ndk晶振参数
NDK晶振NZ2520SD钟用晶体振荡器规格书
1510B_NZ2520SD_e
Supply Voltage (V) +1.8±0.18 NSA3446E NSA3446C NSA3446D +2.5±0.25 NSA3447E NSA3447C NSA3447D +2.8±0.28 NSA3448E NSA3448C NSA3448D +3.3±0.33 NSA3449E NSA3449C NSA3449D
Please specify the model name, frequency, and specification number when you order products. For further questions regarding specifications, please feel free to contact us.
■ Dimensions
2.50±0.10 2.00±0.10 #1 #2 #3 0.6 0.9 max 0.3 #4
■ Output Waveform <CMOS>
mm
Terminal land connections STAND-BY GND OUTPUT VCC
Tr 0.9VCC 1/2VCC 0.1VCC VOL t T
■ Specification Number
Overall Frequency Tolerance ±50 × 10-6 ±30 × 10-6 ±20 × 10
-6
Low Phase Noise Type
Operating Temperature Range(°C) –40 to +85 –10 to +70 –10 to +60
Tf VOH
晶振与晶体的参数详解
晶振与晶体的参数详解晶振和晶体是电子器件中常见的元器件，被广泛应用于各种电子设备中。
下面将详细解释晶振和晶体的参数及其作用。
首先，我们来解释一些晶振的参数：1.频率：晶振频率是指晶振器产生的振荡信号的频率。
晶振的频率通常通过外部电路进行调节，可以根据需要选择不同的频率值。
2.稳定度：晶振的稳定度是指晶振器在一段时间内产生的频率变化范围。
晶振的稳定度越高，产生的频率变化越小，可以提供更稳定、可靠的时钟信号。
3.温度系数：晶振的温度系数是指晶振器频率随温度变化的比例。
温度系数越小，晶振器的频率随温度变化的影响越小。
4.驱动能力：晶振的驱动能力是指晶振器输出信号的电流或电压幅度。
不同的应用场景需要不同幅度的驱动能力。
5.电源电压：晶振器需要一定的电源电压才能正常工作，通常以工作电压范围表示。
接下来，我们来解释一些晶体的参数：1.晶体结构：晶体的结构是指晶体的原子排列方式。
晶体结构可以分为立方晶体、六方晶体、斜方晶体等。
2.晶体尺寸：晶体尺寸是指晶体的长度、宽度和厚度。
晶体的尺寸可以影响晶体的振荡频率和稳定度。
3.谐振频率：晶体的谐振频率是指晶体在特定尺寸和结构下能够实现最佳振荡的频率。
4.谐振模式：晶体的谐振模式是指晶体在振荡时所产生的振动模式，可以分为纵向谐振模式、横向谐振模式等。
5.振荡电路：晶体需要通过外部的振荡电路来产生振荡信号。
振荡电路的设计和参数设置可以影响晶体的性能和稳定度。
晶振和晶体在电子设备中具有重要的作用，主要用于提供稳定的时钟信号和振荡信号。
晶振器通过晶体的振荡产生稳定的信号，可以被用作时钟信号源，用于同步控制电路的工作。
晶振器通常被广泛应用于各种电子设备中，例如计算机、通信设备、汽车电子等。
总结起来，晶振和晶体在电子器件中扮演重要角色，他们的参数和性能直接影响着整个电子设备的稳定性和可靠性。
只有合理选择和使用晶振和晶体，才能确保电子设备的正常工作和性能表现。
晶振技术参数(精)
晶振每个晶振都会有它的参数中心频率:？？ Hz。
晶振的频率稳定度:?? PPN。
温度对晶振频率的影响这个数字越大晶振就越稳定可调范围:?? PPM。
晶振频率的可调范围这个数字越大那晶振频率的可调范围就越小负载电容:?? PF。
