大规模集成电路设计答案(1)

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超大规模集成电路设计导论考试题及答案

超大规模集成电路设计导论考试题及答案

1、MOS集成电路的加工包括哪些基本工艺?各有哪些方法和工序?答:(1)热氧化工艺:包括干氧化法和湿氧化法;(2)扩散工艺:包括扩散法和离子注入法;(3)淀积工艺:化学淀积方法:1 外延生长法;2 热CVD法;3 等离子CVD 法;物理淀积方法:1 溅射法;2 真空蒸发法(4)光刻工艺:工序包括:1 涂光刻胶;2 预烘干;3 掩膜对准;4 曝光;5 显影;6 后烘干;7 腐蚀;8 去胶。

2、简述光刻工艺过程及作用。

答:(1)涂光刻胶:为了增加光刻胶和硅片之间的粘附性,防止显影时光刻胶的脱落,以及防止湿法腐蚀产生侧向腐蚀;(2)预烘干:以便除去光刻胶中的溶剂;(3)掩膜对准:以保证掩模板上的图形与硅片上已加工的各层图形套准;(4)曝光:使光刻胶获得与掩模图形相同的感光图片;(5)显影:将曝光后的硅片浸泡在显影液中,使正光刻胶的曝光部分和负光刻胶的未曝光部分被溶解掉;(6)后烘干:使残留在光刻胶中的有机溶剂完全挥发掉,提高光刻胶和硅片的粘接性及光刻胶的耐腐蚀性;(7)腐蚀:以复制在光刻胶上图形作为掩膜,对下层材料进行腐蚀,将图形复制到下层材料中;(8)去胶:除去光刻胶。

3、说明MOS晶体管的工作原理答:MOS晶体管有四种工作状态:(1)截止状态:即源漏之间不加电压时,沟道各电场强度相等,沟道厚度均匀,S、D之间没有电流I ds=0;(2)线性工作状态:漏源之间加电压Vds时,漏端接正,源端接负,沟道厚度不再均匀,在D端电位升为V d,栅漏极电位差为Vgs-Vtn,电场强度变弱,反型层变薄,并在沟道上产生由D到S的电场E ds,使得多数载流子由S端流向D端形成电流I ds,它与V ds变化呈线性关系:I ds=βn[(V gs-V tn)-V ds/2]V ds(3)饱和工作状态:Vs继续增大到V gs-V tn时,D端栅极与衬底不足以形成反型层,出现沟道夹断,电子运动到夹断点V gs-V ds=V tn时,便进入耗尽区,在漂移作用下,电子被漏极高电位吸引过去,便形成饱和电流,沟道夹断后,(V gs-V tn)不变,I ds 也不变,即MOS工作进入饱和状态,I ds=V gs-V tn/R c(4)击穿状态:当Vds增加到一定极限时,由于电压过高,晶体管D端得PN结发生雪崩击穿,电流急剧增加,晶体管不能正常工作。

集成电路设计岗位招聘笔试题与参考答案(某大型集团公司)

集成电路设计岗位招聘笔试题与参考答案(某大型集团公司)

招聘集成电路设计岗位笔试题与参考答案(某大型集团公司)(答案在后面)一、单项选择题(本大题有10小题,每小题2分,共20分)1、在集成电路设计中,以下哪种类型的设计通常负责处理数字逻辑功能?A、模拟集成电路B、数字集成电路C、混合信号集成电路D、射频集成电路2、以下哪种技术用于在集成电路设计中实现晶体管间的连接?A、光刻技术B、蚀刻技术C、键合技术D、离子注入技术3、在CMOS工艺中,P型MOSFET的阈值电压通常会随着温度的升高而:A. 增加B. 减少C. 不变D. 先增加后减少4、下列哪一项不是减少互连延迟的有效方法?A. 使用更细的金属线B. 使用更高介电常数的绝缘材料C. 减少金属层之间的距离D. 使用铜代替铝作为互连线材料5、集成电路设计中,以下哪种工艺主要用于制造CMOS(互补金属氧化物半导体)逻辑电路?A. 双极型工艺B. 金属氧化物半导体工艺C. 双极型/金属氧化物半导体混合工艺D. 双极型/CMOS混合工艺6、在集成电路设计中,以下哪个参数通常用来描述晶体管的开关速度?A. 饱和电压B. 输入阻抗C. 开关时间D. 集成度7、在集成电路设计中,用于描述电路逻辑功能的硬件描述语言不包括以下哪一种?A. VerilogB. VHDLC. C++D. SystemVerilog8、下列选项中,哪一个不是ASIC(专用集成电路)设计流程中的一个阶段?A. 逻辑综合B. 布局布线C. 系统集成D. 物理验证9、以下哪种工艺技术通常用于制造高性能的集成电路?A. 混合信号工艺B. CMOS工艺C. GaN(氮化镓)工艺D. BiCMOS工艺二、多项选择题(本大题有10小题,每小题4分,共40分)1、在CMOS工艺中,关于阱(well)的概念,下列说法正确的有:A. NMOS晶体管通常位于P型阱中B. PMOS晶体管通常位于N型阱中C. N阱用于隔离不同区域的晶体管,防止电流泄露D. P阱可以与N阱共存于同一层硅片上而不会相互影响2、关于集成电路版图设计中的DRC(Design Rule Check)规则,下列哪些陈述是正确的?A. DRC规则是为了确保电路性能优化B. DRC规则定义了最小特征尺寸、最小间距等制造限制C. 违反DRC规则可能会导致制造缺陷,如短路或开路D. DRC规则在所有半导体制造工艺中都是相同的3、关于集成电路设计,以下哪些是典型的电路设计类型?()A、模拟电路设计B、数字电路设计C、混合信号电路设计D、射频电路设计E、光电子电路设计4、在集成电路设计中,以下哪些因素会影响电路的功耗?()A、晶体管的工作状态B、电源电压C、电路的复杂度D、芯片的温度E、外部负载5、在集成电路设计过程中,下列哪些技术用于提高电路的性能?A. 使用更先进的制程技术B. 优化电路布局减少信号延迟C. 增加电源电压以提升速度D. 减少电路层数降低制造成本E. 应用低功耗设计方法6、下列哪些是实现CMOS逻辑门时需要考虑的关键因素?A. 输入电平的阈值B. 输出驱动能力C. 功率消耗D. 静态电流消耗E. 电路的工作频率7、以下哪些技术或方法属于集成电路设计中的模拟设计领域?()A. 信号处理算法B. 逻辑门电路设计C. 模拟电路仿真D. 功耗分析E. 版图设计8、在集成电路设计中,以下哪些步骤是进行版图设计的必要阶段?()A. 电路原理图设计B. 布局规划C. 逻辑分割D. 布局布线E. 版图检查9、在CMOS工艺中,影响MOSFET阈值电压的因素有哪些?A. 氧化层厚度B. 衬底掺杂浓度C. 栅极材料类型D. 源漏区掺杂浓度E. 温度F. 器件尺寸三、判断题(本大题有10小题,每小题2分,共20分)1、集成电路设计岗位的工程师需要具备扎实的数学基础和电子工程知识。

中南大学大规模集成电路考试及答案合集

中南大学大规模集成电路考试及答案合集

中南大学大规模集成电路考试及答案合集————————————————————————————————作者:————————————————————————————————日期:---○---○--- 学 院专业班级学 号姓 名………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题,密封线外不准填写考生信息,违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封中南大学考试试卷 时间110分钟题 号一 二 三 合 计得 分评卷人2013 ~2014 学年一学期大规模集成电路设计课程试题 32学时,开卷,总分100分,占总评成绩70 %一、填空题(本题40分,每个空格1分)1. 所谓集成电路,是指采用 ,把一个电路中所需的二极管、 、电阻、电容和电感等元件连同它们之间的电气连线在一块或几块很小的 或介质基片上一同制作出来,形成完整电路,然后 在一个管壳内,成为具有特定电路功能的微型结构。

2. 请写出以下与集成电路相关的专业术语缩写的英文全称:ASIC : ASSP : LSI : 3. 同时减小 、 与 ,可在保持漏源间电流不变的前提下减小器件面积,提高电路集成度。

因此,缩短MOSFET 尺寸是VLSI 发展的趋势。

4. 大规模集成电路的设计流程包括:需求分析、 设计、体系结构设计、功能设计、 设计、可测性设计、 设计等。

5. 需求规格详细描述系统顾客或用户所关心的内容,包括 及必须满足的 。

系统规格定义系统边界及系统与环境相互作用的信息,在这个规格中,系统以 的方式体现出来。

6. 根据硬件化的目的(高性能化、小型化、低功耗化、降低成本、知识产权保护等)、系统规模/性能、 、 、 等确定实现方法。

7. 体系结构设计的三要素为: 、 、 。

8. 高位综合是指从 描述自动生成 描述的过程。

与人工设计相比,高位综合不仅可以尽可能地缩短 ,而且可以生成在面积、性能、功耗等方面表现出色的电路。

9. 逻辑综合就是将 变换为 ,根据 或 进行最优化,并进行特定工艺单元库 的过程。

微机原理课后习题参考答案

微机原理课后习题参考答案

微机原理课后习题参考答案第1部分微型计算机基础知识1.1 微处理器、微型计算机和微型计算机系统三者之间有什么不同?【解】微处理器:指计算机内部对数据进行处理并对处理过程进行控制的部件,伴随着大规模集成电路技术的迅速发展,芯片集成密度越来越高,CPU可以集成在一个半导体芯片上,这种具有中央处理器功能的大规模集成电路器件,被统称为“微处理器”。

