模拟电子技术基础第一章答案
模拟电子技术习题答案(1)
模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。
〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。
设二极管的导通压降为ud=0.7v。
adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。
解：id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。
6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。
1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中，已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术基础-模电课后题答案
(d)
6
解图 Pl.13 1.14 已知场效应管的输出特性曲线如图 Pl.14 所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。
图 Pl.14
(a) 解图 Pl.14
(b)
解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图 Pl.14 (a)所示),读出其与各条曲线交点的纵坐标值及
uGS 值，建立 iD f (uGS ) 坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图 Pl.14 (b)所示。
六、测得某放大电路中三个 MOS 管的三个电极的电位如表 Tl.6 所示，它们的开启电压也在表中。试分析 各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区） ，并填入表内。 表 T1.6 管号 T1 T2 T3 UGS(th)/V 4 -4 -4 US/V -5 3 6 UG/V 1 3 0 UD/V 3 10 5 工作状态 恒流区 截止区 可变电阻区
I CS
VCC U CES 11.3mA ， 所以 T 处于饱和状态。 Rc
5
1.11 电路如图 Pl.11 所示,晶体管的 β=50 , U BE 0.2V ，饱和管压降 U CES 0.1V ；稳压管的稳定电 压 U Z 5V , 正向导通电压 U D 0.5V 。试问：当 uI 0V 时 uO ？；当 uI 5V 时 uO ？ 解：当 uI 0V 时，晶体管截止，稳压管击穿，
7
(a)
(b) 图 P1.16
(c)
(d)
解：(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。 补充 1.电路如补图 P1(a)、(b)所示，稳压管的稳定电压 U Z 3V , R 的取值合适， u I 的波形如图(c)所 示。试分别画出 uO1 和 uO 2 的波形。
智慧树知到《模拟电子技术基础(九江职业技术学院)》章节测试答案
鏅烘収鏍戠煡鍒般€婃ā鎷熺數瀛愭妧鏈熀纭€锛堜節姹熻亴涓氭妧鏈闄級銆嬬珷鑺傛祴璇曠瓟妗?绗竴绔?1銆丳N缁撳舰鎴愬悗锛岀┖闂寸數鑽峰尯鐢? )鏋勬垚銆?A.浠风數瀛?B.鑷敱鐢靛瓙C.绌虹┐D.鏉傝川绂诲瓙绛旀: 鏉傝川绂诲瓙2銆佺浜屾瀬绠＄殑鍙嶅悜鐢垫祦寰堝皬锛屽叾澶у皬闅忓弽鍚戠數鍘嬬殑澧炲ぇ鑰? )銆?A.鍑忓皬B.鍩烘湰涓嶅彉C.澧炲ぇ绛旀: 鍩烘湰涓嶅彉3銆佹祦杩囦簩鏋佺鐨勬鍚戠數娴佸澶э紝鍏剁洿娴佺數闃诲皢( )銆?A.澧炲ぇB.鍩烘湰涓嶅彉C.鍑忓皬绛旀: 鍑忓皬4銆佸彉瀹逛簩鏋佺鍦ㄧ數璺腑涓昏鐢ㄤ綔( )銆?A.鏁存祦B.绋冲帇C.鍙戝厜D.鍙彉鐢靛鍣?绛旀: 鍙彉鐢靛鍣?5銆丳N缁撳姞姝ｅ悜鐢靛帇鏃讹紝绌洪棿鐢佃嵎鍖哄皢锛埪犅狅級A.鍙樼獎B.鍩烘湰涓嶅彉C.鍙樺绛旀: 鍙樼獎绗簩绔?1銆佹湁浜洪€夌敤鏈€澶у厑璁搁泦鐢垫瀬鐢垫祦ICM锛?0mA锛屾渶澶у厑璁哥數鍘婾CEO锛?0V锛岄泦鐢垫瀬鏈€澶у厑璁歌€楁暎鍔熺巼PCM锛?00mW鐨勪笁鏋佺缁勬垚鏀惧ぇ鐢佃矾锛屽叾闈欐€佸伐浣滅偣IC锛?5mA锛孶CE锛?0V锛屽垯璇ョ搴斿睘浜庝笅鍒楀洓绉嶇姸鎬佷腑鐨勶紙锛夈€?A.鍙互姝ｅ父鏀惧ぇB.鍙兘鍑荤┛C.鏀惧ぇ鎬ц兘杈冨樊D.杩囩儹鎴栫儳鍧?绛旀: 杩囩儹鎴栫儳鍧?2銆佹煇鏀惧ぇ鐢佃矾鍦ㄨ礋杞藉紑璺椂鐨勮緭鍑虹數鍘嬩负6V锛屽綋鎺ュ叆2k惟鐨勮礋杞藉悗锛屽叾杈撳嚭鐢靛帇涓?V锛岃繖琛ㄦ槑璇ユ斁澶х數璺殑杈撳嚭鐢甸樆鏄紙锛夈€?A.10k惟B.2k惟C.1k惟D.0.5k惟绛旀: 1k惟3銆佹斁澶х數璺鍥炬墍绀猴紝濡俇CC>>UBE锛屼笖ICEO鈮?