内存篇-三个影响内存性能的重要参数
DDR 内存参数
一、CAS、RCD、RP是内存芯片的重要参数，它们表示内存工作的延迟时间，当延迟时间越短，其内存的工作效率就越高，其性能也就越好。
CAS：CAS Latency，列地址脉冲选通潜伏期（又可简称为CL）RCD：RAS-to-CAS Delay，行寻址至列寻址延迟时间RP：RAS Precharge Time，“行预充电时间”二、DDR400是JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council：联合电子设备工程协会）承认最高的DDR内存标准，而针对它以其工作时序参数划分了三个等级：DDR400A级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：2.5-3-3DDR400B级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：3-3-3DDR400C级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：3-4-4三、SPD（Serial Presence Detect）其实是一片EEPROM电可擦写可编程只读存储器，它一般处在内存条正面的右侧，里面记录了诸如内存的速度、容量、电压、行/列地址带宽等十分重要的参数信息。
当计算机开机工作时的BIOS就会自动读取内存SPD中的记录信息，以获让内存运行在规定的工作频率上内存负责向CPU提供运算所需的原始数据，而目前CPU运行速度超过内存数据传输速度很多，因此很多情况下CPU都需要等待内存提供数据，这就是常说的“CPU等待时间”。
内存传输速度越慢，CPU等待时间就会越长，系统整体性能受到的影响就越大。
因此，快速的内存是有效提升CPU效率和整机性能的关键之一。
在实际工作时，无论什么类型的内存，在数据被传输之前，传送方必须花费一定时间去等待传输请求的响应，通俗点说就是传输前传输双方必须要进行必要的通信，而这种就会造成传输的一定延迟时间。
CL设置一定程度上反映出了该内存在CPU接到读取内存数据的指令后，到正式开始读取数据所需的等待时间。
不难看出同频率的内存，CL设置低的更具有速度优势。
内存参数
由于现在新版的BIOS对内存参数进行了释放，弄得大家措手不及，有的参数不会设置，导致机器无法启动，现在我把从网上搜集的全部内存设置列给大家，请大家对比设置，把自己的内存性能发挥到极致！！！1、CASLatency Control（tCL）Settings = Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5这是最重要的内存参数之一，通常玩家说明内存参数时把它放到第一位，例如3-4-4-8@275mhz，表示cl为3。
通常2可以达到更好的性能，但3能提供更佳的稳定性。
值得注意的是，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。
CAS表示列地址寻址（Column Address Strobe or Column Address Select），CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。
因为CAS 主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。
一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。
首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。
期间从CAS 开始到CAS结束就是CAS延迟。
所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。
同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。
这个参数越小，则内存的速度越快。
必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2。
5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。
而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
电脑内存性能指标有哪些
三一文库（）〔电脑内存性能指标有哪些〕*篇一：计算机组装内存的性能指标计算机组装内存的性能指标内存对计算机的整体性能影响很大，几乎所有任务的执行效率都会受到内存性能的影响。
因此要想更加深入地了解内存，就必须掌握内存的各项性能指标。
