第三讲连续薄膜的形成(陈)案例

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薄膜的形成之凝结过程

薄膜的形成之凝结过程
薄膜的形成——凝结过程
★ 凝结过程
薄膜形成分为:凝结过程、核形成与生长过程、岛形成与结合
生长过程。凝结过程是从蒸发源中被蒸发的气相原子、离子或分子 入射到基体表面后,从气相到吸附相,再到凝结相的一个相变过程。
一、吸附过程
基本概念
表面悬挂键:不饱和的化学键。
吸附:入射到基片表面的气相原子被悬挂键吸引,束缚在 表面的现象。
捕获区内的吸附原子凝结,非捕获区吸附原子可以蒸发, 也可以成核。 返回上页
薄膜的形成——凝结过程
讨论: 当 S 1 时,每个吸附原子的捕获面积内只有一个原 子,故不能形成原子对,也不能产生凝结。 当 1 S 2 时,发生部分凝结。平均每个吸附原子 的捕获面积内有一个或两个吸附原子,可形成原子对或三 原子团。在滞留时间内,一部分吸附原子有可能重新蒸发 掉。 当 S 2 时,每个吸附原子的捕获面积内至少有两个 吸附原子。可形成原子对或更大的原子团,从而达到完全 凝结。
J c 1 nc c J J
J c 1 dnc s J J dt
nc是在τ时间内基体表面上存在的原子数,J是入射到基体 表面气相原子总数。
薄膜的形成——凝结过程
热适应系数 表征入射气相(或分子)与基体表面碰撞时相互交换 能量的程度的物理量称为热适应系数。
Ti T Ti Ts
式中 Ti 、T 和 Ts 分别表示入射气相原子、再蒸发原子 和基体温度。
1
Ts=Tτ完全适应
1
Ts<Tτ<Ti不完全适应 Ti=T τ完全不适应
0Biblioteka 膜的形成——凝结过程 吸附原子的捕获面积 S D 每个吸附原子的捕获面积: SD N no 式中, no是吸附位置密度,N 是吸附原子在滞留时间内的迁 移距离。

薄膜的形成过程及生长方式PPT课件

薄膜的形成过程及生长方式PPT课件

• 形核是薄膜的诞生阶段,从本质上讲
是一个气-固相变的过程。
.
3
• 薄膜通常通过材料的气态原子凝聚而 形成。在薄膜形成的最早阶段,原子凝 聚是以三维方式开始的,然后通过扩散 过程核长大形成连续膜。
• 薄膜新奇的结构特点和性质大部分归
因于生长过程,所以薄膜生长是最为基 本的。
.
4
• 5.12薄膜的生长模式
• 由于原子的平均扩散距离随着温度的上
升呈指数形式增加,因此,组织形态的
转变发生在0.3Tm附近很小的温度区域。
.
17
•图5.17是 二维模拟得 出的30°角 倾斜入射沉 积时,薄膜 组织随沉积 温度的变化 情况。
• 由图可以看出,随着衬底温度的Βιβλιοθήκη 升,薄膜中的孔洞迅速减少。 .
18
图5.18显示了衬底温度对薄膜表面形貌的 影响
.
12
.
13
• 纤维状组织的一个特点是:纤维的生长 方向与粒子的入射方向近似地满足正切 夹角关系。

tanα =2tanβ
• α ,β分别为粒子入射方向和纤维生长方 向与衬底法向间的夹角。
• 实验证明,纤维状生长与薄膜沉积时原 子入射的方向性有关。
.
14
• 由图中 可以看 出,随 着温度 的提高, 薄膜密 度上升。
薄膜的形成过程及生长方式
• 主讲人:张宝贤 • 学号:12191082 • 班级:12级3班
.
1
目录
• 5.1 薄膜生长过程概述 • 5.2 形核阶段 • 5.3 薄膜生长过程与薄膜结构
习题
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2
5.1、薄膜生长过程概述
• 薄膜的生长可划分为两个不同阶段:

