内存芯片命名规则
DDR命名规则
现代内存编号规则一、DDR SDRAM：选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。
虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。
我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。
这种最新上市的DDR 500原厂现个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。
究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：1．HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。
三星NAND FLASH命名规则
三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下：第1位.Memory(K)第2位.NAND Flash:9第3位.Small Classification(SLC:Single Level Cell,MLC:Multi Level Cell,SM:SmartMedia,S/B:Small Bl ock)1:SLC1Chip XD Card2:SLC2Chip XD Card4:SLC4Chip XD CardA:SLC+Muxed I/F ChipB:Muxed I/F ChipD:SLC Dual SME:SLC DUAL(S/B)F:SLC NormalG:MLC NormalH:MLC QDPJ:Non-Muxed OneNandK:SLC Die StackL:MLC DDPM:MLC DSPN:SLC DSPQ:4CHIP SMR:SLC4DIE STACK(S/B)S:SLC Single SMT:SLC SINGLE(S/B)U:2STACK MSPV:4STACK MSPW:SLC4Die Stack第4~5位.Density（注：实际单位应该是bit，而不是Byte）12:512M16:16M28:128M32:32M40:4M56:256M64:64M80:8M1G:1G2G:2G4G:4G8G:8GAG:16GBG:32GCG:64GDG:128G00:NONE第6~7位.organization 00:NONE08:x816:x16第8位.VccA:1.65V~3.6VB:2.7V(2.5V~2.9V)C:5.0V(4.5V~5.5V)D:2.65V(2.4V~2.9V)E:2.3V~3.6VR:1.8V(1.65V~1.95V) Q:1.8V(1.7V~1.95V)T:2.4V~3.0VU:2.7V~3.6VV:3.3V(3.0V~3.6V)W:2.7V~5.5V,3.0V~5.5V 0:NONE第9位.Mode0:Normal1:Dual nCE&Dual R/nB 4:Quad nCE&Single R/nB 5:Quad nCE&Quad R/nB 9:1st block OTPA:Mask Option1L:Low grade第10位.GenerationM:1st GenerationA:2nd GenerationB:3rd GenerationC:4th GenerationD:5th Generation第11位."─"第12位.PackageA:COBB:TBGAC:CHIP BIZD:63-TBGAE:TSOP1(Lead-Free,1217) F:WSOP(Lead-Free)G:FBGAH:TBGA(Lead-Free)I:ULGA(Lead-Free)J:FBGA(Lead-Free)K:TSOP1(1217)L:LGAM:TLGAN:TLGA2P:TSOP1(Lead-Free)Q:TSOP2(Lead-Free)R:TSOP2-RS:SMART MEDIAT:TSOP2U:COB(MMC)V:WSOPW:WAFERY:TSOP1第13位.TempC:CommercialI:IndustrialS:SmartMediaB:SmartMedia BLUE0:NONE(Containing Wafer,CHIP,BIZ,Exception handling code)3:Wafer Level3第14位.Bad BlockA:Apple Bad BlockB:Include Bad BlockD:Daisychain SampleK:Sandisk BinL:1~5Bad BlockN:ini.0blk,add.10blkS:All Good Block0:NONE(Containing Wafer,CHIP,BIZ,Exception handling code)第15位.NAND-Reserved0:Reserved第16位.Packing Type- Common to all products,except of Mask ROM- Divided into TAPE&REEL(In Mask ROM,divided into TRAY,AMMO Packing Separately)【举例说明】1.Memory(K)2.NAND Flash:93.Small Classification(SLC:Single Level Cell,MLC:Multi Level Cell,SM:SmartMedia,S/B:Small Block)G:MLC Normal4~5.DensityAG:16G(Note:这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB)6.Technology0:Normal(x8)anization0:NONE8:x88.VccU:2.7V~3.6V9.Mode0:Normal10.GenerationM:1st Generation11."─"12.PackageP:TSOP1(Lead-Free)13.TempC:Commercial14.Customer Bad BlockB:Include Bad Block15.Pre-Program Version0:None整体描述就是：K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V~3.6V，x8（即I/O是8位），大小是2GB（16Gb），TSOP1封装。
