电子科技大学大学物理期末考试试卷(含答案)
电子科技大学半导体物理期末考试试卷b试题答案汇编
电子科技大学二零一零至二零一一学年第一学期期末考试课程考试题B卷(120分钟)考试形式:闭卷考试日期2011年月日课程成绩构成:平时15 分,期中 5 分,实验10 分,期末70 分可能用到的物理常数:电子电量q=1.602×10-19C,真空介电常数ε0=8.854×10-12F/m,室温(300K)的,SiO2相对介电常数=3.9,N C=2.8×1019cm-3,300K时,n i(GaAs)=1.1×107cm-3.一、多选题:在括号中填入正确答案(共30分,共19题,每空1分)1-14题,罗小蓉15-19题1.受主是能增加(B)浓度的杂质原子,施主是能增加(A)浓度的杂质原子,A、电子B、空穴2.如果杂质在化合物半导体中既能作施主又能作受主的作用,则这种杂质称为( B )。
A、受主B、两性杂质C、施主3.对于掺杂浓度为N D的非简并半导体,0 K下,其电子浓度=( D );在低温下,其电子浓度=( B );在高温本征温度下,其电子浓度=( C );A、N DB、n D+C、n iD、04.对于宽带隙的半导体,激发电子从价带进入导带需要更(A )的能量,本征温度区的起始温度更( A )。
A、高 B. 低5.在一定温度下,非简并半导体的平衡载流子浓度的乘积(C)本征载流子浓度的平方。
该关系( D )于本征半导体,( D )于非本征半导体。
A、大于B、小于C、等于D、适用E、不适用6.电子是(A),其有效质量为(D);空穴是(B),其有效质量为(C)。
A、粒子B、准粒子C、负D、正E、07. p型半导体中的非平衡载流子特指(C ),其空穴的准费米能级(I )电子的准费米能级。
A、n0B、p0C、ΔnD、ΔpE、nF、pG、高于H、等于I、小于8. 在室温下,低掺杂Si的载流子散射机制主要是( B D )。
A、压电散射B、电离杂质散射 C. 载流子-载流子散射D.晶格振动散射9. 适用于( B )半导体。
电子科技大学09级《大学物理(下)》期末考试及答案A卷 (A3版)
电子科技大学期末考试 09级《大学物理(下)》A 卷(考试时间90分钟,满分100分)一、选择题(每题2分,共20分)1、边长为L 的一个导体方框上通有电流I ,则此框中心的磁感应强度 ( ) (A )与L 无关; (B )正比于2L ; (C )与L 成正比; (D )与L 成反比。
2、在感应电场中电磁感应定律可写成dtd l d E mCK Φ-=⋅⎰,式中K E 为感应电场的电场强度,此式表明 ( )(A )闭合曲线C 上K E处处相等; (B )感应电场是保守力场; (C )感应电场的电场线不是闭合曲线;(D )在感应电场中不能像静电场那样引入电势的概念。
3、一交变磁场被限制在一半径为R 的圆柱体中,在柱内、外分别有两个静止点电荷A q 和B q ,则 ( ) (A )A q 受力,B q 不受力;(B )A q 和B q 都受力;(C )A q 和B q 都不受力;(D )A q 不受力,B q 受力。
4、关于位移电流,下列哪一种说法是正确的( ) (A )位移电流的磁效应不服从安培环路定理;(B )位移电流是由变化磁场产生; (C )位移电流不可以在真空中传播; (D )位移电流是由变化电场产生。
5、根据惠更斯—菲涅尔原理,若已知光在某时刻的波阵面为S ,则S 的前方某点P 的光强决定于波阵面上所有面元发出的子波各自传到P 点的 ( ) (A )振动振幅之和; (B )相干叠加; (C )振动振幅之和的平方; (D )光强之和。
6、严格地说,空气的折射率大于1,因此在牛顿环实验中,若将玻璃夹层中的空气逐渐抽去而成为真空时,则干涉圆环将 ( ) (A )变大; (B )变小; (C )消失; (D )不变7、自然光以60。
入射角照射到某一透明介质表面时,反射光为线偏振光,则 ( ) (A )折射光为线偏振光,折射角为30。
; (B )折射光为部分偏振光,折射角为30。
;(C )折射光为线偏振光,折射角不能确定; (D )折射光为部分偏振光,折射角不能确定。
电子科技大学08级《大学物理(下)》期末考试及答案A卷 (A3版)
弟1页/(共4页) 弟2页/(共4页)电子科技大学期末考试 08级《大学物理(下)》A 卷(考试时间90分钟,满分100分)一、选择题(每题2分,共20分)1、电流元Idl 是圆电流自身的一部分,则 ( ) (A )电流元受磁力为0;(B )电流元受磁力不为0,方向沿半径向外; (C )电流元受磁力不为0,方向指向圆心; (D )电流元受磁力不为0,方向垂直圆电流平面。
2、若用条形磁铁竖直插入不闭合金属圆环,则金属环中: ( ) (A )产生感应电动势,也产生感应电流; (B )产生感应电动势,不产生感应电流; (C )不产生感应电动势,也不产生感应电流;(D )不产生感应电动势,产生感应电流。
