东南大学信息学院模电答案作业题第四章
模拟电子电路第4章答案
4.1 简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（V DS >0V ，V GS >V T ），画出P 沟道增强型MOS 场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。
解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。
而增强型场效应管需要外加电压V GS 产生沟道。
随着V SG 逐渐增大，栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到一定时，栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，从而形成了一个“新的P 型区”，它连接源区和漏区。
如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压DS V ，那么空穴就会沿着新的P 型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为D i 。
当SG v 一定，而SD v 持续增大时，则相应的DG v 减小，近漏极端的沟道深度进一步减小，直至DG t v V =，沟道预夹断，进入饱和区。
电流D i 不再随SD v 的变化而变化，而是一个恒定值。
4.2 考虑一个N 沟道MOSFET ，其nk '= 50μA/V 2，V t = 1V ，以及W /L = 10。
求下列情况下的漏极电流：（1）V GS = 5V 且V DS = 1V ； （2）V GS = 2V 且V DS = 1.2V ； （3）V GS = 0.5V 且V DS = 0.2V ； （4）V GS = V DS = 5V 。
(1) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V <-，该场效应管工作在变阻区。
()2D n GS t DS DS 12W i k v V v v L ⎡⎤'=--⎢⎥⎣⎦=1.75mA(2) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区。
()2D n GS t 12W i k v V L'=-=0.25mA (3) 根据条件GS t v V <，该场效应管工作在截止区，D 0i =(4) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区()2D n GS t 12W i k v V L'=-=4mA4.3 由实验测得两种场效应管具有如图题4.1所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确定夹断电压或开启电压值。
模拟电子技术习题集参考答案
第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、解：u i和u o的波形如题5解图所示。
题6解图题5解图六、解：u i和u o的波形如题6解图所示。
题6解图七、解：1、当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解：波形如题8解图所示。
题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ；硅，锗；电子和空穴。
模电答案 第四章
第四章 习题解答4-1 如题4-1图所示MOSFET 转移特性曲线，说明各属于何种沟道？若是增强型，开启电压等于多少？若是耗尽型，夹断电压等于多少？ 答：（a ）P-EMOSFET ，开启电压()V V th G S 2-=（b ）P-DMOSFET ，夹断电压()Off GS V （或统称为开启电压()V V th GS 2)= （c ）P-EMOSFET ，开启电压()V V th G S 4-=（d ）N-DMOSFET ，夹断电压()Off GS V （或也称为开启电压()V V th G S 4)-=4-2 4个FET 的转移特性分别如题4-2图(a)、(b)、(c)、(d)所示。
设漏极电流i D 的实际方向为正，试问它们各属于哪些类型的FET ？分别指出i D 的实际方向是流进还是流出？ 答：（a ）P-JFET ，D i 的实际方向为从漏极流出。
（b ）N-DMOSFET ，D i 的实际方向为从漏极流进。
（c ）P-DMOSFET ，D i 的实际方向为从漏极流出。
（d ）N-EMOSFET ，D i 的实际方向为从漏极流进。
4-3 已知N 沟道EMOSFET 的μn C ox =100μA/V 2，V GS(th)=0.8V ，W/L=10，求下列情况下的漏极电流：（a ）V GS =5V ，V DS =1V ； （b ）V GS =2V ，V DS =1.2V ； （c ）V GS =5V ，V DS =0.2V ； （d ）V GS =V DS =5V 。
解：已知N-EMOSFET 的()108.0,/1002===LWth G S ox n VV V A C μμ（a ）当V V V V D S G S 1,5==时，MOSFET 处于非饱和状态()()th G S G S D S V V V -<()()[]()[]mA V V V VI VmA th GS GSWC D D S D S x o n 7.3118.052101.022122=-⨯-⨯⨯=--=μ （b ）当V V V V D S G S 2.1,2==时，()D S th G S G S V V V V ==-2.1，MOSFET 处于临界饱和()()()()mA V V C I V mA th GS GS W ox n D 72.08.02101.022121=-⨯⨯⨯=-⋅=μ （c ）当V V V V DS GS 2.0,5==时，()D S th G S G S V V V V >=-2.4，MOSFET 处于非饱和状态()()()[]()[]mA V V V V C I V m A D S D S th G S G S L W ox n D 82.02.02.08.052101.022212212=-⨯-⨯⨯=--=μ（d ）当V V V D S G S 5==时，()th G S G S D S V V V ->，MOSFET 处于饱和状态 ()()()()mA V V C I VmA th GS GS L W ox n D 82.88.05101.02212212=-⨯⨯⨯=-⋅=μ 4-4 N 沟道EMOSFET 的V GS(th)=1V ，μn C ox （W/L ）=0.05mA/V 2，V GS =3V 。
模电课后习题答案4,5,6,8习题
第四章局部习题解答4．1．3 某BJT 的极限参数I CM =100mA ，P CM =150mW ，V 〔BR 〕CEO =30V ，假设它的工作电压V CE =10V ，则工作电流I C 不得超过多大？假设工作电流I C =1mA ，则工作电压的极限值应为多少？解: BJT 工作时，其电压和电流及功耗不能超过其极限值，否则将损坏。
当工作电压V CE 确定时，应根据P CM 及I CM 确定工作电流I C ，即应满足I C V CE ≤P CM 及I C ≤I CM 。
当V CE =10V 时，此值小于I CM =100mA ，故此时工作电流不超过15mA 即可。
同理，当工作电流I c 确定时，应根据I C V CE ≤P CM 及V CE ≤V 〔BR 〕CEO 确定工作电压V CE 的大小。
当I C =1mA 时，为同时满足上述两个条件，则工作电压的极限值应为30V 。
4．3．3 假设将图题3.3.1所示输出特性的BJT 接成图题3.3.3所示电路，并设V CC =12V ，R C =1k Ω，在基极电路中用V BB =2.2V 和R b =50k Ω串联以代替电流源i B 。
求该电路中的I B 、I C 和V CE 的值，设V BE =0.7V 。