微型计算机:简称“微型机”、“微机”,也称“微电脑”。

由大规模集成电路组成的、体积较小的电子计算机。

由微处理机(核心)、存储片、输入和输出片、系统总线等组成。

特点是体积小、灵活性大、价格便宜、使用方便。

微型计算机系统:简称“微机系统”。

由微型计算机、显示器、输入输出设备、电源及控制面板等组成的计算机系统。

配有操作系统、高级语言和多种工具性软件等。

1.2 CPU在内部结构上由哪几部分组成?CPU应该具备哪些主要功能?【解】CPU在内部结构上由运算器、控制器、寄存器阵列和内部总线等各部分构成,其主要功能是完成各种算数及逻辑运算,并实现对整个微型计算机控制,为此,其内部又必须具备传递和暂存数据的功能。

1.3 微型计算机采用总线结构有什么优点?【解】①简化了系统结构,便于系统设计制造;②大大减少了连线数目,便于布线,减小体积,提高系统的可靠性;③便于接口设计,所有与总线连接的设备均采用类似的接口;④便于系统的扩充、更新与灵活配置,易于实现系统的模块化;⑤便于设备的软件设计,所有接口的软件就是对不同的口地址进行操作;⑥便于故障诊断和维修,同时也降低了成本。

总线的逻辑电路有些是三态的,即输出电平有三种状态:逻辑“0”,逻辑“1”和“高阻”态。

1.4计算机总线有哪些,分别是什么?【解】总线按其信号线上传输的信息性质可分为三组:①数据总线,一般情况下是双向总线;②地址总线,单向总线,是微处理器或其他主设备发出的地址信号线;③ 控制总线,微处理器与存储器或接口等之间1.5 数据总线和地址总线在结构上有什么不同之处?如果一个系统的数据和地址合用一套总线或者合用部分总线,那么要靠什么来区分地址和数据?【解】数据总线(DB)为双向结构,数据在CPU与存储器或I/O 接口之间的传送是双向的,(数据既可以读也可以写),其宽度通常与微处理器的字长相同。

《超大规模集成电路设计》考试习题(含答案)完整版分析

《超大规模集成电路设计》考试习题(含答案)完整版分析

1.集成电路的发展过程经历了哪些发展阶段?划分集成电路的标准是什么?集成电路的发展过程:•小规模集成电路(Small Scale IC,SSI)•中规模集成电路(Medium Scale IC,MSI)•大规模集成电路(Large Scale IC,LSI)•超大规模集成电路(Very Large Scale IC,VLSI)•特大规模集成电路(Ultra Large Scale IC,ULSI)•巨大规模集成电路(Gigantic Scale IC,GSI)划分集成电路规模的标准2.超大规模集成电路有哪些优点?1. 降低生产成本VLSI减少了体积和重量等,可靠性成万倍提高,功耗成万倍减少.2.提高工作速度VLSI内部连线很短,缩短了延迟时间.加工的技术越来越精细.电路工作速度的提高,主要是依靠减少尺寸获得.3. 降低功耗芯片内部电路尺寸小,连线短,分布电容小,驱动电路所需的功率下降.4. 简化逻辑电路芯片内部电路受干扰小,电路可简化.5.优越的可靠性采用VLSI后,元件数目和外部的接触点都大为减少,可靠性得到很大提高。

6.体积小重量轻7.缩短电子产品的设计和组装周期一片VLSI组件可以代替大量的元器件,组装工作极大的节省,生产线被压缩,加快了生产速度.3.简述双阱CMOS工艺制作CMOS反相器的工艺流程过程。

1、形成N阱2、形成P阱3、推阱4、形成场隔离区5、形成多晶硅栅6、形成硅化物7、形成N管源漏区8、形成P管源漏区9、形成接触孔10、形成第一层金属11、形成第一层金属12、形成穿通接触孔13、形成第二层金属14、合金15、形成钝化层16、测试、封装,完成集成电路的制造工艺4.在VLSI设计中,对互连线的要求和可能的互连线材料是什么?互连线的要求低电阻值:产生的电压降最小;信号传输延时最小(RC时间常数最小化)与器件之间的接触电阻低长期可靠工作可能的互连线材料金属(低电阻率),多晶硅(中等电阻率),高掺杂区的硅(注入或扩散)(中等电阻率)5.在进行版图设计时为什么要制定版图设计规则?—片集成电路上有成千上万个晶体管和电阻等元件以及大量的连线。

电子科技大学 电子设计自动化技术期末试卷B答案

电子科技大学 电子设计自动化技术期末试卷B答案

《大规模数字集成电路设计》试卷B标准答案与评分细则(卷面总分:80分)一. 名词解释(2分×6题)(评分标准:给出正确英文的2分/题,仅给中文解释1分/题)1.EDA:Electronic Design Automation2.IP:Intellectual Property3.CPLD:Complex Programmable Logic Device4.ASIC:Application Specific Integrated Circuit5.MCU:Micro Control Unit6.FSM:Finite State Machine二. 填空题(每空1分,共18分)(评分标准:填写正确 1分/空)1.VHDL用Active-HDL对 HDL程序进行仿真时,常用的三种仿真方法:用图形化界面加激励(或:手动加测试激励)、编写测试平台文件(或:编写TestBench)、编写宏文件(编写*.do文件)。

2.VHDL程序主要有三种描述方式:行为描述方式、RTL描述方式、结构描述方式。

3.VHDL程序中数值的载体称为对象。

VHDL中有四种对象,分别是:常量(CONSTANT)、变量(V ARIABLE)、信号(SIGNAL)、文件(FILE)。

4.VHDL的并行信号赋值语句,除了常见的一般信号赋值语句(如:C<=A and B;)外,还有两种形式,它们分别是:条件信号赋值语句(或:条件型)、选择信号赋值予局(或:选择型)。

5.除了Δ延迟外,VHDL还支持两类性质的延迟,它们分别是:_惯性延迟(INERTIAL)、传播延迟(TRANSPORT)。

6.VHDL结构描述是实体构造的层次化、结构化的表现。

试列举出其中两种描述结构的语句COMPNENT语句(或:元件语句)、GENERATE语句(或:生成语句)。

(也可填:GENERIC语句/参数说明语句、端口映射语句等)7.IP核可以分为三种,即:软核、固核、硬核。

《超大规模集成电路设计》习题(含答案)

《超大规模集成电路设计》习题(含答案)

《超大规模集成电路设计》习题1.集成电路的发展过程经历了哪些发展阶段?划分集成电路的标准是什么?集成电路的发展过程:•小规模集成电路(Small Scale IC ,SSI)•中规模集成电路(Medium Scale IC ,MSI)•大规模集成电路(Large Scale IC ,LSI) •超大规模集成电路(Very Large Scale IC ,VLSI)•特大规模集成电路(Ultra Large Scale IC ,ULSI)•巨大规模集成电路(Gigantic Scale IC ,GSI )2.超大规模集成电路有哪些优点?1. 降低生产成本VLSI 减少了体积和重量等,可靠性成万倍提高,功耗成万倍减少.2.提高工作速度VLSI 内部连线很短,缩短了延迟时间.加工的技术越来越精细.电路工作速度的提高,主要是依靠减少尺寸获得. 3. 降低功耗芯片内部电路尺寸小,连线短,分布电容小,驱动电路所需的功率下降.4. 简化逻辑电路芯片内部电路受干扰小,电路可简化.5.优越的可靠性采用VLSI 后,元件数目和外部的接触点都大为减少,可靠性得到很大提高。

6.体积小重量轻7.缩短电子产品的设计和组装周期一片VLSI 组件可以代替大量的元器件,组装工作极大的节省,生产线被压缩,加快了生产速度.3.简述双阱CMOS 工艺制作CMOS 反相器的工艺流程过程。

