Mura产生原因解读
Mura 产生原因
Symptom：LC not full Description： 1.各種畫面或不需驅動即可看到Panel注入 口處對側局部變黑。 2. 無畫面(完全無液晶)。
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Updated：4/1/2015 Printed Date：4/1/2015 Rev.1.0
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各種 Mura
Symptom：Ring Mura Description：一圈圈均勻的色差圓。
Symptom：Row Mura Description：50%gray畫面水平方向線狀 mura。 Defect photo：
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各種 Mura
Symptom：Twill lines or rubbing line Description：區域性斜線。 Defect photo：
Symptom：Vertical Mura Description：Driver IC與TFT匹配問題。
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mura产生原理
mura产生原理Mura产生原理Mura是指液晶显示器中出现的亮度不均匀现象，即屏幕上出现了黑暗或亮度不一致的区域。
这种现象通常是由于液晶显示器制造过程中的不完美或外部环境因素引起的。
下面将从液晶显示器的结构、液晶分子排列和电场作用等方面介绍Mura产生的原理。
液晶显示器是由多个液晶单元组成的，每个液晶单元包含一个液晶分子层和两个电极。
液晶分子层是一种有机化合物，具有一定的电介质特性。
当外加电场作用于液晶单元时，液晶分子会发生排列，从而改变光的传播方式，实现图像的显示。
然而，由于制造过程中的一些影响因素，液晶显示器中的液晶分子排列不可避免地会出现一定程度的不均匀性。
这就是导致Mura现象的一个重要因素。
液晶分子排列的不均匀性主要表现为以下几个方面：1. 液晶分子方向不一致：液晶分子在不同区域的方向可能存在微小的差异，导致光的传播方向也不一致，从而在屏幕上形成亮暗不均的区域。
2. 液晶分子排列密度不均匀：液晶分子排列的密度不均匀也会导致光的传播方式不同。
在某些区域，液晶分子排列较为紧密，光的透过率较低，而在其他区域，液晶分子排列较为疏松，光的透过率较高，从而形成明暗差异。
3. 液晶分子层厚度不一致：液晶分子层的厚度不一致也会导致Mura现象的出现。
液晶分子层厚度的不均匀性会引起光的相位差，进而影响光的干涉和衍射效应，使得屏幕上出现光强不均的现象。
除了液晶分子排列的不均匀性，Mura现象还受到其他因素的影响，例如背光源的不均匀性、温度的变化等。
背光源的不均匀性会导致液晶显示器的亮度不一致，从而形成Mura现象。
而温度的变化会引起液晶分子的扭曲和展开，进而影响液晶分子的排列和光的传播。
为了解决Mura现象，制造商会采取一些措施。
例如，通过优化液晶分子的配方和制造工艺，减小液晶分子的方向和密度的不均匀性。
此外，还可以通过改进背光源的设计和温控系统，减少背光源和温度对Mura现象的影响。
总结起来，Mura现象是液晶显示器中常见的一种亮度不均匀现象。
Mura产生原因
Updated：11/20/2018 Printed Date：11/20/2018 Rev.1.0
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Mura的成因
為何會有Mura產生—就人為因素而 言
不當拿取—因拿取Panel方式不當，手指按壓到面板的 力量過大，易造成丸狀mura。
使用8% ND檢 驗Mura較不 明顯
使用6% ND檢 驗Mura不可見
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各種Mura
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Symptom：Diagonal Mura Description：50%灰階畫面可看見斜向帶 狀Mura。 Defect photo：
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各種 Mura
Symptom：Corner Mura Description：5%&50% gray scale pattern 可見角落處mura。
Rubbing Mura产生机理及改善研究
第３３卷㊀第６期２０１８年６月㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀液晶与显示㊀㊀㊀C h i n e s e J o u r n a l o fL i q u i dC r y s t a l s a n dD i s p l a ys ㊀㊀㊀㊀㊀V o l ．３３㊀N o ．６㊀J u n ．２０１８㊀㊀收稿日期:２０１８Ｇ０１Ｇ０８;修订日期:２０１８Ｇ０２Ｇ２７．㊀㊀∗通信联系人,E Ｇm a i l :y a n gd e b o ＠b o e ．c o m．c n 文章编号:１００７Ｇ２７８０(２０１８)０６Ｇ０４６９Ｇ０６R u b b i n g Mu r a 产生机理及改善研究杨德波∗,王云志,陶㊀雄,李㊀伟,钟㊀野,罗㊀春(重庆京东方光电科技有限公司,重庆４００７１４)摘要:R u b b i n g M u r a 是以接触式摩擦工艺生产T F T _L C D 产品时常见的顽固缺陷,尤其在HA D S 产品上不良发生率更高.本文对R u b b i n g Mu r a 产生的原因及机理进行分析,发现该不良由T F T 基板上的源极线(S o u r c eD a t a ,S D )附近的R u b b i n g 弱区漏光引起.研究了R u b b i n g 强度(N i p 值)㊁R u b b i n g 布型号㊁R u b b i n g 布寿命㊁黑矩阵(B l a c k M a t r i x ,B M )加宽和S D 减薄对HA D S 产品的R u b b i n g M u r a 的影响,选择最优的工艺条件,R u b b i n g M u r a 的不良发生率由２．４％降至０％,改善效果明显.关㊀键㊀词:R u b b i n g M u r a ;HA D S 产品;R u b b i n g 弱区;工艺条件中图分类号:T N １４１．９㊀㊀文献标识码:A㊀㊀d o i :１０．３７８８/Y J Y X S ２０１８３３０６．０４６９P r i n c i p l e a n d i m p r o v e m e n t r e s e a r c ho f r u b b i n g Mu r a Y A N G D e Ｇb o ∗,WA N G Y u n Ｇz h i ,T A O X i o n g,L IW e i ,Z HO N G Y e ,L U O C h u n (C h o n g q i n g B O EO p t o e l e c t r o n i sT e c h n o l o g y C O ．,L T D ,C h o n g q i n g ４００７１４,C h i n a )A b s t r a c t :R u b b i n g M u r a i sac o mm o nd e f e c t i nt h e p r o d u c t i o no fT F T _L C D w i t hc o n t a c tr u b b i n gp r o c e s s ,e s p e c i a l l y i n t h e h i g h a d v a n c e d s u p e r d i m e n s i o n s w i t c h (H A D S )p r o d u c t i o n ．T h i s p a pe r a n a Ｇl y z e s t h e c a u s e s a n d m e c h a n i s m of t h eR u b b i ng M u r a ,a n df i n d s th a ti t i sc a u s e db y t h e l e a k a geo f l i g h t f r o mt h ew e a kz o n eo f r u b b i n g n e a r t h eS o u r c eD a t a (S D )．F u r t h e ra n a l y s i sh a sb e e nd o n eb y c o m p a r i n g t h e r u b b i n g s t r e n g t h (N i p v a l u e ),r u b b i n g c l o t h m o d e l ,r u b b i n g cl o t hl i f e ,b l a c k m a t r i x (B M )w i d e n i n g a n dS D t h i n n i n g ．T h e r a t i o o f r u b b i n g Mu r a h a s b e e n r e d u c e d f r o m２．４％t o ０％u n d e r t h em o s t o p t i m a l p r o c e s s c o n d i t i o n ,a n d t h e e f f e c t o f t h e i m pr o v e m e n t s i s q u i t e o b v i o u s ．K e y wo r d s :r u b b i n g M u r a ;s u p e r d i m e n s i o n s w i t c h p r o d u c t i o n ;w e a k z o n e o f r u b b i n g ;p r o c e s s c o n d i Ｇt i o n s１㊀引㊀㊀言㊀㊀T F T ＧL C D 光配向工艺正在逐步兴起,但以接触式摩擦的R u b b i n g 工艺仍为目前主要的配向工艺[１].摩擦工艺(R u b b i n g)是利用摩擦布表面绒毛对配向膜表面进行梳理,在配向膜上形成分子级的沿摩擦方向的沟道,一方面使液晶排列具有预倾角,另一方面使配向膜具有配向液晶的能力[２].H A D S 产品在接触式摩擦的R u b b i n g 工艺中易产生细条纹状不良的R u b b i n g Mu r a .M u r a 一词源于日语[３],M u r a 多指显示屏点灯时. All Rights Reserved.