芯片命名规则
IC命名规则是每个芯片解密从业人员应当了解和掌握的IC基础知识，一下详细地列出了IC 命名规则，希望对你的芯片解密工作有所帮助。
一个完整的IC型号一般都至少必须包含以下四个部分：◆.前缀（首标）-----很多可以推测是哪家公司产品◆.器件名称----一般可以推断产品的功能（memory可以得知其容量）◆.温度等级-----区分商业级，工业级，军级等◆.封装----指出产品的封装和管脚数有些IC型号还会有其它内容：◆.速率-----如memory，MCU，DSP，FPGA等产品都有速率区别，如-5，-6之类数字表示◆.工艺结构----如通用数字IC有COMS和TTL两种，常用字母C，T来表示◆.是否环保-----一般在型号的末尾会有一个字母来表示是否环抱，如Z，R，+等◆.包装-----显示该物料是以何种包装运输的，如tube，T/R，rail，tray等◆.版本号----显示该产品修改的次数，一般以M为第一版本◆.该产品的状态举例：EP 2C70 A F324 C 7 ES ：EP-altera公司的产品；2C70-CYCLONE2系列的FPGA；A-特定电气性能；F324-324pin FBGA封装；C-民用级产品；7-速率等级；ES-工程样品MAX 232 A C P E + ：MAX-maxim公司产品；232-接口IC；A-A档；C-民用级；P-塑封两列直插；E-16脚；+表示无铅产品详细的型号解说请到相应公司网站查阅。
IC命名和封装常识IC产品的命名规则：大部分IC产品型号的开头字母，也就是通常所说的前缀都是为生产厂家的前两个或前三个字母，比如：MAXIM公司的以MAX为前缀，AD公司的以AD为前缀，ATMEL公司的以AT为前缀，CY公司的以CY为前缀，像AMD，IDT，LT，DS，HY这些公司的IC产品型号都是以生产厂家的前两个或前三个为前缀。
但也有很生产厂家不是这样的，如TI的一般以SN，TMS，TPS，TL，TLC，TLV等字母为前缀；ALTERA（阿尔特拉）、XILINX（赛灵斯或称赛灵克斯）、Lattice（莱迪斯），称为可编程逻辑器件CPLD、FPGA。
各种品牌存储IC简单命名介绍
各种品牌存储IC简单命名介绍存储颗粒主要有这样的一些品牌：美国的Micron（美光）、德国的Infineon （英飞凌）；韩国的SAMSUNG（三星）、HY（现代）；日本的NEC（日本电气）、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(东芝)；台湾的EilteMT、ESMT （晶豪）、EtronTech（钰创）、Winbond（华邦）、Mosel（茂矽）、Vanguard （世界先进）、Nanya（南亚）。
有的品牌现在已经没有被采用了，只有在SDRAM时代采用过，有的品牌在DDR 时代采用的也不多了。
显存种类主要分SD和DDR两种，有时候，他们可以从编号上区分，DDR的可能会注明“D”，SDRAM的注明“S”或者其他字母。
另外主要从管角数量上来区分，以TSOP封装来说，SDRAM的管脚数量是27x2＝54，DDR 的管脚数量为33X2=66。
美光（Micron）图1 美光芯片颗粒美光是美国第一大、全球第二大内存芯片厂商，目前显卡厂商采用它显示芯片较少，它主要供应内存OEM商，下面用上图的实例对Micron（美光）颗粒编号的简单含义作介绍：MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。
48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。
LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
8M8——内存颗粒容量为8M。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
颗粒编号MT 48LC8M8A2 TG-75，从编号上的48很容易知道这是SDRAM颗粒，采用TSOP封装方式，速度为7.5ns，单颗粒为8M，位宽8bit。
亿恒（In fineon）图2 Infineon（亿恒）颗粒Infineon是德国西门子的一个分公司，它主要生产内存颗粒。
目前，Infineon在全球排名已经跃居为第四位，超过了韩国的Hynix。
内存芯片型号
三星内存颗粒目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。
由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。
三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。
这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。
Samsung-NAND-FLASH命名规则