晶振在中心频率下所要求的电容值谐振电阻:？?欧姆。
晶振的交流电阻震荡方式:基频和泛音。
基频的震荡方式一般都不会高于25MHz。
如果要更高的频率就可以用泛音晶振。
泛音的次数一般是单数如3次泛音5次泛音7次泛音当晶振接到震荡电路上在震荡电路所引入的电容不符合晶振的负载电容的容量要求时震荡电路所出的频率就会和晶振所标的频率不同例如:一个4.0000MHz +-20PPM负载电容是16PF的晶振当负载电容是10PF时震荡电路所出的频率就可能会是 4.0003MHz当负载电容是20PF时震荡电路所出的频率就可能会是 3.9997MHz晶振负载电容有2种接法1并联在晶振上2串联在晶振上第2种比较常用2个脚都接一个电容对交流地在一些对频率精度要求高的电路上如PLL的基准等。
就是并多个可调电容来微调频率的如果对频率精度要求不高就用固定电容就行了晶振的分类根据晶振的功能和实现技术的不同，可以将晶振分为以下四类：1恒温晶体振荡器（以下简称OCXO这类型晶振对温度稳定性的解决方案采用了恒温槽技术，将晶体置于恒温槽内，通过设置恒温工作点，使槽体保持恒温状态，在一定范围内不受外界温度影响，达到稳定输出频率的效果。
这类晶振主要用于各种类型的通信设备，包括交换机、SDH 传输设备、移动通信直放机、GPS接收机、电台、数字电视及军工设备等领域。
根据用户需要，该类型晶振可以带压控引脚。
OCXO的工作原理如下图3所示：图3恒温晶体振荡器原理框图OCXO的主要优点是，由于采用了恒温槽技术，频率温度特性在所有类型晶振中是最好的，由于电路设计精密，其短稳和相位噪声都较好。
主要缺点是功耗大、体积大，需要5分钟左右的加热时间才能正常工作等。
晶振参数详解
其中，CS 为晶体两个管 为 管脚间的寄生 电容（Shunt t Capacitance e）
8
All rights reserved, NO Spreading without Authorization
当 R1、L1、C1 串联支路 路发生谐振的 的频率即串联 联谐振频率（Fr） ，此时容 容抗与感抗相互抵 路相当于只有 有等效串联电 阻 R1。 消，因此，支路
3
All rights reserved, NO Spreading without Authorization
并联型振荡 荡器电路如下 下图所示， 这种 种形式读者可 可能见得更多 多些， 一般单 单片机都会有 有这样 的电 电路。晶振的 的两个引脚与芯片（如单片 片机）内部的 的反相器相连 连接，再结合 合外部的匹配 配电容 CL1、CL2、R1、R2 R ，组成一个 个皮尔斯振荡 荡器（Pierce oscillator）
Au uthor: Jackie Lo ong
晶振 振参数详 详解
晶振是石英 英晶体谐振器 器（quartz cry ystal oscillator r）的简称，也称有源晶 振，它能够产 产生 中央 央处理器（CP PU）执行指令 令所必须的时 时钟频率信号 号，CPU 一切 切指令的执行 行都是建立在 在这个 基础 础上的，时钟 钟信号频率越 越高，通常 CP PU 的运行速 速度也就越快。 只要是包含 含 CPU 的电子 子产品，都至 至少包含一个 个时钟源，就算 算外面看不到 到实际的晶振 振电 路，也是在芯片 片内部被集成 成，它被称为 CPU 的心脏 脏。 如下图所示 示的有源晶振 振， 在外部施加 加适当的电压 压后， 就可以 以输出预先设 设置好的周期性时 钟信 信号，
NDK晶振NM1170BA晶体滤波器规格书
mm
5.8
2 1 6 5 9.0 3 4
Terminal land connections GND 1 GND 2 OUTPUT 3 GND 4 GND 5 INPUT 6
10.2
1.2
3.5
Tolerance ±0.3
cf15_111003_NM1170BA_e
NM1170BA
Caution: Solder only the top surface of the filter before using it.
