模电第4章频率响应答案
黄丽亚编模电 习题答案4
压相位差为 ____(A、45°,B、-45°,C、-135°,D、-225°) ;当电路
& um 、上限截止频率 f H 和下 中的 Rg 减小后,放大电路的中频电压放大倍数 A
限截止频率 f L 将分别____、____、____(A、增大,B、减小,C、基本不变) 。
+VDD (+12V) Rd 10kΩ Rg 1MΩ ui VGG C 0.1µF RL 20kΩ uo
4.3.20 4.3.21 4.3.22
1
10
10 2
10 3
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姓名
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4.4 习题
4.4.1 已知某放大器的幅频特性如题图所示。
(1)ui (t) = 0.1sin (2π×104t) (V); (2)ui (t) = 10sin (2π×3×106t) (mV); (3)ui (t) = 10sin (2π×400t) + 10sin (2π×106t) (mV); (4)ui (t) = 10sin (2π×10t) + 10sin (2π×5×104t) (mV); (5)ui (t) = 10sin (2π×103t) + 10sin (2π×107t) (mV)。 解 : 解: (1)输入信号为单一频率正弦波,所以不存在频率失真问题。但由于输 入信号幅度较大(为 0.1V),经 100 倍的放大后峰峰值为 0.1×2×100=20V,
−100 &u = (式中 f 的单位为 Hz) A f f 1+ j 1+ j 6 100 10
则该放大电路的中频增益为________dB,中频段输出电压和输入电压相位差 为_______度,上限截止频率为_______Hz,下限截止频率为________Hz。 4.3.4 由两个频率特性相同的单级直接耦合放大电路组成的两级放大电路的 上限截止频率____,下限截止频率____。 A、变高, 的是____。 A、共射接法, B、共集接法, C、共基接法 4.3.6 已知题图(a)所示电路的幅频响应特性如题图(b)所示。影响 fL 大小 的因素是____,影响 fH 大小的因素是____。试选择正确答案,用 A、B 或 C 填空。 A、晶体管极间电容, B、晶体管的非线性特性, C、耦合电容 B、变低, C、不变 4.3.5 在双极型晶体管三种基本接法中,高频响应特性最好的是______,最差
模拟电子技术习题集参考答案
第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解:U O1≈1.3V,U O2=0,U O3≈-1.3V,U O4≈2V,U O5≈1.3V,U O6≈-2V。
四、解:U O1=6V,U O2=5V。
五、解:u i和u o的波形如题5解图所示。
题6解图题5解图六、解:u i和u o的波形如题6解图所示。
题6解图七、解:1、当U I=10V时,若U O=U Z=6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I =15V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V同理,当U I =35V 时,U O =U Z =6V 。
2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解:波形如题8解图所示。
题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ;硅,锗;电子和空穴。
模拟电子技术(第2版)课后习题答案第4章
第四章 负反馈放大电路与基本运算电路4.1 反馈放大电路如图P4.1.1所示,已知开环电压增益1000=u A ,电压反馈系数02.0=u F ,输出电压为)( sin 5V t u O ω=试求输入电压i u 、反馈电压f u 和净输入电压id u 。
解:)(sin 51000sin 5mV t t A u u u O id ωω===)(sin 1.005.0sin 5V t t F u u u O f ωω=⨯== )(sin 105mV t u u u f id i ω=+=4.2 放大电路输入的正弦波电压有效值为20mV ,开环时正弦波输出电压有效值为10V ,试求引入反馈系数为0.01的电压串联负反馈后输出电压的有效值。
解:50002.010===i O u U U A3.83650001.050015001==⨯+=+=F A A A u u f V A U U f i O 67.13.8302.0=⨯==4.3 反馈放大电路如图P4.3所示,试指出各电路的反馈元件,并说明是交流反馈还是直流反馈?(设图中所有电容对交流信号均可视为短路)解:a )反馈元件:2R 直流电压串联负反馈b )反馈元件:2R 、C 直流电压串联负反馈c )反馈元件:2R 、3R 交直流电压并联负反馈d)反馈元件:2R、2A直流电压串联负反馈交直流电压并联正反馈e)反馈元件:E R电流串联负反馈f)反馈元件:B R电压并联负反馈4.4 试分析图P4.4所示各电路中级间反馈是正反馈还是负反馈?若是负反馈,指出反馈类型(设图中所有电容对交流信号均可视为短路)解:a)3R级间交直流电流联并负反馈5R本级交直流电流串联负反馈R本级直流电流串联负反馈2b)2R本级电压串联负反馈4R本级电压并联负反馈R级间电压并联正反馈5c)4R级间电压串联负反馈5R本级电流串联负反馈d)2R、4R本级电压并联负反馈6R级间电流串联正反馈4.5 某负反馈放大电路,其闭环放大倍数为100,且当开环放大倍数变化10﹪时闭环放大倍数的变化不超过1﹪,试求开环放大倍数和反馈系数。