锛屽垯鍦ㄩ潤鎬佹椂锛岃涓夋瀬绠″伐浣滅殑鐘舵€佹槸锛? 锛夈€?image.pngA.鏀惧ぇ鐘舵€?B.楗卞拰鐘舵€?C.鎴鐘舵€?D.涓嶅畾绛旀: 楗卞拰鐘舵€?4銆佹斁澶х數璺鍥炬墍绀猴紝涓夋瀬绠∥诧紳50锛岀數鍘嬪鐩婁负A1锛屽鏋滅敤尾锛?00鐨勭瀛愭浛鎹⑽诧紳50鐨勭瀛愶紝杩欐椂鐢靛帇澧炵泭涓篈2锛屽垯婊¤冻锛? 锛夈€?image.pngA.A2= A1B.A2=2 A1C.|A1|<|A2|<|2A1|D.|A2|<|A1|绛旀: |A1|<|A2|<|2A1|5銆佺數璺鍥炬墍绀猴紝鑻ヤ笉鎱庡皢鏃佽矾鐢靛Ce鏂紑锛屽垯灏嗭紙锛夈€?image.pngA.涓嶄粎褰卞搷闈欐€佸伐浣滅偣锛岃€屼笖涔熷奖鍝嶇數鍘嬪鐩娿€?B.鍙奖鍝嶉潤鎬佸伐浣滅偣锛屼絾涓嶅奖鍝嶇數鍘嬪鐩娿€?C.涓嶅奖鍝嶉潤鎬佸伐浣滅偣锛屽彧褰卞搷鐢靛帇澧炵泭銆?D.涓嶅奖鍝嶉潤鎬佸伐浣滅偣锛屼篃涓嶅奖鍝嶇數鍘嬪鐩娿€?绛旀: 涓嶅奖鍝嶉潤鎬佸伐浣滅偣锛屽彧褰卞搷鐢靛帇澧炵泭銆?绗笁绔?1銆佺幇娴嬪緱涓や釜鍏卞皠鏀惧ぇ鐢佃矾绌鸿浇鏃剁殑鐢靛帇鏀惧ぇ鍊嶆暟鍧囦负锛?00锛屽皢瀹冧滑杩炴垚涓ょ骇鏀惧ぇ鐢佃矾锛屽叾鐢靛帇鏀惧ぇ鍊嶆暟搴斾负10000銆?A.瀵?B.閿?绛旀:2銆侀樆瀹硅€﹀悎澶氱骇鏀惧ぇ鐢佃矾鍚勭骇鐨凲鐐圭浉浜掔嫭绔嬶紝瀹冨彧鑳芥斁澶т氦娴佷俊鍙枫€?A.瀵?B.閿?绛旀:3銆佸彧鏈夌洿鎺ヨ€﹀悎鏀惧ぇ鐢佃矾涓櫠浼戠鐨勫弬鏁版墠闅忔俯搴﹁€屽彉鍖栥€?A.瀵?B.閿?绛旀:4銆佷簰琛ヨ緭鍑虹骇搴旈噰鐢ㄥ叡闆嗘垨鍏辨紡鎺ユ硶銆?A.瀵?B.閿?绛旀:5銆佺洿鎺ヨ€﹀悎澶氱骇鏀惧ぇ鍣ㄥ彧鑳芥斁澶х洿娴佷俊鍙枫€?A.瀵?B.閿?绛旀:绗洓绔?1銆侀泦鎴愯繍绠楁斁澶у櫒鏄細锛埪犅狅級A.鐩存帴鑰﹀悎澶氱骇鏀惧ぇ鍣?B.闃诲鑰﹀悎澶氱骇鏀惧ぇ鍣?C.鍙樺帇鍣ㄨ€﹀悎澶氱骇鏀惧ぇ鍣?绛旀:2銆侀泦鎴愯繍绠楁斁澶у櫒鐨勫叡妯℃姂鍒舵瘮瓒婂ぇ锛?琛ㄧず璇ョ粍浠讹細锛埪?聽锛?A.宸ā淇″彿鏀惧ぇ鍊嶆暟瓒婂ぇB.甯﹁礋杞借兘鍔涜秺寮?C.鎶戝埗闆剁偣婕傜Щ鐨勮兘鍔涜秺寮?绛旀:3銆佺數璺鍥炬墍绀猴紝RF2 寮曞叆鐨勫弽棣堜负锛氾紙聽聽锛?image.pngA.涓茶仈鐢靛帇璐熷弽棣?B.骞惰仈鐢靛帇璐熷弽棣?C.涓茶仈鐢垫祦璐熷弽棣?D.姝ｅ弽棣?绛旀:4銆佹瘮渚嬭繍绠楃數璺鍥?0-2鎵€绀猴紝璇ョ數璺殑杈撳嚭鐢甸樆涓猴細锛埪犅狅級image.pngA.RFB.R1+RFC.闆?绛旀:5銆佺數璺鍥?0-3鎵€绀猴紝鑳藉瀹炵幇uuOi=- 杩愮畻鍏崇郴鐨勭數璺槸锛氾紙聽聽锛?image.pngA.鍥?B.鍥?C.鍥?绛旀:绗簲绔?1銆佺數鍘嬩覆鑱旇礋鍙嶉鏀惧ぇ鍣ㄥ彲浠ユ彁楂樿緭鍏ョ數闃伙紝绋冲畾鏀惧ぇ鍣ㄨ緭鍏ョ數娴併€?A.瀵?B.閿?绛旀:2銆佽礋鍙嶉浣挎斁澶у櫒鐨勫噣杈撳叆淇″彿澧炲姞銆?A.瀵?B.閿?绛旀:3銆佺悊鎯崇殑闆嗘垚杩愭斁鐢佃矾杈撳叆鐢甸樆涓烘棤绌峰ぇ锛岃緭鍑虹數闃讳负闆躲€?A.瀵?B.閿?绛旀:4銆佽嫢鏀惧ぇ鐢佃矾鐨勮礋杞藉浐瀹氾紝涓轰娇鍏剁數鍘嬫斁澶у€嶆暟绋冲畾锛屽彲浠ュ紩鍏ョ數鍘嬭礋鍙嶉锛屼篃鍙互寮曞叆鐢垫祦璐熷弽棣堛€?A.瀵?B.閿?绛旀:5銆佸弽棣堜俊鍙蜂娇鏀惧ぇ鐢佃矾鐨勫噣杈撳叆淇″彿鍑忓皬锛岀О涓烘鍙嶉銆?A.瀵?B.閿?绛旀:6銆佽礋鍙嶉鍙兘鏀瑰杽鍙嶉鐜矾浠ュ唴鐢佃矾鐨勬斁澶ф€ц兘锛屽鍙嶉鐜矾澶栫殑鐢佃矾鏃犳晥A.瀵?B.閿?绛旀:绗叚绔?1銆佷负杈惧埌鍥涢樁浣庨€氭湁婧愭护娉㈢數璺紝鍙皢鐩稿悓鐨勪袱涓綆閫氭湁婧愭护娉㈢數璺覆鎺ヤ娇鐢?A.瀵?B.閿?绛旀:2銆佹ā鎷熶箻娉曞櫒鍙互鐢ㄦ潵浣滀负鏀惧ぇ鐢佃矾浣跨敤銆?A.瀵?B.閿?绛旀:3銆佸彉鍘嬪櫒鍨嬮泦鎴愰殧绂绘斁澶у櫒鐨勮緭鍏ャ€佽緭鍑哄拰鐢垫簮涓夐儴鍒嗙數璺殑鎺ュ湴绔繀椤昏繛鎺ュ湪涓€璧凤紝鎵嶈兘浼犺緭淇″彿銆?A.瀵?B.閿?绛旀:4銆佷娇鐢ㄩ泦鎴愯繍绠楁斁澶у櫒浠舵潵缁勬垚姣斾緥杩愮畻鐢佃矾锛岃繖鏃跺彲鎸夋瘮渚嬭繍绠楀叧绯讳换鎰忛€夌敤鐢甸樆鍊笺€?A.瀵?B.閿?绛旀:5銆侀珮绮惧害鏁存祦鐢佃矾閲囩敤闆嗘垚杩愭斁澶勭悊鍚庯紝鍙互瀵逛氦娴佸皬淇″彿鏁存祦锛屽叾鏁存祦淇″彿骞呭€煎彲杈惧井浼忕骇銆?A.瀵?B.閿?绛旀:绗竷绔?1銆佽嫢鏀惧ぇ鐢佃矾涓紝瀛樺湪鐫€璐熷弽棣堬紝涓嶅彲鑳戒骇鐢熻嚜婵€鎸崱銆?A.瀵?B.閿?绛旀:2銆佸湪RC涓插苟鑱旀寮︽尝鎸崱鐢佃矾涓殑鍚岀浉姣斾緥鏀惧ぇ鐢佃矾锛岃礋鍙嶉鏀矾鐨勫弽棣堢郴鏁癋=Uf/Uo瓒婂皬瓒婂ソ锛岀數璺秺瀹规槗璧锋尟銆?A.瀵?B.閿?绛旀:3銆佸湪RC涓插苟鑱旀寮︽尝鎸崱鐢佃矾涓紝鑻C涓插苟鑱旈€夐缃戠粶涓殑鐢甸樆鍧囦负R锛岀數瀹瑰潎涓篊锛屽垯鍏舵尟鑽￠鐜噁o=1/RC銆?A.瀵?B.閿?绛旀:4銆佸湪杩熸粸姣旇緝鍣ㄧ數璺腑杈撳嚭绔數鍘嬮€氳繃鍙嶉鏀矾蹇呴』灏嗕俊鍙疯繑閫佸埌闆嗘垚杩愭斁鐨勫悓鐩歌緭鍏ョ銆?A.瀵?B.閿?