迷你桥堆规格书1
MBF封装MB05F-THRU-MB10F-MBF桥堆规格书
140
280
420
560
700
V
100
200
400
600
800
1000
V
0.5
A
0.8
IFSM
30
A
VF
1.1
V
5
IR
500
uA
CJ
13
PF
Typical thermal resistance
R JA
60
°C/W
Operating temperature range
TJ
-55 to +150
°C
storage temperature range
The curve above is for reference only.
10
1
1
10
100
V R, REVERSE VOLTAGE (V)
Rev:2020A0
Page :2
Suggested Pad Layout
MB05F THRU MB10F
MB05F THRU MB10F
Voltage Range - 50 to 1000 Volts Current - 0.8 Ampere
SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
Features
Glass passivated die construction Low forward voltage drop High current capability High surge current capability Designed for surface mount application Plastic material-UL flammability 94V-0
桥堆MB6F规格书
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half-sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method) Maximum Forward Voltage at 0.4A DC and 25 ℃ Maximum Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage Typical Thermal Resistance (Note 3) Typical Thermal Resistance (Note 2) Operating and Storage Temperature Range at TA=25℃ T A=125℃ VF IR CJ RθJA RθJL TJ，Tstg IFSM
.063(1.6) .047(1.2)
.008(0.2)
DimensLeabharlann ons in inches and (millimeters)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25 ℃ ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60H Z, resistive or inductive load.
.043(1.1) .027(0.7) .276(7.0) .260(6.6)
· Plastic material has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 · Low leakage · Reliable low cost construction utilizing molded
MMBT2222AWT1G SC-70规格书推荐
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique
Site and Control Change Requirements
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
2
hFE, DC CURRENT GAIN
+16 V
0 - 2 V
MMBT2222AWT1G, SMMBT2222AWT1G
SWITCHING TIME EQUIVALENT TEST CIRCUITS
1.0 to 100 ms, DUTY CYCLE ≈ 2.0%
1 kW < 2 ns
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector −Emitter Breakdown Voltage (Note 1) (IC = 10 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO 40
Vdc −
Collector −Base Breakdown Voltage (IC = 10 mAdc, IE = 0)
fT
MHz
300
−
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo −
pF 8.0
Input Capacitance (VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
小信号齐纳二极管技术规格书
PACKAGEFAMILY:DATE:REVISION:PartMaterial CAS N°weight mg% of weight ppm of total weightLeads Fe 7439-89-67.744.0%25022456.9%Cu 7440-50-8 4.224.0%136486Ni 7440-02-0 5.632.0%181981CuO 1317-38-0Trace TOTAL17.5Terminal finishSn 7440-31-50.46897.5%152081.6%Ag 7440-22-40.012 2.5%390TOTAL 0.48Package PbO *)1317-36-87.7861.3%252907Glass SiO 214808-60-7 4.0531.9%13157141.3%K 2O 12136-45-70.44 3.5%14445Na 2O 1313-59-30.000.02%83Al 2O 31344-28-10.020.12%495B 2O31303-86-20.38 3.0%12381Sb 3+***)0.030.2%825TOTAL12.7Silicon Si 7440-21-30.074180.19%2408Chip Ag 7440-22-40.015316.56%4970.3%SiO 214808-60-70.0015 1.62%49PbO *)1317-36-80.0013 1.41%42Ni 7440-02-00.00020.22%6TOTAL0.09Ink Carbon black 1333-86-40.003734.1%1210.04%Formaldehyde50-00-00.0001 1.0%4Phenol 108-95-20.0006 5.1%18Tributyl phosphate126-73-80.006559.8%212Cl 7782-50-5N. D.