复杂电子衍射花样(材料分析方法)

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电子衍射及衍射花样标定

电子衍射及衍射花样标定
已知晶体结构,标定相机常数,一般用Au, FCC, a=0.407nm,也可用内标。 物相鉴定:大量弥散的萃取复型粒子或其它粉末粒子。
4.单晶电子衍射花样标定
单晶花样分析的任务 基本任务 确定花样中斑点的指数及其晶带轴方向[uvw]; 确定样品的点阵类型、物相和位向。 一般分析任务可分为两大类: 测定新结构,这种结构的参数是完全未知的,在 ASTM卡片中和其它文献中都找不到; 鉴定旧结构,这种结构的参数前人已作过测定, 要求在这些已知结构中找出符合的结构来。
微束选区衍射 ----用微细的入射束直接在样品上选 择感兴趣部位获得该微区衍射像。电子束可聚焦很细, 所选微区可小于0.5m 。可用于研究微小析出相和单 个晶体缺陷等。目前已发展成为微束衍射技术。
2.电子显微镜中的电子衍射 电子衍射花样
花样分析分为两类: 一是结构已知,确定晶体缺陷及有关数据或相关 过程中的取向关系; 二是结构未知,利用它鉴定物相。指数标定是基 础。
可知
4.单晶电子衍射花样标定
4)检查夹角:
cosAB 0,AB 900,cosAC 1 3,AC 54.70
与测量值一致。

112

A 110
C
11 2
5)对各衍射点指标化如右:
6 )a= 2dB=2.83 Å,

002 000


112 110
7)可得到 [uvw]=[220]. 晶带轴为 [uvw]=[110]。
4.单晶电子衍射花样标定
单晶电子衍射花样的指数化标定基本程序
主要方法有:
尝试-校核法 标准花样对照法
标定步骤:
1)选择靠近中心且不在一直线上 的几个斑点,测量它们的R值;

第112章电子衍射图的标定

第112章电子衍射图的标定
022γ 111γ
-111γ 000
1 1 1 1 11
0 2 20 2 2 0 -2 2
复合斑点
[011]γ
[001- ]α
022γ
011 // 001
-111γ
111γ
110α
000
020α
1-10α
011 // 001
111
//
110
三. 多晶电子衍射图的标定
多晶体是由随机任意排列的微晶或纳米晶组成.
磁转角的大小
若显微镜像相对于样品的磁转角为Φi 衍射斑点相对于样品的磁转角为Φd
• 则 Φ=Φi - Φd
• 用电子衍射确定相结构时,不需要效正磁转角. • 对样品微区进行显微组织和衍射图对应分析时(惯习 面,孪晶面,确定位向关系) 需要效正磁转角. • 效正方法,用外形特征反应晶体位向的MoO3做标样.
2g(hkl)=g(2h,2k,2l). 3g(hkl)=g(3h,3k,3l). g (h1,k1,l1)- g(h2,k2,l2) = g(h1-h2, k1-k2, l1-l1) g (h1,k1,l1)+g(h2,k2,l2) =g(h1+h2, k1+k2, l1+l1)
011
020
031
若s=3 3
3 6 不满足面心立方规律
Bcc 2, 4, 6, 8, 10, 12…… Fcc 3, 4, 8, 11, 12,16 …
α-Fe四方斑点的标定
[001- ]α
110α
000 020α
1- 10α
0 2 0 0 20
1 1 0 1 10 0 0 -2
应用例-菱方斑点奥氏体
菱方斑点

材料分析测试方法考点总结

材料分析测试方法考点总结

材料分析测试方法XRD1、x-ray 的物理基础X 射线的产生条件:⑴ 以某种方式产生一定量自由电子⑵ 在高真空中,在高压电场作用下迫使这些电子做定向运动⑶ 在电子运动方向上设置障碍物以急剧改变电子运动速度→x 射线管产生。