图题3.3.1解: 由题3.3.1已求得β=200，故I C =βI B =200×0.03mA=6mA V CE =V CC -I C R c =6V4.3.5 图题3.3.6画出了某固定偏流放大电路中BJT 的输出特性及交、直流负载线，试求：〔1〕电源电压V CC ，静态电流I B 、I C 和管压降V CE 的值；〔2〕电阻R b 、R e 的值；〔3〕输出电压的最大不失真幅度；〔4〕要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？解:〔1〕由图题3.3.6可知，直流负载线与横坐标轴的交点即V CC 值的大小，故V CC =6V 。
模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题汇总
第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 解：二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
◇ 题 1-4已知在图P1-4中，u1=10sin ωt(V)，R L ＝1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
解：波形见图。
◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数，大一些好还是小一些好？解：动态内阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，即稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻r Z 愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数a U 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
◇ 习题 1-7 在图P1-7 中，已知电源电压V=10V ，R=200Ω，R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V ，试求： ① 稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ，I Z 将变为多少？ ③当V 仍为10V ，但R L 改为2 k Ω时，I Z 将变为多少？ 解：① mA mA mA k VV V R U R U U IL Z Z Z1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k VV V R U R U U IL Z Z Z2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k VV V R U R U U IL Z Z Z1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压仁政值均为6V ，当工作在正向时管压降均为0.7V ，如果将它们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。
《模拟电子技术基础教程》——第四章习题解答
解图4.4
丿
2mAJ<^,02mA PNP/=
】、 00 e
4.5测得放大电路中处于放大状态的晶体管直流电位如图(bP)4. 5所示。请判断晶 体管的 类型（NPN或PNP）及三个电极，并分别说明它们是硅管还是错管。
3.7V
4.8V
5.8V 圏 P4.5
-1.7V (d)
解 极间电压约为0.7 V或0. 2V的两个极为基极和发射极，另一个电位最高或最 低的电 极为集电极，且若此集电极电位最高，则为NPN型管，若此集电极电位最低，则为 PNP型管。
0时为临界放大（饱和）状态。分别判断各电路中晶体管的工作状态（放大、饱 和或截止）， 并求解各电路中的电流和厶：。
解判断晶体管的工作状态并计算各电极电流这类题的分析方法如下：
（1） 对于NPN型管，若UHEVU。，，则管子截止；对于PNP型管.若UW：>U„„, 管子 截
止。
（2） 若NPN型管的［7BE>I7O„,PNP型管的VLL,,则说明管子处于放大状态或者 饱和状
高频信号作用下电压放大倍数下降的主要原因是存在 ___ 电容。
A.耦合
B.旁路
C.极间
解 （1） B,A,A （2） B,A （3） A,B,C
4.4已知两只晶体管三个极的电流大小和方向如图P4. 4所示，分别判断两个晶体 管的类型（ NPN或PNP）,并在图中标出每个晶体管的三个电极，分别求出两个晶体管的 电流放大系数的
1
解（1）放大，饱和，截止，放大〈2）直流电源，直流电流.信号源，交流电流，电容, 电感
（或信号源）；容量大的电容（如耦合电容、旁路电容），无内阻的直流电压源（3）电 压放大倍
数，输入电阻，频带（4） 20,10',150,0,共基。
模电第四章习题答案
模电第四章习题答案模电第四章习题答案模拟电子技术是电子工程中非常重要的一门学科，它涉及到电路的设计、分析和调试等方面。
第四章是模拟电子技术中的一个重要章节，主要讲解了放大器的基本原理和应用。
本文将为大家提供模电第四章习题的详细解答，希望能对大家的学习有所帮助。
1. 题目：一个共射放大器的电流增益为50，负载电阻为2kΩ，输入电阻为1kΩ，求其电压增益。
解答：共射放大器的电压增益可以通过以下公式计算：电压增益 = 电流增益× 负载电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电压增益= 50 × 2kΩ / 1kΩ = 100所以，该共射放大器的电压增益为100。
2. 题目：一个共集放大器的电压增益为30，输入电阻为10kΩ，输出电阻为1kΩ，求其电流增益。
解答：共集放大器的电流增益可以通过以下公式计算：电流增益 = 电压增益× 输出电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电流增益= 30 × 1kΩ / 10kΩ = 3所以，该共集放大器的电流增益为3。
3. 题目：一个共基放大器的电流增益为50，输入电阻为1kΩ，输出电阻为10kΩ，求其电压增益。
解答：共基放大器的电压增益可以通过以下公式计算：电压增益 = 电流增益× 输出电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电压增益= 50 × 10kΩ / 1kΩ = 500所以，该共基放大器的电压增益为500。
4. 题目：一个共射放大器的输入电阻为1kΩ，输出电阻为2kΩ，求其电压增益和电流增益。
解答：共射放大器的电压增益可以通过以下公式计算：电压增益 = 输出电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电压增益= 2kΩ / 1kΩ = 2共射放大器的电流增益可以通过以下公式计算：电流增益 = 电压增益× 输入电阻 / 输出电阻代入已知数据，得到：电流增益= 2 × 1kΩ / 2kΩ = 1所以，该共射放大器的电压增益为2，电流增益为1。
东南大学信息学院模电答案作业题_第四章
解：
R2
R1
10k
10k
IDQ1
IDQ2
1 2
ICQ4
1 2
6
- 0.6 2.7
1mA
+
vi
gm 2
nCOXW
2l
IDQ
1mS
-
T1 T2 T3
Av
Av1Av2
(1 2
gmRL' 2)(-
R4 ) Ri5
-6V
1 31.6mS(10k//10k)(-1001k ) -25
2
10k
R4
1k
(T
2)
(1
RB1//
RE2
RB2 rb e
RE2
)rce2
(RB1// RB2rbe)// RE2
(参考式4-2-25)
电路图
+
T1 T2
+
RL vo
vi
RE2
RB1 RB2
-
-
交流通路