模拟电子技术基础(国防科技大学出版社第四章习题答案(大题)
习题4.1选择填空1、选用差分放大电路的原因是 A 。
A 、克服温漂B 、 提高输入电阻C 、稳定放入倍数2、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re ,将使电路的 B 。
A 、差模放大倍数数值增大 B 、抑制共模信号能力增强 C 、差模输入电阻增大3、差动放大器中的差模输入是指两输入端各加大小___相等_____、相位___相反____的信号。
4、设差放电路的两个输入端对地的电压分别为v i1和v i2,差模输入电压为v id ,共模输入电压为v ic ,则当v i1=50mV ,v i2=50mV 时,v id =_0mV __,v ic =_50mV __;当v i1=50mV ,v i2=-50mV 时,v id =_100mA __,v ic =_0mA__;当v i1=50mV ,v i2=0V 时,v id =_50mV __,v ic =_25mA __。
5、电流源常用于放大电路,作为_A ___(A.有源负载,B.电源,C.信号源),使得放大倍数__A __(A.提高,B.稳定)。
6、电压放大电路主要研究的指标是 a 、 b 、 c ;功率放大电路主要研究的指标是 d 、 e 、 f 、 g 、(a 电压放大倍数 b 输入电阻 c 输出电阻 d 输出功率 e 电源提供的功率 f 效率 g 管耗)7、功率放大电路中,___甲类____功率放大电路导通角最大;_____乙类___功率放大电路效率较高。
(甲类、乙类、甲乙类) 8、甲类功放效率低是因为 B 。
A 、只有一个功放管B 、 静态电流过大C 、管压降过大4.1对称差动放大电路如题图 4.1所示。
已知晶体管1T 和2T 的50=β,并设U BE (on )=0.7V,r bb ’=0,r ce =∞。
(1)求V 1和V 2的静态集电极电流I CQ 、U CQ 和晶体管的输入电阻r b’e 。
(2)求双端输出时的差模电压增益A ud ,差模输入电阻R id 和差模输出电阻R od 。
童诗白《模拟电子技术基础》笔记和课后习题详解(放大电路的频率响应)
题 4.3 图
解:共射电路在中频带的相移为-180°,由波特图可看出中频放大倍数为 100,下限
频率为 1Hz 和 10Hz,上限频率为 250kHz。故电压放大倍数为:
Au
(1
1 jf
100 )(1 10)(1
jf
j
2.5
f 105
)
(1
jf
)(1
10 f 2 j f )(1 10
表 4-1-2 放大管高频等效电路
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三、单管放大电路的频率响应 1.频率响应 典型单管放大电路如图 4-1-1(a)所示,中频段交流等效电路如图(b),低频段如图 (c),高频段如图(d)。
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f
fL )(1 j
f
的折线化波特图如图 4-1-2 中
)
jf
fH
fL
fH
实线所示,虚线为实际曲线。
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图 4-1-2 单管共射放大电路折线化波特图 折线图中,截止频率为拐点,在截止频率处,增益与中频段相比下降 3dB,相移+45° 或-45°。Βιβλιοθήκη 3.放大电路频率特性的改善•
•
(1)高频特性改善:一定条件下,增益带宽积|Aumfbw|或|Ausmfbw|约为常量。要改善高
频特性,首先选择截止频率高的放大管,然后选择参数,使 Cπ′所在回路等效电阻尽量小。
(2)低频特性改善:应采用直接耦合的方式。
四、多级放大电路的频率响应(见表 4-1-3)
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模电第4章频率响应答案.docx
4.1已知某放大器的幅频特性如题图4」所示。
(1)试说明该放大器的中频增益、上限频率扁和下限频率九、通频带BW。
⑵当甘:=10sin(4;r -106K)+ 20sin(27r x 104t\tn V)和乞=10加(2”・5/X〃7)+20沏(2龙xlOh)(加7)时,输出信号有无失真?是何种性质的失真?分别说明之。
解:(1)由题图4.1可得:中频增益为40dB,即100倍,加“Hz,九=10Hz (在.力/和尢处,增益比中频增益卜降30dB), = 10")_ 10匕10&//z。
(2)当= 10-106t\m T)+ 20sin(27i x 104Z)(mT)llj",其中戶104Hz 的频率在屮频段,而/ =2X106/7Z的频率在高频段,可见输出信号要产牛失真,即高频失真。
当坷=10sm(17i-7)+ 20X 104t\mV)吋,.戶5Hz 的频率在低频段,>104Hz 的频率在小频段,所以输出要产牛失真,即低频失真。