**)Br 7726-95-6N. D.**)TOTAL0.01Total weight31Remarks:Total weight range ± 10%*) Pb in glass of electronic components acc. RoHS exempted **) Not detected***) Antimony present as ionWave Soldering acc. CECC00802Material Analyses Reports available on requestMATERIAL CONTENTSEMICONDUCTOR Small Signal Products MATERIAL CONTENT LISTSmall Signal Zener DiodesFEATURES•Very sharp reverse characteristic•Low reverse current level •Very high stability •Low noise •High reliability •AEC-Q101 qualified•Material categorization: For definitions of compliance please seeAPPLICATIONS•Voltage stabilizationPRIMARY CHARACTERISTICSPARAMETER VALUE UNIT V Z range nom. 2.4 to 56V Test current I ZT 5 to 20mAV Z specification Pulse currentInt. constructionSingleORDERING INFORMATIONDEVICE NAME ORDERING CODE TAPED UNITS PER REEL MINIMUM ORDER QUANTITYTLZ-series TLZ-series-GS1810 000 (8 mm tape on 13" reel)10 000/box TLZ-seriesTLZ-series-GS082500 (8 mm tape on 7" reel)12 500/boxPACKAGEPACKAGE NAME WEIGHT MOLDING COMPOUND FLAMMABILITY RATINGMOISTURE SENSITIVITYLEVEL SOLDERING CONDITIONS MiniMELF SOD-8031 mg-MSL level 1(according J-STD-020)260 °C/10 s at terminalsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T amb = 25 °C, unless otherwise specified)PARAMETER TEST CONDITION SYMBOL VALUE UNIT Power dissipation R thJA 300 K/WP tot 500mW Zener currentI Z P tot /V Z mA Junction to ambient air On PC board 50 mm x 50 mm x 1.6 mmR thJA 500K/W Junction temperature T j 175°C Storage temperature range T stg -65 to + 175°C Forward voltage (max.)I F = 200 mAV F1.5VBASIC CHARACTERISTICS (T amb = 25 °C, unless otherwise specified)Fig. 1 - Total Power Dissipation vs. Ambient TemperatureFig. 2 - Typical Change of Working Voltage under OperatingConditions at T amb = 25 °CFig. 3 - Typical Change of Working Voltage vs.Junction TemperatureFig. 4 - Temperature Coefficient of V Z vs. Z-VoltageTLZ39A 39A 34.683936.4750.50.0432.985250TLZ39B 39B 35.363937.1950.50.0433.685250TLZ39C 39C 363937.8550.50.0434.285250TLZ39D 39D 36.633938.5250.50.0434.885250TLZ39E 39E 37.363939.2950.50.0435.585250TLZ39F 39F 38.143940.1150.50.0436.285250TLZ39G 39G 38.943940.850.50.043785250TLZ43434043455-0.043890-TLZ47474447495-0.0441.890-TLZ51514851545-0.0445.6100-TLZ56565356605-0.0450.4100-ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T amb = 25 °C, unless otherwise specified)PART NUMBERMARKINGCODEZENER VOLTAGE RANGETEST CURRENT REVERSE LEAKAGECURRENTDYNAMIC RESISTANCE V Z at I ZT1I ZT1I ZT2I R at V RZ Z at I ZT1Z ZK at I ZT2V mAμA