参考教材
3/23
理论课主要内容（40学时）
1.绪论（0.5学时）
2.晶体二极管及应用电路（
3.5学时）
3.晶体三极管及应用电路（8学时）
4.场效应管及基本放大电路（4学时）
5.放大电路的频率响应（4学时）
6.负反馈放大电路（5学时）
7.双极型模拟集成电路（6学时）
8.双极型模拟集成电路的分析与应用（6学时）
9.MOS模拟集成电路（自学）
10.直流稳压电源电路（3学时）
实验课主要内容（8学时）
实验一：放大电路工作点分析与设计（2学时）实验二：前置放大器设计（2学时）
实验三：电路故障检测设计（4学时）
6/23
研究性教学活动（16学时）研讨专题
专题一：电子技术的发展与应用综述
专题二：集成电路内部结构分析
专题三：模拟放大电路中的保护应用
专题四：放大电路的高频特性分析
专题五：实用功能电路设计与仿真
研讨内容
一．知识点难点、应用案例讨论
二．专题研究报告陈述、研讨
课程性质
◆“模拟电子技术”是高校电子与电气信息类专业
重要的专业基础课，也是本院后续电子技术相关课程基础，如通信电子线路、数字电子技术、微机原理与接口技术等。
课程目的
◆掌握模拟电子技术的基本概念、基本电路、基本
分析方法、基本实验技能。
◆具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的
能力，以及将所学电子技术知识用于本专业的能力。
基本要求
◆会看：模拟电子电路的定性分析（理论课学习）◆会算：模拟电子电路定量计算、功能电路设计计
算（理论课学习）
◆会选：电路形式、器件、参数（理论课学习）
◆会调：测试方法、仪器选用、EDA （实验课学习）建议：立足基础，面向未来！绝不好高骛远！
◆发现问题及时找主讲老师、助教答疑，力争课前预习，至少要课后复习，坚持独立完成作业。
◆在学习过程中，要注重建立工程的观念、系统的观念、实践的观念、科学进步的观念。
◆温故知新，注意“电路分析”课程知识点在本课程中的应用。
◆在实验过程中，注重利用现代电子电路计算机辅助工具（如Multisim 等），对使用电子电路进行分析、调试、观察。
学习方法
9/23。