4.2某放大电路电压增益的渐近波特图如题图4.2所示。
设中频相移为零。
⑴写出AJjf)频率特性的表达式。
⑵求f=107Hz处的相移值。
(3)求下限频率纪的值。
⑷求fMOOHz处实际的dB值。
(5)求fMOHz和匸"Hz的相移值。
解:(1)'1'频放人倍数为1()3,高频有一个极点频率为105H Z , 一个零点频率为106H Z ,低频有 两个极点频率均为102H Z ,两个零点频率均为lOHzo 所以⑵f=107Hz 处的相移为零 (3) 九 «102/A/22 -1 = 155屁(4) 2018141^=54^(5) 如/削宓抢=—45。
A (#) = io 3(1-丿岁)"1 +丿缶) -耳4.3已知某晶体管电流放人倍数的频率特性波特图如题图4.3所示,试写出”的频率特性表(b题图4.3解:由0(e喲渐进波特图可知:00=100, co^=4Mrad/s 它是一个单极点系统,故相应的频率特性表达式为021001十丿——“0因为5 7蚀故co T=400Mrad/s.也可直接从其波特图根据兮的定义直接读出。
西工大,西电 孙肖子版 模电 第四章 连续系统频域分析--答案
第四章 习题4-1 求图题4-1所示电路的频域系统函数)()()(12ωωωj U j U j H =。
答案解:频域电路如图题4-1(b)所示。
R L j LC j U j U j H ωωωωω+-==21211)()()(4-1 求图题4-2所示电路的频域系统函数)()()(1ωωωj F j U j H c =,)()()(2ωωωj F j I j H =及相应的单位冲激响应)(1t h 与)(2t h 。
答案解: 频域电路如图题4-2(b)所示。
RC j RCj F j U j H c 111)()()(1+⨯==ωωωω)111(1)()()(2RC j RCRj F j I j H +-⨯==ωωωω)(1)]([)(1111t U e RC j H F t h tRC --==ω)(1)(1)]([)(12212t U e C R t R j H F t h t RC ---==δω4-3 图题4-3所示电路,V t U t U e t f t )](2)(10[)(+=-。
求关于)(t i 的单位冲激响应)(t h 和零状态响应)(t i 。
答案解: 频域电路如图题4-3(b)所示。
2121)()()(+⨯==ωωωωj j F j I j H所以A t U e t h t)(21)(2-=]1)([211525.5)()()(ωωπδωωωωωj j j j F j H j I +++++-==所以 At U t U e e t i t t )(21)()55.5()(2++-=--4-4 已知频域系统函数235)(22++-++-=ωωωωωj j j H ,激励)()(3t U e t f t-=。
求零状态响应)(t y 。
答案解:31)(+=ωωj j F)2)(1(31)(++++=ωωωωj j j j H211131)()()(+-+++==ωωωωωωj j j j F j H j Y所以 )()()(23t U e e e t y t t t----+=4-5 已知频域系统函数65)(2++-=ωωωωj j j H ,系统的初始状态,2)0(=y 1)0(='y ,激励)()(t U e t f t -=。
模电第四章习题答案
模电第四章习题答案模电第四章习题答案模拟电子技术是电子工程中非常重要的一门学科,它涉及到电路的设计、分析和调试等方面。
第四章是模拟电子技术中的一个重要章节,主要讲解了放大器的基本原理和应用。
本文将为大家提供模电第四章习题的详细解答,希望能对大家的学习有所帮助。
1. 题目:一个共射放大器的电流增益为50,负载电阻为2kΩ,输入电阻为1kΩ,求其电压增益。
解答:共射放大器的电压增益可以通过以下公式计算:电压增益 = 电流增益× 负载电阻 / 输入电阻代入已知数据,得到:电压增益= 50 × 2kΩ / 1kΩ = 100所以,该共射放大器的电压增益为100。
2. 题目:一个共集放大器的电压增益为30,输入电阻为10kΩ,输出电阻为1kΩ,求其电流增益。
解答:共集放大器的电流增益可以通过以下公式计算:电流增益 = 电压增益× 输出电阻 / 输入电阻代入已知数据,得到:电流增益= 30 × 1kΩ / 10kΩ = 3所以,该共集放大器的电流增益为3。
3. 题目:一个共基放大器的电流增益为50,输入电阻为1kΩ,输出电阻为10kΩ,求其电压增益。
解答:共基放大器的电压增益可以通过以下公式计算:电压增益 = 电流增益× 输出电阻 / 输入电阻代入已知数据,得到:电压增益= 50 × 10kΩ / 1kΩ = 500所以,该共基放大器的电压增益为500。
4. 题目:一个共射放大器的输入电阻为1kΩ,输出电阻为2kΩ,求其电压增益和电流增益。
解答:共射放大器的电压增益可以通过以下公式计算:电压增益 = 输出电阻 / 输入电阻代入已知数据,得到:电压增益= 2kΩ / 1kΩ = 2共射放大器的电流增益可以通过以下公式计算:电流增益 = 电压增益× 输入电阻 / 输出电阻代入已知数据,得到:电流增益= 2 × 1kΩ / 2kΩ = 1所以,该共射放大器的电压增益为2,电流增益为1。
高频电子线路第四章课后习题答案
高频电子线路习题参考答案
当LC串联支路的电容取68pF时,在回路电抗为0时振荡,即:
