VASP-INCAR参数设置
VASP参数设置详解解读
VASP参数设置详解计算材料2010-11-30 20:11:32 阅读197 评论0 字号：大中小订阅转自小木虫，略有增减软件主要功能：采用周期性边界条件（或超原胞模型）处理原子、分子、团簇、纳米线（或管）、薄膜、晶体、准晶和无定性材料，以及表面体系和固体l 计算材料的结构参数（键长、键角、晶格常数、原子位置等）和构型l 计算材料的状态方程和力学性质（体弹性模量和弹性常数）l 计算材料的电子结构（能级、电荷密度分布、能带、电子态密度和ELF）l 计算材料的光学性质l 计算材料的磁学性质l 计算材料的晶格动力学性质（声子谱等）l 表面体系的模拟（重构、表面态和STM模拟）l 从头分子动力学模拟l 计算材料的激发态（GW准粒子修正）计算主要的四个参数文件：INCAR ,POSCAR,POTCAR ,KPOINTS,下面简要介绍，详细权威的请参照手册INCAR文件：该文件控制VASP进行何种性质的计算，并设置了计算方法中一些重要的参数，这些参数主要包括以下几类：对所计算的体系进行注释：SYSTEM●定义如何输入或构造初始的电荷密度和波函数：ISTART，ICHARG，INIWA V●定义电子的优化–平面波切断动能和缀加电荷时的切断值：ENCUT，ENAUG–电子部分优化的方法：ALGO，IALGO，LDIAG–电荷密度混合的方法：IMIX，AMIX，AMIN，BMIX，AMIX_MAG，BMIX_MAG，WC，INIMIX，MIXPRE，MAXMIX–自洽迭代步数和收敛标准：NELM，NELMIN，NELMDL，EDIFF●定义离子或原子的优化–原子位置优化的方法、移动的步长和步数：IBRION，NFREE，POTIM，NSW–分子动力学相关参数：SMASS，TEBEG，TEEND，POMASS，NBLOCK，KBLOCK，PSTRESS–离子弛豫收敛标准：EDIFFG●定义态密度积分的方法和参数–smearing方法和参数：ISMEAR，SIGMA–计算态密度时能量范围和点数：EMIN，EMAX，NEDOS–计算分波态密度的参数：RWIGS，LORBIT●其它–计算精度控制：PREC–磁性计算：ISPIN，MAGMOM，NUPDOWN–交换关联函数：GGA，VOSKOWN–计算ELF和总的局域势：LELF，LVTOT–结构优化参数：ISIF–等等。
incar中gga参数
incar中gga参数"incar" 是 VASP（Vienna Ab initio Simulation Package）软件中的一个输入文件，用于控制计算的各种参数。
而 "gga" 则代表广义梯度近似（Generalized Gradient Approximation），是一种处理交换-相关能的方法。
在 VASP 的 "incar" 文件中，可以通过设置一些参数来控制 GGA 相关的计算。
下面我将从不同角度来解释 "incar" 中的 "gga" 参数。
首先，"gga" 参数在 "incar" 文件中用于指定交换-相关泛函的类型。
在 VASP 中，可以设置 "gga" 参数为不同的值，如 "PE"（Perdew-Wang 91交换相关泛函）、"RP"（RevPBE交换相关泛函）等，以选择不同的交换-相关泛函来进行计算。
不同的泛函对于材料性质的计算会产生不同的影响，因此合理选择 "gga" 参数是非常重要的。
其次，"gga" 参数还可以影响计算的精度和速度。
不同的交换-相关泛函对计算的精度和收敛性会有所影响，有些泛函可能会导致计算更加耗时，而有些则可能会加快计算速度。
因此，在选择"gga" 参数时，需要权衡计算的精度和速度，以便在保证结果准确的前提下尽量提高计算效率。
此外，"gga" 参数还与磁性材料的计算有关。
对于包含磁性原子的体系，选择合适的 "gga" 参数对于计算磁性性质是至关重要的。
不同的交换-相关泛函对磁性材料的计算结果会产生不同的影响，因此需要根据具体的研究对象来选择合适的 "gga" 参数。
INCAR参数选择
INCAR参数选择选择适合的INCAR参数对于有效进行DFT计算至关重要。
