场效应管的应用和分类
场效应晶体管及其应用
其中IDO是uGS=2UGS(th)时的漏极电流。 漏源电压为
U DS U DD I D RD RS
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场效应管及应用
2.动态分析： （1）场效应晶体管的微变等效模型
16
场效应管及应用
（2）微变等效电路分析法： 1）电压放大倍数
U i U gs
U o I d ( RD // RL ) gmU gs ( RD // RL )
7
场效应管及应用
3、特性曲线
（1）转移特性曲线
图 a 所示为增强型 NMOS 管的转移特性曲线。
当uGS ＜UGS(th) 时，iD=0； 当 u GS ＞ U GS(th) 时，开始 产生漏极电流，并且随着 u G S 的增大而增大，因此 称之为增强型 NMOS 管。 漏极电流 i D 的大小符合下 列公式：
uDS 常数
(3) 极限参数
场效应晶体管的极限参数主要有漏源击穿电压 U(BR)DS、栅源击穿电压U(BR)GS和最大漏极耗散功 率PDM等。
10
场效应管及应用
*场效应管使用注意事项
(1) 在使用场效应晶体管时应注意漏源电压、漏源电流、栅 源电压、耗散功率等参数不应超过最大允许值。 (2) 场效应晶体管在使用中要特别注意对栅极的保护 。 (3)场效应晶体管的漏极和源极互换时，其伏安特性没有明 显的变化，但有些产品出厂时已经将源极和衬底连在一起 ，其漏极和源极就不能互换。 (4)场效应晶体管属于电压控制器件，有极高的输入阻抗， 为保持管子的高输入特性，焊接后应对电路板进行清洗。 (5) 在安装场效应晶体管时，要尽量避开发热元件，对于功 率型场效应晶体管，要有良好的散热条件，必要时应加装 散热器，以保证其能在高负荷条件下可靠地工作。
mos场效应管分类
mos场效应管分类MOS场效应管是一种重要的电子器件，广泛应用于各种电路中。
它由金属-氧化物-半导体构成，具有优良的放大特性和开关特性。
根据不同的工作模式和结构特点，MOS场效应管可以分为多种类型。
本文将对常见的几种MOS场效应管进行分类介绍。
1.增强型N沟道MOS场效应管（NMOS）增强型N沟道MOS场效应管是一种常见的MOS管。
它的基本结构由N型半导体材料构成，其中有一个P型掺杂区域作为沟道。
当给定一个正的门电压时，该电压会吸引P型掺杂区域的载流子，形成一个导电通道，从而实现电流的流动。
因此，NMOS管可以作为开关或放大器使用。
2.增强型P沟道MOS场效应管（PMOS）增强型P沟道MOS场效应管与NMOS管相反，它的基本结构由P 型半导体材料构成，其中有一个N型掺杂区域作为沟道。
当给定一个负的门电压时，该电压会吸引N型掺杂区域的载流子，形成一个导电通道，从而实现电流的流动。
因此，PMOS管也可以作为开关或放大器使用。
3.增强型双极性MOS场效应管（CMOS）增强型双极性MOS场效应管结合了NMOS和PMOS管的特点，由NMOS和PMOS管并联组成。
CMOS具有很高的抗干扰能力和低功耗特性，广泛应用于数字集成电路和微处理器等领域。
4.去耦MOS场效应管（DMOS）去耦MOS场效应管是一种特殊的MOS管，它主要用于功率放大器和开关器件中。
DMOS管具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，可以实现高功率输出。
5.隧道氧化物MOS场效应管（TOM）隧道氧化物MOS场效应管是一种特殊的MOS管，它的氧化层非常薄，可以实现电流的隧穿效应。
TOM管常用于存储器和传感器等应用中。
以上是几种常见的MOS场效应管分类。
每种MOS管都有自己独特的特点和应用领域。
了解不同类型的MOS管对于电子工程师和电路设计师来说是非常重要的，可以根据实际需求选择合适的MOS管来设计和优化电路。
同时，随着科技的不断发展，新型的MOS场效应管也在不断涌现，为电子技术的发展带来了更多的可能性。
2.3 场效应管及其应用与分析
2. 伏安特性
饱和漏极电流 夹断电压
饱和漏极电流
Ｏ
夹断电压
uGS 取正、负、零都可以，因此使用更方便。
当DNMOS管工作于放大区时，
– 3 O uGS /V
P 沟道结型FET
iD
/mA uGS
=
0
V
1V
2V
iD /mA IDSS UGS(off)
3V
O
－ uDS /V
O 3 uGS /V
当工作于放大区时,
iD
K (uGS
UGS(off) )2
IDSS (1
uGS U GS(off)
)2
例2.3.1
有四种场效应管，其输出特性或饱和区转移特性分别如 图所示，试判断它们各为何种类型管子？对增强型管， 求开启电压UGS(th) ；对耗尽型管，求夹断电压UGS ( off ) 和饱和漏极电流IDSS 。
型即 Metal－Oxide－Semiconductor
增强型
type Field Effect Transistor）
P沟道
耗尽型
2.3.1 MOS场效应管的结构、工作原理及伏安特性
一、N 沟道增强型 MOSFET 1. 结构与符号
简称NEMOS管
简化的结构示意图
2.3.1 MOS场效应管的结构、工作原理及伏安特性
IDQ=4mA 和IDQ＝1mA
由IDQ=4mA，得UGSQ= 4mA×2k= 8V，其值小于UGS(off) ， 对应的IDQ应为零，可见不合理，应舍弃。方程解应为
mos管 场效应管
mos管场效应管摘要：1.引言2.什么是MOS 管和场效应管3.MOS 管和场效应管的工作原理4.MOS 管和场效应管的特性比较5.MOS 管和场效应管的应用领域6.结论正文：MOS 管和场效应管是两种不同类型的半导体器件，它们都具有放大和开关等功能，广泛应用于各种电子设备中。
下面将从它们的定义、工作原理、特性比较和应用领域等方面进行详细介绍。