1 50106
1 1 681012
1 109
1 1
1 47106
1 1 109
0
整理后得到:
1598103114 53.732101512 1.068 0
12 53.7321015
53.7322 1030 41.06815981031 31961031
3
高频电子线路习题参考答案
答4-2
(a) 可能振荡,电感三点式反馈振荡器,
(b) 不能,
(c) 不能,
(d) 不能,
(e) 可能振荡,振荡的条件是L1C1回路呈容性,L2C2回路呈感 性,即要求f01<f<f02,这时是一个电感反馈振荡器,
(f) 可能振荡,振荡的条件是LC3支路呈感性,即要求f03<f,这 时是一个电容反馈振荡器
题4-5图
解4-5, 画出的实际电路如下
• •
•
•
••
高频电子线路第四章课后习题答案
9
高频电子线路习题参考答案
4-6 振荡器交流等效电路如图所示,工作频室为10 MHZ, (1)计算C1、C2取值范围。(2)画出实际电路。
解4-6
(1)因 为
Beb
2f
1011
2f
1 105
题4-6图
(2f )2 1016 2f 105
f0 2 m a x= 2 5 0 1 0 - 1 6 6 8 1 0 1 2 2 .7 3 1 M H z
因 此 , 要 电 路 振 荡 , 振 高荡 频电频 子率 线路应 第四该 章满 课后足 习题f 1 答m 案a x f 0 2 m a x , f 1 m i n f 0 2 m 21i n
《模拟电子技术基础》详细习题答案童诗白,华成英版,高教版)章 放大电路的频率响应题解
精品行业资料,仅供参考,需要可下载并修改后使用!第五章 放大电路的频率响应自 测 题一、选择正确答案填入空内。
(1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是 。
A.输入电压幅值不变,改变频率B.输入电压频率不变,改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化(2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ,而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。
A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适(3)当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时,放大倍数的值约下降到中频时的 。
A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍 即增益下降 。
A.3dBB.4dBC.5dB(4)对于单管共射放大电路,当f = f L 时,o U 与iU 相位关系是 。
A.+45˚B.-90˚C.-135˚当f = f H 时,o U 与iU 的相位关系是 。
A.-45˚ B.-135˚ C.-225˚ 解:(1)A (2)B ,A (3)B A (4)C C二、电路如图T5.2所示。
已知:V C C =12V ;晶体管的C μ=4pF ,f T = 50MHz ,'bb r =100Ω, β0=80。
试求解:(1)中频电压放大倍数smu A ; (2)'πC ;(3)f H 和f L ;(4)画出波特图。
图T5.2解:(1)静态及动态的分析估算:∥178)(mA/V2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV26)1(V 3mA 8.1)1(Aμ 6.22c m bee b'i s ismTEQ m b be i e b'bb'be EQe b'c CQ CC CEQ BQ EQ bBEQCC BQ -≈-⋅+=≈=Ω≈=Ω≈+=Ω≈+=≈-=≈+=≈-=R g r r R R R A U I g R r R r r r I r R I V U I I R U V I u ββ(2)估算'πC :pF1602)1(pF214π2)(π2μc m 'μTe b'0μπe b'0T ≈++=≈-≈+≈C R g C C C f r C C C r f πππββ(3)求解上限、下限截止频率:Hz14)π(21kHz 175π21567)()(i s L 'πH s b b'e b'b s b b'e b'≈+=≈=Ω≈+≈+=CR R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥(4)在中频段的增益为dB 45lg 20sm ≈u A频率特性曲线如解图T5.2所示。
模电第四章部分习题答案
模电第四章部分习题答案模拟电子技术是电子工程中的重要分支,它研究模拟电路的设计、分析和应用。
在模拟电子技术的学习过程中,习题是检验学生理解和掌握程度的重要方式。
在模电第四章中,有许多习题需要我们认真思考和解答。
本文将对模电第四章部分习题进行解答,帮助读者更好地理解和应用模拟电子技术。
1. 题目:已知一个放大电路的输入电压为1V,输出电压为10V,求放大倍数。
解答:放大倍数是指输出电压与输入电压之间的比值。
根据题目中的信息,我们可以得到放大倍数为10。
2. 题目:一个放大电路的放大倍数为20,输入电压为2V,求输出电压。