1．容量容量是评判内存性能的基本指标之一，其容量越大，内存可一次性加载的数据量也就越多，从而有效减少CPU从外部存储器调取数据的次数，提高CPU的工作效率和计算机的整体性能。
目前，内存的常用容量单位已经成为GB，常见内存的容量也都达到了1GB或2GB。
2．主频内存主频采用MHz为单位进行计量，表示该内存所能达到的最高工作频率。
内存的主频越高，表示内存所能达到的速度越快，性能自然也就越好。
目前，主流内存的频率为800MHz、1066MHz、1333MHz。
至于之前667MHz的内存，则基本上已经被市场所淘汰。
3．延迟时间内存延迟表示内存进入数据存取操作就绪状态前所要等待的时间，通常用4个相连的阿拉伯数字来表示，如3-4-4-8、4-4-4-12等，分别代表CL-TRP-TRCD-TRAS。
一般而言，这4个数字越小，表示内存的性能越好。
?CL在内存的4项延迟参数中，该项最为重要，表示内存在收到数据读取指令到输出第一个数据之间的延迟。
CL的单位是时钟周期，即纵向地址脉冲的反应时间。
?TRP该项用于标识内存行地址控制器预充电的时间，即内存从结束一个行访问到重新开始的间隔时间。
?TRCD该项所表示的是从内存行地址到列地址的延迟时间。
?TRAS延迟该数字表示内存行地址控制器的激活时间。
*篇二：内存性能参数详解内存性能参数详解速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。
这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。
作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。
技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。
内存参数讲解
1.内存的单面与双面，单Bank与双Bank的区别？
单面内存与双面内存的区别在于单面内存的内存芯片都在同一面上，而双面内存的内存芯片分布在两面。而单Bank与双Bank的区别就不同了。Bank从物理上理解为北桥芯片到内存的通道，通常每个通道为64bit。一块主板的性能优劣主要取决于它的芯片组。不同的芯片组所支持的Bank是不同的。如Intel 82845系列芯片组支持4个Bank，而SiS的645系列芯片组则能支持6个Bank。如果主板只支持4个Bank，而我们却用6个Bank的话，那多余的2个Bank就白白地浪费了。双面不一定是双Bank，也有可能是单Bank，这一点要注意。
先说说最有效提高你机器内存性能的几个参数：CL，TRP，TRCD
CAS Latency “列地址选通脉冲潜伏期” BIOS中可能的其他描述为：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay，这个值一般是1.5~3之间，一般体质较好的能达到2（1.5好像没见过，嘿嘿），偶用的kingmax ddr333就能上到这个值，值越低表示内存传输数据所需时钟周期越短，当然性能也就越高啦。
一般想提高系统内存性让自己的爱机跑的更快一些吧：）其他参数可以点击下面的链接
Automatic Configuration“自动设置”
（可能的选项：On/ Off或Enable/Disable）
在各大品牌主板中可能出现的其他描述为：DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，如果你要手动调整你的内存时序，你应该关闭它，之后会自动出现详细的时序参数列表。
电脑物理内存
电脑物理内存电脑物理内存指的是计算机中用于存放程序和数据的物理存储设备，也称为RAM（Random Access Memory，随机存取存储器），是计算机中最重要的组成部分之一。
电脑物理内存的作用是在运行程序时，向CPU提供一个能够快速读写数据的存储空间，以提高计算机的运行速度和效率。
电脑物理内存的基本原理是采用电容存储技术，将数据存储在内存芯片中的电容中。
电容存储器具有快速读取和写入速度以及较高的稳定性等优点，因此被广泛应用于计算机内存中。
电脑物理内存一般具有容量、类型、速度三个方面的特点。
容量：电脑物理内存的容量是指其可以存储的数据量。
通常用单位“字节”（Byte）或者“千字节”（KB）、“兆字节”（MB）等来表示。
目前常见的电脑内存容量有2GB、4GB、8GB、16GB、32GB等多种规格。
类型：电脑物理内存有很多种类型，如SDRAM、DDR、DDR2、DDR3、DDR4等。
每一种类型的内存都具有不同的技术指标和性能表现，但是并不代表最新型号的性能一定会比较旧型号的好。
速度：电脑物理内存的速度指的是其读取和写入数据的速度，以“MHz”为单位来衡量。
一般来说，速度越快，计算机的运行速度就会越快。
除了以上三个方面的特点，电脑物理内存还有一些其他的特点，比如内存控制器、频率、时序等等。