3、取自感系数的定义式为IL Φ=,当线圈的几何形状不变,周围无铁磁性物质时,若线圈中的电流强度变小,则自感系数L ( ) (A )变大,与电流成反比关系; (B )变小;(C )不变; (D )变大,但与电流不成反比关系。
4、设在真空中沿着z 轴正方向传播的平面电磁波,其磁场强度的表达式为⎪⎭⎫⎝⎛-=c z t H H y ωcos 0,则电场强度的表达式为() (A )⎪⎭⎫⎝⎛--=c z t H Ey ωεμcos 000; (B )⎪⎭⎫ ⎝⎛--=c z t H E x ωεμcos 000;(C )⎪⎭⎫ ⎝⎛-=c z t HE xωεμcos000;(D )⎪⎭⎫ ⎝⎛+=c z t H E y ωεμcos 000。
5、在迈克尔逊干涉仪的一支光路中,放入一片折射率为n 的透明介质薄膜后,测出两束光的光程差的改变量为一个波长λ,则薄膜的厚度是 ( )(A )2λ; (B )n 2λ; (C )n λ; (D ))1(2-n λ6、在双缝干涉实验中,屏幕Σ上的P 点处是明条纹。
若将缝2S 盖住,并在21S S 连线的垂直平分面处放一反射镜M ,如图1所示,则此时 ( ) (A )P 点处仍为明条纹; (B )P 点处为暗条纹;(C )不能确定P 点处是明条纹还是暗条纹; (D )无干涉条纹。
最新电子科技大学半导体物理期末考试试卷试题答案
电子科技大学二零零六至二零零七学年第一学期期末考试半导体物理课程考试题卷(120分钟)考试形式:闭卷考试日期200 7年1 月14日注:1、本试卷满分70分,平时成绩满分15分,实验成绩满分15分;2.、本课程总成绩=试卷分数+平时成绩+实验成绩。
课程成绩构成:平时分,期中分,实验分,期末分一、选择填空(含多选题)(2×20=40分)1、锗的晶格结构和能带结构分别是( C )。
A. 金刚石型和直接禁带型B. 闪锌矿型和直接禁带型C. 金刚石型和间接禁带型D. 闪锌矿型和间接禁带型2、简并半导体是指( A )的半导体。
A、(E C-E F)或(E F-E V)≤0B、(E C-E F)或(E F-E V)≥0C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子3、在某半导体掺入硼的浓度为1014cm-3, 磷为1015 cm-3,则该半导体为(B)半导体;其有效杂质浓度约为( E )。
A. 本征,B. n型,C. p型,D. 1.1×1015cm-3,E. 9×1014cm-34、当半导体材料处于热平衡时,其电子浓度与空穴浓度的乘积为( B ),并且该乘积和(E、F )有关,而与( C、D )无关。
A、变化量;B、常数;C、杂质浓度;D、杂质类型;E、禁带宽度;F、温度5、在一定温度下,对一非简并n型半导体材料,减少掺杂浓度,会使得( C )靠近中间能级E i;如果增加掺杂浓度,有可能使得(C )进入(A ),实现重掺杂成为简并半导体。
A、E c;B、E v;C、E F;D、E g;E、E i。
67、如果温度升高,半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是(C)。
A、变大,变大B、变小,变小C、变小,变大D、变大,变小8、最有效的复合中心能级的位置在(D )附近,最有利于陷阱作用的能级位置位于(C )附近,并且常见的是( E )陷阱。
大学电子信息科学专业《大学物理(下册)》期末考试试卷 含答案
大学电子信息科学专业《大学物理(下册)》期末考试试卷含答案姓名:______ 班级:______ 学号:______考试须知:1、考试时间:120分钟,本卷满分为100分。
2、请首先按要求在试卷的指定位置填写您的姓名、班级、学号。
一、填空题(共10小题,每题2分,共20分)1、设作用在质量为1kg的物体上的力F=6t+3(SI).如果物体在这一力的作用下,由静止开始沿直线运动,在0到 2.0 s的时间间隔内,这个力作用在物体上的冲量大小I=__________________。
2、质点在平面内运动,其运动方程为,质点在任意时刻的位置矢量为________;质点在任意时刻的速度矢量为________;加速度矢量为________。
3、设描述微观粒子运动的波函数为,则表示_______________________;须满足的条件是_______________________;其归一化条件是_______________________。
4、某人站在匀速旋转的圆台中央,两手各握一个哑铃,双臂向两侧平伸与平台一起旋转。
当他把哑铃收到胸前时,人、哑铃和平台组成的系统转动角速度应变_____;转动惯量变_____。
5、真空中有一半径为R均匀带正电的细圆环,其电荷线密度为λ,则电荷在圆心处产生的电场强度的大小为____。