X 射线谱——X 射线强度随波长变化的曲线:(1)连续X 射线谱:由波长连续变化的X 射线构成,也称白色X 射线或多色X 射线。

每条曲线都有一强度极大值(对应波长λm )和一个波长极限值(短波限λ0)。

特点:最大能量光子即具有最短波长——短波限λ0。

最大能量光子即具有最短波长——短波限λ0。

影响连续谱因素:管电压U 、管电流 I 和靶材Z 。

I 、Z 不变,增大U→强度提高,λm 、λ0移向短波。

U 、Z 不变,增大I ;U 、I 不变,增大Z→强度一致提高,λm 、λ0不变。

(2)特征X 射线谱:由一定波长的若干X 射线叠加在连续谱上构成,也称单色X 射线和标识X 射线。

特点:当管电压超过某临界值时才能激发出特征谱。

特征X 射线波长或频率仅与靶原子结构有关,莫塞莱定律特定物质的两个特定能级之间的能量差一定,辐射出的特征X 射线的波长是特定。

特征x 射线产生机理:当管电压达到或超过某一临界值时,阴极发出的电子在电场加速下将靶材物质原子的内层电子击出原子外,原子处于高能激发态,有自发回到低能态的倾向,外层电子向内层空位跃迁,多余能量以X 射线的形式释放出来—特征X 射线。

X 射线与物质相互作用:散射,吸收(主要)(1)相干散射:当X 射线通过物质时,物质原子的内层电子在电磁场作用下将产生受迫振动,并向四周辐射同频率的电磁波。

由于散射线与入射线的波长和频率一致,位相固定,在相同方向上各散射波符合相干条件,故称相干散射→ X 射线衍射学基础 ()σλ-=Z K 1(2)非相干散射:X 射线光子与束缚力不大的外层电子或自由电子碰撞时电子获得一部分动能成为反冲电子,X 射线光子离开原来方向,能量减小,波长增加,也称为康普顿散射。

电子衍射产生的复杂衍射花样是高阶劳厄斑.doc

电子衍射产生的复杂衍射花样是高阶劳厄斑.doc

1.电子衍射产生的复杂衍射花样是高阶劳厄斑、超结构斑点、二次衍射、孪晶斑点和菊池花样。

2.当X射线管电压低于临界电压仅可以产生连续谱 X射线;当X射线管电压超过临界电压就可以产生连续谱X射线和特征谱X射线。

F表示,结构因素=0时没有衍射我们称3.结构振幅用 F 表示,结构因素用2结构消光或系统消光。

对于有序固溶体,原本消光的地方会出现弱衍射。

4.电磁透镜的像差包括球差、像散和色差。

5.衍射仪的核心是测角仪圆,它由辐射源、试样台和探测器共同组成测角仪。

6.X射线测定应力常用仪器有应力仪和衍射仪,常用方法有Sin2Ψ法和0º-45º法。

7.运动学理论的两个基本假设是双束近似和柱体近似。

8.电子探针包括波谱仪和能谱仪两种仪器。

1.X射线的本质是什么?是谁首先发现了X射线,谁揭示了X射线的本质?答:X射线的本质是一种电磁波?伦琴首先发现了X射线,劳厄揭示了X射线的本质?5.透射电镜主要由几大系统构成? 各系统之间关系如何?答:四大系统:电子光学系统,真空系统,供电控制系统,附加仪器系统。

其中电子光学系统是其核心。

其他系统为辅助系统。

6.透射电镜中有哪些主要光阑? 分别安装在什么位臵? 其作用如何?答:主要有三种光阑:①聚光镜光阑。

在双聚光镜系统中,该光阑装在第二聚光镜下方。

作用:限制照明孔径角。

②物镜光阑。

安装在物镜后焦面。

作用: 提高像衬度;减小孔径角,从而减小像差;进行暗场成像。

③选区光阑:放在物镜的像平面位臵。

作用: 对样品进行微区衍射分析。

7.什么是消光距离? 影响晶体消光距离的主要物性参数和外界条件是什么?和Ig在晶体深答:消光距离:由于透射波和衍射波强烈的动力学相互作用结果,使I度方向上发生周期性的振荡,此振荡的深度周期叫消光距离。

影响因素:晶胞体积,结构因子,Bragg角,电子波长。

1.实验中选择X射线管以及滤波片的原则是什么?已知一个以Fe为主要成分的样品,试选择合适的X射线管和合适的滤波片?答:实验中选择X射线管的原则是为避免或减少产生荧光辐射,应当避免使用比样品中主元素的原子序数大2~6(尤其是2)的材料作靶材的X射线管。