三星的pure nand flash〔就是不带其他模块只是nand flash存储芯片〕的命名规那么如下：1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : Smart Media, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed OneNandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack4~5. Density〔注：实际单位应该是bit，而不是Byte〕12 : 512M16 : 16M28 : 128M32 : 32M40 : 4M56 : 256M64 : 64M80 : 8M1G : 1G2G : 2G4G : 4G8G : 8GAG : 16GBG : 32GCG : 64GDG : 128G00 : NONE6~7. Organization00: NONE08: x816: x168. VccA : 1.65V~3.6VB : 2.7V (2.5V~2.9V)C : 5.0V (4.5V~5.5V)D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)E : 2.3V~3.6VR : 1.8V (1.65V~1.95V)Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)T : 2.4V~3.0VU : 2.7V~3.6VV : 3.3V (3.0V~3.6V)W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. "─"12. PackageA : COBB : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free)G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free)J : FBGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217)L : LGAM : TLGAN : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)S : SMART MEDIAT : TSOP2U : COB (MMC)V : WSOPW : WAFERY : TSOP113. TempC : CommercialI : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)3 : Wafer Level 314. Bad BlockA : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 1~5 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately) 【举例说明】K9GAG08U0M 详细信息如下:1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)G : MLC Normal4~5. DensityAG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB)0 : Normal (x8)7. Organization0 : NONE 8 : x88. VccU : 2.7V~3.6V9. Mode0 : Normal10. GenerationM : 1st Generation11. "─"12. PackageP : TSOP1 (Lead-Free)13. TempC : Commercial14. Customer Bad BlockB : Include Bad Block15. Pre-Program Version0 : None整体描述就是：K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V~3.6V，x8〔即I/O是8位〕，大小是2GB〔16Gb〕，TSOP1封装。
内存条上文字及字母标识的含义
内存条上文字及字母标识的含义一、SamSUng内存具体含** 释：例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0主要含义：第 1 位——芯片功能K ，代表是内存芯片。
第 2 位——芯片类型4，代表DRAM 。
第 3 位——芯片的更进一步的类型说明，S 代表SDRAM 、H 代表DDR、G 代表SGRAM 。
第4、 5 位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A 代表64Mbit 的容量；28、27、2A 代表128Mbit 的容量；56、55、57、5A 代表256Mbit 的容量；51 代表512Mbit 的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08 代表8位数据；16代表16位数据；32 代表32 位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns; 70为7ns；7B为7.5ns(CL=3); 7C 为7.5ns(CL=2); 80 为8ns；10 为10ns(66MHz)°知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR 内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0 颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”表该颗粒是128MbitS ,第6、7位“08”表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128MbitS (兆数位)×16 片/8bits=256MB (兆字节)。
注：“bit为数位” “B w字节“byte,” 一个字节为8位则计算时除以&关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存，每8 片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8 位的ECC 校验码。