6、设在某一过程P中,系统由状态A变为状态B,如果________________________________________,则过程P为可逆过程;如果_________________________________________则过程P为不可逆过程。
7、刚体绕定轴转动时,刚体的角加速度与它所受的合外力矩成______,与刚体本身的转动惯量成反比。
(填“正比”或“反比”)。
8、三个容器中装有同种理想气体,分子数密度相同,方均根速率之比为,则压强之比_____________。
9、在热力学中,“作功”和“传递热量”有着本质的区别,“作功”是通过__________来完成的; “传递热量”是通过___________来完成的。
西安电子科技大学大一物理期末考试真题
西安电子科技大学大一物理期末考试真题1. 在力学中,牛顿第二定律的数学表达式是:A. F = maB. F = mvC. F = m/aD. F = a/m答案:A2. 关于摩擦力,下列说法正确的是:A. 摩擦力总是与物体运动方向相反B. 滑动摩擦力与正压力成正比C. 静摩擦力与正压力成正比D. 滚动摩擦力与正压力无关答案:B3. 在静电场中,一个正电荷从电势高的点移动到电势低的点,则:A. 电场力做正功B. 电场力做负功C. 电势能增加D. 电势能减少答案:D4. 关于光的折射,下列说法错误的是:A. 折射光线和入射光线分别位于法线两侧B. 折射角一定小于入射角C. 入射角增大时,折射角也增大D. 光从空气进入水中时,速度减小答案:B5. 在热力学中,下列哪项描述了一个孤立系统的熵变:A. ΔS = Q/TB. ΔS = W/TC. ΔS = Q - WD. ΔS > 0 表示系统向有序状态发展答案:A6. 关于波动,下列说法正确的是:A. 波的干涉和衍射都是波特有的现象B. 声波是纵波,光波是横波C. 机械波的传播需要介质,电磁波不需要D. 波速、波长和频率的关系为 v = λ/f,适用于所有波答案:A、B、C、D7. 在量子力学中,海森堡不确定性原理描述的是:A. 不能同时准确测定粒子的位置和动量B. 粒子具有波粒二象性C. 粒子在测量时会发生状态改变D. 粒子的能量是量子化的答案:A8. 关于相对论,下列说法错误的是:A. 相对论是爱因斯坦提出的B. 在高速运动中,物体的质量会增加C. 相对论否认了牛顿力学的正确性D. 相对论考虑到了光速在不同参考系中的不变性答案:C。
电子科技大学06级《大学物理(下)》期末考试及答案B卷 (A3版)
电子科技大学期末考试 06级《大学物理(下)》B 卷(考试时间90分钟,满分100分)一、 选择题(每题4分,共24分)1. 将尺寸完全相同的铜环和铝环适当放置,使通过两环内的磁通量的变化率相等。
则这两环中的感生电场和感生电流:A. 两环中的感生电场相等;B. 铜环中的感生电场大于铝环中的感生电场;C. 两环中的感生电流相等;D. 铝环中的感生电流大于铜环中的感生电流; 2. 均匀磁场中有一弯成如图所示形状横截面积为S 的铜线(质量密度为ρ),其中OA 和DO ’两段保持水平,AB =BC =CD =a , 可绕OO ’转动。
当铜线中的电流为I 时,测得平衡时AB 段和CD 段与竖直方向的夹角为α。
则磁感应强度的大小为: A.Sgtg Iρα;B.2Sg tg I ρα; C. 3Sg tg I ρα; D. sin SgIρα; 3. 如图所示劈尖,劈尖角为θ, 以波长为λ的单色光垂直入射,则在厚度为e 处,反射方向两相干光的光程差为: A. 2.3e ; B. 2.32e λ+; C. 2.5e ; D. 2.52e λ+;4. 若一束自然光以布儒斯特角入射到某介质面上,则折射光为 A.只有垂直振动的线偏振光;B. 只有平行振动的线偏振光;C. 平行振动多于垂直振动的部分偏振光;D.垂直振动多于平行振动的部分偏振光;5. 在观察单缝的夫朗和费衍射时,如果单缝垂直于它后面的透镜的光轴向上或向下移动,屏上的衍射图样将: A. 单缝向上则衍射图样中心向下移动;B. 单缝向上则衍射图样中心向上移动; C. 单缝向上或向下移动,衍射图样中心都保持不动;D.不能确定;6. 动能为E k =1.53MeV 的电子的德布罗意波长为: A.136.2810nm -⨯, B. 136.2810m -⨯, C. 142.4810nm -⨯, D. 142.4810m -⨯;二、 填空题II(每空2分,共26分)1. 一载有电流I 的无限长圆柱体,半径为R ,电流在其截面上均匀分布,则圆柱体内外的磁感应强度分别为 (1) 和 (2) ;2. 某一粒子的质量为0.5克,带有82.510-⨯库仑的电量,设其获得一大小为46.010m s ⨯的初始水平速度,如图,若利用磁场使该粒子仍沿水平方向运动,则应加的磁感应强度方向为 (3) ,大小为 (4) ;3. 在真空中,一平面电磁波的电场)/()](cos[0m V cxt E E E y -==ω,则该电磁波的磁感应强度的振幅为(5) ,传播方向为 (6) ;4. 