薄膜的生长过程和薄膜结构

薄膜的生长过程和薄膜结构
采用离子轰击的方法抑制三维岛状核心的形成,使细小 的核心来不及由扩散实现合并就被后沉积来的原子所覆盖, 以此形成晶粒细小、表面平整的薄膜。
5.3 薄膜的非自发形核理论 5.3.1 非自发形核过程的热力学
形成一个原子团时的自由能变化为
ΔGv — 单位体积的相变自由能,它是薄膜形核的驱动力; — 气相(v)、衬底(s)与薄膜(f)三者之间的界面能;
衬底之间晶格常数不匹配,随着沉积原子层的 增加,应变能增加。为松弛应变能,生长到一 定厚度,薄膜生长转化为岛状模式。
2)在Si、GaAs等半导体材料的晶体结构中, 每个原子分别在四个方向上与另外四个原子形 成共价键。但在Si的(111)晶面外延生长GaAs时, 由于As原子有五个价电子,它不仅可提供Si晶 体表面三个近邻Si原子所要求的三个键合电子, 而且剩余的一对电子使As原子不再倾向于与其 他原子发生进一步的键合。吸附了As原子的 Si(111)表面具有极低表面能,使其后As、Ga原 子的沉积模式转变为三维岛状的生长模式。
新相的形核阶段:气态的原子或分子凝聚到衬
底表面,扩散迁移形成晶核,晶核结合其他吸
附的气相原子逐渐长大形成小岛。
入射原 子束 再直接碰撞
临界核 临界值
稳定核 稳定值
表面扩散
核形成 核成长
形核阶段 小岛阶段 聚结阶段
薄膜的生长阶段: 小岛阶段; 聚结阶段;
电子衍射 ED
沟道阶段;
纯组元的平衡分压时,沉积的过程也会发生。
(3)层状—岛状(Stranski-Krastanov)生长模式 最开始的一两个原子层的层状生长之后,生长
模式从层状模式转化为岛状模式。 导致这种模式转变的物理机制比较复杂,但根
本的原因应该可以归结为薄膜生长过程中各种能 量的相互消长。

薄膜的形成与生长.

薄膜的形成与生长.

是10-13~10-12秒 ED:表面扩散能 k :玻耳兹曼常数 T :绝对温度
薄膜的形成与生长
平均表面扩散距离:吸附原子在表面停留时间经过扩散 运动所移动的距离
x ( D a )1 2
D:是表面扩散系数 a:气相原子在基体表面上的平均停留时间
薄膜的形成与生长
用a0表示相邻吸附位置的间隔
薄膜的形成与生长
从蒸发源入射到基体表面的气相原子到达基片表面之后可能 发生如下三种现象: (1) 与基体表面原子进行能量交换被吸附 (2) 吸附后气相原子仍有较大的解吸能,在基体表面作短暂停 留后再解吸蒸发(再蒸发或二次蒸发) (3) 与基体表面不进行能量交换,入射到基体表面上立即反射 回去。 用真空蒸发法制备薄膜时,入射到基体表面上的气相原 子中的绝大多数都与基体表面原子进行能量交换形成 吸附
一、 吸附过程
一个气相原子入射到基体表面上,能否被吸附,是非常复杂的问 题
固体表面与体内在晶体结构上的主要差异是什么? 原子或分子间结合的化学键在固体的表面中断。原子或分子 在固体表面形成的这种中断键称为不饱和键或悬挂键. 固体表面上的原子或分子受到的力是不平衡的,这使得固体 表面具有表面自由能
薄膜的形成与生长
真空蒸发镀膜中,入射到基体表面的气相原子将被悬挂键吸 引住,发生吸附作用。根据吸附原子与表面相互作用力性质 的不同,发生物理吸附或化学吸附
思考:发生吸附后,表面自由能增大还是减小? 思考:物理吸附与化学吸附有哪些区别?
薄膜的形成与生长
当入射到基体表面的气相原子动能较小时,处 于物理吸附状态,其吸附能用Qp表示。
吸附原子的表面扩散运动是形成凝结的必要条件
在表面扩散过程中,单个吸附原子间相互碰撞形成原子对之 后才能产生凝结