内存控制器：每个主板都具有一个内存控制器，它是负责管理和调整内存工作的硬件设备。
频率：内存频率是内存运行速度的重要参数，同时也影响着计算机的性能。
随着新型号内存的不断推出，内存频率也呈现出不断提升的趋势。
时序：内存时序是指内存读写控制信号的时序，是影响内存性能的重要因素之一。
时序参数类型比较多，如CL、RAS、CAS、tRC、tRP等等。
在使用计算机时，电脑物理内存的大小也会对计算机性能产生影响。
当电脑物理内存较小时，操作系统会将一部分内存作为虚拟内存使用，此时程序和数据会被存储在硬盘中。
由于硬盘读取速度较慢，因此会导致计算机运行缓慢。
内存性能的技术参考指标
内存性能的技术参考指标3.1 性能重要指标内存技术参考指标包括：内存的工作频率TCK（与外频对应）、存取时间宽度TAC、等待存取延迟CAS 等，同时内存是否带纠错（ECC）这种特性对服务器非常重要；内存条使用的PCB的层数同样是衡量内存条的重要指标，标准的PC-100、PC-133内存要求使用6层板，它比四层印制电路板具有更好的电气性能。
当然，除了上面提到的参量外，衡量内存条的优劣还需要对内存条的核心——内存芯片的品牌、品质进行区分，关于不同厂商的内存芯片这个问题将安排到后文讲解。
另外需要提醒大家的是，内存芯片的封装工艺也会对内存性能产生明显影响。
内存最实质的指标——存取速度，与上述的TCK、CAS、TAC都有关系：存取速度(ns)=1/TCK*CAS+TAC，举个例子：如果一片内存的工作频率是100M，CAS为2，TAC取典型值6ns，那么该片内存的存取速度为26ns 。
3.2 PC-100统一格式P/N号让很多朋友感到恼火的是，PC-100规范对内存芯片的标注没有规定，因此大家常常被诸如：GM72V66841CT-7J、HY57V658020A TC-10S、KSV884T4A0-08等搞得莫名其妙，其实这些都是不同厂商对自己的产品进行的产品编号，有经验的朋友能够通过这些编号识别出内存的标称性能。
这种编号对普通朋友的确不方便，不过对于满足PC-100规范的内存，还有一个必须满足INTEL要求的P/N号，朋友们购买内存时，不妨参考一下，具有相当的参考价值。
典型的P/N号为PC100－322－620，这种P/N号的定义如下：3.3 重要指标详细介绍1.内存工作频率TCK。
这是衡量内存条性能的较简单而直接的指标，它表示该内存条能在多大的外频下工作，很多朋友选购内存时只使用这个参量，由此可见这个参量的重要性，当然仅参考这一个参量也是不够的。
内存工作频率可以通过您的主板来设置，对于同步工作模式（流行的BX、ZX、I810、I820等Intel 芯片组只支持这种模式），设置外频就设置了内存工作频率；对于异步工作模式（VIA系列的主板芯片组通常支持），您需要使用主板上专门的软（硬）跳线来设置。
了解电脑内存的频率和时序参数
了解电脑内存的频率和时序参数在学习和了解电脑内存的时候，频率和时序参数是两个非常重要的概念。
了解这些参数可以帮助我们选择适合自己需求的内存产品，并且能够提升电脑的运行效率。
本文将介绍电脑内存频率和时序参数的基本知识，并解释它们对电脑性能的影响。
一、内存频率内存频率指的是内存模块每秒钟运行的数据传输速度，也被称为时钟速度。
一般而言，内存频率越高，数据传输速度越快，电脑的响应速度和运行效率也会更高。
内存频率的单位是赫兹（Hz），常见的内存频率有标准频率和超频频率两种。
标准频率是内存模块官方推荐的数据传输速度，超频频率是用户通过提高内存电压和频率进行的人为增加内存性能的操作。
需要注意的是，在超频的情况下，内存的稳定性和寿命可能会受到一定程度的影响，因此超频时需谨慎操作。
二、时序参数时序参数是指内存在不同操作之间所需的时间间隔，它们代表了内存模块的工作效率和响应能力。
常见的时序参数包括CAS延迟、传输延迟和命令延迟等。
1. CAS延迟CAS（Column Address Strobe）延迟是指内存模块在接收到读写指令之后，需要多少个时钟周期才能够提供所需的数据。
CAS延迟越低，内存的读写速度越快，电脑的响应速度也会相应提高。
2. 传输延迟传输延迟是指内存模块在传输数据之前所需的时间延迟，也被称为TRCD（RAS to CAS Delay）。
传输延迟越低，内存模块的数据传输速度越快，对于电脑运行速度的提升也会更显著。
3. 命令延迟命令延迟是指内存模块接收到读写指令后，开始执行读写操作所需的时间延迟，也被称为TRP（Row Precharge Delay）。
命令延迟越低，内存模块的响应速度越快，电脑的运行效率也会有所提升。
三、频率和时序的关系内存频率和时序参数是相互影响的，它们之间的关系决定了内存的整体性能表现。
一般而言，较高的内存频率可以提高内存模块的最大数据传输速度，而较低的时序参数可以减少内存模块的读写延迟。
内存c17时序参数
内存c17时序参数