■ Dimensions
NM1170BA : Type: with a built-in coupling capacitor
11.4 5 6 7.0 1 2 4 3 2.35 1.8 Land pattern (Typical) 1.3 1.8 1.3
(Surface-mount Type)
■ Specifications
Model
Number of poles Nominal frequency 3 dB Passband width Stop bandwidth Ripple Insertion loss (insertion attenuation) Guaranteed attenuation Spurious characteristics Terminating impedance Operating temperature range Package type Ordering code 45SC7.5BG-45MMN15-368 45SC15BE-45MMN15-319 Min. ±3.75 kHz Max. ±12.5 kHz at 25 dB Max. 1 dB Max. 5 dB Min. 80 dB at –910 kHz Min. 50 dB Within ±1 MHz 350 Ω // 6 pF –20 to +70 °C Min. ±7.5 kHz Max. ±25 kHz at 35 dB Max. 2 dB Max. 5 dB Min. 80 dB at –910 kHz Min. 50 dB Within ±1 MHz 650 Ω // 2 pF –20 to +70 °C 45 MHz Min. ±10 kHz Max. ±25 kHz at 25 dB Max. 1 dB Max. 3 dB Min. 80 dB at –910 kHz Min. 25 dB Within ±1 MHz 800 Ω // 1.5 pF –30 to +70 °C 45SC20BB-45MMN15-372 Min. ±15 kHz Max. ±60 kHz at 40 dB Max. 1 dB Max. 4 dB Min. 70 dB at –910 kHz Min. 30 dB Within ±1 MHz 1000 Ω // 1 pF –20 to +70 °C 45SC30BD-45MMN15-371
晶振主要参数
晶振主要参数介绍晶振是一种被广泛应用于电子设备中的关键元件，它能够产生一定频率的交变电场，用于驱动数字系统的时钟信号。
晶振的主要参数是指影响晶振性能和稳定性的关键指标，包括频率稳定性、频率漂移、负载能力等。
本文将详细介绍晶振的主要参数，以及这些参数对晶振性能的影响。
频率稳定性频率稳定性是晶振的一个重要参数，它指的是晶振输出频率的稳定程度。
频率稳定性可以通过频率偏差来描述，即晶振输出频率与额定频率之间的差异。
频率稳定性的单位通常为ppm（百万分之一）。
晶振的频率稳定性取决于晶振内部的谐振器结构和工艺技术。
一般来说，晶振的频率稳定性越高，其输出的时钟信号越准确可靠。
频率漂移频率漂移是指晶振输出频率随环境温度变化而发生的变化。
由于晶体的物理特性受温度的影响，晶振的频率也会随温度的变化而发生漂移。
频率漂移通常用ppm/℃（百万分之一/摄氏度）来表示，它可以通过温度系数来计算，即单位温度变化下频率发生的变化。
频率漂移对于某些应用场合来说非常重要，特别是对于需要高精度时钟信号的系统。
原因频率漂移的主要原因是晶体振荡器内部晶体的温度特性。
晶体振荡器中的振荡回路包含晶体谐振器，而晶体谐振器的频率与其温度特性密切相关。
晶体振荡器在工作过程中会产生一定的热量，这将会影响晶体振荡器的温度，从而导致频率漂移。
不同品牌和型号的晶振在频率漂移方面表现也有所不同，所以在选择晶振时需要考虑其频率漂移特性。
解决方法为了解决频率漂移问题，可以采取以下方法：1.选择温度补偿晶振：温度补偿晶振是一种内部集成了温度补偿电路的晶振，它能够根据温度变化自动调整其输出频率，从而达到抵消频率漂移的效果。