波长为λ的单色光在折射率为n 的媒质中, 由a 点传到b 点,位相改变π,则光程改变 (7) ,光从a 点到b 点的几何路程为 (8) ;5. 空腔辐射体(视为绝对黑体)在5000K 时,辐射的峰值波长=m λ (9) ;辐射出射度为 (10) ;6. S 系中一质量密度为ρ、边长为l 的立方体,若使此立方体沿平行于一边的方向以速度0.6v c =运动,则在S 系中测得其体积为 (11) ,动能为 (12) ;7. 已知一维无限深势井中粒子的波函数为:x an a x n πψsin 2)(=,则n = 3时,粒子在3a x =处出现的概率密度为 (13) ;三、 (10分)一无限长载流直导线与一边长为L 的正方形载流线圈共面,其相对位置如图所示,求:(1) 正方形线圈磁矩的大小与方向;(2) 把该线圈平移至载流直导线左边对称位置,磁力所做的功;四、 (10分) 一N 1匝、面积为S 的圆形小线圈,放在另一半径为R 共N 2匝的大圆形线圈的中央,两者共面,如图,设小线圈内各点的磁感应强度相同。
电子科技大学11级《大学物理(下)》期末考试及答案B卷 (A3版)
弟1页/(共4页) 弟2页/(共4页)电子科技大学期末考试 11级《大学物理(下)》B 卷(考试时间90分钟,满分100分)一、选择题(每题2分,共20分)1.取一闭合积分回路L ,使三根载流导线穿过它围成的面,现改变三根导线之间的相互间隔,但不越出积分回路,则 ( )A .回路L 内的∑I 不变,L 上各点的B不变; B .回路L 内的∑I 改变,L 上各点的B改变;C .回路L 内的∑I 改变,L 上各点的B不变; D .回路L 内的∑I 不变,L 上各点的B改变。
2.下列说法哪个是正确的 ( )A .导体在磁场中以一定速度运动时,必定产生感应电动势;B .感生电场的电场线不是闭合曲线;C .感生电场是保守力场;D .感生电场是非保守力场,感生电场力的功与路径有关。
3.若空间存在两根无限长直载流导线,空间的磁场分布就不具有简单的对称性,则该磁场分布 ( )A .不能用安培环路定理求出;B .可以直接用安培环路定理求出;C .只能用毕奥-萨伐尔-拉普拉斯定律求出;D .可以用安培环路定理和磁感应强度的叠加原理求出。
4.取自感系数的定义式为IL Φ=,当线圈的几何形状不变,周围无铁磁性物质时,若线圈中的电流强度变小,则自感系数L ( ) A .变大,与电流成反比关系; B .变小;C .不变;D .变大,但与电流不成反比关系。
5.自然光以布儒斯特角由玻璃入射到空气表面上,反射光是 ( ) A .平行于入射面内振动的完全偏振光; B .平行于入射面内振动占优势的部分偏振光; C .垂直于入射面振动的完全偏振光; D .垂直于入射面振动占优势的部分偏振光。
6.在双缝干涉实验中,用单色自然光,在屏上形成干涉条纹。
若把一个偏振片置于双缝后,则 ( )A .干涉条纹的间距不变,但明纹的亮度加强;B .干涉条纹的间距变窄,且明纹的亮度减弱;C .干涉条纹的间距不变,但明纹的亮度减弱;D .无干涉条纹。
7.根据惠更斯—菲涅尔原理,若已知光在某时刻的波阵面为S ,则S 的前方某点P 的光强决定于波阵面上所有面元发出的子波各自传到P 点的 ( ) A .振动振幅之和; B .光强之和; C .振动振幅之和的平方; D .相干叠加。
杭州电子科技大学大物2期末试题
(2) 质量、长度、时间的测量结果都是随物体与观察者的相对运动状态而改变的
(3) 在一惯性系中发生于同一时刻,不同地点的两个事件在其他一切惯性系中也是同时
发生的
(4)惯性系中的观察者观察一个与他作匀速相对运动的时钟时,会看到这时钟比与他相
对静止的相同的时钟走得慢些
(A) (1),(3),(4)
(B) (1),(2),(4)
(2) 求解并画出 t = 3 s 时的波形曲线.
2
2
4
Oபைடு நூலகம்
t (s)
21. (本题 5 分)(3757)
22. (本题 8 分)(5661)
23. (本题 8 分)(4767) 24. (本题 5 分)(4430) 22.
23.
24.
答案: l 2
13. (本题 3 分)(3167)
答案: 2p(n -1)e / l 4 ´103
14. (本题 3 分)(3739)
答案:2 15. (本题 3 分)(3236)
16.(本题 3 分) (4353)
已知惯性系 S ¢ 相对于惯性系 S 以 0.5c 的速度沿 x 轴的负方向运动,若从 S ¢ 系的坐标原 点 O¢ 沿 x 轴正方向发出一光波,则 S 系中测得此光波在真空中的波速为 c 。
初速度为零. 求 (1) 振动表达式; (2) t = (1/4) s 时物体所受的作用力.
20.(本题 10 分)(3079)
一列平面简谐波在媒质中以波速 u = 5 m/s 沿 x 轴正向传播,原点 O 处质元的振动曲线
如图所示. (1) 求解并画出 x = 25 m 处质元的振动曲线.
