集成电路封装基板工艺

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封装工艺流程(1)

引线键合技术是将半导体裸芯片（Die）
焊区与微电子封装的I/O引线或基板上的金属
布线焊区（Pad）用金属细丝连接起来的工
艺技术。
WB技术作用机理
❖
提供能量破坏被焊表面的氧化层和污染物，
使焊区金属产生塑性变形，使得引线与被焊
面紧密接触，达到原子间引力范围并导致界
面间原子扩散而形成焊合点。引线键合键合
❖ 铜：近年来，大量用于集成电路互连。铜比
铝有较高的导电率；铜丝相对于金丝具有成
本低、强度和刚度高、适合于细间距键合的
优点。
❖
引线键合的关键工艺
❖
❖
关键工艺：温度控制、精确定位控制、工作
参数设定。
应用对象：低密度连线封装（＜300个接点）
引线键合的技术缺陷
1.
2.
3.
多根引线并联产生邻近效应，导致电流分布
对芯片的影响，同时还可以屏蔽电磁干扰。
③各向异性导电聚合物:电流只能在一个方向流动。
❖ 导电胶功能：（形成化学结合、具有导电功能）
❖
2.3.4 玻璃胶粘贴法
与导电胶类似，玻璃胶也属于厚膜导体材料（后面
我们将介绍）。不过起粘接作用的是低温玻璃粉。它
是起导电作用的金属粉（Ag、Ag-Pd、Au、Cu等）
出现废品。
Chipping Die
崩边
2.3 芯片粘贴
芯片贴装：也称芯片粘贴，是将芯片固定
于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工
艺过程。
贴装方式4种：
❖ 共晶粘贴法（Au-Si合金）
❖ 焊接粘贴法（Pb-Sn合金焊接）
❖ 环氧树脂粘结（重点）
❖ 玻璃胶粘贴法
引线框架
装
架
引线

先进封装的四大工艺？

在集成电路领域，先进封装通常指的是在芯片嵌入封装阶段采用的先进工艺。

以下是四种常见的先进封装工艺：1. System-in-Package（SiP）：System-in-Package 是一种先进封装技术，将多个芯片、模块或组件集成在一个封装里。