INCAR文件是VASP软件中控制计算的重要输入文件之一，包含了数百个参数选项。
以下是几个常见的参数，对于选择INCAR参数提供了一些建议。
1.ENCUT：ENCUT参数用于控制平面波截断能量（eV），决定了计算中平面波展开的最大能量。
通常情况下，ENCUT的值越大，计算结果的精度越高。
选择合适的ENCUT值需要考虑计算系统的性质以及计算资源。
一般而言，对于大型系统，推荐使用较高的ENCUT值，如300-500eV，而对于小型系统，200-300eV已经足够。
2.ISMEAR和SIGMA：ISMEAR参数用于设定能级的展宽方式，决定了计算中用于计算Fermi能级附近态密度的展宽方式。
SIGMA参数用于控制展宽的大小。
常见的取值有0、1、-5，对应于Gaussian展宽、Fermi-Dirac展宽和Methfessel-Paxton展宽。
选择合适的ISMEAR和SIGMA值需要考虑计算中能级分布的准确性和计算速度。
通常而言，ISMEAR=0和ISMEAR=-5配合较小的SIGMA值可以获得较高的计算精度。
3.NELM和NELMIN：NELM参数用于设定迭代循环的最大步数，决定了计算达到收敛所需迭代的次数。
NELMIN参数用于设定跳过的迭代步数，决定了VASP在开始迭代前保持步数的次数。
选择合适的NELM和NELMIN值需要考虑计算系统的复杂性和计算资源。
通常情况下，NELM的值越大，收敛所需的计算时间越长。
一般而言，NELM和NELMIN的值可以设置为10-100。
4.EDIFF和EDIFFG：EDIFF参数用于设定能量收敛的标准，决定了计算能量的精度。
EDIFFG参数用于设定离子弛豫的收敛标准，决定了离子弛豫的精度。
选择合适的EDIFF和EDIFFG值需要考虑计算精度和计算时间。
通常情况下，EDIFF的值越小，计算收敛所需的计算时间越长。
incar中溶剂化参数设置
在VASP（Vienna Ab initio Simulation Package）中，INCAR文件是用来控制整个VASP计算的参数文件。
对于溶剂化参数的设置，你需要考虑以下两个方面：
1. ENCUT：这个参数用于控制截断能，它决定了波函数展开的基组大小。
一般来说，ENCUT越大，计算越精确，但计算时间也会增加。
通常，ENCUT的值在200-400eV之间。
2. ISMEAR：这个参数用于控制波函数和电荷密度的混合与平滑。
ISMEAR=-5表示使用Fast Fourier Transform（FFT）进行混合与平滑，而ISMEAR=0则表示不进行混合与平滑。
至于溶剂化参数的具体设置，你需要根据具体的计算需求和体系来决定。
一般来说，你需要先确定溶剂的种类和浓度，然后根据这些信息来设置相应的溶剂化参数。
需要注意的是，VASP是一个非常复杂的软件包，对于初学者来说可能有一定的难度。
如果你对VASP的使用还不熟悉，建议先参考相关的教程和文档，或者寻求专业人士的帮助。
VASP全参数设置详解
VASP参数设置详解软件主要功能：采用周期性边界条件（或超原胞模型）处理原子、分子、团簇、纳米线（或管）、薄膜、晶体、准晶和无定性材料，以及表面体系和固体l 计算材料的结构参数（键长、键角、晶格常数、原子位置等）和构型l 计算材料的状态方程和力学性质（体弹性模量和弹性常数）l 计算材料的电子结构（能级、电荷密度分布、能带、电子态密度和ELF）l 计算材料的光学性质l 计算材料的磁学性质l 计算材料的晶格动力学性质（声子谱等）l 表面体系的模拟（重构、表面态和STM模拟）l 从头分子动力学模拟l 计算材料的激发态（GW准粒子修正）计算主要的四个参数文件：INCAR ,POSCAR,POTCAR ,KPOINTS,下面简要介绍，详细权威的请参照手册INCAR文件：该文件控制VASP进行何种性质的计算，并设置了计算方法中一些重要的参数，这些参数主要包括以下几类：对所计算的体系进行注释：SYSTEM定义如何输入或构造初始的电荷密度和波函数：ISTART，ICHARG，INIWAV定义电子的优化–平面波切断动能和缀加电荷时的切断值：ENCUT，ENAUG–电子部分优化的方法：ALGO，IALGO，LDIAG–电荷密度混合的方法：IMIX，AMIX，AMIN，BMIX，AMIX_MAG，BMIX_MAG，WC，INIMIX，MIXPRE，MAXMIX–自洽迭代步数和收敛标准：NELM，NELMIN，NELMDL，EDIFF定义离子或原子的优化–原子位置优化的方法、移动的步长和步数：IBRION，NFREE，POTIM，NSW –分子动力学相关参数：SMASS，TEBEG，TEEND，POMASS，NBLOCK，KBLOCK，PSTRESS–离子弛豫收敛标准：EDIFFG定义态密度积分的方法和参数–smearing方法和参数：ISMEAR，SIGMA–计算态密度时能量范围和点数：EMIN，EMAX，NEDOS–计算分波态密度的参数：RWIGS，LORBIT其它–计算精度控制：PREC–磁性计算：ISPIN，MAGMOM，NUPDOWN–交换关联函数：GGA，VOSKOWN–计算ELF和总的局域势：LELF，LVTOT–结构优化参数：ISIF–等等。
如何用VASP计算晶格常数
如何用VASP计算晶格常数VASP是一款常用的第一性原理计算软件，可用于计算各种物理和化学性质，包括晶格常数。
本文将通过详细的步骤指导如何使用VASP计算晶格常数。
1.准备工作：在使用VASP计算晶格常数之前，需要准备以下文件：-INCAR文件：包含所有计算参数的输入文件。
- POSCAR文件：包含体系的原子坐标和晶格常数的输入文件。
可以使用外部软件生成，例如Materials Studio、VESTA等。
-POTCAR文件：包含原子势能信息的文件。
-KPOINTS文件：用于定义k点网格，用于计算能带结构。
可以使用自动生成工具进行生成。
2.设置INCAR文件：打开INCAR文件，设置以下参数：-ENCUT：截断能。
一种势能截断参数，对计算结果影响较大。
可通过多次计算逐渐增大其值，直到结果收敛为止。
- ISMEAR：用于定义电子占据数的方法。
常用的选项有Gaussian和Methfessel-Paxton。
- SIGMA：在使用ISMEAR选项为Gaussian时，用于定义宽度的参数。
一般选择小于0.2 eV。
- PREC：定义计算的精度级别。
常用的设置有Low、Normal和High。
-NSW：定义离子进行多少步的迭代。
-ISTART和ICHARG：对于初始的计算，将其设置为0。
-EDIFF：收敛判据。
设置一个合适的值，使得计算结果收敛。
3.设置POSCAR文件：打开POSCAR文件，设置晶体的结构参数。
可以手动输入原子的坐标，或者复制其他软件生成的文件内容。
4.设置POTCAR文件：在VASP的安装目录中，找到POTCAR文件夹，并将需要使用的原子势能文件复制到当前工作目录中。
注意保持POTCAR文件的顺序和POSCAR文件中原子的顺序一致。
5.设置KPOINTS文件：打开KPOINTS文件，在其中设置k点的信息。
k点的密度对计算结果的精度有一定影响，可以根据具体需求进行调整。
在这里，我们将只计算晶格常数，因此可以选择较低的k点密度。
vasp计算差分电荷密度的incar
vasp计算差分电荷密度的incar
最近，为解决在材料科学研究中存在的各种实际问题，通过VASP的计算差分
电荷密度（DCD）成为研究者的热门话题。
VASP是一款由著名材料科学家和分子科
学家提供支持与帮助的量子机器研究及应用软件，是一款基于DFT（密度泛函理论）技术领先的全电子结构计算软件。
DCD被用于计算体系的总体电荷密度的差异，它
能够反映体系的小尺度改变，加深人们对材料和反应机理的理解。
VASP计算DCD的incar工具包中包含了 ICUT-多种能量收敛和定义收敛能量、EDIFF-控制优化收敛，ISHFT-对密度收敛设置它的抹累和精度以及ICHARG-定义分
子和电荷密度的初始化值等参数，这些参数均采用改进的有效泛函和核型来计算DCD。
如此能更有效地获得更好的精度，从而有效控制体系间的电荷差异，从而提
高结构分析的准确性。