内存C17时序参数是指在计算机的内存模块中，用来描述内存读写操作的时序参数。
这些参数对于有效存储和提取数据至关重要，因此对内存的性能和稳定性有着重要的影响。
C17时序参数包括以下几个关键参数：
1. RCD（Row-to-Column Delay）：指的是在切换行和列之间的时间延迟。
它表示的是访问行中的数据后，切换到列中进行读写操作的时间间隔。
2. CL（CAS Latency）：也被称为CAS延迟，它是内存响应命令之后开始执行下一个命令之前的延迟时间。
较低的CL值能够提高内存的读写速度。
3. RP（Row Precharge Time）：在切换行之前，需要关闭和预充电行的时间。
它表示的是关闭当前行并确保下一次读写操作所需的时间。
4. tRAS（Row Active Time）：指的是行保持活动的时间，也就是行访问的时间长度。
它表示在行被关闭之前需要等待的时间。
这些参数的数值大小对内存的性能有着直接的影响。
一般来说，较小的数值意味着更高的性能和速度，但同时也会增加对内存控制器的要求。
为了确保内存的稳定性和性能，我们在选择内存时需要密切关注以上的C17时序参数，并根据自身需求和系统配置做出合适的选择。
不同的任务对内存的要求不同，因此选择适合的内存时序参数是十分重要的。
值得注意的是，尽管C17时序参数对内存性能至关重要，但还有其他因素需要考虑，如内存容量、频率和通道等。
因此，在选购内存时，我们应该综合考虑以上各个方面的因素，以满足我们的实际需求。
笔记本内存说明的几个参数
笔记本内存说明的几个参数
“笔记本内存说明的几个参数”这句话指的是在购买或使用笔记本电脑时，需要了解的关于内存（Memory）的一些关键参数或规格。
内存是计算机的重要组件，它负责存储和检索数据，以及运行程序。
一般来说，笔记本内存的几个重要参数包括：
1.内存类型：这是指内存条的类型，如DDR3、DDR4、DDR5等。
这些类型
代表了内存的规格和性能。
2.内存容量：这是指内存条可以存储的数据量，以GB为单位。
一般来说，
8GB、16GB、32GB等是常见的内存容量。
3.内存速度：这通常用频率来表示，如1600MHz、2400MHz、3200MHz
等。
它描述了内存条在单位时间内可以处理多少数据。
4.内存通道：这是指内存条如何与处理器通信。
例如，单通道、双通道和四
通道，它们对内存的性能有不同程度的影响。
5.ECC（Error Checking and Correcting）：这是一种错误检查和纠正技术，
可以帮助检测和纠正内存中的错误，保证数据的完整性和准确性。
6.内存模块类型：这描述了内存条的物理特性，如它是单条还是套装，或者
是SO-DIMM（Small Outline DIMM）或U-DIMM（Ultra-DIMM）等。
7.其他特性：这包括其他与内存相关的特性，如时钟周期、延迟等。
最后总结来说，“笔记本内存说明的几个参数”是指使用笔记本电脑时需要了解的关键内存参数，包括内存类型、容量、速度、通道、ECC以及其他特性等。
这些参数可以帮助用户了解并比较不同产品之间的内存性能和规格，以便做出更明智的选择。
内存基本参数介绍
内存基本参数介绍当前的内存还是使用类电容原理来存储数据，需要有充放电的过程，这个过程所带来的延迟是不可避免的。
在BIOS中，所相关于内存调节的参数其实都是在调整这个充放电的时序。
受颗粒品质影响，每种内存的参数几乎都不完全一样。
面对这些参数，我们必须先理解其原理才能在以后的调节中做到信手拈来。
以下我们讲解一些重点参数的含义。
CLCL全称CAS Latency，是数据从存储设备中输出内存颗粒的接口之间所使用的时间。
一般来说是越短越好，但受于制造技术和内存控制器所限，当前的最正确值是2。
从图中，我们能够直观的看到CL值变化，对数据处理的影响。
虽说在单周期内的等待的时间并不长；但在实际使用时，内存每秒要400M次以上的周期循环，此时的性能影响就相当明显了。
RAS与CAS内存内部的存储单元是按照行（RAS）和列（CAS）排成矩阵模式，一个地址访问指令会被解码成行和列两个信号，先是行地址信号，然后是列地址信号，只有行和列地址都准备好之后才能够确定要访问的内存单元。
所以内存读写第一个延迟是RAS到CAS的延迟，从行地址访问允许到读、写数据还有一个准备时间，被称为RAS转换准备时间。
这也就是为什么RAS to CAS参数对性能影响要大于RAS Precharge的原因。
Tras内存预充电和有效指令之间的时间差。
对于DDR内存来说，一般是预充电命令至少要在行有效命令50000ns（BIOS中显示为5）之后发出，标准是在70000ns～80000ns，此数值不可过大或过小，否则就会影响到内存运行的稳定性。
总结一下就是：CAS Latency 决定了接收寻址命令到数据实行真正被读取所花费的时间。
RAS to CAS决定了行寻址至列寻址之间的延迟。