y (cm)
有长度为 (c 表示真空中光速)
电子科技大学半导体物理期末考试试卷a试题答案..讲解学习
电子科技大学半导体物理期末考试试卷a试题答案..讲解学习电子科技大学二零九至二零一零学年第一学期期末考试半导体物理课程考试题 A 卷( 120分钟)考试形式:闭卷考试日期 2010年元月 18日课程成绩构成:平时 10 分,期中 5 分,实验 15 分,期末 70 分一、选择题(共25分,共 25题,每题1 分)A )的半导体。
A. 不含杂质和缺陷B. 电阻率最高C. 电子密度和空穴密度相等D. 电子密度与本征载流子密度相等2、如果一半导体的导带中发现电子的几率为零,那么该半导体必定( D )。
A. 不含施主杂质B. 不含受主杂质C. 不含任何杂质D. 处于绝对零度3、对于只含一种杂质的非简并n 型半导体,费米能级E F 随温度上升而( D )。
A. 单调上升B. 单调下降C. 经过一个极小值趋近EiD. 经过一个极大值趋近Ei4、如某材料电阻率随温度上升而先下降后上升,该材料为( C )。
A. 金属B. 本征半导体C. 掺杂半导体D. 高纯化合物半导体5、公式*/m q τμ=中的τ是半导体载流子的( C )。
A. 迁移时间 B. 寿命 C. 平均自由时间 D. 扩散时间6、下面情况下的材料中,室温时功函数最大的是( A ) A. 含硼1×1015cm -3的硅 B. 含磷1×1016cm -3的硅 C. 含硼1×1015cm -3,磷1×1016cm -3的硅 D. 纯净的硅7、室温下,如在半导体Si 中,同时掺有1×1014cm -3的硼和1.1×1015cm -3的磷,则电子浓度约为( B ),空穴浓度为( D ),费米能级为(G )。
将该半导体由室温度升至570K ,则多子浓度约为( F ),少子浓度为( F ),费米能级为( I )。
(已知:室温下,n i ≈1.5×1010cm -3;570K 时,n i ≈2×1017cm -3)A 、1×1014cm -3B 、1×1015cm -3C 、1.1×1015cm -3D 、2.25×105cm -3E 、1.2×1015cm -3F 、2×1017cm -3G 、高于EiH 、低于EiI 、等于Ei8、最有效的复合中心能级位置在(D )附近;最有利陷阱作用的能级位置在( C )附近,常见的是( E )陷阱。
电子科技大学00级《大学物理(下)》期末考试及答案B卷 (A3版)
电子科技大学期末考试00级《大学物理(下)》B卷(考试时间90分钟,满分100分)一、填空题(每空2分)1、如图所示,载流导线(其两端延伸至无限远)在圆心O处的磁感应强度大小为,方向为。
2、如图所示,速度相同的电子和质子,从缝o处垂直射入均匀磁场,图中画出了四个圆弧,oa和od半径相同,ob和oc半径相同,若圆弧中有一个是电子的轨迹,有一个是质子的轨迹,则电子的轨迹是,质子的轨迹是。
3、沿X方向有一均匀磁场,磁感应强度B=10(T),矩形金属线框abcoa如图放置,可绕Y轴转动,其中ab=20cm,bc=15cm,内通有电流I=1安培,则ab段导线所受的安培力大小为,线框的磁矩P m的大小为,线框所受的磁力矩大小为。
4、如图,铜棒OA长L=40cm,在方向垂直纸面向内的均匀磁场(B=0.01T)中,沿逆时针方向绕过O点的垂直纸面的轴转动,转速为每秒30圈,则棒中动生电动势的大小为,方向为。
5、用数学式表示出稳恒磁场的基本性质,一是无源场,二是有旋场。
6、一空气劈尖,由两玻璃片夹迭而成,用波长为λ的单色光垂直照射其上,在反射光中观察干涉条纹,若发现某一干涉条纹由明第一次变暗,则上面一片玻璃片需向上平移的距离为,若平移过程中,劈尖内始终充满水(n水=4/3),则需向上平移的距离为。
7、一束光由光强为I1的自然光与光强为I2的完全偏振光组成,垂直入射到一偏振片上,当偏振片以入射光线为轴转动时,透射光的最大光强为,透射光的最小光强为。
8、静止质量为m0的物体,以0.6c(c为光速)的速度运动,物体的动能为倍静能,总能量为。
9、π+介子是一种不稳定的粒子,平均寿命是2.6×10-8秒(在与它相对静止的参照系中测得),如果此粒子相对于实验室以0.8c的速度运动,那么实验室参照系中测得π+介子的寿命为,π+介子在衰变前运动的距离为。
10、波函数的统计解释是,波函数的性质是。
弟1页/(共4页)弟2页/(共4页)二、一半径为R的无限长直载流圆柱导体,通过的电流强度为I,电流在导体的横截面上作均匀分布,abcdefa为一过轴线的矩形回路,尺寸如图所示,(af=R, ac=2R),求通过矩形回路的磁通量。
最新电子科技大学半导体物理期末考试试卷A试题答案
电子科技大学二零 一零 至二零 一一 学年第 一 学期期 末 考试1.对于大注入下的直接辐射复合,非平衡载流子的寿命与(D )A. 平衡载流子浓度成正比B. 非平衡载流子浓度成正比C. 平衡载流子浓度成反比D. 非平衡载流子浓度成反比2.有3个硅样品,其掺杂情况分别是:甲. 含铝1×10-15cm -3 乙.含硼和磷各1×10-17cm -3 丙.含镓1×10-17cm -3室温下,这些样品的电阻率由高到低的顺序是(C )A. 甲乙丙B. 甲丙乙C. 乙甲丙D. 丙甲乙3.题2中样品的电子迁移率由高到低的顺序是( B )4. 题2中费米能级由高到低的顺序是( C )5. 欧姆接触是指( D )的金属一半导体接触A. W ms = 0B. W ms < 0C. W ms > 0D. 阻值较小且具有对称而线性的伏安特性6.