材料科学基础 第 三 章 晶 体 缺 陷 (三)
武汉理工大学材料科学基础(第2版)课后习题和答案
武汉理工大学材料科学基础(第2版)课后习题和答案第一章绪论1、仔细观察一下白炽灯泡,会发现有多少种不同的材料?每种材料需要何种热学、电学性质?2、为什么金属具有良好的导电性和导热性?3、为什么陶瓷、聚合物通常是绝缘体?4、铝原子的质量是多少?若铝的密度为2.7g/cm3,计算1mm3中有多少原子?5、为了防止碰撞造成纽折,汽车的挡板可有装甲制造,但实际应用中为何不如此设计?说出至少三种理由。
6、描述不同材料常用的加工方法。
7、叙述金属材料的类型及其分类依据。
8、试将下列材料按金属、陶瓷、聚合物或复合材料进行分类:黄铜钢筋混凝土橡胶氯化钠铅-锡焊料沥青环氧树脂镁合金碳化硅混凝土石墨玻璃钢9、Al2O3陶瓷既牢固又坚硬且耐磨,为什么不用Al2O3制造铁锤?第二章晶体结构1、解释下列概念晶系、晶胞、晶胞参数、空间点阵、米勒指数(晶面指数)、离子晶体的晶格能、原子半径与离子半径、配位数、离子极化、同质多晶与类质同晶、正尖晶石与反正尖晶石、反萤石结构、铁电效应、压电效应.2、(1)一晶面在x、y、z轴上的截距分别为2a、3b、6c,求出该晶面的米勒指数;(2)一晶面在x、y、z 轴上的截距分别为a/3、b/2、c,求出该晶面的米勒指数。
3、在立方晶系的晶胞中画出下列米勒指数的晶面和晶向:(001)与[210],(111)与[112],(110)与[111],(322)与[236],(257)与[111],(123)与[121],(102),(112),(213),[110],[111],[120],[321]4、写出面心立方格子的单位平行六面体上所有结点的坐标。
5、已知Mg2+半径为0.072nm,O2-半径为0.140nm,计算MgO晶体结构的堆积系数与密度。
6、计算体心立方、面心立方、密排六方晶胞中的原子数、配位数、堆积系数。
7、从理论计算公式计算NaC1与MgO的晶格能。
MgO的熔点为2800℃,NaC1为80l℃, 请说明这种差别的原因。
第3章点缺陷、位错的基本类型和特征_材料科学基础
位错运动导致晶体滑移的方向;该矢量的模|b|表示
了畸变的程度,即位错强度。
② 柏氏矢量的守恒性:柏氏矢量与回路起点及其具体途 径无关。一根不分岔的位错线,不论其形状如何变化 (直线、曲折线或闭合的环状),也不管位错线上各 处的位错类型是否相同,其各部位的柏氏矢量都相同; 而且当位错在晶体中运动或者改变方向时,其柏氏矢 量不变,即一根位错线具有唯一的柏氏矢量。
18
第
3.2 位错
三 章
3.2.1 位错的基本类型和特征
1. 位错的概念:位错是晶体的线性缺陷。晶体中
晶
某处一列或若干列原子有规律的错排。
体
• 意义:对材料的力学行为如塑性变形、强度、断裂等
缺
起着决定性的作用,对材料的扩散、相变过程有较大
陷
影响。
• 位错的提出:1926年,弗兰克尔发现理论晶体模型刚
b l
positive
b
l
negative
Edge dislocations
b
b
right-handed left-handed Screw dislocations
26
3.2
3. 伯氏矢量的特性 位 ① 柏氏矢量是一个反映位错周围点阵畸变总累积的物理
错
量。该矢量的方向表示位错的性质与位错的取向,即
性切变强度与与实测临界切应力的巨大差异(2~4个 数量级)。1934年,泰勒、波朗依、奥罗万几乎同时 提出位错的概念。1939年,柏格斯提出用柏氏矢量表 征位错。1947年,柯垂耳提出溶质原子与位错的交互 作用。1950年,弗兰克和瑞德同时提出位错增殖机制。 之后,用TEM直接观察到了晶体中的位错。
➢ 特征:如果杂质的含量在固溶体的溶解度范围内,
材料科学基础第三章晶体缺陷
够的能量而跳入空位,并占据这个平衡位置,这时在这个原 子的原来位置上,就形成一个空位。这一过程可以看作是空 位向邻近结点的迁移。
在运动过程中,当间隙原子与一个空位相遇时,它将落入
这个空位,而使两者都消失,这一过程称为复合,或湮没。
(a)原来位置;
(b)中间位置;
(c)迁移后位置
图 空位从位置A迁移到B
2 Ar a 3 N A 8.57 (3.294108 )3 6.0231023 x 1 2 Ar 2 92.91 7.1766103 106 7.1766103 7176 .6(个) 所以, 106 个Nb中有7176 .6个空位。
a NA
作业:
二.本章重点及难点 1、点缺陷的形成与平衡浓度 2、位错类型的判断及其特征、伯氏矢量的特征和物理意义 3、位错源、位错的增殖(F-R源、双交滑移机制等)和运动、 交割
4、关于位错的应力场可作为一般了解
5、晶界的特性(大、小角度晶界)、孪晶界、相界的类型
维纳斯“无臂” 之美更深入人心
处处留心皆学问
2.点缺陷的形成(本征缺陷的形成)
点缺陷形成最重要的环节是原子的振动 原子的热振动
(以一定的频率和振幅作振动)
原子被束缚在它的平衡位置上,但原子却在做着挣脱
束缚的努力
点缺陷形成的驱动力:温度、离子轰击、冷加工
在外界驱动力作用下,哪个原子能够挣脱束缚,脱离
平衡位置是不确定的,宏观上说这是一种几率分布
刃型位错的特点:
1).刃型位错有一个额外的半原子面。其实正、负之分只具 相对意义而无本质的区别。 2).刃型位错线可理解为晶体中已滑移区与未滑移区的边界 线。它不一定是直线,也可以是折线或曲线,但它必与滑移 方向相垂直,也垂直于滑移矢量。
上海交通大学 材料科学基础第三章 晶体缺陷ppt课件
混合位错
混合位错:滑移矢量既不平行业不垂直于位错线, 而是与位 错线相交成任意角度。 一般混合位错为曲线形式, 故每一点的滑移矢量 式相同的, 但其与位错线的交角却不同。 ppt课件
24
各种位错的柏氏矢量
ppt课件
25
柏氏矢量的物理意义
1。反映位错周围点阵畸变的总积累(包括强度 和取向) 2。 该矢量的方向表示位错运动导致晶体滑移 的方向, 而该矢量的模表示畸变的程度称为位 错的强度。 (strength of dislocation)
ppt课件
G tm 0.1G 2
13
t m 0.01 0.1G
计算中的假设
• 1。完整晶体,没有缺陷 • 2。整体滑动 • 3。正弦曲线(0.01-0.1G)
问题出在假设1和2上!应是局部滑移!
