《微电子器件》第三版习题讲解

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微电子器件基础第七章习题解答

Pt电位低于N型半导体电位，半导体表面形成N型阻挡层
4、
N A 1017 cm3 , 4.13eV
P型硅功函数 Ws Eg EFp E

Ws

Eg
E0 Ec
p0 N A N e E Fp

E Fp E k 0T
E Fp E
N 6 1018 E k 0T ln 0.026ln 0.11eV 17 NA 10
Al电位高于N型半导体电位，半导体表面形成N型反阻挡层
不考虑界面态，与Au接触的接触电势差，
VD
WAu Ws 5.2 4.2 1.0V q q
Au电位低于N型半导体电位，半导体表面形成N型阻挡层
不考虑界面态，与Pt接触的接触电势差，
VD
WPt Ws 5.43 4.2 1.23V q q
Al-Cu
Au-Cu W-Al
( EF )m
Cu-Ag
Al-Au Mo-W Au-Pt
VD 0.32V VD 0 VD 1.02V VD 0.29V VD 0.23V
VD 0.12V Al电位高于Cu电位 VD 0.9V Cu电位高于Au电位
5、
Wm 2.5eV
红光波长 760 nm ，对应光子能量，
6.625 1034 3 108 h 1.63eV Wm 9 19 760 10 1.6 10 hc
红光照射金属时，不能从金属中激发光电子到真空中。
紫光波长 430 nm ，对应光子能量，
6.625 1034 3 108 h 2.89eV Wm 9 19 430 10 1.6 10 hc

微电子器件原理习题讲解1

（c）正向有源区时BE结正偏，BC结反偏，此时注意BE结和BC结能带的变化和电场大小的变化。
参考《晶体管原理与设计》第3章
10.5*、（a）一个双极晶体管工作于正向有源区，基极电流iB=6.0μ A，集电极电流iC=510μ A。计算β ，α 和iE。（b）对于iB=50μ A，iC=2.65mA，重复（a）。
7、多晶硅发射极晶体管的优越性？
扩散晶体管： 1.器件纵向尺寸按比例减少，当发射结结深XjE减小到 200nm以下时， XjE小于发射区少子的扩散长度，这将导致基极电流增大，电流增益下降。 2.纵向尺寸按比例减少，基区宽度减少，这将导致穿通现象发生。虽然解决这个问题可以使用增加基区掺杂浓度的方法，但是这将引起晶体管电流放大倍数的下降。
(2)
0
XB=1m
将各数值代入公式可得基区电子浓度梯度为：2.25×1015cm-4
（2）基区电子浓度为理想化的线性分布，集电极电流可以以扩散电流的形式如下扩散系数及AE 均为已知将各参数值代入得Ic=0.647μ A
(4)
dnB I C qDn ABE dx
（3）基极电流分两部分，基区注入发射区的空穴和基区少子电子和多子空穴的复合。理想情况下忽略后者。

2 ( PP / DnBnieB )dx
②、浅发射区
0

0
-WE
2 2 ( N E / DPE nieE )dx N E ( WE ) / nieE ( WE ) S P

WB
0
2 ( PP / DnB nieB )dx
影响因素：发射区掺杂浓度；发射区中空穴扩散长度DPE和基区中电子扩散长度；准中性基区和发射区宽度；发射区空穴扩散系数；发射区空穴表面复合速率SP；基区空穴浓度；重掺杂效应下发射区和基区中有效本证载流子浓度和发射区本证载流子浓度。

电子科技大学《微电子器件》课程重点与难点

重点与难点第1章半导体器件基本方程一般来说要从原始形式的半导体器件基本方程出发来求解析解是极其困难的，通常需要先对方程在一定的具体条件下采用某些假设来加以简化，然后再来求其近似解。