有效复合中心的能级必靠近( A )A. 禁带中部B.导带C.价带D.费米能级7.当一种n 型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时,其小注入下的少子寿命正比于(C )A.1/n 0B.1/△nC.1/p 0D.1/△p8.半导体中载流子的扩散系数决定于其中的( A )A.散射机构B. 复合机构C.杂质浓变梯度D.表面复合速度9.MOS 器件绝缘层中的可动电荷是( C )A. 电子B. 空穴C. 钠离子D. 硅离子10.以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是( D )A. SiB. GeC. GaAsD. GaN二、解释并区别下列术语的物理意义(30 分,7+7+8+8,共4 题)1. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量(7 分)答:有效质量:由于半导体中载流子既受到外场力作用,又受到半导体内部周期性势场作用。
有效概括了半导体内部周期性势场的作用,使外场力和载流子加速度直接联系起来。
在直接由实验测得的有效质量后,可以很方便的解决电子的运动规律。
电子科技大学半导体物理期末考试试卷a试题答案..讲解学习
电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试半导体物理 课程考试题 A 卷 ( 120分钟) 考试形式: 闭卷 考试日期 2010年 元月 18日课程成绩构成:平时 10 分, 期中 5 分, 实验 15 分, 期末 70 分一、选择题(共25分,共 25题,每题1 分)A )的半导体。
A. 不含杂质和缺陷B. 电阻率最高C. 电子密度和空穴密度相等D. 电子密度与本征载流子密度相等2、如果一半导体的导带中发现电子的几率为零,那么该半导体必定( D )。
A. 不含施主杂质B. 不含受主杂质C. 不含任何杂质D. 处于绝对零度3、对于只含一种杂质的非简并n 型半导体,费米能级E F 随温度上升而( D )。
A. 单调上升B. 单调下降C. 经过一个极小值趋近EiD. 经过一个极大值趋近Ei4、如某材料电阻率随温度上升而先下降后上升,该材料为( C )。
A. 金属 B. 本征半导体 C. 掺杂半导体 D. 高纯化合物半导体5、公式*/m q τμ=中的τ是半导体载流子的( C )。
A. 迁移时间 B. 寿命 C. 平均自由时间 D. 扩散时间6、下面情况下的材料中,室温时功函数最大的是( A ) A. 含硼1×1015cm -3的硅 B. 含磷1×1016cm -3的硅 C. 含硼1×1015cm -3,磷1×1016cm -3的硅 D. 纯净的硅7、室温下,如在半导体Si 中,同时掺有1×1014cm -3的硼和1.1×1015cm -3的磷,则电子浓度约为( B ),空穴浓度为( D ),费米能级为( G )。
将该半导体由室温度升至570K ,则多子浓度约为( F ),少子浓度为( F ),费米能级为( I )。
(已知:室温下,n i ≈1.5×1010cm -3;570K 时,n i ≈2×1017cm -3)A 、1×1014cm -3B 、1×1015cm -3C 、1.1×1015cm -3D 、2.25×105cm -3E 、1.2×1015cm -3F 、2×1017cm -3G 、高于EiH 、低于EiI 、等于Ei8、最有效的复合中心能级位置在( D )附近;最有利陷阱作用的能级位置在( C )附近,常见的是( E )陷阱。
电子科技大学009半导体物理期末考试试卷b试题答案
7. 相对 Si 而言, InSb 是制作霍尔器件的较好材料,是由于其电子迁移率较高/一二 三 四 五 六 七 八 九 十合计复核人签名得分 签名无视。
4. 随温度的增加,P 型半导体的霍尔系数的符号由正变为负。
大。
电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试半导体物理 课程考试题 B 卷 〔 120 分钟〕 考试形式: 闭卷 考试日期 2023 年 元月 18 日课程成绩构成:寻常 10分, 期中 5 分, 试验 15分, 期末70分一、填空题: 〔共 16 分,每空 1 分〕1. 简并半导体一般是 重 掺杂半导体,这时 电离杂质 对载流子的散射作用不行3. 电子陷阱存在于P/空穴 型半导体中。
5. 在半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,它们具有 杂质补偿 的作用,在制造各种半导体器件时,往往利用这种作用转变半导体的导电性能。
6. ZnO 是一种宽禁带半导体,真空制备过程中通常会导致材料缺氧形成氧空位,存在氧空位的 ZnO 半导体为N/电子 型半导体。
10. 某 N 型 Si 半导体的功函数 W S 是 4.3eV ,金属 Al 的功函数 W m 是 4.2 eV , 该半导体9.有效质量概括了晶体内部势场对载流子的作用,可通过盘旋共振试验来测量。
杂质,通常起复合中心的作用,使得载流子寿命减小。
8. 掺金工艺通常用于制造高频器件。
金掺入半导体 Si 中是一种深能级 率会 上升/增大 。
2. 处在饱和电离区的 N 型 Si 半导体在温度上升后,电子迁移率会 下降/减小 ,电阻得 分12. MIS 构造中半导体外表处于临界强反型时,外表少子浓度等于内部多子浓度,外表和金属接触时的界面将会形成 反阻挡层接触/欧姆接触 。