绛旀:5銆佹寮︽尝鎸崱鍣ㄧ數璺竴鑸敱鍩烘湰鏀惧ぇ鐢佃矾銆侀€夐缃戠粶銆佹鍙嶉缃戠粶鍜岀ǔ骞呯幆鑺傚洓涓儴鍒嗙粍鎴愩€?A.瀵?B.閿?绛旀:6銆佺數鍘嬫瘮杈冨櫒鍦ㄥ垎鏋愭椂涓昏鏄緷鎹甎+ 鍜孶-鐢靛帇澶у皬浣胯緭鍑虹數骞冲彂鐢熼珮浣庣炕杞€?A.瀵?B.閿?绛旀:7銆佺煶鑻辨櫠浣撴尟鑽″櫒灏辨槸鐢ㄥ帇鐢佃皭鎸瀯鎴愮殑銆?A.瀵?B.閿?绛旀:绗叓绔?1銆佸姛鐜囨斁澶х數璺殑鏈€澶ц緭鍑哄姛鐜囨槸鍦ㄨ緭鍏ョ數鍘嬩负姝ｅ鸡娉㈡椂锛岃緭鍑哄熀鏈笉澶辩湡鎯呭喌涓嬶紝璐熻浇涓婂彲鑳借幏寰楃殑鏈€澶э紙聽聽锛夈€?A.浜ゆ祦鍔熺巼B.鐩存祦鍔熺巼C.骞冲潎鍔熺巼绛旀:2銆佸姛鐜囨斁澶х數璺殑杞崲鏁堢巼鏄寚锛埪? 聽锛?A.杈撳嚭鍔熺巼涓庢櫠浣撶鎵€娑堣€楃殑鍔熺巼涔嬫瘮B.鏈€澶ц緭鍑哄姛鐜囦笌鐢垫簮鎻愪緵鐨勫钩鍧囧姛鐜囦箣姣?C.鏅朵綋绠℃墍娑堣€楃殑鍔熺巼涓庣數婧愭彁渚涚殑骞冲潎鍔熺巼涔嬫瘮绛旀:3銆佸湪OCL涔欑被鍔熸斁鐢佃矾涓紝鑻ユ渶澶ц緭鍑哄姛鐜囦负1W锛屽垯鐢佃矾涓姛鏀剧鐨勯泦鐢垫瀬鏈€澶у姛鑰楃害涓猴紙聽聽锛夈€?A.1WB.0.5WC. 0.2W绛旀:4銆佸湪閫夋嫨鍔熸斁鐢佃矾涓殑鏅朵綋绠℃椂锛屽簲褰撶壒鍒敞鎰忕殑鍙傛暟鏈夛紙聽聽锛?锛堝閫夛級A. 尾B. IC MC.IC B OD.BUCEOE.PC MF. fT绛旀:5銆佸姛鐜囨斁澶х數璺笌鐢靛帇鏀惧ぇ鐢佃矾銆佺數娴佹斁澶х數璺殑鍏卞悓鐐规槸锛埪? 聽锛?A.閮戒娇杈撳嚭鐢靛帇澶т簬杈撳叆鐢靛帇B.閮戒娇杈撳嚭鐢垫祦澶т簬杈撳叆鐢垫祦C.閮戒娇杈撳嚭鍔熺巼澶т簬淇″彿婧愭彁渚涚殑杈撳叆鍔熺巼绛旀:绗節绔?1銆佸綋杈撳叆鐢靛帇UI鍜岃礋杞界數娴両L鍙樺寲鏃讹紝绋冲帇鐢佃矾鐨勮緭鍑虹數鍘嬫槸缁濆涓嶅彉鐨勩€?A.瀵?B.閿?绛旀:2銆佷竴鑸儏鍐典笅锛屽紑鍏冲瀷绋冲帇鐢佃矾姣旂嚎鎬хǔ鍘嬬數璺晥鐜囬珮銆?A.瀵?B.閿?绛旀:3銆佸湪绋冲帇绠＄ǔ鍘嬬數璺腑锛岀ǔ鍘嬬鐨勬渶澶хǔ瀹氱數娴佸繀椤诲ぇ浜庢渶澶ц礋杞界數娴併€?A.瀵?B.閿?绛旀:4銆佽嫢瑕佺粍鎴愯緭鍑虹數鍘嬪彲璋冦€佹渶澶ц緭鍑虹數娴佷负3A鐨勭洿娴佺ǔ鍘嬬數婧愶紝鍒欏簲閲囩敤锛埪? 聽锛?A.鐢靛婊ゆ尝绋冲帇绠＄ǔ鍘嬬數璺?B.鐢垫劅婊ゆ尝绋冲帇绠＄ǔ鍘嬬數璺?C.鐢靛婊ゆ尝涓茶仈鍨嬬ǔ鍘嬬數璺?D.鐢垫劅婊ゆ尝涓茶仈鍨嬬ǔ鍘嬬數璺?绛旀:5銆佷覆鑱斿瀷绋冲帇鐢佃矾涓殑鏀惧ぇ鐜妭鎵€鏀惧ぇ鐨勫璞℃槸锛埪?聽锛?A.鍩哄噯鐢靛帇B.閲囨牱鐢靛帇C.鍩哄噯鐢靛帇涓庨噰鏍风數鍘嬩箣宸?绛旀:绗崄绔?1銆佺粰鏅堕椄绠″姞涓婃鍚戦槼鏋佺數鍘嬪畠灏变細瀵奸€氥€?A.瀵?B.閿?绛旀:2銆佸湪鍗婃帶妗ユ暣娴佸甫澶х數鎰熻礋杞戒笉鍔犵画娴佷簩鏋佺鐢佃矾涓紝鐢佃矾鍑烘晠闅滄椂浼氬嚭鐜板け鎺х幇璞°€?A.瀵?B.閿?绛旀:3銆佺數鍔涙櫠浣撶鐨勫閮ㄧ數鏋佷篃鏄細闆嗙數鏋併€佸熀鏋佸拰鍙戝皠鏋併€?A.瀵?B.閿?绛旀:4銆佹妸浜ゆ祦鐢靛彉鎴愮洿娴佺數鐨勮繃绋嬬О涓洪€嗗彉銆?A.瀵?B.閿?绛旀:5銆佹櫠闂哥鍙帶鏁存祦鐢佃矾灏辨槸鍙樻祦鐢佃矾銆?A.瀵?B.閿?。
模拟电子技术基础课后答案(黄丽亚著)(机械工业出版社)
题图 2.6
解： （1）Q1 点： β ≈ 50, Q2点：β ≈ 0。 （2） U ( BR )CEO ≈ 40V , PCM ≈ 330mW。
2.7 硅晶体管电路如题图 2.7 所示。设晶体管的 U BE ( on ) 作状态。 15V RB 470k Ω 1V D 0.3V （a） RC 2k Ω T RE 1k Ω RB 100k Ω RC 2k Ω T RE 1k Ω 15V
RB 500 C1 + ui RE 1k Ω kΩ
Q'
④ 4 6
Q
10 12
U CC − U BE ( on ) 12 = = 20 （ μ A ） ，直流负载线 RB + ( 1 + β )RE 500 + 100 U CE = U CC − I C ( RC + RE ) = 12 − 3 I C ，取两点 (U CE = 0 , IC = 4mA ; IC = 0 ,U CE = 12V ) ，可得直流负载线如图 2.18（b）中①线，工作 1 1 = − ，可得图 2.18（b）中 点 Q( U CEQ = 6 V， I CQ = 2 mA)，交流负载线的斜率为 − RC 2
= 0.7 V， β = 100 。判别电路的工
9V
（b） 题图 2.7
（c）
解： 在题图(a )中，由于 U BE < 0 ,因而管子处于截止状态 。U C = U CC = 12V。
题图（b） ：
2
I BQ =
15 − 0.7 = 25 μA RB + ( 1 + β )RE
I CQ = β I BQ = 2.5mA U CEQ = 15 − 2.5 × 3 = 7.5( V )
智慧树知到《模拟电子技术基础》章节测试答案