RAS Precharge则决定了相同行寻址中不同工作的转换间隔。
Tras控制了内存预充电和有效指令之间的时间差。
而真正关系到内存性能的也就是CAS Latency、RAS toCAS和RAS Precharge三个延迟参数。
内存技术使用中的注意事项(六)
内存技术使用中的注意事项导语：对于计算机技术的发展，内存技术的重要性不言而喻。
在计算机应用中，内存的选择与使用对系统的性能和稳定性起到至关重要的作用。
然而，许多人在使用内存技术时往往忽略了一些重要的注意事项，下面将针对内存技术使用中的一些注意事项展开论述。
一、内存选择与兼容性对于内存选择，用户应首先了解自己计算机的需求，以及主板的规格要求。
内存的型号、频率和容量都需要符合主板的要求，否则可能会导致内存无法正常工作，甚至无法启动系统。
此外，不同内存品牌之间的兼容性也是需要注意的。
有些特殊的型号可能无法与其他品牌进行混搭使用，因此在购买内存时应尽量选择相同品牌和型号，以确保稳定性。
二、内存容量的合理利用现如今，计算机的内存容量越来越大，但并不意味着更大的内存容量就一定更好。
在使用内存时，我们需要根据实际需求合理配置内存容量。
如果内存容量过大，而实际需求不足以支撑这个容量，会导致资源浪费。
反之，如果内存容量过小，会导致系统运行缓慢甚至崩溃。
因此，选择适合自己需求的内存容量非常重要。
三、内存的插槽配置内存插槽的配置对内存技术的使用也有很大的影响。
大多数主板都支持对称插槽的使用，即插入内存条时，应保持两个插槽内存条的型号和容量一致。
这样可以提高内存的稳定性和性能。
如果插入不同容量或型号的内存条，可能会导致系统无法正常工作或运行缓慢。
四、内存的频率和时序内存技术中，频率和时序是内存性能的两个重要指标，也是用户需要关注的重点。
频率越高，内存传输速率越快，但也需要主板的支持。
用户在购买内存时应留意主板是否支持所选内存的频率。
时序指的是内存在一次读写操作中所需要的时间，也是识别内存质量的重要指标。
较低的时序数值通常表示内存质量较高。
五、内存的散热和维护内存的散热和维护同样需要注意。
在高强度的使用下，内存无疑会产生大量的热量，如果散热不畅，可能会导致内存温度过高，进而影响内存的性能和寿命。
用户在选择内存时应选择具有散热片或散热器的产品，并注意内存的散热模式是否适用于自己的机箱。
内存时序以及内存时序优化
谈内存时序以及内存时序优化原创作者：不抬杠最近看到一些网友对内存频率的重要性争论不休，认为内存频率不重要的，只能说对电脑运行的工作原理不了解，对超频知识不了解。
内存的实质是随时写入/读取存储器，是一种高速存储器。
CPU不能直接读取硬盘内的数据进行计算，那么硬盘的数据就要通过内存来实现和CPU之间的交换，所有的程序运行时候都要调入到内存里才能进一步交换给CPU计算。
如果内存速度（频率）低，会直接影响到内存与CPU进行数据交换的速度，因此影响到整体的计算速度。
内存频率虽然重要，内存时序优化也很重要。
如果内存时序调校得不好，就算CPU体质再好，频率一样上不去。
在主板BIOS设置中，有以下几个重要的内存时序参数：1. DRAM Command Rate（CMD Rate）这个参数表示“首命令延迟”。
该参数的单位是时钟周期，越小越好。
不过，当内存较多且系统工作不太稳定时，要将此参数调大。
在K8主板上，CMD Rate 的选项有Auto、1T或2T。
品质好一点的内存模组可以使用1T来提高性能，大部分主板为了保证更好的兼容性，默认采用了2T的保守值。
2. CAS# Latency（tCL）CAS表示“列地址选通脉冲”，在内存寻址后，系统必须等待列地址信号CAS 才能开始进行数据传输，CL就是列地址脉冲的反应时间，它是衡量内存品质的重要参数之一。
通常DDR2内存的tCL=4/5/6，在稳定的前提下，数值越低越好。
3. RAS to CAS Delay（tRCD）该参数表示“行寻址至列寻址延迟时间”，这个参数主要影响带宽和稳定性，数值越小越好。
在超频时大部分内存在设定为5以上时会改善不少稳定性。
4. Row Precharge Timing（tRP）该参数表示“行位址预充电时间”，即内存从结束一个行存取操作到重新开始下次操作的间隔时间。
和tRCD类似，tRP也主要影响带宽和稳定性，数值也是越小越好。
5. Minimum RAS Active Timing（tRAS）该参数表示“从行激活到预充电开始程序之间的最小时钟周期”，即从收到一个请求后到初始化RAS并真正接收数据的间隔时间。
内存的技术指标
1内存容量内存容量是指存放计算机运行所需的程序和数据的多少。
内存容量直接关系到计算机的整体性能，是除CPU之外能表明计算机档次等级的一个重要指标。
目前，主流计算机的内存容量一般为128MB、256MB和512MB。
2数据带宽数据带宽是指内存一次输出/输入的数据量，是衡量内存性能的重要指标。