显示亮度和色度不均一的不良现象,随着显示器行业的快速发展,人们对显示器的要求也越来越高,面板制造企业对M u r a 等不良的检查也越来越严格[[４Ｇ８].本文针对１３．３i n (１i n ＝２．５４c m )H A D S 量产品出现的R u b b i n g Mu r a 从点灯现象开始确认,经过对位确认㊁移屏等多种测试及分析,发现了R u b b i n g Mu r a 产生的原因,最后基于机理分析验证了R u b b i n g 强度㊁R u b b i n g 布型号㊁R u b b i n g 布寿命㊁黑矩阵(B l a c kM a t r i x ,B M )加宽和S D 减薄对１３．３HA D S 产品的R u b b i n g M u r a 的影响,得出了最优的量产工艺条件,有效防止了R u b b i n g Mu r a 的发生,同时对于其它产品的R u b b i n g M u r a 分析及改善提供了方向.２㊀现象及机理分析２．１㊀现象R u b b i n g Mu r a 为背光和L ０画面下可见的垂直方向竖纹,整个p a n e l 均有发生,目镜下亚像素边缘一侧漏光,如图１和图２所示.图１㊀R u b b i n g Mu r a 点灯现象F i g ．１㊀L i g h t i n gp h e n o m e n o no fR u b b i n g Mu ra 图２㊀R ub b i n g Mu r a 目镜现象F i g ．２㊀E y e p i e c e p h e n o m e n o no fR u b b i n g Mu r a ２．２㊀原因分析常见的亚像素边缘漏光产生的原因有很多,如:对位偏差过大㊁膜层段差过大㊁边缘场效应等.T F T 和C F 对位偏差太大后T F T 侧的金属线无法被C F 侧的B M 遮挡而导致像素周边漏光;C F 或T F T 侧段差过大,R u b b i n g 工艺过程中弱区部分的配向膜未能得到有效配向而导致像素边缘的液晶分子偏转紊乱,进而在背光或者L ０画面下出现漏光不良;边缘场效应即I T O 边缘与公共电极重叠会产生边缘电场,像素边缘的横向电场会影响像素周边液晶分子的正常偏转而产生漏光不良.２．２．１㊀对位分析１３．３i nH A D S 产品的对位精度为ʃ５ ５μm ,选取不同G l a s s 的不良样品１５P c s 在显微镜下读取表征对位精度的V e r n i e rk e y (V K )值,所读数值如表１所示,其中X １㊁X ２㊁Y １㊁Y ２㊁Y ３和Y ４所表示的位置如图３所示.表１㊀不良样品的V e r n i e r k e yT a b ．１㊀V e r n i e r k e y o f b a d s a m pl e s 样品编号Y １Y ２Y ３Y ４X １X ２１０．５１１１－１－１２－１－１－１－０．５－１－０．５３－０．５－１－１．５－１．５－１０４－１－１－２．５－２０．５０．５５－１－１－１．５－１．５００６－１－１－１．５－１．５００７－０．５－１－１．５－１１．５１８－２－１．５－２－２１０．５９１－０．５１．５１－１－０．５１０－１－１－１．５－２－１－０．５１１－１．５－１－０．５－０．５－１－１１２０－１００１．５０．５１３０１００．５０．５１１４－１．５－０．５－２－２００１５０１００１０．５从表１中数据可看出１５个不良样品的X 向和Y 向的V K 值均在对位精度范围内.说明像０７４㊀㊀㊀㊀液晶与显示㊀㊀㊀㊀㊀㊀第３３卷㊀. All Rights Reserved.图３㊀V e r n i e r k e y所在的位置示意图F i g．３㊀L o c a t i o nm a p o fV e r n i e r k e y素边缘漏光与对位没有相关性.２．２．２㊀移屏分析将不良屏四周的封框胶割开,然后用力将T F T侧玻璃与C F侧玻璃相对移动一定的距离后在背光下观察,如图４所示.从图４中可看出,漏光位置随着T F T侧移动,并且漏光位置均在T F T侧S D线附近,分布规律即从R u b b i n g 方向看漏光侧为R u b b i n g辊的下坡区,说明该不良的亚像素边缘漏光与R u b b i n g辊的下坡区相关.图４㊀R u b b i n g M u r a移屏现象F i g．４㊀S h i f t s c r e e n p h e n o m e n o no fR u b b i n g M u r a ２．２．３㊀R u b b i n g M u r a产生机理T F T基板经过A r r a y工艺后由于制作了很多线路,基板表面各层段差的存在无法做到绝对的平坦[９],如图５所示在S D线位置有凸起,凸起的地方按R u b b i n g方向可分为上坡区和下坡区,相比上坡区,下坡区能得到布毛摩擦的能力较低,从而使该区域的配向膜得不到有效的配向,进而产生液晶配向紊乱,由于H A D S产品为常黑模式,L０点灯时正常区域的液晶不发生偏转,所以在背光或L０画面下液晶配向紊乱的下坡区便产生漏光.图５㊀上坡区和下坡区示意图F i g．５㊀S c h e m a t i c o f u p h i l l a n dd o w n h i l l a r e a s３㊀改善措施及效果从R u b b i n g M u r a产生的机理得知,弱区改善是改善R u b b i n g M u r a的总体方向,为此本文从R u b b i n g强度㊁R u b b i n g布型号㊁R u b b i n g布寿命㊁B M加宽和S D减薄４个方面进行试验,寻找出最优的量产工艺条件.以发生不良屏的数量与投入数量的比值作为评价R u b b i n g M u r a的发生率,检测标准为L０画面可见细条竖纹㊁左右视角不反转且目镜下S D弱区有漏光判定为R u b b i n g M u r a.目前的量产条件为:N i P值是１２．５mm㊁R u b b i n g布型号是５３１８㊁R u b b i n g布寿命２００㊁B M宽度是７．５μm㊁S D厚度是３００n m .图６㊀R u b b i n g设备的结构和N i p值示意图F i g．６㊀S c h e m a t i co fR u b b i n g d e v i c es t r u c t u r ea n dN i p v a l u e３．１㊀摩擦强度对R u b b i n g M u r a的影响R u b b i n g工艺中,R u b b i n g布与玻璃基板接触的两个端点之间的距离L即为N i p值,如图６所１７４第６期㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀杨德波,等:R u b b i n g M u r a产生机理及改善研究. All Rights Reserved.示,N i p 值大小可反应摩擦强度,N i p 值越大,摩擦辊下压量越大,R u b b i n g 强度也越大.本实验采用N i p 值为１２．５mm ㊁１３．５mm ㊁１４．５mm ,其他工艺条件采用量产条件制备液晶屏.模组检出结果如表２所示.表２㊀N i P 值与R u b b i n g Mu r a 发生率T a b ．２㊀R a t i oo fR u b b i n g M u r a v sN i PV a l u e N i p 值/mm 投入数量/P c s M u r a 发生率/％１２．５５７６０２．４７１３．５５７６０１．５１１４．５５７６０１．１１从表２中数据可知:N i P 值越大,R u b b i n g 布的压入量越大,S D 弱区被削弱,R u b b i n g Mu r a 发生率降低,但N i P 值大到一定程度时也会产生R u b b i n g 相关的其他不良,当N i P 值增大到１４ ５mm 时出现由摩擦造成了３．７％的竖线,原因为摩擦强度太大造成部分布毛受损,从而导致P I 膜面异常,点灯现象L ０画面左右视角反转,S D 弱区无漏光现象,与R u b b i n g M u r a 现象和原因不一样.选择N i P 值为１３．５mm 时R u b b i n g M u r a 发生率由２．４７％降到１．５１％,同时又无R u b b i n g 相关的其他不良产生.３．２㊀R u b b i n g 布寿命对R u b b i n g Mu r a 的影响本实验在N i P 值为１３．５mm 且其他工艺条件采取量产条件下制备液晶屏,选择一条R u b b i n g 线进行R u b b i n g C l o t h 寿命２００管控,A 辊和B 辊的布寿命对应玻璃的R u b b i n g M u r a 发生率如图７所示.(a)A 辊(a )Ar o l l e r从图７中可看出,A 辊和B 辊所制备的T F T玻璃的R u b b i n g M u r a 发生率均随着R u b b i n g布(b )B 辊(b )Br o l l e r图７㊀C l o t h 寿命与R u b b i n g Mu r a 发生率F i g ．７㊀R a t i oo fR u b b i n g Mu r a v s c l o t h l i f e 寿命的增加而增加,R u b b i n g 布寿命的增加,R u b b i n g 布的绒毛磨损越大,对于T F T 侧弱区的配向膜的配向能力减弱,当R u b b i n g 布寿命小于８０时,R u b b i n g M u r a 平均发生率为１．２６％,而当其寿命大于８０时,不良的平均发生率则达到了２．９７％.３．３㊀R u b b i n g 布型号对R u b b i n g Mu r a 的影响本实验在N i P 值为１３．５mm 和R u b b i n g 布寿命管控８０,其它条件采用量产条件,选择５３１８㊁７０１８和T １１６三种不同密度的尼龙布制备液晶屏,这三种布的密度大小排序为５３１８＜７０１８＜T １１６,模组检出结果如表３所示.表３㊀布型号与R u b b i n g M u r a 发生率T a b ．３㊀R a t i oo fR u b b i n g M u r a v sC l o t hm o d e l 布型号投入数量/P c s M u r a 发生率/％５３１８５７６０１．２１７０１８５７６００．５４T １１６５７６００．２８从表３可知:R u b b i n g Mu r a 发生率随着R u b b i n g 布密度的增大而降低.布毛密度越大,弱区越容易被摩擦接触,不良发生率也随之降低,高密度的T １１６不良率已降至０．１８％,同时也无相关的其他不良出现.３．４㊀B M 宽度对R u b b i n g Mu r a 的影响本实验在N i P 值为１３．５mm ㊁布寿命管控８０和布型号采用T １１６,其它条件采用量产条件下,制备B M 宽度为７．５μm ㊁８．０μm 和８．