静态工作点的稳定

电路参数对静态工作点Biblioteka Baidu置的影响
3.VCC对Q点位置的影响 • Rc、Rb一定，直流负载线斜率不变 • Vcc↘==>直流负载线向右平移==>Q点向右上 方移动； • Vcc↗==>直流负载线向左平移==>Q点向右下 方移动。
注意： • VCC虽然能改变Q点位置，但有很多不便：功率消 耗增大、三极管承受的电压增大。
图所示为三极管在 25“C 和 45‘C 两种温度时的 输出特性 , 25’C 时用实线表示 , 45‘C 时用虚 线表示。由图可见 , 当温度升高时整个曲线 族上移 , 结果使静态工作点 Q 移动 到了接 近饱和区的 Ql 点。
一、影响静态工作点稳定的因素
由上述实验可得： 1.影响静态工作点稳定的因素：温度。 2.温度影响静态工作点稳定的原因：温度升高，管 子的ICEO（穿透电流）增大，IB＝0的曲线升高， 工作点Q开始移动。 3.硅管电路比锗管电路工作稳定的原因：ICBO硅、 ICEO硅小于ICBO锗、ICEO锗。
三、电路参数对静态工作点位置的影响
2. Rc 对 Q 点位置的影响 当 Vcc Rb 一定时,Rc 减小 , 直流负载线变陡。看出 , 改变 Rc 虽然能改变 Q 的位置 , 但不如改变 Rb 的效果明显。
三、电路参数对静态工作点位置的影响
3. V cc对 Q 点位置的影响
当 Rb 和 Rc 一定时 , 直流负载线斜率不变。当 Vcc 增大至 VCC2, 直流负载线只是向右平移 , 反之 , 则向左下方移动。 改变 Vcc虽然能改变 Q 点位置 , 但有很多不便 , 例如增大 Vcc, 虽然对防止饱和失真和截止失真都是有利的 , 但同 时电路的功率消耗也增大了 , 三极管承受的电压也要增 大。
解决饱和失真和截止失真的办法
1.解决饱和失真的方法：增大uce的动态范围， 使工作点Q下降。
– 增大RB来减小IB； – 减小Rc，使直流负载线的斜率增大； – 提高电源电压Vcc。
2.解决截止失真的办法：提高Q点。 具体方法：减小IB，使静态时的IB大于信号 电流的峰值。
小结
电路参数对静态工作点位置的影响
1.Rb对Q点位置的影响 • VCC、Rc一定，直流负载线MN确定 • Rb↗==>IBQ↘==>Q点沿直流负载线下移； • Rb↘==>IBQ↗==>Q点沿直流负载线上移。
电路参数对静态工作点位置的影响
2.Rc对Q点位置的影响 • VCC、Rb一定，IBQ确定 • Rc↘==>直流负载线变陡==>Q点沿输出特性 曲线中IBQ右移； • Rc↗==>直流负载线变不陡==>Q点沿输出特 性曲线中IBQ左移。
问题： 解决饱和失真和截止失真的办法???
（通过下一内容的学习，便可得到答案。）
三、电路参数对静态工作点位置的影响
1. Rb 对 Q 点位置的影响
Vcc 和 Rc 一定时 , 直流负载线岛的也就被确定。增大 Rb, 则 IBQ , 静态工作点 将沿直流负载线下移到 QI; 反之 , 则 上移到 Q2, Rb 的大小来改变 Q 点的位置是最常用最 有效的一种方法。
2-3 静态工作点的稳定
一、影响静态工作点稳定的因素
调节 RP, 使 UCEQ 约为电 源电压的一半。再用 通电后的电烙铁靠近三极管外壳 ( 注意不可 接触 ) , 很快会发现 UCEQ值 明显减小 , 说明 原来设定的静态工作点已发生偏移。 Why? 说明什么？(提问？？？)答案见书P36
一、影响静态工作点稳定的因素
电路参数对静态工作点位置的影响
• 基极电阻RB对静态工作点（Q点）位置的影 响体现—在能使Q点沿直流负载线上或下移 动； • 集电极电阻RC对静态工作点（Q点）位置的 影响体现—在能使直流负载线的斜率发生改 变而引起Q点左、右移动； • Vcc对静态工作点位置的影响体现—在能使 直流负载线向左、右平移，引起Q点向右上 方或左下方移动
二、波形失真与静态工作点的关系
二、波形失真与静态工作点的关系
失真现象 1.饱和失真 当IbQ偏大（怎样实现？）时，静态工作点Q偏高，在 饱和临界点附近，ib 增大使iC 相应增大，于是会 出现iC 的正半周、uce 的负半周（Why?）出现切 割失真(饱和失真)。 2.截止失真 当IbQ偏小（怎样实现？）时，静态工作点Q偏低。 在输入电压ui的负半周时，三极管的发射极将在 一段时间内处于反向偏置，造成 iC 的负半周、uce 的正半周出现相应的波顶被削去(截止失真)。