模拟电子技术基础_课后习题答案
模拟电子技术基础习题及答案

第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时,锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少? 解:二极管正偏时,TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管:mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管:mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时,某硅二极管的反向饱和电流I S =。
(1)当二极管正偏压为时,二极管的正向电流为多少?(2)当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。
此时,如保持(1)中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少? 解:(1)mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-(2)当温度每上升10℃时,S I 增加1倍,则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时,mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3(a )所示,二极管伏安特性如图P1-3(b )所示。
已知电源电压为6V ,二极管压降为伏。
试求: (1)流过二极管的直流电流;(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解:(1)mA 53100V7.06I D =Ω-=(2)Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时,硅二极管的正向电压为,正向电流为1mA ,试计算正向电压加至时正向电流为多少? 解:mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管,如图P1-5所示。
(完整版)模拟电子技术基础课后答案谢志远

第二章2.1 U U AB 45.0=。
2.2 (a )2D 导通,1D 截止。
(b )2D 导通,1D 截止。
(c )1D 导通,2D 截止(d ) 2D 导通,1D 截止。
2.4 (a ) 1.3V U =o1。
(b )0V U =o2。
(c ) 1.3V U =-o3。
(d )2V U =o4(e ) 1.3V U =o5。
(f )2V U =-o6。
2.5 (1)DB 0I =;DA R 1mA I I ==;9U =o V 。
(2)DB 0I =;DA R 0.6mA I I ==; 5.4U o =V 。
(3) 4.74U o =V ;0.53mA I ≈R ;10.26mA 2I I I =≈D A D B R =。
2.6 (a ) D 截止。
(b ) D 截止。
(c )D 导通。
2.8 (1)10V U =I 时3.3V U =O 。
15V U =I 时5V U =O 。
35V U =I 时6V U =O 。
(2)若U I =35V 时负载开路,稳压管D 可能被击穿。
R 35V -6V29mA >25mA 1k I ==Ω稳压管会因所承受的反向电流过大,出现热击穿而被烧毁。
第三章3.1 (1)(a )电流方向向外,大小为1.01mA ;(b)电流方向向外,大小为5mA 。
(2) (a )1mA 10010A β==μ;(b )5mA50100Aβ==μ。
(3)(a )该管为NPN 型;(b ),该管为PNP 型。
3.2 (a )为PNP 型;(b )为NPN 型;(c )为NPN 型;(d )为PNP 型;(e )为PNP 型;(f )为NPN 型。
3.4 (a )不能正常放大。
(b )无交流放大作用。
(c )能够实现交流放大。
(d )不能实现交流放大。
(e )不能实现交流放大。
(f )电路能够正常放大。
3.5 (1)BEQ 0.7V U =;BQ 50I =μA ;CQ I =2m A ;CEQ 6V U =。
模拟电子技术基础课后习题答案

第2章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)(总13页)--本页仅作为文档封面,使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--6第2章 半导体三极管及其基本放大电路一、填空题2.1 BJT 用来放大时,应使发射结处于 偏置,集电结处于 偏置;而工作在饱和区时,发射结处于 偏置,集电结处于 偏置。
2.2 温度升高时,BJT 的电流放大系数β ,反向饱和电流CBO I ,发射结电压BE U 。
2.3用两个放大电路A 和B 分别对同一个电压信号进行放大,当输出端开路时,O B O A U U =;都接人负载L R 电阻时,测得O B O A U U 〈,由此说明,电路A 的输出电阻比电路B 的输出电阻 。
2.4对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路,若希望电压放大倍数大,可选用组态;若希望带负载能力强,应选用 组态;若希望从信号源索取电流小,应选用 组态;若希望高频性能好,应选用 组态。
2.5 FET 是通过改变 来改变漏极电流(输出电流)的,所以它是一个 器件。
2.6 FET 工作在可变电阻区时,D i 与D S u 基本上是 关系,所以在这个区域中,FET 的d 、s 极间可以看成一个由GS u 控制的 。
2.7 FET 的自偏压电路只适用于 构成的放大电路;分压式自偏压电路中的栅极电阻S R 一般阻值很大,这是为了 。
二、选择正确答案填写(只需选填英文字母)2.8 BJT 能起放大作用的内部条件通常是:(1)发射区掺杂浓度 (a 1.高,b 1.低,c 1.一般);(2)基区杂质浓度比发射区杂质浓度 (a 2.高,b 2.低,c 2.相同),基区宽度(a 3.高,b 3.窄,c 3.一般);集电结面积比发射结面积 (a 4.大,b 4.小,c 4.相等)。
2.9 测得BJT I B =30μA 时,I C = mA ;I B =40μA 时,I C =3 mA ,则该管的交流电流放大系数β为 (a .80,b .60,c .75)。
模拟电子技术基础-模电课后题答案