4.在VLSI 设计中,对互连线的要求和可能的互连线材料是什么?5.在进行版图设计时为什么要制定版图设计规则?划分集成电路规模的标准数字集成电路类别MOS IC 双极IC 模拟集成电路SSI <102<100 <30 MSI 102~103100~500 30~100 LSI 103~105500~2000 100~300 VLSI 105~107>2000 >300 ULSI 107~109GSI >109在芯片尺寸尽可能小的前提下,使得即使存在工艺偏差也可以正确的制造出IC,尽可能地提高电路制备的成品率6.版图验证和检查主要包括哪些方面?u DRC(Design Rule Check):几何设计规则检查;对IC的版图做几何空间检查,保证能在特定的工艺条件下实现所设计的电路,并保证一定的成品率;u ERC(Electrical Rule Check):电学规则检查;检查电源(power)/地(ground)的短路,浮空的器件和浮空的连线等指定的电气特性;u LVS(Loyout versus Schematic):网表一致性检查;将版图提出的网表和原理图的网表进行比较,检查电路连接关系是否正确,MOS晶体管的长/宽尺寸是否匹配,电阻/电容值是否正确等;u LPE(Layout Parameter Extraction):版图寄生参数提取;从版图中提取晶体管的尺寸、结点的寄生电容、连线的寄生电阻等参数,并产生SPICE 格式的网表,用于后仿真验证;u POSTSIM:后仿真,检查版图寄生参数对设计的影响;提取实际版图参数、电阻、电容,生成带寄生量的器件级网表,进行开关级逻辑模拟或电路模拟,以验证设计出的电路功能的正确性和时序性能等,并产生测试向量。

国开计算机应用基础本形考任务1作业答案

国开计算机应用基础本形考任务1作业答案

下列关于Windows的叙述中,正确的是回答错误多选题(5分)0分A.删除应用程序快捷图标时,会连同其所对应的程序文件一同删除B.设置文件夹属性时,可以将属性应用于其包含的所有文件和子文件夹C.删除目录时,可将此目录下的所有文件及子目录一同删除D.双击某类扩展名的文件,操作系统可启动相关的应用程序正确答案:BCD2.下列关于通用计算机的描述中,正确的是 ______ 。

多选题(5分)5分A.用于解决不同类型问题而设计B.用途广泛C.是一种用途广泛、结构复杂的计算机D.只可进行科学计算正确答案:ABC3.下列四个计算机存储容量的换算公式中,正确的是 _______多选题(5分)5分A.1TB=1O24GB1KB=1O24BC.1MB=1O24KBD.1GB=1O24PB正确答案:ABC4.以下关于文件压缩的描述中,正确的是 ______多选题(5分)5分A.文件压缩后文件尺寸--般会变小B.不同类型的文件的压缩比率是不同的C.文件压缩是不可逆的D.使用文件压缩工具可以将JPG图像文件压缩70%左右正确答案:A B5.信息的不同形式有数字、文字和 ______ 。

多选题(5分)5分A.图片B.音频C.函数D.正确答案:A B D6.关于Windows窗口,以下叙述错误的是多选题(5分)5分A.屏幕上只能出现一个窗口,这就是活动窗口B.屏幕上可以出现多个窗口,但只有一个是活动窗口C.屏幕上可以出现多个窗曰,但不止一个活动窗口D.当屏幕上出现多个窗口时,就没有了活动窗口正确答案:ACD7.在Windows中,关于文件夹的描述正确的是 ____ 。

多选题(5分)5分A.文件夹是用来组织和管理文件的B.“我的电脑“是一个系统文件夹C.文件夹中可以存放驱动程序文件D.文件夹中可以存放两个同名文件正确答案:ABC8.计算机软件分为系统软件和应用软件两大类,下列各项中属于系统软件的是多选题(5分)5分A.操作系统B.办公软件C.编译程序D.故障诊断程序正确答案:ACD9.ASCII码是国际上通用的英文字符编码。