4-20 图P4-20所示为单级MOS放大电路，已知各管参数：gm1= 600S，gm2=200S，rds1 = rds2 =1M， 1 2 0.1 ， (W/l) 1=200/20。（1）指出各电路名称，画出小信号等效 电路；（2）计算Av=vo/vi，和(W/l)2值。
解：
(1 ) R E ( R B1 // R B2 )
I CQ
R B1 R B1 R B2
V CC
RE
- 0.7V
1 .15 mA
Ri
rb' e
(1
) re
(1
)
VT I CQ
4.5k
R o R C // rce R C 4 k
模拟电子答案第4章
第4章 晶体三极管及其放大电路本章主要内容：● 晶体三极管的工作原理 ● 放大电路的组成原则 ● 放大电路的分析方法 ● 放大电路的三种组态 ●放大电路的频率响应4.1 晶体三极管一、晶体三极管的结构、类型、内部载流子运动过程1、 结构、名称：2、 类型：3、 典型条件下内部载流子运动过程：条件：发射结正偏，集电结反偏 (1)发射区发射多子：因发射结正偏，发射区的多子（电子）向基区扩散（基区的多子亦向发射区扩散，但因基区多子浓度很低，此部分可忽略不计），并形成发射区、发射极电流（I EN ，扩散电流）。
(2)多子在基区的扩散与复合：发射区扩散的多子存在浓度差，继续向集电结扩散，在此过程中，少部分与基区的少子（空穴）复合，在基极外电压作用下，补充复合的空穴，形成基极电流（I BN ），因基区很窄，此电流亦很小；剩下的大部分扩散到集电结附近。
(3)集电区收集多子：因集电结反偏，在此外加的反向电压的作用下，扩散来的多子（电子）漂移到集电区（集电区的少子亦漂移到基区，但集电区浓度较低，形成的电流亦较小），形成集电区、集电极的主要电流（I CN ，漂移电流）。
二、三极管的电流放大特性1、 近似条件下的电流关系：忽略基区的扩散电流、集电区的漂移电流，则：EN E I I ≈，BN B I I ≈，CN C I I ≈，则：CN BN EN I I I +=。
若将三极管看作一个电流节点，依KCL ：C B E I I I +=定义：直流电流放大系数：BNCNI I =β BN CN I I β= BN EN I I )1(β+=2、 考虑集电区漂移情况下的电流关系：若考虑集电结反偏、集电区的少子漂移产生的电流I CBO （仍忽略基区的扩散电流），则：CBO CN C I I I += CBO BN B I I I -=B C CBO B CBO C BN CN E I I I I I I I I I +=++-=+=)()(，仍符合KCL 。
模电书后习题参考答案
《电路与模拟电子学》部分习题参考答案第一章1.1 (a) 10W 吸收功率 (b)10W 吸收功率 (c) 10W 发出功率 (d) 10W 发出功率 1.2 1P =8W 吸收功率； 2P =－16W 吸收功率； 3P =12W 发出功率 1.3 (a) A 5.0-＝I (b)6V -＝U (c) Ω1＝R 1.4 A 1.0=I1.5 Ω1210＝R h 6KW ⋅＝W 1.6 F 2C μ= J 1046-⨯＝W1.7 (a) A 5=I (b) 6V ＝U (c) 2A ＝I1.8 (a) 10V ＝U 50W ＝P (b) 50V ＝U 50W 2＝P (c) V 3-＝U 5W 1-＝P (d) V 2＝U 10W ＝P1.9 (a) A I 2= (b) 10V ＝U (c) 2A ＝I 1.10 (a) 18.75V ＝U (b) 3A ＝I (c) 0.9A ＝I 1.11 (a) 2V ＝U (b) 2.5A ＝I1.12 (a) 2V 11＝U 72W -＝P (发出功率) (b) 0.5A 2＝I 5W 1＝P (吸收功率) 1.13 (a) 4V ＝U (b) 2A -＝I ；2A 1＝I 1.14 (a) A I 3-= (b) 4V ＝U (c) 1A ＝I1.15 (a) A I 0= 2V -＝U (b)A I 20-= V 10-＝U (c) 1A 1＝I 2A 2＝I 1.16 (a) 2V ＝ab U (b) 7V ＝ab U (c) 2V ＝ab U1.17 (a) 0V 1＝a V 8V ＝b V 6V 1＝c V 0V 1＝d V 6V ＝e V(b) 4V ＝a V 0V ＝b V 0V ＝c V 9V ＝d V V 11-＝e V 1.18 断开：2V -＝A V ； 闭合： 3.6V ＝A V 1.19 0.4A ＝I 10V ＝ab U 0V ＝ac U1.20 (a) 27V ＝U A I 3-= (b) 60W ＝P (c) 74W min ＝P第二章2.1 (a) Ω2.5 (b) Ω1.6 (c) Ω2.67 (d) Ω5 2.2 Ω5k ＝R 2.3 Ω81.25＝R2.4 (1)400V 2＝u (2) 4V 36=V (3)滑线变阻器、电流表均将被烧毁(电流过大)2.5 3V ＝U 2.6 A 2-=I2.7 (a) A 4=I (b) A 6.1=I 2.8 (a) A 9.0=I (b) A 4=I2.9 (a) 2V =V (b) 20V 1=V 6V 2=V2.10 (a) 7V =u A i 3= (b) 42V =u A i 1.1-= 2.11 60V =u2.12 4V ＝a u ； 2.5V ＝b u ；2V ＝c u2.13 14V -＝U ；A 3-=I2.14 (a) A I 8.1= 121.6W -＝P (b) A I 1= 12W -＝P 2.15 52W 2＝P ；78W 3＝P 2.163.75A 2.17 4V ＝oc U ；Ω1＝i R2.18 Ω4＝R2.19 (a) A I 3= (b) mA I 33.1= (c) mA I 5.1=2.20 Ω10＝R ； 35.1W ＝P 2.21 A I 5.2=；Ω20＝i R 2.22 (a)Ω6＝i R (b)Ω7.5＝i R2.23 (a) A I 6.4-= 9.2W -＝P (b) A I 5.22-= 12.5W 10-＝P2.24 (a) 8V ＝U A I 1= (b)28V ＝U A I 5.0= 2.25 7.2V ＝U ； A I 4.1= 2.26 A I 4=2.27 1V 0＝U 、A I 01.00=；Ω=100R ；Ω50＝d R 2.28 A i 88.3= 2.29 3V ＝u ；A i 21=2.30 A )1cos 01.0(+t 2.31 Ω1＝ab R 2.32 Ω8＝ab R 2.33 b2.34 5V 1-＝U ； 3V 2-＝U ；5V 3＝U 2.35 10V ＝ab U第三章3.1 (a)6V )0(＝+u A 2.0)0(=+i (b) 20V )0(＝+u A i m 10)0(=+(c) 8V )0(-+＝u A 2)0(=+i 3.2 (a)A 05.0)0(=+L i 0V )0(＝+C u1000A/S d d 0L -＝－t iV/S 105d d 40C ⨯＝－tu(b)A i L 5)0(=+ 17V )0(＝+C u4.5A/S d d 0L ＝－tiV/S 0d d 0C＝－tu3.3 ① 45V )0()0(＝+-=C C u u A i C 0)0(=- A i m 45.0)0(C =+② mA i i L L 15)0()0(==+- 0V )0(＝-L u 45V )0(＝+L u ③ 换路时L i 、C u 不会跃变；C i 、L u 会跃变 3.4 19.5V ；6V3.5 V e 20-2⨯=u mA e 10-2⨯=i 3.6 (a) ms t 1= (b) s 2.4μ=t3.7 (a) V e 4)(-2t ⨯＝t u ；mA e t i t 204.0)(-⨯=(b) V e3)(-111t⨯＝t u ；mA e t i t 11167.0)(-⨯-=(c) V e 3)(-6t⨯＝t u ；A et i t)1(5.0)(6--⨯=3.8 (a) )V e 1(9)(4103.3C t t u ⨯--=； (b) )V e 1(12)(-0.1t -⨯＝t u C 3.9 )mA e 75.05.0()(208tt i -+-=3.10 A et i tL 101)(--=；V e 