通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。
常用内存命名规则
常用内存命名规则常见内存芯片命名2010-06-08 21:13:23| 分类：个人日记| 标签：|字号大中小订阅三星（Samsung）内存具体含义解释：例：SAMSUNGK4S283232E-TC60 SDRAMK4H280838B-TCB0 DDRK4T51163QE-HCE6 DDR2K4B1G164E-HCE7 DDR3主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
9代表NAND FLASH第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、T代表DDR2、B代表DDR3、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A 代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit 的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C 为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC 校验码。
nandflash及闪存命名规则大全（三星，海力士，美光等）U盘存储技术
nandflash及闪存命名规则大全（三星，海力士，美光等）U盘存储技术nandflash命名规则大全（三星，海力士，美光等）今天找三星闪存资料,发现了他的命名规则,发上来与大家分享下.三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下：1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed OneNandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack4~5. Density（注：实际单位应该是bit，而不是Byte）12 : 512M16 : 16M28 : 128M32 : 32M40 : 4M56 : 256M64 : 64M80 : 8M1G : 1G2G : 2G4G : 4G8G : 8GAG : 16GBG : 32GCG : 64GDG : 128G00 : NONE6~7. organization00 : NONE08 : x816 : x168. VccA : 1.65V~3.6VB : 2.7V (2.5V~2.9V)C : 5.0V (4.5V~5.5V)D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)E : 2.3V~3.6VR : 1.8V (1.65V~1.95V)Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)T : 2.4V~3.0VU : 2.7V~3.6VV : 3.3V (3.0V~3.6V)W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. "─"12. PackageA : COBB : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free)G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free)J : FBGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217)L : LGAM : TLGAN : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)R : TSOP2-RS : SMART MEDIAT : TSOP2U : COB (MMC)V : WSOPW : WAFERY : TSOP113. TempC : CommercialI : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)3 : Wafer Level 314. Bad BlockA : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 1~5 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately)【举例说明】K 9 G A G 0 8 U 0 M - P C B 01 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 1 5 16 17 18K9GAG08U0M 详细信息如下:1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)G : MLC Normal4~5. DensityAG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB)6. Technology0 : Normal (x8)7. Organization0 : NONE 8 : x88. VccU : 2.7V~3.6V9. Mode0 : Normal10. GenerationM : 1st Generation11. "─"12. PackageP : TSOP1 (Lead-Free)13. TempC : Commercial14. Customer Bad BlockB : Include Bad Block15. Pre-Program Version0 : None整体描述就是：K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V~3.6V，x8（即I/O是8位），大小是2GB（16Gb），TSOP1封装。