随着半导体器件的尺寸不断缩小，建立新解析模型的工作也越来越困难，一些假设受到了更大的限制并变得更为复杂。

简化的原则是既要使计算变得容易，又要能保证达到足够的精确度。

如果把计算的容易度与精确度的乘积作为优值的话，那么从某种意义上来说，对半导体器件的分析问题，就是不断地寻找具有更高优值的简化方法。

要向学生反复解释，任何方法都是近似的，关键是看其精确程度和难易程度。

此外，有些近似方法在某些条件下能够采用，但在另外的条件下就不能采用，这会在后面的内容中具体体现出来。

第2章PN结第2.1节PN结的平衡状态本节的重点是PN结空间电荷区的形成、内建电势的推导与计算、耗尽区宽度的推导与计算。

本节的难点是对耗尽近似的理解。

要向学生强调多子浓度与少子浓度相差极其巨大，从而有助于理解耗尽近似的概念，即所谓耗尽，是指“耗尽区”中的载流子浓度与平衡多子浓度或掺杂浓度相比可以忽略。

第2.2节PN结的直流电流电压方程本节的重点是对PN结扩散电流的推导。

讲课时应该先作定性介绍，让学生先在大脑中建立起物理图象，然后再作定量的数学推导。

当PN结上无外加电压时，多子的扩散趋势正好被高度为qV b.的势垒所阻挡，电流为零。

外加正向电压时，降低了的势垒无法阻止载流子的扩散，于是构成了流过PN结的正向电流。

正向电流的电荷来源是P区空穴和N区电子，它们都是多子，所以正向电流很大。

外加反向电压时，由于势垒增高，多子的扩散变得更困难。

应当注意，“势垒增高”是对多子而言的，对各区的少子来说，情况恰好相反，它们遇到了更深的势阱，因此反而更容易被拉到对方区域去，从而构成流过PN结的反向电流。

反向电流的电荷来源是少子，所以反向电流很小。

本节的难点是对有外加电压时势垒区两旁载流子的运动方式的理解、以及电子（空穴）电流向空穴（电子）电流的转化。

微电子器件基础第六章习题解答课件

垒区
电子扩
N 中
散性
区区
反向小注入下，P区接电源负极，N区接电源正极，势垒区电场强度增加，空间电荷增加，势垒区边界向中性区推进。
势垒区与N区交界处空穴被势垒区强电场驱向P 区，漂移通过势垒区后，与P区中漂移过来的空穴复合。中性N区平衡空穴浓度与势垒区与N区交界处空穴浓度形成浓度梯度，不断补充被抽取的空穴，对PN结反向电流有贡献。
注入空穴在N区与势垒区交界处堆积，浓度比N区平衡电子浓度高，形成浓度梯度，产生流向中性N区的空穴扩散流，扩散过程中不断与中性N区漂移过来的电子复合，经过若干扩散长度后，全部复合。
3、解、
VR
P
N
IR
n p0 np
pn0
pn
xp 0 x n
x
JR(JpJn)
Jp
Jn
P空
中穴势
性区
扩散区
k0T q
2 i
np
2
npp1Ln
1
nLp
kq0Tnpi212
n p
1
pLn
1
nLp
kq0Tbb1i22

5、解、硅突变PN结，
n 5 c ,p m 1 1 6 s ;0 p 0 . 1 c ,n m 5 1 6 s 0
N区、P区多子浓度， nn0nq 1n51.611 0 1913 59.0 31104 cm 3 pp0pq 1p0.11.61 1 0 19501 0.31107 cm 3
正向小注入下，忽略势垒区复合和表面复合，空穴电流密度等于势垒区与空穴扩散区交界处的空穴扩散电流密度，电子电流密度等于势垒区与电子扩散区交界处电子扩散电流密度，
Jp qDp ddpn xx xxn qDp pLnp0ekq0TV1 Jn qD n ddnp xx xxp qD n nLpn0ekq0TV1