日常生活和大自然的启示=〉
ppt课件 14
有缺陷晶体的局部滑动
小宝移大毯!
毛毛虫的蠕动
面缺陷 (plane defect) 在一个方向上尺寸很小
ppt课件 二维缺陷 (two-dimensional defect) 3
课程安排
点缺陷 课 程 安 排 (第1周)
位错几何 (第1、2周)
位错力学
(第2周)
位错运动、实际晶体中的位错(第3、4周) 表面与界面 (第4、5周) 课堂讨论 (第5周)
Ee e W
Ees
m e
R
r
x z dr t dx
0 r r
b
R
b
0
Gx Gb 2 R zdr x dx ln 2 1 4 1 r0
Gb R ln 4 r0
e e s e
材料科学基础第3章
3.2 位错
晶体在结晶时受到杂质、温度变化或振动产
生的应力作用,或由于晶体受到打击、切削、 研磨等机械应力的作用,使晶体内部质点排列 变形,原子行列间相互滑移,即不再符合理想 晶格的有序排列,由此形成的缺陷称位错。
3.2.1 位错的基本类型和特征
刃型位错 螺型位错
刃型位错结构的特点: 1) 刃型位错有一个额外的半原子面。一般把多出的半原子面在滑移面 上边的称为正刃型位错,记为“┻”;而把多出在下边的称为负刃 型位错,记为“┳”。
螺型位错
a. 位错中心附近的原子移动小于一个原子间距的距离。 b. 位错线在滑移面上向左移动了一个原子间距。
c. d. e. 当位错线沿滑移面滑移通过整个晶体时,就会在晶体表面沿柏氏矢 量方向产生宽度为一个柏氏矢量大小的台阶。 螺型位错的运动方向始终垂直位错线并垂直于柏氏矢量。 螺型位错线与柏氏矢量平行,故其滑移不限于单一的滑移面上,所 有包含位错线的晶面都可成为其滑移面。
晶体中的位错环
晶体中的位错网络
3.柏氏矢量的表示法
•柏氏矢量的大小和方向可用与它同向的 晶向指数来表示。
[
a a a [2 2 2 ]
]
a [1 1 1] 2
例如:
在体心立方中, 柏氏矢量等于从体心 立方晶体的原点到体 心的矢量。
b=
a [1 1 1] 2
a •一般立方晶系中柏氏矢量可表示为b= n <u v w>
4)
5)
2.螺型位错
设立方晶体右侧受到切 应力的作用,其右侧上 下两部分晶体沿滑移面 ABCD发生了错动,如图 所示。这时已滑移区和 未滑移区的边界线 bb´(位错线)不是垂直而 是平行于滑移方向。
F
C D
《材料科学基础》 第03章 晶体缺陷
第三节 位错的基本概念
三、位错的运动
刃位错的攀移运动:刃型位错在垂直于滑移面方向上的运动。 刃位错发生攀移运动时相当于半原子面的伸长或缩短,通常把 半原子面缩短称为正攀移,反之为负攀移。 滑移时不涉及单个原子迁移,即扩散。刃型位错发生正攀 移将有原子多余,大部分是由于晶体中空位运动到位错线上的 结果,从而会造成空位的消失;而负攀移则需要外来原子,无 外来原子将在晶体中产生新的空位。空位的迁移速度随温度的 升高而加快,因此刃型位错的攀移一般发生在温度较高时;另 外,温度的变化将引起晶体的平衡空位浓度的变化,这种空位 的变化往往和刃位错的攀移相关。切应力对刃位错的攀移是无 效的,正应力的存在有助于攀移(压应力有助正攀移,拉应力 有助负攀移),但对攀移的总体作用甚小。
第一节 材料的实际晶体结构
二、晶体中的缺陷概论
晶体缺陷按范围分类:
1. 点缺陷 在三维空间各方向上尺寸都很小,在原 子尺寸大小的晶体缺陷。
2. 线缺陷 在三维空间的一个方向上的尺寸很大(晶 粒数量级),另外两个方向上的尺寸很小(原子尺 寸大小)的晶体缺陷。其具体形式就是晶体中的 位错Dislocation 。
说明:这是一个并不十分准确的定义方法。柏氏矢量的方向与位错线方向的定义有关,应该首 先定义位错线的方向,再依据位错线的方向来定柏氏回路的方向,再确定柏氏矢量的方 向。在专门的位错理论中还会纠正。
第三节 位错的基本概念
二、柏氏矢量
柏氏矢量与位错类型的关系:
刃型位错 柏氏矢量与位错线相互垂直。(依方向关系可 分正刃和负刃型位错) 螺型位错 柏氏矢量与位错线相互平行。(依方向关系可 分左螺和右螺型位错) 混合位错 柏氏矢量与位错线的夹角非0或90度。
过饱和空位 晶体中含点缺陷的数目明显超过平衡 值。如高温下停留平衡时晶体中存在一平衡空位, 快速冷却到一较低的温度,晶体中的空位来不及移 出晶体,就会造成晶体中的空位浓度超过这时的平 衡值。过饱和空位的存在是一非平衡状态,有恢复 到平衡态的热力学趋势,在动力学上要到达平衡态 还要一时间过程。
第三章-晶体结构缺陷
第三章晶体结构缺陷【例3-1】写出MgO形成肖特基缺陷的反应方程式。
【解】MgO形成肖特基缺陷时,表面的Mg2+和O2-离子迁到表面新位置上,在晶体内部留下空位,用方程式表示为:该方程式中的表面位置与新表面位置无本质区别,故可以从方程两边消掉,以零O(naught)代表无缺陷状态,则肖特基缺陷方程式可简化为:【例3-2】写出AgBr形成弗伦克尔缺陷的反应方程式。