第三讲_薄膜的物理气相沉积-蒸发沉积

第三讲_薄膜的物理气相沉积-蒸发沉积

提高薄膜的沉积速率和真空度,均有助于提高薄膜纯度
蒸发沉积技术的种类

电阻热蒸发 电子束热蒸发 电弧热蒸发 激光束热蒸发 空心阴极热蒸发
电阻式热蒸发装置
特点: 装置简单,应用广泛 需要针对不同的被蒸发材料选择加热材料和方法 加热温度不能过高,易产生电阻丝等加热材料的污染
A A xA pA (0) M B B B x B pB (0) M A
都将不同于合金中的组元之比
合金中各元素的热蒸发
合金组元的蒸气压之比一般都要偏离合金的原 始成分。当组元A与其他组元的吸引作用力较小时 ,它将拥有较高的蒸气压;反之,其蒸气压将相对 较低。 当需要制备的薄膜成分已知时,由上式可以确 定所需要使用的合金蒸发源的成分。比如,已知在 1350K的温度下,Al的蒸气压高于Cu,因而为了获 得Al-2%Cu成分的薄膜,需要使用的蒸发源的大致 成分应该是Al-13.6%Cu。但当组元差别很大时,这 一方法就失去了可行性。
合金中各元素的热蒸发
对于初始成分确定的蒸发源来说,由上式确定的 组元蒸发速率之比将随着时间而发生变化: 易于蒸发 的组元的优先蒸发将造成该组元的不断贫化,进而造 成该组元蒸发速率的不断下降。
解决这一问题的办法



使用较多的物质作为蒸发源,即尽量减小组元成分的相 对变化 采用向蒸发容器中不断地、但每次仅加入少量被蒸发物质 的方法,即使得少量蒸发物质的不同组元能够实现瞬间的 同步蒸发 利用加热至不同温度的双蒸发源或多蒸发源的方法,分别 控制和调节每个组元的蒸发速率(所谓三温度法)
第三讲
薄膜材料的蒸发沉积
Preparation of thin films by vacuum evaporation

第三章 薄膜材料的主要制备方法ppt课件

第三章 薄膜材料的主要制备方法ppt课件

温成膜
化学工业,光学工业, 电子工业
与下述放电(等离子体) 聚合的应用相近,特别 是可满足要求更高的局 部处理,如精细线的光 扫描聚合等
放电(等离子 体)聚合
采用低温等离子体,激发 能量的变化范围宽,可以 制备各种不同的膜层,应 用对象范围宽
蒸发模式多样,生成机制复杂
适用对象广泛,各种类 型的聚合物,桥架反应, 保护膜,分离膜,光学 膜,电子材料膜,耐磨 抗蚀膜等
杂质混入少
类的组合、选择等受到限制
化学保护,提高电学性 能,提高光学性能,装 饰效果,提高与生物体 的适应性,赋予传感功 能等

聚合反应
同上。可促进反应的进行

既可进行局部处理,又可

光聚合反应 (CVD)
进行大面积处理,激发能
量小,能量的变化范围小, 对膜层的损伤范围小,生
需要对光源进行选择
成膜中的杂质少,可在低
材料不能成膜
箔,装饰,玩具等
.
方 法 化学的制模法
优点
缺点
主要应用
热分解法
装置简单
整个反应系统处于高温。膜厚控 制困难,难以通过掩模形成所需 要的图形
化学工业,光学工业, 电子工业
气相反应法 装置简单
同上
保护膜,表面钝化膜, 装饰,耐磨抗蚀
吸附反应
不需要溶剂,蒸发能量小, 膜层的生长速率低,反应气体种
图3.32 半导体材料的平衡蒸气压随 温度的变化曲线
.
真空蒸发装置
真空蒸发所使用的设备根据目的不同可能有很大的差别,从简单的 电阻加热蒸镀到极为复杂的分子束外延设备都属于真空蒸发沉积的范畴。 在蒸发沉积装置中,最重要的是蒸发源,根据其加热原理可以分为以下 几种:

薄膜的生长过程演示文稿

薄膜的生长过程演示文稿
此外,薄膜的形态也不是块体的,其厚度与表面尺寸相比相差甚远,可近似 为二维结构。
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6.1薄膜生长过程概述
一、薄膜的生长过程:新相的成核与薄膜的生长两个阶段 1、成核阶段
在薄膜形成的最初阶段,一些气态的原子或分子开始凝聚到衬底 上,从而开始了所谓的形核阶段。由于热涨落的作用, 原子到达衬 底表面的最初阶段,在衬底上成了均匀细小、而且可以运动的原子团 (岛或核)。
当这些岛或核小于临界成核尺寸时,可能会消失也可能长大; 而当它大于临界成核尺寸时,就可能接受新的原子而逐渐长大。
现在是5页\一共有33页\编辑于星期五
6.1薄膜生长过程概述
一、薄膜的生长过程:新相的成核与薄膜的生长两个阶段 薄膜的生长过程-成核阶段和生长阶段 2、薄膜生长阶段
一旦大于临界核心尺寸的小岛形成,它接受新的原子而逐渐长大, 而岛的数目则很快达到饱和。小岛像液珠一样互相合并而扩大,而空出 的衬底表面上又形成了新的岛。形成与合并的过程不断进行,直到孤立 的小岛之间相互连接成片,一些孤立的孔洞也逐渐被后沉积的原子所填 充,最后形成薄膜。
薄膜的生长过程演示文稿
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(优选)薄膜的生长过程
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6.1薄膜生长过程概述
射向基板及薄膜表面的原子、分子与表面相碰撞,其中一部分被反射, 另一部分在表面上停留。
停留于表面的原子、分子,在自身所带能量及基板温度所对应的能量作用下,
G=a1r3 Gv+a2r2 fs+a2r2 sv-a3r2 vf (5-10) ΔGv是单位体积的相变自由能,它是薄膜成核的驱动力; vf、 fs、sv分别是气相
(v)、衬底(s)与薄膜(f)之间的界面能; a1、a2、a3是与核心具体形状有关的常