2.冷却措施：对于一些特殊应用场合，可以采取冷却措施来降低晶振的工作温度，从而减小频率漂移。
负载能力负载能力是晶振的另一个重要参数，它指的是晶振能够驱动的最大负载电容。
晶振内部的谐振器结构会产生振荡信号，这个信号需要通过负载电容来加载，负载能力可以用来描述晶振输出信号的负载能力。
晶振的主要参数有哪些？
目前来说说晶振的标称频率在1 ~ 200 MHz之间，如3.2768MHz、8MHz、12MHz、24MHz、125MHz等，这些都是晶振的参数。
对于更高的输出频率，通常使用PLL将低频倍频至1GHz以上，这些都是常见的晶振参数的，当然对于详细的参数，建议大家可以直接询问我们客服，我们可以根据用户的需求进行推荐或定制适合您的参数，因为现在晶振的参数有很多种哦。
参数一：精度要求SMD 晶振的最高精度通常是10PPM，这是相当常见的。
特殊精度要求需要订单。
其次依次分布15ppm、20ppm、25ppm、30ppm、50ppm 的等级。
插件晶振以气缸晶振为例。
5ppm是钢瓶晶振的最高精度，其次是10ppm、20ppm和30ppm。
参数二：负载电容负载电容有时候是一个很重要的参数。
如果晶振的负载电容与晶振外接两端连接的电容参数匹配不正确，容易造成频率偏移、精度误差等。
这将导致产品无法满足最终精度要求。
当然也有厂家对负载电容的参数要求不是特别严格。
那么我们来说一个音叉晶体。
常见的负载电容有6PF、7PF、9PF、12.5PF；20PF和12PF是MHZ 晶振中最常见的负载电容，其次是8PF、9PF、15PF和18PF。
负载电容CL是电路中晶体两端的总有效电容，不是晶振外部匹配电容，主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻，并与晶体一起决定振荡器电路的工作频率。
通过调整负载电容，振荡器的工作频率可以微调到标称值。
参数三：频率单位通常分为KHZ和MHZ。
对于有源晶振和无源晶振，32.768既有KHZ 单位，也有MHZ单位，所以频率单位必须标准明确。
标称频率(正常频率)标准频率，如8MHz、26MHz、32.768KHz等。
参数四：温度频率差表示特定温度范围内工作频率与参考温度的允许偏差，单位为ppm。
值越小，精确度越高。
1MHz是晶振，1 PPM是1Hz的偏差。
负载电容CL负载电容是指晶振正常振荡所需的电容。
为了使晶体正常工作，需要在晶体两端连接外部电容，以匹配晶体的负载电容。
晶振主要参数
晶振主要参数
晶振是一种电子元件，它是一种能够产生稳定的高频振荡信号的元件。
晶振主要参数包括频率、精度、稳定性、温度系数、负载能力等。
频率是晶振最基本的参数，它决定了晶振的工作频率。
晶振的频率通常以MHz为单位，常见的频率有4MHz、8MHz、12MHz等。
频率越高，晶振的工作速度就越快，但是也会带来更高的功耗和噪声。
精度是指晶振输出频率与标称频率之间的偏差。
精度越高，晶振输出的频率就越接近标称频率，误差就越小。
常见的精度有±10ppm、±20ppm等。
ppm是百万分之一的意思，即误差占标称频率的百万分之一。
稳定性是指晶振输出频率在长时间内的稳定性。
稳定性越好，晶振输出的频率就越稳定，不会因为环境温度、电压等因素的变化而产生明显的波动。
常见的稳定性有±50ppm、±100ppm等。
温度系数是指晶振输出频率随温度变化的程度。
温度系数越小，晶振输出的频率就越不受温度影响，稳定性也就越好。
常见的温度系数有±10ppm/℃、±20ppm/℃等。
负载能力是指晶振输出信号能够驱动的负载电容大小。
负载能力越大，晶振输出的信号就能够驱动更大的负载电容，适用范围也就更
广。
常见的负载能力有10pF、15pF等。
晶振主要参数是决定晶振性能的关键因素，不同的应用场景需要选择不同的晶振参数，以满足不同的需求。
晶振指标参数
晶振指标参数介绍如下：
晶振（Crystal oscillator）是一种电子元器件，其指标参数主要包括以下几个方面：