1.引言MOS 管（Metal-Oxide-Semiconductor Transistor，金属- 氧化物- 半导体晶体管）和场效应管（Field Effect Transistor，场效应晶体管）是两种常见的半导体器件，它们在现代电子设备中扮演着重要角色。
本文将对这两种器件进行详细解析，以帮助读者更好地理解它们的工作原理和应用。
2.什么是MOS 管和场效应管MOS 管是一种三端半导体器件，由金属导电层、氧化物绝缘层和半导体基片组成。
它的主要功能是控制电路中的电流流动，具有高输入阻抗、低噪声和低功耗等特点。
场效应管是一种四端半导体器件，由源极、漏极、栅极和衬底组成。
它的主要功能是通过改变栅极电势来调节源漏电流，具有响应速度快、驱动能力强和可控制的电流增益等特点。
3.MOS 管和场效应管的工作原理MOS 管的工作原理：当栅极施加正向电压时，栅极和源极之间的绝缘层上会形成一个正向电场。
这个电场可以吸引源极处的电子，使其向栅极方向运动。
如果这个电子流足够大，就会形成一个电流，从而导致MOS 管的导通。
场效应管的工作原理：当栅极施加正向电压时，栅极和源极之间的绝缘层上会形成一个正向电场。
这个电场会使得源极处的电子被吸引到靠近栅极的位置，从而减小源极和漏极之间的电阻。
如果栅极电压足够大，源漏电流将显著增加，从而导致场效应管的导通。
4.MOS 管和场效应管的特性比较MOS 管和场效应管在特性上有一定的差异。
MOS 管具有更高的输入阻抗、更低的工作电压和更小的功耗，但驱动能力较弱；而场效应管具有更强的驱动能力、更高的电流增益和更快的响应速度，但输入阻抗和功耗相对较差。
场效应管的作用、规格及分类
场效应管的作用、规格及分类1.什么叫场效应管？FET是Field-Effect-Transistor的缩写,即为场效应晶体管。
一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。
FET应用范围很广,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用FET替代。
然而，由于FET的特性与双极型晶体管的特性完全不同，能构成技术性能非常好的电路。
2. 场效应管的工作原理：(a) JFET的概念图(b) JFET的符号图1(b)门极的箭头指向为p指向 n方向，分别表示内向为n沟道JFET，外向为p沟道JFET。
图1（a）表示n沟道JFET的特性例。
以此图为基础看看JFET的电气特性的特点。
首先，门极-源极间电压以0V时考虑（VGS =0）。
在此状态下漏极-源极间电压VDS 从0V增加，漏电流ID几乎与VDS 成比例增加，将此区域称为非饱和区。
VDS 达到某值以上漏电流ID 的变化变小，几乎达到一定值。
此时的ID 称为饱和漏电流（有时也称漏电流用IDSS 表示。
与此IDSS 对应的VDS 称为夹断电压VP ，此区域称为饱和区。
其次在漏极-源极间加一定的电压VDS (例如0.8V)，VGS 值从0开始向负方向增加，ID 的值从IDSS 开始慢慢地减少，对某VGS 值ID =0。
将此时的VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压，用VGS (off)示。
n沟道JFET的情况则VGS (off) 值带有负的符号,测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难,在放大器使用的小信号JFET时,将达到ID=0.1-10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。
关于JFET为什么表示这样的特性，用图作以下简单的说明。
场效应管工作原理用一句话说，就是"漏极-源极间流经沟道的I，用以门D"。
电路中的场效应管有哪些种类和应用
电路中的场效应管有哪些种类和应用场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种常见的电子元件，广泛应用于各种电路中。
它基于电场效应来实现电流的控制和放大，具有高输入阻抗、低功耗和高频特性等优点。
本文将介绍电路中的场效应管的种类和应用。
一、场效应管的种类1. MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）MOSFET是最常见的场效应管种类之一，由金属氧化物半导体材料构成。
根据结构和工作模式的不同，MOSFET可分为两种类型：增强型MOSFET和耗损型MOSFET。
增强型MOSFET（Enhancement Mode MOSFET）通常处于截止状态，需要施加正向电压来打开通道。
它的主要特点是输入电阻高，适用于放大和开关电路。
耗损型MOSFET（Depletion Mode MOSFET）则相反，通常处于导通状态，需要施加负向电压来截止通道。
它具有低输入电阻和高输出电阻的特点，适用于特定的应用场景。
2. JFET（结型场效应管）JFET使用p-n结构构成，分为N沟道型JFET和P沟道型JFET两种。
N沟道型JFET的导电沟道为N型，需要施加负向电压来控制电流。
它的主要特点是低噪声、高输入阻抗和高放大倍数，常用于高频放大器和低噪声电路。
P沟道型JFET则相反，导电沟道为P型，需要施加正向电压来控制电流，适用于某些特殊的电路设计。
二、场效应管的应用1. 放大器场效应管有很好的放大特性，常用于放大信号。
通过调整输入电压，可以控制输出电流的变化，实现对信号的放大。
2. 开关由于场效应管的高输入阻抗和快速开关速度，可以用作开关元件，广泛应用于电源管理、逆变器和驱动电路等领域。
它的开关速度快，能够有效控制高频信号和脉冲信号。
3. 模拟开关场效应管还可以用作模拟开关，根据输入电压的变化，实现对模拟信号的切换和控制。
比如在音频信号中的应用，可以实现信号的选择、切换和调节。
