集成电子技术基础教程-模电教材习题与习题解答-三篇 3章
《模拟电子技术基础》习题答案
模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？U图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
模拟电子技术习题集参考答案
第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、解：u i和u o的波形如题5解图所示。
题6解图题5解图六、解：u i和u o的波形如题6解图所示。
题6解图七、解：1、当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解：波形如题8解图所示。
题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ；硅，锗；电子和空穴。
《模拟电子技术基础》典型习题解答
《模拟电子技术基础》典型习题第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.6测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.6所示。
在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
图P1.6解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表P1.6所示。
1.7 电路如图P1.7所示，试问β大于多少时晶体管饱和？图P 1.7解：取U CES ＝U BE ，若管子饱和，则Cb CBE CC b BE CC R R R U V R U V ββ=-=-⋅所以，100Cb=≥RRβ时，管子饱和。
1.8 分别判断图P1.8所示的各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
图P1.8解：（a）可能（b）可能（c）不能（d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。
（e）可能第二章基本放大电路2.1分别改正图P2.1所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。
要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
图P2.1解：（a ）将－V CC 改为＋V CC 。
（b ）在＋V CC 与基极之间加R b 。
（c ）将V BB 反接，且在输入端串联一个电阻。
（d ）在V BB 支路加R b ，在－V CC 与集电极之间加R c 。
2.3电路如图P2.3所示，晶体管的β＝80，'bb r=100Ω。
分别计算R L ＝∞和R L ＝3kΩ时的Q 点、u A、R i和R o。
图P2.3解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、r be 均相等，它们分别为Ω≈++=≈=≈--=k 3.1mV26)1(mA76.1 Aμ 22EQbb'be BQ CQ BEQb BEQ CC BQ I r r I I RU R U V I ββ空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为Ω==-≈⋅+≈Ω≈≈=-≈-=≈-=k 593k 3.1308V 2.6 c o bes bebe be b i becc CQ CC CEQ R R A r R r A r r R R r R A R I V U uusu∥βR L ＝5k Ω时，静态管压降、电压放大倍数分别为47115V3.2)(bes bebe'LL c CQ Lc LCEQ -≈⋅+≈-≈-=≈-+=uusu A r R r A r R A R R I R R R U β∥Ω==Ω≈≈=k 5k 3.1c o be be b i R R r r R R ∥2.4 电路如图P2.4所示，晶体管的β＝100，'bb r=100Ω。
模拟电子技术基础(第四版)华成英课后答案第三章
& = β 2 R3 = 125 A u2 rbe2 & =A & ⋅A & ≈ −125 A
u u1 u2
Ri = R1 ∥ R2 ∥ rbe1 ≈ 0.93kΩ Ro = R3 = 3kΩ
在 图 （ b） 所 示 电 路 中
& = − β 1 ⋅ ( R1 ∥ rbe2 ) ≈ −50 A u1 rbe1 & = − β 2 R4 ≈ −42 A u2 rbe2 & =A & ⋅A & ≈ 2100 A u u1 u2 Ri = ( R5 + R2 ∥ R3 ) ∥ rbe1 ≈ 1.2kΩ Ro = R4 = 1kΩ
)
二、现有基本放大电路： A. 共 射 电 路 D. 共 源 电 路 B. 共 集 电 路 E. 共 漏 电 路 C. 共 基 电 路
根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 （ 1 ）要 求 输 入 电 阻 为 1k Ω 至 2k Ω ，电 压 放 大 倍 数 大 于 3000 ，第 一 级 应 采用 ，第二级应采用 。
（ 2 ） 要 求 输 入 电 阻 大 于 10M Ω ， 电 压 放 大 倍 数 大 于 300 ， 第 一 级 应 采 用 ，第二为 100k Ω ～ 200k Ω ， 电 压 放 大 倍 数 数 值 大 于 100 ， 第一级应采用 ，第二级应采用 。
图 （ b）
rbe2 + R2 1+ β2
& = A u
(1 + β 1 )( R2 ∥ R3 ∥ rbe2 ) β R ⋅ (− 2 4 ) rbe1 + (1 + β 1 )( R2 ∥ R3 ∥ rbe2 ) rbe2