智慧树知到《模拟电⼦技术基础》章节测试答案智慧树知到《模拟电⼦技术基础》章节测试答案第⼀章1、6.N型半导体中的多数载流⼦是（）。
A:⾃由电⼦B:空⽳C:正离⼦D:负离⼦答案: ⾃由电⼦2、4.场效应管的控制⽅式为（）。
A:输⼊电流控制输出电压B:输⼊电压控制输出电流C:输⼊电流控制输出电流D:输⼊电压控制输出电压答案: 输⼊电压控制输出电流3、3.在放⼤电路中，若测得某晶体管的三个电极的电位分别为6V，1.2V，1V，则该管为（）。
A:NPN硅管B:PNP锗管C:NPN锗管D:PNP硅管PNP硅管PNP硅管PNPPNP硅管PNP硅管答案: NPN锗管4、2.测得某⼯作在放⼤区域的三极管,当Ib=30uA时,Ic=2.4mA;当Ib=40uA时，Ic=3mA;则该管的电流放⼤系数β=( )。
A:60B:75C:80D:100答案: 605、1.稳压⼆极管稳压时，其⼯作在( ) 。
A:正向导通区B:反向截⽌区答案: 反向击穿区第⼆章1、82.晶体管的控制⽅式为。
A:输⼊电流控制输出电压B:输⼊电流控制输出电流C:输⼊电压控制输出电压D:输⼊电压控制输出电流答案: 输⼊电流控制输出电流2、13.在共射、共集、共基三种放⼤电路中，（）。
A:都有电压放⼤作⽤B:都有功率放⼤作⽤C:都有电流放⼤作⽤D:只有共射电路有功率放⼤作⽤答案: 都有功率放⼤作⽤3、12.共发射极放⼤电路中,输出电压uo与输⼊电压ui之间的关系是（）。
A: 两者反相, 输出电压⼤于输⼊电压B:两者相位差90，且⼤⼩相等C:两者同相，输出电压近似等于输⼊电压D:两者反相，且⼤⼩相等答案:两者反相, 输出电压⼤于输⼊电压4、11.晶体管⼯作在放⼤状态的条件是（）。
A:发射结正偏、集电结反偏B:发射结正偏、集电结正偏C:发射结反偏、集电结反偏D:发射结反偏、集电结正偏答案: 发射结正偏、集电结反偏5、10.放⼤电路“放⼤”的本质是（）。
A: ⽤输⼊信号控制电源的能量和转换B:iB对iC或uGS对iD的控制C:将较⼩能量转换为较⼤能量D:三极管的电流分配作⽤答案:⽤输⼊信号控制电源的能量和转换6、要求电压放⼤倍数的数值⼤于10，输⼊电阻⼤于10MΩ，输出电阻⼩于100Ω，第⼀级应采⽤A:共射电路D:共源电路E:共漏电路答案: 共集电路第三章1、101.差动放⼤电路中，所谓差摸信号是指两个输⼊信号（）。
模拟电子技术基础-第一章课后习题详解
习题1.1选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小（3）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为。
A. 83B. 91C. 100（4）当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将。
A.增大B.不变C.减小解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A1.2 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。
1.3 电路如图P1.3所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3解图P1.3解：u i和u o的波形如解图P1.3所示。
1.4 电路如图P1.4所示，已知u i＝5sinωt(V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i与u O的波形，并标出幅值。
图P1.4解图P1.4解：波形如解图P1.4所示。
1.5 电路如图P1.5（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.5解：u O的波形如解图P1.5所示。
解图P1.51.6 电路如图P1.6所示，二极管导通电压U D＝0.7V，常温下U T≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；u i为正弦波，有效值为10mV。
试问二极管中流过的交流电流有效值解：二极管的直流电流I D＝（V－U D）/R＝2.6mA其动态电阻r D≈U T/I D＝10Ω故动态电流有效值I d＝U i/r D≈1mA 图P1.61.7现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。
第1章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
《模拟电子技术基础》第4版习题解答第1章半导体二极管及其基本应用电路一、填空题1．1 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