通常情况下，PC100的SDRAM在额定频率（100MHz）下工作时，其峰值传输率可以达到800MBps；工作在133MHz的情况下，其峰值的传输率已经达到了1.06GBps，这一速度比PC100提高了200MBps。
在实际应用中，其性能提高的效果是很明显的。
对于DDR而言，由于在同一个时钟的上升沿和下降沿都能传输数据，所以工作在133MHz时，它的实际传输率可以达到2.1GBps。
计算内存带宽的公式也很简单：内存带宽总量（Mbytes）＝最大时钟速频率（MHz）×总线宽度（bits）×每时钟数据段数量／8。
3ECC校验为了防止内存中的数据发生错误，需要对字节中的数据位进行奇偶校验。
奇偶校验对于保证数据的正确读写起到很关键的作用，尤其是在数据量非常大的计算中。
标准型的内存条有的有校验位，有的没有；非标准的内存条均有奇偶校验位。
ECC是Error Correction Coding或Error Checking and Correcting的缩写，代表具有自动纠错功能的内存，可以纠正一位二进制数的错误。
ECC内存也是在原来的数据位上外加位来实现的。
当数据的位数增加一倍，Parity也增加一倍，而ECC只需增加一位，当数据为64位时所用的ECC只需增加一位，当数据为64位时所用的ECC和Parity位数相同。
4tCKtCK（TCLK）指系统时钟周期，表示SDRAM所能运行的最大频率。
数字越小说明SDRAM芯片所能运行的频率越高。
对于一片普通的PC-100 SRDAM来说，其芯片上的标识-100表示它的运行时钟周期为10ns，即可以在100MHz的外频下正常工作。
内存参数详解
内存参数详解如今很多玩家都想⽅设法的发掘电脑的性能，内存带宽对整个系统起到⾄关重要的作⽤，它关系到系统总线速度。
⼤家在设置过程中可能会遇到⼀些感到迷惑的现象，有时⼀个较低的总线速度配以⾼参数的内存，其性能也许⽐⼀味追求⾼总线速度还要好。
选购内存时，玩家也都知道，同频率下时序参数越⾼的内存其系统带宽也会随之增长，也就是要尽量选⽤CAS/tRCD/tRPD/tRAS参数值低的内存。
举个例⼦，如果系统总线速度为400MHz，你需要搭配使⽤PC3200规格的DDR内存，理想的CAS值是2。
如果要把系统总线超频到500MHz，同步的情况下则需要PC4000的内存。
当⼤家选购⾼频率的内存时，应该会发现其CAS延迟通常都⽐较⾼，2.5或者3是⽐较常见的。
然⽽CAS是最敏感的内存参数，CAS值从3降低到2，虽然只有1/3，但另⼀⽅⾯，如果这种情况发⽣在⼀个总线速度为500MHz的系统上，你的系统性能会提升25％之多！内存控制器： 内存控制器是电脑上最重要的组成部件之⼀。
它的功能是监督控制数据从内存载⼊/载出。
如果需要，还可以对数据的完整性进⾏检测。
芯⽚组决定了⽀持的处理器类型，通常包含⼏组控制器，分别控制着处理器和其他组件的数据交换。
内存控制器是芯⽚组很常见的⼀部分，它建⽴了从内存到微处理器的数据流。
如果是⽀持双通道模式的芯⽚组，就会包含两组内存控制器。
与众不同的是，近期问世的AMD Athlon64处理器内部集成了内存控制器。
内存参数规格： 内存的时序参数⼀般简写为2/2/2/6-11/1T的格式，分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。
2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数，也就是tRAS和CMD(Command缩写)，是其中较复杂的时序参数。
⽬前市场上对这两个参数的认识有⼀些错误，因为部分内存⼚商直接⽤它们来代表内存性能。
CMD Rate祥解： Command Rate译为"⾸命令延迟",这个参数的含义是⽚选后多少时间可以发出具体的寻址的⾏激活命令，单位是时钟周期。
如何选择适合自己的电脑内存
如何选择适合自己的电脑内存电脑内存是计算机核心组件之一，对于计算机的性能和稳定性有着巨大的影响。
选择适合自己的电脑内存是每个电脑用户都要面对的重要决策之一。
本文将从电脑内存的类型、容量和频率三个方面，为大家介绍如何选择适合自己的电脑内存。
一、内存的类型现如今，市场上主流的内存类型有DDR3和DDR4两种。
DDR3是较早的内存类型，已经逐渐被DDR4所取代。
DDR4内存相比DDR3内存有更高的频率，更低的能耗和更大的容量支持。
因此，在选择电脑内存时，优先选择DDR4内存是比较明智的选择。
二、内存的容量内存容量是衡量一款电脑对多任务处理和运行大型软件的能力的重要指标。
内存容量的选择要根据自己的需求和使用习惯来确定。
一般来说，对于普通办公和网页浏览用户，8GB内存已经足够满足需求；而对于游戏玩家或进行大型视频编辑、设计等专业工作的用户来说，16GB或以上的内存容量会更加适合。
三、内存的频率内存频率是指内存模块每秒内进行数据传输的速度，也是衡量内存性能的一个重要指标。