4. 逻辑门场效应管可以组合成各种逻辑门电路，实现数字电路中的逻辑运算。
场效应管的种类、管脚排列、检测方法、使用注意事项
场效应管的种类、管脚排列、检测方法、使用注意事项场效应管的种类、管脚排列、检测方法、使用注意事项场效应管的种类：场效应管K1113 管脚排列图：MOS场效应管的检测方法:（1）．准备工作测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。
最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。
再把管脚分开，然后拆掉导线。
（2）．判定电极将万用表拨于R×100档，首先确定栅极。
若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G。
交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。
日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通，据此很容易确定S极。
（3）．检查放大能力（跨导）将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转。
双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。
为区分之，可用手分别触摸G1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。
目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。
MOS场效应晶体管使用注意事项：MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。
MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：（1）. MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。
也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装（2）.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。
（3）. 焊接用的电烙铁必须良好接地。
（4）. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS 器件焊接完成后在分开。
（5）. MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。
拆机时顺序相反。
（6）.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。
（7）. MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。
场效应管工作原理与应用
ID/mA VDS = VGS – VGS(th)
VGS = 5 V 4.5 V 4V 3.5 V
VGS > VGS(th)
V DS > VGS – VGS(th)
O
VDS /V
ID 只受 VGS 控制，而与 VDS 近似无关，表现出类似 三极管的正向受控作用。 考虑到沟道长度调制效应，输出特性曲线随 VDS 的增加略有上翘。
第3章
3.1
3.2 3.3
场效应管
MOS 场效应管
结型场效应管 场效管应用原理
1
概
述
场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件。
它体积小、工艺简单，器件特性便于控制，是目前制造
大规模集成电路的主要有源器件。
场效应管分类：
MOS 场效应管 结型场效应管
场效应管与三极管主要区别：
• 场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。 • 场效应管是单极型器件(三极管是双极型器件)。
2
3.1
MOS 场效应管
N 沟道(NMOS) P 沟道(PMOS)
增强型(EMOS)
MOSFET 耗尽型(DMOS)
N 沟道(NMOS) P 沟道(PMOS)
N 沟道 MOS 管与 P 沟道 MOS 管工作原理相似， 不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同，因此 导致加在各极上的电压极性相反。
O V –V GS GS(th)
VDS
曲线形状类似三极管输出特性。
9
MOSFET 工作原理：
利用半导体表面的电场效应，通过栅源电压 VGS 的变化，改变感生电荷的多少，从而改变感生沟道的 宽窄，控制漏极电流 ID 。 • MOS 管仅依靠一种载流子 ( 多子 ) 导电，故称单极 型器件。 • 三极管中多子、少子同时参与导电，故称双极型器件。
4368场效应管参数
4368场效应管参数一、什么是场效应管场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，它通过控制电场来控制电流。
它由源极、漏极和栅极三个电极组成，其中栅极与源极之间有一层绝缘层。
当在栅极上施加电压时，形成的电场会影响源漏之间的电流大小。
二、场效应管的分类1.按照结构分类（1）JFET：结型场效应管，由PN结构组成。
（2）MOSFET：金属氧化物半导体场效应管，由金属-氧化物-半导体结构组成。
（3）IGBT：绝缘栅双极晶体管，由NPN三极管和MOSFET组合而成。
2.按照工作方式分类（1）增强型：在栅源间施加正电压时才能使漏源之间有较大的漏电流。
（2）耗尽型：在栅源间施加负电压时才能使漏源之间有较小的漏电流。