【解】AgBr中半径小的Ag+离子进入晶格间隙,在其格点上留下空位,方程式为:【提示】一般规律:当晶体中剩余空隙比较小,如NaCl型结构,容易形成肖特基缺陷;当晶体中剩余空隙比较大时,如萤石CaF2型结构等,容易产生弗伦克尔缺陷。
【例3-3】写出NaF加入YF3中的缺陷反应方程式。
【解】首先以正离子为基准,Na+离子占据Y3+位置,该位置带有2个单位负电荷,同时,引入的1个F -离子位于基质晶体中F-离子的位置上。
按照位置关系,基质YF3中正负离子格点数之比为1/3,现在只引入了1个F-离子,所以还有2个F-离子位置空着。
反应方程式为:可以验证该方程式符合上述3个原则。
再以负离子为基准,假设引入3个F-离子位于基质中的F-离子位置上,与此同时,引入了3个Na+离子。
根据基质晶体中的位置关系,只能有1个Na+离子占据Y3+离子位置,其余2个Na+位于晶格间隙,方程式为:此方程亦满足上述3个原则。
当然,也可以写出其他形式的缺陷反应方程式,但上述2个方程所代表的缺陷是最可能出现的。
【例3-4】写出CaCl2加入KCl中的缺陷反应方程式。
【解】以正离子为基准,缺陷反应方程式为:以负离子为基准,则缺陷反应方程式为:这也是2个典型的缺陷反应方程式,与后边将要介绍的固溶体类型相对应。
【提示】通过上述2个实例,可以得出2条基本规律:(1)低价正离子占据高价正离子位置时,该位置带有负电荷。
为了保持电中性,会产生负离子空位或间隙正离子。
(2)高价正离子占据低价正离子位置时,该位置带有正电荷。
材料科学基础第三章 晶体缺陷
贵州师范大学
化学与材料科学学院
SCHOOL OF CHEMISTRY AND MATERIAL SCIENCE OF GUIZHOU NORMAL UNIVERSITY
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二、点缺陷的产生 1. 平衡点缺陷及其浓度 虽然点缺陷的存在使晶体的内能增高,但 同时也使熵增加,从而使晶体的能量下降。因 此,点缺陷是晶体中热力学平衡的缺陷。 等温等容条件下,点缺陷使晶体的亥姆霍 A U T S 兹自由能变化为:
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三、点缺陷与材料行为 1. 点缺陷的运动 1)空位的运动
2)间隙原子的运动 3)空位片的形成
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第三章 晶体缺陷
CRYSTAL DEFECTS
点缺陷 位错的基本概念 位错的弹性性质 作用在位错线上的力 实际晶体结构中的位错 晶体中的界面
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一、点缺陷的类型
点缺陷的类型: (a) Schottky 空位; (b) Frenkel 缺陷; (c) 异类间隙原子; (d) 小置换原子; (e) 大置换原子
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第 三 章 晶 体 缺 陷
3.1.3 点缺陷的运动
点缺陷的运动方式: 点缺陷的运动方式: 空位运动。 (1) 空位运动。 (2) 间隙原子迁移 (3) 空位和间隙原子相遇,两缺陷同时消失。 空位和间隙原子相遇,两缺陷同时消失。 (4) 逸出晶体到表面 , 或移到晶界 , 点缺陷消失 。 逸出晶体到表面, 或移到晶界, 点缺陷消失。
3.2.1 位错的基本类型和特征
位错的类型: 位错的类型: 刃型位错( 1.刃型位错(edge dislocation) 2.螺型位错 螺型位错( 2.螺型位错(screw dislocation) 3.混合位错 混合位错( 3.混合位错(mixed dislocation)
1. 刃型位错
(1)刃型位错(edge dislocation)的产生 刃型位错( 晶体局部滑移造成的刃型位错 刃型位错图示: (2) 刃型位错图示:18 刃型位错线:多余半原子面与滑移面的交线 交线。 刃型位错线:多余半原子面与滑移面的交线。 (3)刃型位错特征: 刃型位错特征: 刃型位错有一个额外的( 多余) 半原子面。 ① 刃型位错有一个额外的 ( 多余 ) 半原子面 。 一般把多 出的半原子面在滑移面的上边的称为正刃型位错 正刃型位错用 出的半原子面在滑移面的上边的称为 正刃型位错 用 “ ⊥ ” 表 把多出在下边的称为负刃型位错 负刃型位错用 表示。 示;而 把多出在下边的称为负刃型位错用“┬”表示。19 刃型位错是直线、 折线或曲线。 它与滑移方向、 ② 刃型位错是直线 、 折线或曲线 。 它与滑移方向 、 伯氏 矢量(b)垂直 垂直。 矢量(b)垂直。20
点缺陷示意图
(a) 肖特基空Biblioteka 晶体中的点缺陷(b) 弗仑克尔缺陷 弗仑克尔缺陷
点缺陷类型1 点缺陷类型1
材料科学基础第三章晶体缺陷
材料科学基础第三章晶体缺陷
本章要求掌握的主要内容