大规模集成电路习题与答案

大规模集成电路习题与答案

电路性能:PROBLEM 1. Consider an isolated 2mm long and 1μm wide M1(Metal1)wire over a silicon substrate driven by an inverter that has zero resistance and parasitic output capccitance. How will the wire delay change for the following cases? Explain your reasoning in each case.a. If the wire width is doubled.b. If the wire length is halved.c. If the wire thickness is doubled.d. If thickness of the oxide between the M1 and the substrate is doubled. PROBLEM 2. A two-stage buffer is used to drive a metal wire of 1 cm. The first inverter is of minimum size with an input capacitance C i=10 fF and an internalpropagation delay t p0=50 ps and load dependent delay of 5ps/fF. The width of the metal wire is 3.6 μm. The sheet resistance of the metal is 0.08 Ω, the capacitance value is 0.03 fF/μm2 and the fringing field capacitance is0.04fF/μm.a. What is the propagation delay of the metal wire?b. Compute the optimal size of the second inverter. What is the minimum delay through the buffer?PROBLEM 3. An NMOS transistor is used to charge a large capacitor, as shown the following Figure. The minimum size device, (0.25/0.25) for NMOS and (0.75/0.25) for PMOS, has the on resistance 35 kΩ.a. Determine the t pLH of this circuit, assuming an ideal step from 0 to 2.5V at the input node.b. Assume that a resistor R S of 5 kΩ is used to discharge the capacitance toground. Determine t pHL.c. The NMOS transistor is replaced by a PMOS device, sized so that k p is equal to the k n of the original NMOS. Will the resulting structure be faster? Explain why or why not.PROBLEM 4.The figure below assembles a RTL circuit where the active device is a NMOS transistor which has a resistive load. Assume the switch model behavior of the NMOS transistor. When V in <1.25V, the resistance of the transistor is infinite. When V in ≥1.25V, the transistor can be modeled as having a resistance of 150 ohms.A. Determine the values for V OH and V OL . Explain your answer.B. Calculate t pLH and t pHL to obtain the average propagation delay, t p .Solution:Vin 50fFPROBLEM 5. The next figure shows two implementations of MOS inverters. The first inverter uses only NMOS transistors.a. Calculate V OH, V OL, V th for each case.b. Find V IH, V IL, N ML and N MH for each inverter and comment on the results. How can you increase the noise margins and reduce the undefined region? 0.25um CMOS工艺(L=Lmin) MOS管参数Problem 6: We want to design a minimum sized CMOS inverter with 0.25um process( =0.12um). The minimum sized NMOS transistor ’s layers are listed and shown below in Figure below.A. Determine and list the following:a. Minimum Transistor Lengthb. Minimum Transistor Widthc. Minimum Source/Drain Aread. Minimum Source/Drain PerimeterPlease list the design rules you come across that lead to your results.B. We desire the minimum sized CMOS inverter with a symmetrical VTC (V Th =V DD /2) in the 0.25um technology. Calculate the following for the pull-up PMOS transistor in the design.a. Minimum Transistor Lengthb. Minimum Transistor Widthc. Minimum Source/Drain Aread. Minimum Source/Drain PerimeterAssume the following:V DD = 2.5V, and refer to the tables in the below.C. Using the same minimum size inverter from part B, determine the input capacitance (i.e. the load it presents when driven) and the total load capacitance that the inverter presents.D. Calculate t pLH and t pHL to obtain the average propagation delay, t p .Rules are:i) Poly minimum width = 0.24umii) Minimum active width = 0.36umiii) Minimum contact size = 0.24um*0.24umiv) Minimum spacing from contact to gate = 0.24umv) Active enclosure of contact = 0.12umAnswer:A:a. L = 0.24umb. W = 0.48umc. L drain = 0.24um+0.24um+0.12um = 0.6umA D =A S = 0.48 * 0.6um = 0.288 um 2d. P D =P S =0.6um*2+0.48um = 1.68umB:2n T0,Th Th p T0,DD p n R R R p T0,DD n T0,Th V V V V V k k 得出k k 11k 1)V (V V V ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛--+==+⋅++=查表得出一下参数:V T0p = -0.43V V T0n = 0.4V K n ’=115×10-6 A/V 2 K p ’=30×10-6A/V 2 另:L=0.24um, W n =0.48um带入上述公式计算得出:K R =0.965 W p =1.907umWe assume u n =2.5u p and can calculatea. Lp=0.24µmb. W p = 1.907 µmc. A D = 1.907µm *0.6µm =1.1442 µm 2d. P D = 2*0.6µm +1.2µm =3.107 µmC:NMOS:C gn = C ox L n W n = 0.6912 fFNMOS 管衬底接0V ,输出从1→0(V 1=-2.5V 变为V 2=-1.25V):()()()[]()()()[]0.615264fFC C C fF0.2869940.61281.68K C P C 0.44m 0.61V φV φm)(1V V φK fF 32832057022880K C A C 0.5m 0.57V φV φm)(1V V φK dbsw db dbn1eqsw j D dbsw m 11bsw m 12bsw 12m bsw eq eq j D db m 11b m 12b 12m b eq =+==⨯⨯====---⋅----==⨯⨯====---⋅----=----.0侧壁:...底部:输出从0→1(V 1=0V 变为V 2=-1.25V):()()()[]()()()[]fF0.836064C C C fF0.3810240.81281.68K C P C 0.44m 0.81V φV φm)(1V V φK fF 0.455040.7920.288K C A C 0.5m 0.79V φV φm)(1V V φK dbsw db dbn2eqsw j D dbsw m 11bsw m 12bsw 12m bsw eq eq j D db m 11b m 12b 12m b eq =+==⨯⨯====---⋅----==⨯⨯====---⋅----=----.0侧壁:底部:PMOS:C gp = C ox L p W p ) =2.74608 fFPMOS 管衬底接2.5V ,输出从1→0(V 1= 0V 变为V 2=-1.25V):()()()[]()()()[]fF2C C C fF0.58784440.8622K C P C 0.32m 0.86V φV φm)(1V V φK fF 10.7911K C A C 0.48m 0.79V φV φm)(1V V φK dbsw db dbp1eqsw j D dbsw m 11bsw m 12bsw 12m bsw eqsw eq j D db m 11b m 12b 12m b eq 3052886..0109.3侧壁:7174442.9.1442.=+==⨯⨯====---⋅----==⨯⨯====---⋅----=----底部:输出从0→1(V 1=-1.25V 变为V 2= -2.5V):()()()[]()()()[]fF1.7614342C C C fF0.4787860.70.223K C P C 0.32m 0.7V φV φm)(1V V φK fF 10.591.91K C A C 0.48m 0.59V φV φm)(1V V φK dbsw db dbp2eqsw j D dbsw m 11bsw m 12bsw 12m bsw eqsw eq j D db m 11b m 12b 12m b eq =+==⨯⨯====---⋅----==⨯⨯====---⋅----=----109.侧壁:2826482.1442.底部:如果m 以0.5计算:NMOS 管衬底接0V ,输出从1→0(V 1=-2.5V 变为V 2=-1.25V):()()()[]0.596448fFC C C fF0.268120.57281.68K C P C fF 32832057022880K C A C 0.57V φV φm)(1V V φK K dbsw db dbn1eqsw j D dbsw eq j D db m 11b m 12b 12m b eqsw eq =+==⨯⨯===⨯⨯===---⋅----==--.0...底部: 输出从0→1(V 1=0V 变为V 2=-1.25V):()()()[]fF0.826656C C C fF0.3716160.79281.68K C P C fF0.455040.7920.288K C A C 0.79V φV φm)(1V V φK K dbsw db dbn2eqsw j D dbsw eq j D db m 11b m 12b 12m b eqsw eq =+==⨯⨯===⨯⨯===---⋅----==--.0底部:PMOS 管衬底接2.5V ,输出从1→0(V 1= 0V 变为V 2=-1.25V):()()()[]fF 2C C C fF0.54034420.7922K C P C fF1.71744420.79911K C A C 0.79V φV φm)(1V V φK K dbsw db dbp1eqsw j D dbsw eq j D db m 11b m 12b 12m b eqsw eq 2577884..0109.3.1442.=+==⨯⨯===⨯⨯===---⋅----==--底部:输出从0→1(V 1=-1.25V 变为V 2= -2.5V):()()()[]fF 1.6290372C C C fF0.38986860.570.22K C P C fF10.571.91K C A C 0.57V φV φm)(1V V φK K dbsw db dbp2eqsw j D dbsw eq j D db m 11b m 12b 12m b eqsw eq =+==⨯⨯===⨯⨯===---⋅----==--109.32391686.1442.底部:D :C load 计算:C load =C wire +C g +C gd,n +C gd,p +C db,n +C db,p≈C g +C db,n +C db,pC g = C gn + C gp =0.6912+2.74608=3.43728 fF输出从1→0(V 1= 0V 变为V 2=-1.25V):C load≈C g +C db,n +C db,p =6.3578326 fF16.32ps1V )V 4(V ln V V 2V )V (V k C A/V 10230k L W k DD T0n DD T0n DD T0n T0n DD n load PHL 26'n nn n =⎥⎦⎤⎢⎣⎡⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛--+--=⨯=⨯=-τ 输出从0→1(V 1=-1.25V 变为V 2= -2.5V):C load≈C g +C db,n +C db,p =6.0347782 fF15.33ps 1V )V 4(V ln V V V 2)V (V k C A/V 10238.375k L W k DD T0p DD T0pDD T0p T0pDD p load PLH 26'p p p p =⎥⎥⎦⎤⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛--+⎢⎢⎣⎡--=⨯=⨯=-τ如果以m=0.5,则:输出从1→0(V 1= 0V 变为V 2=-1.25V):C load≈C g +C db,n +C db,p =6.2915162 fF16.147ps1V )V 4(V ln V V 2V )V (V k C DD T0n DD T0n DD T0n T0n DD n load PHL =⎥⎦⎤⎢⎣⎡⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛--+--=τ 输出从0→1(V 1=-1.25V 变为V 2= -2.5V):C load≈C g +C db,n +C db,p =5.8929732 fFps 1V )V 4(V ln V V V 2)V (V k C DD T0p DD T0p DD T0p T0pDD p load PLH 97.14=⎥⎥⎦⎤⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛--+⎢⎢⎣⎡--=τ PROBLEM 7.We want to design a minimum sized CMOS inverter with 0.25um process(λ=0.12um) and desire the inverter with a symmetrical VTC (V Th =V DD /2) . The minimum sized NMOS transistor’s layers are shown as problem 6. Assume the following:V DD = 2.5V, and refer to the tables in the below.A. Determine the input capacitance (i.e. the load it presents when driven) and the total load capacitance that the inverter presents.B. Calculate t pLH and t pHL to obtain the average propagation delay, t p .PROBLEM 8. Sizing a chain of inverters.a. In order to drive a large capacitance (CL = 20 pF) from a minimum size gate (with input capacitance Ci = 10fF), you decide to introduce a two-staged buffer as shown in the following figure. Assume that the propagation delay of a minimum size inverter is 70 ps. Also assumethat the input capacitance of a gate is proportional to its size. Determine the sizing of the two additional buffer stages that will minimize the propagation delay.b. If you could add any number of stages to achieve the minimum delay, how many stages would you insert?What is the propagation delay in this case?c. Describe the advantages and disadvantages of the methods shown in (a) and (b).PROBLEM 9. Consider a CMOS inverter with the following parameters:V T0,n=1.0V V T0,p=-1.2V μn C ox=45uA/V2μp C ox=25uA/V2 (W/L)n=10 (W/L)p=20The power supply voltage is 5V, and the output load capacitance is 1.5pF.a. Calculate the rise time and the fall time of the output signal using average current method.b. Determine the maximum frequency of a periodic square-wave input signal so that the output voltage can still exhibit a full logic swing from 0V to 5V in each cycle.c. Calculate the dynamic power dissipation at this frequency.d. Assume that the output load capacitance is mainly dominated by fixedfan-out component( which are independent of W n and W p). We want tore-design the inverter so that the propagation delay times are reduced by 25%. Determine the required channel dimensions of the nMOS and the pMOS transistors. How does this re-design influence the switching (inversion) threshold?PROBLEM 10. Consider the following low swing driver consisting of NMOS devi ces M1 and M2. Assume that the inputs IN and IN’ have a 0V to 2.5V swing and that V IN = 0V when V IN’ = 2.5V and vice-versa. Also assume thatthere is no skew between IN and IN’ (i.e., the inverter delay to derive IN from IN is zero).a. What voltage is the bulk terminal of M2 connected to?b. What is the voltage swing on the output node as the inputs swing from 0V to2.5V. Show the low value and the high value.c. Assume that the inputs IN and IN have zero rise and fall times. Assume a zero skew between IN and IN’. Determine the low to high propagation delay for charging the output node measured from the the 50% point of the input to the 50% point of the output. Assume that the total load capacitance is 1pF, including the transistor parasitics.MOS管参数参照题4。

集成电路技能大赛试题答案

集成电路技能大赛试题答案

集成电路技能大赛试题答案集成电路技能大赛是一项旨在提升学生和专业人士在集成电路设计、制造和应用方面的专业技能和创新能力的竞赛。

本次大赛的试题涵盖了集成电路设计的基础知识、半导体物理、数字逻辑设计、模拟电路设计、集成电路制造工艺等多个方面。

以下是对本次大赛试题的详细答案解析。

一、集成电路设计基础知识1. 集成电路的分类:集成电路按照功能可以分为模拟集成电路、数字集成电路和混合信号集成电路。

按照集成度又可以分为SSI(小规模集成电路)、MSI(中规模集成电路)、LSI(大规模集成电路)、VLSI (超大规模集成电路)和ULSI(极大规模集成电路)。

2. 集成电路设计的流程:集成电路设计的一般流程包括需求分析、电路设计、电路仿真、版图设计、制造、封装和测试等步骤。

3. 设计工具的使用:在集成电路设计过程中,常用的设计工具有Cadence、Synopsys、Mentor Graphics等,这些工具可以帮助设计者进行电路设计、版图绘制和仿真分析等工作。

二、半导体物理1. 半导体材料的特性:半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的电导率,可以通过掺杂改变其导电性能。