内存频率越高，数据传输速度越快，对于计算机的整体性能提升效果也越明显。
在选择内存频率时，要结合自己使用的主板平台和处理器来确定最适合的频率。
一般来说，选择与主板和处理器兼容的内存频率即可。
四、价格与品牌除了以上三个方面外，价格和品牌也是选择适合自己的电脑内存时需要考虑的因素。
价格会直接影响到我们购买的可选内存范围，而品牌则和内存的质量、售后服务等相关。
在购买内存时，可以参考一些知名品牌，并通过比较价格和用户评价来做出选择。
总结：在选择适合自己的电脑内存时，需要综合考虑内存类型、容量、频率以及价格和品牌等因素。
根据自己的需求和预算来做出合适的选择。
同时，也可以咨询专业的电脑硬件人员或阅读相关的电脑内存购买指南，以便更好地选择合适的内存产品。
通过合理选择适合自己的电脑内存，可以提升电脑的性能，提高工作效率和游戏体验。
电脑内存的频率与电压的关系
电脑内存的频率与电压的关系随着科技的进步和电子产品的普及，电脑已经成为人们生活中不可缺少的工具之一。
而在电脑的硬件配置中，内存是至关重要的一部分。
内存的频率和电压是内存性能中重要的两个参数，它们之间存在着紧密的联系和相互影响。
本文将就电脑内存的频率与电压的关系进行详细探讨，并分析它们对内存性能的影响。
一、内存的频率是什么？内存的频率通常指的是内存模块工作时的工作频率，用以衡量内存的速度和性能。
它在内存模块的产品说明书或者规格书中会以MHz（兆赫兹）的形式表示，比如DDR4-3200，表示内存的频率为3200MHz。
二、内存的电压是什么？内存的电压是内存模块在工作过程中所需要的电压值。
内存的电压通常以V（伏特）为单位，比如1.2V。
不同的内存模块有不同的电压要求，比如DDR3内存通常使用1.5V的电压，而DDR4内存则通常使用1.2V的电压。
三、内存的频率与性能的关系内存的频率是衡量内存速度和性能的重要指标之一。
一般情况下，频率越高，内存的速度越快，性能也越好。
高频率的内存可以更快地读取和写入数据，提高系统的响应速度和运行效率。
在进行大型游戏、视频编辑等需要大量数据处理的任务时，高频率的内存能够更好地满足需求，提供更流畅的使用体验。
四、内存的电压与功耗的关系内存的电压与内存的功耗密切相关。
一般来说，电压越高，内存的功耗也越高。
较高的功耗会导致内存产生过多的热量，进而增加散热负荷，甚至可能影响系统的稳定性。
因此，低电压内存具有较低的功耗，有助于降低系统的温度，提高系统的稳定性。
另外，内存的电压还与内存的超频能力相关。
在一些性能优化需求较高的用户中，他们可能会对内存进行超频以获得更高的性能。
低电压内存一般具有更好的超频能力，能够稳定地提供较高的频率。
五、内存频率与电压的平衡选择在选择内存时，我们需要根据自己的需求和实际情况选择合适的内存频率和电压。
一般而言，如果需求更高的性能和速度，可以选择高频率的内存。
如何优化内存条
如何优化内存条如何优化电脑很多用户并没有在意这些细节，那怎么在内存上做到优化呢?为此店铺为大家整理推荐了，希望大家喜欢。
优化内存条内存负责向CPU提供运算所需的原始数据，现在CPU运行速度超过内存数据传输速度很多，因此就造成了CPU很多时候都在等待内存提供数据的情况。
这就是我们通常所说的“CPU等待时间”，或所谓的“内存瓶颈”。
内存传输速度越慢，CPU等待时间就会越长，系统整体性能受到的影响就越大。
因此，快速的内存是有效提升CPU效率和整机性能的关键之一。
通常情况之下，购买新的、更快速的内存是解决内存瓶颈最直接的办法。
不过，利用我们现有的内存，好好做一番优化设置，也能收到异曲同工之妙的效果，而且还不用花钱。
上期我们已经介绍过了，目前主流内存分为SDRAM、DDR SDRAM和RDRAM三种。
这三种内存有一个共同点，就是它们都以与系统CPU的外部频率相同的频率工作，这个频率也就是我们常说的一个术语——FSB(Front Side Bus，前端总线)频率。
现在的主板都具有比较高的“智能”，这三种内存在插到相对应的主板后，都能自动设置正确的运行频率。
因此，即使我们不进行任何设置或调整，绝大多数内存都能实现“即插即用”。
不过，几乎所有主板的内存相关参数出厂初始设置都比较保守，并不能将内存的性能充分发挥。
下面，我们针对三种内存来分别介绍其各自的优化方法。
(注：我们以下所谈到的内存优化都限于在主板BIOS提供的功能上。
开机时按住“Del”键就可以进入BIOS的设定界面，具体设置菜单项一般是“Chipset Features Setup”或“Advanced Chi pset Features”。
修改参数通常是用“PageUp/PageDown”键或更为直观的回车选择菜单两种方式，修改完成后，一定记住按“F10”键保存。
所有修改在系统重新启动之后生效。
)RDRAM内存优化RDRAM的设置和优化是最简单的。