20)(-10t ⨯＝t u L ；V e 1020)(-10t ⨯+＝t u 3.11 A et i t)1(10)(500--=3.12 V e 761)(-t-＝t u C 3.13 )V e8.12.2()(5105tt u ⨯-+=3.14 V e 821)(-5t+＝t u C 3.15 A et i tL 45005.02.0)(-⨯+-=3.16 A e t i t -⨯+=3.05.0)(3.17 (a) ）－（）（＝3)2()1()(t t t t t f εεεε----+(b) )1()1()(--+t t t t t f εε）（＝ (c) )2()42()1()22()(--+-+-+t t t t t t f εεε）（＝ (d) ]3)1()[3()]1(1)[1()(）－（）（＝t t t t t t t f εεεε--+-+--++ 3.18 V )1(565.0)(48.0t C e t t u --⨯）（＝ε3.19 ① V )1(2)(9o t e t t u --⨯）（＝ε ②V )1(210)()2(9o ---⨯-t e t t u ）（＝ε 3.20 A )5.01()(）（＝t e t i t ε--3.21 V )e 80e 100(5-4C t t u --= A )e 8e 10(5-4:L t t i --= 3.22 临界阻尼情况；过阻尼情况3.23 V ]100e )10001(100[1000C ++-=-t t u ；A e 1001000tt i -＝3.24 A/S 5.23.25 V 810)(5t C e t u --＝ 3.26 V 2)(5.1te t u -⨯＝第四章4.2 mA )12031400(cos 20︒+=t i 4.3 U V 33m U ＝； mA I 152＝4.4 A 63101︒∠=∙I A )63(cos 210)(1︒+=t t i ωA 117102︒∠=∙I A )117(c o s 210)(2︒+=t t i ωA 117103︒-∠=∙I A )117(c o s 210)(3︒-=t t i ω A 63104︒-∠=∙I A )63(cos 210)(4︒-=t t i ω4.5 V )37(cos 50︒+=t u ω4.6 A 7=I ；A5.3'=I4.7 Ω2.76k ＝R4.8 Ω4＝R ；0.24H ＝L 4.9 V 113=U ；A 38.0=I 4.10 Ω5＝R ；0.1F ＝C4.11 读数为A 5；()Ω-=j1612Z ；()j0.0403.0+=Y S4.12 (a)阻容串联：Ω5＝R ；0.058F ＝C (b)阻感串联Ω=3R ，H 3.29=L4.13 Ω10＝R ；172.2mH ＝L 4.14 A )1171000(cos 48.0)(︒+=t t i ab4.15 A )7.291000(cos 75.1)(1︒+=t t i ；A )3.561000(cos 92.3)(2︒+=t t i 4.16 A 728.15︒-∠=∙I4.17 A 41.1=I ；Ω14.1＝R ；Ω=1.14C X ； Ω=07.7L X 4.18 视在功率A)V (447⋅=S 有功功率W)(400=P 无功功率var)(200=Q功率因数89.0cos =ϕ4.19 Ω+=)7j 22(Z W)(8.2=P 89.0cos =ϕ 4.20 ()Ω-=j2010L Z ； 0.005W max =P 4.21 j)V 3(10A +=V ；W 300=S ；ar Q v 300=4.22 ① Hz f 5o 103.2⨯＝；433=Q ②A5.1o ＝I ；6495V ==C L U U4.23 Ω14.1＝R ；H 67.0=L ；F 0.17μ=C ；20=Q 4.24 V 18=U4.25 断开时：V 3111=U ；V 2202=U 闭合时：V 01=U ；V 2202=U 4.26 A 1.4＝I4.27 (a) V cos 1t u = V c o s 25.02t u -= (b) V sin 21t u =，V sin 5.02t u =(c) )V 0.252(21-t te eu +-=- )V 25.05.0(22t t e e u ---=4.28 H 0628.0=M4.29 V )143cos(2215oc ︒-=t u 4.30 62.0=K ︒∠=∙7652.1I 4.32 mH 86.52=M4.33 星形：相电流与线电流相等：A 1.5322A ︒-∠=∙I ，A 1.17322B ︒-∠=∙IA 9.6622C ︒∠=∙I ； W 8688=P三角形：相电流：A 1.5338B'A'︒-∠=∙I ，A 1.17338C'B'︒-∠=∙I ，A 9.6638A'C'︒∠=∙I 线电流：A 1.5366A ︒-∠=∙I ，A 1.17366B ︒-∠=∙I ，A 9.6666C ︒∠=∙IW 26064=P4.34 ︒-∠=∙1.3744A I ，A 1.15722B ︒-∠=∙I ，A 9.8222C ︒∠=∙I ，W 23232=P 4.35 不可； A 022A ︒∠=∙I ，A 3022B ︒-∠=∙I ， A 3022B ︒∠=∙I ，︒∠=∙01.60N I 4.36 A :0A 1A :5.77A 2A :10A 3A :5.77A 4.37 TtU U ∆⋅=m T t U U ∆⋅=m av4.38 123V =U A 11=I 273.5W =P4.39 V 3.131，A 93.1， A 86.1 4.40 V )45(cos 55)(2︒-+=t t u ω4.41 V )455.1cos(2)1.532cos(25.0)(R ︒-+︒-+=t t t u ，W 75.3375.0S1=+=P 4.42 0.8mA 1， V 4.67， .82W 0 4.43 A 12C =I 4.44 ︒∠=∙9.3625oc U 4.45 ]Re[2A A *∙∙I U 4.46 V 17 4.47 5W ＝P 4.48 A 02︒∠=∙I第五章5.5 (a)⎩⎨⎧-=->=-≤3V V 3V 3o o u u u u u ii i (b) ⎩⎨⎧=>=≤i i i u u u u u o o V 33V V 3(c)⎩⎨⎧=>=≤3V V 3 V 3o o u u u u u i i i (d) ⎩⎨⎧=≥=≤i i i u u u u u o o V 33V V 3 (e) ⎩⎨⎧=-≥-=-≤i i i u u u u u o oV 33VV 35.9 “与”门5.14 利用二极管5.15 ① V 6o ＝U ；A 6L m I ＝；A 24Z m I ＝② V 4.2o ＝U ；A 48L m I ＝；A 0Z m I ＝ ③ 增大R 的阻值5.16 4.65V4.65V 4.65V V 65.44.65V V 65.4o o o -=≥-=≤≤-=-≤u u u u u u u i i i i第六章6.3 A.放大区 B.饱和区 C.