微电子器件期末复习题含答案

52、在高频下，基区渡越时间 b 对晶体管有三个作用，它们是：
（复合损失使小于 1β0*
小于 1）、
（时间延迟使相位滞后）和（渡越时间的分散使|βω*|减小）
。
53、基区渡越时间 b 是指（从发射结渡越到集电结所需要的平均时间）
。当基区宽度加
倍时，基区渡越时间增大到原来的（2）倍。
54、晶体管的共基极电流放大系数随频率的（增加）而下降。当晶体管的下
比例增大，使注入效率下降。
微电子器件（第三版）陈星弼
电子科技大学中山学院/——4
陈卉/题目王嘉达/答案
答案为个人整理，如有错误请仔细甄别！厚德博学求是创新
34、发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（注入效率）
，反
而会使其（下降）
。造成发射区重掺杂效应的原因是（发射区禁带变窄）和（俄歇
（提高）基区掺
杂浓度。[P90]
47、比较各击穿电压的大小时可知，BVCBO（大于）BVCEO ，BVCBO（远大于）BVEBO。
48、要降低基极电阻 rbb ，应当（提高）基区掺杂浓度，
（提高）基区宽度。
49、无源基区重掺杂的目的是（为了降低体电阻）
。
微电子器件（第三版）陈星弼
电子科技大学中山学院/——5
降到（
0
）时的频率，称为的截止频率，记为（
2
f
）。
55、晶体管的共发射极电流放大系数随频率的（增加）而下降。当晶体管的下
降到
1
0 时的频率，称为的（截止频率），记为（ f ）。

2
56、当 f f 时，频率每加倍，晶体管的降到原来的（½）

微电子器件 (附答案) (第三版)

kT ln ND= NA
q
ni2
=q 1.6 ×10−19 C,= εS 1.045×10−12 F cm ,
代入 | Emax |中，得：| Em= ax | 1.52 ×104 V cm
shanren
0.757 V,
8、(1)
N
I
P
−xi1 − xn −xi1 0 xi2
xi2 + xp
在 N型区，= dE1 dx
shanren
6、
ND2
ND1
由平衡时多子电流为零
Jn
=
qDn
dn dx
+
qµn nE
=
0
得： E =− Dn ⋅ 1 ⋅ dn =− kT ⋅ 1 ⋅ dn =− kT ⋅ d ln n
µn n dx
q n dx
q dx
∫ Vbi
= − ND1 Edx ND2
= kT ln n | q
ND1 ND2
− Emax
+
E
(
x)
= q N
εs
D
x
当 x = xn 时，E(x) = 0，因此
Emax
=
−q
εs
ND xn ，于是得：
E ( x=)
q
εs)
ND
(0 ≤ x ≤ xn )
shanren
（2-5a）
3、
(1)
Vbi
= kT ln N q
A ND ni2
= 0.026× ln
5 ×1032 2.25 ×1020
2
=
3.40×10−5 cm
shanren
4、

微电子器件基础题13页word文档

微电子器件基础题13页word文档“微电子器件”课程复习题一、填空题1、若某突变PN 结的P 型区的掺杂浓度为163A 1.510cm N -=?，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（）和（）。

2、在PN 结的空间电荷区中，P 区一侧带（负）电荷，N 区一侧带（正）电荷。

内建电场的方向是从（N ）区指向（P ）区。

3、当采用耗尽近似时，N 型耗尽区中的泊松方程为（）。

由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。

4、PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（短），内建电场的最大值就越（大），内建电势V bi 就越（大），反向饱和电流I 0就越（小），势垒电容C T 就越（），雪崩击穿电压就越（低）。

5、硅突变结内建电势V bi 可表为（），在室温下的典型值为（0.8）伏特。

6、当对PN 结外加正向电压时，其势垒区宽度会（减小），势垒区的势垒高度会（降低）。

7、当对PN 结外加反向电压时，其势垒区宽度会（变宽），势垒区的势垒高度会（增高）。

8、在P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p 与外加电压V 之间的关系可表示为（）。

若P 型区的掺杂浓度173A 1.510cm N -=?，外加电压V = 0.52V ，则P 型区与耗尽区边界上的少子浓度n p 为（）。

9、当对PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（高）；当对PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（低）。