11. 有效复合中心的能级位置靠近禁带中心能级/本征费米能级/E i。
二、选择题〔共 15 分,每题 1 分〕1. 假设对半导体进展重掺杂,会消灭的现象是 D 。
电子科技大学物理光学期末考试试卷——物理光学资料文档
电子科技大学二零零 六 至二零零 七 学年第 一 学期期末 考试物理光学 课程考试题 A 卷 ( 120分钟) 考试形式: 一页纸开卷 考试日期 200 7 年1 月 日课程成绩构成:平时 25 分, 期中 10 分, 实验 0 分, 期末 65 分一.选择题(每小题3分)CCABC BCCAB B BDAB ABACB二.计算简答题(前4题每小题6分,后2题每小题8分)1. 解:(1)平行光的双缝衍射实验中,若挡住一缝,光强会变小。
(2)由于单缝的光强分布为:双缝的光强分布为:双缝衍射的亮条纹处,两单缝衍射的光场呈相长干涉,双缝亮条纹光场强度为单缝光场强度的4倍,所以平行光的双缝衍射实验中,若挡住一缝,原来亮条纹处的光强会变小。
2. 解:透过P 1的光强设P 2与P 1的偏振化方向之间的夹角为θ,则透过P 2后的光强为透过P 3的光强为2)sin ()(ββo I p I =220sin ()4()cos ,2I p I βδβ=2cos 1,2δ=即20)sin (4)(ββI p I =0121I I =)cos (21cos 20212θθI I I ==由题意I 3=,可知θ=45︒故,P 2与P 3的偏振化方向之间夹角为 3. 解:已知:,全反射临界角为这里(空气)为方解石的折射率 当入射角时全反射对于o 光:=对于e 光: =当入射角在之间时,o 光全反射,出射光只有e 光,呈线偏振光。
由图中可知顶角在 ~之间时,o 光全反射,e 光透射。
又因为e 光在主截面内振动,所以透射光的振动方向在主截面内,或者说平行于纸面。
4. 解:(1) 由光栅衍射主极大公式得(2) 由光栅公式,相应于第三级干涉主极大的 应满足由于第三级缺级,对应于可能的最小a ,方向应是单缝衍射第一级暗纹:,两式比较,得()232cos 90I I θ=-)sin cos (21220θθI =8/)2sin (20θI =0/8I 9045θ-=6583.1=o n 4864.1=e n cθ12sin n n c =θ0.12=n 1n ic θθ>6030.06583.111sin ===o co n θco θo08.376727.04864.1111sin "====e ce n n θce θo 28.4237.0842.28o oi θ<<i θα=∴o 08.37o 28.4242 2.410 cm sin d λφ-==⨯φ'sin 3d φλ'=φ'λφ='sin a 4/30.810 cm a d -==⨯5. 解:设O 点最亮时,光线2在劈尖b 中传播距离为,则由双缝S 1和S 2分别到达O 点的光线的光程差满足下式:= ①设O 点由此时第一次变为最暗时,光线2在劈尖b 中传播的距离为,则由双缝S 1和S 2分别到达O 点的两光程差满足下式= + ②②-①得(-) = ③由图可求出: (-)= ④ 由③和④得:劈尖b 应向上移动的最小距离为或6. 解:(1)反射光的偏振方向垂直于纸面;(2) 由于反射光是线偏振光,因此先将三只待测器件分别放在垂直于反射光光束的方向上并旋转,用白纸板放在后面进行观察,由于线偏振器不允许与其通光方向垂直的线偏振光通过,而波片都不会改变光的强度,因此旋转器件时若在白纸板上出现消光现象,则该器件为线偏振器。
2022年大学电子信息科学专业《大学物理(二)》期末考试试题 附解析
2022年大学电子信息科学专业《大学物理(二)》期末考试试题附解析姓名:______ 班级:______ 学号:______考试须知:1、考试时间:120分钟,本卷满分为100分。
2、请首先按要求在试卷的指定位置填写您的姓名、班级、学号。
一、填空题(共10小题,每题2分,共20分)1、质量为的物体,初速极小,在外力作用下从原点起沿轴正向运动,所受外力方向沿轴正向,大小为。
物体从原点运动到坐标为点的过程中所受外力冲量的大小为_________。
2、若静电场的某个区域电势等于恒量,则该区域的电场强度为_______________,若电势随空间坐标作线性变化,则该区域的电场强度分布为 _______________。
3、一质点作半径为0.1m的圆周运动,其角位置的运动学方程为:,则其切向加速度大小为=__________第1秒末法向加速度的大小为=__________。
4、一质点作半径为0.1m的圆周运动,其运动方程为:(SI),则其切向加速度为=_____________。
5、长为、质量为的均质杆可绕通过杆一端的水平光滑固定轴转动,转动惯量为,开始时杆竖直下垂,如图所示。
现有一质量为的子弹以水平速度射入杆上点,并嵌在杆中. ,则子弹射入后瞬间杆的角速度___________。
6、一束平行单色光垂直入射在一光栅上,若光栅的透明缝宽度与不透明部分宽度相等,则可能看到的衍射光谱的级次为____________。
7、一圆锥摆摆长为I、摆锤质量为m,在水平面上作匀速圆周运动,摆线与铅直线夹角,则:(1) 摆线的张力T=_____________________;(2) 摆锤的速率v=_____________________。
