3晶体管混频电路

混频电路
Us：输入信号（小信号） UL：本振振荡器产生的一个等幅的高频信号（大信号） Ui：差频信号 带通滤波器：一般用LC谐振回路实现滤波功能
混频器分类： • 根据所用器件不同：二极管混频器、晶体管混 频器、场效应管混频器、差分对混频器 • 根据电路结构不同：单管混频器、平衡混频器、 环形混频器 晶体管混频器： • 变频增益G=Vo/Vi（输出中频信号幅度/输入 高频信号幅度），最高一般为6-8倍，不超过 10倍。 • 工作频率范围几十兆。频率越高，增益越小。
实验电路
晶体三极管混频电路
R5 RW1 C4 C5 R1 K
+12
TP3
C2* CV B2
OUT
LE D1Baidu Nhomakorabea
TP1
J C1
IN1
C3 R2
TP2
IN2
R4
R3
A8-0808
• 基极输入信号电压，发射极注入本振电压 • in1：信号电压频率10.245MHz 高频信号发生器产生 • in2：本振电压频率10.7MHz LC 晶体正弦波振荡器模块产生 （J2断开，J1、J3连接） • 集电极：LC谐振回路，选频滤波功能：滤波器 • 基极电阻R1、R2 、RW1，决定VB • 射极电阻R3，决定Vc • C1、C2：隔直流通交流
调节LC谐振回路的电容、中周，用示波器测量输出 信号（Vi）频率是否为455KHz? 若用示波器观察，注意探头调至×1档 3 、测量混频器的电压增益（VS=200mV） G=输出的中频信号幅度/输入的高频信号幅度 测量此时对应的电压增益 调节RW1,改变IE，测两组对应的电压增益。
4、测量在输入信号VS逐渐增大的情况下，混频器的 电压增益G E.g： VS=50mV ， 100mV，200mV时，对应的增 益G 5、当in1端信号电压VS的频率调节至11.155MHz时， 输出端波形会有何变化（此时的峰峰值调节至 200mV）？（镜像干扰）
技术指标
1、混频增益KPc：混频器输出的中频信号功率 Pi与输入信号功率Ps之比。增益越大，接收机的 灵敏度越高。 Pi K pc Ps Psi Pni Fn 2、噪声系数 Pso Pno 输入端高频信号噪声功率比与输出端中频信号噪 声功率比的比值。噪声系数越小，电路性能越好。
3、混频失真与干扰 混频器的失真有频率失真和非线性失真。此外，还存 在各种非线性干扰，如组合频率、交叉调制和互相调 制、阻塞和倒易混频等。 对混频器不仅要求频率特性好，还要求变频器件工作 在非线性特性不过于严重的区域，使之即能完成频率 变换，又能抑制各种干扰。 4、选择性 选择性是指混频器选取出有用的中频信号而滤除其他 干扰信号的能力。选择性越好输出信号的频谱纯度越 高。选择性主要取决于混频器输出端的中频带通滤波 器的性能。
晶体管混频电路
张益楠
实验目的、仪器
1、目的 进一步学习变频电路的相关理论 掌握三极管混频电路的工作原理和调试方法 2、仪器 三极管混频电路实验板 示波器 万用表 LC 晶体正弦波振荡器模块
变频器
• 在通信技术中，经常要进行频率变换。 • 例如：在超外差中波接收机中，把载频位于535 kHz～1605kHz的高频调幅信号通过变频，变换 成465KHz的中频信号； • 在调频广播接收机中, 把载频位于88 MHz～ 108MHz的各调频台信号变换为中频为10.7MHz 的调频信号。 • 完成这种频率变换的电路称变频电路（变频器）。
• 变频：上变频和下变频 上变频：频率从低频变到高频，和频 下变频：频率从高频变到低频，差频 • 一般用得较多的是把一个已调的高频信号变成另 一个较低频率的同类已调信号，下变频。 • 特点： 频率变换； 中心频率改变，波形不变，调制方式不变。
• 一个振幅较大的振荡电压和一个振幅较小的外来 信号同时加到作为时变参量线性电路的器件上， 输出端取两个信号的和频或差频，即可实现变频。 • 如果器件本身即能产生振荡电压又能完成频率变 换，则成为自激式变频器或简称变频器。 • 如果器件本身仅实现频率变换，本振信号由外器 件产生，则成为混频器。包括产生本振信号的器 件在内的整个电路，称为他激式变频器。
场效应管混频器： • 变频增益G=Vo/Vi 一般3-4倍。 • 工作频率范围几百兆。非线性失真最小。 • 非线性失真：频率变换中除了产生需要的频率， 还会产生不需要的频率分量，这些不需要的频率 分量引发非线性失真。场效应管的输出特性符合 平方律特性，产生的频率分量少，非线性失真小。 二极管混频器： • 无变频增益 • 优点：组合频率少，动态范围大，噪声小，本地 振荡电压无反辐射
实验步骤
1、首先确定静态工作点电流IE： a 不要在In1和In2端加信号，直接用万用表测VE （R3两端直流电压，推荐在3.5-4V范围， IE在0.30.8mA范围） b 断电，用万用表测R3 c IE=VE/R3 2、调输入信号： • In1：信号电压（VS）频率10.245MHz 高频信号发生器产生（峰峰值200mV左右） • In2：本振电压（VO）频率10.7MHz 高频信号源模块或LC 晶体正弦波振荡器模块产生 （峰峰值1V左右， J2断开，J1、J3连接，调幅值用 RW1）