带隙基准电压源的设计

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一种低功耗BiCMOS带隙基准电压源的设计

构成共栅共源镜像电流源．工作原理为：其当
与、厂的电压值不同时，过运算放大器控制通
ＭＮ３的电压，而控制流过ＭＰ进４的电流，然后通
之间
过共栅共源镜像电流源控制流过ＭＰ、６的电５ＭＰ
文章编号：０４４５（０００ — ２４０１０ —３３２１）３０５ — ３
一
种低功耗ＢＣｉＭＯＳ带隙基准电压源的设计
李龙镇
（延边大学工学院计算机科学与技术系，吉林延吉１３０３０２）
由于带隙基准电压源的输出电压与环境温度变化和电源电压变化不相关，因此被广泛应用于
使用的有源和无源器件的个数达到最小，本文使设计的带隙基准稳压电源具有低功耗、电压的低优点．
集成电路设计中，如随机存储器（ＲＤＡＭ）设计及模拟与数字信号相互转换的电路．随着对带隙基准电压源研究的深入，人们又将其作为一个具体
９Ｏ℃ ｔｍｐｅａｕｒａｇｅａｄｅｅｙｐｏｅｓｓｅｒｔｅｒｎｎｖｒｒｃｓｅ．
Ｋｅｒｓｙｗｏｄ：ＢｉＯＳ；ｂｎｇｐｒｆｒｎｅｔｒ— ｐｃｒｕｔｏｐｗｅＣＭａｄａｅｅｅｃ；ｓａｔｕｉｃｉ；ｌｗｏｒ
Ａｂｔａｔａｄａｏｔｇｅｅｅｃｉｃｉｗｈｃｓｕｅｈ．５“ Ｂｉｓｒｃ：Ａｂｎｇｐｖｌａｅｒｆｒｎｅｃｒｕｔｉｈｉｓｄｔｅ０２ｍＣＭＯＳｐｏｅｓｗａｒｓｎｅ，ａｄｒｃｓｓｐｅｅｔｄｎｔｅｓａｔｕｉｃｉｗｈｃｓｎｔｕｅｈｏｙｉｃｎｒｓｓａｃｓｗａｒｓｎｅ．Ｔｈｉｃｉｃｎｗｏｋｉｏｈｔｒ— ｐｃｒｕｔｉｈｉｏｓｄｔｅｐｌｓｌｏｅｉｔｎｅｓｐｅｅｔｄｉｅｃｒｕｔａｒｎｌｗｖｌｇｎｏｐｗｅ．Ｔｈｉｌｔｎｒｓｌｏｐｃｈｗｓｔａｈｙｔｍａｏｄｒｓｌｎｔｅ一４～ｏｔｅａｄｌｗｏｒａｅｓｍｕａｉｅｕｔｆＨＳｉｅｓｏｈｔｔｅｓｓｅｈｓｇｏｅｕｔｉｈｏｓＯ

CMOS_带隙基准源的设计(IC课程设计报告)

VREF=VBE+MVT 将上式对温度T微分，并在室温下等于零（输出电压在室温下的理论温度系数为零），解得常数M的值。
1
图 1、带隙基准电压源原理示意图(选自 Analysis and Design of Analog Integrated Circuits)
2
3 设计过程 3.1 电路结构
图 2、带隙基准电路中运算放大器的电路结构
《IC 课程设计》报告
——模拟部分
CMOS 带隙基准源的设计
华中科技大学电子科学与技术系 2004 级学生张青雅
QQ:408397243 Email:zhangqingya@
2007 年秋大四上学期 IC 课程设计报告
1
目录
1 设计目标........................................................................................................................................1 2 介绍 ...............................................................................................................................................1 3 设计过程........................................................................................................................................3
LambdaN=0.0622 由跨导公式可以算出：

高性能带隙基准电压源的设计

ＪｎｈｎｒｉＧｕｉｎ，ａｇＹｎｆｉｇＳｅｇｕ，ｏＬｆｇＺｈｎｉｇｅａａｉ（ｃｏｌｆｌｃｏｉａｄＩｆｒｔｎＥｇｎｅｎ，ａｚｏａｔｎｉｅｓｙａｚｏ３００ｈｎ）ＳｈｏＥｅｔｎｃｎｏｍａｏｎｉｅｎｇＬｎｈｕｉｏｏｇＵｎｖｒｔ，Ｌｎｈｕ７０７，ＣｉａｏｒｎｉＪｉ
ｍａａｅｎｈｐｈｓａｓｌｒｔｍｐｒｔｒｏｆｃｅｔｈｃａｅｈｈｐｍｏｅｓｂｅＴｈａｅａｒｅＵｎｇｍｅｔｃｉａｍａｅｅｅａｕｅｃｅｉｎｉｈｍｋｓｔｅｃｉｒｔｌ．ｅｐｐｒｃｒｉｓＯｔｌｉｗａｔｅｃｒｕｔｓｕａｅｗｉｈＭＣ０５ｍＣＭＯＳｐｏｅｓｓｉｌｔｎｒｓｌｓｓｏｔａｈｅｅｅｃｏｔｇｈｉｉｉｌｔｔｔｅＣＳｃｍｈ．ｕｒｃｓｅ．Ｓｍｕａｉｅｕｔｈｗｈｔｔｅｒｆｒｎｅｖｌｅｏａ
“ ａｕａｒ工具计算出在该温度时，Ｃｌｌｏ” ｃｔ带隙基准电压源有最小的温漂系数。关键词：带隙基准电压源；ＰＴＡＡ；温漂系数；电源抑制比
中图分类号：Ｎ４２Ｔ０文献标识码：Ａ
Ｈｉｈ－ｐｅｆｒａｅｂａｄｇｐｏｔｇｅｅｅｅｄｅｉｇ＿ｒｏｍｎｃｎａｖｌａｅｒｆｒｎｃｓｇｎ＿。
ｅ
０引言
基准电压是集成电路设计中的一个重要部分’