这些芯片和模块可以是不同功能的，通过堆叠或集成在同一个封装内，实现更紧凑的物理尺寸和更高的集成度。

SiP 提供了低功耗、高速度、高度集成的解决方案，在多种应用中广泛使用。

2. Flip-Chip：Flip-Chip 是一种将芯片翻转并倒置安装在基板上的封装技术。

芯片的连接引脚（Bond Pad）直接与基板上的焊球（Solder Ball）连接，提供更短的信号路径和更高的速度。

Flip-Chip 技术适用于复杂的高密度互连需求，特别是在处理器和高性能芯片中广泛使用。

3. 2.5D/3D 封装：2.5D 封装和3D 封装是一种将多个芯片或芯片堆叠在一起的先进封装技术。

2.5D 封装是通过在芯片上放置硅插板（interposer）来实现不同芯片之间的连接。

3D 封装是将多个芯片堆叠在一起，并通过集成通孔（Trough Silicon Via，TSV）实现芯片之间的互连。

这些技术可以提供更高的集成度、更短的信号路径和更低的功耗。

4. Wafer-Level Packaging（WLP）：Wafer-Level Packaging 是一种在晶圆尺寸尺度上进行封装的先进工艺。

它利用晶圆级别的工艺步骤，在晶圆上直接构建和封装芯片。

WLP 可以提供更高的集成度、更小的尺寸和更好的性能，特别适用于移动设备和便携式设备。

这些先进封装工艺在提高芯片性能、减小尺寸和实现更高的集成度方面起着重要作用，广泛应用于各种领域，包括通信、计算、消费电子等。

值得注意的是，随着技术的不断进步，先进封装领域也在不断发展和演进，新的封装工艺也在不断涌现。

IC封装工艺简介

IC封装工艺简介集成电路（IC）封装工艺是制造IC的重要步骤之一，它关系到IC的稳定性、散热效果和外形尺寸等方面。

通过不同的封装工艺，可以满足不同类型的IC器件的需求。

封装工艺分类目前常见的IC封装工艺主要有以下几种类型：1.贴片封装：是将IC芯片直接粘贴在PCB基板上的封装方式，适用于小型、低功耗的IC器件。

2.裸片封装：IC芯片和封装基板之间没有任何封装材料，可以获得更好的散热效果。

3.塑封封装：将IC芯片封装在塑料基板内部，并封装成标准尺寸的芯片，适用于多种场合。

4.BGA封装：球栅阵列封装是一种高端封装技术，通过焊接球栅来连接芯片和PCB基板，适用于高频高性能的IC器件。

封装工艺流程IC封装工艺包括以下几个主要步骤：1.芯片测试：在封装之前，需要对芯片进行测试，确保芯片的功能正常。

2.粘贴：在贴片封装中，IC芯片会被粘贴到PCB基板上，需要精确的定位和固定。

3.焊接：通过焊接技术将IC芯片和PCB基板连接起来，确保信号传输的可靠性。

4.封装：将IC芯片包裹在封装材料中，形成最终的封装芯片。

5.测试：封装完成后需要进行最终的测试，确保IC器件性能符合要求。

封装工艺发展趋势随着技术的不断进步，IC封装工艺也在不断发展，主要体现在以下几个方面：1.多功能集成：随着对IC器件功能和性能需求的提高，封装工艺需要支持更多的功能集成，如封装中集成无源器件或传感器等。

2.微型化：随着电子产品体积的不断缩小，IC封装工艺也在朝着微型化的方向发展，以满足小型化产品的需求。

3.高性能封装：为了提高IC器件的性能和可靠性，封装工艺需要支持更高频率、更高功率的IC器件。

综上所述，IC封装工艺在集成电路制造中扮演着重要的角色，通过不断的创新和发展，可以满足各类IC器件的需求，推动整个电子产业的不断进步。

芯片封装sbm工艺流程

芯片封装sbm工艺流程芯片封装是集成电路生产过程中的重要环节之一。

SBM（Solder Ball Mounting）工艺是一种常用的芯片封装工艺，本文将详细介绍SBM工艺的流程。

一、背景介绍芯片封装是将集成电路芯片与封装基板相连接的过程，它能够保护芯片、提供电气连接和散热功能。

SBM工艺是一种球焊封装工艺，通过在芯片与封装基板之间放置焊球来实现电气连接，并使用热压力将焊球与芯片、封装基板固定在一起。

二、SBM工艺流程1. 准备工作：在进行SBM工艺之前，需要准备好以下材料和设备：- 集成电路芯片- 封装基板- 焊球- 焊膏- 焊接设备（如焊接机器人、热压力机等）2. 焊球分配：首先，需要将焊球按照预定的布局分配到芯片上。

通常，焊球会通过自动化设备进行精确的分配，确保每个焊球都能准确连接到芯片的引脚上。

3. 焊球熔化：焊球熔化是SBM工艺的核心步骤。

在这一步骤中，焊膏会被加热至熔化状态，使焊球与芯片引脚和封装基板之间形成电气连接。

焊球的熔化温度通常在150°C至250°C之间，具体取决于焊球和焊膏的材料。

4. 焊接固化：焊接固化是为了保证焊点的可靠性和稳定性。

在焊球熔化后，通过施加一定的热压力，使焊球与芯片引脚和封装基板之间建立牢固的连接。

同时，焊膏也会在高温高压下固化，确保焊点的牢固性。

5. 清洗和测试：完成焊接后，需要对芯片进行清洗和测试。

清洗可以去除焊接过程中产生的污染物和残留物，确保芯片表面的干净。

测试则是为了验证焊接质量和芯片功能是否正常。

三、SBM工艺的优势1. 高可靠性：SBM工艺采用焊球连接芯片和封装基板，焊点可靠性高，能够满足高可靠性应用领域的需求。

2. 封装密度高：焊球的尺寸较小，可以实现较高的封装密度，提高芯片的集成度和性能。

3. 芯片散热效果好：由于焊球与封装基板之间存在间隙，可以提供良好的散热通道，有利于芯片的散热，提高芯片的可靠性和寿命。

4. 生产成本低：SBM工艺采用自动化设备，能够实现高效的生产，降低生产成本。

集成电路封装工艺介绍

为什么要对芯片进行封装？任何事物都有其存在的道理，芯片封装的意义又体现在哪里呢？从业内普遍认识来看，芯片封装主要具备以下四个方面的作用：固定引脚系统、物理性保护、环境性保护和增强散热。