截止区 6.4 ① C E B ② 40 ③ PNP 6.5 15；100；306.6 增大；下降；左移；上升；增大 6.7 截止；饱和；饱和 6.9 D 6.10 Ω1k o ＝R6.11 ① (a)截止失真 (b)饱和失真6.12 ①9V CC ＝V ；Ω1k E ＝R ；12V CEQ ＝U ；Ω2k L ＝R ②截止失真；4V opp ＝U 6.13 ①2mA CQ ＝I ； 5.4V CEQ -＝U ②0V CQ ＝U ；截止 ③7.3V CQ ＝U ；饱和④Ω455k B1＝R ⑤45.1u -＝A6.15 1mA EQ ＝I ；9.5V CEQ ＝U ；83u ＝A ；Ω29i ＝R ；Ω1k .2o ＝R 6.16 44u -＝A ；减小；增大 6.17 饱和失真；增大B1R 或减小B2R6.19 ①Ω19.2k 2＝R ②mV sin 580o t u ω-＝ ③Ω8.3k i ＝R ；Ω44o ＝R6.20 ①1T 共射；2T 共射；3T 共集 ②2mA C1Q ＝I ；3mA C2Q ＝I ；4mA C3Q ＝I ；Ω31k B1＝R ③568u ＝A ④Ω1.2k i ＝R ；Ω48o ＝R6.21 ①W 125.10max o =P ② 2.5W CM ＝P ；38V (BR)CEO ＝U ； 1.125A CM ＝I 6.22 ①W 9max o =P ② 1.8W CM ＝P ③V U CEO BR 24)(>6.23 ①18V min CC ＝V ② 1.125A CM ＝I ；36V (BR)CEO ＝U ③12.89W V ＝P④2W CM ＝P ⑤12.7V ＝U 6.24 ①5V C ＝U ；调整1R 或3R ②调整2R ，使其增大 ③烧毁三极管 6.25 ① 3.5W o ＝P ②W 5V ＝P ③0.75W T2T1=P P ＝ 6.26 分别处于击穿区、饱和区、非饱和区6.28 ①1mA DQ ＝I ②Ω2k S1＝R ③Ω6k max S2＝R④)310(2u S R k kA +-＝ C ⑤2i 334S G R R R +＝；Ω10k o ＝R6.29 ①V 2GSQ -＝U ②0.22mA D Q ＝I ；V 8.9DSQ ＝U ③0.44mS m ＝g 6.30 beC L u 1)//(r g R R g A m m +-=β；G R R ＝i ；C R R =o6.31 Ebe L C m E D m R r R R R g R r R g A )1()//(1)])1(//([2be2u βββ++⋅+++=； 321i //G G G R R R R +＝；L C R R R //o =6.34 ①mA I Q C 11＝；V 10CE1Q ＝U ②10u -＝A ③Ω23k i ＝R ；Ω6k o ＝R 6.35 ①mA I I Q C Q C 5.021=＝、V7.921=Q CE Q CE U U ＝；mA I Q C 13=、V8.10CE3Q ＝UmA I Q C 5.04=、V 7.0CE4Q ＝U6.36 ①V 9.2O Q ＝U ②])1([2)//(111C2L u E be B R r R R R A ββ+++=第七章7.1 (a)电流并联负反馈 (b)电流串联负反馈 (c)电压串联负反馈 (d)电压并联负反馈 7.2 ①上负下正 ②电压串联负反馈7.4 (a)电压并联负反馈 (b)电压并联负反馈、正反馈 (c)电压并联负反馈 (d)电流串联负反馈 (e) 正反馈 (f)电流并联负反馈 7.5 (a) 13u R R A -= (b) 32u R R A -= 7.6 (a) 电压并联负反馈；BR R A Fud -= (b) 正反馈7.7 电压串联负反馈 )(121u E D ER R R R R F ++=7.8 电压串联负反馈 )1)()(1(6598917uf R R R R R R R A +++= 7.9 ①mA I C 12= ②mA I C 2.33= ③减小 C2R④应改为电压串联负反馈，f R 接至2b 、3b 接1c ⑤变动前10uf -＝A ；变动后11uf ＝A 7.10 2500；0.0967.11 31099.9-⨯；91；-9%7.12 ① 电压负反馈，F R 接在 3T 射级和 1T 射级之间 ② 电流负反馈，F R 接在 3T 集电极和 1T 基极之间7.13 ①V 71=Q C U ；V 7.01-=Q E U ②V 576.61=C u ；V 424.72=C u③ 3b 与1c 相连 ④Ω9k F ＝R7.14 ①V 522==C C U U ②1c 接运放反相端，2c 接运放同相端；③10uf ＝A ④1c 接运放同相端，2c 接运放反相端，F R 接1 b ；9uf -＝A 7.15 电压串联负反馈，254421o )()(R R R R R R u u i ++=第八章8.1 (a) V 45.0o =u (b) V 15.0o -=u (c) V 9.0o =u (d) V 15.0o =u 8.2 ① i u R R u 12o1-= ；i u R R R R Ru )(63612o +-= 8.3 ① i u R R R R R u )(63612o +-= 8.4 2500u -＝A 8.6 50084o +-=i u u 8.7 ① 44332211o i F i F i F i F u R Ru R R u R R u R R u ----=② )41212(4321o i i i i u u u u u +++-= (V 0V 15o ≤≤-u ) 8.8反相比例运算；40u -＝A ；V 6.58.9① f offoffi i i o ref R R V d R V u ])21([301o -=∑=+ ② 组成偏置电路，使电路由单极性输出变为双极性输出8.10 ① dt R t u R t u C t u i i ))()((12211o +⎰）＝－（ 8.11 ① 每个节点由3个支路构成，每个支路的电阻为2R② )2(321o ∑-=⋅=n i i i nf ref d RR V u③ V 10V 0O ≤≤U8.12 dtt du t u i )()(o1-＝；)(2)(o t u t u i ＝ 8.13 ① (a)反相比例运算器 (b)乘法器② (a) 23)(1124o R R S i S I R u I R u -＝ (b) )(21o i i S u u RI u ⋅-＝ 8.14 ① 带通 ② 高通 ③ 带阻 ④ 低通8.15 一阶有源高通滤波器； 二阶无源低通滤波器；二阶无源带阻滤波器； 二阶有源带通滤波器8.16 ① 30.8o ＝A ；200Hz o ＝f ；5＝Q ② 50o ＝A ；20Hz o ＝f ；5＝Q 8.17 ① 过零比较器 ② 单门限比较器 ③ 迟滞比较器 8.18 ①1A 、4A 为虚地； 2A 、3A 为虚短②1A 为反相加法器；2A 为电压跟随器；3A 为减法器；4A 为积分器；5A 为过零比较器 ③321o152.0i i i u u u u ---＝；4o2i u u ＝；)(2o1o2o3u u u -＝；t u U u C 2)0(3o o4--＝ ④ V 2.1o4＝u ；V 15o5-＝u8.19 ①1A 为积分器；2A 为迟滞比较器 ②ms 20 ③ms 808.20 实际是个窗口比较器；当时，或B A U u U u <>i i 输出为低电平；否则输出为高电平。
第四章答案模拟集成电路基础
第四章答案模拟集成电路基础1．什么是功率放大器？与一般电压放大器相比，对功率放大器有何特殊要求？主要用于向负载提供功率的放大电路常称为功率放大电路，简称功放。
功率放大电路的主要任务是获得一定的不失真或较小失真的输出功率，因此输出的电压、电流均较大，其值一般接近于功率三极管（以后简称功率管）的使用极限值。
功率放大电路中讨论的主要性能指标是输出信号的功率、功率放大电路的效率、三极管的功率损耗以及非线性失真等。
2．功率放大电路有哪些特点？（1）．输出功率为交流功率（2）．要求输出功率尽可能大（3）．效率要高（4）．减小非线性失真（5）．功率管要注意散热与保护（6）. 由于信号幅值大，对于功率放大器的分析，采用图解分析法。
3．什么是甲类放大？分析甲类放大效率低的原因及解决办法。
三极管在信号的整个周期内都处于导通状态，即导通角θ=360˚，这种工作方式通常称为甲类放大。
在甲类放大电路中，电源始终不断地输送功率，在没有信号输入时，也有静态偏置电流通过，这些功率全部消耗在三极管和电阻上，使三极管发热，并转化为热量的形式耗散出去，因此静态功耗大、效率低。
要提高效率，就必须降低静态工作点，增大功率三角形的面积，但会带来信号失真，可以通过两个三级管共同工作的乙类放大提高功放效率。
4．功率放大器电路中的三极管有哪几种工作状态，它们的导通角分别是多少？画出各种状态下的静态工作点以及与之相应的工作波形。
（1）甲类放大，导通角θ=360˚；（2）甲乙类放大导通角180˚<θ<360˚（3）乙类放大导通角θ=180˚。
（a）甲类放大在一周期内i c>0 （b）甲乙类放大在一周期内有（c）乙类放大在一周期内半个周期以上i c>0 只有半个周期i c>05．在题图4-1所示电路中，设BJT的β=100，V CC=12V，V CES=0.5V，R L=8Ω，输入信号v i为正弦波。