10、PN 结的正向电流由（空穴扩散Jdp ）电流、（电子扩散电流Jdn ）电流和（势垒区复合电流Jr ）电流三部分所组成。

11、PN 结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（多子）；PN 结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（少子）。

12、当对PN 结外加正向电压时，由N 区注入P 区的非平衡电子一边向前扩散，一边（复合）。

《微电子器件》题集

《微电子器件》题集一、选择题（每题2分，共20分）1.下列哪种材料常用于制造微电子器件中的晶体管？A. 硅（Si）B. 铜（Cu）C. 铝（Al）D. 铁（Fe）2.在CMOS逻辑电路中，哪种类型的逻辑门在输入为高电平时导通？A. NAND门B. NOR门C. AND门D. OR门3.以下哪个参数描述的是二极管的电流放大能力？A. 击穿电压B. 反向电流C. 电流放大系数D. 截止频率4.在集成电路制造中，哪种工艺步骤用于定义晶体管和其他元件的几何形状？A. 氧化B. 扩散C. 光刻D. 金属化5.MOSFET器件中，栅极电压对沟道电流的控制是通过什么机制实现的？A. 欧姆定律B. 量子隧穿效应C. 电场效应D. 热电子发射6.下列哪项技术用于减小集成电路中的寄生电容和电阻？A. SOI技术B. BICMOS技术C. CMOS技术D. TTL技术7.在半导体存储器中，DRAM与SRAM相比，主要缺点是什么？A. 成本高B. 速度慢C. 需要定期刷新D. 功耗高8.下列哪种类型的二极管常用于微波电子器件中？A. 肖特基二极管B. 光电二极管C. 变容二极管D. 整流二极管9.集成电路的特征尺寸越小，通常意味着什么？A. 集成度越低B. 性能越差C. 功耗越高D. 制造成本越高10.在半导体工艺中，哪种掺杂技术用于形成P-N结？A. 离子注入B. 扩散C. 外延生长D. 氧化二、填空题（每空2分，共20分）1.在CMOS逻辑电路中，当输入信号为低电平时，PMOS晶体管处于______状态，而NMOS晶体管处于______状态。

2.二极管的正向电压超过一定值时，电流会急剧增加，这个电压值称为二极管的______电压。

3.在集成电路制造中，______步骤用于形成晶体管的栅极、源极和漏极。

4.MOSFET器件的沟道长度减小会导致______效应增强，从而影响器件的性能。

5.DRAM存储单元由一个晶体管和一个______组成。

模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)

第1章常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。

试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。

1、两个管子都正接。

（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。

模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)

第1章常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。

1、两个管子都正接。

（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。

模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)

第1章常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。

1、两个管子都正接。

（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。

《微电子器件》大学题集

《微电子器件》题集一、选择题（每题2分，共20分）1.微电子技术的核心是基于哪种材料的半导体器件？（）A. 硅（Si）B. 锗（Ge）C. 砷化镓（GaAs）D. 氮化硅（Si₃N₃）2.在CMOS集成电路中，NMOS和PMOS晶体管的主要作用是？（）A. 分别实现逻辑“1”和逻辑“0”的输出B. 作为开关控制电流的通断C. 用于构成存储单元D. 提供稳定的电压基准3.下列哪项不是PN结二极管的主要特性？（）A. 单向导电性B. 击穿电压高C. 温度稳定性好D. 具有放大功能4.在MOSFET中，栅极电压对沟道电流的控制是通过什么机制实现的？（）A. 改变沟道宽度B. 改变耗尽层宽度C. 改变载流子浓度D. 改变源漏间电阻5.双极型晶体管（BJT）在放大区工作时，集电极电流与基极电流的比值称为？（）A. 放大倍数B. 电流增益C. 电压增益D. 功耗比6.下列哪种材料常用于制作微电子器件中的绝缘层？（）A. 二氧化硅（SiO₃）B. 氧化铝（Al₃O₃）C. 氮化硼（BN）D. 碳化硅（SiC）7.在集成电路制造过程中，光刻技术的关键步骤是？（）A. 涂胶B. 曝光C. 显影D. 以上都是8.下列哪项技术用于提高集成电路的集成度？（）A. 减小特征尺寸B. 增加芯片面积C. 使用更厚的衬底D. 降低工作温度9.微电子器件中的金属-氧化物-半导体（MOS）结构，其氧化物层的主要作用是？（）A. 提供导电通道B. 隔绝栅极与沟道C. 存储电荷D. 增强电场效应10.在CMOS逻辑电路中，静态功耗主要由什么因素决定？（）A. 漏电流B. 开关频率C. 逻辑门数量D. 电源电压与漏电流的共同作用二、填空题（每题2分，共20分）1.微电子器件的基本单元是_______，它通过控制_______来实现对电流的调控。

