大学物理实验报告 实验18霍尔效应数据处理
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U
2m25
4.1（m取横坐标最小刻度值的一半）EI
UI4.10.0082 I500
UV
m0.01
0.008（m取纵坐标最小刻度值的一半）EV
UV0.0080.0021 V3.92
2.69
)
rKH 17.38mv/(mAT) 7
IMICH05001.004101500
VH(L1
)
3.92(4.00
L2
IMICH02003.504101500
VH(L1
)
5.49(3.00
L2
KEI2EV2(0.008)2(0.0053)20.00961.0%
。U
K13.281.0%0.130.2mv/(mAT)
处理结果：
KH=（13.30.2）mv/(mAT)（P=0.683）
E=1.0%
例2、作图法：
ICH=1.00mA, L1=4.00mm，L2=269mm VH\IM VH1 VH2 VH3
VH4
H -0.63 0.79 -1.44 1.58 -2.25 2.41 -3.04 3.20 -3.83 3.99 -4.58 4.76 -5.28 5.48 -6.04 6.21
描绘霍尔电压与励磁电流关系图：
计算结果极其不确定度：
在图上取两点A（200，1.55）B(700，5.47) ΔIm =ImA－ImB＝700－200＝500（mA）ΔVH＝VHB－VHA＝5.47-1.55＝3.92（mV）
(1)厄廷好森效应引起的电势差。由于电子实际上并非以同一速度v沿y轴负向运动，速度大的电子回转半径大，能较快地到达接点3的侧面，从而导致3侧面较4侧面集中较多能量高的电子，结果3、4侧面出现温差，产生温差电动势。
可以证明。的正负与和的方向有关。(2)能斯特效应引起的电势差。焊点1、2间接触电阻可能不同，通电发热程度不同，故1、2两点间温度可能不同，于是引起热扩散电流。与霍尔效应类似，该热扩散电流也会在3、4点间形成电势差。
若只考虑接触电阻的差异，则的方向仅与磁场的方向有关。(3)里纪-勒杜克效应产生的电势差。上述热扩散电流的载流子由于速度不同，根据厄廷好森效应同样的理由，又会在3、4点间形成温差电动势。的正负仅与的方向有关，而与的方向无关。(4)不等电势效应引起的电势差。由于制造上的困难及材料的不均匀性，3、4两点实际上不可能在同一等势面上，只要有电流沿x方向流过，即使没有磁场，3、4两点间也会出现电势差。的正负只与电流的方向有关，而与的方向无关。综上所述，在确定的磁场和电流下，实际测出的电压是霍尔
0.50 1.00 1.50 2.00 2.50 3.00 3.50 4.00 4.50 5.00 5.50 6.00 6.50 -0.6-1.4-2.2-3.0-3.8-4.6-5.4-6.1-6.9-7.7-8.5-9.3-10.16 4 4 2 2 0 0 6 6 3 5 3 2 0.97 1.75 2.54 3.33 4.11 4.89 5.69 6.44 7.23 8.00 8.81 9.57 10.3
数据个数N＝7 n＝7根据肖维涅准则剔除坏值C7＝1.8(坏值条件：|Xi－X|>Cn*SX X的平均值（H）为5.49 SX＝0.012536 Cn*SX＝0.022564无坏值出现
ICH3.50mA
某次测量的标准偏差：SX
7
(x
i1
7
i
)2
0.01253
71
i
平均值的标准偏差：S不确定度估算：UA＝S＝0.0047；UB
效应电压与副效应产生的附加电压的代数和。可以通过对称测量方法，即改变和磁场的方向加以消除和减小副效应的影响。在规定了电流和磁场正、反方向后，可以测量出由下列四组不同方向的和组合的电压。即：，：，：，：，：然后求，，，的代数平均值得：
通过上述测量方法，虽然不能消除所有的副效应，但较小，引入的误差不大，可以忽略不计，因此霍尔效应电压可近似为(1-6)3、直螺线管中的磁场分布1、以上分析可知，将通电的霍尔元件放置在磁场中，已知霍尔元件灵敏度，测量出和，就可以计算出所处磁场的磁感应强度。(1-7)2、直螺旋管离中点处的轴向磁感应强度理论公式：(1-8)式中，是磁介质的磁导率，为螺旋管的匝数，为通过螺旋管的电流，为螺旋管的长度，是螺旋管的内径，为离螺旋管中点的距离。X=0时，螺旋管中点的磁感应强度(1-9)