集成电子技术基础教程-模电教材习题与习题解答-三篇 1章
I BQ =
12 − 0.7 12 − 0.7 ≈ 73 µA = Rs + (1 + β) Re 1 + 51 × 3
第一章
放大电路的动态和频响分析
题 3.1.1 对于放大电路的性能指标，回答下列问题： (1) 已知某放大电路第一级的电压增益为 40dB，第二级的电压增益为 20dB，总的电压 增益为多少 dB？ (2) 某放大电路在负载开路时输出电压为 4V，接入 3 kΩ的负载电阻后输出电压降为 3V，则该放大电路的输出电阻为多少？ (3) 为了测量某 CE 放大电路的输出电压，是否可以用万用表的电阻档直接去测输出端 对地的电阻？ 解：(1) 60 dB； (2) 1 kΩ； (3) 不可以。 题 3.1.2 一学生用交流电压表测得某放大电路的开路输出电压为 4.8V，接上 24 kΩ的负载 电阻后测出的电压值为 4V。已知电压表的内阻为 120 kΩ。求该放大电路的输出电阻 Ro 和 实际的开路输出电压 Voo。 解：由题意列方程组：
图题 3.1.6
& = − β( Rc // R L ) , Ri=Rb∥rbe, Ro=RC 解：(1) A v rbe
& |减小，Ri 基本不变， (2) 若换用β值较小的晶体管，则 IBQ 基本不变，VCEQ 增大，| A v
Ro 不变。 (3) 由三极管的非线性特性引起的失真，不是饱和失真，也不是截止失真。 (4) 截止失真，应减小 Rb。 (5) 饱和失真，主要原因是由于温度升高，晶体管的 VBE↓、β↑、ICEQ↑,使三极管的 静态工作点升高。
可见，此时输出电压已经产生了截止失真和饱和失真，其电压波形如图 3.1.3（b）所示。 题 3.1.4 一组同学做基本 CE 放大电路实验，出现了五种不同的接线方式，如图题 3.1.4 所 示。若从正确合理、方便实用的角度去考虑，哪一种最为可取？
模拟电子技术教程第3章习题答案2汇总
第3 章习题1. 观点题：（1）在放大电路中，三极管或场效应管起的作用就是将一种形式的电量变换为另一种形式的电量。
（2）电源的作用是为能量变换供给能源，假如走开电源，放大器能够工作吗？（不能）（3）单管放大器的解说从电容耦合形式开始，这是由于阻容耦合放大器设计和计算相对来说要简单点，假如信号和负载直接接入，其工作点的计算将要复杂的多。
（4）在共射放大器的发射极串接一个小电阻，还可以以为是共射放大器吗？（能）在共集放大器的集电极串接一个小电阻，还可以以为是共集放大器吗？（能）（5）在模电中以下一些说法是等同的，（A、C、F）另一些说法也是等同的。
（B、D、E）A. 直流剖析B. 沟通剖析C. 静态剖析D. 动向剖析E. 小信号剖析F. 工作点剖析（6）PN 结拥有单导游电性，信号电压和电流的方向是随时间变化的，而沟通信号却能在放大电路中经过并获取放大，这是由于放大器输出端获取的沟通信号其实就是电流或电压的相对变化量。
（7）β大的三极管输入阻抗也大，小功率三极管的基本输入阻抗可表示为UTr r (1 ) 。
be bb' IEQ（8）画直流通路比画沟通通路复杂吗？（不）在画沟通通路时直流电压源可以为短路，直流电流源可以为开路，二极管和稳压管只考虑其动向内阻即可。
（9）求输出阻抗时负载R L 一定断开，单管放大器输出阻抗最难求的是共集电极放大器，其次是共源放大器。
（10）对晶体管来说，直流电阻指晶体管对所加电源体现的等效电阻，沟通电阻指在必定偏置下晶体管对所经过的信号体现的等效电阻，对纯电阻元件有这两种电阻之划分吗？（无）（11）在共射级放大器或共源放大器中，电阻R C 或R D 的作用是把电流I C 或I D 的变化变换为电压的变化。
（12）放大电路的非线性失真包含饱和失真和截止失真，惹起非线性失真的主要原由是放大器工作点偏离放大区。
（13）三极管构成的三种基本放大电路中，共基放大电路的高频特征最好，预计这与晶体管的结电容相关。
模拟电子技术基础第四版课后答案-童诗白精编版
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术基础第四版课后答案第三章
第3章多级放大电路自测题一、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
（1）要求输入电阻为至2kQ,电压放大倍数大于3000 ,第一级应采用（A）, 第二级应采用（A ）。
（2）要求输入电阻大于10MQ,电压放大倍数大于300 ,第一级应采用（D ）,第二级应采用（A ）。
（3）要求输入电阻为1002”200皿,电压放大倍数数值大于100 ,第一级应采用（B ）,第二级应采用（A ）。
（4）要求电压放大倍数的数值大于10 ,输入电阻大于1OM0输出电阻小于1000 第一级应采用（D ）,第二级应采用（B ）。
（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且|4.|= ¥ >1000,输出电阻X100 ,第一级应采用釆用（C ）,第二级应（B ）。
二、选择合适答案填入空内。
（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（C、D ）。
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳（2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（C ）。
A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容（3）选用差动放大电路的原因是（A ）。
A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放大倍数（4）差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的（A ）,共模信号是两个输入端信号的（C ）。