３μm 的液晶屏,模组检出结果如表４所示.２７４㊀㊀㊀㊀液晶与显示㊀㊀㊀㊀㊀㊀第３３卷㊀. All Rights Reserved.表４㊀B M 宽度与R u b b i n g Mu r a 发生率T a b ．４㊀R a t i oo fR u b b i n g M u r a v sB M w i d t h B M C D /μm 投入数量/P c s M u r a 发生率/％７．５５７６００．２８８．０５７６００．１５８．３５７６００．０６从表４可知,R u b b i n g Mu r a 发生率随着B M 宽度的增加而降低,加宽至８．３μm 后R u b b i n gM u r a 发生率降至０．０６％,由于工艺条件及透过率限制,B M 加宽至８．３μm 已接近工艺管控上限,但仍具备量产性且透过率也在规格范围内,同时也无相关的其他不良出现.３．５㊀S D 减薄对R u b b i n g Mu r a 的影响本实验在N i P 值为１３．５m m ㊁布寿命管控８０㊁布型号采用T １１６和B M 加宽至８．３μm ,其它条件采用量产条件制备S D 线厚度为２００n m 和３００n m 进行液晶屏的制备,模组检出结果如表５所示.从表５可知,在摩擦强度㊁布寿命㊁布型号和B M 宽度最优条件下S D 减薄至２００n m 后,R u b b i n g 表５㊀S D 减薄与R u b b i n g Mu r a 发生率T a b ．５㊀R a t i oo fR u b b i n g M u r a v sS Dt h i n n i n g S D 厚度/n m 投入数量/P c s M u r a 发生率/％３００７６８００．０６２００７６８００M u r a 发生率可降至０.台阶高度的降低,使得R u b b i n g 弱区缩小,进一步降低了弱区配向紊乱导致漏光发生几率.S D 减薄一方面信赖性评价结果无异常,也无相关的其他不良出现,另一方面还能降低生产成本.４㊀结㊀论R u b b i n g Mu r a 因T F T 侧S D 线下坡区配向膜未能得到有效配向导致该区域的液晶配向异常而产生漏光,以上试验表明,优化摩擦强度㊁布毛型号㊁源极线厚度和黑矩阵宽度可以有效改善R u b b i n g Mu r a ,且优化后的工艺条件既具有量产性又同时降低了生产成本.参㊀考㊀文㊀献:[１]㊀张龙,陈霖东,江桥,等．非接触式配向工艺(光配向工艺)Z a r aP a r t i c l e 不良产生机理分析及改善方向研究[J ]．电子世界,２０１７(１１):１１７Ｇ１１９．Z HA N GL ,C H E NLD ,J I A N G Q ,e t a l ．P r i n c i p l e a n d i m p r o v i n g r e s e a r c ho f Z a r aP a r t i c l e o f n o n Ｇc o n t a c t r u b b i n g p r o c e s s (P h o t o ＧA l i gn m e n t p r o c e s s )[J ]．E l e c t r o n i c sW o r l d ,２０１７(１１):１１７Ｇ１１９．(i nC h i n e s e )[２]㊀申智源．T F T ＧL C D 技术:结构㊁原理及制造技术[M ]．北京:电子工业出版社,２０１２．S H E NZY．T F T ＧL C D T e c h n o l o g y :S t r u c t u r e ,P r i n c i p l e a n d M a n u f a c t u r i n g T e c h n i qu e s [M ]．B e i j i n g :P u b l i s h Ｇi n g H o u s e o fE l e c t r o n i c s I n d u s t r y,２０１２．(i nC h i n e s e )[３]㊀张鹏,马婷婷,杨叶花,等．液晶显示器M u r a 缺陷及测量方法浅析[J ]．电子测试,２０１７(６):５０Ｇ５２．Z HA N GP ,MATT ,Y A N GY H ,e t a l ．M u r a d e f e c t a n dm e a s u r e m e n tm e t h o d o f l i q u i d c r y s t a l d i s p l a y [J ]．E l e c Ｇt r o n i cT e s t ,２０１７(６):５０Ｇ５２．(i nC h i n e s e)[４]㊀Z HA N G W ,S O N GSH ,L I J ,e t a l ．A n a l y s i s o f r u b b i n g M u r a i n f r i n g e f i e l ds w i t c h i n g l i q u i dc r y s t a l d i s p l a y [J ]．S I DS y m p o s i u m D i g e s t o f T e c h n i c a lP a pe r s ,２０１３,４４(１):１１２２Ｇ１１２５．[５]㊀高荣荣,姚成宜,叶超前,等．关于T N 型T F T ＧL C D 中周边M u r a 的分析与改善[J ]．电子世界,２０１４(１８):１６０．G A O R R ,Y A OCY ,Y ECQ ,e t a l ．A n a l y s i s a n d i m p r o v e m e n t o f E d g eM u r a i nT Nt y peT F T –L C D [J ]．E l e c Ｇt r o n i c sW o r l d ,２０１４(１８):１６０．(i nC h i n e s e)[６]㊀石天雷,杨国波,刘亮,等．O D F 工艺用封框胶的研究[J ]．光电子技术,２０１１,３１(３):２１１Ｇ２１４．S H ITL ,Y A N GGB ,L I UL ,e t a l ．T h e r e s e a r c h o f s e a l a n t u s e d i nO D F p r o c e s s [J ]．O p t o e l e c t r o n i cT e c h n o l o g y ,２０１１,３１(３):２１１Ｇ２１４．(i nC h i n e s e)[７]㊀毕昕,丁汉．T F T ＧL C D M u r a 缺陷机器视觉检测方法[J ]．机械工程学报,２０１０,４６(１２):１３Ｇ１９．B IX ,D I N G H．M a c h i n e v i s i o n i n s p e c t i o nm e t h o d o fM u r a d e f e c t f o rT F T ＧLCD [J ]．J o u r n a l o f M e c h a n i c a lE n gi Ｇ３７４第６期㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀杨德波,等:R u b b i n gM u r a 产生机理及改善研究. All Rights Reserved.４７４㊀㊀㊀㊀液晶与显示㊀㊀㊀㊀㊀㊀第３３卷㊀n e e r i n g,２０１０,４６(１２):１３Ｇ１９．(i nC h i n e s e)[８]㊀T S A I J Z,C HA N GRS,L I T Y．D e t e c t i o n o f g a p M u r a i nT F TL C D s b y t h e i n t e r f e r e n c e p a t t e r n a n d i m a g e s e n s i n g m e t h o d[J]．I E E E T r a n s a c t i o n s o nI n s t r u m e n t a t i o na n d M e a s u r e m e n t,２０１３,６２(１１):３０８７Ｇ３０９２．[９]㊀桑胜光,车晓盼,王嘉黎,等．高P P IA D S产品白M u r a不良产生原理及改善研究[J]．液晶与显示,２０１６,３１(５):４３５Ｇ４４１．S A N GSG,C H EXP,WA N GJL,e t a l．P r i n c i p l e a n d i m p r o v i n g r e s e a r c ho fw h i t em u r a d e f e c t i nh i g hP P IA D Sp r o d u c t[J]．C h i n e s eJ o u r n a l o f L i q u i dC r y s t a l s a n dD i s p l a y s,２０１６,３１(５):４３５Ｇ４４１．(i nC h i n e s e)作者简介:杨德波(１９８９－),男,贵州遵义人,硕士,中级工程师,主要从事液晶显示面板的产品良率监管㊁不良解析及改善工作.EＧm a i l:y a n g d e b o＠b o e．c o m．c n. All Rights Reserved.。
面板斜纹Mura不良分析及改善对策研究
面板斜纹Mura不良分析及改善对策研究摘要：所谓的斜纹Mura为面板通电后，在不同区域显示灰度不一致的斜条纹，通过分析本文中的内容可以看出,主要是因为氧化铟锡ITO2 孔层线宽CD偏大导致条纹Mura，加上佳能曝光机月牙形状机构，面板在治具上点亮后宏观表现为斜纹Mura。
鉴于此，本文就斜纹Mura不良分析及改善对策展开探讨，以期为相关工作起到参考作用｡关键词：面板驱动；斜纹Mura；ITO2 CD；穿透率1.不良现象分析1.1 面板驱动原理简介面板驱动电路由LC驱动模块+TFT开关模块进行驱动通电显示。
通过给MOS管栅极Gate施加一定的正电压后，栅极Gate吸引电子形成导通沟道，再给MOS管源极S通以负电压提供电子流入。
当电子通过导通沟道达到漏极D时，整个MOS管处于工作状态，即可提供Cs液晶电容进行充放电，Cs液晶电容放电过程中极板间形成电势差，即可驱动面板内的液晶分子水平旋转排列，从而驱动像素显示。
如图1：图1 图2 不良现象1.2 斜纹Mura不良原因分析本文所述的斜纹Mura为面板通电后白灰画面下发黑，呈斜纹形状，显示程度大于客户要求ND1.0，ND Filter滤光片，为通过彩色滤光片后穿透率，ND越小，穿透率越大。
如图:2：2.斜纹Mura产生原因分析2.1．扫描电子显微镜观察曝光是利用高能量UV光做曝光光源，透过光罩使光束局部通过透光区至光阻上，使得光阻之感光剂产生分解或聚合图形转移首重线宽转移，一般要求分辨率线宽CD越低越好。