100 -0.64 0.94 0.95
200 -1.42 1.74 1.73
300 -2.26 2.55 2.56
400 -3.05 3.34 3.34
500 -3.84 4.13 4.14
600 -4.62 4.90 4.92
700 -5.30 5.66 5.68
800 -6.04 6.36 6.38
五、实验内容：测量霍尔元件的、关系；1、将测试仪的"调节"和"调节"旋钮均置零位(即逆时针旋到底)，极性开关选择置"0"。2、接通电源，电流表显示"0.000"。有时，调节电位器或调节电位器起点不为零，将出现电流表指示末位数不为零，亦属正常。电压表显示"0.0000"。3、测定关系。取=900mA，保持不变；霍尔元件置于螺旋管中点(二维移动尺水平方向14.00cm处与读数零点对齐)。顺时针转动"调节"旋钮，依次取值为1.00，2.00，…，10.00mA，将和极性开关选择置"+"和"-"改变与的极性，记录相应的电压表读数值，填入数据记录表1。4、以为横坐标，为纵坐标作图，并对曲线作定性讨论。5、测定关系。
取=10 mA,保持不变；霍尔元件置于螺旋管中点(二维移动尺水平方向14.00cm处与读数零点对齐)。顺时针转动"调节"旋钮，依次取值为0，100，200，…，900 mA，将和极性开关择置"+"和"-"改变与的极性，记录相应的电压表读数值，填入数据记录表2。6、以为横坐标，为纵坐标作图，并对曲线作定性讨论。测量长直螺旋管轴向磁感应强度1、取=10 mA，=900mA。2、移动水平调节螺钉，使霍尔元件在直螺线管中的位置(水平移动游标尺上读出)，先从14.00cm开始，最后到0cm点。改变和极性，记录相应的电压表读数值，填入数据记录表3，计算出直螺旋管轴向对应位置的磁感应强度。3、以为横坐标，为纵坐标作图，并对曲线作定性讨论。4、用公式(1-8)计算长直螺旋管中心的磁感应强度的理论值，并与长直螺旋管中心磁感应强度的测量值比较，用百分误差的形式表示测量结果。式中,其余参数详见仪器铭牌所示。六、注意事项：
通过上述测量方法虽然不能消除所有的副效应但较小引入的误差不大可以忽略不计因此霍尔效应电压可近似为163直螺线管中的磁场分1以上分析可知将通电的霍尔元件放置在磁场中已知霍尔元件灵敏度测量出和就可以计算出所处磁场的磁感应强度
大学物理实验报告实验18霍尔效应数据处理
霍尔效应数据处理范例
由公式：
KH
NI
；B0M
1、为了消除副效应的影响，实验中采用对称测量法，即改变和的方向。2、霍尔元件的工作电流引线与霍尔电压引线不能搞错；霍尔元件的工作电流和螺线管的励磁电流要分清，否则会烧坏霍尔元件。3、实验间隙要断开螺线管的励磁电流与霍尔元件的工作电流，即和的极性开关置0位。4、霍耳元件及二维移动尺容易折断、变形，要注意保护，应注意避免挤压、碰撞等，不要用手触摸霍尔元件。七、数据记录：KH=23.09，N=3150匝，L=280mm,r=13mm表1关系(=900mA)(mV)(mV)(mV)(mV)
5
7.00 -10.92 11.17 11.13 -10.95 11.04
VH
1
VH
2
VH
3
VH
4
H
V8－V1＝6.30－0.82＝5.48 V9－V2＝7.10－1.60＝5.50 V10－V3＝7.87－2.39＝5.48 V11－V4＝868－3.18＝5.50 V12－V5＝9.45－3.97＝5.48 V13－V6＝10.25－4.74＝5.51 V14－V7＝11.04－5.54＝5.50
所以：
旧仪器：L1=3.00mm，L2=287mm
287
)mm
3.191K1693(mA/T) 1
0.0018850.001885TmmmA
(3.00
新仪器：L1=4.00mm，L2=269mm
269
4.1792217(mA/T)K
0.0018850.001885
4.00
大学物理实验报告霍尔效应
一、实验名称：霍尔效应原理及其应用二、实验目的：1、了解霍尔效应产生原理；2、测量霍尔元件的、曲线，了解霍尔电压与霍尔元件工作电流、直螺线管的励磁电流间的关系；3、学习用霍尔元件测量磁感应强度的原理和方法，测量长直螺旋管轴向磁感应强度及分布；4、学习用对称交换测量法(异号法)消除负效应产生的系统误差。