A.差B.和C.平均值（5）用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的（B ）。
A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大（6）互补输出级采用共集形式是为了使（C ）。
A.放大倍数的数值大B.最大不失真输出电压大C.带负载能力强三、电路如图T3・3所示，所有晶体管均为硅管，B均为200,加=2000 ,静态时%①0.7V。
试求：（1）静态时4管和4管的发射极电流。
⑵若静态时u（） > 0 ,则应如何调节屆的值才能使=0若静态=0 V t则屆==,电压放大倍数为多少解：⑴盂管的集电极电流I C 3 = (i/z -U BEQ3)/R E3= 0.3mA 静态时71管和乃管的发射极电流I El =/^=0.15mA⑵若静态时5 > 0 ,则应减小 屁当M, =0时u o = 0,力管的集电极电流I CQ4 = V EE /R C 4 = 0.6mA o加=久+(1 + 0)护"9也 仮4A_0｛尺2〃［也+（1+"）心］｝zA,, ---------------------------------- 10.3屁的电流及其阻值分别为:2-0认2-譽0・⑷皿,p_ 人 4尺£4 + BEQ4f2=—兀—电压放大倍数求解过程如下:=6.8M八 26mV oc/.久2 f+（1 + 0）—P 35K1lEQ2 图 T3 • 3（-6V ）/<2R10kQ-o ----习题判断图所示各两级放大电路中7；和誥管分别组成哪种基本接法的放大电路。
模拟电子技术基础(第四版)习题解答40p()
第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零，则其输入电阻会明显变小。
GS( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术基础课后答案（完整版）
第三部分习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（×）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（√）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（×）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（×）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（√ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（×）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（×）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e(I I TV Vs D 表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压；V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K 2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦，则)V (2.11594TV T，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TVV，于是TV Vs eI I，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V ，于是s I I，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
电子技术基础习题答案
中等职业教育电类专业规划教材电子技术基础练习册习题答案丛书主编程周主编范国伟副主编袁洪刚关越主审任小平Publishing House of Electronics Industry北京 BEIJING《电子技术基础练习册》习题答案范国伟袁洪刚关越编写第一篇模拟电子技术基础第1章半导体二极管和三极管1.1 半导体的基本知识一、填空题1、（自由电子、空穴、N型半导体、P型半导体）；（掺杂半导体导电粒子）2、（电子、空穴）3、（电子型半导体、五价元素、电子、空穴）4、（三价元素、空穴、自由电子）5、（单向导电性、正极、负极、反向电压、反向偏置）6、（较大、导通、很小、截止）二、判断题1、×2、√3、×4、×5、×三、选择题1、C、2、B、3、C四、问答题1、答：PN结的主要特性是单向导电性，即PN结在加上正向电压时，通过PN结的正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态；PN结在加上反向电压时，通过PN结的反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。
1.2 半导体二极管一、填空题1、（单向导电性、正极或阳极、负极或阴极、V、）2、（硅管、锗管、点接触型、面接触型、检波二极管、开关二极管）3、（单向导电性、0.5、0.2、0.7、0.3）4、（最大正向电流I FM、最大反向工作电压U RM、最大反向电流I RM、一半或三分之一）5、（硅、稳压、锗、开关、硅、整流、锗、普通；）6、（过热烧毁、反向击穿）二、判断题1、×2、√3、×4、×5、×6、×三、选择题1、C2、B3、C4、B5、C6、A7、C四、问答题1、 答：（1）N 型锗材料普通二极管；（2）N 型锗材料开关二极管；（3）N 型硅材料整流二极管； （4）N 型硅材料稳压二极管；2、 答：不能，因为1.5伏的的干电池会使流过二极管的电流很大，可能烧坏二极管。
