半导体物理与器件复习
半导体器件物理复习题完整版
一． 平衡半导体： 1. 平衡半导体的特征（或称谓平衡半导体的定义）所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体，是指无外界（如电压、电场、磁场或温度梯度等）作用影响的半导体。
在这种情况下，材料的所有特性均与时间和温度无关。
2. 本征半导体：本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体。
3. 杂质补偿半导体：半导体中同一区域既含受主杂质又含施主杂质的半导体。
4. 简并半导体：对N 型掺杂的半导体而言，电子浓度大于导带的有效状态密度，费米能级高于导带底（0F c E E ->）；对P 型掺杂的半导体而言，空穴浓度大于价带的有效状态密度。
费米能级低于价带顶（0Fv E E -<）。
5.有效状态密度：在导带能量范围（~cE ∞）内，对导带量子态密度函数()()342nc cmg E E E h π=-电子玻尔兹曼分布函数()exp F F E E f E kT -⎡⎤=-⎢⎥⎣⎦的乘积进行积分（即()*0342exp cn F c m E E n E E dEh kT π∞-⎡⎤=--⎢⎥⎣⎦⎰）得到的3*2222n c m kT N h π⎛⎫= ⎪⎝⎭称导带中电子的有效状态密度。
在价带能量范围（~vE -∞）内，对价带量子态密度函数()()3/2*342pv v mg E E Ehπ=-与空穴玻尔兹曼函数()exp FF E E f E kT -⎡⎤=-⎢⎥⎣⎦的乘积进行积分（即()3/2*0342exp vE pF v mE E p E E dEh kT π-⎡⎤=--⎢⎥⎣⎦⎰）得到的3*2222p v m kT N h π⎛⎫=⎪ ⎪⎝⎭称谓价带空穴的有效状态密度。
6.以导带底能量c E 为参考，导带中的平衡电子浓度：0exp cF c E E n N kT -⎡⎤=-⎢⎥⎣⎦其含义是：导带中的平衡电子浓度等于导带中的有效状态密度乘以能量为导带低能量时的玻尔兹曼分布函数。
7.以价带顶能量v E 为参考，价带中的平衡空穴浓度：0exp Fv v E E p N kT -⎡⎤=-⎢⎥⎣⎦其含义是：价带中的平衡空穴浓度等于价带中的有效状态密度乘以能量为价带顶能量时的玻尔兹曼分布函数。
广工 半导体物理与器件总复习2
半导体物理与器件复习2
复习内容
一、 基本概念
1 突变结，线性缓变结，单边突变结
突变结
线性缓变结
杂质分布 x<0, N(x)=NA x>0, N(x)=ND
N(x)= ax 0
单边突变结 线性缓变结 （耗尽近似）
eNd
-xp x
n
p+n结
pn+结
2. 空间耗尽区，耗尽层近似：
耗尽近似是对实际电荷分布 的理想近似，包含两个含义：
K s 0 A C W
4.二极管的存贮延迟时间和反向恢复时间及其物理根源 存贮延迟时间和反向恢复时间的定义？ 物理根源：正偏时，电子从n区注入到p区，空穴从p区注 入到 n区，在耗尽层边界有少子的积累。导致p-n结内有 等量的过剩电子和空穴-电荷的存储。突然反向时，这些存 储电荷不能立即去除，消除存储的电荷有两种途径：复合 和漂移。都需要经过一定时间ts, p-n结才能达到反偏状态。
Dn n p 0 Ln
Dp pn 0 LP
）
（4）pn结定律
qVA pn n e k0T
2 i
势垒电容C j：形成空间电荷区的电荷随外加电压变化
扩散电容Cd：p-n结两边扩散区中，当加正向偏压时，有少子
的注入，并积累电荷，它也随外 电压而变化.扩散区的电荷数 量随外加电 压的变化所产生的电容效应。
金属和p型半导体接触
Φm < Φ s
Φm Φs
Φm > Φs
Φs Φs
B E g m
1 Vbi B ( EF EV ) FB q
第十四章 习题14.3 判断MS接触的类型
二 画图题
1. 平衡态时pn结，nn结，pp结的能带图
半导体物理与器件复习