KEI2EV2(0.0082)2(0.0021)20.00850.9%
UK17.wenku.baidu.com80.9%0.160.2mv/(mAT)
处理结果：
KH=（17.40.2）mv/(mAT)（P=0.683）
E=0.9%附：
L1
为了计算方便，可以一个常数K
L2
r
0
于是KH
VH
K
IMICH
又：0=41071500=0.001885TmA1=0.001885TmmmA1
L12r)
得KH
r
IMICH0
VH(L1
L2
；N——励磁线圈的匝数（N=1500）；0——真空磁导率（0=4107TmA1）
IM——线圈中的励磁电流；
L1——气隙距离；L2——铁芯磁路平均长度；r——铁芯相对磁导率(r=1500)
例1、用逐差法处理数据：数据记录及处理
IM=200mA, L1=3.00mm; L2=287mm;
(x
i1
)2
0.004738
7(71)
m0.05
0.029 22
UVAUB(0.0047)2(0.0029)20.029
EVU
UX0.029
0.0053 5.49H
m0.050.029 EI
UI0.0290.008 I3.50
计算霍尔灵敏度KH及其不确定度：
287
)
rKH 13.29mv/(mAT) 7
A、A′间形成了稳定的电势差(霍尔电压)。设为霍尔电场，是载流子在电流方向上的平均漂移速度；样品的宽度为，厚度为，载流子浓度为，则有：(1-1)
因为，，又根据，则(1-2)其中称为霍尔系数，是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。只要测出、以及知道和，可按下式计算：(1-3)(1-4)为霍尔元件灵敏度。
根据RH可进一步确定以下参数。(1)由的符号(霍尔电压的正负)判断样品的导电类型。判别的方法是按图1所示的和的方向(即测量中的+，+)，若测得的<0(即A′的电位低于A的电位)，则样品属N型，反之为P型。(2)由求载流子浓度，即。应该指出，这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的。严格一点，考虑载流子的速度统计分布，需引入的修正因子(可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》)。(3)结合电导率的测量，求载流子的迁移率。电导率与载流子浓度以及迁移率之间有如下关系：(1-5)2、霍尔效应中的副效应及其消除方法上述推导是从理想情况出发的，实际情况要复杂得多。产生上述霍尔效应的同时还伴随产生四种副效应，使的测量产生系统误差，如图2所示。
1.00 0.28-0.27 0.31-0.30 0.29 2.00 0.59-0.58 0.63-0.64 0.613.00 0.89-0.87 0.95-0.96 0.904.00 1.20-1.16 1.27-1.29 1.235.00 1.49-1.46
1.59-1.61 1.546.00 1.80-1.77 1.90-1.93 1.857.00 2.11-2.07 2.22-2.25
7
0.97 1.74 2.53 3.33 4.12 4.88 5.68 6.44 7.23 7.99 8.80 9.56 10.3
6
-0.6-1.4-2.2-3.0-3.8-4.6-5.4-6.1-6.9-7.7-8.5-9.3-10.17 5 3 4 2 0 0 7 8 5 6 3 5 0.82 1.60 2.39 3.18 3.97 4.74 5.54 6.30 7.10 7.87 8.68 9.45 10.2
三、仪器用具：YX-04型霍尔效应实验仪(仪器资产编号)四、实验原理：1、霍尔效应现象及物理解释霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。对于图1所示。半导体样品，若在x方向通以电流，在z方向加磁场，则在y方向即样品A、A′电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的电场，电场的指向取决于样品的导电类型。显然，当载流子所受的横向电场力时电荷不断聚积，电场不断加强，直到样品两侧电荷的积累就达到平衡，即样品