不良面板剖面后，在扫描电子显微镜SEM下观察剖面区域,发现不良区域曝光后ITO2 CD实做比设计值偏大0.5um（实做：2.5~2.6um，设计：2.1um）｡从电场角度确认：当CD&Space（CD间距）有偏差时，ITO2与ITO1两电级电压差产生的水平电场受影响，液晶偏转的角度受限，从而导致光学穿透率下降，进而产生亮暗不均现象，即斜纹Mura。
TFT液晶屏全贴合工艺mura问题解决方案
性，非不良现象。由天马质量经理官方回复如下：
2、原因排查
2-2：针对中触贴合工艺分析如下：
取未组装的TP+LCD组件，上电点亮，可以发现明显的NG现象
2、原因排查
2-3：组装工艺和结构件干涉
1. 结构确认----LCD组件主要由背部的五金铸铝支架固 定，LCD组件边缘不会产生挤压的应力； 2. 结构输出附图纸诠释的应力分析报告-----钟清6/30
2、原因排查
2-1：LCD屏原因排查 6月28日，会同中触（TP+LCD贴合供应商） 马工、索菱结构曹工到天马龙岗工厂进行分析排 查；具体如下：
随机抽取天马LCD测试，上电 点亮，LCD显示正常，黑屏无 泛白漏光现象
对LCD边缘轻微施力，，天马认为属于IPS屏本身特
华晨F70显示屏漏光改善报告
报告部门：索菱 汇报时间：2018-06-29
目 录
1、状况描述 2、原因排查 3、根本原因确认 4、改善对策
1、状况描述
1. NG现象：机器上电，黑屏状态，显示屏边缘有
泛白漏光现象； 2. 样机批次：5月30号试产批次 3. 不良数量：32pcs
2、原因排查
针对此不良现象，会同研发及供应商小组分析，确认 造成此不良现象的因素有以下3个方面： 1. LCD显示屏本体 2. 加工后的（TP+LCD）显示屏组件 3. 显示屏组装工艺和结构件干涉 针对以上三个因素，逐一进行如下排查分析
3、根本原因确认
3.1：根本原因经三方会议分析，确认为中触全贴合
工艺导致；
4、改善对策
4.1 中触调整贴合工艺参数重新打样，拿改善后样件与 研发确认-----结构曹礼国6/29 4.2 样机组装----付炯7/2 4.3 高低温实验进行可靠性验证---付炯7/3 4.4 小批量试装确认---付炯7/7 4.5 安排小批量试产接受华晨SQE复审验收----付炯7/20
液晶显示行业里的mura是什么，Mura是由什么引起？
液晶显示行业里的mura是什么，Mura是由什么引起？mura本来是一个日本字, 随着日本的液晶显示器在世界各地的发展, 这个字在显示器界就变成一个全世界都可以通的文字。
mura？是什么？简单来说mura是指显示器亮度不均匀, 造成各种痕迹的现象。
为什么会有Mura产生？其实，Mura产生的主要原因就是视觉上对于感受到的光源有不同的频率响应而感觉到颜色的差异。
一、CF制程膜厚因为膜厚的Coating不均，会导致产生色不均之现象。
Coating在涂布时如果喷嘴有阻塞的情况，即会造成Vertical Mura。
二、TFT制程Over LapTFT的主要构成为层与层之间的相互交叠，若某一层在制作过程中发生偏移就会产生异常，可能影响TFT的特性而造成Mura。
三、LCD制程Cell GapCell Gap不均，会造成偏高或偏低阶的Mura现象。
Spacerspacer散布的均匀性及spacer本身原材料的均匀性都有可能影响Mura的产生。
Roller因机台Roller的压力过大或是轮子上沾附异物，造成面板经过滚轮后而产生丸状或条状Mura。
Stage因机台Stage吸力过大而造成吸附后形成Stage Mura ，或Stage 的平整度不佳当经过制程机台后，亦有可能产生相关性的Mura。
四、LCM制程Roller因机台Roller的压力过大或是滚轮上沾附异物，造成面板经过滚轮后而产生丸状或条状Mura。
Vacuum因Stage吸力过大而造成吸附后形成StageMura。
Black-Light：B/L本身膜材不良或其他来料造成异常亦会形成Mura现象，通常以交叉验证等方式确认背光是否有异常现象。
五、偏光片偏光片本身来料不良，造成偏贴后形成Mura，通常更换偏光板后即OK。
六、人为因素因拿取Panel方式不当，手指按压到面板的力量过大，易造成丸状Mura。
Mura怎么判定？Mura的判定通常于百分之五十Gary Pattern书面判定，其Judge的方式可采用Limit Sample or ND Filter.。
mura补偿原理
mura补偿原理
MURA是指液晶面板在制造过程中所产生的不均匀性，导致
显示屏在显示画面时出现不均匀的亮度、色彩等现象。
MURA补偿原理是通过调整液晶显示面板的电压和光栅结构，以消除或减小MURA现象的方法。
MURA补偿原理主要包括以下几个方面：
1.电压分配补偿：根据液晶面板上各个像素单元的电压特性，
对电压进行精确分配，以消除不同区域之间的亮度差异。
通过调整电压曲线，使得所有像素单元的亮度尽量趋于一致。
2.光栅结构调整补偿：通过调整液晶分子的排列方式和光栅结构，使得光线在液晶面板上的传输更加均匀。
这样可以减小或消除因光线传输不均匀而导致的MURA现象。
3.背光源调整补偿：背光源是液晶显示屏的主要光源，其均匀
性直接影响显示效果。
通过调整背光源的亮度、色温等参数，以达到均匀照明液晶面板的效果。
通过以上方法的组合应用，可以有效地减小或消除MURA现象，提高液晶显示屏的显示品质。
彩色滤光片外观Mura简介
彩色滤光片外观 Mura简介摘要：彩色滤光片（Color Filter）是LCD液晶显示器的重要部件之一，其生产过程中外观Mura管控是品质质量管控的重要环节。
本文针对彩色滤光片外观mura的形貌、产生原因分析及处理对策简单介绍，本文介绍只针对Macro设备（宏观检查机）内不同光源下肉眼观察外观不良，可以对显示行业或者半导体行业的外观品质管控提供参考借鉴。
关键词：彩色滤光片；外观MURA前言：彩色滤光片是LCD颜色产生的重要部件，通过光的三原色（RGB）加法混合原理显示颜色。
三原色叠加能形成1670万种色彩，色彩有三种特性：明亮、色度、彩度。
本文介绍的mura则对明亮度有很大的影响，外观mura指的是显示器亮度不均、造成各种痕迹的现象。
Mura的产生影响CF的品质及客户的满意度。
文章主要介绍四种外观不良：点状、线状、膜面污染及镀膜色差。
一、点状Mura下面简单介绍五类CF场内常见的点状mura。
一、Stage Pin MURA一般是设备机台上有异物导致，整面大板位置固定，常见设备是涂布机和曝光机，如果是连续发生和涂布机Stage关联较大，而曝光机Stage上异物产生点状MURA不良会呈奇偶分布，背白灯光下可见，绿灯下观察形态似山丘，随着光源移动光晕会呈现大小变化；设备平台上沾附异物灰尘或者清洁作业时带入或者异常基板流片是带入等。
二、Lift Pin MURA常见设备有VCD和HPCP，呈现片间差异性，上白灯和上钠灯光源下外观检查可见，呈圆点状有规律等间距排布，存在设备单元集中性，主要原因是光阻未固化前VCD真空和HP预烘烤对玻璃基板造成影响。
三、手指纹mura一般是显影机腔室内显影液滴落导致，分布无规律，macro外观上白、上钠、绿灯、手持荧光灯均可见发亮不规则状或者类似拇指按压状。
四、背污mura一般是基板在传输过程中与滚轮摩擦产生的不良。
常见设备有显影机和清洗机。
绿灯下可见发亮。
五、光阻残MURA 导致光阻残出现的设备比较多且不规则、位置也不固定。
Mura
全面性Mura的成因
成因：1. LCD受到外力施壓，使得該區域內的Cell Gap改變 ，造成LCD有全面性的Mura。 2. 環境因素(溫度，溼度)造成B/L的光學膜片翹曲。 驗證方式：1. 偏光板、B/L外觀是否有傷痕？ 若有傷痕則可能為外力所造成之。 2. 機構是否干涉？ 將LCD拆下，Mura的現象是否有減輕？若有 減輕則可能為機構干涉所造成的。 3. 超過LCD的保存環境條件。 過熱或過濕的環境容易造成B/L的光學膜片翹 曲。
指壓漏光
於黑色畫面指壓後可見偏白區塊現象
2013/7/16
TFT事業部桃園二廠模組製造廠
6
Mura的再現
Mura類不良均可被CPT各檢查站給篩選下來，後續仍 發現的Mura類不良可視為Mura的再現。依Mura再現的 區域大小分為兩類： 於白畫面、黑畫面或中間調畫面有 點狀或條狀的Mura。
於白畫面、黑畫面或中間調畫面有 全面性（大區域）的Mura。
檢查後Mura再發探討
1
何謂Mura？
Mura一詞來自日文的「」，其意義為描述 LCD顯示面有輝度或色度不均勻的現象，亦稱做 「不均」。
於CPT廠內，各製程檢查站會利用各種檢查畫面 將Mura不良篩選出來。
2013/7/16
TFT事業部桃園二廠模組製造廠
2
Mura的種類
於CPT各製程檢查站，較常見的Mura類不良：
2013/7/16
TFT事業部桃園二廠模組製造廠
7
點狀或條狀Mura的成因
成因：1. LCD受到外力施壓，使得該區域內的Cell Gap改變 ，因而造成LCD有點狀或條狀的Mura。 →黑GAP，SPACER打痕 2. B/L遭受外力，使得B/L顯示區域產生點狀或條狀 的不均現象。 →B/L白點 驗證方式：1. 出現Mura處的偏光板是否有傷痕？ 2. B/L外觀是否有受損？ 若出現傷痕則可能為外力施壓所造成之。 3.模組背板與機構是否有干涉，干涉點可能產 生B/L白點不良。
TFTGLCD HADS显示模式下黑白Mura机理研究及设计优化
第３４卷㊀第３期２０１９年３月㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀液晶与显示㊀㊀㊀C h i n e s e J o u r n a l o fL i q u i dC r y s t a l s a n dD i s p l a ys ㊀㊀㊀㊀㊀V o l ．３４㊀N o ．３㊀M a r ．２０１９㊀㊀收稿日期:２０１８Ｇ０８Ｇ１１;修订日期:２０１８Ｇ０９Ｇ２４．㊀㊀∗通信联系人,E Ｇm a i l :z h e n g x i a o yi ＠b o e ．c o m．c n 文章编号:１００７Ｇ２７８０(２０１９)０３Ｇ０２６１Ｇ０６T F T ＧL C D H A D S 显示模式下黑白M u r a机理研究及设计优化郑箫逸∗,袁㊀帅,崔晓鹏,林鸿涛,陈维涛,薛海林,邵喜斌(北京京东方显示技术有限公司,北京１００１７６)摘要:随着高分辨率T F T ＧL C D HA D S 产品的开发,一种与像素I T O 图形密切相关㊁有明暗(黑白)亮度差异㊁不同视角观察下存在黑白反转现象的M u r a 不良高发.经过对不良产品的参数测量和模拟分析,确定发生该不良的原因是在邻近区域内,像素开口区内的像素电极I T O (１I T O )图形和公共电极I T O (２I T O )图形发生了不同程度的相对偏移,电场分布存在差异,因此亮度发生明显差异;而且由于图形间的相对偏移导致电极间的电场发生偏移,形成像素左右两侧的一侧为强电场,一侧为弱电场,因而会出现从一侧观察发亮而从另一侧观察发暗㊁左右视角观察的黑白反转现象.M u r a 区与相邻O K 区１I T O↔２I T O 对位差异为０．５μm .通过１I T O 和２I T O 的线宽设计优化,可提高产品对此偏移不均一的容忍度.