模电课后习题参考答案
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《自测题、思考题与习题》参考答案
第1章
自测题
一、1.杂质浓度;温度。2.减小;增大。3.单向导电;最大整流电流I F;最大反向工作电压U RM。4.0.5;;;。5. 15V;;;;6V;。6.大;整流。
二、1.①;⑤;②;④。2. ②;①。3.①。4.③。5.③。6.③。
三、1、2、5、6对; 3、4错。
思考题与习题
1.3.1 由直流通路(图略)得I D=/×103≈;则有r d≈26(mV)/I D(mA)=Ω。再由微变等效电路(图略)可得输出电压交流分量u o≈[+25)]u i≈ωt(mV)。
1.3.2(a)U D=-3V,VD截止,U AB=-12V。(b) U D1=10V,U D2=25V,VD2优先导通,VD1截止,U AB=-15V。
1.3.3 当u i≥时VD1导通,VD2截止,u o=;当u i≤时VD2导通,VD1截止,u o=;当≤u i≤时VD1、VD2均截止,u o=u i。故u o为上削顶下削底,且幅值为±的波形(图略)。
1.3.4 在等效电路中,两二极管可由图(c)来表示。当< u i<时,VD1、VD2均截止,u o=u i。当u i≥时VD1导通,VD2截止,u o=[(u i-U th)/(R+r D)]r D+U th,其最大值为U om≈。同理,当u i≤时,U om≈。图略。
1.3.5 由分压公式分别求得U A=5V,U B=8V,U BC=5V。因U CA=U C-U A=U CB+U B-U A= -2V。截止。1.4.1 当u i>8V时,稳压管起稳压作用,u o=8V;U Z,稳压管起稳压作用,U O=U Z=12V,I L=U O/R L=6mA,I R=(U I-U O)/R=12mA,I Z=I R-I O=6mA。(2)当负载开路时,I Z=I R=12mA。(3) I L=6mA,I R=(U I-U O)/R=14mA,I Z=I R-I L=8mA。
第2章
自测题
一、1. 15;100;30。2.(从左到右)饱和;锗管放大;截止;锗管放大;饱和;锗管放大;硅管放大;截止。3. (1)6V;(2) 1mA,3V;(3)3kΩ,3kΩ;(4) 50,-50;(5) 1V;(6)20μA;
(7)30mV。4.(1) 1mA,6V;(2)Ω,Ω;(3) 。5.削底,削底,削底。6.共集;共集;共集和共基;共集;共射。
二、1.②。2.④。3. ③。4.②;①;④。5.②④。6.④。
三、1、5对;2、3、4、6错。
思考题与习题
2.1.1 (a)NPN硅管,1-e、2-b、3-c。(b)PNP硅管,1-c、2-b、3-e。(c)PNP锗管,1-c、2-e、3-b。
2.1.2 (a)放大状态。(b)截止状态。(c)因J C 零偏,管子处于临界饱和状态。
2.2.1图(a)电路不能放大,因为静态I B =0。图(b)电路不能放大,因为V CC 极性接反。图(c)、电路具有放大功能。
2.3.1 (1) 当S →A 时,因R b <βR c ,管子处于饱和区,I C =I CS ≈V CC /R c =3(mA)。(2) 当S →B 时,因R b >βR c ,管子处于放大区,I B =(V CC -U BE )/R bB = (mA),I C =βI B = (mA)。(3) 当S →C 时,截止,I C =0。
2.3.2 (1)由题图(b)得V CC =10V ,U CE =4V ,I B =40μA ,I C =2mA ,所以R b =(V CC -U CE )/I B =Ω,
R C =(V CC -U CE )/I C =3k Ω。又由图可知I C R'L =(6-4)=2V ,故R'L =1k Ω。据R'L =R c 2.3.32.3.42.3.52.3.62.4.12.4.22.4.32.4.42.4.52.4.62.4.72.4.8型和绝缘栅
型;电压控制;输入电阻高;不参与导电。2. 漏;源;源;漏;源。3. 4mA ;-3 V 。4. 16mA ;+4V ;8ms 。5.减小;减小;减小。6. g m 和R S 。 二、1. ②。2. ③。3. ④。4. ④。5.③。6. ②。 三、3、4、5对;1、2、6错。
思考题与习题
3.1.1图(a)为N-DMOS ,U P = -2V ,I DSS = 2mA ;图(b)为P-JFET ,U P = 2V ,I DSS = 3mA ;图(c)为P-DMOS ,U P = 2V ,I DSS = 2mA ;图(d)为N-EMOS ,U T = 1V 。
3.1.2图(a)为N-EMOS ,U T =3V ;图(b)为P-EMOS ,U T = -2V ;图(c)为P-DMOS ,U P = 2V ,I DSS = -2mA ;图(d)为N-DMOS ,U P = -3V ,I DSS = 3mA 。 3.1.3
习题3..1.3图解
3.1.4 (1)为N-DMOS ;(2) U P = -3V ;(3)I DSS ≈ 6mA 。 3.2.1(1)A u = -g m R D = -66。(2)
A u = -g m R ′L = -50。
(3)R i =R g +R g1≈3.2.23.2.33.2.43.2.53.2.6usl
1001(100/)A
j f -=
-&ush
51001(/10)
A j f -=+&。5.不变;下降;
不变;减小;不变;增大。 6.窄;低。
二、1.(1) ③;(2) ③;(3) ③;(4) ②。2. (1) ③;(2) ④。3.(1) ③;(2) ①。4. ④。5.①。6.②。
三、2、5对;1、3、4、6错。
思考题与习题
4.1.1(1) I B1=20μA ,I C1=2mA ,U CE1≈10V 。U B2=,I C2≈I E2 =,U CE2≈。(2)r be1=Ω;r be2=Ω。R i2≈(Ω),
R i =R b04.1.24.1.34.1.44.1.51.1M m d be c L u u1u2
m f be
////1+g R r R R A A A g R r β-⋅-=⋅=⋅&&& 4.1.64.2.14.2.24.2.34.2.114.2.44.2.54.2.6解。3.效率;%;交越;甲乙。4. 2.5 W ; W 。5. W ;%。6. 4。
二、1. ③。2. ⑥。3. ②③。4. ④。5. ①。。