薄膜的形成

薄膜的形成
当吸附原子在基体表面移动时,从一个势阱跃迁 到另一个势阱的过程中,吸附原子可能与其它吸附 原子互相作用,形成稳定的原子团或转变成吸附。
但当吸附原子不能形成居留寿命增加的稳定原子团 时,将再次蒸发(二次蒸发)即发生解吸。
➢如果 入射原子到达基体表面后在法线方向上仍然 保留有相当大的动能,在基体表面仅作短暂停留 (约10-2秒),没有能量交换,将立即反射回去。
在这些面积内会形成原子对或三原子团。其中一部
分吸附原子在渡过停留时间后又可能重新蒸发掉。
若 S 2,在每个原子捕获面积内,平均至少有
两个吸附原子。因此所有的吸附原子都可结合为原 子对或更大的原子团,从而达到完全凝结。由吸附 相转变为凝结相。
2020/2/28
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在研究凝结过程中,通常使用的物理参数有入射 原子密度、基片临界温度、凝结系数、粘附系数和 热适与长 大同时进行,即在基片上有的地方在进行着成核过 程,而在有晶核的地方,晶核在长大。
§7-1 凝结过程
凝结过程是从蒸发源中被蒸发的气相原子、离子或 分子入射到基体表面之后,从气相到吸附相,再到 凝结相的一个相变过程. 一.吸附过程
1. 吸附
◆ 固体表面与体内在晶体结构上一个重大差异就 是原子或分子间的结合化学键中断。原子或分子在 固体表面形成的这种中断键称为不饱和键或悬挂键。 ◆ 这种键具有吸引外来原子或分子的能力。
范德华力的作用范围大于化学键力的范围,因而 一般是先发生物理吸附,而后才转为化学吸附。 对于一个吸附层来说,若第一个单原子(或单分 子)层或前几个单原子层是化学吸附,以后的单 原子层则转为物理吸附。
由于物理吸附不需要活化能,所以吸附过程很快, 并且吸附速率随基片温度及被吸附气体的压力变 化很快。

半导体薄膜ppt课件

半导体薄膜ppt课件

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沉积气压的影响
精选PPT课件
沉积气压主要影响消融产物飞向衬底这一过程,其对沉积薄膜的影响分为两 类:
1)环境气压不参与反应时,气压主要影响消融粒子内能和平均动能,从而影 响沉积速率;
2)环境气压参与反应时,气压不仅影响薄膜的沉积速率,更重要的是会影响 薄膜成分结构.
环境气体与从靶材中溅射出的等离子体发生碰撞,将离子到达衬底表面 的动能降低.当气压较低时,激光融蚀靶材产生的等离子体中粒子受到 较少碰撞,当它们到达衬底时,动能太大,会导致薄膜晶格位置偏移, 且前面的膜层还没来得及调整自己在择优方向生长就被后续原子所覆盖 固化,降低薄膜质量.当气压较高时,等离子体中粒子与环境气体碰撞 增加,等离子体到达衬底表面时动能太小,其在衬底表面迁移扩散能力降低,
在PLD中,在距靶1~2cm的位置形成强激波
激波薄层中的温度可达上万度
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精选PPT课件
PLD中的激波(shock wave)
羽辉的传输:
• 激波的形成阶段 • 激波的传输阶段 • 声波阶段
激波传输过程中的化学反应:
激波传输时的示意图
激波薄层中O2分子将被激发、离解乃至电离而以氧原子、氧离子等 化学活泼状态存在
等离子体在空间的输运靶材表面的高温可达20000k和高密度10161021cm的等离子体在靶面法线方向的高温和压力梯度等温膨胀发射激光作用时和绝热膨胀发射激光终止后轴向约束性沿靶面法线方向等离子体区等离子体羽辉1烧蚀物的运动在气体中激发声波2声波前沿与烧蚀物之间的气体被压缩烧蚀物的运动比声波快声波前沿与烧蚀物之间的距离会不断缩小其间的气体则不断受到压缩被压缩气体的温度可达上万度密度可比未压缩气体提高数倍压强也相应的激增3声波前沿处形成一个气体状态的间断面声波前沿处气体的温度密度则突然下降到未压缩气体的水平这个间断面就是所谓的激波在pld中在距靶12cm的位置形成强激波激波薄层中的温度可达上万度烧蚀物的传输烧蚀物在空间的传输是指激光脉冲结束后烧蚀物从靶表面到衬底的过程