2m25
4.1（m取横坐标最小刻度值的一半）EI
UI4.10.0082 I500
UV
m0.01
0.008（m取纵坐标最小刻度值的一半）EV
UV0.0080.0021 V3.92
2.69
)
rKH 17.38mv/(mAT) 7
IMICH05001.004101500
VH(L1
)
3.92(4.00
L2
IMICH02003.504101500
VH(L1
)
5.49(3.00
L2
KEI2EV2(0.008)2(0.0053)20.00961.0%
。U
K13.281.0%0.130.2mv/(mAT)
处理结果：
KH=（13.30.2）mv/(mAT)（P=0.683）
E=1.0%
例2、作图法：
ICH=1.00mA, L1=4.00mm，L2=269mm VH\IM VH1 VH2 VH3
VH4
H -0.63 0.79 -1.44 1.58 -2.25 2.41 -3.04 3.20 -3.83 3.99 -4.58 4.76 -5.28 5.48 -6.04 6.21
描绘霍尔电压与励磁电流关系图：
计算结果极其不确定度：
在图上取两点A（200，1.55）B(700，5.47) ΔIm =ImA－ImB＝700－200＝500（mA）ΔVH＝VHB－VHA＝5.47-1.55＝3.92（mV）
(1)厄廷好森效应引起的电势差。由于电子实际上并非以同一速度v沿y轴负向运动，速度大的电子回转半径大，能较快地到达接点3的侧面，从而导致3侧面较4侧面集中较多能量高的电子，结果3、4侧面出现温差，产生温差电动势。
可以证明。的正负与和的方向有关。(2)能斯特效应引起的电势差。焊点1、2间接触电阻可能不同，通电发热程度不同，故1、2两点间温度可能不同，于是引起热扩散电流。与霍尔效应类似，该热扩散电流也会在3、4点间形成电势差。
若只考虑接触电阻的差异，则的方向仅与磁场的方向有关。(3)里纪-勒杜克效应产生的电势差。上述热扩散电流的载流子由于速度不同，根据厄廷好森效应同样的理由，又会在3、4点间形成温差电动势。的正负仅与的方向有关，而与的方向无关。(4)不等电势效应引起的电势差。由于制造上的困难及材料的不均匀性，3、4两点实际上不可能在同一等势面上，只要有电流沿x方向流过，即使没有磁场，3、4两点间也会出现电势差。的正负只与电流的方向有关，而与的方向无关。综上所述，在确定的磁场和电流下，实际测出的电压是霍尔
0.50 1.00 1.50 2.00 2.50 3.00 3.50 4.00 4.50 5.00 5.50 6.00 6.50 -0.6-1.4-2.2-3.0-3.8-4.6-5.4-6.1-6.9-7.7-8.5-9.3-10.16 4 4 2 2 0 0 6 6 3 5 3 2 0.97 1.75 2.54 3.33 4.11 4.89 5.69 6.44 7.23 8.00 8.81 9.57 10.3
数据个数N＝7 n＝7根据肖维涅准则剔除坏值C7＝1.8(坏值条件：|Xi－X|>Cn*SX X的平均值（H）为5.49 SX＝0.012536 Cn*SX＝0.022564无坏值出现
ICH3.50mA
某次测量的标准偏差：SX
7
(x
i1
7
i
)2
0.01253
71
i
平均值的标准偏差：S不确定度估算：UA＝S＝0.0047；UB
效应电压与副效应产生的附加电压的代数和。可以通过对称测量方法，即改变和磁场的方向加以消除和减小副效应的影响。在规定了电流和磁场正、反方向后，可以测量出由下列四组不同方向的和组合的电压。即：，：，：，：，：然后求，，，的代数平均值得：
通过上述测量方法，虽然不能消除所有的副效应，但较小，引入的误差不大，可以忽略不计，因此霍尔效应电压可近似为(1-6)3、直螺线管中的磁场分布1、以上分析可知，将通电的霍尔元件放置在磁场中，已知霍尔元件灵敏度，测量出和，就可以计算出所处磁场的磁感应强度。(1-7)2、直螺旋管离中点处的轴向磁感应强度理论公式：(1-8)式中，是磁介质的磁导率，为螺旋管的匝数，为通过螺旋管的电流，为螺旋管的长度，是螺旋管的内径，为离螺旋管中点的距离。X=0时，螺旋管中点的磁感应强度(1-9)
100 -0.64 0.94 0.95
200 -1.42 1.74 1.73