模拟电子技术基本教程课后习题答案
《模拟电子技术基础简明教程》课后习题答案第一章1-1 二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。
1-7 ① I Z =14mA ② I Z =24mA ③ I Z =17mA1-13 （a ）放大区（b ）截止区（c ）放大区（d ）饱和区（e ）截止区（f ）临界饱和（g ）放大区（h ）放大区1-15 （a ）NPN 锗管（b ）PNP 硅管第二章2-1 （a ）无（b ）不能正常放大（c ）有（d ）无（e ）有（f ）无（g ）无（h ）不能正常放大（i ）无2-7 ②U BQ =3.3V ，I CQ = 2.6mA ，U CEQ =7.2V2-8①饱和失真2-10 ① I BQ = 10μA ，I CQ = 0.6mA ，U CEQ ≈3V②r be = 2.6k Ω③uA =－51.7,R i ≈2.9k Ω, R o =5k Ω 2-11 先估算Q 点，然后在负载线上求Q 点附近的β，最后估算r be 、 u A 、R i 、R o ，可得r be ≈1.6k Ω，uA =－80.6,R i =0.89k Ω, R o =2k Ω 2-14 ① I BQ = 20μA ，I CQ = 1mA ，U CEQ ≈6.1V②r be = 1.6k Ω，uA =－0.94,R i =84.9k Ω, R o =3.9k Ω 2-16 ① I BQ ≈10μA ，I CQ = 1mA ，U CEQ ≈6.4V②r be = 2.9k Ω，当R L =∞时，R e /= R e ∥R L = 5.6k Ω,uA ≈0.99; 当R L =1.2k Ω时，R e /= R e ∥R L = 0.99k Ω,uA ≈0.97。
③当R L =∞时，R i ≈282k Ω；当R L =1.2k Ω时，R i ≈87k Ω ④R o ≈2.9k Ω2-19 （a ）共基组态（b ）共射组态（c ）共集组态（d ）共射组态（e ）共射－共基组态第三章3-2 如︱u A ︱=100，则20lg ︱uA ︱=40dB; 如20lg ︱u A ︱=80dB,则︱uA ︱=10000。
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第1章习题答案1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。
（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。
（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。
（×）（3）线性电路一定是模拟电路。
（√）（4）模拟电路一定是线性电路。
（×）（5）放大器一定是线性电路。
（√）（6）线性电路一定是放大器。
（×）（7）放大器是有源的线性网络。
（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。
（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。
（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。
（×）2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。
（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。
（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。
（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。
（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。
（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。
（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。
（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。
（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。
（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带f BW是250KHZ。
3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。
如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。
集成电子技术基础教程-模电教材习题与习题解答-一篇 3章
第三章场效应晶体管及其电路分析题1.3.1 绝缘栅场效应管漏极特性曲线如图题1.3.1（a）~（d）所示。
（1）说明图（a）~（d）曲线对应何种类型的场效应管。
（2）根据图中曲线粗略地估计：开启电压V T、夹断电压V P和饱和漏极电流I DSS或I DO 的数值。
图题1.3.1解： (1)(a)增强型N沟道MOS管，V GS(th)≈3V,I DO≈3mA； (b)增强型P沟道MOS管，V GS(th)≈2V,I DO≈2mA； (c)耗尽型型P沟道MOS管，V GS(off)≈2V,I DSS≈2mA； (d)耗尽型型N沟道MOS管，V GS(off)≈2V,I DSS≈3mA。
题1.3.2 场效应管漏极特性曲线同图题1.3.1（a）~（d）所示。