带隙基准电压源(Bandgap)设计范例

由于 Q12 由 10 个发射极面积为单位面积的 NPN 组成（N＝10），则
∆VBE = VT ln(
J 19 ) = VT ln N J 12
（1.18）
经过分压网路发大后和 VBE11 叠加后产生 VREF： R19 + R 20 + R 21 V REF = VT ln N + VBE11 R21 在室温（25o C）下， ∂V BE VBE − (3 + m)VT − E g / q = ≈ −2 mV / ° K ∂T T
（ 1.19 ）
（ 1.20 ）
∂∆VBE k = ln N ≈ +0.2mV / ° K ∂T q
（1.21）
若要在 25o C 实现温度系数为零，则要求 R19 + R20 + R 21 ≈ 10 R21 即
R19 + R20 = 9R 21
3） I BIAS 2 = VREF − VBEQ3 RR 8
I BIAS = I 1 =
∆VBE VT ln 2 = Rnew1 Rnew1
（1.14）在室温下，VT ＝0.026V
I BIAS = 0.018 A Rnew1
2) 当考虑沟道长度调制效应
I 1 = K 7 [VG 7 − (VDD − I 1R12 ) − VTH 7 ] 2 [1 + λ (VG 7 − (VDD − I 1 R12 )]
（1.15）
I 2 = K8 [VG 8 − (V DD − I 2 R13 ) − VTH 8 ] 2 [1 + λ (VBEQ25 + I 2 R14 − VDD + I 2 R13 )] （1.16）

基于数字修调技术带隙基准电压源的设计

基于数字修调技术带隙基准电压源的设计付英;刘斌【摘要】In different process corners of the same process, output voltage of bandgap reference will have a large change.In order to reduce the affect induced by the process corners change, digital trimming technology is introduced, which trims the resistance that influences the output voltage of bandgap reference to ensure that the voltage reference of different process corners can be adjusted to the ideal value by trimming.Simulation result based on HHNEC 0.35μm BCD process indicate s that the temperature coefficient of the trimmed bandgap refer-ence is 6 ppm/℃in various technique corners, ranging from -40 ℃to 85 ℃.%带隙基准电压源在同一工艺的不同工艺角下，基准源的输出电压会有很大的变化．为了减少工艺角变化的影响，引入数字修调技术，对影响带隙输出基准电压的电阻阻值进行修调，以保证不同工艺角下的电压基准值可以通过修调调回理想值．基于华虹NEC 0．35μm BCD工艺的仿真结果表明，修调后的带隙基准源在－40℃～85℃范围内，各工艺角下基准电压的温度系数均小于6 ppm／℃．【期刊名称】《渤海大学学报（自然科学版）》【年(卷),期】2014(000)004【总页数】6页(P325-329,384)【关键词】带隙基准;工艺角;数字修调;温度系数【作者】付英;刘斌【作者单位】武夷学院机电工程学院，福建武夷山 354300;沈阳工业大学信息学院，辽宁沈阳110870【正文语种】中文【中图分类】TN4330 引言在模拟集成电路和混合集成电路的设计中，基准源是十分常见同时又是非常重要的基本组成模块〔1-2〕. 通常用带隙的结构来构成基准电压源，因为其具有低温度系数、高精度、低噪声等优点〔3〕，因而广泛应用于电压调整器、数据转换器(A/D, D/A)、集成传感器、放大器等，以及单独作为精密的电压基准件，低温漂等许多微功耗运放. 通过设计发现，带隙基准电压源的具体性能指标与其所选择的实现工艺是密不可分的. 由于工艺偏差，即使在同一晶圆上的芯片，在不同位置的器件属性会有所不同，会有FF、SS、TT、FS、SF的情形，表现出来的特性除了阈值电压不一样以外，还有其他一些参数会有所不同，在设计阶段使其在各种工艺角下都能正常工作，这样才能使最后的芯片可靠. 所以同一种带隙基准源的电路结构未必在每种工艺下都能达到很好的性能指标. 本文设计的这种带隙基准电压源基于数字修调技术，具有应用的普遍性，在不同的工艺中，通过修调分别可以达到期望的性能指标. 基于华虹NEC 0.35 BCD工艺，通过仿真，得出其温度系数在6 ppm/℃之内.1 2.5V带隙基准电压源的电路结构典型的带隙基准源是利用二极管的正向电压具有负温度系数，热电压具有正温度系数，二者相叠加理论上可得零温度系数的原理来设计的电路〔4〕. 图1所示电路是在典型Brokaw电路结构的基础上设计的2.5 V带隙基准电压源的电路结构.图1中，在认为流入放大器A的两端电流相等并忽略晶体管基极电流的情况下，可以认为流过NPN晶体管Q1和Q2集电极的电流相等，则有VB=Vbe1+IR3+2IR4(1)图1 2.5 V带隙基准电路原理图又IR3=VR3是一个PTAT电压，其表达式为：(2)(3)(4)最后有(5)式(5)中的总括号内，Vbe1可以视为二极管的正向电压，具有负温度系数，右半部分具有正温度系数，调整R4与R3的比例使VB=1.25 V左右，同时让正负温度系数抵消即可得到与温度无关的基准电压，若R5=R6，则VREF=2.5 V. 从公式看，VREF的大小与电阻R3和R4、R5和R6的比例有关，且基准电压似乎只与电阻的比例有关，但实际情况并非如此. 推导过程中的假设只是近似成立，在不同的工艺角下，晶体管的直流放大倍数β值变化很大，基极电流变化也很大，导致“零温度系数点”在较大范围移动，最后的VREF值也有很大的变化.基于HHNEC工艺，通过对该电路仿真得，在-40 ℃～85 ℃的温度范围内，其电压基准的变化范围是2.48 V～2.52 V，通过计算得知温度系数为128 ppm/℃.2 带有数字修调的带隙基准电压源的设计图1所示的电路结构的带隙基准电压源最终的温度系数为128 ppm/℃，为了降低其温度系数，引入数字修调技术来调节图1中电阻R4和R6的阻值，从而改变R3与R4，R5与R6的比例，进而调节VREF的大小. 之所以选择R4和R6是因为这两个电阻的一个公共端接地电位，有利于数字电位器的加入. 数字修调方法的最大优点就是在各个工艺角下都可以进行调节，从而得到想要的基准电压，普遍性强，适用于各种工艺.2.1 数字电位器的设计数字电位器的设计是数字修调的基础，只有设计出合理的电阻或电容修调网络，才可以使得修调能够顺利并且最简地进行下去〔5〕. 本文设计的是带隙基准电压源，所以下面以数字电位器为例给出一种设计方法. 可以根据需要修调电阻的大小，给出控制开关的个数，如图2所示，共用到3个开关，可以控制的电阻范围是7KΩ～14 KΩ，分辨率是1 KΩ，如果用4个开关的话，则可以控制的电阻范围变为是15 KΩ～30 KΩ，分辨率仍为1 KΩ.图2 7 KΩ～14 KΩ粗调数字电位器在粗调电位器的基础上，设计一个电阻总阻值为1 KΩ，分辨率为125 Ω的细调电位器，如图3所示，共用到8个数字开关，此开关用NMOS管来设计.图3 细调数字电位器在图1的基础上，加入数字电位器后如图4所示，将图1中的R4和R6的阻值，通过数字电位器来进行调节，以满足各个工艺角下的带隙基准输出要求.图4 增加数字修调的带隙基准电路原理图图4中所示的数字电位器是由图2的粗调电位器和图3的细调电位器组成的，共用到11个开关. 为了节省开关，在细调电位器部分设计了一个3～8译码器，将细调部分的8个开关转换为译码器的3个输入信号，所以最终一共用到了6个数字开关.具体的电路设计如图5所示.图5 数字电位器原理图2.2 带隙基准电压源的具体电路实现本文设计的带隙基准电压源的具体实现如图6所示，主要由偏置电路，带隙基准产生电路和数字修调电位器组成. 偏置电路里面包含有启动电路和为带隙基准提供的偏置电路.图6 带数字修调的带隙基准电压源电路3 仿真结果基于华虹NEC0.35 μm BCD工艺模型对图6电路进行仿真，得到各个工艺角下带隙基准电压源的温度扫描曲线如图7所示，可以看出经过数字修调后的基准电压的温度特性得到明显改善，最后带隙基准的输出电压能够达到的温度系数为6 ppm/℃.图7 2.5V带隙基准的仿真结果4 结论本文基于Brokaw带隙结构和数字修调技术的基本原理，设计了一种能够产生2.5 V的带隙基准电压源，此电压源的工艺条件宽，在不同的工艺中通过调节修调开关的组合，进而调节带隙基准的值. 通过仿真得出，所设计的带隙基准电压源的温度系数在各个工艺角下达到了6 ppm/℃，具体仿真数据如表1所示. 本文设计的带隙基准电压源具有温度系数低，工艺条件宽等特点，可以为系统提供稳恒的电压基准源.表1 带隙基准的仿真结果除电阻外工艺角电阻工艺角2.5 V基准(MIN)2.5 V基准(MAX)2.5 V带隙温度系数(ppm/℃)TTTT2.50232.50384.80MAX2.50222.50385.12MIN2.50212.50313.2 0FFTT2.50222.50385.12MAX2.50202.50375.44MIN2.50252.50384.16SSTT2.50212.50292.56MAX2.50222.50364.48MIN2.50212.50333.84【相关文献】〔1〕周家萍. 高精度集成电压基准源研究〔D〕. 贵阳：贵州大学, 2010.〔2〕盂波，邹雪城，孟超. 一种高性能CMOS基准电压源电路设计〔J〕. 微电子学与计算机，2003，(8)：161-162.〔3〕闫志光. 低压低温度系数高电源抑制比的带隙基准源的设计〔D〕. 沈阳：辽宁大学, 2012. 〔4〕李新，洪婷，高加亭. 高精度低温度系数带隙基准电压源的设计〔J〕. 微处理机, 2009, 10(5)：13-15.〔5〕XIN Xiao-ning, LUO Bing-yin. High precision low temperature coefficient current reference with resistor compensation〔C〕. ICNIA&ICCASM, Xia Men, 2011.。