最终采用最佳１I T O ㊁２I T O 线宽条件生产,配合１I T O 和２I T O 共用设备及T P 非线性补正等条件并举,此不良由高发时的１４．２％降至０．２％以下.本文研究成果对于高分辨率HA D S 产品的设计和性能改善,有着重要的指导和参考意义.关㊀键㊀词:黑白M u r a ;对位偏移;氧化铟锡膜;电场;均一中图分类号:T N １４１．９㊀㊀文献标识码:A㊀㊀d o i :１０．３７８８/Y J Y X S ２０１９３４０３．０２６１M e c h a n i s mr e s e a r c ha n dd e s i g no pt i m i z a t i o no f b l a c ka n d w h i t eM u r a i nT F T ＧL C DH A D Sd i s p l a y mo d e Z H E N G X i a o Ｇy i ∗,Y U A Ns h u a i ,C U IX i a o Ｇp e n g ,L I N H o n gＧt a o ,C H E N W e i Ｇt a o ,X U E H a i Ｇl i n ,S H A O X i Ｇb i n(B e i j i n g B O E D i s p l a y T e c h n o l o g y C o ．,L t d ,B e i j i n g １００１７６,C h i n a )A b s t r a c t :W i t h t h ed e v e l o p m e n t o f h i gh r e s o l u t i o nT F T ＧL C D H A D S p r o d u c t s ,ak i n do fM u r aw h i c h i s c l o s e l y r e l a t e d t o t h e p a t t e r n o f I T O ,o c c u r r e d f r e q u e n t l y ．T h eM u r a h a s b r i gh t a n d d a r k (b l a c k a n d w h i t e )b r i g h t n e s s d i f f e r e n c e s ,a n d t h e r e i s a b l a c k a n dw h i t e r e v e r s a l p h e n o m e n o n i n d i f f e r e n t v i e w i n ga n g l e s ．A f t e rm e a s u r i n g a n d s i m u l a t i n g t h e p a r a m e t e r s o f t h e u n a c c e pt e d p r o d u c t s ,t h e r e a s o n i s c o n Ｇc l u d e d t h a t t h e p i x e l e l e c t r o d e I T O (１I T O )p a t t e r na n d t h e c o mm o ne l e c t r o d e I T O (２I T O )f i g u r e i n t h e p i x e l o p e n a r e a h a v e d i f f e r e n t r e l a t i v e s h i f t i n t h e a d ja c e n t a r e a ,a n d t h e d i s t r ib u t i o n o f t h e e l ec t r i c f i e l dd i f fe r e n t ,s o t h e b r i g h t n e s s d if f e r e n c e i s o b v i o u s l y di f f e r e n t ．B e c a u s e o f t h e r e l a t i v e s h i f t b e t w e e n t h e p a t t e r n s ,t h ee l e c t r i c f i e l db e t w e e nt h ee l e c t r o d e s i so f f s e t ,w h i c hr e s u l t s i nt h es t r o n g e l e c t r i c f i e l do no n e s i d eo f t h e p i x e l a n dt h ew e a ke l e c t r i c f i e l do nt h eo t h e r s i d e ．T h e r e f o r e ,t h eb l a c ka n dw h i t e r e v e r s a l p h e n o m e n o n i s o b s e r v e d f r o mo p p o s i t e s i d e s ．T h e o v e r l a ys d i f f e r e n c e o f １I T Ot o ２I T O . All Rights Reserved.b e t w e e n M u r a a n dO Ka r e a s i s０．５μm．T h r o u g ht h eo p t i m i z a t i o no fd i m e n s i o nd e s i g no f１I T Oa n d ２I T O,t h e t o l e r a nc e o f t h e p r od u c t t o o f f se t c a nb e i m p r o v e d．F i n a l l y,u s i n g t h e b e s t１I T O,２I T Od iＧm e n s i o nd e s i g n,a sw e l l a s c o m b i n e dw i t h１I T Oa n d２I T Oc o mm o n e q u i p m e n t a n dT Pn o n l i n e a r c o rＧr e c t i o na n do t h e r c o n d i t i o n s,t h e r a t i o o fM u r a o c c u r r e n c e i s d e c r e a s e df r o m１４．２％t o l e s s t h a n０．２％．T h e r e s e a r c ha c h i e v e m e n t i n t h i s p a p e rh a s t h e i m p o r t a n tg u i d a n c ea n dr e f e r e n c e s i g n i f i c a n c e f o r th e d e si g na n d p e r f o r m a n c e i m p r o v e m e n t o f h i g h r e s o l u t i o nH A D S p r o d u c t s．K e y w o r d s:b l a c ka n dw h i t eM u r a;o v e r l a y;I T O;e l e c t r i c f i e l d;u n i f o r m i t y１㊀引㊀㊀言㊀㊀显示器作为人机交流的界面,承载着大量的信息传递的功能.L C D在中小尺寸的市场已经确立了不可动摇的地位,近几年随着平板电脑的发展,小巧㊁轻便㊁快捷等优点使得它迅速占领市场,得到广泛应用.以触摸屏作为基本的输入设备,对画面品质提出了更高的要求,以高开口率高级超维场转换技术(H i g h a p e r t u r e a d v a n c e d s u p e rd i m e n s i o n a ls w i t c h i n g,H A D S)为代表的T F TＧL C D产品,具有高开口率㊁高分辨率㊁高透过率㊁宽视角可达１７８ʎ的优势特点,已被广泛地应用在高端产品[１Ｇ３].实际生产过程中,M u r a类不良对显示品质有很大影响.M u r a主要表现为有效显示区域内亮度或者颜色显示不均匀.关于M u r a的产生原因,大致可以分为电学性和光学性两种.其中,光学性M u r a是指由液晶分子排布㊁液晶分子纯度㊁液晶盒厚或彩色滤光片颜料纯度㊁比例及树脂材料和厚度等等光学因素导致的显示画面灰度不均匀造成各种痕迹的现象;而电学性M u r a是指在显示区域中,局部位置亚像素的电压与同期正常位置上亚像素的电压存在明显差异导致的灰度不均匀[４Ｇ６].T F TＧL C D H A D S显示模式,１s t I T O作为像素电极(以下简称１I T O),２n d I T O作为公共电极(以下简称２I T O),两层I T O之间形成电场,液晶在电场力作用下发生相应程度的偏转,从而显示为不同的灰阶.若像素开口区电场是均一的,面板画面显示就是亮暗均一的;若开口区电场不均一㊁或者不同像素的开口区电场分布不一致,就会导致不同显示区域的亮度不同,形成M u r a[７Ｇ８].本文讨论的黑白M u r a即为一种由于１I T O 小范围区域内对位偏移程度出现跳变导致的电学性M u r a类不良.本文通过研究M u r a宏观现象不同表现,测量大量的扫描电镜(S E M)微观数据,从微观到宏观进行机理分析,确定此不良与产品工艺设计㊁生产工艺条件均相关[９],最终通过建立模型,进行模拟验证,并给出最优化的设计参数,同时导入优化的工艺参数,对黑白M u r a有明显的改善效果,同时为今后产品开发提供了有效设计依据.２㊀不良现象描述本文所述黑白M u r a宏观现象表现为黑白不均,主要特征包括:(１)高灰阶可见,L６４以下几乎不可见;(２)位置不固定,形状不规则,条状㊁斑块状均有;(３)正视不明显,侧视明显,且表现为左右视角黑白反转.图１㊀黑白M u r a宏观现象示意图.(a)左视角;(b)正视角;(c)右视角.F i g．１㊀S c h e m a t i c o fb l a c ka n dw h i t e M u r a．(a)L e f tv i e w i n g a n g l e;(b)C e n t e r v i e w i n g a n g l e;(c)R i g h t v i e w i n g a n g l e．对现象进行进一步直流确认及电学确认,直流条件下同样可见;像素电压与V c o m电压正负反转,未出现黑白反转.仅点亮背光源不加电条件下,通过转动偏振片,将画面显示为高灰阶,现象不可见.２６２㊀㊀㊀㊀液晶与显示㊀㊀㊀㊀㊀㊀第３４卷㊀. All Rights Reserved.３㊀黑白M u r a 产生原因分析及机理解释３．