解答:根据放大倍数的定义,我们可以得到输出电压为放大倍数乘以输入电压,即20乘以2V,等于40V。
3. 题目:一个放大电路的输出电压为20V,放大倍数为10,求输入电压。
解答:根据放大倍数的定义,我们可以得到输入电压为输出电压除以放大倍数,即20V除以10,等于2V。
4. 题目:一个放大电路的放大倍数为50,输入电压为1V,求输出电压。
解答:根据放大倍数的定义,我们可以得到输出电压为放大倍数乘以输入电压,即50乘以1V,等于50V。
5. 题目:一个放大电路的输入电压为0.5V,输出电压为10V,求放大倍数。
解答:根据题目中的信息,我们可以得到放大倍数为输出电压除以输入电压,即10V除以0.5V,等于20。
通过以上的习题解答,我们可以看出放大倍数是一个重要的概念,它描述了放大电路中输入和输出之间的关系。
在实际应用中,我们可以根据放大倍数的大小来选择合适的放大电路,以满足特定的需求。
除了放大倍数,模拟电子技术还涉及到许多其他的概念和知识点,如放大电路的频率响应、输入输出阻抗等。
通过解答习题,我们可以更好地理解和应用这些概念。
总之,模拟电子技术是电子工程中的重要内容,习题的解答是我们学习和掌握模拟电子技术的重要方式。
通过对模电第四章部分习题的解答,我们可以加深对放大倍数等概念的理解,并能够更好地应用于实际工程中。
模拟电子技术基础第四版课后答案 (4)
模拟电子技术基础第四版课后答案第一章简介1. 什么是模拟电子技术?模拟电子技术是研究和应用模拟电路原理和技术的学科,主要用于处理连续变化的信号。
与数字电子技术相对应,模拟电子技术涉及到模拟信号的生成、调制、传输和处理等方面。
2. 为什么要学习模拟电子技术?模拟电子技术在各个领域都有广泛的应用,特别是在电子设备和电子系统设计方面。
学习模拟电子技术可以帮助我们理解和掌握电子设备的基本原理和工作方式,为我们将来的工作和研究提供必要的基础。
3. 模拟电子技术的基本原理是什么?模拟电子技术的基本原理包括模拟信号的表示、传输、放大、滤波、调制、调节和混合等方面。
其中,模拟信号的表示通常使用连续的函数来描述;模拟信号的传输要考虑信号的失真和噪声;放大器可以将小信号放大到合适的幅度;滤波器可以筛选出感兴趣的频率成分;调制可以将模拟信号转换为调制信号等。
第二章基本电子元器件1. 什么是电子元器件?电子元器件是指用于构成电子电路的基本元件,它们可以作为电子电路的构建模块。
常见的电子元器件包括电阻、电容、电感、二极管、三极管和集成电路等。
2. 电阻的基本特性是什么?电阻是一种用于限制电流流动的元件,它的特性主要包括阻值、功率和温度系数。
阻值是电阻对电流的阻碍程度,单位是欧姆(Ω);功率是电阻可以承受的最大功耗,单位是瓦特(W);温度系数是电阻阻值随温度变化的程度。
3. 电容的基本特性是什么?电容是一种储存电荷的元件,它的特性主要包括电容值、工作电压和损耗因子。
电容值是电容可以储存的最大电荷量,单位是法拉(F);工作电压是电容可以承受的最大电压,单位是伏特(V);损耗因子是电容对电流的阻碍程度。
4. 电感的基本特性是什么?电感是一种存储能量的元件,它的特性主要包括电感值、工作电流和品质因数。
电感值是电感可以存储的最大能量量,单位是亨利(H);工作电流是电感可以承受的最大电流,单位是安培(A);品质因数是电感的能量储存效率。
模电课后习题第四章
习题四解答4-1什么是反馈?什么是负反馈?怎样区分四种不同类的反馈?解:在电路中,反馈是指将输出量的一部分或全部通过反馈网络,用一定的方式送到输入回路,以影响输入电量的过程。
反馈的结果使得净输入电量减小则为负反馈。
在输出端,如果反馈信号是对输出电压取样,也就是说反馈信号与输出电压有关,则称为电压反馈;如果反馈信号是对输出电流取样,也就是说反馈信号与输出电流有关,则称为电流反馈。
在输入端,如果反馈到输入端的信号是以电压形式出现,与输入电压串联比较,则称为串联反馈;如果反馈到输入端的信号是以电流形式出现,与输入电流并联比较,则称为并联反馈。
因此,一共可分为四种不同类型的负反馈,即:1)电压串联负反馈,2)电压并联负反馈,3)电流并联负反馈,4)电流串联负反馈。
5)4-2负反馈对放大电路有哪些影响?在改善电路的某些性能时又付出了那些代价?解:负反馈能够提高增益的稳定性,减小非线性失真,抑制放大器内部的噪声,增大或减小输入、输出电阻等。
主要是以牺牲闭环增益为代价。
4-3试说明为了实现以下几个方面的要求,它们分别应采用何种负反馈?1)要求输入电阻大,输出电阻小;2)要求输入电阻大,输出电流稳定;3)电流源输入,要求输出电压稳定;4)电流源输入,要求输出电流稳定。
解:1)由于串联负反馈可以增大输入电阻,典雅负反馈可以减小输出电阻,所以,要使输入电阻大和输出电阻小,应采用电压串联负反馈;2)由于电流负反馈能够稳定输出电流,所以,要使输入电阻大,输出电流稳定,应采用串联电流负反馈;3)一个放大电路,要获得较大的增益,必须尽可能地从信号源获取信号,对于电流源输入,要使放大电路获取尽可能多的信号,必须是放大电路的输入电阻尽可能地减小,所以在输入端应采用并联负反馈,如果又要稳定输出电压,所以总体应采用并联电压负反馈;4)综合以上理由,在电流源输入情况下,要稳定输出电流,应采用并联电流负反馈。
4-4 对于图P4-1所示的反馈电路,试判定个电路给定反馈电路的反馈类型。
模拟电子技术教程 第4章习题答案
第4章习题1.概念题(1)在多级直接耦合放大器中,对电路零点漂移影响最严重的一级是第1级,零漂最大的一级是最后1级。