b. 由于存在着这两个互为矛盾的因素,晶体中的点缺陷在一定温度下有一定的平衡数目,这时点 缺陷的浓度就称为它们在该温度下的热力学平衡浓度。
c. 在一定温度下有一定的热力学平衡浓度,这是点缺 陷区别于其它类型晶体缺陷的重要特点。
图 空位-体系能量曲线
1.形成缺陷带来晶格应变,内能U增加,一个缺陷带来的内能
过饱和点缺陷(如淬火空位、辐照缺陷)还提高了 金属的屈服强度。
例1:Cu晶体的空位形成能Ev为1.44×10-19J/atom, 材料常数A取为1,波尔兹曼常数为k=1.38×10-23J/K, 计算:
1)在500℃下,每立方米Cu中的空位数目; 2)500℃下的平衡空位浓度。 (已知Cu的摩尔质量63.54,500℃ Cu的密度为 8.96×106g/m3)
增加为u,所以内能增加
,故内能增加是线性的。
Unu
2.缺陷存在使体系的混乱度增加,引起熵值增加,缺陷存在使 体系排列方式增加,即熵值显著增加。和缺陷数量变化呈非线 性的。
C
n N
A exp( Ev / kT )
n 平衡空位数
N 阵点总数
Ev 每增加一个空位的能量 变化 K 玻尔兹曼常数
A 与振动熵有关的常数
晶体结构的特点是长程有序。结构基元或者构成物体的粒子(原子、离子或分子等)完全按照空间点阵 规则排列的晶体叫理想晶体。 在实际晶体中,粒子的排列不可能这样规则和完整,而是或多或少地存在着偏离理想结构的区域,出 现了不完整性。 把实际晶体中偏离理想点阵结构的区域称为晶体缺陷。 实际晶体中虽然有晶体缺陷存在,但偏离平衡位置很大的粒子数目是很少的,从总的来看,其结构仍 可以认为是接近完整的。
材料科学基础 第三章
山 3.混合位错 3.混合位错 东 科 技 大 学
材 料 学 院
滑移矢量既不垂直于位错线也不平行于位错线—一条曲线
一、位错的基本类型和特征
山 东 科 技 大 学
材 料 学 院
一、位错的基本类型和特征
山 东 科 技 大 学
位错的性质: 位错的性质: (1)形状:不一定是直线,位错及其畸变区是一条管道。 (2)是已滑移区和未滑移区的边界。 (3)不能中断于晶体内部。可在表面露头,或终止于晶界和相界, 或与其它位错相交,或自行封闭成环。
山 东 科 技 大 学
1.线缺陷: 1.线缺陷:在三维空间的一个方向上的尺寸很大(晶粒数量级),另外 线缺陷 两个方向上的尺寸很小(原子尺寸大小)的晶体缺陷。 2.意义: 2.意义:(对材料的力学行为如塑性变形、强度、断裂等起着决定性 意义 的作用,对材料的扩散、相变过程有较大影响。) 3.位错的提出: 3.位错的提出:1926年,弗兰克尔发现理论晶体模型刚性切变强度与与 位错的提出 实测临界切应力的巨大差异(2~4个数量级)。 1934年,泰勒、波朗依、奥罗万几乎同时提出位错的概念。 1939年,柏格斯提出用柏氏矢量表征位错。 1947年,柯垂耳提出溶质原子与位错的交互作用。 1950年,弗兰克和瑞德同时提出位错增殖机制。之后,用TEM直接观察 到了晶体中的位错。
机分布,大量晶粒的综合作用, 整个材料宏观上不出现各向异 性,这个现象称为多晶体的伪 各向同性。
材 料 学 院
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晶体缺陷赋予材料丰富内容
第3章 晶体缺陷
山 东 晶体中的缺陷概论 科 (corncob) 技 晶体缺陷:在每个晶粒的内部,原子并不是完全呈现周期性的规 大 则重复的排列。把实际晶体中原子排列与理想晶体的差别称为晶体 学 缺陷。
无机材料科学基础第三章晶体结构缺陷
(4)溶质原子(杂质原子):
LM 表示溶质L占据了M的位置。如:CaNa SX 表示S溶质占据了X位置。 (5)自由电子及电子空穴:
有些情况下,价电子并不一定属于某个特定位置的原子,在光、电、热 的作用下可以在晶体中运动,原固定位置称次自由电子(符号e/ )。同 样可以出现缺少电子,而出现电子空穴(符号h. ),它也不属于某个特定 的原子位置。
(5)热缺陷与晶体的离子导电性
纯净MX晶体:只有本征缺陷(即热缺陷) 能斯特-爱因斯坦(Nernst-Einstein)方程:
n k 2 e 2 z T [a 2cex k E c p ) T a ( 2a ex k E a p )T ]( n k 2 e 2 z T D
式中 D —— 带电粒子在晶体中的扩散系数; n —— 单位体积的电荷载流子数,即单位体 积的缺陷数。 下标c、a —— 阳离子、阴离子
离子晶体中:CaF2型结构。
从形成缺陷的能量来分析——
Schttky缺陷的形成能量小,Frankel 缺陷的 形成能量大,因此对于大多数晶体来说, Schttky 缺陷是主要的。
(4) 点缺陷对结构和性能的影响
• 点缺陷引起晶格畸变(distortion of lattice),能量升 高,结构不稳定,易发生转变。
材料科学基础第3-4章小结及习题课讲解
b a u2 v2 w2 n
六方晶系中: b=(a/n)[uvtw]
同一晶体中,柏氏矢量愈大,表明该位错导致点阵畸变愈 严重,它所在处的能量也愈高。