常见的半导体材料有硅、锗等。

2. PN结的形成:当P型半导体与N型半导体接触时,由于扩散作用,会在接触面附近形成一个中性区域,这个区域被称为PN结。

3. MOSFET和BJT的结构与工作原理:金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和双极型晶体管(BJT)是集成电路中常用的两种半导体器件。

MOSFET通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的电流,而BJT 则通过基极电流来控制集电极和发射极之间的电流。

三、数字逻辑设计1. 逻辑门的类型与功能:数字逻辑设计中常用的逻辑门包括与门、或门、非门、异或门等,它们可以组合使用构成更复杂的逻辑电路。

2. 组合逻辑与时序逻辑的设计:组合逻辑电路的输出仅与当前输入有关,而时序逻辑电路的输出除了与当前输入有关外,还与历史状态有关。

集成电路工艺原理试题总体标准答案

集成电路工艺原理试题总体标准答案

目录一、填空题(每空1分,共24分)1二、判断题(每小题1.5分,共9分)1三、简答题(每小题4分,共28分)2四、计算题(每小题5分,共10分)4五、综合题(共9分)5一、填空题(每空1分,共24分)1.制作电阻分压器共需要三次光刻,分别是电阻薄膜层光刻、高层绝缘层光刻和互连金属层光刻。

2.集成电路制作工艺大体上可以分成三类,包括图形车___________3.晶体中的缺陷包括点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷等四种。

4.咼纯硅制备过程为氧化硅T粗硅T低纯四氯化硅T咼纯四氯化硅T咼纯硅。

5.直拉法单晶生长过程包括下种、收颈、放肩、等径生长、收尾等步骤。

6.提拉出合格的单晶硅棒后,还要经过切片、研磨、抛光等工序过程方可制备出符合集成电路制造要求的硅衬底片。

7.常规的硅材料抛光方式有:机械抛光,化学抛光,机械化学抛光等。

8.热氧化制备SiO2的方法可分为四种,包括干氧氧化、水蒸汽氧化、湿氧氧化、氢氧合成氧化。

9.硅平面工艺中高温氧化生成的非本征无定性二氧化硅对硼、 _ 磷、砷(As)、锑(Sb)等元素具有掩蔽作用。

10.在SiO2内和Si- SiO2界面存在有可动离子电荷、氧化层固定电荷、界面陷阱电荷、氧化层陷阱等电荷。

11.制备SiO2的方法有溅射法、真空蒸发法、阳极氧化法、热氧化法、热分解淀积法等。

12.常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中,杂质在体内满足余误差函数分布。

常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中,杂质在体内满足高斯分布函数分布。

13.离子注入在衬底中产生的损伤主要有点缺陷、非晶区、非晶层等三种。

14.离子注入系统结构一般包括离子源、磁分析器、加速管、聚焦和扫描系统、靶室等部分。

15.真空蒸发的蒸发源有电阻加热源、电子束加热源、激光加热源、高频感应加热蒸发源等。

16.真空蒸发设备由三大部分组成,分别是真空系统、蒸发系统、基板及加热系统。

—仃.自持放电的形式有辉________18.离子对物体表面轰击时可能发生的物理过程有反射、产生二次电子、溅射、注入。

大规模集成电路设计题目及答案

大规模集成电路设计题目及答案

第1题 3.19(b )(f )(f ) 解:x x V I -曲线图如下示:由于M2为的栅、源等相位,故在10x DD T V V V ≤≤-时,M2总工作在饱和区。

(1)当0x V =时,2221()()2x DD T WI Cox V V Lμ=--; (2)当10x b T V V V <<-时,M1处于线性工作区,如图中区域1示; (3)当12b T x DD T V V V V V -<<-时,M1达到饱和,如图区域2示;(4)当2DD T x DD V V V V -<<时,M2截止,此时M1仍工作与饱和区,且当2x DD T V V V =-时,2111()()2x b T WI Cox V V Lμ=-如图区域3示。

(b )解:x x V I -曲线图如下示:(1)当0x V =时,此时M3接DD V 使其饱和,而M1、M2漏源所加电压为零,工作于线性工作区。

当x V 上升至21b T V V -时,M1达到饱和,故当210x b T V V V <<-时,M1、M2工作于线性工作区,M3处于饱和状态,电流变化曲线如区域1所示;(2)随着x V 的继续升高,Y V 也将升高,且当其等于33b T V V +时,此时的M3将由饱和区转为线性工作区,设此时对应的x V 记为xY V ,因此当21b T x xY V V V V -<<时,M1、M3工作于饱和区,M2工作与线性放大区,如图中区域2示。

由于Y V 的变化幅度各个MOS 管的参数有很大的关系,因此此区域的面积有很大的可变性;(3)M3工作于饱和的临界条件为12x b T V V V =-,因此当12xY x b T V V V V <<-时,M1、M2工作于饱和区,M3处于线性工作区,如图中区域3示;(4)当12b T x DD V V V V -<<时,M2关断,M1处于饱和,M3工作于线性放大区,如图中区域4示。

集成电路设计岗位招聘面试题与参考回答(某世界500强集团)2025年

集成电路设计岗位招聘面试题与参考回答(某世界500强集团)2025年

2025年招聘集成电路设计岗位面试题与参考回答(某世界500强集团)(答案在后面)面试问答题(总共10个问题)第一题题目:请您解释什么是CMOS技术,并简述它在现代集成电路设计中的重要性。

此外,请说明CMOS技术相比于其他技术(如 Bipolar、BiCMOS)的优势和局限性。

第二题题目描述:请您描述一次您在集成电路设计项目中遇到的最大挑战,以及您是如何克服这个挑战的。

第三题题目:请解释什么是CMOS反相器,并描述其工作原理。

此外,请说明在实际应用中,CMOS 反相器如何实现低静态功耗的特点。

第四题题目:请描述一次你在集成电路设计中遇到的一个技术难题,以及你是如何解决这个问题的。

第五题题目:请解释什么是锁相环(PLL)及其在集成电路设计中的作用。

并描述一个简单的PLL 系统的基本组成模块及其工作原理。

第六题题目:请简要描述您在以往工作中遇到的最具挑战性的集成电路设计项目,以及您是如何克服这个挑战的。

第七题题目:请描述一次您在集成电路设计过程中遇到的技术难题,以及您是如何解决这个问题的。

第八题题目:请您描述一次在项目开发过程中,您遇到的技术难题,以及您是如何解决这个问题的。

第九题题目描述:请您描述一次在集成电路设计中遇到的技术难题,以及您是如何解决这个问题的。

请详细说明问题背景、您采取的解决方案、最终结果以及从中得到的经验教训。

第十题题目:请描述一次你在集成电路设计中遇到的最大挑战,你是如何克服这个挑战的?2025年招聘集成电路设计岗位面试题与参考回答(某世界500强集团)面试问答题(总共10个问题)第一题题目:请您解释什么是CMOS技术,并简述它在现代集成电路设计中的重要性。

此外,请说明CMOS技术相比于其他技术(如 Bipolar、BiCMOS)的优势和局限性。

参考答案:CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)技术是一种广泛应用于现代集成电路设计的技术。

(完整版)数电1-10章自测题及答案(2)

(完整版)数电1-10章自测题及答案(2)

第一章绪论一、填空题1、根据集成度的不同,数字集成电路分位以下四类:小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路。

2、二进制数是以2为基数的计数体制,十六体制数是以16为基数的计数体制。

3、二进制数只有0和1两个数码,其计数的基数是2,加法运算的进位规则为逢二进一。

4、十进制数转换为二进制数的方法是:整数部分用除2取余法,小数部分用乘2取整法,十进制数23.75对应的二进制数为10111.11。

5、二进制数转换为十进制数的方法是各位加权系数之和,二进制数10110011对应的十进制数为179。

6、用8421BCD码表示十进制时,则每位十进制数可用四位二进制代码表示,其位权值从高位到低位依次为8、4、2、1。

7、十进制数25的二进制数是11001,其对应的8421BCD码是00100101。

8、负数补码和反码的关系式是:补码=反码+1。

9、二进制数+1100101的原码为01100101,反码为01100101,补码为01100101。

-1100101的原码为11100101,反码为10011010,补码为10011011。

10、负数-35的二进制数是-100011,反码是1011100,补码是1011101。

二、判断题1、二进制数有0~9是个数码,进位关系为逢十进一。

()2、格雷码为无权码,8421BCD码为有权码。

(√)3、一个n位的二进制数,最高位的权值是2^n+1。

(√)4、十进制数证书转换为二进制数的方法是采用“除2取余法”。

(√)5、二进制数转换为十进制数的方法是各位加权系之和。

(√)6、对于二进制数负数,补码和反码相同。

()7、有时也将模拟电路称为逻辑电路。

()8、对于二进制数正数,原码、反码和补码都相同。

(√)9、十进制数45的8421BCD码是101101。

()10、余3BCD码是用3位二进制数表示一位十进制数。

()三、选择题1、在二进制技术系统中,每个变量的取值为(A)A、0和1B、0~7C、0~10D、0~F2、二进制权值为(B )A、10的幂B、2的幂C、8的幂D、16的幂3、连续变化的量称为(B )A、数字量B、模拟量C、二进制量D、16进制量4、十进制数386的8421BCD码为(B)A、0011 0111 0110B、0011 1000 0110C、1000 1000 0110D、0100 1000 01105、在下列数中,不是余3BCD码的是(C )A、1011B、0111C、0010D、10016、十进制数的权值为(D )A、2的幂B、8的幂C、16的幂D、10的幂7、负二进制数的补码等于(D )A、原码B、反码C、原码加1D、反码加18、算术运算的基础是 ( A )A 、加法运算B 、减法运算C 、乘法运算D 、除法运算9、二进制数-1011的补码是 ( D )A 、00100B 、00101C 、10100D 、1010110、二进制数最高有效位(MSB )的含义是 ( A )A 、最大权值B 、最小权值C 、主要有效位D 、中间权值第二章 逻辑代数基础一、填空题1、逻辑代数中三种最基本的逻辑运算是与运算、或运算、非运算。