分别画出各种管子对应的转移特性曲线i D=f（v GS）。
解：在漏极特性上某一V DS下作一直线，该直线与每条输出特性的交点决定了V GS和I D的大小，逐点作出，连接成曲线，就是管子的转移特性了。
图题1.3.3题1.3.3 图题1.3.3所示为场效应管的转移特性曲线。
试问：（1）I DSS、V P值为多大？（2）根据给定曲线，估算当i D=1.5mA和i D=3.9mA时，g m约为多少？（3） 根据g m 的定义：GSD m dv di g =，计算v GS = -1V 和v GS = -3V 时相对应的g m 值。
解： (1) I DSS =5.5mA,V GS(off)=-5V; (2) I D =1.5mA 时，gm ≈0.88ms,I D =3.9mA 时，gm ≈1.76ms;(3) V GS =-1V 时，gm ≈0.88ms,V GS =-3V 时，gm ≈1.76ms 题1.3.4 由晶体管特性图示仪测得场效应管T 1和T 2各具有图题1.3.4的（a ）和（b ）所示的输出 特性曲线，试判断它们的类型，并粗略地估计V P 或V T 值，以及v DS =5V 时的I DSS或 I DO 值。
模拟电子技术基础习题及答案
模拟电子技术基础习题答案电子技术课程组2016.9.15目录第1 章习题及答案 (1)第2 章习题及答案 (14)第3 章习题及答案 (36)第4 章习题及答案 (45)第5 章习题及答案 (55)第6 章习题及答案 (70)第7 章习题及答案 (86)第8 章习题及答案 (104)第9 章习题及答案 (117)第10 章习题及答案 (133)模拟电子技术试卷1 (146)模拟电子技术试卷2 (152)模拟电子技术试卷3 (158)第 1 章习题及答案1.1 选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N 型半导体，加入元素可形成P 型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN 结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小（4）稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C写出图P1.2.1 所示各电路的输出电压值，设二极管是理想的。
（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）二极管导通U O1=2V （2）二极管截止U O2=2V （3）二极管导通U O3=2V 写出图P1.2.2 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）二极管截止U O1=0V （2）二极管导通U O2=-1.3V （3）二极管截止U O3=-2V 电路如P1.3.1 图所示，设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解：二极管D1截止，D2导通，U O=-2.3V电路如图P1.3.2 所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3.2解：当u i>0V 时，D 导通，u o =u i；当u i≤0V 时，D 截止，u o=0V。
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第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和0.5pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：m V 6.179A1m A1ln m V 26U D =μ≈ 对于锗管：m V 8.556pA5.0m A1ln m V 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =0.1pA 。
（1）当二极管正偏压为0.65V 时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）m A 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为0.7伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
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第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和0.5pA .如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：m V 6.179A1m A1ln m V 26U D =μ≈ 对于锗管：m V 8.556pA5.0m A1ln m V 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =0。
1pA 。
（1）当二极管正偏压为0。
65V 时，二极管的正向电流为多少？(2）当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）m A 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时,S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k （即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1—3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示.已知电源电压为6V ,二极管压降为0.7伏。