由此可见，VASP的DCD计算能力在材料和反应机理的分析研究中发挥了非常
重要的作用，可以有效改善电学特性，提高分子设计与制备，以及电子结构表征的准确性，因此受到许多材料科学研究者的高度重视和关注。
VASP参数设置详解要点
VASP参数设置详解要点VASP（Vienna Ab initio Simulation Package）是一种第一原理计算程序，用于计算材料性质和从头计算材料结构。
在进行VASP模拟时，合理设置参数非常重要，它们决定了模拟的准确性和效率。
下面将详细讨论几个关键的VASP参数设置要点。
1.设置能量截断（ENCUT）：ENCUT是控制计算中的平面波能量截断的参数。
它应该尽量接近真实波函数的动能截断，以保证计算结果的准确度。
选择合适的ENCUT值非常关键，过低的值可能导致计算不收敛，过高的值则会造成计算时间过长。
一般建议从400eV开始进行尝试，然后根据计算的收敛性和计算结果调整。
2.设置k点密度（KPOINTS）：k点密度是控制倒空间采样的参数。
k点密度越高，计算结果越准确，但计算时间也会增加。
为了在准确性和效率之间取得平衡，可以根据材料的对称性和大小进行合理的选择。
一般情况下，对于晶体，k点密度可以使用Reciprocal Space的自动生成程序，对于分子系统，可以使用Gamma Point + Monkhorst Pack方案。
3.设置电子步的最大迭代次数（NELM）：NELM是控制电子步迭代收敛性的参数。
它决定了算法进行多少次最大迭代。
在计算过程中，电子步的总数是非常关键的。
如果电子步的迭代次数不足，可能会导致计算不收敛。
通常可以从60次开始进行尝试，如果计算结果不收敛，可以增加NELM的值。
4.设置计算精度（PREC）：PREC参数是控制计算精度的参数。
该参数取值从粗到细分别为Low，Medium，High和Accuracy。
选择适当的计算精度可以在减少计算时间和提高计算结果准确性之间取得平衡。
一般情况下，可以从Medium开始尝试。
5.设置自洽迭代的收敛判据（EDIFF）：EDIFF是控制自洽迭代收敛性的参数。
当自洽迭代前后两次总能量的变化低于EDIFF时，认为自洽迭代收敛。
合理设置EDIFF可以保证计算结果的准确性。
VASP参数设置详解
VASP参数设置详解软件主要功能：采用周期性边界条件（或超原胞模型）处理原子、分子、团簇、纳米线（或管）、薄膜、晶体、准晶和无定性材料，以及表面体系和固体l 计算材料的结构参数（键长、键角、晶格常数、原子位置等）和构型l 计算材料的状态方程和力学性质（体弹性模量和弹性常数）l 计算材料的电子结构（能级、电荷密度分布、能带、电子态密度和ELF）l 计算材料的光学性质l 计算材料的磁学性质l 计算材料的晶格动力学性质（声子谱等）l 表面体系的模拟（重构、表面态和STM模拟）l 从头分子动力学模拟l 计算材料的激发态（GW准粒子修正）计算主要的四个参数文件：INCAR ,POSCAR,POTCAR ,KPOINTS,下面简要介绍，详细权威的请参照手册INCAR文件：该文件控制VASP进行何种性质的计算，并设置了计算方法中一些重要的参数，这些参数主要包括以下几类：●对所计算的体系进行注释：SYSTEM●定义如何输入或构造初始的电荷密度和波函数：ISTART，ICHARG，INIWAV●定义电子的优化–平面波切断动能和缀加电荷时的切断值：ENCUT，ENAUG–电子部分优化的方法：ALGO，IALGO，LDIAG–电荷密度混合的方法：IMIX，AMIX，AMIN，BMIX，AMIX_MAG，BMIX_MAG，WC，INIMIX，MIXPRE，MAXMIX–自洽迭代步数和收敛标准：NELM，NELMIN，NELMDL，EDIFF●定义离子或原子的优化–原子位置优化的方法、移动的步长和步数：IBRION，NFREE，POTIM，NSW –分子动力学相关参数：SMASS，TEBEG，TEEND，POMASS，NBLOCK，KBLOCK，PSTRESS–离子弛豫收敛标准：EDIFFG●定义态密度积分的方法和参数–smearing方法和参数：ISMEAR，SIGMA–计算态密度时能量范围和点数：EMIN，EMAX，NEDOS–计算分波态密度的参数：RWIGS，LORBIT●其它–计算精度控制：PREC–磁性计算：ISPIN，MAGMOM，NUPDOWN–交换关联函数：GGA，VOSKOWN–计算ELF和总的局域势：LELF，LVTOT–结构优化参数：ISIF–等等。