1. 粒子能量λνhch E ==2. 德布罗意波长ph =λ 3. 能量与动量的关系 2mE P =2mP E 2=4. 波数λπ2k =，相速度Tλμ=5. 边界条件1)(2-=⎰∞∞dx x ω6. 无限深势阱中电子的能量2223n 2ma n h E E π==（n 为电子的能级，a 为势阱的宽度）7. //内力的作用a m F ⨯=8. 电子的有效质量*222m 1k d E d h 1= （价带顶(空穴)m *<0，导带底（电子）m *>0）9. 状态密度函数E h m E 32/3)2(4)(gπ=10. 导带中的电子有效状态密度c n c E E hm E g -=32/3*)2(4)(π11. 价带中的电子有效状态密度E E h v -=32/3*p v ）2m （4）E （g π12. 概率密度函数）kTE -E （exp 11）E （)()(N FF +==f E g E （E F 为费米能级）13. T=300K ，kT=0.0259eV0.0259V ekT= 本征半导体14. 热平衡时电子浓度为⎰=dE ）E （f ）E （g n Fc或]kT)(exp[n 0F c c E E N --= （N c 为导带有效状态密度，n 0<N c ）15. 热平衡时空穴浓度为])(exp[p 0kTE E N vF v --=16. 本征载流-子浓度i p =i n ，E Fi 为本征费米能级 17. 本征费米能级相对禁带中央的位置)m m kTln(43E -E *n*pmidFi = （若**p m n m =，mid F E E =； 若**p m n m >，mid F E E >； 若**p m n m <，mid F E E <；） 推导非本征半导体18. 热平衡时电子浓度为]kT )(exp[n Fi F i 0E E N -=19. 热平衡时空穴浓度为])(exp[p Fi F i 0kTE E N --=20. 热平衡状态下的半导体002i n p n =补偿半导体（指在同一区域内同时含有施主和受主杂质原子的半导体a N >d N ，n 型补偿半导体a N <d N ，p 型补偿半导体 a N =d N ，完全补偿半导体）21. //电子浓度（N 型）220)2(2n i ad ad n N N N N +-+-=22. //空穴浓度（P 型）220)2(2p i da da n N N N N +-+-=23. E F 随掺杂浓度和温度的变化随着掺杂浓度的提高，n 型半导体的费米能级逐渐向导带靠近，p 型半导体逐渐向价带靠近；随着温度的升高，n i 增加，费米能级趋近于本征费米能级。
精简版-半导体物理与器件复习资料
精简版-半导体物理与器件复习资料(1).状态密度函数：有效量子态的密度。
它是能量的函数，表示为单位体积单位能量中的量子态数量。
(2).电子的有效质量：该参数将晶体导带中电子的加速度与外加的作用力联系起来，该参数包含了晶体中的内力。
(3).费米-狄拉克概率函数：该函数描述了电子在有效能级中的分布，代表了一个允许能量状态被电子占据的概率。
(4).费米能级：用最简单的话说，该能量在T=0K时高于所有被电子填充的状态的能量，而低于所有空状态能量。
(5).空穴的有效质量：该参数同样将晶体价带中空穴的加速度与外加作用力联系起来，而且包含了晶体中的内力。
(6).k空间能带图：以k为坐标的晶体能连曲线，其中k为与运动常量有关的动量，该运动常量结合了晶体内部的相互作用。
(7).克龙尼克-潘纳模型：由一系列周期性阶跃函数组成，是代表一维单晶晶格周期性势函数的数学模型。
(8).杂质补偿半导体：同一半导体区域内既含有施主杂质又含有受主杂质的半导体。
(9).完全电离：所有施主杂质原子因失去电子而带正电，所有受主杂质原子因获得电子而带负电的情况。
(10).简并半导体：电子或空穴的浓度大于有效状态密度，费米能级位于导带中（n型）或价带中（p型）的半导体。
(11).有效状态密度：即在导带能量范围内对量子态密度函数gc（E）与费米函数fF（E）的乘积进行积分得到的参数Nc；在价带能量范围内对量子态密度函数gv（E）与【1-fF（E）】的乘积进行积分得到的参数N。
(12).非本征半导体：进行了定量施主或受主掺杂，从而使电子浓度或空穴浓度偏离本征载流子浓度产生多数载流子电子（n型）或多数载流子空穴（p型）的半导体。
(13).束缚态：低温下半导体内的施主与受主呈现中性的状态。
此时，半导体内的电子浓度与空穴浓度非常小。
n：本征半导体内导带电子的浓度和价带空穴的浓度（数值相等）。
(14).本征载流子浓度iE：本征半导体内的费米能级位置。
(15).本征费米能级Fi(16).本征半导体：没有杂质原子且晶体中无晶格缺陷的纯净半导体材料。
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第一章 半导体物理基础能带：1-1什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？1-2试定性说明Ge 、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。