RDRAM分两种规格——PC600和PC800，还有一种是不太正式的PC700，性能以PC600最低而PC800最高。
内存的主要参数(可打印修改)
内存1、目前市场上的主流品牌有：金士顿、金邦、宇瞻、微刚、胜创、现代、三星等。
2、内存的分类：现在市场上内存可以分为两种SDRAM又称为同步动态存储器，可以与CPU外频同步运作，有PC100、PC133、PC15、等规格，目前的SDRAM都是以168PinDIMM的内存模块出现。
DDR SDRAM: DDR是指Double Data Rate ,它的传输率是SDRAM的两倍，DDR 标准包括DDR I、DDRII和DDRIII。
DDRI的主要型号有DDR266，工作频率为133MHz；现在DDRII正在逐渐占领主流市场。
3、内存的容量✧每个时期内存条的容量都分为多种规格，目前流行的168线,SDRAM内存常见的内存容量有32MB、64MB、168MB、256MB、512MB、1GB等。
4、数据带宽：数据带宽指内存的数据传输速度，是衡量内存性能的重要指标。
5、时钟周期时钟周期代表了SDRAM所能运行的最大频率。
这个数字越小，说明SDRAM芯片所能运行的频率就高。
6存取周期内存的速度用存取周期来表示。
7、选购内存的注意事项：（1（选择内存的大小（2（PCB基板的选择（3（良好的电气性能（4（速度要匹配（5（控制CONS开关1 金士顿Kingston (1987年美国,全球内存领导厂商,内存十大品牌,评为美国最适宜工作的公司)2 威刚ADATA (2001年台湾,全球第二大内存市场占有率,威刚科技有限公司)3 海盗船Corsair (受尊敬的超频内存制造商,于1994年美国,全球最大的内存供应商之一)4 三星Samsung (世界500强企业,中国驰名商标,内存十大品牌,1938年韩国,三星集团)5 宇瞻Apacer (1997年台湾,最具影响力的数码存储品牌,知名品牌,宇瞻科技有限公司)6 芝奇G.skill (于1989年台湾,全球领先的内存模块专业制造商,台湾G.Skill公司)7 金邦GEIL (于1993年香港,总部台北,专业的内存模块制造商之一,金邦科技)8 现代Hynix (韩国著名专业的存储器制造商,世界领先内存生产商,海力士集团)9 OCZ 于2000年美国,世界顶尖的内存品牌,专业开发制造高品质(超频)记忆体高新集团)10 金泰克 (内存十大品牌,专业的内存模块制造商之一,知名品牌,钜鑫科技(香港)有限公司)。
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内存篇-三个影响内存性能的重要参数
组装电脑选购内存时，还有一些影响其性能的重要参数需要注意，比如容量、电压和CL 值等。
◎容量：容量是选购内存时优先考虑的性能指标，因为它代表了内存可以存储数据的多少，通常以GB 为单位。
单根内存容量越大则越好。
目前市面上主流的内存容量分为单条（容量为2GB、4GB、8GB、16GB）和套装（容量为2×2GB、2×4GB、2×8GB、8×4GB、4×4GB、16×2GB）两种。
◎工作电压：内存的工作电压是指内存正常工作所需要的电压值，不同类型的内存电压不同，DDR2 内存的工作电压一般在1.8V 左右；DDR3 内存的工作电压一般在1.5V 左右；DDR4 内存的工作电压一般在1.2V 左右。
电压越低，对电能的消耗越少，也就更符合目前节能减排的要求。
◎CL 值：CL（CAS Latency，列地址控制器延迟）是指从读命令有效（在时钟上升沿发出）开始，到输出端可提供数据为止的这一段时间。
对于普通用户来说，没必要太过在意CL 值，只需要了解在同等工作频率下，CL 值低的内存更具有速度优势。
小知识：
什么是内存超频？内存超频就是让内存外频运行在比它被设定的更高的速度下。
一般情况下，CPU外频与内存外频是一致的，所以在提升CPU外频进行超频时，也必须相应提升内存外频，使之与CPU同频工作。
内存超频技术目前在很多DDR4内存中应用，比如金士顿内存的PnP和XMP就是目前使用较多的内存自动超频技术。
CL值的含义
内存CL值通常采用4个数字表示，中间用“-”隔开，以“5-4-4-12”为例，第一个数代表CAS(Column Address Strobe)延迟时间，也就是内存存取数据所需的延迟时间，即通常说的CL值；第二个数代表RAS(Row Address Strobe)-to-CAS延迟，表示内存行地址传输到列地址的延迟时间；第三个数表示RAS Prechiarge延迟（内存行地址脉冲预充电时间）；最后一个数则是Act-to-Prechiarge延迟（内存行地址选择延迟）。
其中最重要的指标是第一个参数CAS，它代表内存接收到一条指令后要等待多少个时间周期才能执行任务。
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