VASP基本参数设置
VASP基本参数设置SYSTERM=hafnium oxideISTART=0ICHARG=2NWRITE=2LWAVE=.False.PREC=high 默认值Medium在4版本，在5版本normal specify high --mannual 46#LVTOT=.True.#IDIPOL=4ALGO=FastLREAL=Auto#LELF=.TRUE.LCHARG=.FALSE.################electronic relaxation############ NELM=80ENCUT=500EDIFF=1E-05#ISPIN=2###################ion relaxtion################ NSW=IBRION=2ISIF=2EDIFFG=-0.005############################################# #######ISMEAR=0SIGMA=0.05#LORBIT=11#NEDOS=#NBANDS =ISYM=0#NELECT###################bader charge analysis#################### #LAECHG=.Ture.#NGXF#NGYF#NGZF###################NEB###################### ################## #ICHAIN=#IMAGES=#SPRING=#LCLIMB=#POTIM=#IOPT=vasp incar 主要参数设置SYSTEM=B N －－－－－－作业说明语句,即任务的名字IALGO=38 －－－－－－指定电子自洽计算的算法 38 Davidson 48 RMM-DIIS 算法NELM=200 －－－－－－自洽迭代次数，一般默认40次NELMIN=4 －－－－－－最小迭代次数，表面或动力学计算是应增大默认为2次#NELMDL=-12 －－－－－－开始几步不自洽处理，默认IALGO=8时为－5，IALGO=48时为－12，其他0 #ISTART=0 －－－－－－是否使用已有波函数。
常用INCAR设置及说明
一、opt（黑色参数为常用，蓝色为不常用）Global Paramemters1. ISTART = 0决定V ASP程序是否在开始时读入波函数，常用的设置有0、1和2。
其中ISTA RT=0代表从头开始计算，不读入波函数文件。
ISTART=1代表读入已有波函数，并继续计算，此时新计算的原胞大小和形状可以和已有波函数中的不同，截断能也可以不同; ISTART=2也代表读入已有波函数，但截断能和原胞都不能改变。
I START有默认设置，如果V ASP程序开始时，没有找到波函数WA VECAR,则IS TART=0，否则为1。
因此通常不需要设置这个参数。
2. ISPIN = 2自旋极化计算开关。
默认值为ISPIN=1,即做非磁性计算; ISPIN=2,做自旋极化计算。
如果做非共线磁结构计算(LNONCOLLINEAR=.TRUE.),则不需要设置ISPI N参数。
3. ICHARG = 2决定V ASP程序是否在开始时读入电荷密度，常用的设置有0、1、2和1.其中I CHARG=0代表从初始的轨道计算电荷密度: ICHARG=1代表读入已有电荷密度文件CHGCAR,并开始新的自洽计算; ICHARG=2代表直接使用原子电荷密度的叠加作为初始密度; ICHARG=11代表读入已有电荷密度，并进行非自洽计算，通常用于电子能带和态密度计算，在此过程中电荷密度保持不变。
在非自洽计算时，特别是在做IDA+U计算时，建议设置LMAXMIX=4(对于d轨道元素)或者6(对于f轨道元素)。