1-3、试指出空穴的主要特征及引入空穴的意义。
1-4、设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能量E v (k)分别为：2222100()()3C k k k E k m m -=＋和22221003()6v k k E k m m =－；m 0为电子惯性质量，1k a π=；a ＝0.314nm ，341.05410J s -=⨯⋅，3109.110m Kg -=⨯，191.610q C -=⨯。
试求：①禁带宽度；②导带底电子有效质量；③价带顶电子有效质量。
题解：1-1、 解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（≥E g ）被激发到导带成为导电电子的过程就是本征激发。
其结果是在半导体中出现成对的电子-空穴对。
如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更多的电子被激发到导带中。
1-2、 解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。
温度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。
反之，温度降低，将导致禁带变宽。
因此，Ge 、Si 的禁带宽度具有负温度系数。
1-3、准粒子、荷正电：+q ； 、空穴浓度表示为p （电子浓度表示为n ）； 、E P =-E n （能量方向相反）、m P *=-m n *。
空穴的意义：引入空穴后，可以把价带中大量电子对电流的贡献用少量空穴来描述，使问题简化。
1-4、①禁带宽度Eg 根据dk k dEc )(＝2023k m ＋2102()k k m -＝0；可求出对应导带能量极小值E min 的k 值： k min ＝143k ， 由题中E C 式可得：E min ＝E C (K)|k=k min =2104k m ；由题中E V 式可看出，对应价带能量极大值Emax 的k 值为：k max ＝0；并且E min ＝E V (k)|k=k max ＝22106k m ；∴Eg ＝E min －E max ＝221012k m ＝222012m a π ＝23423110219(1.05410)129.110(3.1410) 1.610π----⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯＝0.64eV②导带底电子有效质量m n2222200022833C d E dk m m m =+=；∴ 22023/8C n d E m m dk == ③价带顶电子有效质量m ’ 22206V d E dk m =-，∴2'2021/6V n d E m m dk ==- 掺杂：2-1、什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？2-2、什么叫施主？什么叫施主电离？2-3、什么叫受主？什么叫受主电离？2-4、何谓杂质补偿？杂质补偿的意义何在？题解：2-1、解：浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。
半导体物理复习资料全
第一章 半导体中的电子状态1. 如何表示晶胞中的几何元素？规定以阵胞的基矢群为坐标轴，即以阵胞的三个棱为坐标轴，并且以各自的棱长为单位，也称晶轴。
2. 什么是倒易点阵（倒格矢）？为什么要引入倒易点阵的概念？它有哪些基本性质？ 倒格子： 2311232()a a b a a a π⨯=⋅⨯3122312()a a b a a a π⨯=⋅⨯1233122()a a b a a a π⨯=⋅⨯倒格子空间实际上是波矢空间，用它可很方便地将周期性函数展开为傅里叶级数，而傅里叶级数是研究周期性函数的基本数学工具。
3. 波尔的氢原子理论基本假设是什么？（1）原子只能处在一系列不连续的稳定状态。
处在这些稳定状态的原子不辐射。
（2）原子吸收或发射光子的频率必须满足。
（3）电子与核之间的相互作用力主要是库仑力，万有引力相对很小，可忽略不计。
（4）电子轨道角动量满足：h m vr nn π== 1,2,3,24. 波尔氢原子理论基本结论是什么？ （1） 电子轨道方程：0224πεe r mv = （2） 电子第n 个无辐射轨道半径为：2022meh n r n πε= （3） 电子在第n 个无辐射轨道大巷的能量为：222042821hn me mv E n n ε== 5. 晶体中的电子状态与孤立原子中的电子状态有哪些不同？（1）与孤立原子不同，由于电子壳层的交迭，晶体中的电子不再属于某个原子，使得电子在整个晶体中运动，这样的运动称为电子共有化运动，这种运动只能在相似壳间进行，也只有在最外层的电子共有化运动才最为显著。