2.在PN结正向偏置时，_______区的多数载流子向_______区扩散，形成正向电流。

3.MOSFET的阈值电压是指使沟道开始形成_______的最小栅极电压。

习题及思考题[共4页]

模块一半导体器件基础29 源极、栅极的顺序进行，而拆卸时按相反顺序进行；测试时，测量仪器和电路本身都要良好接地，要先接好电路再去除电极之间的短接。

测试结束后，要先短接电极再撤除仪器。

⑤ 电源没有关时，绝对不能把场效应管直接插入到电路板中或从电路板中拔出来。

⑥ 相同沟道的结型场效应管和耗尽型MOS 场效应管在相同电路中可以通用。

【模块总结】1．半导体材料中有两种载流子：自由电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。

在纯净半导体中掺入不同的杂质，可以得到N 型半导体和P 型半导体；N 型半导体中多子是自由电子，P 型半导体中多子是空穴。

2．PN 结的基本特点是具有单向导电性，PN 结正向偏置导通、反向偏置截止。

3．二极管是由一个PN 结构成的，同样具有单向导电性。

其特性可以用伏安特性和一系列参数来描述。

伏安特性有正向特性、反向特性及反向击穿特性。

正向特性中有死区电压，硅二极管的死区电压约为0.5V ，锗二极管约为0.1V 。

反向特性中有反向电流，反向电流越小，单向导电性越好，反向电流受温度影响大。

反向击穿特性有反向击穿电压，二极管正常工作时其反向电压不能超过此值。

4．二极管可用于限幅、稳压、开关等电路。

稳压二极管稳压时，要工作在反向击穿区。

稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定工作电流、耗散功率等。

应用稳压管时，一定要配合限流电阻使用。

5．三极管是由两个PN 结构成的。

工作时，有两种载流子参与导电，因此又称为双极性晶体管。

三极管是一种电流控制电流型的器件，改变基极电流就可以控制集电极电流。

三极管实现电流放大和控制的内部条件是基区做得很薄且掺杂浓度低，发射区的杂质浓度较高，集电区的面积较大；外部条件是发射结要正向偏置，集电结反向偏置。

三极管的特性可用输入特性曲线和输出特性曲线来描述；其性能可以用一系列参数如电流放大系数、反向电流、极限参数等来表征。

三极管有3个工作区：饱和区、放大区和截止区，在饱和区发射结和集电结均正偏，在放大区发射结正偏、集电结反偏，在截止区两个结均反偏。

微电子器件__刘刚前三章课后答案剖析

课后习题答案1.1 为什么经典物理无法准确描述电子的状态？在量子力学中又是用什么方法来描述的？解：在经典物理中，粒子和波是被区分的。

然而，电子和光子是微观粒子，具有波粒二象性。

因此，经典物理无法准确描述电子的状态。

在量子力学中，粒子具有波粒二象性，其能量和动量是通过这样一个常数来与物质波的频率ω和波矢k 建立联系的，即k n ch p h E ====υωυ 上述等式的左边描述的是粒子的能量和动量，右边描述的则是粒子波动性的频率ω和波矢k 。