三、场效应管参数1.静态参数（1）IDSS：零偏压下最大漏电流。
（2）VGS(off)：栅源截止电压，即当栅极电压为0时，漏极电流为IDSS时的源极漏极电压。
（3）Vp：钳位电压，即当漏极电流为0时，栅源电压的值。
（4）RDS(on)：导通时的漏源阻抗。
2.动态参数（1）输入电容CISS：栅源之间的输入电容。
（2）输出电容COSS：漏源之间的输出电容。
（3）反向传输系数Crss：栅源之间和漏源之间的反向传输系数。
四、场效应管应用场效应管广泛应用于放大、开关、调节等各种领域，如：1.音频放大器2.功率放大器3.开关模式稳压器4.直流-直流变换器5.信号调制解调器6.计算机内存芯片和微处理器等数字集成电路中的开关元件。
五、场效应管的优缺点1.优点：（1）输入阻抗高，对信号源影响小；（2）噪声低；（3）体积小、重量轻；（4）可靠性高、寿命长；（5）功耗低；（6）工作频率高。
2.缺点：（1）灵敏度低；（2）漏电流大；（3）温度稳定性差；（4）静态工作点易受外界因素影响。
六、场效应管的选型在选择场效应管时，需要考虑以下几个方面：1.工作电压和电流：选择合适的工作电压和电流范围。
11n90e场效应管参数
11n90e场效应管参数摘要：1.场效应管的基本概念与分类2.11n90e场效应管的主要参数3.11n90e场效应管的性能特点与应用领域4.如何选择合适的11n90e场效应管5.总结正文：一、场效应管的基本概念与分类场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种根据半导体材料的载流子浓度变化来实现信号放大和开关功能的器件。
根据导电类型和结构的不同，场效应管可分为两类：金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。
二、11n90e场效应管的主要参数1.器件型号：11n90e2.沟道材质：氮化镓（GaN）3.栅氧层厚度：10nm4.栅极电压范围：-10V至+10V5.电流容量：10A/cm6.开关速度：10GHz7.线性度：10%8.输入阻抗：1MΩ9.输出阻抗：10Ω10.额定功率：30W三、11n90e场效应管的性能特点与应用领域1.高频性能：11n90e场效应管具有较高的开关速度，适用于高频、高速电子设备。
2.高功率密度：11n90e场效应管具有较高的电流容量，可在较小的封装尺寸内实现高功率输出。
3.低失真：11n90e场效应管具有较低的线性度，可实现高品质信号传输。
4.广泛应用于射频、无线通信、光通信等领域。
四、如何选择合适的11n90e场效应管1.根据电路需求选择器件型号：不同型号的11n90e场效应管具有不同的性能参数，需根据实际应用场景进行选择。
2.确定工作电压和电流：根据电路设计要求，选择合适的工作电压和电流容量的场效应管。
3.考虑开关速度和线性度：高开关速度和低线性度有利于提高电路的工作效率和性能。
4.考虑封装和尺寸：根据电路板空间和散热需求，选择合适的封装尺寸。
五、总结11n90e场效应管作为一种高性能的半导体器件，在射频、无线通信、光通信等领域具有广泛的应用。
在实际应用中，根据电路需求选择合适的11n90e场效应管，可以提高电路的性能和稳定性。
mos场效应管
mos场效应管MOS场效应管是半导体功率放大器的最重要的部件。
它拥有良好的低噪声特性，被广泛应用于声音、视频、电视和通讯系统中，以改善系统整体质量和增强系统性能。
MOS场效应管在20世纪60年代末由乔治斯坦和罗伯特比尔森发明，他们的研究证实了MOSFET在微型晶体管无源功率放大器中的重要性。
MOS场效应管是在现今的半导体部件中最重要的，它可以提供高输出功率、低噪声、低热量、低电压差应用中精确控制，并且是高效耐用的，具有对电磁污染抗拒性，可以实现更加可靠的电源供应系统。
MOS场效应管有两种类型：一种是增加型MOSFET，另一种是减少型MOSFET。
增加型MOSFET是电源输出或增益控制系统中的主要组件，它可以控制输出级的电流，从而控制输出功率；减少型MOSFET则控制输出级的电压，从而控制输出功率。
MOSFET在制造过程中采用的是活性元件的技术，这种技术在这种类型的MOS场效应管中拥有更好的性能，更突出的特性和更高的效率。
另外，由于MOSFET的占用空间小，因此，系统整体布局也能够得到更好的优化。
MOS场效应管有许多用途，尤其在频率控制和驱动系统中特别有用，它可以被用来驱动各种负载，包括电机、电磁阀、电热元件等等，在此之外，它还可以用作开关、变压器和发动机控制系统等等。
MOS场效应管的研究工作还在不断的深入开发，使它的性能变得更好、使用寿命更长、低噪声性能更强、功耗更低，同时又具有较强的抗干扰能力。
MOS场效应管不仅应用于传统的电源放大器，而且也可以应用于新兴的智能电源放大器，其中，电源放大器可以根据环境参数和输入的电压、电流值来实现自适应的输出，这样可以实现更快速的控制效果，抗干扰性更强，从而使整个系统的使用寿命更长。
从技术的角度看，MOS场效应管的发展推动了智能电源放大器的发展，更好的抗干扰性能和更精确的控制精度使它们在智能驱动、高精度检测、采集放大等领域发挥着重要作用。
总之，MOS场效应管是一种具有重要作用的半导体器件，它可以广泛应用于各种系统，并且可以提供良好的质量和性能。
场效应管代换大全
场效应管代换大全场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，它具有电压控制电流的特性，因此在电子设备中有着广泛的应用。
在实际应用中，有时候我们需要根据特定的要求选择不同种类的场效应管进行代换。
本文将为大家介绍场效应管的代换大全，希望能够帮助大家更好地理解和应用场效应管。
首先，我们要了解场效应管的分类。