（2）孤立原子钟的电子运动状态由四个量子数决定，用非连续的能级描述电子的能量状态，在晶体中由于电子共有化运动使能级分裂为而成能带，用准连续的能带来描述电子的运动状态。
6. 硅、锗原子的电子结构特点是什么？硅电子排布：2262233221p s p s s锗电子排布：22106262244333221p s d p s p s s价电子有四个：2个s 电子，2个p 电子。
复习题半导体物理学
复习题：半导体物理学引言：半导体物理学是研究半导体材料的电学和光学性质的科学学科。
半导体材料由于其特殊的能带结构，介于导体和绝缘体之间。
在半导体物理学中，我们研究电子行为、能带理论、掺杂效应和半导体器件等方面的内容。
本文将通过一系列复习题来回顾半导体物理学的相关知识。
一、电子行为：1. 什么是载流子？在半导体中有哪两种类型的载流子？在半导体中，带有电荷的粒子称为载流子。
一种是带负电荷的电子，另一种是带正电荷的空穴。
2. 什么是能带？能带理论是用来描述什么的？能带是指具有一定能量范围的电子能级分布。
能带理论用于描述电子在半导体中的分布和运动行为。
3. 什么是禁带宽度？它对半导体的导电性质有什么影响？禁带宽度是指能带中能量差最小的范围，该范围内的能级没有允许态。
禁带宽度决定了半导体的导电性能。
能带中存在禁带宽度时，半导体表现出绝缘体的性质；当禁带宽度足够小的时候，允许电子状态穿越禁带，半导体表现出导体的性质。
二、掺杂效应：1. 什么是掺杂？常见的掺杂元素有哪些？掺杂是指向纯净的半导体中引入少量杂质元素，以改变半导体的导电性质。
常见的掺杂元素有磷、锑、硼等。
2. 控制掺杂浓度的方法有哪些？掺杂浓度可以通过掺杂杂质元素的量来控制。
掺杂浓度越高，半导体的导电性越强。
3. P型和N型半导体有什么区别？P型半导体是指通过掺杂三价元素使半导体中存在过剩的空穴，空穴是主要的载流子。
N型半导体是指通过掺杂五价元素使半导体中存在过剩的电子，电子是主要的载流子。
三、半导体器件：1. 什么是PN结？它的主要作用是什么？PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结构。
PN结的主要作用是将半导体材料的导电性质从P型区域传导到N型区域，形成电子流和空穴流。
2. 什么是二极管？它的特点是什么？二极管是PN结的一种常见应用。
它具有单向导电性，允许电流从P区域流向N区域，而阻止电流从N区域流向P区域。
3. 什么是晶体管？它的工作原理是怎样的？晶体管是由三个掺杂不同类型的半导体构成的器件。
半导体物理学复习提纲(重点)
第一章 半导体中的电子状态§1.1 锗和硅的晶体结构特征 金刚石结构的基本特征§1.2 半导体中的电子状态和能带 电子共有化运动概念绝缘体、半导体和导体的能带特征。
几种常用半导体的禁带宽度； 本征激发的概念§1。
3 半导体中电子的运动 有效质量导带底和价带顶附近的E(k ）~k 关系()()2*2nk E k E m 2h -0=; 半导体中电子的平均速度dEv hdk=; 有效质量的公式：222*11dk Ed h m n =。
§1。
4本征半导体的导电机构 空穴空穴的特征：带正电；p n m m **=-；n p E E =-；p n k k =-§1。
5 回旋共振§1.6 硅和锗的能带结构 导带底的位置、个数； 重空穴带、轻空穴第二章 半导体中杂质和缺陷能级§2。
1 硅、锗晶体中的杂质能级基本概念：施主杂质，受主杂质,杂质的电离能，杂质的补偿作用。
§2。
2 Ⅲ—Ⅴ族化合物中的杂质能级 杂质的双性行为第三章 半导体中载流子的统计分布热平衡载流子概念§3。
1状态密度定义式：()/g E dz dE =；导带底附近的状态密度：()()3/2*1/232()4ncc m g E VE E h π=-；价带顶附近的状态密度：()()3/2*1/232()4p v Vm g E V E E hπ=-§3.2 费米能级和载流子的浓度统计分布 Fermi 分布函数：()01()1exp /F f E E E k T =+-⎡⎤⎣⎦；Fermi 能级的意义：它和温度、半导体材料的导电类型、杂质的含量以及能量零点的选取有关.1）将半导体中大量的电子看成一个热力学系统，费米能级F E 是系统的化学势；2）F E 可看成量子态是否被电子占据的一个界限。