１㊀不良分析仅点亮背光源不加电条件下,通过转动偏振片,将画面显示为高灰阶,发现现象不可见.由此可大致判断此不良属电学M u r a 可能性较大.电路方面对反转方式㊁扫描方式㊁驱动能力㊁频率变化等进行调整,均未发现明显现象变化,因此将重点聚焦在阵列基板各层膜厚及C D (c r i t i c a l d i m e n Ｇs i o n ),针对１I T O ㊁２I T O ㊁数据线线宽及彼此之间相对位置关系进行扫描电镜(S E M )测试.由于此不良左右视角黑白存在反转,因此本文以下所说黑㊁白均代表印刷电路板(P C B )在上,右侧视角观察所呈现的现象.经过S E M 制样㊁扫描㊁数据量测㊁数据分析发现,黑/白区域存在较大差异,右视角发黑区域较发白区域１I T O 存在明显的偏移跳变.测试示意图如图２所示,S E M 测试选取连续的一段区域,贯穿O K 区㊁黑区㊁白区㊁O K 区,每个区域拍摄S E M 图,测试１I T O ㊁２I T O ㊁数据线线图２㊀S E M 制样示意图F i g ．２㊀S c h e m a t i c o f S E Ms a m p l i ng图３㊀S E M 测量位置F i g．３㊀S c h e m a t i c o f S E M m e a s u r e m e n t 及宽相对位置关系,如图３所示,测量数据见表１.表１㊀图３中各数字所代表的距离T a b ．１㊀R e p r e s e n t a t i v e d i s t a n c e o f t h en u m b e r i nF i g．３１１I T O↔２I T O (右)２２I T O↔数据线(右)３数据线线宽４２I T O↔数据线(左)５１I T O↔２I T O (左)通过对O K 区Ｇ黑区(B )Ｇ白区(W )ＧO K 区４个区域的数据分析发现,表１所示１~５组数据,黑区㊁白区对比可知,１I T O 与２I T O 相对位移关系存在较大差异(表１中１㊁５),其余C D 值均未见明显差异.(a)右侧(a )R i gh t (b)左侧(b )L e f t图４㊀１I T O 与２I T O 相对偏移数据图F i g ．４㊀O v e r l a y of １I T Oa n d２I T O 由图４数据可知,黑区与白区相比较,１I T O↔２I T O (右)偏大０．５μm ,１I T O↔２I T O (左)偏小０．５μm ,１~５数据相加,总和为相邻像素间１I T O 间距,因此可判断,１I T O 本身C D 无异常,而是小范围区域内出现了偏移跳变.为了更加直观地理解此跳变,将黑㊁白区S E M 图拼接在一起观察,如图５所示.３６２第３期㊀郑箫逸,等:T F T ＧL C D H A D S 显示模式下黑白M u r a 机理研究及设计优化. All Rights Reserved.图５㊀黑区与白区对比图F i g ．５㊀C o n t r a s t d i a gr a mo f b l a c ka r e a a n dw h i t e a r e a 从图５可以看出,黑区与白区对比,数据线左右两侧标齐,２I T O 左㊁右边界(实线标记)同样标齐,１I T O (虚线标记)左㊁右边界均有所偏移,即１I T O 与２I T O 间相对位移有所偏差,白区较黑区右侧偏小(对应表１中数据１),左侧偏大(对应表１中数据５),偏移绝对值相当.３．２㊀机理解释通过前面的分析数据可知,黑区㊁白区的差异是由于相邻两个区域１I T O 与２I T O 之间相对偏移量不同导致,下面我们建立模型进行分析.如图６所示,１I T O 正常的样品,开口区电场是均衡的,左右两边是完全对称的,边缘电场均(a)正常区(a )O Ka r ea (b)非正常区(b )M u r a a r ea(c)侧视角观察(c )S i d e v i e w i n g a n gl e 图６㊀机理分析图F i g ．６㊀M e c h a n i s ma n a l y s i s d i a gr a m 一.若１I T O 出现偏移(图中示例为向右偏移),则开口区左侧电场减弱,右侧电场加强,因此开口区整体亮度会减弱.右侧视角观察时,强电场被黑矩阵遮挡部分有效区域,弱电场区域被进一步放大,因此亮度更低,现象加重.左侧视角观察,情况相反,强电场被放大,弱电场被遮挡,因此会出现黑白反转.如果不同像素的偏移程度不同,则即使从同一角度观察,亮度也存在差异,可以看到黑白M u r a.４㊀模㊀㊀拟改善此不良有两个方向,一是针对此相对偏移不均一进行改善,加强曝光设备管控,整体提升设备对位偏移(O v e r l a y )管控能力,提升I T O O L 均一度;二是提升设计能力,对１I T O ㊁２I T O 设计进行调整,提升产品对I T O O L 不均一的容忍度,从而降低不良发生率.下面针对１I T O ㊁２I T O 设计进行模拟分析.４．１㊀１I T O 设计优化图７所示为像素结构截面图,调整１I T O 与数据线之间距离,在５．０,５．２,５ ４μm３种不同距离条件下,模拟１I T O 向右偏移０．５μm ,黑矩阵左右两侧开口区透过率差异,模拟区域如图８所示,①㊁②分别代表黑矩阵左㊁右两侧区域.为比较偏移前后的对应模拟区域电场强度的变化,用偏移前后对应模拟区域透过率进行比较,以①区为例,１I T O 与数据线距离为５．４μm 时,１I T O 向右偏移０．５μm ,①区电场变强,与偏移之４６２㊀㊀㊀㊀液晶与显示㊀㊀㊀㊀㊀㊀第３４卷㊀. All Rights Reserved.图７㊀像素结构截面图F i g．７㊀S e c t i o n a l d i a g r a mo f p i x e l图８㊀模拟区域示意图F i g．８㊀S c h e m a t i c o f s i m u l a t i o n前①区透过率相减,再求比值,即透过率变化＝[透过率(偏移后)－透过率(偏移前)]ː透过率(偏移前)按照上述公式,由模拟透过率计算得知,①区电场强度增强１８．９％;同理②区电场强度减弱２８．５％.由于人眼对于相邻区域亮度差异较亮度自身明暗更为敏感,为便于更直观判断１I T O向右偏移后①㊁②区电场强弱的变化,可用１I T O向右偏移０．５μm之后,①区透过率减去②区透过率,差值与①区透过率求比值,表征１I T O与数据线３种距离条件下,哪个条件①㊁②区电场强弱差异最小,即为对I T O不均一容忍度较高的条件,即透过率差异＝[透过率(①区)－透过率(②区)]ː透过率(①区)图９所示为３种条件模拟结果.结果显示:随着１I T O与数据线之间距离减小,偏移后,左右电场强度差异越小,对I T O不均一容忍度越高.４．２㊀２I T O设计优化按照４．１１I T O同样的模拟原理,调整２I T O W/S(W:２I T O宽度;S:２I T O间距宽度)比例,比较１I T O向右偏移０．５μm时,①㊁②区透过率差异,表征电场强弱差异,结果显示(图１０):W＋S图９㊀对不均一容忍度随１I T O↔数据线间距关系图F i g．９㊀R e l a t i o n a l d i a g r a mo f t o l e r a n c e f o rn o n u n i f o rＧm i t y a n d１I T O↔D a t a即总尺寸不变的前提下,随着W减小,S增大,左右电场强弱差异减小,对I T O不均一容忍度提高.图１０㊀对不均一容忍度随２I T O W/S关系图F i g．１０㊀R e l a t i o n a ld i a g r a m o f t o l e r a n c ef o rn o n u n iＧf o r m i t y a n d２I T O W/S５㊀结㊀㊀论本文通过一系列测试与模拟,得出以下结论:(１)T F TＧL C D H A D S显示模式下黑白M u r a 产生原因为黑区㊁白区１I T O偏移量存在偏差,导致临近的两区域边缘电场不一致,表现为黑白M u r a.(２)正视角左右强弱电场相互冲抵,现象不明显,侧视角观察,强弱电场一方被遮挡,一方被放大,因此视角转换,黑白反转.(３)为了提升产品对１I T O㊁２I T O O L不均一的容忍度,增加１I T O C D,减小１I T O↔数据线间距,在相同的１I T O偏移量前提下,左右两侧边缘电场差异明显减小.(４)固定１I T O设计值,对２I T O建模验证,２I T O尺寸(W＋S)不变的条件下,减小W,在相同的１I T O偏移量前提下,左右两侧边缘电场差异明显减小,可提升产品对此不均一容忍度.经过大量的分析和测量,结合模拟给出的提升产品对不均一容忍度的改善方案,将１I T O与５６２第３期㊀郑箫逸,等:T F TＧL C D H A D S显示模式下黑白M u r a机理研究及设计优化. All Rights Reserved.数据线间距由５．４μm 降为５．０μm ,２I T O W /S由２．９/４．６改为２．６/４．９,加上图形的设计尺寸与真实尺寸的整体差异(t o t a l p i t c h ,T P )非线性补正以求最佳对位数据,１I T O 和２I T O 同设备生产,４大条件并举,最终黑白M u r a 不良比例由最高时的１４．２％降为目前０．２％左右,A 级率提升１０％以上,提升客户满意度,为产品盈利做出贡献.本文针对高P P I 产品发生的M u r a 不良所提出的设计优化方法㊁以及模拟分析方法,为以后的T F T ＧL C D 的产品设计以及不良解析㊁性能改善,均具有重要的指导意义.参㊀考㊀文㊀献:[１]㊀马群刚．T F T ＧL C D 原理与设计[M ]．北京:电子工业出版社,２０１１．MA Q G．P r i n c i p l e a n dD e s i g no f TF T ＧL C D [M ]．B e i j i n g :P u b l i s h i n g H o u s e o fE l e c t r o n i c s I n d u s t r y ,２０１１．(i n C h i n e s e)[２]㊀田民波,叶锋．T F T 液晶显示原理与技术[M ]．北京:科学出版社,２０１０．T I A N M B ,Y EF ．P r i n c i p l e a n dT e c h n o l o g y o f T F TL i q u i dD i s p l a y [M ]．B e i j i n g :S c i e n c e P r e s s ,２００３．(i nC h i Ｇn e s e)[３]㊀廖燕平,宋勇志,邵喜斌,等．薄膜晶体管液晶显示器显示原理与设计[M ]．北京:电子工业出版社,２０１６．L I A O YP ,S O N G YZ ,S HA O XB ,e t a l ．D i s p l a y P r i n c i p l e a n dD e s i g n o f T h i nF i l m T r a n s i s t o rL i q u i dC r ys Ｇt a lD i s p l a y [M ]．