4. LWA VE = .F.5. LCHARG = .F.确定是否输出波函数和电荷密度文件。
6. ENCUT = 500平面波截断能，决定平面波的个数，即基组的大小。
这是一个非常重要的参数，决定了计算的精度。
ENCUT越大，计算精度越高，但计算量会越大。
V ASP可以直接从POTCAR中得到每个元素默认的截断能，并且取最大值作为整个计算ENCUT的默认值。
VASP参数设置详解要点
VASP参数设置详解计算材料2010-11-30 20:11:32 阅读197 评论0 字号：大中小订阅转自小木虫，略有增减软件主要功能：采用周期性边界条件（或超原胞模型）处理原子、分子、团簇、纳米线（或管）、薄膜、晶体、准晶和无定性材料，以及表面体系和固体l 计算材料的结构参数（键长、键角、晶格常数、原子位置等）和构型l 计算材料的状态方程和力学性质（体弹性模量和弹性常数）l 计算材料的电子结构（能级、电荷密度分布、能带、电子态密度和ELF）l 计算材料的光学性质l 计算材料的磁学性质l 计算材料的晶格动力学性质（声子谱等）l 表面体系的模拟（重构、表面态和STM模拟）l 从头分子动力学模拟l 计算材料的激发态（GW准粒子修正）计算主要的四个参数文件：INCAR ,POSCAR,POTCAR ,KPOINTS,下面简要介绍，详细权威的请参照手册INCAR文件：该文件控制VASP进行何种性质的计算，并设置了计算方法中一些重要的参数，这些参数主要包括以下几类：对所计算的体系进行注释：SYSTEM●定义如何输入或构造初始的电荷密度和波函数：ISTART，ICHARG，INIWA V●定义电子的优化–平面波切断动能和缀加电荷时的切断值：ENCUT，ENAUG–电子部分优化的方法：ALGO，IALGO，LDIAG–电荷密度混合的方法：IMIX，AMIX，AMIN，BMIX，AMIX_MAG，BMIX_MAG，WC，INIMIX，MIXPRE，MAXMIX–自洽迭代步数和收敛标准：NELM，NELMIN，NELMDL，EDIFF●定义离子或原子的优化–原子位置优化的方法、移动的步长和步数：IBRION，NFREE，POTIM，NSW–分子动力学相关参数：SMASS，TEBEG，TEEND，POMASS，NBLOCK，KBLOCK，PSTRESS–离子弛豫收敛标准：EDIFFG●定义态密度积分的方法和参数–smearing方法和参数：ISMEAR，SIGMA–计算态密度时能量范围和点数：EMIN，EMAX，NEDOS–计算分波态密度的参数：RWIGS，LORBIT●其它–计算精度控制：PREC–磁性计算：ISPIN，MAGMOM，NUPDOWN–交换关联函数：GGA，VOSKOWN–计算ELF和总的局域势：LELF，LVTOT–结构优化参数：ISIF–等等。
VASP基本参数设置
SYSTERM=hafnium oxideISTART=0ICHARG=2NWRITE=2LWAVE=.False.PREC=high???? 默认值Medium在4版本，在5版本normalspecify high --mannual 46#LVTOT=.True.#IDIPOL=4ALGO=FastLREAL=Auto#LELF=.TRUE.LCHARG=.FALSE.################electronic relaxation############NELM=80ENCUT=500?????EDIFF=1E-05#ISPIN=2###################ion relaxtion################NSW=IBRION=2ISIF=2EDIFFG=-0.005####################################################ISMEAR=0SIGMA=0.05#LORBIT=11#NEDOS=#NBANDS =ISYM=0#NELECT###################bader charge analysis#################### #LAECHG=.Ture.