(d)
6
解图 Pl.13 1.14 已知场效应管的输出特性曲线如图 Pl.14 所示,画出它在恒流区的转移特性曲线。
图 Pl.14
(a) 解图 Pl.14
(b)
解:在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图 Pl.14 (a)所示),读出其与各条曲线交点的纵坐标值及
uGS 值,建立 iD f (uGS ) 坐标系,描点,连线,即可得到转移特性曲线,如解图 Pl.14 (b)所示。
六、测得某放大电路中三个 MOS 管的三个电极的电位如表 Tl.6 所示,它们的开启电压也在表中。试分析 各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区) ,并填入表内。 表 T1.6 管号 T1 T2 T3 UGS(th)/V 4 -4 -4 US/V -5 3 6 UG/V 1 3 0 UD/V 3 10 5 工作状态 恒流区 截止区 可变电阻区
I CS
VCC U CES 11.3mA , 所以 T 处于饱和状态。 Rc
5
1.11 电路如图 Pl.11 所示,晶体管的 β=50 , U BE 0.2V ,饱和管压降 U CES 0.1V ;稳压管的稳定电 压 U Z 5V , 正向导通电压 U D 0.5V 。试问:当 uI 0V 时 uO ?;当 uI 5V 时 uO ? 解:当 uI 0V 时,晶体管截止,稳压管击穿,
7
(a)
(b) 图 P1.16
(c)
(d)
解:(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。 补充 1.电路如补图 P1(a)、(b)所示,稳压管的稳定电压 U Z 3V , R 的取值合适, u I 的波形如图(c)所 示。试分别画出 uO1 和 uO 2 的波形。
模拟电子技术基础课后答案(黄丽亚著)(机械工业出版社)

题图 2.6
解: (1)Q1 点: β ≈ 50, Q2点:β ≈ 0。 (2) U ( BR )CEO ≈ 40V , PCM ≈ 330mW。
2.7 硅晶体管电路如题图 2.7 所示。设晶体管的 U BE ( on ) 作状态。 15V RB 470k Ω 1V D 0.3V (a) RC 2k Ω T RE 1k Ω RB 100k Ω RC 2k Ω T RE 1k Ω 15V
RB 500 C1 + ui RE 1k Ω kΩ
Q'
④ 4 6
Q
10 12
U CC − U BE ( on ) 12 = = 20 ( μ A ) ,直流负载线 RB + ( 1 + β )RE 500 + 100 U CE = U CC − I C ( RC + RE ) = 12 − 3 I C ,取两点 (U CE = 0 , IC = 4mA ; IC = 0 ,U CE = 12V ) ,可得直流负载线如图 2.18(b)中①线,工作 1 1 = − ,可得图 2.18(b)中 点 Q( U CEQ = 6 V, I CQ = 2 mA),交流负载线的斜率为 − RC 2
= 0.7 V, β = 100 。判别电路的工
9V
(b) 题图 2.7
(c)
解: 在题图(a )中,由于 U BE < 0 ,因而管子处于截止状态 。U C = U CC = 12V。
题图(b) :
2
I BQ =
15 − 0.7 = 25 μA RB + ( 1 + β )RE
I CQ = β I BQ = 2.5mA U CEQ = 15 − 2.5 × 3 = 7.5( V )
模拟电子技术基础课后答案(完整版)

模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。
模拟信号是连续变化的信号,可以表示任意数值;数字信号是离散变化的信号,只能表示有限的数值。
2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。
电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。
模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域;数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。
第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流,并给出它们的单位。
电压(V)是电势差,单位为伏特(V);电流(I)是电荷通过导体的速率,单位为安培(A)。
2.列举常见的电压源和电流源。
常见的电压源有电池、发电机、电源等;常见的电流源有电流表、发电机、电源等。
3.简述欧姆定律的定义和公式。
欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。
根据欧姆定律,电流等于电压与电阻之间的比值,即I=V/R,其中I为电流,V为电压,R为电阻。
第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。
电阻是指导体对电流的阻碍程度,单位为欧姆(Ω)。
2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么?给出示意图。
–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加,即R= R1 + R2 + … + Rn,其中R为总电阻,R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加,再取倒数,即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn,其中R为总电阻,R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。
电压分压原理指的是当在一个电阻网络中,多个电阻串联,电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。
电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。
电容是指导体上储存电荷的能力,单位为法拉(F)。
2.串联电容和并联电容的计算方法是什么?给出示意图。
–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加,再取倒数,即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn,其中C为总电容,C1、C2、…、Cn为各个电容值。
模拟电子技术基础-第一章课后习题详解