0.18 μm CMOS带隙基准电压源的设计

0.18 μm CMOS 带隙基准电压源的设计本文提出了一种基于0.18 μm 标准CMOS 工艺的高性能带隙基准电压源的设计方法，输出基准电压0.6 V，输入电压范围为1.5 V～3 V，温度系数仅为5 ppm/℃，功耗为80 ?滋W.1 带隙基准技术基本原理基准电压源已成为大规模、超大规模集成电路和几乎所有数字模拟系统中不可缺少的基本电路模块。

基准电压源可广泛应用于高精度比较器、A/D 和D/A 转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。

带隙基准电压源受电源电压变化的影响很小，它具备了高稳定度、低温漂、低噪声的主要优点。

其中，VT 具有正温度系数，VBE1 具有负温度系数，则输出VRef 的温度系数可以调整到接近零。

2 带隙基准源设计电路为了得到较低的输出电压，在两个晶体管支路上分别并联一个电阻，根据此原理，设计电路图[3]如图2 所示。

三个PMOS 管为同样宽长的MOS 管，均处于饱和工作状态，根据镜像原理有：由式(7)可以看出，调节R2/R1 与R2/R0 的值，就可以得到零温度系数的电压输出值。

虽然电阻本身也具有温度系数，但在此电路中，输出电压只与电阻之间的比值有关，所以电阻的温度系数对输出的影响很小。

3 运算放大器的设计以上推理仅适用于运算放大器工作在理想状态的情况，图2 电路的最主要部分就是运算放大器，运算效果的优劣决定着此基准电压源的效果。

根据电路的需求，设计的运放有较高的放大倍数、较低的功耗、较低的噪声，所以选用普通的两级运放即可，电路图如图3 所示。

图3 中PM0 和PM1 作为镜像电流源，将偏置电流4 μA 镜像给放大器使用，PM3 与PM4 作为运放的输入端，比使用NMOS 差分对得到更大的输入。

一种带隙基准电压源设计

ｒｆｒｎｅＡｔａｔｔｅｓｈｓｌｆｘｅｉｎａｉｌｔｎｏｓｉｅｓｍｕａｉｎｅｅｅｃ．ｓ，ｉｇｔｔｅｒｕｔｏｐｒｌｅｓｅｍｅｔｌｍｕａｉｆｐｃｉｌｔ．ｓｏＰｏＫｅｒｓａｄａｅｅｅｃ￣ｅｕｎｙｃｍｐｎａｉｎ；ｔｍｐｒｔｒｏｆｃｅｔｓｉｅｙｗｏｄ：ｂｎｇｐｒｆｒｎｅ；ｑｅｃｏｅｓｔｏｅｅａｕｅｃｅｆｉｎ；Ｐｐｃｉ
ａＶ
Ｔ
流、电压模块。以也要求这些值更加精准。别是与温度关所特
系很小的电压、电流基准在许多电路应用中是必不可少的，
＝
盟Ｔｌ一盟ａｎ
… ＩＴ。ａＴ
（）５
一
因为大多数工艺参数是随着温度变化的．中对折叠插值型文ＡＤＣ系统中的基准源单元展开了专门的研究【通过Ｐｐｅ１］，ｓｉｃ
ＡｂｔａｔＴｅｖｌｇｅｅｅｃｓｒｖｄｄｈｇ－ｒｃｓｎｖｌｇｒｔｅｏｈｒｕｃｉｎｌｄｌｓｏｆｒｎｅｃｒｕｔｙｔｍ．ｓｒｃ：ｈｏｔｅｒｆｒｎｅｉｏｉｅｉｈｐｅｉｉｏｔｅｆｔｅｎｔａａｐｏａｏｈｆｏｍｏｕｅｆｒｅｅｃｉｉｓｓｅｅｃ
仿真。计一款基于带隙电压参考源。设