1．2 在N型半导体中，多子是，少子是；在P型半导体中，多子是，少子是。
1．3二极管具有性；当时，二极管呈状态；当时，二极管呈状态。
1．4 2APl2型二极管是由半导体材料制成的；2CZ52A型二极管是由半导体材料制成的。
1．5在桥式整流电路中接入电容C(与负载并联)滤波后，输出电压较未加C时，二极管的导通角，输出电压随输出电流的增大而。
二、选择正确答案填空(只需选填英文字母)1．6二极管正向电压从0．7 V增大15％时，流过的电流增大(a．15％；b．大于15％；c．小于15％)。
1．7当温度升高后，二极管的正向压降将，反向电流将(a．增大；b．减小；c．不变)。
1．8利用二极管的组成整流电路(a1．正向特性；b1．单向导电性；c1．反向击穿特性)。
稳压二极管工作在状态下，能够稳定电压(a2．正向导通；b2．反向截止；c2．反向击穿)。
三、判断下列说法是否正确(用√或×号表示)1．9在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质，可以改型为P型半导体。
( )1．10 PN结的伏安特性方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述其反向击穿特性。
( )1．11 在桥式整流电路中，如用交流电压表测出变压器二次侧的交流电压为40 V，则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为36 V。
( ) 1．12光电二极管是受光器件，能将光信号转换为电信号。
( ) 解答：1.1 杂质浓度温度1.2 电子空穴空穴电子1.3 单向导电性 正向偏置 导通 反向偏置 截止1.4 N 型锗材料 N 型硅材料1.5 增大 减小 减小1.6 （b ）1.7 （b ） （a ）1.8 （b 1） （c 2）1.9 （√）1.10 （×）1.11 （√）1.12 （√）1．13某硅二极管在室温下的反向饱和电流为910-A ，求外加正向电压为0．2 V 、0．4 V 时二极管的直流电阻R D 。
模拟电子技术基础第一章答案
1.3电路如图所示，已知i 5sin (V)u t ω=，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出u i 与u o 的波形，并标出幅值。
解：当i 3.7u ≥V 时，D 1导通，将u o 钳位在3.7V ；当i 3.7u <V 时，D 2导通，将u o 钳位在-3.7V ； 当i 3.7 3.7V u -<<V 时，D 1、D 2均截止，u o = u i 。
1.4电路如图所示，二极管导通电压U D =0.7V ，常温下U T ≈26mV ，电容C 对交流信号可视为短路；u i 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？ 解：二极管中的直流电流为D D ()/ 2.6I V U R mV =-=其动态电阻r D ≈U T /I D =10Ω。
故动态电流有效值为I D =U i /r D ≈1mA 。
1.6已知稳压管的稳定电压U Z =6V ，最小稳定电流I Zmin =5mA ，最大稳定电流I Zmax =25mA 。
(1)分别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值；(2)若U I =35V 时负载开路，则会出现什么现象？为什么？解：（1）稳压管正常工作时所允许的输入电压的范围为Imin Z L Zmin Z(/)(6/0.55)1623V U U R I R U =++=+⨯+=Imax Z L Zmax Z(/)(6/0.525)1643V U U R I R U =++=+⨯+=故23V<U i <43V 。
因此，U I 为10V 和15V 时稳压管未工作在稳压状态下。
所以I LO 10V I L | 3.33VU R U U R R ===+I LO 15V I L|5VU R U U R R ===+U I 为35V 时稳压管工作在稳压状态下，所以I O 35V Z |6V U U U ===（2）当负载开路时，稳压管的电流等于限流电阻中的电流，即Z D I Z Zmax ()/29I U U R mA I =-=>稳压管将因功耗过大而损坏。
电路与模拟电子技术基础课后练习第一章答案
1第1章直流电路习题解答1.1求图 1.1中各元件的功率，并指出每个元件起电源作用还是负载作用。
图1.1 习题1.1电路图解（吸收）；（吸收）W 5.45.131P W 5.15.032P （产生）；（吸收）；W 15353P W 5154P （吸收）;元件1、2、4和5起负载作用，元件3起电源作用。
W 4225P 1.2 求图 1.2中的电流、电压及电压源和电流源的功率。