(2)差分放大电路有 4 种输入输出连接方式,其差模电压增益与输出方式有关,与输入方式无关。
(3)集成运放是一种采用直接耦合方式的放大电路,所以低频性能好,其最大的问题是零漂大。
(4)一个带宽为0.1~10MHz的宽频带多级放大电路,应采用的耦合方式是(B、D )。
A:阻容耦合B:直接耦合C:变压器耦合D:光电耦合(5)有两个性能完全相同的放大器,其开路电压增益为20dB,R i=2kΩ,R o=3kΩ。
现将两个放大器级联构成两级放大器,则开路电压增益为(B,20dB+12dB=32dB )。
A:40 dB B:32 dB C:16 dB D:160dB(6)放大电路中采用复合管的目的是( C )。
A:增加输入阻抗B:减小零点漂移C:提高电压或电流放大倍数(7)一般情况下,我们用输入短路,将测得的输出电压除以运放的增益的实验法测得输入失调电压U IO。
(8)双入双出的差分放大电路,其共模信号幅值不管多大都不会影响差模输出。
对吗?(不对)(9)共模信号和差模信号都可以是交流信号,也可以是直流信号。
对吗?(对)(10)对于长尾式差分放大电路,不论是单端输入还是双端输入,在差模交流通路中,射级电阻R e可一概视为短路。
对吗?(对)(11)有源负载可以增大放大电路的输出电流。
对吗?(不对)(12)电压输入输出型运放是用量最大的运放,因而产量大、价格低。
对吗?(对)(13)基本镜像恒流源的原理是两个三极管工作在同一条输出特性曲线上。
(14)在运放中恒流源的作用有提供静态工作电流或提供有源负载。
(15)由于频率特性好且易于集成,光电耦合具有很广阔的前景。
2 .如图4-63所示多级放大电路中,试判断各单级放大电路的类型及各级间的耦合方式。
解:(a)两级共射,阻容耦合(b)两级共射,直接耦合(c)共射-共集,直接耦合(d)共源-共射,阻容耦合(e)共射-共源-共射,阻容-变压器耦合3 .画出题2中各图微变等效电路,并写出A u、R i及R o的表达式。
模电(第四版)习题解答
实用标准第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保R大的特点。
( √ )证其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解:U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。
试问:(1)R b =50k Ω时,U o=?(2)若T 临界饱和,则R b =?解:(1)26BB BEB bV U I A R μ-==,2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电子答案第4章
模拟电子答案第4章第4章晶体三极管及其放大电路本章主要内容:● 晶体三极管的工作原理● 放大电路的组成原则● 放大电路的分析方法● 放大电路的三种组态●放大电路的频率响应4.1 晶体三极管一、晶体三极管的结构、类型、内部载流子运动过程1、结构、名称:2、类型:3、典型条件下内部载流子运动过程:条件:发射结正偏,集电结反偏 (1)发射区发射多子:因发射结正偏,发射区的多子(电子)向基区扩散(基区的多子亦向发射区扩散,但因基区多子浓度很低,此部分可忽略不计),并形成发射区、发射极电流(I EN ,扩散电流)。
(2)多子在基区的扩散与复合:发射区扩散的多子存在浓度差,继续向集电结扩散,在此过程中,少部分与基区的少子(空穴)复合,在基极外电压作用下,补充复合的空穴,形成基极电流(I BN ),因基区很窄,此电流亦很小;剩下的大部分扩散到集电结附近。
(3)集电区收集多子:因集电结反偏,在此外加的反向电压的作用下,扩散来的多子(电子)漂移到集电区(集电区的少子亦漂移到基区,但集电区浓度较低,形成的电流亦较小),形成集电区、集电极的主要电流(I CN ,漂移电流)。
二、三极管的电流放大特性1、近似条件下的电流关系:忽略基区的扩散电流、集电区的漂移电流,则:EN E I I ≈,BN B I I ≈,CN C I I ≈,则:CN BN EN I I I +=。
若将三极管看作一个电流节点,依KCL :CB E I I I +=定义:直流电流放大系数:BNCNI I =β BN CN I I β= BN EN I I )1(β+=2、考虑集电区漂移情况下的电流关系:若考虑集电结反偏、集电区的少子漂移产生的电流I CBO (仍忽略基区的扩散电流),则:CBO CN C I I I += CBO BN B I I I -=B C CBO B CBO C BN CN E I I I I I I I I I +=++-=+=)()(,仍符合KCL 。
《电力电子技术》第四章习题解答
4-1.根据图4.3(a)所示电路,U s = 120V ,频率60Hz ,L = 10mH ,R= 5Ω。
计算并绘出随u s 变化的电流i 。
解:由图可列微分方程:cos()m u diL Ri U wt dtφ+=+ (1)式中u φ为初相角,m U s 其通解为:'''i i i =+ 其中:''ti Aeτ-= LRτ='i 为方程''cos()m u di LRi U wt dtφ+=+的特解。