基于LDO电压调整器的带隙基准电压源设计

高的电源抑制比，其对抗电源变化和温度变化特性较好。关键词：带隙基准电压源；ＬＯ；ＣＤＭＯＳ；电压基准；电压调整器
中图分类号：Ｔ３文献标识码：Ｎ４２Ａ
ＢａｅｏｎｈｅＬＤＯｌａｅｒｇａｏｆｄｅｉｎｆｓｄｔｖｏｔｇｅｕｌｔｒｏｓｇｏｂａ＿ｐｏｔｇｅｅｅｅｎｄ・ｇａｖｌａｅｒｆｒｎｃ＿ ’
ａｐｅｉｅｅｅｃｏｔｇｏｈＤＯ，ｔＩｎｆｈｅｏｕｅｆｔｅＬＯｙｔｍｅｉ．ｎｔｉｐｐｒｒｃｓｒｆｒｎｅｖｌｅｆｒｔｅＬｅａＩｓｏｅｏｅｋｙｍｄｔｌｓｏＤｈｓｓｅｄｓｇＩｈｓａｅ，ｎ
一
个单元模块，带隙基准电压源为ＬＤＯ提供一个精确的参考电压，Ｄ是ＬＯ系标准的Ｃ．ｍＭＯｓ工艺实现。为了提高电压抑制性，采用了低压共源共栅的电流镜结构，并且在基准内部设计了一个运算放大器，合理的运放设计进一步提高了电源抑制性。基于Ｃｄｎｅｐｃｅａｅｃ的Ｓｅｔ进行前仿真验证，ｒ结果表明该带隙基准电压源具有较低的变化率、较小的温漂系数和较
ｃａｇｈｒｃｅｉｔｓｏｏｄｈｎｅｃａａｔｒｉｆｇｏ．ｓｃ
Ｋｅｗｏｄ：ａｄａｆｒｎｅｏｔｅｓｕｃ；ＤＯ；ｙｒｓｇｇｐｒｅｅｃｌｇｒｅＬｎｅｖａｏＣＭＯＳｒｆｒｎｅｏｔｅｖｌｇｘａｏ；ｅｅｃｌｇ；ｏｔｅｅｔｒｅｖａａｒ
ＡｂｔａｔＤｅｉｎｏｎａｐｉｄｖｌｇｅｕａｏＬｓｒｃ：ｓｆａｐｌｏｔｅｒｇｌｔｒ（ＤＯ）ｔｈａｄａｅｅｅｃｏｔｅｓｕｃ．ｌｇｇｅａｏｔｅｂｎｇｐｒｆｒｎｅｖｌｇｏｒｅＶｏｔｅａａ

带隙基准电压源设计

基于BiCMOS工艺的带隙基准电压源设计叶鹏1，2，文光俊1,2，蔡竟业1, 王永平2(1.电子科技大学通信与信息工程学院，四川成都 610054)(2.广州润芯信息技术有限公司，广东广州 510663 )摘要：电压基准是模拟集成电路的重要单元模块，本文在0.35um BiCMOS工艺下设计了一个带隙基准电压源。

仿真结果表明，该基准源电路在典型情况下输出电压为1.16302V，在-45℃～105℃范围内，其温度系数为3.6ppm/℃，在在电源电压为3V～3.6V范围内，参考电压从.16295V～1.16308V，变化了130uV，电源电压调整率为0.0186%/V。

关键字：带隙基准电压源；温度系数；电源电压调整率；BiCMOS中图分类号 TN782 文献标识码 AA Veference Voltage Circuit Design on BiCMOSTechnologyYE Peng1,2,WEN Guang-jun1,2,CAI Jing-ye1,WANG Yong-ping2(1 School of Communication and Information Engineering, University of Electronic Scienceand Technology of China, Chengdu Sichuan 610054)(2 Guangzhou Runxin Information Technology Co. LTD, Guangzhou Guangdong 510663)Abstract：voltage reference is a critical module in analog integrated circuit.this paper design a bandgap voltage reference,the simulation result demonstrate that the output voltage is 1.16302V in typical,the temperature coefficience is 3.6ppm/℃when temperature from -45℃ to 105℃,the reference voltage is from 1.16295V to 1.16308V when power voltage 3V～3.6V,the vary Is 130uV,Keywords: bandgap voltage source;temperature coefficience;Line Sensitivity;BiCMOS1引言设计基准电路的目的就是建立一个与电源和工艺无关，具有确定温度特性的直流电压或电流。

带隙电压基准的设计_毕业设计

Keywords:MOS device; bandgap voltage reference; extraction; output voltage temperature coefficient;
0
基准电压源(Reference Voltage)是指在模拟电路或混合信号电路中用作电压基准的具有相对较高精度和稳定度的参考电压源。它的温度稳定性以及抗噪性能影响着整个电路系统的精度和性能。模拟电路使用基准源，或者是为了得到与电源无关的偏置，或是为了得到与温度无关的偏置，其性能好坏直接影响电路的性能稳定，可见基准源是子电路不可或缺的一部分，因此也可以说性能优良的基准源是一切电子系统设计最基本和最关键的要求之一。
1.1
1
N型MOS（NMOS）器件制作在p型衬底上（衬底也称作bulk或者body），两个重掺杂n区形成源端和漏端，重掺杂的（导电的）多晶硅区（通常简称poly）作为栅，一层二氧化硅使栅与衬底隔离。器件的有效作用就发生在栅氧下的衬底区。注意，这种结构中的源和漏是对称的。
源漏方向的栅的尺寸叫栅长L，与之垂直方向的栅的尺寸叫做栅宽W。由于在制造过程中，源/漏结的横向扩散，源漏之间实际的距离略小于L。定义，式中称为有效沟道长度，是沟道总长度，而是横向扩散的长度。与氧化层厚度对MOS电路的性能起着非常重要的作用。因此，MOS技术发展中的主要推动力就是不是器件的其他器件参数退化而一代一代的减少这两个尺寸。从简单的角度来看，PMOS器件可通过将所有掺杂类型取反来实现，在实际中，NMOS和PMOS器件必须在同一晶片上，也就是说做在相同的衬底上。NMOS和PMOS晶体管的区别在于每个PFETs可以出于各自独立的n阱中，而所有NFETs则共享同一衬底。
（1.2）
其中为过驱动电压，称W/L为宽长比,以上两等式是CMOS模拟电路设计的基础，它描述了与工艺常数，器件的尺寸W和L以及栅和漏相对于源的电位之间的关系。