习题1.1选择合适答案填入空内。
(1)在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,加入元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为。
A. 83B. 91C. 100(4)当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将。
A.增大B.不变C.减小解:(1)A ,C (2)A (3)C (4)A1.2 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么?解:不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.5V时,管子会因电流过大而烧坏。
1.3 电路如图P1.3所示,已知u i=10sinωt(v),试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3解图P1.3解:u i和u o的波形如解图P1.3所示。
1.4 电路如图P1.4所示,已知u i=5sinωt(V),二极管导通电压U D=0.7V。
试画出u i与u O的波形,并标出幅值。
图P1.4解图P1.4解:波形如解图P1.4所示。
1.5 电路如图P1.5(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。
试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。
图P1.5解:u O的波形如解图P1.5所示。
解图P1.51.6 电路如图P1.6所示,二极管导通电压U D=0.7V,常温下U T≈26mV,电容C对交流信号可视为短路;u i为正弦波,有效值为10mV。
试问二极管中流过的交流电流有效值解:二极管的直流电流I D=(V-U D)/R=2.6mA其动态电阻r D≈U T/I D=10Ω故动态电流有效值I d=U i/r D≈1mA 图P1.61.7现有两只稳压管,它们的稳定电压分别为6V和8V,正向导通电压为0.7V。
第1章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)

《模拟电子技术基础》第4版习题解答第1章半导体二极管及其基本应用电路一、填空题1.1 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于,而少数载流子的浓度则与有很大关系。
1.2 在N型半导体中,多子是,少子是;在P型半导体中,多子是,少子是。
1.3二极管具有性;当时,二极管呈状态;当时,二极管呈状态。
1.4 2APl2型二极管是由半导体材料制成的;2CZ52A型二极管是由半导体材料制成的。
1.5在桥式整流电路中接入电容C(与负载并联)滤波后,输出电压较未加C时,二极管的导通角,输出电压随输出电流的增大而。
二、选择正确答案填空(只需选填英文字母)1.6二极管正向电压从0.7 V增大15%时,流过的电流增大(a.15%;b.大于15%;c.小于15%)。
1.7当温度升高后,二极管的正向压降将,反向电流将(a.增大;b.减小;c.不变)。
1.8利用二极管的组成整流电路(a1.正向特性;b1.单向导电性;c1.反向击穿特性)。
稳压二极管工作在状态下,能够稳定电压(a2.正向导通;b2.反向截止;c2.反向击穿)。
三、判断下列说法是否正确(用√或×号表示)1.9在N型半导体中,掺入高浓度的三价杂质,可以改型为P型半导体。
( )1.10 PN结的伏安特性方程可以描述PN结的正向特性和反向特性,也可以描述其反向击穿特性。
( )1.11 在桥式整流电路中,如用交流电压表测出变压器二次侧的交流电压为40 V,则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为36 V。
( ) 1.12光电二极管是受光器件,能将光信号转换为电信号。
( ) 解答:1.1 杂质浓度温度1.2 电子空穴空穴电子1.3 单向导电性 正向偏置 导通 反向偏置 截止1.4 N 型锗材料 N 型硅材料1.5 增大 减小 减小1.6 (b )1.7 (b ) (a )1.8 (b 1) (c 2)1.9 (√)1.10 (×)1.11 (√)1.12 (√)1.13某硅二极管在室温下的反向饱和电流为910-A ,求外加正向电压为0.2 V 、0.4 V 时二极管的直流电阻R D 。
《模拟电子技术基础》课后习题答案(童诗白,华成英版,高教版)3章 多级放大电路题解

基础课程教学资料第三章多级放大电路自测题一、判断下列说法是否正确,凡对的在括号内打“√”,否则打“×”。
(1)现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。
( )(2)阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,( )它只能放大交流信号。
( )(3)直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响,( )它只能放大直流信号。
( )(4)只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
( )(5)互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )解:(1)×(2)√√(3)√×(4)×(5)√二、现有基本放大电路:A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
(1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ,电压放大倍数大于3000,第一级应采用,第二级应采用。
(2)要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300,第一级应采用,第二级应采用。
(3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ,电压放大倍数数值大于100,第一级应采用,第二级应采用。
(4)要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用,第二级应采用。
(5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且1000io >I U A ui ,输出电阻R o <100,第一级应采用 ,第二级应采用 。
解:(1)A ,A (2)D ,A (3)B ,A (4)D ,B (5)C ,B三、选择合适答案填入空内。
(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳定 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。
A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容(3)选用差分放大电路的原因是 。
《模拟电子技术基础》习题答案