8、一个绕有500匝导线的平均周长50cm的细螺绕环,铁芯的相对磁导率为600,载有0.3A 电流时, 铁芯中的磁感应强度B的大小为___________;铁芯中的磁场强度H的大小为___________ 。
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电子科技大学大学物理期末考试试卷(含答案)
一、大学物理期末选择题复习
1.如图所示,质量为m 的物体用平行于斜面的细线联结置于光滑的斜面上,若斜面向左方作加速运动,当物体刚脱离斜面时,它的加速度的大小为( )
(A) g sin θ (B) g cos θ (C) g tan θ (D) g cot θ
答案D
2.将一个带正电的带电体A 从远处移到一个不带电的导体B 附近,则导体B 的电势将( )
(A ) 升高 (B ) 降低 (C ) 不会发生变化 (D ) 无法确定 答案A
3.如图所示,半径为R 的均匀带电球面,总电荷为Q ,设无穷远处的电势为零,则球内距离球心为r 的P 点处的电场强度的大小和电势为: ( )
(A) 00,4Q
E U r
πε== (B) 00,4Q E U R πε==
(C) 200,44Q
Q E U r r πεπε== (D)200,44Q
Q E U r R πεπε== 答案B
4.在图(a)和(b)中各有一半径相同的圆形回路L 1 、L 2 ,圆周内有电流I 1 、I 2 ,其分布相同,且均在真空中,但在(b)图中L 2 回路外有电流I 3 ,P 1 、P 2 为两圆形回路上的对应点,则( )
(A ) ⎰⎰⋅=⋅21L L d d l B l B ,21P P B B = (B ) ⎰
⎰⋅≠⋅21L L d d l B l B ,21P P B B = (C ) ⎰
⎰⋅=⋅21L L d d l B l B ,21P P B B ≠ (D ) ⎰
⎰⋅≠⋅21L L d d l B l B ,21P P B B ≠ 答案C
5. 一物体沿固定圆弧形光滑轨道由静止下滑,在下滑过程中,则( )
(A )它的加速度的方向永远指向圆心,其速率保持不变
(B )它受到的轨道的作用力的大小不断增加
(C )它受到的合外力大小变化,方向永远指向圆心 m
(D)它受到的合外力大小不变,其速率不断增加
答案 B
6.有两个倾角不同、高度相通、质量一样的斜面放在光滑的水平面上,斜面是光滑的,有两个一样的物块分别从这两个斜面的顶点由静止开始滑下,则()
(A)物块到达斜面低端时的动量相等
(B)物块到达斜面低端时动能相等
(C)物块和斜面(以及地球)组成的系统,机械能不守恒
(D)物块和斜面组成的系统水平方向上动量守恒
答案 D
7.有两个力作用在一个有固定转轴的刚体上:
(1)这两个力都平行于轴作用时,它们对轴的合力距一定是零;
(2)这两个力都垂直于轴作用时,它们对轴的合力距可能是零;
(3)当这两个力的合力为零时,它们对轴的合力距也一定是零;
(4)当这两个力对轴的合力距为零时,它们的合力也一定为零。
对上述说法,下述判断正确的是()
(A)只有(1)是正确的(B)(1)、(2)正确,(3)、(4)错误
(C)(1)、(2)、(3)都正确,(4)错误(D)(1)、(2)、(3)、(4)都正确
答案 B
8.下列说法正确的是()
(A)电场强度为零的点,电势一定为零。
(B)电场强度不为零的点,电势也一定为零。
(C)电势为零的点,电场强度也一定为零。
(D)电势在某一区域内为零,则电场强度在该区域必定为零。
答案 D
9.将一个带正电的带电体A从远处移到一个不带电的导体B附近,导体B的电势将()
(A)升高(B)降低(C)不会发生变化(D)无法确定
答案 A
10. 将一带负电的物体M 靠近一不带电的导体N ,在N 的左端感应出正电荷,右端感应出负电荷。
若将导体N 的左端接地(如图所示),则( )
(A )N 上的负电荷入地 (B )N 上的正电荷入地
(C )N 上的所有电荷入地 (D )N 上所有的感应电荷入地
答案 A
11. 一个半径为r 的半球面如图放在均匀磁场中,通过半球面的磁通量为 ( )
(A )22r B π (B )2r B π (C )22cos r B πα (D )2cos r B πα
答案 D
12. 下列说法正确的是 ( )
(A )闭合回路上各点磁感强度都为零时,回路内一定没有电流穿过
(B )闭合回路上各点磁感强度都为零时,回路内穿过电流的代数和必定为零
(C )磁感强度沿闭合回路的积分为零时,回路上各点的磁感强度必定为零
(D )磁感强度沿闭合回路的积分不为零时,回路上任意一点的磁感强度都不可能为零 答案 B
13. 半径为R 的圆柱形无限长载流直导线置于均匀无限长磁介质之中,若导线中流过的稳
恒电流为I ,磁介质的相对磁导率为(1)r r μμ<,则磁介质内的磁化强度为( )
(A )(1)2r I μπγ-- (B )(1)2r I μπγ- (C )2r I μπγ (D )2r I πμγ
答案 B
14. 一根无限长直导线载有I ,一矩形线圈位于导线平面内沿垂直于载流导线方向以恒定速率运动(如图),则 ( )
(A )线圈中无感应电流 (B )线圈中感应电流为顺时针方向
(C )线圈中感应电流为逆时针方向 (D )线圈中感应电流方向无法确定
答案 B
15. 下列概念正确的是 ( )
(A )感应电场也是保守场
(B )感应电场的电场线是一组闭合曲线
(C )m LI Φ=,因而线圈的自感系数与回路的电流成反比
(D )m LI Φ=,回路的磁通量越大,回路的自感系数也一定大
答案 B。