带隙基准电路设计

帯隙基准电路设计（东南大学集成电路学院）一.基准电压源概述基准电压源(Reference V oltage)是指在模拟电路或混合信号电路中用作电压基准的具有相对较高精度和稳定度的参考电压源，它是模拟和数字电路中的核心模块之一，在DC/DC ，ADC ，DAC 以及DRAM 等集成电路设计中有广泛的应用。

它的温度稳定性以及抗噪性能影响着整个电路系统的精度和性能。

模拟电路使用基准源，是为了得到与电源无关的偏置，或是为了得到与温度无关的偏置，其性能好坏直接影响电路的性能稳定。

在CMOS 技术中基准产生的设计，着重于公认的“帯隙”技术，它可以实现高电源抑制比和低温度系数，因此成为目前各种基准电压源电路中性能最佳、应用最广泛的电路。

基于CMOS 的帯隙基准电路的设计可以有多种电路结构实现。

常用的包括Banba 和Leung 结构带薪基准电压源电路。

在综合考虑各方面性能需求后，本文采用的是Banba 结构进行设计，该结构具有功耗低、温度系数小、PSRR 高的特点，最后使用Candence 软件进行仿真调试。

二.帯隙基准电路原理与结构1.工作原理带隙基准电压源的设计原理是根据硅材料的带隙电压与电源电压和温度无关的特性，通过将两个具有相反温度系数的电压进行线性组合来得到零温度系数的电压。

用数学方法表示可以为：2211V V V REF αα+=，且02211=∂∂+∂∂T V T V αα。

1).负温度系数的实现根据双极性晶体管的器件特性可知，双极型晶体管的基极-发射极电压BE V 具有负温度系数。

推导如下：对于一个双极性器件，其集电极电流)/(ex p T BE S C V V I I =，其中q kT V T /=，约为0.026V ，S I 为饱和电流。

根据集电极电流公式，得到：SC T BE I I V V ln= (2.1) 为了简化分析，假设C I 保持不变，这样： TI I V I I T V T V S S T S C T BE ∂∂-∂∂=∂∂ln (2.2) 根据半导体物理知识可知：kT E bT I gm S -=+ex p 4 (2.3)其中b 为比例系数，m ≈−3/2，Eg 为硅的带隙能量，约为1.12eV 。

一种带隙基准电路电压源设计

一种带隙基准电路电压源设计摘要：针对传统带隙基准源仅采用一阶温度补偿技术导致温度系数较差的问题就需要采用高阶曲率补偿电路。

曲率补偿的方法是通过在基准源输出电压上叠加一个温度的指数函数，从而实现高阶补偿的目的。

电路基于tsmc0.18um工艺，Candence行仿真。

测试结果表明，温度由-40℃变化到125℃时,使用高阶温度补偿后带隙基准电压的温度漂移系数为6.60ppm/℃电源抑制比62.81dB。

关键词：带隙基准电路、曲率补偿引言基准源是模拟电路或者数模混合信号集成电路的重要组成部分，基准源的建立要求是与电源、工艺和温度无关的电压源或者电流源，基准源在整个电路或者系统中通过对基准电压比来处理输入信号，此时基准的性能会直接影响电路或者系统的性能。

所以基准源应该具有的抗干扰能力，此时就要降低基准源的温度系数，同时保证有较大的抑制比。

一般的带隙基准电路只采用一阶温度补偿的策略来实现基准源的设计，但是要降低温度系数，就要采用高阶温度补偿策略。

把一阶线性电流引人三极管的集电极，利用三级管基极-发射极电压的叠加得到产生一个具有高阶温度系数补偿电流，然后将高阶温度系数补偿电流产生的电压与一阶温度补偿电流产生的电压叠加实现多阶温度补偿，此外可以调整电阻的阻值来控制正带隙电压的温度特性，利用电路中的运放与负反馈来提高电路的电源电压抑制比。

1.电路设计已知带隙基准是由正温度系数电压（PTAT）与负温度系数电压（CTAT）按照一定比例组合产生与温度无关的基准电压（Vref）。

传统基准源设计由pnp三极管Q1与Q2的VBE之差产生了PTAT电压，再通过R1将PTAT电压转化为电流输出，然后利用运放出入端V+、V-相同输出电压为0V，运放将R1产生的PTAT电流通过Q5、Q6的电流镜拷贝输出，R2作为负载和Q3一起将PTAT电流转化为电压输出，电路所有的三极管都为二极管连接方式。

1-1传统带隙基准源1.1研究方案带隙基准电压源的基本原理就是用具有正温度系数的PTAT电压与具有负温度系数的VBE 电压相叠加，从而形成低温度系数的输出电压。

cadence-带隙基准电压的设计

带隙基准电压的设计王旭 113163一、设计指标VDD=3V~6V Vref = PPM<20ppm/℃二、电路原理图（三、原理分析1、核心思想：利用PTAT 电压和双极性晶体管发射结电压的不同的温度特性，获取一个与温度及电源电压无关的基准电压。

2、详细机理分析带隙电压基准的基本原理： -~=∂+∂⋅-+V V βα0V V T ++∂⎛⎫> ⎪∂⎝⎭0V V T --∂⎛⎫< ⎪∂⎝⎭αβ∑REF V V αβ+-=⋅+⋅基准电压表达式：双极型晶体管，其集电极电流（IC ）与基极-发射极电压（VBE ）关系为： -其中，利用此公式推导得出VBE 电压的温度系数为其中，是硅的带隙能量。

当时 —这个温度系数本身就与温度有关。

正温度系数的产生机理：如果两个同样的晶体管（IS1= IS2= IS ，IS 为双极型晶体管饱和电流）偏置的集电极电流分别为nI0和I0，并忽略它们的基极电流，那么它们基极-发射极电压差值为[因此，VBE 的差值就表现出正温度系数这个温度系数与温度本身、集电极电流都无关。

利用上面的正，负温度系数的电压，可以设计一个零温度系数的基准电压，有以下关系： `因为因此令，只要满足上式，便可得到零温度系数的VREF 。

故有：REF VV Vαβ+-=⋅+⋅exp()C S BE T I I V V =T V kT q =(4)BE T g BEV m V E q V T T -+-∂=∂ 1.12g E eV =1.5m ≈-750BE V mV≈300T K =1.5BE V T mV C ∂∂≈-︒12BE BE BE V V V ∆=-0012ln ln ln T T T s s nI I V V V nI I =-=ln 0BE V kn T q ∂∆=>∂(ln )REF BE T VV V n αβ=⨯+⨯1.5/BE V T mV C ∂∂≈-︒0.087/T V T mV C∂∂≈︒1α=(ln )(0.087/) 1.5/n mV C mV Cβ⨯︒=︒(ln )17.2n β⨯≈nV R R V V T BE REF ln 123+=!结合以上基本原理，现返回到最初选择的拓扑图，分别采用电流镜接法，M3、M4使得I1与I2电流相等，而M1与M2的电流镜接法又使得X 与Y 点的电位相等。