3）F E 的位置比较直观地标志了电子占据量子态的情况,通常就说费米能级标志了电子填充能级的水平。
半导体物理和器件复习题
半导体物理和器件复习题半导体物理和器件复习题在现代科技发展的浪潮中，半导体物理和器件是一个非常重要的领域。
从智能手机到电子汽车，从计算机到太阳能电池，半导体器件的应用无处不在。
因此，对半导体物理和器件的深入了解和掌握是非常关键的。
为了帮助大家复习和巩固相关知识，下面将提供一些半导体物理和器件的复习题。
1. 什么是半导体？半导体是介于导体和绝缘体之间的一类物质。
它的导电性介于导体和绝缘体之间，可以通过控制外界条件来改变其导电性能。
常见的半导体材料有硅和锗。
2. 什么是P型半导体和N型半导体？P型半导体是在纯硅中掺杂了少量的三价元素（如硼），使得硅晶体中存在空穴（缺电子）。
N型半导体是在纯硅中掺杂了少量的五价元素（如磷），使得硅晶体中存在额外的自由电子。
3. 什么是PN结？PN结是由P型半导体和N型半导体直接接触形成的结构。
在PN结中，由于P型半导体和N型半导体之间的电子和空穴的扩散，形成了电子和空穴的聚集区域，称为耗尽区。
耗尽区中存在电场，阻止了电子和空穴的进一步扩散。
4. 什么是二极管？二极管是一种最简单的半导体器件，由P型半导体和N型半导体组成。
它具有只允许电流在一个方向流动的特性。
当正向偏置（P端连接正电压，N端连接负电压）时，二极管导通；当反向偏置时，二极管截止。
5. 什么是晶体管？晶体管是一种三极管，由P型半导体、N型半导体和P型半导体组成。
它可以用作放大器和开关。
当基极电流较小时，晶体管处于截止状态；当基极电流较大时，晶体管处于饱和状态。
6. 什么是场效应管？场效应管是一种三极管，由P型或N型半导体和金属栅极组成。
它的导电性能是通过改变栅极电场来控制的。
当栅极电压为零或负电压时，场效应管截止；当栅极电压为正电压时，场效应管导通。
7. 什么是集成电路？集成电路是将大量的电子元件集成在一块半导体芯片上的电路。
根据集成度的不同，可以分为小规模集成电路（SSI）、中规模集成电路（MSI）、大规模集成电路（LSI）和超大规模集成电路（VLSI）。
半导体物理学期末总复习
半导体物理器件在传感与检测领域中的应用
发展趋势
了解半导体物理器件的发展趋势，包括更高性能、更低功耗、更小体积等。
面临的挑战
分析半导体物理器件在发展中面临的挑战，包括工艺复杂度、成本、可靠性等。ຫໍສະໝຸດ 半导体物理器件的发展趋势与挑战
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半导体激光器
介绍半导体激光器的原理、结构、制造工艺和应用，包括分布反馈式激光器、布拉格光栅激光器等。
半导体物理器件在光电子中的应用
介绍半导体传感器的基本原理、分类、应用和制造工艺，重点了解气体传感器和生物传感器。
半导体传感器
介绍半导体检测器的基本原理、分类、应用和制造工艺，包括光电检测器、热电检测器等。
半导体二极管及其特性
半导体二极管伏安特性
半导体二极管的伏安特性曲线反映了二极管在不同电压下的电流密度和电阻率，从而表现出单向导电性。
半导体二极管温度特性
半导体二极管的温度系数表示温度对二极管电压的影响，温度升高会使二极管正向电压降低。
双极型晶体管结构
01
双极型晶体管由三个半导体材料区域组成，两个P型区域和一个N型区域，通过三个区域的组合和连接形成NPN或PNP结构。
双极型晶体管及其特性
双极型晶体管的电流放大效应
02
双极型晶体管的基极电流对集电极电流的控制作用称为电流放大效应，这种效应是双极型晶体管的核心特性。
双极型晶体管的击穿特性
03
双极型晶体管在特定电压和电流条件下会发生击穿，导致电流突然增加，失去单向导电性。
场效应晶体管结构
场效应晶体管的电压控制特性
场效应晶体管的频率特性
双极型晶体管的模型与仿真
场效应晶体管的模型与仿真
半导体器件物理复习重点