300 -2.26 2.55 2.56
400 -3.05 3.34 3.34
500 -3.84 4.13 4.14
600 -4.62 4.90 4.92
700 -5.30 5.66 5.68
800 -6.04 6.36 6.38
五、实验内容：测量霍尔元件的、关系；1、将测试仪的"调节"和"调节"旋钮均置零位(即逆时针旋到底)，极性开关选择置"0"。2、接通电源，电流表显示"0.000"。有时，调节电位器或调节电位器起点不为零，将出现电流表指示末位数不为零，亦属正常。电压表显示"0.0000"。3、测定关系。取=900mA，保持不变；霍尔元件置于螺旋管中点(二维移动尺水平方向14.00cm处与读数零点对齐)。顺时针转动"调节"旋钮，依次取值为1.00，2.00，…，10.00mA，将和极性开关选择置"+"和"-"改变与的极性，记录相应的电压表读数值，填入数据记录表1。4、以为横坐标，为纵坐标作图，并对曲线作定性讨论。5、测定关系。
取=10 mA,保持不变；霍尔元件置于螺旋管中点(二维移动尺水平方向14.00cm处与读数零点对齐)。顺时针转动"调节"旋钮，依次取值为0，100，200，…，900 mA，将和极性开关择置"+"和"-"改变与的极性，记录相应的电压表读数值，填入数据记录表2。6、以为横坐标，为纵坐标作图，并对曲线作定性讨论。测量长直螺旋管轴向磁感应强度1、取=10 mA，=900mA。2、移动水平调节螺钉，使霍尔元件在直螺线管中的位置(水平移动游标尺上读出)，先从14.00cm开始，最后到0cm点。改变和极性，记录相应的电压表读数值，填入数据记录表3，计算出直螺旋管轴向对应位置的磁感应强度。3、以为横坐标，为纵坐标作图，并对曲线作定性讨论。4、用公式(1-8)计算长直螺旋管中心的磁感应强度的理论值，并与长直螺旋管中心磁感应强度的测量值比较，用百分误差的形式表示测量结果。式中,其余参数详见仪器铭牌所示。六、注意事项：
通过上述测量方法虽然不能消除所有的副效应但较小引入的误差不大可以忽略不计因此霍尔效应电压可近似为163直螺线管中的磁场分1以上分析可知将通电的霍尔元件放置在磁场中已知霍尔元件灵敏度测量出和就可以计算出所处磁场的磁感应强度
大学物理实验报告实验18霍尔效应数据处理
霍尔效应数据处理范例
由公式：
KH
NI
；B0M
1、为了消除副效应的影响，实验中采用对称测量法，即改变和的方向。2、霍尔元件的工作电流引线与霍尔电压引线不能搞错；霍尔元件的工作电流和螺线管的励磁电流要分清，否则会烧坏霍尔元件。3、实验间隙要断开螺线管的励磁电流与霍尔元件的工作电流，即和的极性开关置0位。4、霍耳元件及二维移动尺容易折断、变形，要注意保护，应注意避免挤压、碰撞等，不要用手触摸霍尔元件。七、数据记录：KH=23.09，N=3150匝，L=280mm,r=13mm表1关系(=900mA)(mV)(mV)(mV)(mV)
5
7.00 -10.92 11.17 11.13 -10.95 11.04
VH
1
VH
2
VH
3
VH
4
H
V8－V1＝6.30－0.82＝5.48 V9－V2＝7.10－1.60＝5.50 V10－V3＝7.87－2.39＝5.48 V11－V4＝868－3.18＝5.50 V12－V5＝9.45－3.97＝5.48 V13－V6＝10.25－4.74＝5.51 V14－V7＝11.04－5.54＝5.50
所以：
旧仪器：L1=3.00mm，L2=287mm
287
)mm
3.191K1693(mA/T) 1
0.0018850.001885TmmmA
(3.00
新仪器：L1=4.00mm，L2=269mm
269
4.1792217(mA/T)K
0.0018850.001885
4.00
大学物理实验报告霍尔效应
一、实验名称：霍尔效应原理及其应用二、实验目的：1、了解霍尔效应产生原理；2、测量霍尔元件的、曲线，了解霍尔电压与霍尔元件工作电流、直螺线管的励磁电流间的关系；3、学习用霍尔元件测量磁感应强度的原理和方法，测量长直螺旋管轴向磁感应强度及分布；4、学习用对称交换测量法(异号法)消除负效应产生的系统误差。
KEI2EV2(0.0082)2(0.0021)20.00850.9%
UK17.wenku.baidu.com80.9%0.160.2mv/(mAT)