按照不同的工作原理，场效应管可以分为三种类型，MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）、JFET（结型场效应管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）。
每种类型的场效应管都有其特定的特性和应用场景，因此在代换时需要根据具体情况进行选择。
接下来，我们将分别介绍不同类型场效应管的代换原则。
首先是MOSFET的代换。
MOSFET主要分为N沟道MOSFET和P沟道MOSFET两种。
在代换时，需要根据电压、电流和功率等参数来选择合适的型号。
一般来说，N沟道MOSFET具有低电阻和高开关速度的特点，适合用于功率放大和开关控制；而P 沟道MOSFET则适合用于负载开关和电源反相器。
其次是JFET的代换。
JFET主要分为N沟道JFET和P沟道JFET两种。
N沟道JFET具有高输入阻抗和低噪声的特点，适合用于放大器和高频电路；而P沟道JFET则适合用于信号开关和混频器等电路。
在代换时，需要考虑输入输出阻抗、电压和频率等参数，选择合适的型号进行替换。
最后是IGBT的代换。
IGBT是一种集成了MOSFET和双极型晶体管特点的器件，具有高电压、高电流和高速度的特点，适合用于大功率开关和变频控制。
在代换时，需要考虑电压容忍度、开关速度和损耗等参数，选择合适的型号进行替换。
总的来说，场效应管的代换需要根据具体的应用场景和要求来进行选择。
在选择时，需要考虑电压、电流、功率、频率、阻抗等参数，并且要充分了解代换器件的特性和性能指标。
希望本文介绍的场效应管代换大全能够帮助大家更好地应用场效应管，提高电子设备的性能和可靠性。
场效应管的分类和作用
场效应管的分类和作用
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称.由多数载流子参加导电,也称为单极型晶体管.它属于控制型器件.
特点:
具有输入高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、平安工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.
场效应管的作用
1、场效应管可应用于放大。
因为场效应管的输入阻抗很高，因此耦合
可以容量较小，不必用法电解。
2、场效应管很高的输入阻抗十分适合作阻抗变换。
常用于多级放大器
的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以便利地用作恒流源。
5、场效应管可以用作开关。
场效应管的测试
1、结型场效应管的管脚识别：
场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分离对应于晶体管的放射极和集电极。
将置于R×1k档，用两表笔分离测量每两个管脚间的正、反向电阻。
当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数K Ω时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。
对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（用法中接地）。
2、判定栅极
用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分离碰触另外两个电极。
若两次测出的阻值都很小，解释均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
创造工艺打算了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换用法，并
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场效应管分类与特点
场效应管分类与特点
第一条：场效应管有结型场效应管和绝缘栅型场效应管之分呀！就像苹果和香蕉都是水果但却不一样。
结型场效应管呢，就好比是一辆老汽车，虽然技术不那么新了，但可靠得很呐！它在一些特定的电路里可好用啦，比如在某些小功率放大电路中，那真是稳定发挥呀。
第二条：哎呀，绝缘栅型场效应管那可牛了！这里面又分成增强型和耗尽型呢。
增强型就像是一支潜力股，一旦给它机会，它就能爆发超强的力量。
比如在那些对性能要求高高的电路里，它就能大显身手！耗尽型则像个经验丰富的老手，一直默默奉献着。
第三条：嘿，你们知道吗，场效应管的特点那可不少！它的输入阻抗高得吓人，就如同是一座坚固的城堡，外界干扰很难攻进来呀。
这意味着啥？意味着信号传输更准确呀，不会被杂讯干扰，多棒啊！
第四条：还有呢，场效应管的噪声小得不得了！这就像是在图书馆里一样安静。
在一些对噪声要求特别严格的场合，它可太合适了，简直是不二之选。
第五条：哇塞，场效应管的温度稳定性也超好诶！不管环境温度怎么变，它都能稳稳地工作，像个坚定的战士。
就说在那些温度变化大的环境中，它依然能可靠运行，多厉害呀！
第六条：哈哈，场效应管的开关速度也很快哦！就像闪电一样迅速。
在那些需要快速切换的电路里，它能瞬间完成任务，这效率，杠杠的！
第七条：总之啊，场效应管的分类和特点可太重要啦！它在电子世界里就像是一个个各具特色的英雄，在不同的领域发挥着自己的专长。
我们可得好好了解它们，才能让它们更好地为我们服务呀！
我的观点结论：场效应管真的是电子领域中不可或缺的重要元件，了解它的分类与特点对我们深入学习电子技术意义重大。
场效应管
场效应管百科名片场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。
由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。