下面我们就这四方面做一个简单描述。

1.固定引脚系统要让芯片正常工作，就必须与外部设备进行数据交换，而封装最重要的意义便体现在这里。

当然，我们不可能将芯片内的引脚直接与电路板等连接，因为这部分金属线相当细，通常情况下小于1.5微米（μm），而且多数情况下只有1.0微米。

但通过封装以后，将外部引脚用金属铜与内部引脚焊接起来，芯片便可以通过外部引脚间接地与电路板连接以起到数据交换的作用。

外部引脚系统通常使用两种不同的合金——铁镍合金及铜合金，前者可用于高强度以及高稳定性的场合，而后者具有导电性和导热性较好的优势。

具体选用何种引脚系统可根据实际情况来定。

2.物理性保护芯片通过封装以后可以免受微粒等物质的污染和外界对它的损害。

实现物理性保护的主要方法是将芯片固定于一个特定的芯片安装区域，并用适当的封装外壳将芯片、芯片连线以及相关引脚封闭起来，从而达到保护的目的。

应用领域的不同，对于芯片封装的等级要求也不尽相同，当然，消费类产品要求最低。

3.环境性保护封装的另一个作用便是对芯片的环境性保护，可以让芯片免受湿气等其他可能干扰芯片正常功能的气体对它正常工作产生不良影响。

4.增强散热众所周知，所有半导体产品在工作的时候都会产生热量，而当热量达到一定限度的时候便会影响芯片正常工作。

而封装体的各种材料本身就可以带走一部分热量。

当然，对于大多数发热量大的芯片，除了通过封装材料进行降温以外，还需要考虑在芯片上额外安装一个金属散热片或风扇以达到更好的散热效果。

集成电路封装工艺介绍(上)电子封装是一个富于挑战、引人入胜的领域。

它是集成电路芯片生产完成后不可缺少的一道工序，是器件到系统的桥梁。

封装这一生产环节对微电子产品的质量和竞争力都有极大的影响。

电子封装用陶瓷基板材料及其制备工艺

泛。

陶瓷基片主要包括氧化铍(BeO)、氧化铝(Al2O3)和氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)。

与其他陶瓷材料相比，Si3N4陶瓷基片具有很高的电绝缘性能和化学稳定性，热稳定性好，机械强度大，可用于制造高集成度大规模集成电路板。

几种陶瓷基片材料性能比较从结构与制造工艺而言，陶瓷基板又可分为HTCC、LTCC、TFC、DBC、DPC等。

高温共烧多层陶瓷基板(HTCC)HTCC，又称高温共烧多层陶瓷基板。

制备过程中先将陶瓷粉(Al2O3或AlN)加入有机黏结剂，混合均匀后成为膏状浆料，接着利用刮刀将浆料刮成片状，再通过干燥工艺使片状浆料形成生坯;然后依据各层的设计钻导通孔，采用丝网印刷金属浆料进行布线和填孔，最后将各生坯层叠加，置于高温炉(1600℃)中烧结而成。

此制备过程因为烧结温度较高，导致金属导体材料的选择受限(主要为熔点较高但导电性较差的钨、钼、锰等金属)，制作成本高，热导率一般在20~200W/(m·℃)。

低温共烧陶瓷基板(LTCC)LTCC，又称低温共烧陶瓷基板，其制备工艺与HTCC类似，只是在Al2O3粉中混入质量分数30%~50%的低熔点玻璃料，使烧结温度降低至850~900℃，因此可以采用导电率较好的金、银作为电极材料和布线材料。