半导体器件物理_复习重点第一章PN结1.1 PN结是怎么形成的？1.2 PN结的能带图（平衡和偏压）1.3 内建电势差计算1.4 空间电荷区的宽度计算Naxp?Ndxn1.5 PN结电容的计算第二章PN结二极管2.1理想PN结电流模型是什么？2.2 少数载流子分布（边界条件和近似分布）2.3 理想PN结电流??eVa??J?Js?exp???1? ??kT??Js?eDppn0Lp?eDnnp0Ln?1D1n??en??Na?n0Nd?2iDp?? ?p0??2.4 PN结二极管的等效电路（扩散电阻和扩散电容的概念）？2.5 产生-复合电流的计算2.6 PN结的两种击穿机制有什么不同？第三章双极晶体管3.1 双极晶体管的工作原理是什么？3.2 双极晶体管有几种工作模式，哪种是放大模式？3.3 双极晶体管的少子分布（图示）3.4 双极晶体管的电流成分（图示），它们是怎样形成的？3.5 低频共基极电流增益的公式总结（分析如何提高晶体管的增益系数）??1?pE0DELBtanh(xB/LB)NB1?1??NEnB0DBLEtanh(xE/LE)1DBxB??DExE 11?T??cosh(xB/LB)1?(x/L)2BB2??1?1Jr0?eV? exp??BE?Js0?2kT?????T????1??3.6 等效电路模型（Ebers-Moll模型和Hybrid-Pi模型）（画图和简述）3.7 双极晶体管的截止频率受哪些因素影响？3.8 双极晶体管的击穿有哪两种机制？第四章MOS场效应晶体管基础4.1 MOS结构怎么使半导体产生从堆积、耗尽到反型的变化？（加负压时，半导体产生堆积型，因为负电荷出现在金属板上，如果电场穿入半导体，作为多子的空穴将会被推向氧化物—半导体表面，形成堆积；加一个小的正压时，正电荷堆积在金属板上，如果电荷穿过电场时，作为多子的空穴被推离氧化物—半导体表面，形成一个负的空间电荷区；加一个更大的正压时，MOS电容中负电荷的增多表示更大的空间电荷区以及能带弯曲程度更大，半导体表面从P型转化为N型。
广工半导体物理与器件总复习
二、基本公式
1. 态密度函数
导带态密度
3
gc (E)
dZ dE
4V
(2mn* ) 2 h3
dn dx
J p,diff
qDp
dp dx
扩散系数反应了非平衡少子扩散能力的大小
5.6 载流子的扩散运动
达到稳态分布，即空间任一点，单位体积内的载流子数目不随 时间变化，则由于扩散，单位时间单位体积内累积的载流子数 目等于复合掉的载流子数目。
Dp
d 2p dx 2
p
Dn
d 2n dx 2
n
一维稳态扩散方程
f外
m
* n
a
：
mn*
h2 d 2E
dk 2
mn*叫做电子的有效质量，因为具有质量的量纲，但不
同于电子的惯性质量m0
因为导带底部E(k)有极小值，所以导带底电子的有效质
量为正值。
d 2E dk 2
0
因为价带顶顶部E(k)有极大值，所以价带顶电子的有效
质量为负值
d 2E dk 2
0
有效质量： mn*
)
平衡态
EF Ei
n0 ni e k0T
Ei EF
p0 ni e k0T
非平衡态
n0 p0
ni2
Nc Nv
exp(
Eg k0T
)
EFn EFp
n0 p0 ni2e k0T
3.载流子的浓度
导带的有效状态密度Nc
半导体物理学期末总复习
半导体中的热平衡态
载流子的扩散
在半导体中，不同区域的载流子浓度不同，浓度高的区域的载流子会向浓度低的区域扩散，这种现象称为载流子的扩散。
载流子的漂移
当半导体中存在电场时，载流子会受到电场力的作用，从高电场强度区域向低电场强度区域移动，这种现象称为载流子的漂移。
载流子的输运过程
在半导体中，载流子的浓度分布取决于载流子的产生、复合、扩散、漂移等过程的综合作用。
太阳能电池
利用半导体物理器件的能带结构，可以制造出高效的太阳能电池。
半导体物理器件在新能源和环境中的应用
风能发电装置
利用半导体物理器件的高频特性，可以制造出高效的风能发电装置。
水质监测和污水处理
利用半导体物理器件的化学传感器作用，可以制造出用于水质监测和污水处理中的传感器。
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半导体的光学性质
光吸收
半导体对光的吸收主要取决于材料中的电子和原子结构。在光子能量大于或等于半导体带隙时，光子会被吸收并产生电子-空穴对。
光发射
光发射是半导体中电子从束缚态跃迁到自由态并辐射出光子的过程。光发射的能量与带隙密切相关，带隙越大，发射光的能量越高。
半导体中的光吸收与光发射
光电效应
5G和6G通信技术
随着5G和6G通信技术的不断发展，现代半导体器件需要适应更高的频率和更复杂的通信协议。
半导体物理器件在集成电路中的应用
存储器
半导体物理器件还可以应用于存储器中，例如动态随机存储器和闪存等。
传感器
半导体物理器件还可以应用于传感器中，例如光传感器、温度传感器和压力传感器等。
微处理器
半导体物理器件在集成电路中的应用最为广泛，其中微处理器是其中的代表。
半导体物理与器件复习