模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案1.1.在图题1.1所示的各电路图中E =5V ,t u i ωsin 10=V ,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解:(a )图:当i u > E 时,o u = E ,当i u < E 时,i o u u =。
(b )图:当i u < E 时,o i u u =;当i u > E 时,E u o =。
(c )图:当i u < E 时,E u o =;当i u > E 时,i o u u =。
(d )图:当i u > E 时,i o u u =;当i u < E 时,E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2.有两个稳压管D Z1和D Z2,其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ,正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ,3V ,6V ,9V 和14V 几种稳定电压,问这两个稳压管(还有限流电阻)应如何连接?画出各个电路。
解:各电路图如图所示。
(a)0.5V ;(b)3V ;(c)6V ;(d)9V ;(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3.在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光,为什么?U图题1.3解:若输入电压U I =1.0V ,发光二极管不发光,因为发光二极管正向工作电压为2~2.5V 。
1.4.光电二极管在电路中使用时,是正向连接还是反向连接?解:光电二极管在电路中使用时,是反向连接,因为光电二极管工作在反偏状态,它的反向电流随光照强度的增加而上升,用于实现光电转换功能。
1.5.某二极管的管壳标有电路符号,如图所示,已知该二极管是好的,万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示,(1)在测二极管的正向电阻时,两根表笔如何连接?(2)在测二极管的反向电阻时,两根表笔又如何连接?(3)两次测量中哪一次指针偏转角度大?偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大?图题1.5解:(1)在测二极管的正向电阻时,黑表笔接正极,红表笔接负极。
模拟电子技术基础(王淑娟、于泳)全部课后答案(高等教育出版社)

模拟电子技术答案第2章【2-1】填空:1.本征半导体是,其载流子是和。
两种载流子的浓度。
2.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于,而少数载流子的浓度则与有很大关系。
3.漂移电流是在作用下形成的。
4.二极管的最主要特征是,与此有关的两个主要参数是和。
5.稳压管是利用了二极管的特征,而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种,它们分别是、、、和。
6.某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳压管的稳压值将。
1.完全纯洁的半导体,自由电子,空穴,相等。
2.杂质浓度,温度。
3.少数载流子,(内)电场力。
4.单向导电性,正向导通压降U F和反向饱和电流I S。
5.反向击穿特性曲线陡直,反向击穿区,稳定电压〔U Z〕,工作电流〔I Emin〕,最大管耗〔P Zmax〕和动态电阻〔r Z〕6.增大;【2-2】试分析图电路,计算电位器调节端对地的输出电压范围。
+12V12图题2-2电路图解:二极管的正向特性曲线,当电流较大时,比较陡直,也具有一定的稳压特性。
此题就是利用二极管的正向特性来获得比较稳定的低的直流电压值。
可以从其他电源转换而来,例如图中的±12V直流电源,比通过电阻降压要好。
两个二极管正偏工作,a、b二点间的电压为。
330W的电位器跨接在a、b二点之间,a点是,b点是-。
U o对地电压的调节范围-~,电位器的中点是0V。
【2-3】电路如下图,二极管均为理想二极管,电压U为220V市电,L1、L2和L3为3个灯泡,请分析哪个灯泡最亮。
123图题2-3电路图[解] 根据题意,电压U 为220V 交流市电,故该电路的分析应该从正半周和负半周两个方面进行。
在正半周,D 2导通,L 2被短路,D 1和D 3截止,L 1和L 3各分得电压110V ;在负半周,D 1和D 3导通,L 1和L 3被短路,L 2上承受220V 电压;故L 2灯最亮。
【2-4】在图2.10.3电路中,U 1和U 2分别为大小合适的电源,U 1>0、U 2<0。
《模拟电子技术基础》(国防工业出版社)课后习题答案