因为LTCC采用丝网印刷技术制作金属线路，有可能因张网问题造成对位误差;而且多层陶瓷叠压烧结时还存在收缩比例差异问题，影响成品率。

为了提高LTCC导热性能，可在贴片区增加导热孔或导电孔，但成本增加。

厚膜陶瓷基板(TFC)相对于LTCC和HTCC，TFC为一种后烧陶瓷基板。

采用丝网印刷技术将金属浆料涂覆在陶瓷基片表面，经过干燥、高温烧结(700~800℃)后制备。

金属浆料一般由金属粉末、有机树脂和玻璃等组分。

经高温烧结，树脂粘合剂被燃烧掉，剩下的几乎都是纯金属，由于玻璃质粘合作用在陶瓷基板表面。

烧结后的金属层厚度为10~20μm，最小线宽为0.3mm。

ic基板封装工艺

ic基板封装工艺
IC 基板封装是将芯片封装在基板上的一种技术，它可以提高芯片的可靠性、散热性和可焊性。

以下是IC 基板封装工艺的基本步骤：
1. 晶圆切割：将晶圆切割成单个芯片。

这个过程通常使用晶圆切割设备，该设备可以通过高速旋转的刀片将晶圆切割成所需大小的芯片。

2. 芯片粘贴：将芯片粘贴到基板上，通常使用银胶或环氧树脂进行粘贴。

在粘贴之前，需要对基板和芯片进行清洗，以确保表面干净。

3. 线绑定：使用金线或铜线将芯片的引脚与基板上的引脚连接起来。

这个过程通常使用自动线绑定设备，可以实现高精度和高效率的线绑定。

4. 封装：使用塑料、陶瓷或金属等材料将芯片和基板封装在一起，以保护芯片并提供机械支撑。

封装的形式可以是DIP、SOP、QFP 等。

5. 测试：对封装后的芯片进行测试，以确保其符合规格要求。

这个过程通常使用自动测试设备，可以快速准确地测试芯片的功能和性能。

6. 标记：在芯片上标记型号、批次和其他信息。

这个过程通常使用激光打标设备，可以在芯片表面上刻画出清晰的标记。

7. 包装：将芯片包装在适当的包装材料中，以便运输和销售。

包装的形式可以是托盘、卷带或管装等。

IC 基板封装工艺是集成电路制造的重要环节之一，它直接影响着芯片的性能和可靠性。

随着集成电路技术的不断发展，IC 基板封装工艺也在不断改进和创新，以满足市场的需求。

mip和cob封装工艺

MIP和COB封装工艺1. 简介MIP（Molded Interconnect Package）和COB（Chip-on-board）是两种常见的封装工艺，用于集成电路的封装和连接。