高性能带隙基准电压源的研究与设计

第二种是一款具有良好热稳定性的三端可调式精密稳压基准源芯片 XD6201。该芯片基于 2μm 35V Bipolar 工艺进行设计，基准电压(2.5V)精度达到了±0.5%，且有宽的输出电压范围(2.5V~30V)。芯片动态输出阻抗仅为 0.2Ω，最大漏电流能力为 200mA。最后对芯片进行了仿真验证，结果显示该芯片的电特性均达到或优于设计指标。
The first voltage reference without an error amplifier based on 0.4μm BCD process is applied to an active power factor correction controller chip. Due to the high supply voltage of the chip, the reference is required to operate over a voltage range of 9.7V to 20V and achieves a perfect PSRR performance. Simulations show that, a temperature coefficient of 10.8ppm/℃ from -40℃ to 125℃, a PSRR up to -108dB within 1KHz and a line regulation of 2.52μV/V can be achieved.
Keywords: Bandgap Reference Temperature Coefficient PSRR Temperature Compensation
西安电子科技大学
学位论文独创性(或创新性)声明
秉承学校严谨的学风和优良的科学道德，本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢中所罗列的内容以外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果；也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中做了明确的说明并表示了谢意。

带隙基准电压源

带隙基准电压源1. 引言带隙基准电压源（或称为带隙电压参考源）是集成电路设计中的关键模块之一。

它提供了一个稳定、精确的参考电压，用于校准其他模块的工作电压。

带隙基准电压源常用于模拟集成电路或传感器的校准、温度补偿等场景。

本文将介绍带隙基准电压源的工作原理、设计方法和常见应用。

2. 工作原理带隙基准电压源利用半导体材料的能带结构和温度特性实现电压的稳定。

它的基本原理是通过将两个与温度敏感度相反的元件串联（通常为PN结），使得温度系数互相抵消。

这样，温度变化对电压的影响将大大减小。

在带隙基准电压源中，常用的元件组合包括基准二极管和反向温度补偿二极管。

基准二极管利用了PN结的温度特性和电压偏置效应，实现了相对稳定的电压参考源。

而反向温度补偿二极管则通过调节电流和温度敏感度，来抵消基准二极管电压的温度漂移。

3. 设计方法设计带隙基准电压源需要考虑多个因素，包括温度系数、稳定性、功耗等。

以下是常见的设计方法：3.1 电流源设计带隙基准电压源需要一个稳定的电流源来提供工作电流。

常见的电流源包括简单的电阻、电流镜等。

电流源的选择要考虑稳定性、温度系数以及功耗等因素。

3.2 温度补偿为了抵消温度变化对电压的影响，需要引入一个反向温度补偿二极管。

这个二极管的电流和温度系数需要和基准二极管匹配，以实现温度补偿效果。

常见的方法包括调节电流和温度敏感度，使得反向温度补偿二极管的温度变化与基准二极管的温度变化相互抵消。

3.3 输出缓冲带隙基准电压源的输出需要通过一个缓冲放大器来驱动其他模块。

缓冲放大器的选择要考虑输出电压范围、增益稳定性以及功耗等因素。

4. 常见应用带隙基准电压源在集成电路设计中有广泛的应用。

以下是几个常见的应用场景：4.1 ADC的参考电压源带隙基准电压源常用于ADC（模数转换器）的参考电压源。

ADC通常需要一个稳定的参考电压来将模拟输入转换为数字信号。

带隙基准电压源的稳定性和精度使得它成为理想的参考电压源。

带隙基准电压源(Bandgap)设计范例

NO.1 Bandgap 模块一. 原理图
图 1.1
Bandgap 模块线路图
二. 等效架构图
(a)
(b)
(c) 图 1.2 Bandgap 模块等效原理图
三. 电路功能描述
正常工作时，Bandgap 模块为系统提供稳定、高精度的 1.28v 的基准电压，并为其它电路模块提供稳定的偏置电流。
四. 输出、输入信号线功能描述
I = I S (e qVB E / kT − 1)
（1.1）当 VBE >> kT / q 时， I ≈ I S e q.VBE / k .T
VBE = VT . ln( I ) IS
（1.2）其中 VT = kT 为热电压，k 是 Boltzmann 常数，q 是电荷量。 q
图 1.2(b) 是参考电压产生的实际等效架构电路， R19 、R20 、R21 、Q11 和 Q12、Q19 构成带隙电压产生器的主题部分，由 Qx10 、Qx8 、 Q19、 Qx7 、 Q10 以及 Q18 组成了放大器及补偿电路，保证了参考电压输出的稳定。由运算放大器的性质，得：
Q12 和 Q19 的电流相等；R19、R20、R21 和二极管连接的 Q11 组成分压网络，将 Q12、Q19 产生的 ? VBE 放大（R19＋R20＋R21）/R21 倍后与 VBE11 相加，产生基准电压 VREF ；放大管 QX7 、Q18 和负载管 Q10 组成符合放大电路，将 IC19 和 IC12 的差值放大，反馈到分压网路中的 R21，从而调整 Q12、Q19 的工作点，保证 IC19 等于 IC12 ；电容 C2 和 R23 用来进行频率补偿。电流偏置 IBias2 产生电路（图 2(c)）：由 P39、Q3、R8 组成。Q3 的基极连接 VREF ，其射极电位即 R8 的一端电位 VEQ3＝VREF －VBEQ3，与电源电压无关，从而流过电阻 R8 的电流与电源无关，即 IBias2 与电源无关。 1．使能原理： ENB 高电平时，使能关断有效。当 ENB 为高电平时，使能管 N15、N18、 N17 工作，则 N19 的漏极电压、P8 的漏极电压、VREF 被拉到低电平，电路关断。 BIAS_EN 低电平时，使能关断有效。当 BIAS2_EN 低电平时，使能管 P13 工作，P7、P1 的栅极即 Bias 为高电平，电流偏置为 0，同时，基准电压 VREF 为零电平。 BIAS2_EN 低电平时，使能关断有效。当 BIAS_EN 低电平时，使能管 P34 工作，Bias2 为高电平，电流偏置 IBias2 为 0。 2．启动原理 P14、R15、N19、N16 组成启动电路。启动过程：ENB 为低电平，当未启动时，P7、P8 两支路的电流为 0，此时 P8 的漏极电压为 0 电位，N19 不通，N19 的漏极为高电位，此时 N16 管导通，形成从电源到地的通路 R12、P7、N16，使 P7 有电流流过，从而打破 0 电流的状态；之后 P8 漏极电位上升， N19 导通， N16 截止，启动过程结束。