它属于电压控制型半导体器件。
具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
目录基本特点工作原理主要参数型号命名主要作用试验测试分类简介测量方法基本特点工作原理主要参数型号命名主要作用试验测试分类简介测量方法∙判断方法∙产品特性∙电气特性∙参数符号∙注意事项∙使用优势∙应用领域∙应用特点展开编辑本段基本特点场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有如下特点：场效应管（1）场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID；（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
编辑本段工作原理场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID”。
更正确地说，ID 流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。
在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很场效应管大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。
从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。
将这种状态称为夹断。
这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。
场效应管的应用和分类
图 3.6 N沟道增强型MOS管工作原理
3) 特性曲线 （1） N沟道增强型绝缘栅场效应管的转移特性曲线如图3.7(a)所示。 在uGS≥UGS（th）时, iD与uGS的关系可用下式表示:
(3. 4)
其中ID0是uGS=2UGS（th）时的iD值。 （2） N沟道增强型绝缘栅场效应管的输出特性曲线 如图3.7（b）所示。
02
(3. 2)
03
(3. 3)
04
图 3.4 N沟道结型场效应管输出特性曲线
3.1.2绝缘栅型场效应管 1. 增强型绝缘栅场效应管的结构及工作原理 1) 结构及符号 2) 工作原理
图 3.5增强型MOS管结构及符号图 (a) N沟道结构图; (b) N沟道符号; (c) P沟道符号
(3. 13) 3.2.2 共漏放大电路 漏放大电路又称源极输出器。 电路如图3.15所示。由图3.15（b）可得:
(3. 1)
图3.2 N沟道结型场效应管工作原理
图3.3 N沟道结型场效应管转移特性曲线
输出特性 输出特性是指栅源电压uGS一定, 漏极电流iD与漏极电压uDS之间的关系, 即
01
在UGS(off)≤uGS≤0的范围内, 漏极电流iD与栅极电 压uGS的关系为
图 3.10 场效应管共源放大电路
(3. 8)
01
(3. 7) 由于栅极电阻上无直流电流, 因而
02
图 3.11分压偏置式共源放大电路
场效应管放大电路的静态工作点可用式（3.4）或式（3.5）与式（3.7）或式（3.8）联立求出UGSQ和IDQ,漏源电压UDSQ由下式求得:
动态分析
(3. 9)
1
2
3.1 场效应管
01
a69t 场效应管 参数
a69t 场效应管参数摘要：1.场效应管的基本概念2.场效应管的分类及特点3.场效应管的主要参数4.场效应管的应用领域5.场效应管的选购与使用注意事项正文：场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，根据其工作原理和结构特点，可以分为金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等。
场效应管具有高输入电阻、低噪声、低功耗等优点，广泛应用于放大、开关、调制、电源等领域。
场效应管的主要参数包括：1.栅极电压（Vgs）：栅极电压是控制场效应管导通的关键参数，当栅极电压大于阈值电压（Vth）时，场效应管导通。
2.阈值电压（Vth）：阈值电压是场效应管导通的临界电压，当栅极电压大于阈值电压时，场效应管导通。
3.漏极电流（Id）：漏极电流是场效应管导通时，漏极与源极之间的电流。
4.跨导（gm）：跨导是场效应管的输入参数，表示栅源电压变化时，漏极电流的变化率。
5.输入电阻（Rin）：输入电阻是场效应管的输入端电阻，具有较高的值，可以减小外部电路对输入信号的影响。
在选购场效应管时，需要根据实际应用场景选择合适的类型和参数。
使用场效应管时，应注意以下几点：1.确保场效应管的工作电压和电流在允许范围内，避免过载。
2.选择合适的栅极电阻，以减小栅极电流对场效应管性能的影响。
3.合理布局电路，减小电磁干扰，保证场效应管的稳定性。
4.注意散热，场效应管在工作过程中会产生一定的热量，需要及时散热以保证其正常工作。
5.定期检查场效应管的性能，如发现异常，及时更换或维修。
总之，场效应管作为一种重要的半导体器件，在电子电路中具有广泛的应用。
n沟道场效应管 g极保护 稳压二极管
n沟道场效应管、g极保护和稳压二极管在电子领域中扮演着重要的角色。
它们在电路设计和电子设备中起到了关键作用。
本文将就这些主题展开探讨，并结合实际案例，帮助读者更深入地了解它们的原理、应用和意义。
1. n沟道场效应管n沟道场效应管（n-channel field-effect transistor，简称nMOS），是一种常用的场效应管，广泛应用于数字集成电路和模拟集成电路中。
它是一种三端设备，由门极、漏极和源极组成。
nMOS的工作原理是利用外加电压对n型场效应管的导电能力进行控制。
当门极施加正电压时，会形成电场，使得漏极和源极之间的导电能力发生变化，从而实现电流的控制。