（1）说明该电路功率放大的类型？（2）计算电路可能达到的最大不失真输出功率P OM。
模电第四章部分习题答案
模电第四章部分习题答案模拟电子技术是电子工程中的重要分支，它研究模拟电路的设计、分析和应用。
在模拟电子技术的学习过程中，习题是检验学生理解和掌握程度的重要方式。
在模电第四章中，有许多习题需要我们认真思考和解答。
本文将对模电第四章部分习题进行解答，帮助读者更好地理解和应用模拟电子技术。
1. 题目：已知一个放大电路的输入电压为1V，输出电压为10V，求放大倍数。
解答：放大倍数是指输出电压与输入电压之间的比值。
根据题目中的信息，我们可以得到放大倍数为10。
2. 题目：一个放大电路的放大倍数为20，输入电压为2V，求输出电压。
解答：根据放大倍数的定义，我们可以得到输出电压为放大倍数乘以输入电压，即20乘以2V，等于40V。
3. 题目：一个放大电路的输出电压为20V，放大倍数为10，求输入电压。
解答：根据放大倍数的定义，我们可以得到输入电压为输出电压除以放大倍数，即20V除以10，等于2V。
4. 题目：一个放大电路的放大倍数为50，输入电压为1V，求输出电压。
解答：根据放大倍数的定义，我们可以得到输出电压为放大倍数乘以输入电压，即50乘以1V，等于50V。
5. 题目：一个放大电路的输入电压为0.5V，输出电压为10V，求放大倍数。
解答：根据题目中的信息，我们可以得到放大倍数为输出电压除以输入电压，即10V除以0.5V，等于20。
通过以上的习题解答，我们可以看出放大倍数是一个重要的概念，它描述了放大电路中输入和输出之间的关系。
在实际应用中，我们可以根据放大倍数的大小来选择合适的放大电路，以满足特定的需求。
除了放大倍数，模拟电子技术还涉及到许多其他的概念和知识点，如放大电路的频率响应、输入输出阻抗等。
通过解答习题，我们可以更好地理解和应用这些概念。
总之，模拟电子技术是电子工程中的重要内容，习题的解答是我们学习和掌握模拟电子技术的重要方式。
通过对模电第四章部分习题的解答，我们可以加深对放大倍数等概念的理解，并能够更好地应用于实际工程中。
模电第四章答案
第4章 集成运算放大电路自测题一、选择合适答案填入空内。
(1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为( C )。
A.可获得很大的放大倍数B.可使温漂小C.集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大( B )。
A.高频信号B.低频信号C.任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的( C )。
A.指标参数准确B.参数不受温度影响C.参数一直性好 (4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( A )。
A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻(5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( A )。
A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路二、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果。
(1)运放的输入失调电压U IO 是两输入端电位之差。
( × ) (2)运放的输入失调电流I IO 是两输入端电流之差。
( √ )(3)运放的共模抑制比cdCMR A A K =。
( √ ) (4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。
( √ )(5)在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
( × ) 三、电路如图T4.3 所示，已知β1＝β2＝β3= 100 。
各管的U BE 均为0.7V , 试求I C 2的值。
解：分析估算如下：21100CC BE BE R V U U I A Rμ--==00202211B B B B I I I I ββββ++==++；0202()1R B B B I I I I ββββ+=+=++图T4.322021C B B I I I ββββ+==⋅+。
比较上两式，得 2(2)1002(1)C R R I I I A ββμβββ+=⋅≈=+++四、电路如图T4.4所示。
图T4.4(1)说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放… … ）;(2)分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍数、输入电阻… … ）。
《模拟电子技术基础教程》——第四章习题解答
（2）若晶体管不工樹在放大区，则说明能否通过调节电阻 L和R,
（增大或者减小）使之处于放大状态；若能，则说明如 节？设在调 节某一电阻时其它两个电阻不变.
iookn|
-o+12V
Rc
10kQ
圏 P4.7
5
解（1）由图可知晶体管发射结正偏。假设晶体管处于放大状态，则U区=祖風一 ItiRb>0,集
当Rc增大时,UCEQ|减小,Q点将沿着JB = 40〃A所对应的输出特性左移，如解图4. 10 中的Q点，Ug
将变小“
当RL增大时，Q点不变» Vcc =Ul：KQ + ICQ .R；增大，但不变。
8
+ 12V
电路的直流通路 .+12V
电路的交流通路
电路的直流通路 --12V
电路的交流通路
电路的直流通路
_____ iop,A
\v2.02mA
1.51mA z—<^*20ilA _____
（a）
图 P4.4
（b）
解晶体管三个极中基极电流最小，据此可确定基极。根据基极电流方向可确定管 子类型，从外
流向内的为NPN型管，否则为PNP型管。根据IE = IB+ IC确定发射极和 集电极，电流最大的为发射极，
高频信号作用下电压放大倍数下降的主要原因是存在 ___ 电容。
A.耦合
B.旁路
C.极间
解 （1） B,A,A （2） B,A （3） A,B,C
4.4已知两只晶体管三个极的电流大小和方向如图P4. 4所示，分别判断两个晶体 管的类型（ NPN或PNP）,并在图中标出每个晶体管的三个电极，分别求出两个晶体管的 电流放大系数的
模拟电子技术第四章 习题与答案
第4章习题答案4.1填空题略4.2 选择题1、如图4-49所示电路，是（A）图4-49 运放电路A 电压跟随器B 电流跟随器2、能够把方波转换成三角波的是，（B）A 微分电路B积分电路3、能够把方波转换成正负相间的尖脉冲的电路时，（A）A 微分电路B积分电路4.3 判断题1、由于集成电路内部输入电阻无穷大而使输入电流几乎为零的现象称之为“虚短”。
（×）2、理想运放处于非线性区域时，可考虑虚短和虚断。
（×）3、虚短时，集成运放输入端不需用电流。
（×）4、理想运放工作在非线性区域时，具备以下特点：当u i＞0时，u o=+U OM；当u i＜0时，u o=-U OM。
（√）5、差动放大电路不可以抑制零点漂移。
（×）4.4 分析计算题1.略2. （1）略（2）2mv 2mv3. a图0.5v b图0.5v c图1v4. 4v5. a图-20mv，b图1.8v6. 1μF7. 当t=1ms时，输出电压为2v；3ms时，输出电压为-4v；5ms时，输出电压为4v，以此类推。
波形为三角波，图略。
8. t从0到10s时，输出电压为-0.1v；而从10s到30s,输入均无变化，因此此时输出为0；而从30s到40s时，输出电压为0.1v,其波形为一负一正另个矩形波。
波形图略。
9. 当U R为0v时，输入电压超过0v，输出电压即为-0.7v，输入电压低于0v，输出则为5v。
当U R为-2v时，输入电压超过-2v，输出电压即为-0.7v，输入电压低于-2v，输出则为5v。