第三讲 3 微胶囊包覆技术

第三讲 3 微胶囊包覆技术

具有许多优点: 1)反应速度快,几分钟即可完成 2)反应条件温和,室温即可进行,得到分子量很高的产物 3)对反应单体纯度要求不高,即使含有杂质,也能得到上述产 物 4) 对两种反应单体的原料配比要求不严,即使原料比与实际 反应差别较大,对产物分子量影响不大 5)由于反应产物不断移走,因此反应不可逆,无副产物。
2 应用物理化学原理制备微胶囊 a 凝聚相分离法 1)一般流程 首先把囊心分散在含有壁材的胶体溶液中,通过搅拌形成一个稳定 的分散相,呈细小微粒的分散体系如图a,其中分散相是囊心的液 体或固体颗粒,连续相是壁材的胶体溶液,如加入电解质无机盐或 改变胶体的温度、浓度、PH等使连续相发生分离形成两个新相(聚 合物丰富相和聚合物缺乏相)如图b由于体系存在自发降低自由能 的倾向,可自由流动的聚合物丰富相在囊心表面聚集如图c将囊心 包覆,沉积在囊心周围形成连续的包覆膜,固化形成微胶囊,如图 d,e
六 微胶囊包覆技术 一概念 1.微胶囊技术是一种用成膜材料把固体或液体包覆形成微小粒子 的技术,得到的微小粒子称为微胶囊。一般在微米级或毫米级。把 包在微胶囊内部的物质称为囊心,包覆膜称为壁材,囊心可以是固 体、液体或气体,壁材可以是无机物也可以是有机物,根据囊心性 质、用途的不同也可以采用一种或多种壁材包覆。 其1)囊心溶解性能不同,把囊心溶于分散相中(如水与有机相比例 较少的一相称为分散相或不连续相,另一相称为连续相或分散介质) 水溶性囊心形成油包水乳液,油溶性囊心形成水包油乳液,常加入 乳化剂,反应之前充分搅拌 2 )把两种发生聚合反应的单体分别溶于水和有机溶剂 3) 把1)、2)的液体进行混合,乳化液(含囊心)位于界面 4) 两种混合单体从两相内部向乳化液界面移动,形成聚合物,将 囊心包覆形成微胶囊
界面聚合法制备微胶囊的过程1囊心溶解性能不同把囊心溶于分散相中如水与有机相比例较少的一相称为分散相或不连续相另一相称为连续相或分散介质水溶性囊心形成油包水乳液油溶性囊心形成水包油乳液常加入乳化剂反应之前充分搅拌两种混合单体从两相内部向乳化液界面移动形成聚合物将囊心包覆形成微胶囊凝聚相分离法1一般流程首先把囊心分散在含有壁材的胶体溶液中通过搅拌形成一个稳定的分散相呈细小微粒的分散体系如图a其中分散相是囊心的液体或固体颗粒连续相是壁材的胶体溶液如加入电解质无机盐或改变胶体的温度浓度ph等使连续相发生分离形成两个新相聚合物丰富相和聚合物缺乏相如图b由于体系存在自发降低自由能的倾向可自由流动的聚合物丰富相在囊心表面聚集如图c将囊心包覆沉积在囊心周围形成连续的包覆膜固化形成微胶囊如图2明胶阿拉伯树胶凝聚法1等电点的概念