试求： （1)流过二极管的直流电流;(2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
模拟电子技术习题及解答
模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知)5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。
试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。
解：对于（a ）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，6V AO U =- 采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。
采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I =解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。
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第三篇第三章反馈放大电路及应用题3.3.1 怎样分析电路中是否存在反馈?如何判断正、负反馈；动态、静态反馈(交、直流反馈)；电压、电流反馈；串、并联反馈? 解：根据电路中输出回路和输入回路之间是否存在信号通路，可判断是否存在反馈。
利用瞬时极性法，可以判断正、负反馈：若反馈信号的引入使放大器的净输入量增大，则为正反馈；反之为负反馈。
在静态条件下(v i=0)将电路画成直流通路，假设因外界条件(如环境温度)变化引起静态输出量变化，若净输入量也随之而变化，则表示放大器中存在静态反馈。
当v i加入后，将电路画成交流通路，假定因电路参数等因素的变化而引起输出量变化，若净输入也随之而变化，则表示放大器中存在动态反馈。
利用反证法可判断电压、电流反馈。
假设负载短路后，使输出电压为零，若反馈量也随之为零，则是电压反馈；若反馈量依然存在(不为零)，则是电流反馈。
在大多数电路中(不讨论个别例外)，若输入信号和反馈信号分别加到放大电路的二个输入端上，则为串联反馈；若加到同一输入端上，则为并联反馈。
题3.3.2 电压反馈与电流反馈在什么条件下其效果相同，什么条件下效果不同? 解：在负载不变的条件下，电压反馈与电流反馈效果相同；当负载发生变化时，则二者效果不同，如电压负反馈将使输出电压恒定，但此时电流将发生更大的变化。
题3.3.3 在图题3.3.3所示的各种放大电路中，试按动态反馈分析： (1)各电路分别属于哪种反馈类型?(正/负反馈；电压/电流反馈；串联/并联反馈)。
(2)各个反馈电路的效果是稳定电路中的哪个输出量?(说明是电流，还是电压) (4)若要求将图(f)改接为电压并联负反馈，试画出电路图(不增减元件)。
图题3.3.3 解：(1)，(2) : (a)电压并联负反馈，稳定υo。
(b)电流串联负反馈，稳定io。
(c)电流并联负反馈，稳定io。
(d)电压串联负反馈，稳定υo。
(e)电压并联负反馈，稳定υo。
(f)电压串联负反馈，稳定υo。
(g)电压串联负反馈，稳定υo。
(3): 见图3.3.3 (3)图3.3.3 (3)题3.3.4 设某个放大器的开环增益在100～200之间变化，现引入负反馈 ，取F = 0.05 ，试求闭环增益的变化范围。
解： 18.1805.020012001..max .max .max=×+=+=FA A A f67.1605.010011001..min .min .min =×+=+=FA A A f由于本题中..F A 不是远大于1，故不能用近似公式计算，否则会引起较大的误差。
题3.3.5 设某个放大器开环时..vvA A d 为20%，若要求..vfvfA A d 不超过1%，且.vf A =100,问.vA 和.F 分别 应取多大? 解：20%1%20//1......=>=+vfvf v v v A A d A A d F A ∴..F A v ＞19 200020100)1(....=×>+=F A A A v vf v0095.0200019....=>=vA F A F v 题3.3.6 某运放的开环增益为106，其最低的转折频率为5Hz 。
若将该运放组成一同相放大电路，并使它的增益为100，问此时的带宽和增益—带宽积各为多少? ER v S R 4 +–v O解：.A =106f H =5Hz f A .=100 因增益带宽积为常数 f A .・f Hf =.A ・f ∴f Ｈf =(106×5/100)=5×104(Hz)=50(KHz) .A ・BW=100×50kHz 题3.3.7 在什么条件下，引入负反馈才能减少放大器的非线性失真系数和提高信噪比?如果输入信号中混入了干扰，能否利用负反馈加以抑制? 解：负反馈只能减少由放大器内部产生的非线性失真和噪声。
而为了提高信噪比，还必须在引入负反馈的同时，增大输入信号。
若输入信号中混进了干扰，或输入信号本身具有非线性失真，则反馈无能为力。
题3.3.8 图题3.3.8是同相输入方式的放大电路，A 为理想运放，电位器R w 可用来调节输出直流电位，试求： (1)当.i V =0时，调节电位器，输出直流电压V O 的可调范围是多少? (2)电路的闭环电压放大倍数==.../i o vf V V A ? 图题3.3.8解：(1) 当.i V =0时，电路相当于反相输入放大器。
故当电位器触点调到最上端时， V o =-(15/2M)×1K=-7.5mV,当电位器触点调到最下端时Vo=-(-15/2M)×1K=+7.5mV(2) 计算.vf A 时，直流电源±15V 都为零，假设电位器触点在中间位置， 则150//50211...≈++==KK M KV V A io vf若不在中间位置，则分为R 和(100K-R)二部分，并联后和2M Ω相比很小，所以 .vf A 仍为1。