I U 图1.2 习题1.2电路图解；A 2IV 13335IIU电流源功率：（产生），即电流源产生功率。
W 2621U P 6W 2电压源功率：（产生），即电压源产生功率。
W 632IP W 61.3 求图1.3电路中的电流、及。
1I 2I 3I 图1.3 习题1.3电路图2解;A 1231I A1322I 由、和构成的闭合面求得：1R 2R 3R A1223I I 1.4 试求图 1.4所示电路的。
ab U 图1.4 习题1.4电路图解V8.13966518abU 1.5求图1.5中的及。
I S U 图1.5 习题1.5电路图解A7152)32(232I V221021425)32(22SIU 1.6试求图 1.6中的、、及。
I X I U X U 图1.6 习题1.6电路图解；;A 213I A 31XI I V155XI UV253245XXI U31.7 电路如图 1.7所示：（1）求图(a)中的ab 端等效电阻；（2）求图(b)中电阻。
R 图1.7 习题1.7电路图解(1) 1046418666661866666abR (2)712432383R1.8电路如图 1.8所示：（1）求图(a)中的电压和；（2）求图(b)中V 2U时的S U U 电压。
S U 图1.8 习题1.8电路图解（a ）;V 8.10546)54(63S U V8.48.10544U （b ） S S111244U U U即 ;求得22132S SU U V12S U 1.9滑线电阻分压器电路如图 1.9(a)所示，已知，额定电流为，外加500RA 8.1电压，，求（1）输出电压；（2）如果误将内阻为，最大量程为V 5001001R o U .50的电流表连接在输出端口，如图(b)所示，将发生什么结果？A 24图1.9 习题1.9电路图解（1）V4005005001005001URR R U (2）设电流表内阻为，流过电流表的电流为（方向各下），则总电流A R A I A975.45.04005.0400100500A 1A 11R R R R R R R U IA969.4975.45.0400400A11AIR R RR R I 由于的滑线电阻额定电流，的电流表量程，故设备被损坏。
模拟电子技术基础答案全解(第四版)
第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt(V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。
试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。
图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V33.3I L LO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故LO I L5VR U U R R =⋅≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
《模拟电子技术基础》习题答案
模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？U图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
模拟电子技术基础林涛课后答案
解：（1）电路的小信号模型如下图示：
Rd 。
（2） Au
Uo Ui
gmUgs Rd Ugs gmUgs R1
gmRd 1 gmR1
10 1 2
3.3
（3） ri Rg3 Rg1 // Rg2 Rg3 =2M 。
2.24 电路如题图 2.19 所示，其中三极管的 均为 100，且 rbe1 5.3k ， rbe2 6k 。
Re // )( Re
RL ) // RL
)
0.992
ri Rb //( rbe (1 )( Re // RL ) 76kΩ
ro
(
Rs // Rb rbe (1 )
)
//
Re
36.3kΩ
2.19 已知电路参数如题图 2.17 所示，FET 工作点上的互导 gm 1mS ，设 rd
（1）画出电路的小信号模型；
200 (1 50) 26mV 2mA
863
（4） AV
V0 Vi
RL' rbe
(RC || RL ) rbe
116
A VS
V0 Vs
V0 Vi
Vi Vs
AV
Ri Ri Rs
AV
Rb || rbe Rs Rb || rbe
73
2-14.电路如图所示,设耦合电容和旁路电容的容量均足够大,对交流信号可视为短 路. (1)求 Au=Uo/Ui，ri，ro (2)求 Au=Uo/Us (3)如将电阻 Rb2 逐渐减小,将会出现什么性质的非线形失真?画出波形图.