〖题1.1〗 (1)杂质浓度,温度(2)呈电中性,呈电中性(3)等于,大于,变窄,小于,变宽(4)反向击穿(5)增大,增大,减小(6)左移,上移,加宽(7)、发射结,集电结(8)一种载流子参与导电,两种载流子参与导电,压控,流控。
〖题1.2〗 二极管电路如图T1.2所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出端电压O U 。
设二极管的导通压降为V 7.0=D U 。
图 T1.2(a )(b )(d )(c)解:(a )U O =U A -U D =-5V -0.7V=-5.7V (b )U O =U B =U C =-5V (c )U O =U A =-0.7V (d )U O =U A =-9.3V〖题1.3〗 二极管电路如图T1.3 (a) 所示,已知(m V )sin 10i t u ω= ,V 2.1=E ,+-Du Di D 8图 T1.3(a)(b)Ω=100R ,电容C 和直流电源E 对交流视为短路,二极管的伏安特性曲线如图T1.3(b)所示,求二极管两端的电压和流过二极管的电流。
解: m A )sin 92.15(d D D t i I i ω+=+=V)sin 01.07.0(d D D t u U u ω+=+=〖题1.4〗 设图T1.4中的二极管D 为理想二极管,试通过计算判断它们是否导通?。
(a)(b)图 T1.4解:(a) A 4110(20)9V 4614U =-⨯+-⨯=-++ B A B 52010V,55U U U =-⨯=->+, 二极管导通;(b) A 2510(15)4V 218520U =-⨯+-⨯=-++B A B 1151V,114U U U =-⨯=-<+, 二极管截止。
〖题1.5〗 在图T1.5所示电路中,已 知ωt(V)sin 10=i u ,二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
分别画出它们的输出波形和传输特性曲线)(=i O u f u 。
模拟电子技术基本教程课后习题答案

《模拟电子技术基础简明教程》课后习题答案第一章1-1 二极管的正向电阻愈小愈好,反向电阻愈大愈好。
1-7 ① I Z =14mA ② I Z =24mA ③ I Z =17mA1-13 (a )放大区(b )截止区(c )放大区(d )饱和区(e )截止区(f )临界饱和(g )放大区(h )放大区1-15 (a )NPN 锗管(b )PNP 硅管第二章2-1 (a )无(b )不能正常放大(c )有(d )无(e )有(f )无(g )无(h )不能正常放大(i )无2-7 ②U BQ =3.3V ,I CQ = 2.6mA ,U CEQ =7.2V2-8①饱和失真2-10 ① I BQ = 10μA ,I CQ = 0.6mA ,U CEQ ≈3V②r be = 2.6k Ω③uA =-51.7,R i ≈2.9k Ω, R o =5k Ω 2-11 先估算Q 点,然后在负载线上求Q 点附近的β,最后估算r be 、 u A 、R i 、R o ,可得r be ≈1.6k Ω,uA =-80.6,R i =0.89k Ω, R o =2k Ω 2-14 ① I BQ = 20μA ,I CQ = 1mA ,U CEQ ≈6.1V②r be = 1.6k Ω,uA =-0.94,R i =84.9k Ω, R o =3.9k Ω 2-16 ① I BQ ≈10μA ,I CQ = 1mA ,U CEQ ≈6.4V②r be = 2.9k Ω,当R L =∞时,R e /= R e ∥R L = 5.6k Ω,uA ≈0.99; 当R L =1.2k Ω时,R e /= R e ∥R L = 0.99k Ω,uA ≈0.97。
③当R L =∞时,R i ≈282k Ω;当R L =1.2k Ω时,R i ≈87k Ω ④R o ≈2.9k Ω2-19 (a )共基组态(b )共射组态(c )共集组态(d )共射组态(e )共射-共基组态第三章3-2 如︱u A ︱=100,则20lg ︱uA ︱=40dB; 如20lg ︱u A ︱=80dB,则︱uA ︱=10000。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)

第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。
二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。
( × )2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。
( √ )3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。
(× )4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。
( × )5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。
( √ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。
( × )7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
(× )三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压; V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=,则)V (2.11594T V T =,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1eTV V>>,于是TV V s eI I ⋅=,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1eTV V <<,于是s I I -≈,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。
模拟电子技术基础课后习题答案 童诗白

第一章半导体基础知识自测题一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、U O1≈1.3V U O2=0U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V四、U O1=6V U O2=5V五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE=20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =−====−=R I U I I R U I βU O =U CE =2V 。
2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以Ω≈−====−=k 4.45V μA 6.28mA86.2V BBEBB b CB cCESCC C I U R I I R U I β七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。
习题1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3u i 和u o 的波形如图所示。
1.4u i 和u o 的波形如图所示。
ttt1.5u o 的波形如图所示。
1.6I D =(V -U D )/R =2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。
1.7(1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。