它们在电子产品制造中起到关键作用，能够提高产品的性能和可靠性。

本文将详细介绍MIP和COB封装工艺的原理、特点、应用以及制造过程。

2. MIP封装工艺2.1 原理MIP封装工艺是一种将集成电路芯片和封装基板结合在一起的封装技术。

其原理是通过将芯片和基板分别制造，然后将芯片嵌入基板中，最后通过热压等工艺将芯片与基板连接在一起。

MIP封装工艺可以实现高密度封装和多功能集成，具有良好的电气性能和可靠性。

2.2 特点•高集成度：MIP封装工艺可以实现芯片和基板的紧密结合，从而实现高集成度的电路设计。

•尺寸小：MIP封装工艺可以实现小型化设计，适用于微型电子产品的制造。

•低功耗：MIP封装工艺采用多层结构，可以减少电路的功耗。

•高可靠性：MIP封装工艺可以减少引脚数量和连接点，从而提高了电路的可靠性。

2.3 应用MIP封装工艺广泛应用于手机、平板电脑、智能穿戴设备等消费电子产品中。

由于其尺寸小、功耗低、可靠性高的特点，MIP封装工艺能够满足现代电子产品对于高性能和高可靠性的要求。

3. COB封装工艺3.1 原理COB封装工艺是一种将芯片直接粘贴在基板上的封装技术。

其原理是将芯片裸露的金属焊盘与基板上的金属焊盘通过焊接连接在一起，然后用环氧树脂等材料进行封装。

COB封装工艺可以实现高密度封装和高可靠性连接。

3.2 特点•高密度封装：COB封装工艺可以实现芯片与基板的直接连接，从而实现高密度封装。

•高可靠性：COB封装工艺采用焊接连接，可以提高电路的可靠性。

•良好的散热性能：COB封装工艺将芯片直接粘贴在基板上，可以提高散热性能，减少芯片温度。

3.3 应用COB封装工艺广泛应用于LED灯、汽车电子、医疗器械等领域。

由于其高密度封装、高可靠性和良好的散热性能，COB封装工艺能够满足这些领域对于高性能和高可靠性的要求。

无芯封装基板流程

无芯封装基板流程是指在集成电路（IC）封装过程中，使用不含芯片的封装基板进行封装工艺。

以下是无芯封装基板流程的主要步骤：
1.材料准备：准备好无芯封装基板和其他所需材料，包括焊膏、焊球、封装胶等。

2.确定封装布局：根据封装规格和设计要求，确定无芯封装基板上元件的布局。

3.背面处理：根据需要，对无芯封装基板的背面进行相关处理，如铜箔、镍金等。

4.膏料印刷：使用印刷机将焊膏印刷在无芯封装基板的焊盘位置上。

5.焊球放置：将无芯封装基板放置在球栅阵列（BGA）焊球的排列模具上，然后根据需求将焊球放置在每个焊盘上。

6.背面粘合：将无芯封装基板与支撑基座粘合，确保封装过程中基板的稳定性。

7.焊接：将焊接设备加热至适当温度，使用热流将焊球与封装基板上的焊盘相连接。

8.封装胶固化：如果需要，在焊接完毕后，使用封装胶固化设备对无芯封装基板进行胶固化，以提高封装的可靠性。

9.粘接剂去除：移除已固化的封装胶中的粘接剂残留物。

10.清洁和测试：对无芯封装基板进行清洁和测试，确保其满足质量标准和规格要求。

无芯封装基板流程在集成电路封装领域中起到了重要的作用，可以有效提高封装效率和降低封装成本。

同时，合规性和可靠性的要求也需要在流程中得到充分考虑，以确保产品的质量和性能符合相关标准和规范。

ic封装基板工艺

ic封装基板工艺IC封装基板工艺是一种将集成电路封装在基板上的技术，它在电子产品制造中起到了至关重要的作用。

本文将从工艺流程、封装类型和制造要求等方面，对IC封装基板工艺进行详细介绍。

一、工艺流程IC封装基板工艺的流程一般包括以下几个环节：设计、制造、组装和测试。

首先，设计人员根据产品的需求和规格要求进行IC封装设计，确定封装类型、引脚布局和线路连接等。

然后，制造工艺师根据设计要求选择合适的材料，并采用PCB制造技术进行基板的制造，包括电镀、切割、钻孔等工艺步骤。

接下来，组装工艺师将已封装好的IC芯片焊接在基板上，并进行线路连接和封装密封等工作。

最后，进行测试验证，确保封装的IC基板符合产品的功能和性能要求。

二、封装类型IC封装基板的封装类型多种多样，常见的有DIP、SOP、QFP、BGA等。

DIP（Dual In-line Package）是最早的封装类型，引脚呈直线排列，适合手工焊接。

SOP（Small Outline Package）是一种小型封装，适用于高密度集成电路。

QFP（Quad Flat Package）是一种方形封装，引脚呈四边形排列，适用于高速信号传输。

BGA （Ball Grid Array）是一种球阵列封装，引脚以球形排列在底部，具有良好的散热性能和电性能。

三、制造要求IC封装基板的制造要求非常严格，主要包括以下几个方面：材料选用、尺寸控制、焊接工艺和封装密封。

首先，材料的选用要符合产品的性能要求，如基板材料要具有良好的导电性和绝缘性。

其次，尺寸的控制要精确，保证基板的尺寸和引脚的间距符合设计要求。

焊接工艺对于封装质量至关重要，要保证焊接的牢固性和可靠性。

最后，封装密封要做好，以保护IC芯片不受外界环境的影响。

IC封装基板工艺的发展与电子产品的需求密切相关。

随着电子产品的不断更新换代，对IC封装基板的要求也越来越高。

目前，一些先进的封装技术如CSP（Chip Scale Package）和WLP（Wafer Level Package）已经逐渐应用到IC封装基板制造中，以实现更小型化、更高性能和更低功耗的产品。