(2)
Rb
VCC IB
300kΩ ，
RC
VCC
模拟电子技术第一章习题答案
模拟电子技术第一章习题答案一、填空题1.增大、增大、下2.浓度差异、电场3.五、三4.自由电子、空穴、空穴、自由电子5. N、自由电子、空穴6.本征半导体、杂质半导体7.高于8.正偏、反偏、单向导电性9.电击穿、热击穿10.高、低、单向导电11.限流电阻12.点接触、面接触13.减小、增大14.大、小15.反向击穿16.正向电流、反向电流17.电、光、正向18.光、电、反向19.反向击穿区、反向击穿区20.阻碍、促进二、单项选择题1.C2.D3.D4.C5.B6.A7.B8.B9.A10.C三、判定题1.错误2.错误3.错误4.正确5.错误四、运算分析题1.对〔a〕图，u I > 4V时稳压管稳压，u O1 = u I– 4V；u I≤4V时稳压管截止，u O1 = 0。
对〔b〕图，u I > 4V时稳压管稳压，u O2 = 4V；u I≤4V时稳压管截止，u O2 = u I。
波形图如下：2. 〔1〕开关S 闭合时发光二极管才能发光。
〔2〕R 的取值范畴Ω=-=-=26715)15(max min mAV I U V R D D DD Ω=-=-=8005)15(min max mA V I U V R D D DD 运算的最后结果：Ω≤≤Ω800267R3. 稳压管的最大稳固电流为mA VmW U P I Z ZM ZM 256150=== 稳压管正常工作时要求ZM DZ Z I I I ≤≤min ，因此mA RV mA 25)612(5≤-≤ 求得Ω≤≤Ωk R k 2.124.0。
运算的最后结果：Ω≤≤Ωk R k 2.124.04. 〔1〕当开关S 闭合时，Z DZ U V V U <≈+⨯=8.5725230，因此稳压管截止。
电压表读数U V =8.57V ，而 mA k V I I A A 4.29)25(3021=Ω+==〔2〕当开关S 断开时，I A2 = 0，稳压管能工作于稳压区，故得电压表读数U V =12V ，A 1读数为mA k V I A 3.65)1230(1=Ω-= 运算的最后结果：〔1〕U V = 8.57V ，I A1 = I A2 = 4.29mA〔2〕U V = 12V ，I A1 = 3.6mA ，I A2 = 0mA5. 〔a 〕第一假定稳压管断开，求得U PN = -8V ，绝对值大于U Z 值，因此能够工作于反向击穿区。
模拟电子技术第一章习题解答
第一章习题解答题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理 想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
题 1-2假设一个二极管在50°C 时的反向电流为10μA ，试问它在20°C 和80°C 时的反向电流大约为多大？已知温度每升高10°C,反向电流大致增加一倍。
答：在20°C 时的反向饱和电流为2-3x10μA=1.25μA 在80°C 时的反向饱和电流为23x10μA=80μA 题 1-3某二极管的伏安特性如图P1-3(a)所示：① 如在二极管两端通过1k Ω的电阻加上1.5V 的电压，见图P1-3(b)，此时二极管的电流I 和电压U 各为多少？② 如将图P1-3(b)中的1.5V 电压改为3V ，则二极管的电流和电压为多少？提示：可用图解法。
(a) (b)图 P1-3解：根据图解法求解①电源电压为1.5V 时，1.5=U+I I ≈0.8mA ，U ≈0.7V ②电源电压为3V 时，3=U+I I ≈2.2mA ，U ≈0.8V可见，当二极管正向导通后，如电源电压增大，则二极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。
题 1-4已知在图P1-4中，u 1=10sin ωt (V)，R L ＝1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u o 的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反i/ mA32100.51向电流可以忽略。
答：图略动态电阻rz 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流rz 愈大，则其动态电阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αu 的绝对值愈小，表示当温度变化时稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
模拟电子技术基础-作业答案1
模拟电子技术课程作业第1章 半导体器件1将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将( b )。
(a)变宽 (b)变窄 (c)不变2半导体二极管的主要特点sdf 是具有( b )。
(a)电流放大作用 (b)单向导电性(c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。
(a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压4电路如图1所示，设D 1，D 2均为理想元件，已知输入电压u i =150sin ωt V 如图2所示，试画出电压u O 的波形。
20V100V 0u Iu i V/ωtD 2D 140k Ω40k Ω150u O+- 图1+-图2+-+-答案u i V /ωt150ωt 10060u i V /0100605电路如图1所示，设输入信号u I1,u I2的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压u O 的波形，并说明t 1,t 2时间内二极管D 1，D 2的工作状态。
u I2R Lu Ot 1t 2tt2D 1D 2图1图2u I1+-u I1/ V-22-2u I2/ V答案t 1t 2tu O /V -2t 1:D 1导通，D 2截止t 2:D 2导通，D 1截止第2章 基本放大电路1下列电路中能实现交流放大的是图( b )。
++++++++U CCu oU CCU CCU CC()a ()b (c)(d)+-+-+-+-+-+-+-+-u iu iu ou ou iu ou i++++2图示电路，已知晶体管β=60，U BE .V =07，R C k =2 Ω，忽略U BE ，如要将集电极电流I C 调整到1.5mA ，R B 应取( a )。
(a)480k Ω (b)120k Ω (c)240k Ω (d)360k Ω++C 2C 1R BR C u ou i+-+-+12V3固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC 将( a )。
模拟电子技术基础 第1章习题解答 (高吉祥 电子工业出版社)
iC/mA
iB=100μA 80μA 60μA 40μA 20μA 0μA
i 9400 3600 145 解： C iB 60 20
145 0.99 1 1 145
16 12 8 4 0
145
0.99
5
10 15 uCE/V
第7页
1.17
已知一个 N 沟道增强型 MOS 场效应管的漏极特性曲线如图示,试作出 UDS
=15V 的转移特性曲线,并由特性曲线求出该场效应管的开启电压 UT 和 IDO 值,以 及 UDS =15V, U GS =4V 时的跨导 gm。