1.频率（Frequency）：晶振的频率通常用赫兹（Hz）表示，即每秒钟振荡的次数。
晶
振的频率决定了其在电子系统中的应用范围和精度。
2.稳定度（Stability）：晶振的稳定度指其输出频率的变化范围，通常用单位百万分之一
（ppm）表示。
晶振的稳定度越高，其输出频率的变化范围就越小，输出频率就越稳定。
3.相位噪声（Phase noise）：晶振的相位噪声指其输出频率随时间的变化，通常用分贝
（dBc/Hz）表示。
相位噪声越小，晶振输出的频率波动就越小，稳定性越好。
4.工作温度范围（Operating temperature range）：晶振的工作温度范围指其能够正常
工作的温度范围，通常用摄氏度（℃）表示。
晶振的工作温度范围应该适应于所需应用环境的温度范围。
5.电源电压（Supply voltage）：晶振的电源电压指其需要的电源电压，通常用伏特（V）
表示。
晶振的电源电压应该适应于所需应用环境的电源电压。
需要根据具体的应用需求来选择合适的晶振，以保证电路的性能和稳定性。
晶振主要参数
晶振主要参数频率准确度在标称电源电压、标称负载阻抗、基准温度（252℃）以及其他条件保持不变，技术’>晶体振荡器的频率相对与其规定标称值的最大允许偏差，即（fmax-fmin）/f0；温度稳定度其他条件保持不变，在规定温度范围内晶体振荡器输出频率的最大变化量相对于温度范围内输出频率极值之和的允许频偏值，即（fmax-fmin）/（fmax+fmin）；频率调节范围通过调节晶振的某可变元件改变输出频率的范围。
调频（压控）特性包括调频频偏、调频灵敏度、调频线性度。
①调频频偏：压控晶体振荡器控制电压由标称的最大值变化到最小值时输出频率差。
②调频灵敏度：压控晶体振荡器变化单位外加控制电压所引起的输出频率的变化量。
③调频线性度：是一种与理想直线（最小二乘法）相比较的调制系统传输特性的量度。
负载特性其他条件保持不变，负载在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称负载下的输出频率的最大允许频偏。
电压特性其他条件保持不变，电源电压在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称电源电压下的输出频率的最大允许频偏。
杂波输出信号中与主频无谐波（副谐波除外）关系的离散频谱分量与主频的功率比，用dBc表示。
谐波谐波分量功率Pi与载波功率P0之比，用dBc表示。
频率老化在规定的环境条件下，由于元件（主要是石英谐振器）老化而引起的输出频率随时间的系统漂移过程。
通常用某一时间间隔内的频差来量度。
对于高稳定晶振，由于输出频率在较长的工作时间内呈近似线性的单方向漂移，往往用老化率（单位时间内的相对频率变化）来量度。
日波动指振荡器经过规定的预热时间后，每隔一小时测量一次，连续测量24小时，将测试数据按S=（fmax-fmin）/f0式计算，得到日波动。
开机特性在规定的预热时间内，振荡器频率值的最大变化，用V=（fmax-fmin）/f0表示。
相位噪声短期稳定度的频域量度。
用单边带噪声与载波噪声之比?（f）表示，?（f）与噪声起伏的频谱密度Sφ（f）和频率起伏的频谱密度Sy（f）直接相关，由下式表示：f2S（f）=f02Sy（f）=2f2?（f）f—傅立叶频率或偏离载波频率；f0—载波频率。
晶振的四个重要参数
晶振的四个重要参数晶振，全称晶体振荡器，它能够产生中央处理器（CPU）执行指令所必须要的时钟频率信号，CPU一切指令的执行都是建立在这个基础上的，时钟信号频率越高，通常CPU的运行速度也就越快。
凡是包含CPU的电子产品，其中至少含有一个时钟源，哪怕我们在电路板中看不到实际的振荡电路，那也是晶振在芯片内部被集成，往往被人们称之为电路系统的心脏。
一旦心脏停止跳动，整块电路板可能出现瘫痪的状况。
因此晶振的质量问题是很多厂商放在第一位的最终抉择的考虑基础！所以很多客户对日系晶振有了十足的信任感，近年来台系的TXC晶振在国内厂商也有了较高的重视度晶振质量的好坏由什么决定了？有人会说从外观的崭新程度分辨，或者是外包装，又或者产品印字标识。