3.2.3 位错的运动
基本形式:滑移和攀移
滑移(slip):三种位错的滑移过程 攀移(climb):在垂直于滑移面方向上运动,
第三章 晶体缺陷
晶体缺陷分类及特征(几何形态、相对于晶体的尺寸、影响范围) :
1. 点缺陷:特征是三维空间的各个方面上尺寸都很小,尺寸
范围约为一个或几个原子尺度,包括空位、间隙原子、杂质 和溶质原子。
2. 线缺陷:特征是在两个方向上尺寸很小,另外一个方面上
很大,如各类位错。
3. 面缺陷:特征是在一个方向上尺寸很小,另外两个方向上
晶界:属于同一固相但位向不同的晶粒之间的界面 称为晶界。
亚晶界:每个晶粒有时又由若干个位向稍有差异的 亚晶粒所组成,相邻亚晶粒间的界面称为亚晶界。
确定晶界位置方法: (1)两晶粒的位向差θ (2)晶界相对于一个点阵某一平面的夹角φ。
晶界分类(按θ的大小): 小角度晶界θ<10º 大角度晶界θ>10º
(3)刃型位错标记 正刃型位错用“⊥”表示,负刃型位错用“┬”表示;其
正负只是相对而言。
(4)刃型位错特征: ① 有一额外的半原子面,分正和负刃型位错;
② 可理解为是已滑移区与未滑移区的边界线,可是直线也 可是折线和曲线,但它们必与滑移方向和滑移矢量垂直;
③ 只能在同时包含有位错线和滑移矢量的滑移平面上滑移; ④ 位错周围点阵发生弹性畸变,有切应变,也有正应变;
表面能(γ):产生单位面积新表面所做的功。 表示法:①γ= dw/ds ②γ= T/L (N/m) ③γ= [被割断的结合键数/形成单位新表面]×[能量/每个键] 影响γ的因素: (1)晶体表面原子排列的致密程度。 (2)晶体表面曲率。 (3)外部介质的性质。 (4)晶体性质。
材料科学基础 第 三 章 晶 体 缺 陷 (三)
3.2.3 位错的运动
晶体宏观的塑性变形是通过位错运动来实现,并且晶体的 力学性能如强度、塑韧性和断裂等均与位错的运动有关。 原因:位错运动是因它沿受力方向改变位置会使系统自由 能减少,位错实现运动要求它所受的力足以克服运动阻力。 位错运动的两种基本形式:保守运动-滑移(slip)和非保 守运动-攀移(climb)。
1、 位错的滑移
位错的滑移(slipping of disloction): 位错的滑移是在外加切应力作用下,通过位错 中心附近的原子沿柏氏矢量方向在滑移面上不断地 作少量位移(小于一个原子间距)而逐步实现的。 如图3-13 刃型位错的滑移过程, 图3-14 螺型位错的滑移过程, 图3-15 混合型位错的滑移过程所示。
攀移(climb):刃型位错的位错线还可以沿着 垂直于滑移面的方向移动,刃型位错的这种运动称 为攀移。也就是说只有刃位错才有攀移。 *非保守运动,并引起位错的半原子面扩大 和缩小,因此攀移总是伴随着点缺陷的输运。 除滑移和攀移还有交割(cross/interaction) 和扭折(kink)
a、 位错的滑移之刃位错
刃型位错: 对含刃型位错的晶体加切应力,切应力方向平行于柏 氏矢量,位错周围原子只要移动很小距离,就使位错由位 置(a)移动到位置(b)。 当位错运动到晶体表面时,整个上半部晶体相对下半 部移动了一个柏氏矢量晶体表面产生了高度为b的台阶。 刃型位错的柏氏矢量 b 与位错线 互相垂直,故滑 移面为 b 与 决定的平面,它是唯一确定的。刃型位错 移动的方向与 b 方向一致,和位错线垂直。
混合 位错
(1)可以通过柏氏矢量和位错线的关系来判断位 错特征。b⊥ξ 时为刃型位错,b∥ξ 为螺型位错, 对于混合型位错,b和τ的角度在0º 和90º 。
武汉理工大学考研材料科学基础重点 第3章-晶体结构缺陷
第二章晶体结构缺陷缺陷的含义:通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。
理想晶体:质点严格按照空间点阵排列的晶体。
实际晶体:存在着各种各样的结构的不完整性。
本章主要内容:2.1 晶体结构缺陷的类型2.2 点缺陷2.3 线缺陷2.4 面缺陷2.5 固溶体2.6 非化学计量化合物⏹ 2.1 晶体结构缺陷的类型分类方式:几何形态:点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷等形成原因:热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺陷、电荷缺陷和辐照缺陷等●一、按缺陷的几何形态分类1. 点缺陷(零维缺陷)缺陷尺寸处于原子大小的数量级上,即三维方向上缺陷的尺寸都很小。
包括:空位:正常结点没有被质点占据,成为空结点间隙质点:质点进入正常晶格的间隙位置,成为间隙质点错位原子或离子杂质质点:指外来质点进入正常结点位置或晶格间隙,形成杂质缺陷双空位等复合体点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关。
2. 线缺陷(一维缺陷)位错指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷,即缺陷尺寸在一维方向较长,另外二维方向上很短,如各种位错。