#NGXF#NGYF#NGZF###################NEB######################################## #ICHAIN=#IMAGES=#SPRING=#LCLIMB=#POTIM=#IOPT=vasp incar 主要参数设置SYSTEM=B N －－－－－－作业说明语句,即任务的名字IALGO=38 －－－－－－指定电子自洽计算的算法 38 Davidson 48 RMM-DIIS 算法NELM=200 －－－－－－自洽迭代次数，一般默认40次NELMIN=4 －－－－－－最小迭代次数，表面或动力学计算是应增大默认为2次#NELMDL=-12 －－－－－－开始几步不自洽处理，默认IALGO=8时为－5，IALGO=48时为－12，其他0 #ISTART=0 －－－－－－是否使用已有波函数。
VASP计算功函数
VASP计算功函数
INCAR中参数设置
1.加极化修正
IDIPOL=3 极化修正的⽅向
LDIPOL= .TRUE. 是否加极化修正
LVTOT = .TRUE. 计算work function （即静电势）
2.如果不加极化，直接⽤
LVTOT = .TRUE. 计算work function （即静电势）
计算时，可以和DOS⼀起计算。
（如果利⽤静态计算的chgcar，计算结果有问题）
后期处理
⽤的程序是 vtotav.f 这个可以向vasp 组索要，如果有vasp 版权的话。
注意计算得到的是真空能级，没有减去Fermi level ，所以得从OUTCAR⾥取。
基本思路，就是验证某个⽅向计算垂直于这个⽅向的平⾯内的静电势求和。
计算例⼦。
（1）加修正的。
a.如果⽐较功函数的变化。
可以算clean work function 。
b.或者固定中间层直接⽐较台阶的⾼度。
（2）不加修正的。
如果表⾯没有极化。
VASP参数设置详解
VASP参数设置详解VASP（Vienna Ab initio Simulation Package）是一种常用的第一性原理计算软件，用于模拟固体、分子和表面系统的物理和化学性质。
为了获得高质量的计算结果，需要正确设置VASP的参数。
下面将详细介绍一些常用的VASP参数设置。
1.ENCUT（能量截断）：ENCUT参数用于设置平面波的最大能量截断，即选择在计算中考虑的平面波的最高能量。
该值应根据所研究系统的性质和计算效率进行合理选择。
通常，对于绝大多数固体和分子系统，ENCUT值在400-800eV之间是合理的。
2.KPOINTS（k点网格）：k点网格用于对倒空间进行离散化，用于计算波矢对积分的近似。
合理选择k点网格可以保证计算结果的准确性。
通常，在进行几何优化时，需要使用较密的k点网格（如4x4x4），以保证准确计算受力和能量。
而在计算材料的电学性质时，可以使用较稀疏的k点网格（如2x2x2），以提高计算效率。
3. ISMEAR（布洛赫函数展开）：ISMEAR参数用于选择波函数的布洛赫函数展开类型。
对于金属系统，通常选择ISMEAR=0，表示完全展开。
而对于非金属系统，可以选择ISMEAR=1或ISMEAR=-5，表示在Fermi能级附近展开。
4.IBRION（结构优化算法）：IBRION参数用于选择结构优化算法。
VASP提供了多种结构优化算法，如梯度下降、共轭梯度法等。
在大多数情况下，选择IBRION=2进行离子弛豫是合适的。
另外，还需要设置EDIFFG参数，用于判定结构优化是否收敛。
5.NSW（迭代步数）：NSW参数用于设置结构优化的迭代步数。
由于结构优化过程是一个迭代的过程，通过不断调整原子位置来最小化能量。
合理选择NSW值可以保证结构优化达到收敛。
通常，对于简单的系统，NSW值在50左右是合适的；对于复杂的系统，可能需要更多的迭代步数。
6.ISIF（弛豫类型）：ISIF参数用于选择原子位置和晶胞尺寸优化算法。
VASP自旋轨道耦合计算错误汇总
VASP自旋轨道耦合计算错误汇总自旋轨道耦合是描述电子自旋和轨道运动之间相互作用的物理概念。