qfp封装工艺流程

qfp封装工艺流程QFP（Quad Flat Package）封装工艺流程是一种常用的集成电路封装工艺，能够满足高密度和高性能要求。

以下是一个典型的QFP封装工艺流程的步骤：1.基板准备：选择一个适当的基板材料，如FR4，根据设计要求剥离基板和切割到规定的尺寸。

必须确保基板平整、洁净。

2.焊膏印刷：将焊膏通过丝网印刷到基板上。

焊膏具有良好的粘附性，粘附在了希望焊接的引脚的上面。

丝网印刷是一个准确且重要的步骤，确保焊膏被均匀地分布在基板上。

3.贴装：在焊膏上面的基板上使用自动贴片机精确地贴上IC芯片。

芯片通过吸盘将其转移到基板上，并且定位到焊膏上使用引脚。

贴片机具有高速度和精度，能够快速且准确地将芯片贴装到基板上。

4.固化：将贴装好的基板送入回流炉中，通过控制温度和时间使焊膏固化。

这有助于焊膏发挥它的粘合力和导电性。

5.切割：使用切割机将基板切割成QFP封装的形状。

切割机通常使用高速旋转的切割刀具，轻易地将基板分割成封装的外形。

6.引脚整形：通过引脚整形机器对QFP封装的引脚进行整形，以确保其与钻孔或插座相匹配。

引脚整形也有助于最大程度地减少QFP封装的引脚之间的短接。

7.焊接：将QFP封装的基板通过波峰焊接机器进行波峰焊接。

这使得引脚与PCB焊盘之间形成可靠的焊接。

8.清洗：将封装后的基板放入清洗机，用适当的溶剂清洗基板，以去除焊接过程中产生的焊渣和其他污染物。

清洗过程有助于确保焊接质量和可靠性。

9.测试：进行电气测试，以确保封装后的QFP芯片正常工作。

测试通常包括耐压测试、功能测试、时序测试和环境测试等。

10.包装和交付：经过测试后，将QFP封装好的芯片进行包装，并进行必要的标识和记录。

最后，将封装好的芯片交付给客户或进一步生产中使用。

总结：QFP封装工艺流程经过多个步骤，从基板准备、焊膏印刷、贴装、固化、切割、引脚整形、焊接、清洗、测试直至最后的包装和交付。

每个步骤都需要精确和准确的控制，以确保最终制得的QFP芯片满足高质量、高可靠性的要求。

qfn和dfn封装工艺

qfn和dfn封装工艺QFN和DFN封装工艺随着电子技术的不断发展，集成电路封装工艺也在不断进步。

其中，QFN（Quad Flat No-leads）和DFN（Dual Flat No-leads）封装工艺成为了当前最常用的封装技术之一。

本文将详细介绍QFN和DFN封装工艺的特点、应用以及制程流程。

一、QFN封装工艺QFN封装工艺是一种无引脚平面封装技术，具有体积小、重量轻、良好的热性能等优点。

QFN封装的芯片底部直接与PCB焊接，无需引脚，通过金属焊盘与PCB相连。

这种封装方式不仅可以减小封装体积，提高集成度，还能提高散热效果，适用于高密度封装和高频封装。

QFN封装工艺的制程流程如下：1. 基板制备：选择合适的基板材料，进行表面处理，如防焊处理等。

2. 芯片前处理：对芯片进行前处理，包括切割、磨边、去胶等。