B e i j i n g :P u b l i s h i n g H o u s e o fE l e c t r o n i c s I n d u s t r y ,２０１６．(i nC h i n e s e )[４]㊀焦峰,王海宏．T F T ＧL C D 残像原理与分析(基础篇)[J ]．现代显示,２０１２,２３(４):５４Ｇ５９．J I A OF ,WA N G H H．T h et h e o r y a n da n a l y s i so fT F T ＧL C Di m a g es t i c k i n g (B a s i s )[J ]．A d v a n c e d D i s p l a y ,２０１２,２３(４):５４Ｇ５９．(i nC h i n e s e)[５]㊀曾祥斌,S I NJK O ,徐重阳,等．多晶硅薄膜的表面处理工艺[J ]．无机材料学报,２００１,１６(４):６９３Ｇ６９６．Z E N G XB ,S I NJK O ,X UZY ,e t a l ．S u r f a c e p l a s m a p a s s i v a t i o n o f t h e p o l y c r y s t a l l i n e s i l i c o n t h i n f i l m s b y u s i n gN H ３o rN ２O g a s [J ]．J o u r n a l o f I n o r ga n i cM a t e r i a l s ,２００１,１６(４):６９３Ｇ６９６．(i nC h i n e s e )[６]㊀王新久．液晶光学和液晶显示[M ]．北京:科学出版社,２００６:３１３Ｇ３３１．WA N G XJ ．L i q u i dP h o t o l o g y a n dL i q u i dD i s p l a y [M ]．B e i j i n g :S c i e n c eP r e s s ,２００６:３１３Ｇ３３１．(i nC h i n e s e )[７]㊀C E N Y G ,Z HA O RZ ,C E NL H ,e t a l ．D e f e c t i n s p e c t i o n f o rT F T ＧL C D i m a g e s b a s e do n t h e l o w Ｇr a n km a t r i x r e Ｇc o n s t r u c t i o n [J ]．N e u r o c o m p u t i n g ,２０１５,１４９:１２０６Ｇ１２１５[８]㊀WO N M S ,AMA N O V A ,K I M HJ ,e t a l ．E v a l u a t i o n o f t h em e c h a n i c a l a n d t r i b o l o g i c a l p r o p e r t i e s o f aT F T ＧL C D P a n e l [J ]．T r i b o l o g y I n t e r n a t i o n a l ,２０１４,７３:９５Ｇ１００[９]㊀韩君奇,刘利萍,张南红,等．P a n e l 污渍分析及改善探究[J ]．液晶与显示,２０１７,３２(３):１７７Ｇ１８１HA NJQ ,L I U LP ,Z HA N G N H ,e t a l ．A n a l y s i s a n d i m p r o v e m e n t o f p a n e l s t a i n [J ]．C h i n e s eJ o u r n a l o f L i qＧu i dC r y s t a l s a n dD i s p l a y s ,２０１７,３２(３):１７７Ｇ１８１．(i nC h i n e s e )作者简介:㊀郑箫逸(１９８６－),女,山东德州人,硕士,资深高级研究员,２０１２年于山东大学获得硕士学位,主要从事T F T ＧL C D 产品不良解析方面的研究.E Ｇm a i l :z h e n g x i a o yi ＠b o e ．c o m．c n ６６２㊀㊀㊀㊀液晶与显示㊀㊀㊀㊀㊀㊀第３４卷㊀. All Rights Reserved.。
Mura产生原因解读
Defect photo：
Updated：4/11/2021 Printed Date：4/11/2021 Rev.1.0
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Prepared by : CS Daniel
各種 Mura
Symptom：Circle Mura
Description：可分較畫面深的黑丸mura及 較畫面淡的白丸mura。
不當拿取—因拿取Panel方式不當，手指按壓到面板的 力量過大，易造成丸狀mura。
Updated：4/11/2021 Printed Date：4/11/2021 Rev.1.0
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Prepared by : CS Daniel
Mura的判定
Mura的判定通常於50%Gray pattern 畫 面判定，其judge的方式可採用limit sample or ND filter。
造成mura的原因：【1】CF製程
【2】TFT製程
【3】LCD製程
【4】LCM製程
Updated：4/11/2021 Printed Date：4/11/2021 Rev.1.0
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Prepared by : CS Daniel
Mura的成因
為何會有Mura產生—就CF製程而言
膜厚—因為膜厚的Coating不均，導致產 生色不均之現象。
Stage—因機台stage吸力過大而造成吸附後形成stage mura ， 或stage的平整度不佳當經過製程機台後， 亦 有可能產生相關性的mura。
Updated：4/11/2021 Printed Date：4/11/2021 Rev.1.0
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液晶的mura介绍及资料
• Defect photo：
• Defect photo：
各種 Mura
• Symptom：Corner Mura
• Description：5%&50% gray scale pat tern 可見角落處mura。
• Symptom：Diagonal Mura
Description：位置於邊框四周或任一 側色差。
• Defect photo：
Defect photo：
各種 Mura
• Symptom：Circle Mura
• Description：可分較畫面深的黑丸mu ra及較畫面淡的白丸mura。
• Symptom：Cloud Mura • Description：局部區域雲狀不均。
Mura的成因
為何會有Mura產生—就LCD製程 而言
Cell gap—cell gap的不均，偏高或偏低階會造成m ura的現象。
Spacer—spacer散佈的均勻性及spacer本身原材料 的均勻性都有可能影響mura的產生。
Roller—因機台roller的壓力過大或是roller上沾附 異物，造成panel經過roller後而產生丸狀或條狀m ura。
• Mura的產生理由主要是因為視覺上對於感受 到的光源有不同的頻率響應而感覺到顏色的差 異。
• 造成mura的原因：【1】CF製程 【2】TFT製 程 【3】LCD製程 【4】LCM製程
為何會有Mura產生—M就uraC的F成製因程而 言
• 膜厚—因為膜厚的Coating不均，導致 產生色不均之現象。
Mura Introduction
LCD的mura介绍及资料
02
Mura产生的原因
材料原因
液晶材料
液晶材料的特性是影响Mura的重要因素。液晶分子的排列、取向和流动性等 特性，可能导致光线散射和干涉，从而产生Mura现象。
彩色滤光片
彩色滤光片的颜色不纯或厚度不均，可能导致光线散射或干涉，进而产生Mura 现象。
工艺原因
像素制作
像素制作过程中，如果像素结构 不均匀或尺寸不精确，可能导致 光线散射或干涉，从而产生Mura 现象。
优化物流管理
通过合理的库存管理和物流安排，可以确保原材料和半成 品的质量稳定，进一步降低Mura的风险。
05
Mura的案例分析
案例一
总结词：亮度不均
详细描述：某品牌手机LCD屏幕出现明显的亮度不均，表现为屏幕中央区域比四周亮，影响用户观看 体验。
案例二
总结词：色彩偏差
详细描述：某品牌电视LCD屏幕出现色彩偏差，表现为屏幕不同区域颜色不一致，影响画面整体效果。
现象的严重程度。
Mura的等级划分
轻微Mura
LCD屏幕亮度、色彩和对比度的不均匀性较小，人眼不易察觉。
中等Mura
LCD屏幕亮度、色彩和对比度的不均匀性较为明显，但不会对正常 观看产生明显影响。
严重Mura
LCD屏幕亮度、色彩和对比度的不均匀性较大，人眼能够明显感知， 且可能对正常观看产生干扰或影响。
04
Mura的改善方法
材料改善
选择高品质的原材料
使用高纯度、高均匀性的液晶材料和 其他关键组件，可以降低Mura出现的 概率。
优化配比
通过对原材料的配比进行精细调整， 可以改善液晶的流动性和取向，从而 减少Mura。
工艺改善
1 2
改进涂布工艺
TFT液晶屏全贴合工艺mura问题解决方案只是分享
3、根本原因确认
3.1：根本原因经三方会议分析，确认为中触全贴合
工艺导致；
4、改善对策
4.1 中触调整贴合工艺参数重新打样，拿改善后样件与 研发确认-----结构曹礼国6/29 4.2 样机组装----付炯7/2 4.3 高低温实验进行可靠性验证---付炯7/3 4.4 小批量试装确认---付炯7/7 4.5 安排小批量试产接受华晨SQE复审验收----付炯7/20
4、改善对策
4.1 中触6月29日，拿改善后的2pcs样品，在惠阳 工厂经研发确认，样品OK；
#1 样版点亮确认 OK
#2 样版点亮确认 OK
4、改善对策
改善进度按以上计划持续更新中；
谢 谢！
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TFT液晶屏全贴合工艺mura问 题解决方案
1、状况描述
1. NG现象：机器上电，黑屏状态，显示屏边缘有
泛白漏光现象；
2. 样机批次：5月30号试产批次 3. 不良数量：32pcs
2、原因排查
针对此不良现象，会同研发及供应商小组分析，确认 造成此不良现象的因素有以下3个方面：
1. LCD显示屏本体 2. 加工后的（TP+LCD）显示屏组件 3. 显示屏组装工艺和结构件干涉 针对以上三个因素，逐一进行如下排查分析