一、选择填空1. 非平衡载流子寿命公式 ()τte p t p -∆=∆02. 本征载流子浓度公式 83p]ex p[])(ex p[2kT E N N kT E E N N n g v c v c v c i -=--= ])(exp[0kT E E N n n Fi c c i --== i n 为本征半导体中电子浓度，g E 为禁带宽度3. 本征半导体概念把晶体中不含有杂质原子的材料定义为本征半导体。
89p （纯净的单晶半导体称为本征半导体 87p ）4. 半导体功函数概念：功函数是指真空电子能级E 0与半导体的费米能级E F 之差。
5. 单位晶胞中原子占据的百分比，原子的数目6. N 型半导体，P 型半导体的概念 P87N 型半导体：由于施主杂质原子增加导带电子，但并不产生价带空穴，此时的半导体称为N 型半导体；P 型半导体：受主杂质原子能在价带中产生空穴，但不在导带中产生电子，我们称这种半导体为P 型半导体。
7. 载流子的迁移率和扩散系数，爱因斯坦关系式，影响载流子的迁移率的因素，两种散射机制影响迁移率的主要因素有能带结构（载流子有效质量）、温度和各种散射机构。
两种散射:晶格散射（声子散射）和电离杂质能散射。
8. PN 结击穿的类型，机制：P186雪崩击穿 齐纳击穿9.金属、半导体、绝缘体的本质区别，半导体的几种类型绝缘体的电阻率非常大，而与之对应的电阻率则非常小，其本质是没有用来形成漂移电流的粒子，绝缘体的带隙能量Eg 通常为3.5~6eV .半导体的电阻率是可调的，它可以变化几个数量级，其带隙能量大约为1eV .金属具有非常底的电阻率，金属材料表现出很高的电导率（能带图P60）二、名词解释和简答题1. 空间电荷区：冶金结两侧由于n 区内施主电离和p 区内受主电离而形成的带净正电与负电的区域。
193p存储时间：当pn 结二极管由正偏变为反偏时，空间电荷区边缘的过剩少子浓度由稳态值变成零所用的时间。
半导体物理与器件(专升本)考试
半导体物理与器件(专升本)考试
半导体物理与器件（专升本）考试的考试重点主要有以下几个方面：
1.半导体物理基础：重点考察半导体材料的晶体结构、能带结构、载流子类型和浓度等基本物理性质，以及热平衡状态下的半导体特性。
2.半导体器件的基本原理：重点考察半导体器件（如二极管、晶体管、集成电路等）的基本工作原理、电流电压特性以及器件的参数和性能指标。
3.半导体器件的应用：重点考察半导体器件在电子电路、集成电路、微电子系统等领域的应用，包括信号放大、开关控制、数字逻辑等。
4.半导体材料与工艺：重点考察半导体材料（如硅、锗、化合物半导体等）的制备工艺、纯度检测、缺陷控制等，以及半导体器件的制造工艺流程和关键技术。
5.半导体测试与可靠性分析：重点考察半导体器件的测试技术、可靠性分析和失效机理，以及提高器件可靠性的方法和技术。
以上是半导体物理与器件（专升本）考试的主要考试重点，考生需要全面掌握相关知识点，同时注重理论联系实际，提高自己的实际应用能力。
半导体物理与器件复习资料
半导体物理与器件复习资料非平衡载流子寿命公式：本征载流子浓度公式：本征半导体：晶体中不含有杂质原子的材料半导体功函数：指真空电子能级E 0与半导体的费米能级E f 之差电子>(<)空穴为n(p)型半导体，掺入的是施主(受主)杂质原子。
Pn 结击穿的的两种机制：齐纳效应和雪崩效应载流子的迁移率扩散系数爱因斯坦关系式两种扩散机制：晶格扩散，电离杂质扩散迁移率受掺杂浓度和温度的影响金属导电是由于自由电子；半导体则是因为自由电子和空穴；绝缘体没有自由移动的带电粒子，其不导电。
空间电荷区：冶金结两侧由于n 区内施主电离和p 区内受主电离而形成的带净正电与负电的区域。
存储时间：当pn 结二极管由正偏变为反偏是，空间电荷区边缘的过剩少子浓度由稳定值变为零所用的时间。
费米能级：是指绝对零度时，电子填充最高能级的能量位置。
准费米能级：在非平衡状度下，由于导带和介质在总体上处于非平衡，不能用统一的费米能级来描述电子和空穴按能级分布的问题，但由于导带中的电子和价带中的空穴按能量在各自能带中处于准平衡分布，可以有各自的费米能级成为准费米能级。
肖特基接触：指金属与半导体接触时，在界面处的能带弯曲，形成肖特基势垒，该势垒导放大的界面电阻值。
非本征半导体：将掺入了定量的特定杂质原子，从而将热平衡状态电子和空穴浓度不同于本征载流子浓度的材料定义为非本征半导体。
简并半导体：电子或空穴的浓度大于有效状态密度，费米能级位于导带中（n 型）或价带中（p 型）的半导体。
直接带隙半导体：导带边和价带边处于k 空间相同点的半导体。
电子有效质量：并不代表真正的质量，而是代表能带中电子受外力时，外力与加速度的一个比例常熟。