基于LDO稳压器的带隙基准电压源的设计

ｅｃｉｒｃｕｉｔ．ｌｈｅ＇ｒｅｓｔ＊Ｉｔｓｓｈ【】ｗｔｈａｔ１：ｈｅｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｃ（＇ｅｆｉｃｉｅｎｔｉｓ７７１０－ ℃ ｗｈｅｎｔｈｅｃｉｒｃｕｉｔｉｓｉｎ４０ｍ１４０￣Ｃ，ａｎｄｔｈｅｐｏｗｅｒｓｕｐｐｌｙｒｅｊｅｃｉｔｏｎｒａｉｔｏｎｃａｒｌｒｅａｃｈ７６ｄＢｗｈｅｎｉｔｉｓｌｏｗ
隙基准模块产生的带隙基准电压Ｖ，误差放度系数电路的实现一般是用运算放大器使得偏大器的输出驱动调整元件，通过改变其导通电置在不同电流下的两条电路支路电压相等，通过在大电流密度的支路上串联一个电阻就可以阻，最终实现稳定输出，输出电压Ｖ为：电压之差。而负温度系数则直接使Ｖｏ￣ｔ＝ＶＲＥＦ（Ｉ＋Ｒｓ２／Ｒｓ１）（１）得到两个Ｖ
供电电压范围为２￣４．５Ｖ。
【关键词】带隙基准源；ＬＤＯ稳压器；温度系数；电源抑制比
ＢａｓｅｄｏｎｔｈｅＬＤＯｖｏｌｔａｇｅｒｅｇｕｌａｔｏｒｏｆｄｅｓｉｇｎｏｆｂａｎｄ・＿＿＿
Ｉ．皇王研霾…………………………
基于ＬＤＯＩ￣压器的带隙基准电压源的设计
兰９＇Ｉ１交通大学张慧敏崔新杨硕
【摘要】基准模块是ＬＤＯ性稳压器的核心部分，它是影响稳压器精度的关键因素之一。本文针对ＬＤ０性稳压器对基准模块一方面有较高的精度要求，另一方面又有较低静态电流要求的矛盾设计了一款简单实用的电压基准电路。仿真结果表明该电路在一４０￣１４０￣Ｃ的温度系数为７．７１０ ℃，低频时的电源抑制比可达一７６ｄＢ，基准源电路的

带隙基准电压源电路设计

带隙基准电压源电路设计英文回答：Bandgap Voltage Reference Circuit Design.Bandgap voltage reference circuits are a critical component in many electronic systems, providing a stableand accurate voltage reference against which other circuits can be calibrated. They are particularly useful in applications where low power consumption, a wide operating temperature range, and high accuracy are required.The design of a bandgap voltage reference circuit typically involves the following steps:Choosing a suitable bandgap voltage: The bandgap voltage is the voltage difference between the base and emitter of a bipolar junction transistor (BJT) operating in the forward-active region. It is typically around 1.2 V at room temperature and has a positive temperature coefficient,meaning that it increases with increasing temperature.Designing a temperature-compensated circuit: The temperature dependence of the bandgap voltage can be compensated by using a combination of BJTs, resistors, and capacitors. The goal is to create a circuit that has a constant output voltage over a wide temperature range.Adding additional features: Depending on the specific application, additional features such as low-power operation, low noise, or voltage trimming may be required. These features can be implemented using additionalcircuitry or by carefully choosing the components used in the design.中文回答：带隙基准电压源电路设计。

一种分段补偿带隙基准电压源的设计

压源输出电压随温度的漂移。利用带负电阻放大器的增益对温度敏感的特性产生一个随温度变化的电压信号，用该电压信号驱动一个ＰＭＯＳ管在３个温度段内对基准电路注入或抽取电流的方式进行分段补偿。仿真结果表明：当温度在一４Ｏ
～
１２５℃ 范围内变化时，基准电压仅变化Ｏ．３ｌ１ｍＶ，温度系数为１．８９ ×１０ ℃＿。，电源抑制比在低频时为一９ＯｄＢ。该带隙
基准源在温度为一１５℃ 、３４℃ 、７６℃ 时，基准电压对温度的函数曲线的的曲率为０，在标准工艺下温漂系数较低。该研究可为ＡＤＣ、线性稳压器、ＤＣ／ＤＣ转换器等电路提供高精度的基准电压。
ＷＡＮＧＪｕｎ，ＷＥＩＤｕｑｕ
（ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＧｕａｎｇｘｉＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，ＧｕｉｌｉｎＧｕａｎｇｘｉ５４１００４，Ｃｈｉｎａ）
Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ（ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＥｄｉｔｉｏｎ），２０１７，３５（２）：１７ — ２３．
ＴｈｅＤｅｓｉｇｎｏｆａＰｉｅｃｅｗｉｓｅＣｏｍｐｅｎｓａｔｅｄＢａｎｄｇａｐＶｏｌｔａｇｅＲｅｆｅｒｅｎｃｅ

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哈尔滨理工大学软件学院课程设计报告指导老师董长春2013年6月28日.课程设计题目描述和要求二.课程设计报告内容2.1课程设计的计算过程2.2带隙电压基准的基本原理2.3指标的仿真验证结果2.4网表文件三.心得体会四．参考书目课程设计题目描述和要求1.1电路原理图:CDMQ MSMlO Ml IMI2^ ——I 匚13 M 匚11jir Ml Tl ----M4------1M2TC1.2 设计指标放大器：开环增益：大于 70dB相位裕量：大于 60 度失调电压：小于 1mV带隙基准电路：温度系数小于 10ppm/ C1.3 要求1＞手工计算出每个晶体管的宽长比。

通过仿真验证设计是否正确，是否满足指标的要求，保证每个晶体管的正常工作状态。

2＞使用Hspice 工具得到电路相关参数仿真结果，包括：幅频和相频特性(低频增益，相位裕度，失调电压)等。

3＞每个学生应该独立完成电路设计，设计指标比较开放，如果出现雷同按不及格处理。

4＞完成课程设计报告的同时需要提交仿真文件，包括所有仿真电路的网表，仿真结果。

二. 课程设计报告内容由于原电路中增加了两个BJT 管，所以Vref 需要再加上一个Vbe ，导致最后结果为M(In n) 8.6，最后Vref 大概为1.2V ，且电路具有较大的电流,可以驱动较大的负载。