3. 焊盘制备：在基板上制备焊盘，常用的方法有电镀、印刷、喷涂等。

4. 芯片定位：将芯片精确定位在基板上，通常采用自动化设备进行精确定位。

5. 芯片焊接：将芯片与焊盘进行焊接，常用的方法有热压焊、回流焊等。

6. 后处理：对焊接后的封装进行清洗、检测、包装等后续处理。

QFN封装工艺的应用广泛，特别适用于手机、平板电脑、无线通信设备等小型化、轻量化的电子产品。

其优势在于体积小、重量轻、散热效果好，能够满足高密度集成和高频封装的需求。

二、DFN封装工艺DFN封装工艺是一种具有双排焊盘的无引脚封装技术，相比于QFN封装，DFN封装在封装体积更小的同时，提供了更好的电性能和热性能。

DFN封装的封装底部焊盘与PCB焊接，上部焊盘与芯片相连，通过焊盘与PCB实现电连接。

DFN封装适用于小型化、高频率、低功耗的电子产品。

DFN封装工艺的制程流程如下：1. 基板制备：选择合适的基板材料，进行表面处理。

2. 芯片前处理：对芯片进行前处理，包括切割、磨边、去胶等。

3. 焊盘制备：在基板上制备焊盘，常用的方法有电镀、印刷、喷涂等。

集成电路封装技术-封装工艺流程介绍

〔3〕TAB技术中使用铜线而不使用铝线，从而改善器件的热耗散性能。
〔4〕在芯片最终封装前可进行预测试和通电老化。这样可剔除坏芯片，不使它流入下一道工序，从而节省了成本，提高了可靠性。
〔5〕TAB工艺中引线的键合平面低，使器件薄化。
第二章封装工艺流程
2.4.2 载带自动键合技术
TAB技术的关键材料
第二章封装工艺流程
2.3.1共晶粘贴法预型片法，此方法适用于较大面积的芯片粘贴。优点是
可以降低芯片粘贴时孔隙平整度不佳而造成的粘贴不完全的影响。
第二章封装工艺流程
2.3.2 焊接粘贴法
变形方式的不同，继而产生的各种应力。当材料在外力作用下不能产生位移时，它的几何形状和尺寸将发
在一点的集度焊称为接应粘力〔贴St法res是s〕利。物用体合由于金外反因而响变进形时行，芯在物片体粘内各贴局的部之方间法产生。相优互作点用是的内力，应变方向平热行，传而导切应性力好的方。向与应变垂直。按照载荷〔Load〕作用的形式不同，应力又可以分为拉伸压
2.4.1 打线键合技术介绍〔2〕热压键合
；然后再电子点火或氢焰将金属线烧断并利用熔融金属的外表张力作用使线的末端灼烧成球〔直径约为金
键合工具升起并引导金属线至第二键合点上进行楔形接合〔不需烧成金属球，而是将金属线直接压到焊区状。抗氧化性强〕。为降低成本有时也用铝线。铝线的2个焊接点是楔形的。原因是铝线不易在线的末端灼烧成
第二章封装工艺流程
〔2〕影响打线键合可靠度因素
封胶和粘贴材料与线材的反应
金属间化合物的形成
可靠度因素
可靠度常用拉力试验和键合点的剪切试验测试检查
第二章封装工艺流程
2.4在.2其载载特带带定自的自动位动健置合键上技开合术出技是一在术个类窗似口于。1窗3口5胶为片蚀的刻柔出性一载定带的粘印结刷金线属路薄图片形，的〔金像属电箔影片