这一切真的能有助于我们分辨晶振的好坏吗？像晶振这样的电子元器件拿在手上我们是无法判断其好坏程度的，通常晶振人所指的坏即是在电路工作中晶振不起振，或者时而稳定时而不稳定的现象！那么这一切现象终究是归根于质量问题还是晶振参数？晶振不可忽视的四个参数1，频率单位，频率单位通常分为KHZ与MHZ，而对于有源晶振和无源晶振来讲，32.768既存在KHZ的单位，也存在MHZ的单位，因此频率的单位一定要标准清晰。
2，精度要求，贴片晶振最高精度通常为10PPM比较常见，比较特殊的精度要求得订货。
其次15ppm，20ppm，25ppm，30ppm，50ppm的等级依次分布。
插件晶振以圆柱晶振为例，5ppm是其圆柱晶振中精度最高的一个等级，其次10ppm，20ppm，30ppm.3，负载电容，负载电容有时候是一个非常至关重要的参数，如果晶振的负载电容与晶振外部两端连接的电容参数匹配不正确的话，很容易造成频率偏差，精度误差等等，从而导致产品无法达到最终的精准要求。
当然也存在对负载电容参数不是特别严格的厂家，那么我们说说关于音叉晶体一块，常见的负载电容有6PF，7PF，9PF，12.5PF；MHZ晶振常见的负载电容以20PF和12PF最为广泛，其次8PF，9PF，15PF，18PF等等比较常用。
晶振的关键参数及选型
SMD5032 （5mmX3.2mm）
10MHz~40MHz
常用，价格比 SM4025 稍贵
常用，价格比 SM6035 稍贵
谐振器
SMD6035 （6mmX3.5mm）
10MHz~80MHz
常用，价格比 SM7050 稍贵
谐振器 谐振器 谐振器
谐振器
谐振器 谐振器 谐振器 谐振器
SMD7050 （7mmX5mm）
32.000KHz~192.000KHz 1.000MHz~125.000MHz
常用，推荐 DT38
常用，价格较 低，推荐使用
SMD5032 （5mmX3.2mm）
700KHz~66.666MHz
常用，价格比 SMD7050 贵。
14PIN （20mmX18mm） 8PIN （11mmX11mm） SMD7050 （7mmX5mm）
SMD12.5X4.6
3.579MHz~27.000MHz
（12.5mmX4.6mm）
SMD8.0X3.8
(8.0mmX3.8mm)
UM-1 （H=8mm）
8,0MHz~125MHz
UM-5 （H=5.8mm）
AT26 （D2mmXL6mm）
3.579MHz~60.000MHz
AT38 （D3mmXL8mm）
高度不加 X；49SM-X）
X=3.5mm（默认）
X=2.5mm
X=2.2mm
SMD8.0X3.8
20.000KHz~165.00KHz
(8.0mmX3.8mm)
常用，价格较 便宜，性能好， 推荐使用。 常用，价格最 低
常用，价格较 低
常用，价格比 49US 稍高， 但生产方便， 推荐使用。
晶振的一些主要电气参数
晶振的一些主要电气参数晶振是电子设备中常见的元器件之一，它在电路中起着提供稳定时钟信号的重要作用。
本文将介绍晶振的一些主要电气参数，包括频率稳定度、频率偏差、温度特性和负载能力等。
1. 频率稳定度：频率稳定度是指晶振输出信号的频率变化范围。
一般来说，频率稳定度越高，晶振输出的时钟信号越稳定。
频率稳定度通常用ppm（百万分之一）来表示，例如，一个频率稳定度为±10ppm的晶振，其输出频率在标称频率上下浮动不超过10ppm。
2. 频率偏差：频率偏差是指晶振输出频率与标称频率之间的差异。
频率偏差可以由多种因素引起，如温度变化、供电电压波动等。
对于某些应用来说，频率偏差的控制非常重要，因为它会影响到整个系统的时序精度。
3. 温度特性：晶振的频率会随着温度的变化而发生变化，这就是温度特性。
温度特性通常用ppm/℃来表示，表示晶振频率每升高1摄氏度，频率变化的百万分之一。
温度特性是晶振在不同温度下工作时频率稳定度的重要指标。
4. 负载能力：晶振的负载能力是指晶振输出信号能够驱动的负载电容大小。
负载能力越大，晶振输出信号的波形失真越小，频率稳定度越高。