波形略。
4.5 问答题略。
(完整版)模拟电子技术教程课后习题答案大全
第1章习题答案1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。
（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。
（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。
（×）（3）线性电路一定是模拟电路。
（√）（4）模拟电路一定是线性电路。
（×）（5）放大器一定是线性电路。
（√）（6）线性电路一定是放大器。
（×）（7）放大器是有源的线性网络。
（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。
（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。
（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。
（×）2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。
（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。
（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。
（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。
（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。
（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。
（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。
（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。
（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。
（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带f BW是250KHZ。
3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。
如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。
模电课后习题第四章
习题四解答4-1什么是反馈？什么是负反馈？怎样区分四种不同类的反馈？解：在电路中，反馈是指将输出量的一部分或全部通过反馈网络，用一定的方式送到输入回路，以影响输入电量的过程。
反馈的结果使得净输入电量减小则为负反馈。
在输出端，如果反馈信号是对输出电压取样，也就是说反馈信号与输出电压有关，则称为电压反馈；如果反馈信号是对输出电流取样，也就是说反馈信号与输出电流有关，则称为电流反馈。
在输入端，如果反馈到输入端的信号是以电压形式出现，与输入电压串联比较，则称为串联反馈；如果反馈到输入端的信号是以电流形式出现，与输入电流并联比较，则称为并联反馈。
因此，一共可分为四种不同类型的负反馈，即：1）电压串联负反馈，2）电压并联负反馈，3）电流并联负反馈，4）电流串联负反馈。
5）4-2负反馈对放大电路有哪些影响？在改善电路的某些性能时又付出了那些代价？解：负反馈能够提高增益的稳定性，减小非线性失真，抑制放大器内部的噪声，增大或减小输入、输出电阻等。
主要是以牺牲闭环增益为代价。
4-3试说明为了实现以下几个方面的要求，它们分别应采用何种负反馈？1）要求输入电阻大，输出电阻小；2）要求输入电阻大，输出电流稳定；3）电流源输入，要求输出电压稳定；4）电流源输入，要求输出电流稳定。
解：1）由于串联负反馈可以增大输入电阻，典雅负反馈可以减小输出电阻，所以，要使输入电阻大和输出电阻小，应采用电压串联负反馈；2）由于电流负反馈能够稳定输出电流，所以，要使输入电阻大，输出电流稳定，应采用串联电流负反馈；3）一个放大电路，要获得较大的增益，必须尽可能地从信号源获取信号，对于电流源输入，要使放大电路获取尽可能多的信号，必须是放大电路的输入电阻尽可能地减小，所以在输入端应采用并联负反馈，如果又要稳定输出电压，所以总体应采用并联电压负反馈；4）综合以上理由，在电流源输入情况下，要稳定输出电流，应采用并联电流负反馈。
4-4 对于图P4-1所示的反馈电路，试判定个电路给定反馈电路的反馈类型。
模拟电子技术基础习题及答案
模拟电子技术基础习题答案电子技术课程组2016.9.15目录第1 章习题及答案 (1)第2 章习题及答案 (14)第3 章习题及答案 (36)第4 章习题及答案 (45)第5 章习题及答案 (55)第6 章习题及答案 (70)第7 章习题及答案 (86)第8 章习题及答案 (104)第9 章习题及答案 (117)第10 章习题及答案 (133)模拟电子技术试卷1 (146)模拟电子技术试卷2 (152)模拟电子技术试卷3 (158)第 1 章习题及答案1.1 选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N 型半导体，加入元素可形成P 型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN 结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小（4）稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C写出图P1.2.1 所示各电路的输出电压值，设二极管是理想的。
（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）二极管导通U O1=2V （2）二极管截止U O2=2V （3）二极管导通U O3=2V 写出图P1.2.2 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）二极管截止U O1=0V （2）二极管导通U O2=-1.3V （3）二极管截止U O3=-2V 电路如P1.3.1 图所示，设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解：二极管D1截止，D2导通，U O=-2.3V电路如图P1.3.2 所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3.2解：当u i>0V 时，D 导通，u o =u i；当u i≤0V 时，D 截止，u o=0V。
模拟电子技术第四章习题解答概论
第四章习题解答题 4-1 在图P4－1是集成运放BG303偏置电路的示意图，已知V CC =V EE =15V ，偏置电阻R =1MΩ(需外接)。
设各三极管的β均足够大，试估算基准电流I REF 以及输入级放大管的电流I C1、I C2。
图 P4-14-1解：VT4、VT3、R 组成镜像电流源，流过R 的基准电流为CC EE BE REF 15150.7μA 29.3μA 1V V U I R +-+-===C3REF 1=21βI I =+，β足够大，所以C3REF =29.3μA I I ≈VT1、VT2为差分对管，则有C1C2=14.7μAI I ≈题 4-2 在图P4-2中，三极管的β＝100,r be ＝10.3kΩ，V CC =V EE =15V ，R c =36kΩ，R e =27Ω，R =2.7kΩ，R w =100Ω，R w 的滑动端处于中点，负载电阻R L =18kΩ,估算：① 静态工作点； ② 差模电压放大倍数； ③ 差模输入电阻。