题3.3.9 在图题3.3.9中，设集成运放为理想器件，求下列情况下υO 与υS 的的关系式： (1)若S 1和S 3闭合，S 2断开，υO =? (2)若S 1和S 2闭合，S 3断开，υO =? (3)若S 2闭合，S 1和S 3断开，υO =? (4)若S 1、S 2、S 3都闭合，υO =? 图题3.3.9解：(1) 当S1和S3闭合，S2断开时，电路为反相输入放大器，υo=-υs(2) 当S1和S2闭合，S3断开时， υ(+)=υs,υ(-)≈υ(+)=υs，故R中无电流通过，υo=υ(-)=υs(3) S2闭合，S1和S3断开，则υ0=υ(-)=υ(+)=υs(4) S1、S2和S3都闭合时，υ(+)=υ(-)=0∴υ0=-(υs/R)・R=-υs题3.3.10 用集成运放和普通电压表可组成性能良好的欧姆表，电路如图题3.3.10所示。
设A 为理想运放，虚线方框表示电压表，满量程为2V，R M是它的等效电阻，被测电阻R X跨接在A、B之间。
(1)试证明R X与V O成正比； (2)计算当要求R X的测量范围为0～10kΩ时，R1应选多大阻值? 图题3.3.10解：(1) 证：运放A构成反相比例运算放大器V o=-(R X/R1)・(-V)=-((-V)/R1)・R x(2) 要求R x的测量范围为0～10kΩ，即R X=10kΩ时，V o达到满量程2V，代入上式，得2V=-(10kΩ/R1)(-2V)∴ R1=10kΩ题3.3.11 图题3.3.11(a)为加法器电路，R11=R12=R2=R。
(1)试求运算关系式：υO=f(υI1,υI2);(2)若υI1、υI2分别为三角波和方波，其波形如图题3.3.11(b)所示，试画出输出电压波形并注明其电压变化范围。
图题3.3.11解：(1) υ0= -(R 2/R 11)・υI1-(R 2/R 12)・υI2=-(υI1+υI2) (2) 见图3.3.11(2)图3.3.11(2)题3.3.12 由四个电压跟随器组成的电路如图题3.3.12所示，试写出其输出电压的表达式： υO =f(υI1，υI2，υI3 )。
图题3.3.12解： ∵ υ01=υI1 υ02=υ12 υ03=υI3∴ υ0=υ(-)=υ(+)321321231231132132////////////i i i v R R R R R v R R R R R v R R R R R ⋅++⋅++⋅+=题3.3.13 试写出图题3.3.13加法器对υI1 、υI2 、υI3 的运算结果： υO =f(υI1 、υI2 、υI3 )。
图题3.3.13解：A 2的输出υO2=-(10/5)υI2-(10/100)υI3=-2υI2-0.1υI3υ0=-(100/20)υI1-(100/100)υo2=-5υI1+2υI2+0.1υI3题3.3.14 积分电路如图题3.3.14(a)所示，其输入信号υI 波形如图题3.3.14(b)，并设t=0时，υC(O)=0，试画出相应的输出电压υO 波形。
图题3.3.14解：在t=0～10ms 区间，υI =2Vυo =-(υi /RC)・t=-2/(10×103×10-6)・t=-200t 当t=0时，υo =0V,当t=10ms 时，υo =-2V 当t=10ms ～20ms 区间，υI =-2Vυo =υo(10)-(υi /RC)・t=-2+0.2(t-10ms) t=20ms 时，υo =0V ，波形见图3.3.14。
图3.3.14题3.3.15 图题3.3.15电路中，A 1、A 2为理想运放，电容的初始电压υC (O)=0。
(1)写出υO 与υS1 、υS2 和υS3之间的关系式 ；(2)写出当电路中电阻R 1=R 2=R 3=R 4=R 5=R 6=R 7=R 时，输出电压υO 的表达式。
图题3.3.15解：(1) A 1构成双端输入的比例运算电路，A 2构成积分运算电路。
114232143312321431142323412323132321)()(s s s s s s s s o v R Rv R R R R R R R v R R R R R v R Rv R R R R R v R R R v R R R v v ⋅−⋅++=⋅++⋅−⋅+=⋅+−−+⋅=∫+−=t s o dt R v R v C v 063501)(1(2) R 1=R 2=R 3=R 4=R 5=R 6=R 时，υo1=υS2-υS1 ∴ ∫+−−=ts s s o dt v v v RCv 0312)(1 t (ms)题3.3.16 差动积分运算电路如图题3.3.16所示。
设A 为理想运算放大 器，电容C 上的初始电压为零，且R 1=R 2=R,C 1=C 2=C 。
(1)当υI1=0时，推导υO 与υI2的关系式； (2)当υI2=0时，推导υO 与υI1的关系式； (3)当υI1与υI2同时加入时，写出υO 与υI1、υI2的关系式。
图题3.3.16 解：(1) 当υI2=0时υI(+)=0 ∴υI(-)=0用矢量分析：Cj R V V I o ω1.1.⋅−= 用积分表示：∫⋅−=tI o dt v RCv 011 (2) 当υI1=0时，用矢量分析：.)(.2.)(11−+=+⋅=I I I V Cj R C j V V ωωRC j V R C j R V V I I o ωω11.2.)(.⋅=+⋅=− 和(1)比较，用积分表示：dt v RC v tI o ⋅=∫021(3) 当υI1和υI2同时加入时，用迭加原理得：dt v v RCv I tI o )(1102−=∫题3.3.17 由运放组成的三极管电流放大系数β的测试电路如图题3.3.17所示，设三极管的V BE =0.7V 。