负载能力一般用pF（皮法拉）来表示，例如，一个负载能力为10pF的晶振，可以驱动不超过10pF的负载电容。
除了以上几个主要电气参数外，晶振还有一些其他参数，如启动时间、功耗、工作电压范围等。
启动时间是指晶振从断电到输出稳定的时间，对于某些实时性要求较高的应用来说，启动时间的快慢非常重要。
功耗是指晶振在工作过程中消耗的电功率，功耗越低，对于一些功耗敏感的应用来说，晶振的选择就越合适。
工作电压范围是指晶振能够正常工作的电压范围，超出该范围晶振可能无法正常工作。
晶振的主要电气参数包括频率稳定度、频率偏差、温度特性和负载能力等。
了解这些参数对于正确选择和使用晶振非常重要，可以确保系统的时序精度和稳定性。
在实际应用中，根据具体需求选择合适的晶振，并合理设计电路，可以提高系统的性能和可靠性。
NDK晶振NH26M26LC高精度晶体振荡器规格书
at start when stable (+25 °C) at 1/2 VCC
Based on frequency after 72 hours operation Based on frequency after 72 hours operation −20 to +70 °C VCC +5 V ± 5 % Vcont +2 ± 2 V
26 max 6.2±0.5 12.5 max
The above frequencies are NDK’s standard frequencies. Frequencies other than the above are available. Feel free to contact our sales representatives.
■ Dimensions
■ List of Ordering Codes
mm
Nominal frequency (MHz) 10 Ordering Code NH26M26LC-10M-NSA3539A
26 max
Pin connections
#1 #2 0.65±0.15 #3 #4 #5 OUTPUT GND Vcont NC VCC
Terminal number is not printed.
#1 STAND OFF (GLASS) 4POINT #5 19.05
#2
5 - Ø0.8 ± 0.1 #3 19.05 11.5 Nhomakorabea11.5
#4 Tolerance ±0.3 mm
-4-
1410B_NH26M26LC_e
■ Specifications
Item Measurement condition Nominal frequency (MHz) Supply voltage [VCC] (V) Power consumption (W) Output voltage Symmetry (%) Load impedance (pF) Operating temperature range (°C) Storage temperature range (°C) Stabilization time Long-term frequency stability Frequency/Temperature characteristics Frequency/Voltage coefficient Frequency control range Frequency change polarity
晶振关键参数
晶振关键参数1、工作频率晶振的频率范围一般在1到70MHz之间。
但也有诸如通用的32.768kHz钟表晶体那样的特殊低频晶体。
晶体的物理厚度限制其频率上限。
归功于类似反向台面(inverted Mesa)等制造技术的发展，晶体的频率上限已从前些年的30MHz提升到200MHz。
工作频率一般按工作温度25°C时给出。
可利用泛频晶体实现200MHz以上输出频率的更高频率晶振。
另外，带内置PLL 频率倍增器的晶振可提供1GHz以上的频率。
当需要UHF和微波频率时，声表波(SAW)振荡器是种选择。