故设 'm c o s ()i I w t θ=+, 其中m s I = 代入(1)式有: m m cos()sin()cos()m u I R wt wLI wt U wt θθφ+-+=+ (2)引入tan wLRϕ=,有:sin ϕ=cos ϕ=再令Z =2)式可改写为:[]m m cos()sin()cos()sin()R wL I R wt wL wt I Z wt wt Z Z θθθθ⎡⎤+-+=+-+⎢⎥⎣⎦m cos()I Z wt θϕ=++于是得:m cos()I Z wt θϕ++=cos()m u U wt φ+ 因此有:m m U I Z ==u θφϕ=- 所以,特解'i 为:'cos()mu U i wt Zφϕ=+- 方程的通解为:cos()t mu U i wt Ae Zτφϕ-=+-+代入初始条件,由于(0)(0)0i i +-== 有:0cos()mu U A Zφϕ=-+ 于是:cos()mu U A Zφϕ=-- 故有:cos()cos()t m mu u U U i wt e Z Zτφϕφϕ-=+---波形图如下:4-2.根据图4.4(a)所示电路,U s =120V ,频率60Hz ,L = 10mH ,U d =150V 。
计算并绘出随u s 变化的电流i 。
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4.1 已知某放大器的幅频特性如题图4.1所示。
(1) 试说明该放大器的中频增益、上限频率f H 和下限频率f L 、通频带BW 。
(2) 当()()()()mV t sin mV t sin u i 461022010410⨯+⋅=ππ和()()()()mV t sin mV t sin u i 4102205210⨯+⋅=ππ时,输出信号有无失真?是何种性质的失真?分别说明之。
解:(1)由题图4.1可得:中频增益为40dB ,即100倍,f H =106Hz, f L =10Hz (在f H 和f L 处,增益比中频增益下降30dB ),Hz BW 66101010≈-=。
(2)当()()()()mV t sin mV t sin u i 461022010410⨯+⋅=ππ时,其中f =104Hz 的频率在中频段,而Hz f 6102⨯=的频率在高频段,可见输出信号要产生失真,即高频失真。
当()()()()mV t sin mV t sin u i 4102205210⨯+⋅=ππ时,f =5Hz 的频率在低频段,f =104Hz 的频率在中频段,所以输出要产生失真,即低频失真。
4.2 某放大电路电压增益的渐近波特图如题图4.2所示。
设中频相移为零。
(1)写出A u (jf)频率特性的表达式。
(2)求f=107Hz 处的相移值。
(3)求下限频率f L 的值。
(4)求f=100Hz 处实际的dB 值。
(5)求f=10Hz 和f=105Hz 的相移值。
题图4.1解: (1)中频放大倍数为103,高频有一个极点频率为105Hz ,一个零点频率为106Hz ,低频有两个极点频率均为102Hz ,两个零点频率均为10Hz 。
所以)101()101()101()101(10)(522623f j f j f j f jjf A v +-+-=(2)f=107Hz 处的相移为零o Hz f o Hz f Hzf vL dBA Hz f 45|,90|)5(54lg 20)4(15512/10)3(51010100212-====-≈===ϕϕ4.3 已知某晶体管电流放大倍数的频率特性波特图如题图4.3所示,试写出β的频率特性表达式,分别指出该管的ωβ、ωT 各为多少?并画出其相频特性的近似波特图。
(b)题图4.2题图4.3()()的定义直接读出。
根据。
也可直接从其波特图,故因为式为故相应的频率特性表达它是一个单极点系统,=,=的渐进波特图可知:解:由T T T s /Mrad jjj s /Mrad ωωωβωωωωβωβωβωββββ4001041100141000620=≈⨯+=+=其相频特性的近似波特图如图4.3(b)所示。
4.4 某一放大器的中频增益为A uI =40dB ,上限频率为f H =2MHz ,下限频率f L =100Hz ,输出不失真的动态范围为U opp =10V 。
输入下列信号时会产生什么失真? (1)、u i (t)=0.1sin(2π×104t)(V) (2)、u i (t)=10sin(2π×3×106t)(mV) (3)、u i (t)=10sin(2π×400t)+ 10sin(2π×106t) (mV) (4)、u i (t)=10sin(2π×10t)+ 10sin(2π×5×104t) (mV) (5)、u i (t)=10sin(2π×103t)+ 10sin(2π×107t) (mV)解:(1)输入信号为单一频率正弦波,所以不存在频率失真问题。
但由于输入信号幅度较大(为0.1V ),经100倍的放大后峰峰值为0.1×2×100=20V ,已大大超过输出不失真动态范围(U OPP =10V ),故输出信号将产生严重的非线性失真(波形出现限幅状态)。
(2)输入信号为单一频率正弦波,虽然处于高频区,但也不存在频率失真问题。
又因为信号幅度较小,为10m V ,经放大后峰峰值为100×2×10=2V ,故也不出现非线性失真。
(3) 输入信号两个频率分量分别为10Hz 及1MHz ,均处于放大器的中频区,不会产生频率失真,又因为信号幅度较小(10m V ),故也不会出现非线性失真。
(4)输入信号两个频率分量分别为10Hz 及50KHz ,一个处于低频区,而另一个处于中频区,故经放大后会出现低频频率失真,又因为信号幅度小,叠加后放大器也未超过线性动态范围,所以不会有非线性失真。