《数字电子技术基础》课后习题答案

《数字电子技术基础》课后习题答案

《数字电子技术基础》课后习题答案《数字电路与逻辑设计》作业教材:《数字电子技术基础》(高等教育出版社,第2版,2012年第7次印刷)第一章:自测题:一、1、小规模集成电路,中规模集成电路,大规模集成电路,超大规模集成电路5、各位权系数之和,1799、01100101,01100101,01100110;11100101,10011010,10011011二、1、×8、√10、×三、1、A4、B练习题:1.3、解:(1) 十六进制转二进制: 4 5 C0100 0101 1100二进制转八进制:010 001 011 1002 13 4十六进制转十进制:(45C)16=4*162+5*161+12*160=(1116)10所以:(45C)16=(10001011100)2=(2134)8=(1116)10(2) 十六进制转二进制: 6 D E . C 80110 1101 1110 . 1100 1000二进制转八进制:011 011 011 110 . 110 010 0003 3 3 6 . 6 2十六进制转十进制:(6DE.C8)16=6*162+13*161+14*160+13*16-1+8*16-2=(1 758.78125)10所以:(6DE.C8)16=(011011011110. 11001000)2=(3336.62)8=(1758.78125)10(3) 十六进制转二进制:8 F E . F D1000 1111 1110. 1111 1101二进制转八进制:100 011 111 110 . 111111 0104 3 7 6 . 7 7 2十六进制转十进制:(8FE.FD)16=8*162+15*161+14*160+15*16-1+13*1 6-2=(2302.98828125)10所以:(8FE.FD)16=(100011111110.11111101)2=(4376.772)8=(2302.98828125)10(4) 十六进制转二进制:7 9 E . F D0111 1001 1110 . 1111 1101二进制转八进制:011 110 011 110 . 111 111 0103 6 3 6 . 7 7 2十六进制转十进制:(79E.FD)16=7*162+9*161+14*160+15*16-1+13*16 -2=(1950. 98828125)10所以:(8FE.FD)16=(011110011110.11111101)2=(3636.772)8=(1 950.98828125)101.5、解:(74)10 =(0111 0100)8421BCD=(1010 0111)余3BCD (45.36)10=(0100 0101.0011 0110)8421BCD=(0111 1000.0110 1001 )余3BCD(136.45)10=(0001 0011 0110.0100 0101)8421BCD=(0100 0110 1001.0111 1000 )余3BCD (374.51)10=(0011 0111 0100.0101 0001)8421BCD=(0110 1010 0111.1000 0100)余3BCD1.8、解(1)(+35)=(0 100011)原= (0 100011)补(2)(+56 )=(0 111000)原= (0 111000)补(3)(-26)=(1 11010)原= (1 11101)补(4)(-67)=(1 1000011)原= (1 1000110)补第二章:自测题:一、1、与运算、或运算、非运算3、代入规则、反演规则、对偶规则二、2、×4、×三、1、B3、D5、C练习题:2.2:(4)解:Y=AB̅+BD+DCE+A̅D=AB̅+BD+AD+A̅D+DCE=AB̅+BD+D+DCE=AB̅+D (B +1+CE ) =AB̅+D (8)解:Y =(A ̅+B ̅+C ̅)(D ̅+E ̅)̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅(A ̅+B ̅+C ̅+DE ) =[(A ̅+B ̅+C ̅)̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅+(D ̅+E ̅)̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅](A ̅+B ̅+C ̅+DE ) =(ABC +DE )(ABC ̅̅̅̅̅̅+DE ) =DE 2.3:(2)证明:左边=A +A ̅(B +C)̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅ =A +A ̅+(B +C)̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅=A +B̅C ̅ =右式所以等式成立(4)证明:左边= (A̅B +AB ̅)⨁C = (A̅B +AB ̅)C ̅+ (A ̅B +AB ̅)̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅C = (A ̅BC ̅+AB ̅C ̅)+A ̅B ̅̅̅̅⋅AB̅̅̅̅̅⋅C =A̅BC ̅+AB ̅C ̅+(A +B ̅)(A ̅+B )C =A̅BC ̅+AB ̅C ̅+(AB +A ̅B ̅)C =A̅BC ̅+AB ̅C ̅+ABC +A ̅B ̅C 右边= ABC +(A +B +C )AB ̅̅̅̅⋅BC ̅̅̅̅⋅CA̅̅̅̅ =ABC +(A +B +C )[(A̅+B ̅)(B ̅+C ̅)(C ̅+A ̅)] =ABC +(A +B +C )(A̅B ̅+A ̅C ̅+B ̅+B ̅C ̅)(C ̅+A ̅)=ABC +(A +B +C )(A̅B ̅C ̅+A ̅C ̅+B ̅C ̅+A ̅B ̅) =ABC +AB̅C ̅+A ̅BC ̅+A ̅B ̅C 左边=右边,所以等式成立 2.4(1)Y ′=(A +B ̅C ̅)(A ̅+BC) 2.5(3)Y ̅=A ̅B ̅(C ̅+D ̅)̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅ C ̅D ̅(A ̅+B ̅)̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅ 2.6:(1)Y =AB +AC +BC=AB (C +C̅)+AC (B +B ̅)+BC (A +A ̅) =ABC +ABC ̅+AB ̅C +A ̅BC 2.7:(1)Y =A ̅B ̅+B ̅C ̅+AC +B ̅C 卡诺图如下: B C A 00 0111100 1 1 1111所以,Y=B̅+AC2.8:(2)画卡诺图如下:B C A 0001 11 100 1 1 0 11 1 1 1 1Y(A,B,C)=A+B̅+C̅2.9:(1)画Y(A,B,C,D)=∑m(0,1,2,3,4,6,8)+∑d(10,11,12,13,14)如下:CDAB00 01 11 1000 1 1 1 101 1 111 ×××10 1 ××Y (A,B,C,D )=A̅B ̅+D ̅ 2.10:(3)解:化简最小项式: Y =AB +(A̅B +C ̅)(A ̅B ̅+C ) =AB +(A̅B A ̅B ̅+A ̅BC +A ̅B ̅C ̅+C ̅C ) =AB (C +C̅)+A ̅BC +A ̅B ̅C ̅ =ABC +ABC ̅+A ̅BC +A ̅B ̅C ̅ =∑m (0,3,6,7)最大项式:Y =∏M(1,2,4,5) 2.13:(3)Y =AB̅+BC ̅+AB ̅C ̅+ABC ̅D ̅ =AB̅(1+C ̅)+BC ̅(1+AD ̅) =AB̅+BC ̅ =AB̅+BC ̅̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿ = AB̅̅̅̅̅∙BC ̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅技能题:2.16 解:设三种不同火灾探测器分别为A 、B 、C ,有信号时值为1,无信号时为0,根据题意,画卡诺图如下:B C A 00 01 11 10 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1Y =AB +AC +BC=AB +AC +BC ̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿=AB ̅̅̅̅⋅AC ̅̅̅̅⋅BC ̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅=(A ̅+B ̅)(A ̅+C ̅)(B ̅+C ̅)̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅=A ̅+B ̅̅̅̅̅̅̅̅̅+A ̅+C ̅̅̅̅̅̅̅̅̅+B ̅+C ̅̅̅̅̅̅̅̅̅第三章:自测题:一、1、饱和,截止7、接高电平,和有用输入端并接,悬空;二、1、√8、√;三、1、A4、D练习题:3.2、解:(a)因为接地电阻4.7k Ω,开门电阻3k Ω,R>R on ,相当于接入高电平1,所以Y =A ̅B ̅1̅̅̅̅̅̅=A +B +0=A +B(e) 因为接地电阻510Ω,关门电0.8k Ω,R<R off ,相当于接入高电平0,所以、Y =A +B +0̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅=A̅⋅B ̅∙1̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅=A +B +0=A +B3.4、解:(a) Y1=A+B+0̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅=A+B̅̅̅̅̅̅̅̅(c) Y3=A+B+1̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅=1̅=0(f) Y6=A⋅0+B⋅1̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅=B̅3.7、解:(a) Y1=A⨁B⋅C=(A̅B+AB̅)C=A̅BC+AB̅C3.8、解:输出高电平时,带负载的个数2020400===IHOHOH I I NG 可带20个同类反相器输出低电平时,带负载的个数78.1745.08===ILOLOL I I NG 反相器可带17个同类反相器3.12EN=1时,Y 1=A , Y 2=B ̅EN=0时,Y 1=A ̅, Y 2=B3.17根据题意,设A为具有否决权的股东,其余两位股东为B、C,画卡诺图如下,BCA00 01 11 100 0 0 0 01 0 1 1 1则表达结果Y的表达式为:Y=AB+AC=AB+AC̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿=AB̅̅̅̅⋅AC̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅逻辑电路如下:技能题:3.20:解:根据题意,A、B、C、D变量的卡诺图如下:CD AB00 01 11 1000 0 0 0 001 0 0 0 011 0 1 1 110 0 0 0 0Y =ABC +ABD =ABC +ABD ̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿=ABC ̅̅̅̅̅̅⋅ABD ̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅电路图如下:第四章:自测题:一、2、输入信号,优先级别最高的输入信号7、用以比较两组二进制数的大小或相等的电路,A>B 二、3、√4、√三、5、A7、C练习题:4.1;解:(a) Y =A⨁B +B ̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅=A ̅B +AB ̅+B ̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅=A ̅B +B ̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅=A ̅+B̅̅̅̅̅̅̅̅̅=AB ,所以电路为与门。