plcc封装基板的制造工艺流程

plcc封装基板的制造工艺流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。

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pga工艺流程

pga工艺流程
PGA工艺流程是指插针阵列封装技术的制程流程，该技术被广泛应用于集成电路的封装。

PGA封装技术具有良好的机械强度和良好的导电性能，能够提高芯片的可靠性和性能稳定性。

该工艺流程主要包含以下几个步骤：
1. 基板制备：将基板进行化学处理和表面清洁，以确保基板表面的平整度和粘附性。

2. 热压铸形：将基板和阵列插针加热至适当温度后，通过加压的方式将插针固定在基板上。

3. 焊接：将封装好的芯片通过丝印或打点等方式进行定位，然后进行焊接，完成芯片的封装。

4. 修整：对芯片进行切割、磨光等处理，以获得更好的封装效果。

5. 测试：对封装好的芯片进行电性能测试和可靠性测试，确保封装后的芯片能够正常工作和长期稳定运行。

PGA工艺流程是一项复杂的制程，需要严格的操作和控制，以保证芯片的质量和稳定性。

随着技术的不断发展和应用的不断推广，PGA 工艺流程的优化和改进也将成为一个重要的研究方向。

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集成电路封装基板工艺

电子封装原理与技术 31
Laser via
•二氧化碳激光:
• 是利用CO2及掺杂其它如N2、He、CO等气体，产生脉冲红外激光，用于Resin Coated Copper Foil（RCC），一般采取选择性铜蚀刻去除需要激光钻孔位置的铜，再以CO2激光得到盲孔。
•YAG激光：
• 固体激光器，高能量可以直接穿透铜皮得到盲孔。
•准分子激光
电子封装原理与技术 32
Chemical Etching
•当孔位铜箔被蚀刻去除后，以强碱性化学溶液对特殊配方的基材进行腐蚀，直到露出底部铜后即得到被淘空的盲孔。
电子封装原理与技术
33
成孔技术比较
电子封装原理与技术
34
不同钻孔方式比较
电子封装原理与技术
35
盘内互连孔（Via in Pad）
电子封装原理与技术 29
积层技术发展
•光致微孔技术(Photo-Via)– 1993年IBM（日本）公司率先提出；
•激光烧蚀微孔技术(Laser Via)– 1992年由 Siemens-Nixdorf公司提出； •等离子体微孔技术(Plasma Via)– 1994年瑞士Diconex公司首先报道。
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Embedded resistor
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Embedded Capacitors
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Embedded Inductor
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Ceramic substrate
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Organic substrates
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pga封装流程

pga封装流程PGA（Pin Grid Array）封装是一种集成电路芯片的封装形式，其流程可以概述如下：1. 芯片准备：-首先，裸片（Die）在洁净室环境中通过晶圆切割或蚀刻工艺从硅晶圆上分离出来。

2. 芯片粘接与固定：-裸片背面涂覆导热胶，并将其精确地粘贴到PGA封装基板（通常是陶瓷或塑料材质）的中心位置上。

3. 引脚制作：-在封装基板的四周，按照网格阵列的形式加工出多个插针孔位。

-引脚由金属材料制成，通常通过电镀或插入预先成型的金属管形成，排列成阵列状并延伸至封装外部。

4. 内部互连：-通过金属化过孔和导线层将裸片上的接触点与封装底部的引脚连接起来，这一过程可能包括打线绑定（Wire Bonding）或倒装芯片技术（Flip Chip），不过在传统的PGA封装中更常见的是打线绑定。

5. 塑封：-完成内部连接后，芯片以及基板上的引脚会被塑封料（如环氧树脂）包裹住，以保护芯片及内部连线免受环境影响和机械冲击。

6. 切筋与成型：-对塑封后的器件进行切筋和成型步骤，这一步主要是为了修整塑封体的外形，并将多余的引脚部分裁剪至合适的长度和形状。

7. 测试：-封装好的PGA芯片会经过电气性能、功能性和可靠性测试，确保其满足规格要求。

8. 终检与包装：-测试合格的产品将会被标记（例如丝印编号等信息），然后进行防静电包装，准备交付给下游制造商用于PCB板的组装。

总体来说，PGA封装注重的是提供大量的引脚以便于高密度的I/O连接，并且由于其插针设计，适合于插拔式的安装方式，比如早期的CPU插座。

随着技术的发展，PGA逐渐被LGA （Land Grid Array，触点网格阵列）和BGA（Ball Grid Array，球栅阵列）等新型封装技术所取代，这些技术提供了更高的引脚密度和更好的散热性能。