2、原因排查
2-2：针对中触贴合工艺分析如下：
取未组装的TP+LCD组件，上电点亮，可以发现明显的NG现象
பைடு நூலகம்
2-3：组装工艺和结构件干涉
2、原因排查
1. 结构确认----LCD组件主要由背部的五金铸铝支架固 定，LCD组件边缘不会产生挤压的应力；
2. 结构输出附图纸诠释的应力分析报告-----钟清6/30
PCI结构TFT-LCD产品竖Mura不良机理分析及改善研究
PCI结构TFT-LCD产品竖Mura不良机理分析及改善研究郭志轩;田亮;方业周;王凤国;李凯;张绪;李峰;武新国【摘要】针对像素电极与公共电极换位(P-ITO and C-ITO Interchanged,PCI)结构薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)产品中出现的一种竖Mura,结合生产工艺的实际情况,本文运用关键尺寸(Critical Dimension,CD)、EPM(Electrical Properties Measurement)、SEM(Scanning Electron Microscope,扫描电子显微镜)等检测设备,进行了大量的实验测试、数据处理和理论分析工作.通过测量Cell Gap、膜厚、CD、Overlay等特性参数,进行产品设计对比、光效模拟和Lens恶化实验,发现该不良与PCI结构的特殊性有关.其产生的根本原因是不良区域内两层ITO之间左右非交叠区域CD差异造成电场分布异常导致液晶偏转角度异常,最终导致屏幕亮暗不均.通过改变ITO对位方式提高两层ITO之间左右非交叠区域的均一性,有效地降低了不良的发生率(从26％下降到0.1％以内).【期刊名称】《液晶与显示》【年(卷),期】2018(033)005【总页数】8页(P397-404)【关键词】液晶显示器;PCI结构;竖Mura;亮度均一【作者】郭志轩;田亮;方业周;王凤国;李凯;张绪;李峰;武新国【作者单位】鄂尔多斯源盛光电有限责任公司 ,内蒙古鄂尔多斯 017000;鄂尔多斯源盛光电有限责任公司 ,内蒙古鄂尔多斯 017000;鄂尔多斯源盛光电有限责任公司 ,内蒙古鄂尔多斯 017000;鄂尔多斯源盛光电有限责任公司 ,内蒙古鄂尔多斯017000;鄂尔多斯源盛光电有限责任公司 ,内蒙古鄂尔多斯 017000;鄂尔多斯源盛光电有限责任公司 ,内蒙古鄂尔多斯 017000;鄂尔多斯源盛光电有限责任公司 ,内蒙古鄂尔多斯 017000;鄂尔多斯源盛光电有限责任公司 ,内蒙古鄂尔多斯 017000【正文语种】中文【中图分类】TN141.91 引言随着通讯装置和影音娱乐设备的快速更新换代和普及，人们对屏幕的显示质量的要求日益严苛，这就要求面板厂商不断更新技术以开发更高技术规格的产品，在这个过程中不断产生各种新的不良[1-2]。
摩擦Mura机理和设计改善方法
摩擦Mura机理和设计改善方法高荣荣;刘俊豪;周保全;汪剑成;张周生;左爱翠;陈维诚【摘要】摩擦Mura是ADS型TFT-LCD中一种常见不良,本文主要对摩擦过程中固定位置的Mura进行理论研究和实验测试.摩擦Mura产生原因是TFT基板上的源极线附近的摩擦弱区漏光.从产品设计方面找出影响这种固定位置的摩擦Mura 的主要因子为ITO材质、段差、过孔密度.ITO材质为金属材质,摩擦时对摩擦布损伤较大,摩擦方向上ITO越长对摩擦布损伤越大,摩擦Mura越明显.设计时需要尽力保证摩擦方向上ITO长度一致.段差会导致摩擦布经过高低不同区域时产生损伤,设计时需要尽力保证摩擦方向上段差一致.过孔是密度影响,孔径直径(5μm)＜摩擦布毛直径(11 μm),密度越小则摩擦Mura越轻.以15.0FHD产品为例,对周边电路设计位置ITO材质/源极线/过孔密度等膜层进行设计优化,摩擦Mura发生率从5％降至0％,改善效果明显.【期刊名称】《液晶与显示》【年(卷),期】2019(034)006【总页数】6页(P570-575)【关键词】摩擦Mura;设计因素;ITO;段差(漏极线);过孔密度【作者】高荣荣;刘俊豪;周保全;汪剑成;张周生;左爱翠;陈维诚【作者单位】合肥京东方光电科技有限公司Cell分厂,安徽合肥230012;合肥京东方光电科技有限公司Cell分厂,安徽合肥230012;合肥京东方光电科技有限公司Cell分厂,安徽合肥230012;合肥京东方光电科技有限公司Cell分厂,安徽合肥230012;合肥京东方光电科技有限公司Cell分厂,安徽合肥230012;合肥京东方光电科技有限公司Cell分厂,安徽合肥230012;合肥京东方光电科技有限公司Cell分厂,安徽合肥230012【正文语种】中文【中图分类】TN141.91 引言随着科技的发展以及人们生活水平提高，对于显示器的性能也提出了越来越高的要求，如亮度、对比度、响应速度等，同时对于整个显示器的画质[1]，如Mura的要求越来越高。
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Updated ：10/19/2018 Printed Date ：10/19/2018 Rev.1.0
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ND的使用
使用10% ND檢 驗Mura仍清楚 可見
使用8% ND檢 驗Mura較不 明顯
使用6% ND檢 驗Mura不可見
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Mura的判定
? Mura的判定通常於50%Gray pattern 畫 面判定，其judge的方式可採用 limit sample or ND filter。
? ND Filter--ND為在可見光波常範圍下能提供相當穩定平穩的響應， 主要功能在於降低光源之透光率。
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Mura 的成因
為何會有Mura產生—就LCD製程而 言
? Cell gap—cell gap的不均，偏高或偏低階會造成mura 的現象。
? Spacer—spacer散佈的均勻性及spacer本身原材料的均 勻性都有可能影響mura的產生。
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Mura 的成因
為何會有Mura產生—就CF製程而言
? 膜厚—因為膜厚的Coating不均，導致產 生色不均之現象。
? Coating—光阻於coating時若噴嘴有阻塞 的情況，即會造成vertical mura。
Updated ：10/19/2018 Printed Date ：10/19/2018 Rev.1.0
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Mura 的成因
為何會有Mura產生—就人為因素而 言
? 不當拿取—因拿取Panel方式不當，手指按壓到面板的 力量過大，易造成丸狀mura。
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Mura 的成因
為何會有Mura產生？
? LCD Monitor 主要的顯示原理：由一薄膜電晶 體【TFT】來控制液晶【 LC】旋轉的角度，再 經由光源【 B/L 】透過不同角度排列之液晶所 穿透之光源透過彩色濾光片【 CF】顯示出不同 的顏色組合。
? Roller—因機台roller的壓力過大或是roller上沾附異物， 造成panel經過roller後而產生丸狀或條狀mura。
? Stage—因機台stage吸力過大而造成吸附後形成stage mura ， 或stage的平整度不佳當經過製程機台後， 亦 有可能產生相關性的mura。
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可見。
? Defect photo：
各種 Mura
? Symptom：Around Strip Mura ? Description：位置於邊框四周或任一側色
差。
? Defect photo：
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Mura Introduction
Updated ：10/19/2018 Printed Date ：10/19/2018 Rev.1.0
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Content:
1. 何謂 Mura 2. Mura 的成因 3. Mura 的檢驗方法 4. 各種Mura
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各種Mura
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? Symptom：Arch Mura ? Description：50%灰階畫面在Panel上方
? Black-light—B/L本身Film材不良或其他來料造成異常 亦會形成mura現象，通常以交叉驗證等方式確認B/L是 否有異常現象。
? Polarizer—偏光板本身來料不良，造成偏貼後形成 Mura，通常更換偏光板後即OK。
Updated ：10/19/2018 Printed Date ：10/19/2018 Rev.1.0
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何謂Mura？
何謂 Mura?
? 在同一光源且相同底色之畫面下，因視 覺感受到不同程度之顏色差異稱之為 Mura。
Updated ：10/19/2018 Printed Date ：10/19/2018 Rev.1.0
? Mura的產生理由主要是因為視覺上對於感受到 的光源有不同的頻率響應而感覺到顏色的差異。
? 造成mura的原因：【 1】CF製程 【2】TFT製程
【3】LCD018 Printed Date ：10/19/2018 Rev.1.0
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Mura 的成因
為何會有Mura產生—就TFT製程而言
? Over-lap—TFT的主要構成為層與層之間的 關關相連，若某一層當中有shift的情況產生 就會產生異常，可能影響TFT的特性而造成 Mura。
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Mura 的成因
為何會有Mura產生—就LCM製程而 言
? Roller—因機台roller的壓力過大或是roller上沾附異物， 造成panel經過roller後而產生丸狀或條狀mura。
? Vacuum—因機台stage吸力過大而造成吸附後形成 stage mura。