4-2解：WBQ BEQ EQ e EE 0(2)2R I R U I R V ---+=- ① EE BEQ BQ 33W e 150.72.6μA 1002.710(1100)(22710)(1)(2R )22V U I A R R β--==≈⨯++⨯+⨯⨯+++CQ BQ 100 2.6μA 260μA 0.26μA I I β≈=⨯=≈[]CQ CC CQ C 150.2636V 5.64V U V I R =-=-⨯=(对地) 63BQ BQ C 0(2.610 2.710)V 7mV U I R -=-=-⨯⨯⨯≈-② L c d 3W be 18//36//221004010010(1)_ 2.710.3(1100)22R R A R R r ββ-=-=-⨯≈-⨯++++++⨯③ W id be 2[(1)]2(2.710.31010.05)k 36k 2RR R r β=+++=⨯++⨯Ω=Ω本题的意图是掌握长尾式差分放大电路的静态和动态分析方法。
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2
gm
(RD
//
RL
)
Avd2
5.4
gm 2
n COXW
2l
IDห้องสมุดไป่ตู้
2.16mS
Avc2
-
gm (RD // RL ) 1 2g m RSS
-0.47,
K CMR
Avd2 Avc2
5.4 11.5 0.47
vO Avd2vid Avc2vic 5.4 10 -0.47 5 51.65mV
R2 ) )rce3
(1
100 0.51
) 36 1.02MΩ
0.51 0.78 1.8 //(13 0.85)
4-55 图P4-55所示电路中，各双极性晶体管的参数均为β=100，|VA|
=100, |VBE(on)|=0.7V, rbb' =0, 场效应管参数也都相同，
作业
第四章
4-1
4-6： 略（方法：先画直流通路，再根据饱和模式下IDQ和VGSQ 之间的关系解方程，得到IDQ） 4-7
直流通路
交流通路
Rs
T
+
+
R4 RL vo
vs
R1 R2
-
-
直流通路： 隔直流电容和旁路电容开路，电感短路。 交流通路： 隔直流电容和旁路电容短路，扼流圈等大电感开路，独立的直流 电压源短路，独立的直流电流源开路。
解： (1 )RE (RB1 // RB2 )
I CQ
RB1 RB1 RB2
VCC
RE
- 0.7V
1.15mA
Ri
rb'e
(1 )re
(1 )
VT I CQ
4.5k
Ro RC // rce RC 4k
Ai
RC RC RL
160,
4-8 共源放大电路如图P4-8所示。已知场效应管的gm=1mS， rds=200 k。试：(1)画出小信号等效电路；(2)求Av，Ri， Ro。
解： (1) 见右下图
(2)
Ri RG3 RG1 // RG2 RO' RS1 (1 gm RS1 )rds
忽略rds，则
vs
gm (vg
解：
ID
nCOXW
2l
(VGS
-VGS(th) )2
VGS 12 - 2ID RSS , VGS(th) -1
ID 1.17mA(舍去1.39mA)
ISS 2.34mA
Avd2
vo vi
1 (- 2 vi )[-gm (RD // RL )]
vi
1
- 2)2
1mA
rb'e
(1 ) VT
I CQ
2.63k
Rid 2rb'e 1k 2 2.63 1 6.26k
+
vi
-
T3
500Ω
T1
T5
Vcc(12V)
T4 T2
Cc 10kΩ
+
vo
500Ω
-
T7
Rod
rce2 // rce4
1 | VA | 2 I CQ
小信号等效电路
4-11 共发放大器如图P4-11所示，试画出直流、交流通路、小信号 等效电路。图中各电容对信号频率呈短路。已知晶体三极管 β=200，VBE(on)=0.7V，|VA|=150V，试求输入电阻Ri，输出电阻 Ro，电流增益Ai，电压增益Av，源电压增益Avs，最大电压增益 极限值Avtmax。
VGS(th)=2V nCoxW 0.5mA/V2 , 试求：
2l
(1) T1、T2管的静态工作点电流；
(2) 放大器的差模输入电阻 Rid、输出电阻Rod，差模电压增益
Avd (图中Cc为隔直流电容)。
解：(1) (2)
I CQ1
I CQ2
1 2
I
DQ5
1 2
I DQ7
1 2
0.5 (4
rce可忽略。试画出差模、共模交流通路，并求：(1)差模输入 电阻Rid，差模输出电阻Rod，差模电压增益Avd；(2)共模输入 电阻Ric，共模输出电阻Roc，共模电压增益Avc；(3)共模抑制比 KCMR。 解：
+
+
+
T1 RC RL/2
vod1
+
T1 RC
voc1
vid1 -
-
vic1 -
2REE
小信号等效电路(半电路)
Avd
vo1 - vo2 vi
(1 2
vi
)[-g m1(rds1
//
rds3
//
1 g mu3
)] -
(-
1 2
vi
)[-g m2(rds2
//
rds4
//
1 g mu4
)]
vi
-g m1(rds1
//
rds3
//
1 g mu3
)
4-38 在图P4-38所示电路中，已知＝100，VBE(on) 0.7V，RL＝10k，
-
差模交流通路 (半电路)
共模交流通路 (半电路)
+
+
+
T1 RC RL/2
vod1
+
T1 RC
voc1
vid1 -
-
vic1 -
2REE
-
(1)：差模性能(双端输出)
I CQ1
I CQ2
1 2
0
-
0.7 5.1
(-6)
0.52mA
Rid
2rb'e
2(1
)
VT I CQ1
10.1k,
Rod 2RC 10.2kΩ
Avd
-gm RL'
-
rb'e
(RC
//
1 2
RL )
-50.5
(2)：共模性能(单端输出)
Ric rb'e (1 )2REE 1.04M, Roc RC 5.1k
Avc
- Ai
RL' Ric
rb'e
RC (1 )2REE
2
10k
R4
1k
+
T5 vo
R5
80
2.7k
R3
T4
4-75 已知一无零三极系统的中频电压增益AvI=105，三个极点角频
率p均为106rad/s。(1)试写出该系统的传递函数Av(s)，并画出 该传递函数的渐近波特图；(2)分别计算＝106rad/s、＝
Av
-
RC // RL Ri
-35.6
Avs
Av
Ri Ri Rs
-29,
Avtm a x
-
| VA VT
|
4-14
在共基放大电路的基极上接入电阻RB，其交流通路如图 P4-14所示。试画出小信号等效电路，若rce忽略不计，试 写出输入电阻Ri、输出电阻Ro、电流增益Ai和源电压增益 Avs表达式。
2mA
I C1
I C2
R2 R1
1.13mA, IC3
I C2
R2 R3
3.33mA
Ro3
(1
R3
rb'e3
R3
R4 //(re2
R2 ) )rce3
[R4
//(re2
R2 ) rb'e3] // R3
(1
R3
rb'e3
R3
R4 //(re2
Ri
288.6kΩ
Av
Av1 Av2
(1 1)RE' 1 rb'e1 (1 1)RE' 1
[-
rb'e2
2 RL'
]
(1 2 )RE2
rb'e2
2 RL' (1 2 )RE2
-6.9
Avs
Av
Ri Ri Rs
4-30 图P4-30所示为共发-共基组合放大器，试画出直流通路和交流 通路，已知晶体三极管β1=β2=100，VBE(on)1= VBE(on)2=0.7V， VB2=5V，各电容对交流呈短路，试求VCEQ1，VCEQ2，Av，Avs。
解：
RO rce1 // RL // Ro' (T2)
Ro' (T2)
(1
RB1
//
RE2
RB2 rbe
RE2
)rce2
(RB1 // RB2 rbe ) // RE2
(参考式4 - 2 - 25)
电路图
+
T1 T2
+
RL vo
vi
RE2
RB1 RB2
-
-
交流通路
4-20 图P4-20所示为单级MOS放大电路，已知各管参数：gm1= 600S，gm2=200S，rds1 = rds2 =1M， 1 2 0.1 ， (W/l) 1=200/20。（1）指出各电路名称，画出小信号等效 电路；（2）计算Av=vo/vi，和(W/l)2值。