1.2 量子力学中用什么来描述波函数的时空变化规律？解：波函数ψ是空间和时间的复函数。

与经典物理不同的是，它描述的不是实在的物理量的波动，而是粒子在空间的概率分布，是一种几率波。

如果用()t r ,ψ表示粒子的德布洛意波的振幅，以()()()t r t r t r ,,,2ψψψ*=表示波的强度，那么，t 时刻在r 附近的小体积元z y x ∆∆∆中检测到粒子的概率正比于()z y x t r ∆∆∆2,ψ。

1.3 试从能带的角度说明导体、半导体和绝缘体在导电性能上的差异。

解：如图1.3所示，从能带的观点来看，半导体和绝缘体都存在着禁带，绝缘体因其禁带宽度较大(6~7eV)，室温下本征激发的载流子近乎为零，所以绝缘体室温下不能导电。

半导体禁带宽度较小，只有1~2eV ，室温下已经有一定数量的电子从价带激发到导带。

所以半导体在室温下就有一定的导电能力。

而导体没有禁带，导带与价带重迭在一起，或者存在半满带，因此室温下导体就具有良好的导电能力。

1.4 为什么说本征载流子浓度与温度有关？解：本征半导体中所有载流子都来源于价带电子的本征激发。

由此产生的载流子称为本征载流子。

本征激发过程中电子和空穴是同时出现的，数量相等，i n p n ==00。

对于某一确定的半导体材料，其本征载流子浓度为kT E V C i g e N N p n n ==002式中，N C ，N V 以及Eg 都是随着温度变化的，所以，本征载流子浓度也是随着温度变化的。

微电子器件原理习题讲解2

τb基区输运时间 τeBE结充电时间
τd集电结耗尽区渡越时间 τC集电结充电时间
很多同学分母为2Vs（参
考半导体物理与器件P29910.95式）
影响晶体管频率的主要是基区输运时间
13.3一个P沟道的硅JFET在300K时有如下掺杂浓度Nd=5×1018cm-3，Na=3×1016cm-3 。沟道厚度为a=0.5um。（a）估算内建夹断电压Vp0和夹断电压Vp。（b）计算VGS=1V，VDS等于以下值时最小未耗尽沟道厚度a-h：（i）VDS=0,（ii）VDS=2.5V，（iii）VDS=-5V
1、考虑一个理想的n沟MOSFET，参数为 L=1.25μ m，μ n=650cm2/vs，Cox=6.9×108F/cm2，Vt=0.05v，设计一沟道宽度使之满足Vgs=5v时，Id（sat）=4mA。
2、考虑一个n沟MOSFET，W=15μ m，L=2μ m， Cox=6.9×10-8F/cm2，假设非饱和区漏电流在Vds=0.10v固定不变时，Vgs=1.5v时， Id=35μ A；Vgs=2.5v时，Id=75μ A（1）确定反型层载流子的迁移率（2）求阈值电压
②、垂直功率MOSFET——VVMOS 优点：占面积小，克服了LDMOS利用率低的缺点；电流垂直流向，减少了表面态带来的影响；可以使用外延生长。缺点：刻蚀易沾污；由于尖端电场大，容易击穿；不利于集成；沟道电阻大，刻蚀工艺难度大，难以控制。
③、垂直漏U-MOSFET——UVMOS 优点：克服了V-MOS的尖端易击穿的缺点；电流在体内流动容易控制；电流容量大，可以使用外延生长。缺点：占面积大，不利于集成；沟道电阻大。
1、Two discrete MOSFET are interconnected in the manner shown here to create an inverting amplifier.The two devices are identical in every respect in the lateral dimension W and L. a.Draw an out-plane diagram and apply the principles of loadline-diagram construction to it so that the interaction of the device can be visualized. b.Demonstrate that the given circuit constitutes a linear amplifier by deriving an equation for ites small-signal voltage gain,Av=dVout/dVin. c.Explain graphically the linearity of this amplifier circuit by means of the loading diagram constructed above.

模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)

第1章常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。

1、两个管子都正接。

（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。