雪崩击穿：由空间电荷区内电子或空穴与原子电子碰撞而产生电子--空穴对时，创建较大反偏pn 结电流的过程1、什么是单边突变结？为什么pn 结低掺杂一侧的空间电荷区较宽？①冶金结一侧的掺杂浓度大于另一侧的掺杂浓度的pn 结；②由于pn 结空间电荷区p 区的受主离子所带负电荷与N 区的施主离子所带正电荷的量是相等的，而这两种带点离子不能自由移动的，所以空间电荷区内的低掺杂一侧，其带点离子的浓度相对较低，为了与高掺杂一侧的带电离子的数量进行匹配，只有增加低掺杂一侧的宽度。
半导体物理与器件基础总复习汇总
16 3 N N 2 10 cm 根据 A D
查图4－14得μ，然后计算可得
1 pq p
14
例5、某p型半导体掺杂浓度NA＝1016/cm3，少子寿命为 10μs ，在均匀光的照射下产生非平衡载流子，其产生 率g=1018/cm3s，试计算室温时光照情况下的费米能级并 和原来无光照时4的费米能级比较。设本征载流子浓度 ni=1010/cm3。 解、1）无光照时，空穴浓度
1?pnn可查图415得到cm?71313根据316cm102?dann查图414得然后计算可得ppq11414例5某p型半导体掺杂浓度na1016cm3少子寿命为10s在均匀光的照射下产生非平衡载流子其产生率g1018cm3s试计算室温时光照情况下的费米能级并和原来无光照时4的费米能级比较
半导体物理
2）第二章：
杂质与杂质能级、施主杂质与受主杂质； 浅能级杂质电离能的简单计算——类氢模型； 杂质补偿作用、深能级杂质的特点、作用及形成等
2
3）第三章：
热平衡载流子、k 空间量子态、导带底电子状态密度、 价带顶状态密度、状态密度有效质量； 费米分布、玻耳兹曼分布、费米能级及其与杂质浓 度和温度的关系、本征半导体及本征激发、本征载 流子浓度； 电中性条件、杂质电离能及电离过程、简并半导体、 简并化条件； 载流子冻析效应、禁带窄化效应；
1.5 1010 1.602 10－19 (1350 500) 4.45 10－6 s / cm
掺入As浓度为ND=5.00×1022×10-6=5.00×1016cm-3
16 3 n N 5 10 / cm 杂质全部电离， 0 D
查图4-14可得：μn＝900cm2/V· S
Semiconductor Physics 雷天民
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半导体物理与器件复习
一、选择填空
1. 非平衡载流子寿命公式
2. 本征载流子浓度公式
3. 本征半导体概念
4. 半导体功函数概念
5. 单位晶胞中原子占据的百分比，原子的数目
6. N型半导体，P型半导体的概念
7. 载流子的迁移率和扩散系数，爱因斯坦关系式，影响载流子的迁移率的因素，两种散射机制
8. PN结击穿的类型，机制
9.金属、半导体、绝缘体的本质区别，半导体的几种类型
二、名词解释和简答题
1. 空间电荷区，存储时间，费米能级，准费米能级，肖特基接触，非本征半导体，简并半导体，直接带隙半导体，电子有效质量，雪崩击穿，单边突变结，电子有效质量，双极输运，欧姆接触，本征半导体，非简并半导体，间接带隙半导体
2. 什么是单边突变结？为什么pn结低掺杂一侧的空间电荷区较宽？
3.为什么随着掺杂浓度的增大，击穿电压反而下降？
4. 对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体，为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同？试加以定性分析。
5.漂移运动和扩散运动有什么不同？对于非简并半导体而言，迁移
率和扩散系数之间满足什么关系？
6. 什么叫统计分布函数？并说明麦克斯韦-玻尔兹曼、玻色-爱因斯坦、费米狄拉克分布函数的区别？
7. 画出肖特基二极管和pn结二极管的正偏特性曲线；并说明它们之间的差别。
8. 空间电荷区是怎样形成的。
画出零偏与反偏状态下pn结的能带图。
9. 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。
10. 什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？
11. 何谓杂质补偿？杂质补偿的意义何在？
12. 何谓非平衡载流子？非平衡状态与平衡状态的差异何在？
13. 什么是声子? 它对半导体材料的电导起什么作用?
三计算题
作业题：3-37，3-40，4-47，7-8，8-6
最后一门学位课，一定要认真复习。