线缺陷的产生及运动与材料的韧性、脆性密切相关。
3.面缺陷面缺陷又称为二维缺陷,是指在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷,即缺陷尺寸在二维方向上延伸,在第三维方向上很小。
如晶界、表面、堆积层错、镶嵌结构等。
面缺陷的取向及分布与材料的断裂韧性有关。
4.体缺陷体缺陷亦称为三维缺陷,是指在局部的三维空间偏离理想晶体的周期性、规则性排列而产生的缺陷。
如第二相粒子团、空位团等。
体缺陷与物系的分相、偏聚等过程有关。
●二、按缺陷产生的原因分类1. 热缺陷定义:热缺陷亦称为本征缺陷,是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点(原子或离子)。
类型:弗仑克尔缺陷和肖特基缺陷。
弗伦克尔缺陷是质点离开正常格点后进入到晶格间隙位置,其特征是空位和间隙质点成对出现。
肖特基缺陷是质点由表面位置迁移到新表面位置,在晶体表面形成新的一层,同时在晶体内部留下空位。
814材料科学基础-第三章 晶体缺陷知识点讲解
北京科技大学材料科学与工程专业814 材料科学基础主讲人:薛老师第三章晶体缺陷本章主要内容与要求:内容:(1)点缺陷;(2)线缺陷;(3)面缺陷要求:(1)熟悉三种缺陷的概念、特点;(2)掌握点缺陷中空位浓度的计算;(3)掌握线缺陷中位错的运动,增殖;(4)熟悉各种面缺陷。
知识点1 缺陷定义:实际晶体中原子的排列不可能那样规则、完整,常常存在各种偏离理想结构的情况,这种情况我们就称为晶体缺陷。
作用:晶体缺陷对晶体的性能,特别是对那些结构敏感的性能,如屈服强度、断裂强度、塑性等有很大的影响。
根据几何特征,可以分为:点缺陷、线缺陷、面缺陷三类。
知识点2 点缺陷定义:点缺陷是最简单的一种晶体缺陷,主要是结点上或者邻近的微观区域内偏离晶体的正常结构排列的一种缺陷。
主要包括:空位、间隙原子、杂质或溶质原子。
空位:当某一原子具有足够大的振动能而使振幅增大到一定限度时,就可能克服周围原子对它的制约作用,跳离原来的位置,使阵点中形成空结点,这种空的结点就是空位。
间隙原子:在晶格非结点的位置,往往是间隙,此时在间隙的位置出现了多余的原子,这种多余的原子就是间隙原子。
离开平衡位置的原子有三个去处:(1)肖脱基缺陷:迁移到表面—在内部形成空位(2)弗兰克尔缺陷:原子迁移到间隙中,在晶体中形成数目相等的空位-间隙原子;(3)跑到其他空位,使空位消失。
知识点3 空位平衡浓度空位形成能Ev:在晶体内取出一个原子放在晶体表面上所需要的能量。
通常材料的熔点越高,结合能越大,空位的形成能也越大。
间隙原子会使周围点阵产生弹性畸变,而且畸变程度要比空位引起的畸变大得多,也会改变其周围电子能量,因此,它的形成能大,在晶体中浓度一般很低。
空位的形成过程原子的热振动克服约束,迁移到新的位置成为空位、间隙原子引起局部点阵畸变少部分原子获得足够高的能量结果晶体中点缺陷的存在:(1)一方面造成点阵畸变,使晶体内能升高,降低了晶体热力学的稳定性;(2)另一方面,由于原子排列顺序的混乱程度,并改变了其周围原子的振动频率,引起熵值的增大,这又增加了热力学的稳定性。
第三章 晶体结构缺陷
NaCl
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第三章 晶体结构缺陷
杂质缺陷(Impurity Defects):由于外部杂质进入晶体而引 起的缺陷,可分为臵换杂质缺陷和间隙杂质缺陷两种
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第三章 晶体结构缺陷
(2)间隙质点:用下标“i”表示 即:Mi 表示M原子进入了晶格的间隙位臵; Xi 表示X原子进入了晶格的间隙位臵。 NOTE: 显然,在MX离子晶体中形成一个M2+离子间隙 缺陷必然带有两个正电荷(即为带电缺陷),则M2+离
子间隙缺陷应表示为 M i ,同理可知形成X2-离子间隙缺
有利于缔合的库仑引力。在库仑力的驱动下,点缺陷可能
会缔合成一组或一群,产生一个缔合中心。
例如:在MX离子晶体中,有可能形成
等缔合中心 (6) 错位原子:用MX、XM表示
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或
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第三章 晶体结构缺陷
三、缺陷反应方程式的书写格式及基本规则
(一)、缺陷反应方程式书写格式: 反应物 基质 各种缺陷
特点:缺陷的产生及浓度与环境的气氛性质、压力有密切关系;
其他缺陷如电荷缺陷和辐射缺陷
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第三章 晶体结构缺陷
思考:以下几个示意图各为何种点缺陷?