薄膜生长机理PPT资料(正式版)

薄膜生长机理PPT资料(正式版)
在这些小孔洞处再发生二次或三次成核。有些核直接 在真空蒸发时其真空度较高,一般在10-2~10-4Pa,气体分子平均自由程比蒸发源到基体之间的距离大。
每个晶粒大约包括有100个或更多的初始核区域。
与薄膜联并在一起,有些核长大后形成二次小岛,这 其结果是大多数沟渠很快被消除,薄膜由沟渠状变为有小孔洞的连续状结构。
例如,以MoS2为基片,在400℃下成膜时,Ag或Au膜 的起始核密度约为5×1014m-2,最小扩散距离约为 50nm。 这些不断捕获吸附原子生长的核,逐渐从球帽形、圆 形变成多面体小岛。
对于岛的形成可用热力学宏观物理量如表面自由能, 也可用微观物理量如结合能来判别。
利用宏观物理量预测三维岛成长的条件:基体与薄膜 的自由能之差小于基体与薄膜的界面自由能。例如: 基体和薄膜不能形成合金的情况下,因为薄膜自由能 >0,如果基体自由能<界面自由能,那么上述关系当 然会被满足。如果清楚地知道薄膜和基体不能形成化 合物,即使薄膜自由能的大小不清楚,可以预想它还 是按照三维岛的方式成长。 当核与吸附原子间的结合能大于吸附原子与基体的吸 附能时,就可形成三维的小岛。是用微观物理量判别 岛成长的条件。
b) 联并阶段
随着岛不断长大,岛间距离逐渐减小,最后相邻小岛 可互相联结合并为一个大岛。这就是岛的联并。联并 过程小岛的变化如图所示。小岛联并长大后,基体表 面上占据面积减小,表面能降低,基体表面上空出的 地方可再次成核。岛的联并与固相烧结相类似。
基体温度质的可能机理是体扩散和表面扩散,其中 主要的是表面扩散,核越小时,越是如此。因为已经观 察到在短至时间以内,就可在岛间形成相当线度的颈部 (岛间结合部),这可用表面扩散给以满意的解释。
与此同时,在某些地方,沟渠被联并成桥形,并以类
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合物的薄膜。
化合物:(1)可能是由薄膜与衬底两种材料形成的化合物;(2)也 可能是与真空室内环境气氛形成的化合物;(3)或者两种情况都有。
2.6.1 薄膜的粘附力
宏观效应附着: 如机械锁合。机械锁合是一种宏观的机械
作用。当衬底表面比较粗糙,有各种微孔(A)或微裂缝(C、D)时,在
薄膜形成过程中,入射到衬底表面上的气相原子便进入到粗糙表面的 各种缺陷、微孔或裂缝中形成这种宏观机械锁合。
场离子显微镜已观察到含有两三个原子的原子团的迁移现象。
电子显微镜已发现:只要衬底温度不是很低,拥有 20 ~ 100 个原子的原 子团也可以发生自由的平移、转动和跳跃运动。 要明确区分上述各种原子团合并机制在薄膜形成过程中的相对重要性是很困
难的。但就是在上述多种机制的作用下,原子团之间相互发生合并过程,并
晶核相互吞并机制-Ostwald吞并
吉布斯-汤姆森(Gibbs-Thomson)公式:
ai ae
2 ri kT
a:相当于无穷大原子团中原子的活度值。
小晶核中的原子将具有较高的活度,其平衡蒸 气压也将较高。 当两个尺寸大小不同的晶核相邻的时候,小晶 核中的原子有自发蒸发的倾向,而大晶核则会 因其平衡蒸气压较低而吸收蒸发来的原子。
2.5.2 薄膜密度
薄膜材料中含有大量的空位和孔洞。据估计,在沉积态的金属薄膜中, 空位的浓度可以高达10-2的数量级。相互独立存在或相互连通的孔洞 聚集在晶粒边界附近。
Au膜中显微孔洞在晶粒内的分布情 况。这种微孔洞尺寸只有 1nm 左有, 但其密度可以高达1017个/cm3。
2.5.3 薄膜的缺陷
晶粒边界致密性好,力学性能高。同
时,各晶粒表面开始呈现晶体学平面 的特有形貌。
2.5.1 薄膜生长的晶带模型
以溅射方法为例,讨论沉积条件对薄膜结构的影响
