电子技术基础习题答案.

第1章检测题（共100分，120分钟）

一、填空题：（每空0.5分，共25分）

1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。

2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。

3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的

扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。

4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N 区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。

5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。

6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。

7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。

8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。

二、判断正误：（每小题1分，共10分）

1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错）

2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对）

3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错）

4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错）

5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错）

6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。（对）

7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错）

8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM时，该管必被击穿。（错）

9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。（错）

10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。（错）

三、选择题：（每小题2分，共20分）

1、单极型半导体器件是（C）。

A、二极管；

B、双极型三极管；

C、场效应管；

D、稳压管。

2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。

A 、三价；

B 、四价；

C 、五价；

D 、六价。

3、稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。

A 、导通状态；

B 、截止状态；

C 、反向击穿状态；

D 、任意状态。

4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（ C ）。

A 、已经击穿；

B 、完好状态；

C 、内部老化不通；

D 、无法判断。

5、PN 结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。

A 、多子扩散；

B 、少子扩散；

C 、少子漂移；

D 、多子漂移。

6、测得NPN 型三极管上各电极对地电位分别为V E ＝2.1V ，V B ＝2.8V ，V C ＝4.4V ，说明此三极管

处在（ A ）。

A 、放大区；

B 、饱和区；

C 、截止区；

D 、反向击穿区。

7、绝缘栅型场效应管的输入电流（ C ）。

A 、较大；

B 、较小；

C 、为零；

D 、无法判断。

8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（ C ）。

A 、矩形方波；

B 、等腰三角波；

C 、正弦半波；

D 、仍为正弦波。

9、三极管超过

（

C ）所示极限参数时，必定被损坏。

A 、集电极最大允许电流I CM ；

B 、集—射极间反向击穿电压U （BR ）CEO ；

C 、集电极最大允许耗散功率P CM ；

D 、管子的电流放大倍数β。

10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ C ）

A 、发射结正偏、集电结正偏；

B 、发射结反偏、集电结反偏；

C 、发射结正偏、集电结反偏；

D 、发射结反偏、集电结正偏。

四、简述题：（每小题4分，共28分）

1、N 型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P 型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，

因此说N 型半导体带负电，P 型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？

答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获

得了N 型半导体或P 型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。

2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V 、管脚②3V 、管脚③3.7V ，

试判断管子的类型以及各管脚所属电极。

答：管脚③和管脚②电压相差0.7V ，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚①比管脚②和

③的电位都高，所以一定是一个NPN 型硅管。再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极，管

脚③是基极，管脚①是集电极。

3、图1-29所示电路中，已知E =5V ，t u ωsin 10i =V ，

二极管为理想元件（即认为正向导通时电阻R =0，反向阻断时电阻R =∞），

试画出u 0的波形。

答：分析：根据电路可知，当u i >E 时，二极管导通u 0=u i ，

当u i

图1-29