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第三章 晶体结构缺陷
二、点缺陷的表示方法——Kroger-Vink符号
核心思想:在晶体中加入或取出一个质点时,视为取出一个 中性原子,这样可以避免判断键型的麻烦,若为离子晶体, 则分别考虑加入或取出电子
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c、位错的滑移(slipping of disloction)总结
任何类型的位错均可进行滑移.
(1) 刃位错的滑移过程(教材图3.13)∥b、b⊥、滑移 方向⊥ 、滑移方向∥b,刃型位错的滑移面就是位错线 与柏氏矢量所构成的平面,因此刃型位错的滑移面是单 一的。 (2) 螺型位错的滑移过程(教材图3.14)∥b、b ∥ 、滑 移方向⊥ 、滑移方向⊥ b ,非单一滑移面。可发生交 滑移。 (3) 混合位错的滑移过程(教材图3.15)沿位错线各点的 法线方向在滑移面上扩展,滑动方向垂直于位错线方向。 但滑动方向与柏氏矢量有夹角。
3.2.3 位错的运动
滑移(slip): 在一定的 切应力的作用下,位错在滑移 面上受到垂直于位错线的作用 力。当此力足够大,足以克服 位错运动时受到的阻力时,位 错便可以沿着滑移面移动,这 种沿着滑移面移动的位错运动 称为滑移或者滑动。 *保守运动。滑移实际上是 指多个位错的行为
.3 位错的运动
1、 位错的滑移
位错的滑移(slipping of disloction): 位错的滑移是在外加切应力作用下,通过位错 中心附近的原子沿柏氏矢量方向在滑移面上不断地 作少量位移(小于一个原子间距)而逐步实现的。 如图3-13 刃型位错的滑移过程, 图3-14 螺型位错的滑移过程, 图3-15 混合型位错的滑移过程所示。
攀移(climb):刃型位错的位错线还可以沿着 垂直于滑移面的方向移动,刃型位错的这种运动称 为攀移。也就是说只有刃位错才有攀移。 *非保守运动,并引起位错的半原子面扩大 和缩小,因此攀移总是伴随着点缺陷的输运。 除滑移和攀移还有交割(cross/interaction) 和扭折(kink)
位错的攀移
刃型位错还可以在垂直滑移面的方向上运动即发 生攀移。攀移的实质是多余半原子面的伸长或缩短。
(a)正攀移
(b)原始位置 刃型位错的攀移
(c)负攀移
讨 论 和 练 习
位错的滑移特征
位错 类型 刃型 位错 螺型 位错 柏氏 矢量 ⊥位错线 ∥位错线 成角度 位错线 运动方向 ⊥位错线本身 ⊥位错线本身 ⊥位错线本身 晶体滑移 方向 与b一致 与b一致 与b一致 滑移面 数目 唯一确 与b一致 定 与b一致 多个 与b一致 切应力 方向
小技巧:判断位错运动方向
判断位错运动后,它扫过的两 侧的位移方向:根据位错线的正 向和柏氏矢量以及位错运动方向 来确定位错扫过的两侧滑动的方 向。可用右手定则判断:食指指 向位错线正方向,中指指向位错 运动方向,拇指指向沿柏氏矢量 方向位移的那一侧的晶体。
位错线方向
2、 位错的攀移
• 位错的攀移(climbing of disloction):在垂直于滑移面方 向上运动
割阶与扭折
在位错的滑移运动过程中,其位错线往往很难同时实现全 长的运动。因而一个运动的位错线,特别是在受阻的情况 下,有可能通过其中一部分线段(n个原子间距)首先进行 滑移。若由此形成的曲折线段就在滑移面上时,称为扭折 (kink);若该曲折线段垂直于位错的滑移面时,成为割 阶(jog)。扭折和割阶也可由位错之间交割而形成。 刃型位错的攀移过程是通过原子或空位扩散来实现的,在 此过程中,原子或空位是逐步迁移到位错线上的,这样, 在位错的已攀移线段与未攀移线段之间会产生一个台阶, 也就是在位错线上形成了割阶。有时位错的攀移可理解为 割阶沿位错线逐步推移,而使位错线上升或下降,因而攀 移过程与割阶的形成和运动密切相关。
螺型位错的滑移
位错线每前进一个 原子间距,原子实 际运动距离不到一 个原子间距。
当螺型位错在原滑移面运动受阻时,可转移到 与之相交的另一个滑移面上去,这样的过程叫交叉 滑移,简称交滑移
对于螺型位错,由于所有包含位错线的晶面都 可以成为它的滑移面,因此当某一螺型位错在原滑 移面上运动受阻时,有可能从原滑移面转移到与之 相交的另一滑移面上继续滑移,这一过程称为交滑 移。如果交滑移后的位错再转回和原滑移面平行的 滑移面上继续运动,则称为双交滑移。动画演示的 就是螺型位错双交滑移及其增殖模型的情形。
• 攀移的实质:构成刃型位错多余半原子面的扩大和缩小,它 是通过物质迁移即原子或空位的扩散来实现的。
• 刃位错的攀移过程:如果有空位迁移到半原子面的下端,或 者半原子面下端的原子扩散到别处时,半原子面缩小,即位 错向上移动,称为正攀移;向下运动称为负攀移。 • 注意:只有刃型位错才能发生攀移,即位错在垂直于滑移面 的方向上运动。滑移不涉及原子扩散,而攀移必须借助原子 扩散,因此攀移运动称为“非守恒运动”。外加应力对攀移 起促进作用,压(拉)促进正(负)攀移;高温影响位错的 攀移。