(4)晶带3型:衬底温度的继续升高,使原子的体扩散开始发挥重要作用,因 此晶粒开始迅速长大,直至超过薄膜厚度。
特点:经过充分再结晶的粗大晶粒, 晶粒内缺陷密度很低。
2.6.1 薄膜的粘附力
简单附着:薄膜和衬底之间存在一个很清楚的分界面。这种附着是由
两个接触面相互吸引形成的。当两个不相似或不相容的表面相互接触时就
易形成这种附着。
2.6.1 薄膜的粘附力
扩散附着:是由于在薄膜和衬底之间互相扩散或溶解形成一个
渐变的界面。
阴极溅射法制备的薄膜附着性能比真空蒸发法好,一个重要的原因是,
2.5.1 薄膜生长的晶带模型
以溅射方法为例,讨论沉积条件对薄膜结构的影响
2.5.1 薄膜生长的晶带模型
以溅射方法为例,讨论沉积条件对薄膜结构的影响
(1)晶带1型:温度很低、气压较高。入射粒子的能量较低,原子的表面扩散 能力有限。薄膜的临界核心尺寸很小,在沉积进行的过程中会不断产生新 的晶核。同时,原子的表面扩散及体扩散能力很低,沉积在衬底上的原子 即已失去了扩散能力。
2.5.1 薄膜生长的晶带模型
以溅射方法为例,讨论沉积条件对薄膜结构的影响
结论: (1)在衬底温度较高的情况下,溅射气压或入射 粒子能量对薄膜结构的影响较小。
(2)在温度较低时,晶带1和晶带T型生长过程中
原子的扩散能力不足,这两类生长又被称为
抑制型生长。与此相对应,晶带2型和晶带 3 型的生长被称为热激活型生长。
各种缺陷的形成机理,缺陷对薄膜性能的影响,以及如何减少和消除 缺陷等都是今后有待深入研究的课题。
2.6 薄膜的粘附力和内应力
2.6.1 薄膜的粘附力
附着现象:从宏观上看,附着就是薄膜和衬底表面相互作用将薄膜
粘附在衬底上的一种现象。
薄膜的附着可分为四种类型:
简单附着; 扩散附着; 通过中间层附着; 宏观效应附着。
决定表面取向的Wullf理论
设在衬底B上生成膜物质A的三维晶核,晶核中含有 n个A原子,其形核的自由能变化可表示为:
除A、B界面之外对A的所 有表面能求和
G3D (n) nμ γ j S j (γ* γ B )S AB
气相到固相释放的化学自由能, 是成膜的动力 扣除原B表面的表面自由能之 外的界面能
大晶核吸收原子而长大,小晶核则失去原子而
消失。 Ostwald吞并的自发进行导致薄膜中一般总维
持有尺寸大小相似的一种岛状结构。
晶核相互吞并机制-熔结过程
熔结过程:两个相互接触的晶核相互吞并的过程
在极短的时间内,两个相邻的晶核之间形成了直接接 触,并很快完0时,hAB=hA;
=常数
0<<A,即A、B间的亲和力渐大时,hAB<hA
A <<2A,hAB<0, |hAB|<hA 2A时,hAB-hA
薄膜与基体之间的亲和力小时,薄膜按三维岛状形核生长,而随着 亲和力增加,薄膜逐渐由三维方式向二维方式过渡。这与前面用界
面能得出的结果是完全一致的。
决定表面取向的Wullf理论
γ i γ A γ* γ B γ A β hi hA hAB hAB
=常数
垂直于哪个方向的晶面表面能大,则该方向生长得 快,效果是降低总表面能。
能显著降低总表面能的那些高表面能晶面将优先生 长,并逐渐被掩盖,从而露出表面能最低的晶面与 膜面平行。
迁移过程
岛状结构的三种长大机制
晶核相互吞并机制-Ostwald吞并
设想在形核过程中已形成了各种 不同大小的晶核。随着时间的延 长,大晶核将依靠消耗吸收小晶 核获得长大。 这一过程的驱动力来自岛状结构 的薄膜力图降低自身表面自由能 的趋势。
晶核相互吞并机制-Ostwald吞并
Ostwald吞并过程热力学
设在衬底表面存在着两个不同大小的岛,它们之
间并不直接接触。假定近似为球状(r1和r2): 两个岛的表面自由能为:
Gs=4ri2 (i=1,2)
两个岛含有的原子数为:
ni=4ri3/3
dGs 2γ 岛中每增加一个原子引起的表面自由能增加为: i dni ri