2.1 课程设计的计算过程1＞ M8， M9 ， M10， M11， M12 ， M13 宽长比的计算 (W/L)8=(W/L)9=20uA为了满足调零电阻的匹配要求，必须有 Vgs13=Vgs6 -＞因此还必须满足 (W/L)13=(Im8/I6)*(W/L)6 即(W/L)13/(W/L)6=(W/L)9/(W/L)7 取(W/L)13=27取(W/L)10=(W/L)11=(W/L)13=27因为偏置电路存在整反馈，环路增益经计算可得为1/(gm13*Rb)，若使环路5＞相关问题参考教材第六章，仿真问题请查看 HSPICE 手册。

设 Im8=Im9=20uA增益小于 1,知(W/L)12/(W/L)13 > 4 故取(W/L)12=4*(W/L)13=1072>取 CL=2pf3＞为了满足60DB的相位裕度的要求:Cc > 0.22CL=0.4 4pf 由于设计需求取 Cc=4pf4＞为了版图中的对称性去l5=53uA, l6=107uA5＞单位增益带宽11MHzUGB=gm1/Cc=11MHz*2 7C又 gm6/CL=2.2*UGB=24MHz*2 n 计算得 gm1=44us gm6=48us 取 gm1=69us gm6=55us6＞为了消去零点，即将零点移至无穷远处，贝U调零电阻满足以下公式:gm6*R2=1 得 R2 = 1.44k7＞M1与M6宽长比的计算由 gm1=[2Kp(W/L)1*I1F0.5 取(W/L)2=(W/L)1=20由 gm6=[2Kn(W/L)6*I6]八0.5 取(W/L)6=1078＞M3 , M4 , M5 , M7宽长比的计算假设过驱动电压Vov=0.2vI3=I4=0.5Kn (W/L) Vov*Vov 取(W/L)3=(W/L)4=27由偏置电流源与电流的比例关系得：(W/L)5=53 (W/L)7=1079>由 Vgs13=Vgs12+lm8*Rs Vgs=j2I 吨 + 肝H 得 Rs=3.2k2.2带隙电压基准的基本原理带隙电压基准的基本原理：¥ + 0VBEV BE (4m)V T E g/q其中, m 1.5 E g 1.12eV 是硅的带隙能量。

当V BE750mV T300K0 X (In n)(0.087m 卩 / °C) = 1 .伽 F爲 InR基准电压表达式：V REF V VV+,V-的产生原理:（1）利用了双极型晶体管的两个特性: 基极-发射极电压（VBE ）电压与绝对温度成反比在不同的集电极电流下，两个双极型晶体管的基极 -发射极电压的差值（△ VBE ）与绝对温度成正比（2）双极型晶体管构成了带隙电压基准的核心负温度系数电压:双极型晶体管，其集电极电流（IC ）与基极-发射极电压（VBE ）关系为I c I s ex P （V BE /V T ）V TkT/q 。

利用此公式推导得出VBE 电压的温度系数为其中,N F =+ 町hiH)EFjdT 氐广C可得：V BE / T 1.5mV/C(3) 实现零温度系数的基准电压(In n) 8.6(4) 带隙基准电路参数的设计假设n=8, M=1 o M 为M5与M1234电流大小之比。

并设M1234宽长比为 80/3o 则一 4.13假设R1=4K,R2=18.4K 。

经过调试得知不同大小的 R2与R1 R1会影响带隙基准的温度系数以及电路整体的电流大小，影响后续驱动负载能力, 调试过程中会存在一定误差，例如18.4/4=4.6与计算结果有一定差距，但是仿真出的结果较好所以我们使用上述参数。

2.3指标的仿真验证结果(1)放大器增益带和相位裕度的仿真-150 0-■300.0-350 0-放大器的增益是104.54DB;单位增益带宽是5.9474M;相位裕度是62.141度利用上面的正, 负温度系数的电压，可以设计一个零温度系数的基准电压。

有以下关系: V REFV BE (V T ln n)R 20,0 •-50.0 J0.0 n ■50.0-100.0- dB(V) 一 f(H®v^out)Phase(dGg(): f(Hi3v^out)-200.0-250 0Phasemargin: 65.448iOO.Oi 0.0k 1 meg i OOmeg(1.0,SS L O4'5)100.0^75.0 q5025.0 -Level ： X ； 11 1 S7meg(2)失调电压失调电压为Vos=OV(3)带隙基准准度=800u[(100*(1.2109+1.2105)/2)]=6.6ppm/ C2.4网表文件source ban dga pM1 g v- c vdd mp 33 L=3u W=60u M2 h v+ cvdd mp 33 L=3u W=60u M3 g g 0 0 mn 33 L=3u W=80u M4 h g 0 0 mn 33 L=3u W=80u M5 c d vdd vddmp 33L=3uW=160uR R23.2k*///////////////Ba ndga plllllllllllllllllM6 VOUTh 00 mn 33 L=3u W=320u M7 VOUT d vdd vddmp 33 L=3u w=320u M8 d d vdd vddmp 33L=3u W=80u M9 a d vdd vddmp 33 L=3u W=80uM10 d a f 0 mn 33 L=3u W=80uM11 a a b 0 mn 33 L=3u W=80uM12f b k 0mn 33L=3uw=320ub b 0mp1 Q2ae vout vdd vdd mp33 W=90u L=3u mp2 v- vout vdd vdd mp33 W=90u L=3u mp3 Q1ae vout vdd vddmp33 W=90u L=3u mp4 v+ vout vdd vddmp33 W=90u L=3u温度系数TCf是〒V EFCc VOUTm 4p CL mVOUT 2p1.44k Rsmp5 vref vout vdd vdd mp33 W=90u L=3u Q2a 0 0 Q2ae qvp10Q2b 0 Q2ae v- qvp10Q1a 0 0 Q1ae qvp10 m=8Q1b 0 Q1ae Q1be qvp10 m=8Q3 0 q3e qvp10R1 v+ Q1be 4kR2 Vref q3e 18.4k *///////////////////////////////////// vdd vdd 0 3.3v .lib'c:/lib/hm3524m020025v132.lib' tt .lib 'c:/lib/hm3524m020025v132.lib' biptypical .plotv(Vref) .op .dc temp -20 80 1 *sweep x 18.2k 18.6k 0.01k .end三．心得体会通过学年设计发现跟多自己的不足，该设计更多是在老师和组员的帮助下完成，在模拟设计方面还有很多的路要走，还有很多的只是要学，很多的不足仍需改进。

大学的课程虽然临近结束，可是在接下来的一年的学习不会停止，而且跟多的是靠自己。

四．参考书目 <1>.CMOS 模拟集成电路设计(第二版) Phillip E.Allen Douglas R.Holberg 著冯军李智群译王志功审校。