内存命名规则
内存条可以通过查看内存颗粒的型号来确认其容量大小。
下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。
三星内存颗粒目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。
由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。
三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。
这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit 的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit 的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
东芝闪存芯片编号规则
东芝闪存芯片编号规则一、引言随着计算机技术的不断发展，存储器件也在不断更新换代。
闪存芯片作为一种常见的存储器件，其编号规则也是我们需要了解的重要内容之一。
本文将详细介绍东芝闪存芯片编号规则。
二、东芝闪存芯片编号规则概述东芝闪存芯片的编号规则是由数字和字母构成的组合。
其中，数字表示容量大小，字母表示产品系列和工艺等信息。
下面将详细介绍这些内容。
三、容量大小东芝闪存芯片的容量大小以G为单位进行表示。
其中，1G=1024MB=1048576KB=1073741824Byte。
以下是常见容量大小和对应的编号：1. 2GB：TC58NVG0S3ETA002. 4GB：TC58NVG1S3ETA003. 8GB：TC58NVG2S0ETA004. 16GB：TC58NVG3S0ETA005. 32GB：TC58NVG4S0ETA006. 64GB：TC58NVG5S0ETA00四、产品系列东芝闪存芯片产品系列主要有以下几种：1. T：代表该产品系列为TLC（Triple Level Cell）型号。
2. M：代表该产品系列为MLC（Multi Level Cell）型号。
3. S：代表该产品系列为SLC（Single Level Cell）型号。
五、工艺等信息东芝闪存芯片的工艺等信息主要包括以下几种：1. NV：代表该芯片采用NAND Flash技术。
2. G：代表该芯片采用64Gbit NAND Flash技术。
3. 0：代表该芯片采用0.09μm工艺。
六、示例以TC58NVG2S0ETA00为例，其中“TC”表示东芝闪存芯片的产品系列为TLC型号，“58”表示容量大小为8GB，“NV”表示采用NAND Flash技术，“G”表示采用64Gbit NAND Flash技术，“2”表示该产品系列的第二代产品，“S”表示该产品系列为SLC型号，“0”表示采用0.09μm工艺，“ETA00”是东芝闪存芯片的生产批次信息。
eeprom芯片的命名规则 -回复
eeprom芯片的命名规则-回复EEPROM芯片的命名规则电可擦除可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，简称EEPROM），作为一种存储数据的芯片，在电子设备的各种应用领域起着重要作用。
EEPROM芯片的命名规则是根据其性能和特征来命名的，下面将一步一步对其进行详细解析。
一、EEPROM的基本概念EEPROM，全称为Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，中文翻译为电可擦写可编程只读存储器。
与传统只读存储器相比，EEPROM具有可擦写特性，可以重复存储和擦除数据。
EEPROM通常被用于存储微控制器和其他电子设备中的重要数据，如参数配置、校准数据、用户设置等。
二、EEPROM芯片的命名规则在电子器件领域，芯片的命名规则一般采用一系列的规范和标准。
EEPROM芯片的命名规则主要按照以下几个方面进行命名：1. 容量（Capacity）EEPROM芯片的容量是决定其数据存储能力的重要指标，容量越大则存储的数据量越大。
常见的容量大小通常以位数（bit）或字节数（byte）表示，如1Kbit、4Kbit，或者以Mbit、Gbit为单位表示，如32Mbit、64Gbit 等。
2. 供电电压（Voltage）EEPROM芯片需要稳定的电压供应才能正常工作，供电电压是芯片需要的电压范围。
一般而言，常见的供电电压有3.3V、5V等，这也是设备设计中需要特别注意的一个参数。
3. 接口类型（Interface Type）EEPROM芯片的接口类型决定了它与其他设备之间的通信方式。
常见的接口类型有串行接口（如I2C、SPI）和并行接口（如8位或16位数据总线）。
不同的接口类型适用于不同场景的应用，可以根据具体需求进行选择。
4. 数据传输速率（Transfer Rate）数据传输速率是指EEPROM芯片进行读写操作时的速度，通常以MHz（兆赫）或MB/s（兆字节每秒）为单位。
芯片组命名规则
芯片组命名规则引言：芯片组是计算机硬件的重要组成部分，其命名规则旨在提供清晰、简洁的命名方式，以便用户能够准确地识别和选择适合自己需求的芯片组。
本文将介绍芯片组命名规则的原则和常见的命名方式。
一、命名原则：1. 品牌和系列：芯片组命名通常包含品牌和系列信息，以便用户能够迅速识别出芯片组的制造商和所属系列。
例如，Intel的芯片组命名常以"Intel"开头，后面跟随系列名称，如"Intel H310"。
2. 功能特性：芯片组的命名还会体现其主要功能特性，以便用户能够根据需求选择合适的芯片组。
