光伏电池片制备工艺

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光伏电池片的工艺流程 主讲人:崔保华
SHENZHEN CLOU ELECTRONICS CO., LTD.
目录
一、 太阳电池简介 二、 太阳电池生产工艺
一、太阳电池简介
1、太阳电池简介 太阳电池是一种对光有响应并能将
光能转换成电力的器件。 太阳能电池,又叫光生伏打电池,
它是以半导体材料为基础的一种具有 能量转换功能的半导体器件,是太阳 能光伏发电的最核心的器件。
3、硅太阳能电池工作原理 (二)、P-N结 P型半导体和N型半导体结合,交界面会形成 一个P-N结,形成P-N结内电场,阻碍着电子 和空穴的移动。
首先是P-N结附近的电子和空穴发生扩散运动:N 型区域的电子向P型区域扩散,相对于P型区域的 空穴向N型区域扩散。
在界面层附近,由于电子和空穴的迁移,就会 使N区域呈现正电性,而P区域呈现负电性。 于是形成一个由N区域指向P区域的内电场。
背电极印刷及烘干(银浆或铝浆);背电场印 刷及烘干(铝浆);正面电极印刷(银浆)。
工序七,烘干和烧结:
目的及工作原理: 烘干金属浆料,并将其中的添加料挥发(前3个区);在背面 形成铝硅合金和银铝合金,以制作良好的背接触(中间3个区); 铝硅合金过程实际上是一个对硅进行P掺杂的过程,需加热到铝硅 共熔点(577℃)以上。经过合金化后,随着温度的下降,液相中 的硅将重新凝固出来,形成含有少量铝的结晶层,它补偿了N层中 的施主杂质,从而得到以铝为受主杂质的P层,达到了消除背结的 目的。 在正面形成银硅合金,形成良好的接触和遮光率;Ag浆料中的玻 璃添加料在高温(~700度)下烧穿SiN膜,使得Ag金属接触硅片表 面,在银硅共熔点(760度)以上进行合金化。
工序六,丝网印刷:
用丝网印刷的方法,完成背场、背电极、正栅 线电极的制作,以便引出产生的光生电流;
工艺原理:
给硅片表面印刷一定图形的银浆或铝浆,通过 烧结后形成欧姆接触,使电流有效输出;
正面电极用Ag金属浆料,通常印成栅线状,在 实现良好接触的同时使光线有较高的透过率;背面 通常用Al金属浆料印满整个背面,一是为了克服由 于电池串联而引起的电阻,二是减少背面的复合;
3、硅太阳能电池工作原理
(三)、光生伏特效应
太阳光照在半导体P-N结界面层上,会激发出新的 空穴-电子对,在P-N结电场的作用下,在P-N结内 部空穴由N区流向P区,电子由P区流向N区,接通 电路后就形成电流。我们把这种效应叫做“光生伏
特效应”,也就是太阳能电池的工作原理,因此, 太阳电池又称为“光伏电池”。
工序八,检验和分级:
用自动分选机将电池按转化率分级 检验并包装
谢谢大家!
May. 20 th 2006,Wuhan
2、太阳电池分类
晶体硅电池—单晶硅
晶体硅电池—多晶硅电池
3、硅太阳能电池工作原理
(一)、硅的掺杂 半导体硅原子外层有4个电子,按固定轨道绕原子 核转动。当受到外来能量作用时,这些电子会脱离 轨道成为自由电子,并在原来位置形成一个“空穴 ”。
如果硅中掺入硼,镓等元素,由于这些元素可捕获 电子,就形成空穴半导体,用P表示。 如果掺入可以释放电子的磷,砷元素,就形成电子 型半导体,用N表示。
P2O5 + Si → SiO2 + P
工序三,等离子刻边:
去除扩散后硅片周边形成的短路环;
工序四,去除磷硅玻璃:
去除硅片表面氧化层及扩散时形成的磷硅玻璃 (磷硅玻璃是指掺有P2O5的SiO2层)。
工序五,PECVD:
目的——渡减反射膜+钝化: PECVD即等离子体增强化学气相淀积设备, Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; 制 作减少硅片表面反射的SiN 薄膜(~80nm); 反应气体为SIH4和NH3
太阳电池生产工艺百度文库程
二、太阳电池生产工艺
工序二,扩散/制结:
硅片的单/双面液态源磷扩散,制作N型发射极 区,以形成光电转换的基本结构:PN结。
POCl3 液态分子在N2 载气的携带下进入炉管 ,在高温下经过一系列化学反应磷原子被置换,并 扩散进入硅片表面,激活形成N型掺杂,与P型衬底 形成PN结。主要的化学反应式如下: POCl3 + O2 → P2O5 + Cl2;
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