处理结果：
KH=（17.40.2）mv/(mAT)（P=0.683）
E=0.9%附：
L1
为了计算方便，可以一个常数K
L2
r
0
于是KH
VH
K
IMICH
又：0=41071500=0.001885TmA1=0.001885TmmmA1
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得KH
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；N——励磁线圈的匝数（N=1500）；0——真空磁导率（0=4107TmA1）
IM——线圈中的励磁电流；
L1——气隙距离；L2——铁芯磁路平均长度；r——铁芯相对磁导率(r=1500)
例1、用逐差法处理数据：数据记录及处理
IM=200mA, L1=3.00mm; L2=287mm;
(x
i1
)2
0.004738
7(71)
m0.05
0.029 22
UVAUB(0.0047)2(0.0029)20.029
EVU
UX0.029
0.0053 5.49H
m0.050.029 EI
UI0.0290.008 I3.50
计算霍尔灵敏度KH及其不确定度：
287
)
rKH 13.29mv/(mAT) 7
A、A′间形成了稳定的电势差(霍尔电压)。设为霍尔电场，是载流子在电流方向上的平均漂移速度；样品的宽度为，厚度为，载流子浓度为，则有：(1-1)
因为，，又根据，则(1-2)其中称为霍尔系数，是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。只要测出、以及知道和，可按下式计算：(1-3)(1-4)为霍尔元件灵敏度。
根据RH可进一步确定以下参数。(1)由的符号(霍尔电压的正负)判断样品的导电类型。判别的方法是按图1所示的和的方向(即测量中的+，+)，若测得的<0(即A′的电位低于A的电位)，则样品属N型，反之为P型。(2)由求载流子浓度，即。应该指出，这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的。严格一点，考虑载流子的速度统计分布，需引入的修正因子(可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》)。(3)结合电导率的测量，求载流子的迁移率。电导率与载流子浓度以及迁移率之间有如下关系：(1-5)2、霍尔效应中的副效应及其消除方法上述推导是从理想情况出发的，实际情况要复杂得多。产生上述霍尔效应的同时还伴随产生四种副效应，使的测量产生系统误差，如图2所示。
1.00 0.28-0.27 0.31-0.30 0.29 2.00 0.59-0.58 0.63-0.64 0.613.00 0.89-0.87 0.95-0.96 0.904.00 1.20-1.16 1.27-1.29 1.235.00 1.49-1.46
1.59-1.61 1.546.00 1.80-1.77 1.90-1.93 1.857.00 2.11-2.07 2.22-2.25
7
0.97 1.74 2.53 3.33 4.12 4.88 5.68 6.44 7.23 7.99 8.80 9.56 10.3
6
-0.6-1.4-2.2-3.0-3.8-4.6-5.4-6.1-6.9-7.7-8.5-9.3-10.17 5 3 4 2 0 0 7 8 5 6 3 5 0.82 1.60 2.39 3.18 3.97 4.74 5.54 6.30 7.10 7.87 8.68 9.45 10.2
三、仪器用具：YX-04型霍尔效应实验仪(仪器资产编号)四、实验原理：1、霍尔效应现象及物理解释霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。对于图1所示。半导体样品，若在x方向通以电流，在z方向加磁场，则在y方向即样品A、A′电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的电场，电场的指向取决于样品的导电类型。显然，当载流子所受的横向电场力时电荷不断聚积，电场不断加强，直到样品两侧电荷的积累就达到平衡，即样品