(2)几种典型的位错交割
交割后要遵循柏氏矢量的一些特征。 ① 两柏氏矢量相互垂直的刃型位错交割(图3.20a): PP′为割阶, b2 ⊥ PP′, PP′大小和方向取决于b1,为 刃型位错。 ② 两柏氏矢量相互平行的刃型位错交割(图3.20b) : PP′为扭折, b2 ⊥ PP′,QQ ′为扭折, b1 ⊥ QQ′, PP′ 和QQ ′都是螺位错。 ③ 两柏氏矢量相互垂直的刃型位错和螺型位错交割(图 3.21):MM′为割阶, b1 ⊥ MM′, MM′大小和方向取 决于b2,为刃型位错。NN′为扭折, b2 ⊥ NN′, NN′ 大小和方向取决于b1,为刃型位错。 ④ 两柏氏矢量相互垂直的螺型位错交割(图3.22): MM′和NN′均为刃型割阶。
第 三 章 晶 体 缺 陷 (三)
— 位错的运动
烟台大学 秦连杰 教授 E-mail:lianjieqin@
3.2.3 位错的运动
晶体宏观的塑性变形是通过位错运动来实现,并且晶体的 力学性能如强度、塑韧性和断裂等均与位错的运动有关。 原因:位错运动是因它沿受力方向改变位置会使系统自由 能减少,位错实现运动要求它所受的力足以克服运动阻力。 位错运动的两种基本形式:保守运动-滑移(slip)和非保 守运动-攀移(climb)。
a、 位错的滑移之刃位错
刃型位错: 对含刃型位错的晶体加切应力,切应力方向平行于柏 氏矢量,位错周围原子只要移动很小距离,就使位错由位 置(a)移动到位置(b)。 当位错运动到晶体表面时,整个上半部晶体相对下半 部移动了一个柏氏矢量晶体表面产生了高度为b的台阶。 刃型位错的柏氏矢量 b 与位错线 互相垂直,故滑 移面为 b 与 决定的平面,它是唯一确定的。刃型位错 移动的方向与 b 方向一致,和位错线垂直。
(a)
(b) 刃型位错的滑移
(c)
* 位错线每前进一个原子间距,原子实际运动 距离不到一个原子间距。
τ
滑移面
τ
滑移台阶
位错滑移的比喻
b、 位错的滑移之螺型位错
螺型位错: 沿滑移面运动时,在切应力作用下,螺型位错使晶体右 半部沿滑移面上下相对地移动了一个沿原子间距。这种位移 随着螺型位错向左移动而逐渐扩展到晶体左半部分的原子列。 螺型位错的移动方向与b垂直。此外因螺型位错b 与t平 行,故通过位错线并包含b的随所有晶面都可能成为它的滑 移面。
混合 位错
(1)可以通过柏氏矢量和位错线的关系来判断位 错特征。b⊥ξ 时为刃型位错,b∥ξ 为螺型位错, 对于混合型位错,b和τ的角度在0º 和90º 。
(2)位错的滑移面包含柏氏矢量和位错线。 (3)对于一根位错线而言,柏氏矢量是固定不变。 (4)位错线不能终止于完整晶体之中。
3、 位错的交割
当一位错在某一滑移面上运动时,会与穿过滑移面的其他 位错交割(cross)。位错交割时会发生相互作用,这对材料的 强化、点缺陷的产生有重要意义。 位错的交割(cross): (1)割阶与扭折(jog and kink) 割阶:曲折段垂直于位错的滑移面时 扭折:曲折段在位错的滑移面上时 注:① 刃型位错的割阶仍为刃型位错,扭折为螺型位错。 螺型位错的割阶和扭折均为刃型位错。 ② 刃型位错的扭折是一可动螺位错,割阶也是一可动 的刃位错。螺型位错的扭折是可动的刃型位错,割 阶是不可动的刃型位错。
⑤ 带割阶位错的运动
• 如果割阶的高度只有1~2个原子间距,在外力足够大的条 件下,螺形位错可以把割阶拖着走,在割阶后面将会留下 一排点缺陷。 • 如果割阶的高度很大,能在20nm以上,此时割阶两端的位 错相隔太远,它们之间的相互作用较小,那它们可以各自 独立地在各自的滑移面上滑移,并以割阶为轴,在滑移面 上旋转,这实际也是在晶体中产生位错的一种方式。 • 如果割阶的高度介于上述两种高度之间,位错不可能拖着 割阶运动。在外力作用下,割阶之间的位错线弯曲,位错 前进就会在其身后留下一对拉长了的异号刃位错线段,也 称为位错偶。为降低应变能,这种位错偶常会断开而留下 一个长的位错环,而位错线仍恢复原来带割阶的状态,而 长的位错环又常会再进一步分裂成小的位错环,这也是形 成位错环的机理之一。
结 论
① 运动位错交割后,都可以产生扭折或割阶,其大小和方向取 决与另一位错的柏氏矢量,其方向平行,大小为其模,但具原 位错的柏氏矢量。如果另一位错的柏氏矢量与该位错线平 行,则交割后该位错线不出现曲折。 ② 所有割阶都是刃位错,而扭折可以是刃位错,也可以是螺位 错。交割后曲折段的方向取决与位错相对滑移过后引起晶 体的相对位移情况。相对位移可通过右手定则来判断。 ③ 扭折与原位错在同一滑面上,可随主位错线一起运动,几乎 不产生阻力,且扭折在线张力作用下易与消失。 割阶与原位错线在同一滑移面上,除攀移外割阶一般不 能随主位错一起运动,成为位错运动的障碍。