VMIN.NOM.MAX.MAX.MAX.MAX.01201600100300400500600P t o t -T o t a l P o w e r D i s s i p a t i o n (m W )T amb - Am b ient Temperat u re (°C)20095 960220080401015201101001000V Z - V o l t a g e C h a n g e (m V )V Z - Z-V oltage (V )2595 95985- 60601201800.80.91.01.11.21.3V Z t n - R e l a t i v e V o l t a g e C h a n g eT j - Junction Temperature (°C)24095 9599- 551015V Z - Z-V oltage (V )95 9600010********T K V Z - T e m p e r a t u r e C o e f f i c i e n t o f V Z (10-4/K )Fig. 5 - Diode Capacitance vs. Z-Voltage Fig. 6 - Forward Current vs. Forward Voltage Fig. 7 - Z-Current vs. Z-VoltageFig. 8 - Z-Current vs. Z-VoltageFig. 9 - Differential Z-Resistance vs. Z-Voltage1015050100150200C D - D i o d e C a p a c i t a n c e (p F )V Z - Z-V oltage (V )2595 960120500.20.40.60.80.0010.010.1110100 1.095 9605I F - F o r w a r d C u r r e n t (m A )V F - For w ard V oltage (V)82095 9604020406080100I Z - Z -C ur r e n t (m A )4612V Z - Z-V oltage (V )1520253001020304050I Z - Z -C u r r e n t (m A )V Z - Z-V oltage (V )3595 960710152011010010002595 9606V Z - Z-V oltage (V )r Z - D i f f e r e n t i a l Z -R e s i s t a n c e (Ω)5Fig. 10 - Thermal ResponseMARKING VOLTAGE GROUPRemarkThe Zener voltage group TLZ2V4A is printed with max 3 digits 3 times on the surface. The marking should be readable at minimum 2 times. The third print is allowed to be incomplete due to tolerances in diameter of the glass body.10Z t h p - T h e r m a l R e s i s t a n c e f o r P u l s e C o n d . (K /W )t p - P u lse Length (ms)95 960310-1100101102PACKAGE DIMENSIONS in millimeters (inches):MiniMELF SOD-80。
常用的整流桥极其参数
常用的整流桥极其参数参数共四项从左到右依次为产品型号峰值反压VRRM(V) 平均电流(A) 正向压降(V) 封装MB1S 100 0.5 1.1 MDI MB6S 600 0.5 1.1 MDI DF02 200 1 1.1 DIP DF06 600 1 1.1 DIP DF06S 600 1 1.1 DIP-S DF1506 600 1 1.1 DIP RB155 600 1.5 1.1 WOB RB156 800 1.5 1.1 WOB KBP06 600 1.5 1.1 KBP 2W06 600 2 1.1 WOB KBPC108 800 3 1.1 KBPC1 BR36 600 3 1.1 BR3 KBL02 200 4 1.1 KBL KBL08 800 4 1.1 KBL KBL06 600 4 1.1 KBL RS502 200 5 1.1 RS5RS506 600 5 1.1 RS5KBL602 200 6 1.1 KBLKBL606 600 6 1.1 KBLKBJ606 600 6 1.1 KBJKBPC602 200 6 1.1 KBPC6KBPC606 600 6 1.1 KBPCKBJ802 200 8 1.1 KBJKBJ806 600 8 1.1 KBJRS802 200 8 1.1 KBURS806 600 8 1.1 KBUKBPC802 200 8 1.1 KBPC8 KBPC806 600 8 1.1 KBPC8 KBU1002 200 10 1.1 KBU KBU1006 600 10 1.1 KBUKBJ1002 200 10 1.1 KBJ KBJ1006 600 10 1.1 KBJ BR102 200 10 1.1 BR10 KBU1502 200 15 1.0 KBU KBU1506 600 15 1.0 KBU KBJ1502 200 15 1.0 KBJ KBJ1506 600 15 1.0 KBJ KBJ2502 200 25 1.0 KBJKBJ2506 600 25 1.0 KBJ KBU2502 200 25 1.0 KBUKBU2506 600 25 1.0 KBU KBPC2502 200 25 1.0 KBPC KBPC2506 600 25 1.0 KBPC KBPC2510 1000 25 1.0 KBPC KBPC3502 200 35 1.1 KBPC KBPC3510 1000 35 1.1 KBPC KBPC5002 200 50 1.0 KBPC KBPC5010 1000 50 1.0 KBPC 整流桥参数 KBPC系列 KBPC3510 :产品生产产产品说明型号产厂家品大类品小类二整方DB1H11极管流桥桥 07 Y A 000V二整圆W00H15极管流桥桥 5 Y A 0V二整圆W10 H11极管流桥桥 Y A 000V二整圆2W1H21极管流桥桥 0 Y A 000V二整扁KBPH21极管流桥桥 10 Y A 000V二整扁KBPH31极管流桥桥 310 Y A 000V二整扁KBLH41极管流桥桥 410 Y A 000V二整扁RS6H61极管流桥桥 08 Y A 000V二整扁RS8H81极管流桥桥 07 Y A 000V二整方KBPH61极管流桥桥 C610 Y A 000V二整方KBPH81极管流桥桥 C810 Y A 000V二整方KBPH11极管流桥桥 C1010 Y 0A 000V二整方KBPH11极管流桥桥 C1510 Y 5A 000V 二整方KBPH21极管流桥桥 C2510 Y 5A 000V 二整方KBPH31极管流桥桥 C3510 Y 5A 000V 二整方KBPH51极管流桥桥 C5010 Y 0A 000V。