晶核相互吞并机制-Ostwald吞并
2.5.1 薄膜生长的晶带模型
以蒸发方法为例,讨论沉积条件对薄膜结构的影响
蒸发法制备的金属薄膜的组织形态随衬底相对温度的变化
2.5.2 薄膜密度
沉积后的薄膜密度一般低于理论密度,其变化遵循以下规律: 随着厚度增加,薄膜密度逐渐增加并趋于一个极限值。其极限值一般 仍低于理论密度。厚度较小时薄膜密度较低的原因与薄膜沉积初期的 点阵无序程度高,空位、孔洞以及气体含量较高有关。 金属薄膜的相对密度一般要高于陶瓷等化合物材料。后者在沉积时原 子的扩散能力较低,沉积产物中孔隙较多。金属薄膜的相对密度一般 可以达到95%以上,而氟化物一般只有70%左右。提高衬底温度可以 显著提高后一类薄膜的密度。
量最低的晶面常显露于单晶体的表面之外一样,沉积薄膜时,能量最低
的晶面也往往显露于外表面。
面心立方晶体主要晶面表面能相对比值
表面能因晶体表面的取向不同而不同,说明表面能具有方向性。 采用Wullf理论,可根据表面能的方向性推测薄膜生长模式及表面取向。 Wullf方法的优点在于其作图方法的简明直观性。
第三讲 连续薄膜的形成
本讲将解决以下问题:
(1)连续薄膜的形成机制 (2)决定表面取向的Wullf理论
(3)晶体生长的晶带模型
(4)提高薄膜和衬底之间的粘附力的方法
晶核相互吞并机制
形核初期形成的孤立晶核将随着时间的推移逐渐长大, 这一过程除了包括吸收单个的气相原子之外,还包括晶核 之间的相互吞并联合的过程。 晶核相互吞并可能的三种机制: Ostwald吞并过程; 熔结过程;
Ostwald吞并过程热力学
根据化学位定义,每个原子的自由能:
i 0 kT ln ai
dGs 2γ i (每增加一个原子引起的表面自由能增加) dni ri
得到表征不同半径晶核中原子活度的吉布斯-汤姆森(Gibbs-Thomson)公式:
ai ae
2 ri kT
a:相当于无穷大原子团中原子的活度值。
的提高有抑制晶带1型组织出现,而促进
晶带T型组织出现的作用。
2.5.1 薄膜生长的晶带模型
以溅射方法为例,讨论沉积条件对薄膜结构的影响
(3)晶带2型:表面扩散过程控制的生长组织。原子的体扩散尚不充分,但表 面扩散能力强,己可进行相当距离的扩散。
特点:各个晶粒分别外延而形成均匀 的柱状结构,晶粒内部缺陷密度低,
原子的扩散可能通过体扩散和表面扩散,但表面扩散 机制对熔结过程的贡献应该更大。
400C下不同时间时 MoS2衬底上Au晶核 的相互吞并过程
晶核相互吞并机制-原子团的迁移
在衬底上的原子团具有相当的活动能力。其行为有些象小液珠在桌面 上的运动。
原子团迁移的驱动力:热激活过程。其激活能Ec应与原子团的半径有 关。原子团越小,激活能越低,原子团的迁移也越容易。原子团的迁 移将导致原子团间的相互碰撞和合并。
(2)晶带T型:晶带1和晶带2之间的过渡型组织。沉积过程中临界晶核尺寸仍 然很小,但原子已经开始具有一定的表面扩散能力。
特点:仍保持了细纤维状的特征,但晶
粒边界明显地较为致密,机械强度提高,
孔洞和锥状形态消失。晶带 T 与晶带 1 的 分界明显依赖于气压,即溅射压力越低, 入射粒子能量越高,则两者的分界越向 低温区域移动。这表明,入射粒子能量
从阴极靶上溅射出的粒子都有较大的动能,它们沉积到衬底上时可发
生较深的纵向扩散从而形成扩散附着。
2.6.1 薄膜的粘附力
通过中间层的附着:是在薄膜和衬底之间形成一种化合物中间层(一 层或多层),薄膜再通过这个中间层与衬底间形成牢固的附着。由于 薄膜和衬底之间有这样一个中间层,所以两者之间形成的附着就没有 单纯的界面。 中间层:(1)可能是一种化合物的薄层;(2)也可能是含有多种化
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