例如，"Intel Z490"中的"Z"代表主板超频能力，而"H310"中的"H"则代表主板性能较低。
3. 代数编号：芯片组的命名中常包含代数编号，用于区分不同版本的芯片组。
例如，"Intel H310"和"Intel H410"中的"H310"和"H410"分别代表不同的代数编号。
二、常见的命名方式：1. 品牌+系列+代数编号：这是最常见的芯片组命名方式，通过将品牌、系列和代数编号组合在一起，提供了清晰的命名信息。
例如，"AMD B450"中的"AMD"代表品牌，"B"代表系列，"450"代表代数编号。
2. 品牌+功能特性+系列：这种命名方式将重点放在芯片组的功能特性上，以便用户能够快速了解芯片组的主要特点。
例如，"Intel Z490"中的"Intel"代表品牌，"Z"代表主板超频能力，"490"代表系列。
3. 品牌+系列+功能特性：这种命名方式与前一种方式相反，将系列放在了功能特性之前，以强调芯片组的系列信息。
芯片命名规则
芯片命名规则芯片命名规则是指在芯片设计和生产过程中，给芯片赋予一个唯一的名称。
芯片命名规则的制定是为了方便识别、管理和销售芯片，同时也为芯片设计者和制造商提供了一种规范和统一的命名方式。
下面是对芯片命名规则的详细介绍。
首先，芯片命名规则通常根据芯片的功能、属性和型号进行命名。
功能是指芯片在电子产品中起到的作用，如处理器、存储器、接口等；属性是指芯片的性能、特点和用途，如高速、低功耗、多核等；型号是指芯片的具体型号和规格，如A系列、B系列、2G、4G等。
命名规则会综合考虑这些因素，根据芯片的特性和用途来确定一个独一无二的名称。
其次，芯片命名规则一般采用字母、数字和符号的组合。
字母通常代表芯片的型号和系列，如A、B、C等；数字通常代表芯片的版本、规格和性能等级，如1、2、3等；符号用于表示芯片的其他属性和功能，如+、-、*等。
命名规则会根据芯片的特点和需求来选择适当的字母、数字和符号，以便更好地描述芯片的特性和用途。
此外，芯片命名规则还需要考虑国际标准和行业规范。
由于芯片是一种国际化的产品，为了方便国际合作和交流，芯片命名规则通常会参考国际标准和行业规范。
例如，国际电子工程师协会（IEEE）和国际半导体设备和材料协会（SEMI）等组织都有关于芯片命名规则的标准和指导文件，设计者和制造商可以参考这些标准和指导文件来进行命名。
最后，芯片命名规则还需要考虑市场需求和销售策略。
由于芯片市场竞争激烈，芯片的名称对于销售和营销起着重要的作用。
一些公司会根据市场需求和销售策略来确定芯片的名称，以便更好地吸引客户和推广产品。
例如，一些公司会使用易于记忆和识别的名称，或者使用有吸引力和独特的名称，以提升产品的市场竞争力和销售量。
综上所述，芯片命名规则是为了方便识别、管理和销售芯片而制定的一种规范和统一的命名方式。
芯片的命名规则通常根据芯片的功能、属性和型号进行命名，采用字母、数字和符号的组合，参考国际标准和行业规范，同时考虑市场需求和销售策略。
内存颗粒的型号
内存条可以通过查看内存颗粒的型号来确认其容量大小。
下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。
三星内存颗粒目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。
由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。
三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。
这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit 的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits （兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
长鑫内存命名规则
长鑫内存命名规则一、命名规则的重要性人类的记忆宝藏就像是一座珍贵的图书馆，而命名规则就是保护这座宝藏的关键。
长鑫内存作为一家专业的内存生产厂商，深知命名规则的重要性。
只有通过合理的命名规则，才能使记忆宝藏更加井然有序，便于人们快速索引和查找。
二、命名规则的基本原则长鑫内存命名规则遵循以下原则：一是简约明了，避免过于复杂的命名方式，使人们能够迅速理解和记忆。
二是准确无误，每个命名都要准确反映其所代表的含义，避免歧义或误导的信息。
三是规范统一，同一类型的内存应采用一致的命名方式，以便于用户辨识和选择。
三、内存型号的命名规则长鑫内存根据内存的特性和用途，采用了一套统一的命名规则。
以DDR4内存为例，命名规则如下：1. 内存种类：以字母D开头表示DDR（Double Data Rate）内存。
2. 内存代数：紧接着内存种类的是代数标识，如DDR4表示第四代DDR内存。
3. 内存频率：接下来是内存的频率标识，以频率数字表示，如DDR4-2400表示频率为2400MHz的DDR4内存。
4. 内存容量：再之后是内存的容量标识，以容量数字和单位表示，如DDR4-2400 8GB表示容量为8GB的DDR4内存。
通过以上规则，长鑫内存能够提供丰富多样的内存产品，满足不同用户的需求。
四、命名规则的优势长鑫内存的命名规则具有以下优势：一是简洁明了，用户可以迅速理解内存的特性和用途。
二是规范统一，便于用户选择和购买合适的内存产品。
三是便于升级，用户可以根据自身需求选择适合的内存型号进行升级。
五、命名规则的应用范围长鑫内存的命名规则不仅适用于DDR内存，还适用于其他类型的内存产品，如DDR3、DDR2等。
无论是桌面电脑、笔记本电脑还是服务器，都可以根据长鑫内存的命名规则选择适合的内存产品。
六、命名规则的持续优化长鑫内存致力于不断优化命名规则，以提供更加便捷和准确的内存选择方案。
同时，长鑫内存也鼓励用户提出宝贵的建议和意见，共同完善命名规则，为用户提供更好的产品和服务。