在实际应用中，nMOS常用于数字电路的开关、放大器和存储器等方面。
在CPU中，nMOS被广泛应用于逻辑门的设计，可实现高速、低功耗的逻辑运算。
另外，nMOS还可以组成存储单元，用于实现数据的存储和读取。
2. g极保护g极保护，是指在电路中对极间电容的保护措施。
在集成电路中，由于晶体管内部的结构和工作原理，极间存在电容。
而当电路工作时，极间电容会受到外部干扰，产生电荷累积，进而影响电路的正常工作。
为了解决这一问题，工程师们提出了各种g极保护方法，如电容隔离、电磁屏蔽、增加接地等。
通过这些措施，可以有效降低极间电容的影响，保证电路的可靠性和稳定性。
3. 稳压二极管稳压二极管是一种特殊的二极管，它具有稳定电压的特性。
在电子电路中，稳压二极管可以用来限制电压的变化范围，保护其他器件不受过压的损害。
它的工作原理是当电路中的电压超过设定值时，稳压二极管会自动打开，将多余的电压流入地，以保持电路的稳定工作状态。
在电源和信号处理电路中，稳压二极管被广泛应用。
例如在无线终端充电器中，稳压二极管可以用来保护电池免受过充和过放的损害；在音频放大器中，稳压二极管可以用来稳定电源电压，减少噪音和失真。
总结回顾通过对n沟道场效应管、g极保护和稳压二极管的讨论，我们可以看到这些器件在电子领域中的重要性。
mt2301场效应管参数
mt2301场效应管参数摘要：1.场效应管的基本概念与分类2.场效应管的主要参数及其意义3.MT2301场效应管的详细参数4.MT2301场效应管的应用领域及优缺点5.如何在实际电路中选用和使用MT2301场效应管正文：场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，根据导电方式可分为金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等。
场效应管具有高输入电阻、低噪声、低失真等优点，广泛应用于放大、开关、调制、功率控制等领域。
MT2301是一款MOSFET场效应管，其详细参数如下：1.漏极电流（ID）：在一定栅极电压下，流过漏极的电流。
MT2301的ID 最大值为200μA（典型值）。
2.栅极阈值电压（Vgs阈）：在场效应管导通时，栅源电压需要达到此值。
MT2301的Vgs阈约为2-4V。
3.漏极电压（Vds）：在场效应管正常工作时，漏极电压与源极电压之间的电压差。
MT2301的Vds最大值为10V。
4.输入阻抗（Zin）：在场效应管输入端，栅源之间的阻抗。
MT2301的Zin高达10^9Ω。
5.输出阻抗（Zout）：在场效应管输出端，漏极与源极之间的阻抗。
MT2301的Zout约为100Ω。
6.热稳定性：在场效应管工作过程中，温度对器件性能的影响。
MT2301的热稳定性良好，可在-55℃至150℃的温度范围内正常工作。
MT2301场效应管的应用领域主要包括：1.放大器：利用场效应管的高输入电阻和低噪声特性，构建放大器电路，如音频放大器、无线通信放大器等。
2.开关和调制：场效应管具有高速响应和低失真特性，适用于高频开关和调制电路，如脉冲宽度调制（PWM）电路。
3.功率控制：场效应管具有较低的导通电阻，可用于功率控制电路，如电池充电控制器、电机驱动器等。
在实际电路中选用和使用MT2301场效应管时，应注意以下几点：1.正确选择栅极驱动电路：根据电路需求，选择合适的栅极驱动电路，以确保场效应管正常工作。
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U I R
GS
DS
R
g2
U U U U I R GS
G
S
DD
Ds
R R g1
g2
(3. 7) (3. 8)
Rg1，Rg2：栅极 分压电阻使栅极获 得合适的工作电压
Rg1
C1 ＋ ＋
Rg3
ui Rg2
－
Rd ＋C2
＋UDD ＋
＋
Rs
Cs
uo
－
栅极电阻：用来 提高输入电阻
图 3 .1 1
图 3.11分压偏置式共源放大电路
g di m
D
u 常数 DS
duGS
(3. 6)
2． 1） 结型效应管可用万用表判别其管脚和性能的优劣。
（1） 管脚的判别 （2） 质量判定
2） 注意事项 （1） MOS管栅、 源极之间的电阻很高, 使得栅极的 感应电荷不易泄放, 因极间电容很小, 故会造成电压过 高使绝缘层击穿。
（2） 有些场效应晶体管将衬底引出, 故有4个管脚, 这种管子漏极与源极可互换使用。
i u f ( D
) u gs
常数
ds
(3. 1)
iD d
－ UGG
＋
g
－
P
uGS ＋
P N
S
＋
Rd
＋
uDS
－ UDD
－
图3.2 N沟道结型场效应管工作原理
iD / m A
IDSS 5 4
3
uDS=12 V 2
1 UGS(o ff )
－4 －3 －2 －1 0
uGS/V
图3.3 N沟道结型场效应管转移特性曲线
uDS/V
3.1.3
1．
1） 夹断电压UGS（off）或开启电压UGS（th
2） 饱和漏极电流IDSS
3） 漏源击穿电压U（BR）DS
4) 栅源击穿电压U（BR）GS
5） 直流输入电阻RGS
6） 最大耗散功率PDM
7） 跨导gm
在uDS为定值的条件下, 漏极电流变化量与引起这个 变化的栅源电压变化量之比, 称为跨导或互导, 即
u (
i I U D
DO
GS 1)2
GS(th )
(3. 4)
其中ID0是uGS=2UGS（th）时的iD值。 （3.7（b）所示。
iD / m A 4 3
2 uDS＝ 10 V
1
0
2
4
6
UGS(th)＝ 3 V
(a)
iD / m A 5
6V 4
3
2
1
8 uGS / V
0
5V
24
4V
3V 6 8 10 12 14 16 18 uDS / V
(b)
图3.7N （a） 转移特性;
（b） 输出特性
2.