桥堆型号与参数对照表
桥堆型号与参数对照表桥堆型号与参数对照表力邦电磁炉故障代码E1:无锅.每隔3秒一声短笛音报警.连续性分钟转入待机.E2:电源电压过低.两长三短笛音报警.响两次转入待机.(间隔5秒).E3:电源电压过高.两长四短笛音报警.间隔5秒响一次.E4:锅超温.三长三短笛音报警.响两次转入待机.(间隔5秒).E6:锅空烧.两长三短笛音报警.响两次转入待机.(间隔5秒).E0:IGBT超温.四长三短笛音报警.响两次转入待机.(间隔5秒).E7:TH开路(管温传感器).四长五短笛音报警.间隔5秒响一次.E8:TH短路(管温传感器).四长四短笛音报警.间隔5秒响一次.E9:锅传感器开路.三长五短笛音报警.间隔5秒响一次.EE:锅传感器短路.三长四短笛音报警.间隔5秒响一次.E2 IGBT功率管过热保护E3 过载保护(一般是电压高于253V)E4 欠压保护(一般是电压低于175V)E5 传感器开路E6 炉面温度过热保护(一般是高于300℃)三角牌电磁炉故障对照表Ｅ０－－－电压过低Ｅ１－－－电压过高Ｅ２－－－ＩＧＢＴ传感器开路Ｅ３－－－ＩＧＢＴ传感器短路Ｅ４－－－炉面传感器开路Ｅ５－－－炉面传感器短路福田电磁炉代码表安全保护? 锅具检测功能:电磁炉在使用过程中,如将锅具移开,蜂鸣器每1.5秒报警一次,显示EO，功率停止输出，30秒内无锅具重新放置于面板上，电磁炉将自动关机。
? 材质不适检测功能：电磁炉使用非铁质或凹凸太大的锅具时，蜂鸣器每 1.5秒报警一次,显示E0,无功率输出,30秒后自动关机。
? 小件检测功能：电磁炉使用锅具小于8CM 时，蜂鸣器每1.5秒报警一次,显示EO,无功率输出,30秒自动关机。
? 两小时无按键操作自动关机：为防止人离开后发生意外，两小时内无按键操作将自动关机。
? 锅底过温保护：当电磁炉检测到锅底温度过高时，功率暂停输出，待温度降下后再继续加热。
? 高压保护功能：当电磁炉检测到输入电压超过270V时,显示E3,功率暂停输出,待电压正常后再继续加热。
#UD6KB80 ASEMI桥堆参数解析报告#
编辑人：MM
整流桥UD6KB80 倍受荣电技术采购青睐再次订货200K
整流桥UD6KB80 封装参数介绍
UD6KB80采用了D3K的封装方式,这款封装的优势在于其拥有6安培电流的同时，还能将电流控制到非常小，与传统封装KBP脚位规格一致，适合中小体积电源产品采用用。
采用了品级为5A级环氧树脂封装材料，封装强度高保障内部芯片、焊片、框架，不氧化不碎裂不漏电。
UD6KB80采用了进口波峰GPP镀金工艺88mil双芯片，高抗冲击性能与一致性能提升30%以上。
保证其参数可以达到: 6A最大正向整流，800V 最大反向耐电压，200A峰值浪涌电流。
此外还采用了高达99.99%的无氧铜框架与引脚使其内阻降低，并提升导电通过性能30%以上。
UD6KB80 应用领域与案例
UD6KB80因为有着非常好的体积优势，在小功率电源上面应用非常的常见，1-2安培工作电流采用这款产品将能提升性能优势与降低体积空间,符合当今电源产品的主流趋势，荣电技术公司采用的正是这款ASEMI品牌UD6KB80整流桥，月用200K以上出口国外市场，并且稳定合作以及很多年。
ASEMI GBU简约实例之GBU2508桥堆规格
台湾 ASEMI 品牌 GBU 系列 25A（安培）整流桥整流桥产品主要应用于： 中小功率开关电源，LED 灯驱动器，电冰箱、洗衣机、电视机、空调机、高档厨 具等用电设备中。 GBU 系列 25A 整流桥相关型号： GBU25005、 GBU2501、 GBU2502、 GBU2504、 GBU2506、
编辑人：MM
深圳市强元芯电子有限公司 供应台湾 ASEMI 品牌整流桥 GBU 系列 25A（安培）PDF 电性参数规格书介绍： 正向最大输出电流 IO：25A； 正向压降 VFM：1.1V； 最大反向电流 IR：10A； 封装形式：GBU-4、DIP-4； 最大反向耐压 PRV：50V-1000V； 正向峰值电流 IFSM：400A； 工作温度范围：-55to+150； 漏电流：5ua
GBU2508、GBU2510、GBU2504G、GBU2506G、
GBU2508G、GBU2510G、GBU25J、GBU25K、GBU25M。 深圳强元芯公司专业生产与销售“ASEMI”著名品牌，长期大量现货供应。 公司主营产品有：整流桥堆、肖特基二极管、快恢复二极管、单相/三相整流模 块、线路板、汽车电子等，并为客户提供全面的技术支持！
ASEMI整流桥MB10F参数，MB10F特征，MB10F机械数据
ASEMI整流桥MB10F参数，MB10F特征，MB10F机械数据编辑-Z
ASEMI整流桥MB10F参数：
型号：MB10F
最⼤重复峰值反向电压（VRRM）：1000F
最⼤有效值电压（VRMS）：700V
最⼤直流阻断电压（VDC）：1000V
最⼤平均正向输出整流电流（IF(AV)）：1A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：35A
最⼤瞬时正向压降（VF）：1V
最⼤直流反向电流（IR）：5uA
4.0 V,1MHz时每条腿的典型结电容（CJ）：13pF
每条腿的热阻（RθJA）：85℃/W
⼯作结和存储温度范围（TJ, TSTG）：-55 to + 150℃
MB10F特征：
占⽤空间⼩
⾃动放置的理想选择
玻璃钝化芯⽚结
低正向压降
低漏电流
⾼正向浪涌能⼒
⾼温焊接：终端260℃/10秒
MB10F机械数据：
外壳：MBF模压塑料
过玻璃钝化芯⽚
端⼦：焊锡镀
极性：机⾝上标有极性符号。