第1章+绪论_习题参考答案

第1章+绪论_习题参考答案
5.曙光5000A计算机属于( A )。
A.高性能计算机 B.微型计算机 C.工作站 D.小型计算机
6.利用计算机来进行人事档案管理,这属于( B )方面的应用。
A.数值计算 B.数据处理 C.过程控制 D.人工智能
7.物质、能量和( B )是构成世界的三大要素。
1996年为加强我国高端并行计算机系统的研制,国家并行计算机工程技术中心正式挂牌成立,开始了“神威”系列大规模并行计算机系统的研制。1999年神威系列机的第一代产品“神威-Ⅰ”巨型机落户国家气象局,系统峰值为3 840亿次浮点运算,该机在实际应用中取得了很好的效果。
20世纪90年代末以生产微机著称的联想集团,也加入了研制高性能计算机系统的行列。2002年,由该集团研制的运算速度超过每秒万亿次浮点运算的深腾1800高性能计算机系统诞生。它是我国第一台由企业研制开发的万亿次级计算机产品,标志着国内大型计算机企业开始进入高性能计算领域的研究开发。2003年12月,联想的深腾6800超级计算机问世,实际运算速度为每秒4.183万亿次。联想的深腾7000在2008年诞生,它的运算能力达到了106.5万亿次,位列全球超级计算机排名榜的第19位。
3.早在现代计算机诞生100多年以前,就提出了程序控制设计方案的科学家是( B )。
A.莱布尼茨 B.巴贝奇 C.图灵 D.阿塔纳索夫
4.世界科学家( C )奠定了现代计算机的结构理论。
A.诺贝尔 B.爱因斯坦 C.冯?诺伊曼 D.居里
4.简述信息素养的含义。
信息素养(Information Literacy)主要包括3个方面的内容:信息意识、信息能力和信息品质。信息意识就是要具备信息第一意识、信息抢先意识、信息忧患意识以及再学习和终身学习意识。信息能力主要包括:信息挑选与获取能力、信息免疫与批判能力、信息处理与保存能力和创造性的信息应用能力。信息品质主要包括:有较高的情商、积极向上的生活态度、善于与他人合作的精神和自觉维护社会秩序和公益事业的精神。

中南大学大规模集成电路试卷及答案合集

中南大学大规模集成电路试卷及答案合集

---○---○---………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题,密封线外不准填写考生信息,违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 …………时间110分钟2013 ~2014 学年一学期大规模集成电路设计课程试题 32学时,开卷,总分100分,占总评成绩70 %一、填空题(本题40分,每个空格1分)1. 所谓集成电路,是指采用 ,把一个电路中所需的二极管、 、电阻、电容和电感等元件连同它们之间的电气连线在一块或几块很小的 或介质基片上一同制作出来,形成完整电路,然后 在一个管壳内,成为具有特定电路功能的微型结构。

2. 请写出以下与集成电路相关的专业术语缩写的英文全称:ASIC : ASSP : LSI : 3. 同时减小 、 与 ,可在保持漏源间电流不变的前提下减小器件面积,提高电路集成度。

因此,缩短MOSFET 尺寸是VLSI 发展的趋势。

4. 大规模集成电路的设计流程包括:需求分析、 设计、体系结构设计、功能设计、 设计、可测性设计、 设计等。

5. 需求规格详细描述系统顾客或用户所关心的内容,包括 及必须满足的 。

系统规格定义系统边界及系统与环境相互作用的信息,在这个规格中,系统以 的方式体现出来。

6. 根据硬件化的目的(高性能化、小型化、低功耗化、降低成本、知识产权保护等)、系统规模/性能、 、 、 等确定实现方法。

7. 体系结构设计的三要素为: 、 、 。

8. 高位综合是指从 描述自动生成 描述的过程。

与人工设计相比,高位综合不仅可以尽可能地缩短 ,而且可以生成在面积、性能、功耗等方面表现出色的电路。

9. 逻辑综合就是将 变换为 ,根据 或 进行最优化,并进行特定工艺单元库 的过程。

10. 逻辑综合在推断RTL 部品时,将值的变化通过时钟触发的信号推断为 ,下生成‘Z’的信号推断为,将其它的推断为。

11. 构造化法是目前可测性设计的主要方法,可以细分为:法、边界扫描测试法、法、静止电源电流法。

高级教程1

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高级教程1.1习题查漏补缺本次测验目的在于帮助你找出还没掌握的知识点,请勿为了分数或者正确率自欺欺人。

完成测验后,请及时将还没掌握的知识点在书中重点标出。

1.1946年,世界上第一台数字式电子计算机诞生于美国(),命名为“电子数值积分器和计算机”,简称ENIAC。

[单选题] *加利福尼亚大学宾夕法尼亚大学(正确答案)麻省理工学院斯坦福大学2.第三代电子计算机采用的主要电子元器件是()。

[单选题] *电子管晶体管中、小规模集成电路(正确答案)大规模、超大规模集成电路3.我们目前所使用计算机采用的主要元器件是()。

[单选题] *电子管晶体管中、小规模集成电路大规模、超大规模集成电路(正确答案)4.第()代电子计算机主要用于科学计算。

[单选题] *一(正确答案)二三四5.第()代电子计算机除了计算机科学计算外,还被用于数据处理、事务处理以及工业控制等方面。

[单选题] *一二(正确答案)三四6.第()代电子计算机高级程序设计语言有了很大的发展。

计算机同时向标准化、多样化、通用化、机型系统化发展。

[单选题] *一二三(正确答案)四7.第()代电子计算机在系统结构方面发展了并行处理技术、分布式计算机系统和计算机网络等。

[单选题] *一二三四(正确答案)8.第()代电子计算机软件处于初始阶段,程序设计使用机器语言和汇编语言。

[单选题] *一(正确答案)二三四9.第( )代电子计算机软件也有了较大的发展,出现了FORTRAN、COBOL和ALGOL等高级语言。

[单选题] *一二(正确答案)三四10.第( )代电子计算机软件方面操作系统逐步完善,使得计算机在中心程序的控制协调下可以同时运行许多不同的程序。

[单选题] *一二三(正确答案)四11.第()代电子计算机软件方面发展了数据库系统、软件工程标准化系统等,应用软件已成为现代工业的一部分。

[单选题] *一二三四(正确答案)12.我们现在使用的电脑就属于第( )代电子计算机。

计算机试题

计算机试题

选择题-计算机基础知识共15题15分第一代计算机主要采用的电子元件是电子管第一代电子计算机使用的电子元件是。

答案(B) 电子管第一台电子计算机诞生于 _______ 。

答案(C)1946 年第一台电子数字计算机被研制成功是在 ________ 。

答案(A)1946 年第一台电子数字计算机诞生于 _______ 。

答案(C) 宾夕法尼亚大学第一台电子数字计算机的诞生时间距今已有 ________ 。

答案(B)60 多年第一台电子数字计算机诞生于 _______ 。

答案(B) 美国第一台电子数字计算机的运算速度为每秒 ________ 。

答案(D)5000 次第一台电子数字计算机使用了1万8千多个_______ 。

答案(A)电子管第一台电子数字计算机使用的主要元器件是(D)电子管第一台电子计算机是1946 年在美国诞生的,该机的英文缩写是(A)ENIAC 世界上公认的第一台计算机诞生在(C)1946 年人们习惯于将计算机的发展划分为四代,划分的主要依据是 _________ 。