图3.8为N沟道耗尽型场效应管的结构图。 其结构与增 强型场效应管的结构相似, 不同的是这种管子在制造时, 就在二氧化硅绝缘层中掺入了大量的正离子。
恒流区(放大区)
uDS＝ 0 V
4可 变 电
3阻 区
2
－1 V
击
穿
－2 V
区
－3 V
1
－4 V
0
2 4 6 8 10 12 14 16 18
uDS / V
夹断区
图 3.4 N沟道结型场效应管输出特性曲线
3.1.2 1. 增强型绝缘栅场效应管的结构及工作原理
1)
2)
s
g
d
SiO2
N＋
N＋
d
d
P型硅衬底
g s
g s
衬底引线
(a)
(b)
(c)
图 3.5增强型MOS
(a) N沟道结构图; (b) N沟道符号; (c) P沟道符号
UDD
d
s
UGG
g
iD
N＋
N＋
P型 硅 衬 底
图 3.6 N沟道增强型MOS管工作原理
3)
（1） N沟道增强型绝缘栅场效应管的转移特性曲线 如图3.7(a)所示。 在uGS≥UGS（th）时, iD与uGS的关系可用 下式表示:
(3. 5)
iD / m A
iD / m A
12
12
uGS= 2 V
10
10
uDS= 常数
8
6
4 IDSS
2 UG S(o ff ) －5 －4 －3 －2 －1 0
(a)
uGS / V
8
1V
6
0V 4
2
－3 V
－1 V －2 V
0 2 4 6 8 10 12 14 16
(b)
图3.9N （a） 转移特性; （b） 输出特性
第3章 场效应管及其应用
• 3.1 场效应管及其应用 • 3.2 场效应及其放大电路
3.1 场效应管
场效应管按结构分为结型场效应管和绝缘栅型场 效应管两类。
3.1.1 1. 结型场效应管的结构及工作原理
1) 如图3.1( a )所示, 在一块N型硅半导体两侧制作 两个P型区域, 形成两个PN结, 把两个P型区相连后引出 一个电极, 称为栅极, 用字母G(或g)表示。
g 栅极
d 漏极 耗尽层
d
P
P
N
g
g
s
s 源极
(a)
(b)
图 3.1
(a) 结构; (b) N沟道结型场效应管符号; (c) P沟道结型场效应
d s (c)
2) 图3.2表示的是结型场效应管施加偏置电压后的接 线图。
2． 特性曲线 场效应管的特性曲线分为转移特性曲线和输出特 性曲线。
1)
在uDS一定时, 漏极电流iD与栅源电压uGS之间的关系 称为转移特性。 即
s
g
d
＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋
N＋
N＋
P型硅衬底
d
g s
d
g s
衬底引线 (a)
(b)
(c)
图3.8耗尽型MOS (a) N沟道结构图; （b） N沟道符号; （c） P沟道符号
在uGS≥ UGS（off）时, iD与uGS的关系可用下式表示:
u (1
i I U D
DSS
GS )2
GS(off )
场效应管放大电路的静态工作点可用式（3.4）或 式（3.5）与式（3.7）或式（3.8）联立求出UGSQ和IDQ, 漏源电压UDSQ由下式求得:
（3） 使用场效应管时各极必须加正确的工作电压。
（4） 在使用场效应管时, 要注意漏源电压、 漏源 电流及耗散功率等, 不要超过规定的最大允许值。
3.2 场效应管及其放大电路
与三极管一样, 根据输入、 输出回路公共端选 择不同, 将场效应管放大电路分成共源、 共漏和共 栅三种组态。 本节主要介绍常用的共源和共漏两种 放大电路。
在UGS(off)≤uGS≤0的范围内, 漏极电流iD与栅极电
压uGS的关系为
u (1
i I U D
DSS
GS )2
GS(off )
(3. 2)
2) 输出特性是指栅源电压uGS一定, 漏极电流iD与 漏极电压uDS之间的关系, 即
i u f ( D
) u DS
常数
GS
(3. 3)
iD / m A 5
3.2.1 1.
栅极电阻：将Rs压降 加至栅极
＋
＋
C1
ui
Rg
－
＋UDD
Rd ＋
漏极电阻：将漏 极电流转换成漏 极电压，并影响 放大倍数Au
＋
C2
＋
uo
Rs
Cs
－
源极电阻：利用 IDQ在其上的压降为 栅源极提拱偏压
旁路电容：消除Rs对 交流信号的衰减
图 3.10 场效应管共源放大电路
由于栅极电阻上无直流电流, 因而