在VASP计算中，自旋轨道耦合是通过GGA+U方法处理的，但在实际计算中可能会出现一些错误。
下面是一些可能导致VASP自旋轨道耦合计算错误的原因及解决方案的汇总。
1.参数设置错误：在VASP计算中，轨道耦合的计算需要将INCAR文件中的参数设置正确。
首先，需要将ISPIN参数设置为2，以便考虑自旋极化。
其次，需要通过LDAU参数将自旋-轨道耦合效应的影响引入计算中。
在计算过程中，可以尝试不同的U值，并观察计算结果的变化。
2.缺乏足够的k点网格：自旋轨道耦合计算需要在倒空间中计算，因此需要足够高的k点网格密度。
如果k点网格密度过低，可能会导致计算结果不准确。
解决方法是增加k点网格密度，可以通过增加KPOINTS文件中的MP或MONKHORST参数来实现。
3.收敛条件设定不合理：VASP计算中，自旋轨道耦合的计算需要满足一定的收敛条件。
如果计算结果不收敛，则可能需要调整计算过程中的一些参数。
可以尝试增加ENCUT参数来提高计算精度，减小EDIFF参数来提高计算收敛性。
同时，还可以尝试改变电荷密度和波函数的混合策略，选择更合适的算法来解决计算问题。
4.初始结构选择不合理：不合理的初始结构选择可能导致计算结果不准确。
建议根据实验已知的结构或先前的计算结果来选择初始结构，并合理设置INCAR文件中的ISIF参数来优化结构。
5.系统对称性的处理错误：自旋轨道耦合计算过程中，VASP通常假设系统具有一定的对称性，因此在计算中会利用结构的对称性进行优化。
如果对称性处理错误，可能会导致计算结果的不准确。
建议在计算前进行空间群和点群对称性的分析，并在INCAR文件中正确设置ISYM参数来处理对称性。
总之，VASP自旋轨道耦合计算错误的原因有很多，可能是参数设置错误、收敛条件设定不合理、初始结构选择不合理、系统对称性处理错误等。
VASP中INCAR设置
VASP中INCAR设置INCAR（参数的首字母代表的参数性质：I初始化 L逻辑开关 E能量N数目T温度）一般要设置的关键词为：SYSTEM,ENCUT,ISTART,ICHARG,PREC,ISMEAR,SIGMA。
缺省值就是默认值。
是指一个属性、参数在被修改前的初始值。
SYSTEM任务的名字ENCUT平面波的切断能（energy cutoff in eV）: default taken from POTCAR-file impor tant! 重要到几乎最好不要手工去设置除非文献告诉你要用多少，或者经过结果可靠性的验证当然，为了测试一下提交的任务，也不妨先设个较小的值附加说明：当且仅当POT CAR里头没有设置ENCUT时(其实貌似没有才是常态)，才受PREC设置影响从POTCAR 里找出相应的ENMAX/ENMIN值来设置。
PREC= Low Medium Accurate High ENC UT= ENMIN ENMAX ENMAX 130%ENMAX 对于多个元素的POTCAR不同的ENMA X/ENMIN，都取最大值ISTART决定是否读取WAVECAR文件。
取值：0~2，缺省0/1 for无/有前次计算的WAVECAR（波函数）0：begin 'from scratch'，根据INIWAV初始化波函数1：restart with constant energy cut-off，从WAVECAR读取波函数（重定义平面波集）2：restart with constant basis set，从WAVECAR读取波函数（平面波集不变）在进行能带结构、电子态密度等性质计算时设置为1，其他情况一般都设置为0。
ICHARG决定如何建立初始电荷密度。
取值：0~2，缺省值: if ISTART=0 2 else 00：由初始波函数计算电荷密度1：从CHGCAR文件读取电荷密度2：使用原子电荷密度的叠加+10非自洽计算PRECprecession: medium, high or low(VASP.4.5+ also: normal, accurate) Default: Medium VASP4.5+采用了优化的accurate来替代high,所以一般不推荐使用high。