答案(A)计算机所使用的主要元器件在1946 年研制成功第一台电子数字计算机的国家是 ________ 。

答案(B) 美国自计算机问世至今已经经历了四个时代,划分时代的主要依据是计算机的__________ 。

答案(D) 构成元件世界上第一台电子数字计算机诞生于 _______ 。

答案(D)1946 年下列关于世界上第一台电子计算机ENIAC的叙述中,错误的是 ______ 。

答案(C)确定使用高级语言进行程序设计第一代电子数字计算机主要用于第一代计算机的主要应用领域是第一台电子数字计算机 ______ 第一台电子数字计算机 ______ ______ 。

答案(C) 军事和国防领域______ 。

答案(A) 军事和国防答案(D) 笨重、性能低答案(A) 体积大、耗电多第一代电子数字计算机幵创了计算领域的_________ 。

答案(B)数字处理时代第一代电子数字计算机使用的阴极射线管作为计算机的 _________ 。

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`CMOS反相器电路图、版图、剖面图CMOS的广泛使用,是由于解决了latch-up效应Latch-up效应解释、原理、解决方法(略)避免栅锁效应方法:用金掺杂或中子辐射,降低少数载流子寿命;深阱结构或高能量注入形成倒退阱;将器件制作于高掺杂衬底上的低掺杂外延层中;沟槽隔离。

在基体(substrate)上改变金属的掺杂,降低BJT的增益•避免source和drain的正向偏压•增加一个轻掺杂的layer在重掺杂的基体上,阻止侧面电流从垂直BJT到低阻基体上的通路•使用Guard ring: P+ ring环绕nmos并接GND;N+ ring环绕pmos 并接VDD,一方面可以降低Rwell和Rsub的阻值,另一方面可阻止栽子到达BJT的基极。

如果可能,可再增加两圈ring。

• Substrate contact和well contact应尽量靠近source,以降低Rwell和Rsub的阻值。

•使nmos尽量靠近GND,pmos尽量靠近VDD,保持足够的距离在pmos 和nmos之间以降低引发SCR的可能•除在I/O处需采取防Latch up的措施外,凡接I/O的内部mos 也应圈guard ring。

• I/O处尽量不使用pmos(nwell)门级电路图(AOI221)AOI221=(AB+CD+E)’伪NMOS:伪NMOS的下拉网络和静态门的下拉网络相似,上拉网络是用一个PMOS管,且此管输入接地,因此PMOS管总是导通的。

动态电路:动态电路用一个时钟控制的PMOS管取代了总是导通的PMOS管,克服了有比电路的缺点。

动态电路速度快,输入负载小,切换时不存在竞争电流,而且动态电路没有静态功耗。

动态电路存在的根本性问题就是对输入单调性的要求。

多米诺电路:多米诺电路由一级动态门和一级静态CMOS反相器构成。

典型结构:下拉网络+上拉预充值网络+反相器构成过程就是充值+求值的过程在多米诺电路中,所有门的预充、求值都可以用一个时钟控制。

求值期间,动态门的输出单调下降,所以静态反相器的输出单调上升。

多米诺电路是同时进行预充,但求值是串行的。

逻辑功效(logic effort)逻辑功效定义为门的输入电容与能够提供相同输出电流的反相器的输入电容的比值。

也就是说逻辑功效表示某个门在产生输出电流时相比反相器的糟糕程度。

逻辑功效不仅使我们能容易计算时延,它也向我们展示了如何确定晶体管的尺寸以优化路径中的延时。

组合逻辑延迟由门延迟和路径延迟组成。

怎样优化延迟?优化门延迟:1、可以加大驱动门的晶体管尺寸2、重新设计逻辑以减少门的扇出优化路径延迟:减少最长延迟的唯一办法就是提高关键路径的逻辑门的工作速度。

可以通过增加晶体管尺寸或减小连线电容来实现。

时序逻辑电路状态机:摩尔机、米莉机建立时间、保持时间传输延迟、污染延迟传输延迟时间:tpd=从输入信号跨越50%到输出信号跨越50%所需的最大时间污染延迟时间:tcd=从输入信号跨越50%到输出信号跨越50%所需的最小时间什么情况下考虑建立/保持时间?跨时钟域、异步电路中的亚稳态问题解决亚稳态的措施1 降低系统时钟2 用反应更快的FF3 引入同步机制,防止亚稳态传播4 改善时钟质量,用边沿变化快速的时钟信号关键是器件使用比较好的工艺和时钟周期的裕量要大。

处理跨时钟域时采用FIFO,或双端口SRAM,或格雷编码传递数据。

格雷编码的好处优点?格雷码(Gray code),又叫循环二进制码或反射二进制码在数字系统中只能识别0和1,各种数据要转换为二进制代码才能进行处理,格雷码是一种无权码,采用绝对编码方式,典型格雷码是一种具有反射特性和循环特性的单步自补码,它的循环、单步特性消除了随机取数时出现重大误差的可能,它的反射、自补特性使得求反非常方便。

格雷码属于可靠性编码,是一种错误最小化的编码方式。

因为,自然二进制码可以直接由数/模转换器转换成模拟信号,但某些情况,例如从十进制的3转换成4时二进制码的每一位都要变,使数字电路产生很大的尖峰电流脉冲。

而格雷码则没有这一缺点,它是一种数字排序系统,其中的所有相邻整数在它们的数字表示中只有一个数字不同。

它在任意两个相邻的数之间转换时,只有一个数位发生变化。

它大大地减少了由一个状态到下一个状态时逻辑的混淆。

另外由于最大数与最小数之间也仅一个数不同,故通常又叫格雷反射码或循环码。

设计时序电路时,同步时序电路其复位策略?同步复位、异步复位的概念?Verilog HDL集成电路设计时,同步复位的策略。

同步复位:复位信号起效时钟控制的到来敏感;异步复位:复位控制对时钟不敏感;同步策略:use ieee.std_logic_unsigned.all;entity count_10 isport(clk,rst,en,up: in std_logic;sum: out std_logic_vector(3 downto 0);cout: out std_logic);end;architecture cnt_10 of count_10 issignal count: std_logic_vector(3 downto 0);beginprocess(clk)beginif rising_edge(clk) thenif (rst='0') thencount<=(others=>'0');elsif en='1' thencase up iswhen '1'=>count<=count+1;when others=>count<=count-1;end case;if (count>=9) thencount<=(others=>'0');end if;end if;end if;end process;sum<=count;cout<='1' when en='1' and ((up='1' and count=9)or(up='0' and count=0) )else '0';end;异步策略:use ieee.std_logic_unsigned.all;entity count_10 isport(clk,rst,en,up: in std_logic;sum: out std_logic_vector(3 downto 0);cout: out std_logic);end;architecture cnt_10 of count_10 issignal count: std_logic_vector(3 downto 0);beginprocess(clk)beginif (rst='0') thencount<=(others=>'0');elsif rising_edge(clk) thenif en='1' thencase up iswhen '1'=>count<=count+1;when others=>count<=count-1;end case;if (count>=9) thencount<=(others=>'0');end if;end if;end if;end process;sum<=count;cout<='1' when en='1' and ((up='1' and count=9)or(up='0' and count=0) )else '0';end;例子为同步复位/异步复位加/减10进制计数器。

时钟分频器:module Div (Clk, Reset, TestN, Ena ) ; input Clk, Reset, TestN ;output Ena;reg [0:3] Counter;a lways@ (posedge Clk) beginif (~ Reset) Counter = 0;elsebegin if (~ TestN) Counter = 15; else Counter = Counter + 1; endendassign Ena = (Counter = = 15) ? 1: 0; endmodule集成电路设计流程(Y图P399):对芯片的划分,什么是划分?为什么做划分?其原则是?划分是将一复杂的设计分成更小部分的方法。

所有的划分应该是先于写任何HDL的。

初始的划分由HDL定义,并且能够使用编译器修改。

逻辑划分是成功综合的关键。

从化分中,可得到更小更快的设计,更简单的综合,更快地编译。

为什么划分?划分由许多需求驱动:1.分离不同的功能模块2.获得可行的尺寸和复杂性3.在一个团队中的处理方案4。

设计再利用。

5.满足物理约束6.还有许多其他要求但重点都是为了更好的综合而进行划分。

划分原则:1.在相同的模块中保持相关联的组合逻辑2.设计再使用3.根据它们的功能性划分模块4.限制一合理的区块大小,区块大小取决于机器的存储容量5.合理划分顶层模块6.不要在顶层模块中添加接口逻辑电路7.避免在一个模块中使用多时钟8.区分开那些带有多个同步时钟的模块9.标出所有的输出。

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