2、频率精度：1PPM=1/1,000,000频率精度也称频率容限，该指标度量晶振实际频率于应用要求频率值间的接近程度。
其常用的表度方法是于特定频率相比的偏移百分比或百万分之几(ppm)。
例如，对一款精度±100ppm的10MHz晶振来说，其实际频率在10MHz±1000Hz之间。
(100/1,000,000)×10,000,000=1000Hz它与下式意义相同：1000/10,000,000=0.0001=10-4或0.01%。
典型的频率精度范围在1到1000ppm，以最初的25°C 给出。
精度很高的晶振以十亿分之几(ppb)给出。
3、频率稳定性该指标量度在一个特定温度范围(如：0°C到70°C 以及-40°C到85°C)内，实际频率与标称频率的背离程度。
稳定性也以ppm给出，根据晶振种类的不同，该指标从10到1000ppm 变化很大(图2)。
4、老化老化指的是频率随时间长期流逝而产生的变化，一般以周、月或年计算。
它于温度、电压及其它条件无关。
在晶振上电使用的最初几周内，将发生主要的频率改变。
该值可在5到10ppm 间。
在最初这段时间后，老化引起的频率变化速率将趋缓至几ppm。
5、输出有提供不同种类输出信号的晶振。
输出大多是脉冲或逻辑电平，但也有正弦波和嵌位正弦波输出。
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ndk晶振参数
NDK晶振参数
一、引言
随着技术的不断发展，晶振作为电子产品中常见的元器件，其参数对于设备的性能和稳定性起着至关重要的作用。
本文将围绕NDK 晶振参数展开讨论，旨在深入了解晶振参数的含义、作用及其选择的注意事项。
二、晶振参数的含义及作用
1. 频率：晶振的频率是指晶体振荡器在单位时间内震荡的次数，单位为赫兹(Hz)。
频率决定了设备的时钟速度和数据传输速率，对于各类电子设备的正常运行至关重要。
2. 精度：晶振的精度是指晶体振荡器的频率和标称频率之间的偏差，通常以±ppm（百万分之几）为单位。
精度越高，设备的计时准确性越高，对于精密仪器和通信设备尤为重要。
3. 器件尺寸：晶振的尺寸直接影响到设备的体积和布局，对于空间受限的应用场景，需要选择尺寸较小的晶振。
4. 工作温度范围：晶振的工作温度范围是指晶振器在正常工作条件下能够保持稳定的温度范围。
不同的应用场景对工作温度范围有不同的要求，因此选择合适的工作温度范围对于设备的可靠性至关重要。
5. 电源电压：晶振的电源电压是指晶振器正常工作所需的电压范围。
不同的设备对电源电压有不同的要求，选择合适的电源电压可以确保设备的正常运行。
6. 电流消耗：晶振的电流消耗是指晶振器在工作状态下消耗的电流。
电流消耗越低，设备的功耗越低，有助于延长电池使用寿命和提高设备的能效。
7. 驱动能力：晶振的驱动能力是指晶振器输出的信号能够驱动的负载电容。
驱动能力越好，晶振器输出的信号质量越好，对于通信设备和数字电路尤为重要。
8. 相位噪声：晶振的相位噪声是指晶振器输出信号的相位稳定性，通常以dBc/Hz为单位。
相位噪声越低，设备的抗干扰能力越强，对于无线通信设备和高精度测量仪器尤为重要。
三、晶振参数的选择注意事项
1. 根据应用需求选择合适的频率，确保设备的正常运行。
2. 对于对时钟精度要求较高的应用，选择精度较高的晶振。
3. 根据设备的空间布局选择适合尺寸的晶振。
4. 对于工作温度范围较广的应用，选择工作温度范围广泛的晶振。
5. 根据设备的电源电压要求选择合适的电源电压。
6. 对于功耗敏感的应用，选择低功耗的晶振。
7. 根据设备的驱动需求选择驱动能力较好的晶振。
8. 对于抗干扰能力要求较高的应用，选择相位噪声较低的晶振。
四、总结
本文围绕NDK晶振参数展开讨论，介绍了晶振参数的含义、作用以及选择的注意事项。
了解晶振参数对于设备的性能和稳定性至关重要，合理选择晶振参数可以确保设备的正常运行和高效工作。
在实际应用中，需要根据具体需求综合考虑各个参数，并选择合适的晶振，以满足设备的要求。
希望本文能够对读者在选择和应用晶振参数时提供一定的参考和帮助。