(5)输入信号两个频率分量分别为1KHz 和10MHz ,一个处于中频区,而另一个处于高频区,故信号经放大后会出现高频频率失真。
同样,由于输入幅度小。
不会出现非线性频率失真。
4.5 已知某晶体管在I CQ =2mA ,U CEQ =5V 时,,pF C ,MHz f ,c 'b T 4250100===βΩ=150'bb r ,U A =-100V ,试计算该管的高频混合π型参数,并画出高频混合π型模型。
解:混合参数的计算:Ω==13226e r mS .r g e m 92761==()Ω=+=k .r r e e 'b 311001Ω===k I U r CQ A ce 502100pF r f C e T e 'b 49131025021216=⨯⨯⨯==ππ混合π型模型如题图4.5所示。
4.6 电路如题图4.6(a)所示,已知晶体管的pFC pF C r r r c b e b ce bb e 3,100,100,,100,10''1===∞=Ω=Ω=β。
(1) 试画出电路的高频等效电路。
(2) 利用密勒近似求上限频率f H 。
解:(1)高频等效电路如题图4.6(b)所示:mS r g k r r em e e b 1001,1'==Ω==βU o +R 0.9k (a)U C b’c+o(b)题图4.6U s be 题图4.5(3) 利用密勒近似,将C b’c 折算到输入端,即()()()MHz ...C R f k .r R R r R pFC C C pF C R R g C i 'S H 'bb S B e 'b 'S e 'b M i e 'b L C m M 790104031050286121504033031123≈⨯⨯⨯⨯==Ω=+==+==+=-π4.7 单级共源电路的交流通路如题图4.7(a)所示。
(1) 画出该电路的高频等效电路。
(2) 求电路的上限频率。
解:(1)高频等效电路如图4.7(b)所示。
(3) 由图4.7(b)可看出,三个电容在一个回路中,所以只有两个独立储能元件,因而只有两个极点,一个无穷大的零点和一个有限制的零点。
因为图4.7(b)极点的求解比较麻烦,这里只利用开路时间常数法求上限频率ωH , 3211t ds t gd t gs H R C R C R C ++=ω式中R t1= R S , R t2= R S +(1+ g m R S ) R D , R t3= R D4.8 已知某电路的幅频特性如题图4.8所示,试问:(1)该电路的耦合方式; (2)该电路由几级放大电路组成;+ U s R+ U s (a)(b)图4.7D + U o题图4.8(3)当f =104Hz 时,附加相移为多少?当f =105时,附加相移又约为多少? 解:(1)因为下限截止频率为0,所以电路为直接耦合电路;(2)因为在高频段幅频特性为-60dB/十倍频程,所以为3级放大电路。
(3)当f=104Hz 时,附加相移为-135o ;当f=105Hz 时,附加相移为-270o 。
4.9 电路如题图4.9所示,已知C gs =C gd =5pF ,g m =5mS ,C 1=C 2=C S =10μF 。
试求f H 、f L各约为多少,并写出A ·us 的表达式。
题图4.9解:Hz C R f SS L 1621=≈π因为:()pF C R g C C gd 'L m gs i 721=++= 所以:()MHz .C R C R //R f iS i g S H 112121=≈=ππ()412.R g R R R A 'L m iS i usI -≈-+=所以:⎪⎭⎫ ⎝⎛⨯+⎪⎭⎫ ⎝⎛+⎪⎭⎫ ⎝⎛⋅-=61011116116412.f j f j f j .A us4.10电路如图4.10所示。
试定性分析下列问题,并简述理由。
(1)哪一个电容决定电路的下限频率;(2)若T1和T2静态时发射极电流相等,且r bb’和C i 相等,则哪一级的上限频率低。
题图4.10解: (1)决定电路下限频率的是C e ,因为它所在贿赂的等效电阻最小。
(2)因为R 2//R 3//R 4>R 1//R S ,C i2所在回路的时间常数大于C i1所在回路的时间常数,所以第二级的上限频率低。
4.11若两级放大电路各级的波特图均如题图4.11所示,试画出整个电路的波特图。
题图4.11(a )解:级联后的放大电路中频增益为60dB,频率小于10Hz 时,斜率为+40dB/十倍频程,频率大于105Hz 时斜率为-40dB/十倍频程。
波特图如图题图4.11(b)题图4.11(b)4.12已知一个两级放大电路各级电压放大倍数分别为(1)写出该放大电路的表达式; (2)求出该电路的f L 和f H 各约为多少; (3)画出该电路的波特图。
解(1)电压放大电路的表达式:10j 150j 14j 1 5025221⎪⎭⎫ ⎝⎛+⎪⎭⎫ ⎝⎛+⎪⎭⎫ ⎝⎛+-==f f f f A A A u u u(2)f L ≈50Hz,kHz .f ,.f H H 36410211115≈⨯≈ (3)根据电压放大倍数表达式可知,中频增益为104, 即80dB 。
波特图如图所示。
⎪⎭⎫ ⎝⎛+⎪⎭⎫ ⎝⎛+-==⎪⎭⎫⎝⎛+⎪⎭⎫ ⎝⎛+-==52o 25o1110j 150j 1 j 2 10j 14j 1 j 25f f f U U A f f f U U A i u i u。