4 ID/mA 4 3 2 1 1 2 3 4 5 UGS/V 0 5 10 3.5V 3V 2V 15 20 UDS/V ID/mA UGS=4.5V 4V
状态。 （a2.正偏，b2.反偏，c2.击穿） a ，b-c 间为 b ，工作在饱和区
(7) 晶体管工作在放大区时，b-e 间为 时 b-e 间为 a ，b-c 间为 a
。 （a.正向偏置，b.反向偏置，c.零偏置）
(8) 工作在放大区的某晶体管， 当 IB 从 20μA 增大到 40μA 时， IC 从 1mA 变成 2mA。 它们的β约为 b 。 （a.10，b.50，c.100） b1 （a1.栅极电压，b1. 栅源电压，c1. 漏源 a3
3 2 1 0
I/mA
Q2 Q1
0.5
1 1.5 (a)
2
U/V
1.4
假设用万用表的 R×10 档测得某二极管的正向电阻为 200Ω ， 若改用 R×100
档测量同一个二极管，则测得的结果将比 200Ω 大还是小，还是正好相等？为什 么？ 答：用 R×100 档测量二极管的正向电阻比用 R×10 档测的电阻大。 设万用表 R×10 档的内阻为 R1 ，R×100 档的内阻为 R2 ，则 R1 <R2 ；测量时二极 管的外特性方程分别为：uD=E-IDR1 ，uD=E-IDR2 ，所以 IDQ1 > IDQ2 。 故用 R×100 档测量二极管的正向电阻比用 R×10 档测的电阻大。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
1.3电路如图所示，已知i 5sin (V)u t ω=，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出u i 与u o 的波形，并标出幅值。
解：当i 3.7u ≥V 时，D 1导通，将u o 钳位在3.7V ；
当i 3.7u <V 时，D 2导通，将u o 钳位在-3.7V ； 当i 3.7 3.7V u -<<V 时，D 1、D 2均截止，u o = u i 。
1.4电路如图所示，二极管导通电压U D =0.7V ，常温下U T ≈26mV ，电容C 对交流信号可视为短路；u i 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？ 解：二极管中的直流电流为
D D ()/ 2.6I V U R mV =-=
其动态电阻r D ≈U T /I D =10Ω。
故动态电流有效值为I D =U i /r D ≈1mA 。
1.6已知稳压管的稳定电压U Z =6V ，最小稳定电流I Zmin =5mA ，最大稳定电流I Zmax =25mA 。
(1)分别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值；
(2)若U I =35V 时负载开路，则会出现什么现象？为什么？
解：（1）稳压管正常工作时所允许的输入电压的范围为
Imin Z L Zmin Z
(/)(6/0.55)1623V U U R I R U =++=+⨯+=
Imax Z L Zmax Z
(/)(6/0.525)1643V U U R I R U =++=+⨯+=
故23V<U i <43V 。
因此，U I 为10V 和15V 时稳压管未工作在稳压状态下。
所以
I L
O 10V I L | 3.33V
U R U U R R ===+
I L
O 15V I L
|5V
U R U U R R ===+
U I 为35V 时稳压管工作在稳压状态下，所以
I O 35V Z |6V U U U ===
（2）当负载开路时，稳压管的电流等于限流电阻中的电流，即
Z D I Z Zmax ()/29I U U R mA I =-=>
稳压管将因功耗过大而损坏。
1.7电路如图所示，发光二极管导通电压UD=1.5V ，正向电流在5~15mA 时才能正常工作。
试问： （1）开关S 在什么位置时发光二极管才能发光？ （2）R 的取值范围是多少？
解：（1）S 闭合时发光二极管才有正向电流，也才有可能发光。
（2）发光二极管的正向电流过小将不发光，过大将可能损坏。
R 是限流电阻，其取值应保证发光二极管既发光又不至于损坏。
因此，R 的范围为
min D Dmax ()/233R V U I =-≈Ω
max D Dmin ()/700R V U I =-=Ω
即233700R Ω<<Ω
1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。
在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
解：因为六只晶体管均在放大电路中，通常工作在放大状态，所以直流电位相近的两个电极分别为发射极和基极，另一极为集电极；若集电极电位最高，则为NPN 型管，电位最低的为发射极，电位居中的是基极；若集电极电位最低，则为NPN 型管，电位最高的为发射极，电位居中的是基极。
若b-e 间电压在0.1~0.3V 之间，则为锗管；若b-e 间电压在0.6~0.8V 之间，则为硅管。
设晶体管三个极分别为上、中、下管脚，根据上述原则判断，得出结论如下表：
管号 T 1 T 2 T 3 T 4 T 5 T 6 上 e c e b c b 中 b b b e e e 下 c e c c b c 管型 PNP NPN NPN PNP PNP NPN 材料
Si
Si
Si
Ge
Ge
Ge
1.11电路如图所示，晶体管的β=50，|U be |=0.2V ，饱和管压降|U CES |=0.1V ；稳压管的稳定电压U Z =5V ，正向导通电压U D =0.5V 。
试问：当u I =0时u O =?当u I =-5V 时u O =? 解：当u I =0时晶体管截止，稳压管击穿，u O =-U Z =-5V 。
当u I =-5V 时，基极电流
I BE B B
||||
||0.48u U I mA R -=
=
临界饱和时的基极电流
CC CES BS c
||
||0.238V U I mA R β-=
=
B BS ||||I I >，说明晶体管饱和，故u O =-0
1.12分别判断图示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
解：因为图(a)中，T 的发射结正偏，集电结有可能反偏，所以T 有可能工作在放大状态。
同理可得，图(b)和(e)中的晶体管均可能工作在放大状态。
因为图(c)中T的发射结反偏，所以T截止。
因为图(d)中T的发射结会因电流过大而损坏，所以T不可能工作在放大状态。
结论：(a)可能；(b)可能；(c)不能；(d)不能；(e)可能。
1.16分别判断图示各电路中的场效应管是否可能工作在恒流区。
解：图(a)中的T为N沟道结型场效应管，夹断电压U GS(off)<0。
因为其栅-源电压有可能是0~ U GS(off)的某值，且V DD有可能使U DS≥U GS-U GS(off)，所以T有可能工作在恒流区。
图(b)和(c)中的T均为N沟道MOS管，开启电压U GS(th)>0。
因为它们的栅极电位均为0，栅-源电压不可能大于U GS(th)，所以它们均处于截止状态。
图(a)中的T为P沟道结型场效应管，夹断电压U GS(off)>0。
因为其栅-源电压有可能是0~ U GS(off)的某值，且V DD有可能使U DS≤U GS-U GS(off)，所以T有可能工作在恒流区。