复杂电子衍射花样

复杂电子衍射花样

3 二次衍射
原理:电子通过晶体时,产生的较强,它 们常常可以作为新的入射线,在晶体中再 次产生衍射。 现象:重合:强度反常;不重合:多出斑 点或出现“禁止斑点” 场合:多发生在两相合金衍射花样内,如 基体与析出相;同结构不同方位的晶体之 间,如孪晶,晶界附近;同一晶体内部
判断:二次衍射起因于花样的对称性,所 以可以通过将试样绕强衍射斑点倾斜10° 左右以产生双束条件,即透射束和一去强 衍射束。若起因于二次衍射,在双束条件 政斑点就会消失;若部分强度起因于这种 作用,强度就会减弱。也可用二次衍射斑 形成中心暗场象来区分,如晶界会亮。
补充:复杂电子衍射花样分析
简单花样:单质或均匀固溶体的散射,由近似 平行于晶带轴方向入射电子束所产生 复杂花样:在简单花样中出现许多“额外斑 点”,分析目的在于辩认额外信息,排除干扰。
1 双晶带的斑点花样
原因:Ewald球是一个有一定曲率的球面, 可能使两个晶带轴指数相差不大的晶带的0 层倒易面同时与球面相截,产生分属于两个 晶带的两套衍射斑点。 产生些情况必须具备的条件为:r1,r2夹角很 小;g1.r2 >0, g2.r1>0 现象:一边一套衍射斑。 标定方法:同简单花样。验证标定结果采用 上述必备条件。
6
调幅结构
原理:在某些稳定的第二相生成之前,固溶 体中常常产生不均匀的现象,溶质原子在某 些特定的晶面上偏聚。这样在每个溶质原子 富集区两侧就有可能出现溶质原子的贫乏区, 形成相继交替的周期性层状结构
特征:只在hkl斑点两侧出现卫星斑,在透 射斑两侧不产生。
铁素体电子衍射花样
2 高阶劳厄带
成因:当晶体点阵常数较大(即倒易面间距 较小),晶体试样较薄(即倒易点成杆状, 或入射束不严格平行于低指数晶带轴时,加 之Ewald球有曲率,导致球可同时与几层相 互平行的倒易面上的倒易杆相截,产生与之 相就的几套衍射斑点重叠的衍射花样 ((B//[uvw]和 B不平行于[uvw]))。 标定方法:采用前述的广义晶带定律

电子衍射图谱解析

电子衍射图谱解析

根据(010)*面上的h0l(h+l=2n+1)斑点的分布 特征,001,102,201等斑点未有消光,表明晶体 不存在n滑移面,可确定此绿辉石晶体为有序结 构P2。
由8张电子衍射图构造的 (010)*倒易面上的取向分布
23
多次电子衍射谱
晶体对电子的散射能力强,衍射束往往可视为晶体内新的入射束而产 生二次或多次Bragg反射。这种现象称为二次衍射或多次衍射效应。
8
电子衍射谱的标定
电子衍射谱的标定是确定材料显微结构的重要步骤。一般地,这 一过程应遵循如下原则:
二维倒易平面中的任意倒易矢量 g 均垂直于晶带轴[uvw]方向(电子束反方向)
[uvw]• g hkl = uh + vk + wl = 0
若已知两倒易矢量 g1,g2,则晶带轴方向为
[uvw] = g1 × g 2 = [k1h2 − h1k2 , h1l2 − l1k2 , l1 k2 − k1l2 ]
3
TEM电子衍射的特点:
电子能量高,波长短,衍射角小,因而单晶的电子衍射 斑点坐落在一个二维网格的格点上,相当于一个二维倒易点 阵平面的投影,非常直观地显示出晶体的几何特征,使晶体 几何关系的研究变得简单方便。
原子对电子散射能力强(比X射线散射强度高104倍)。 一方面,高的散射强度可以实现微小区域(几个纳
5
TEM成像原理和电子衍射的获得
物 物镜
(物镜光 阑)
一次像 中间镜
(焦平面)
衍射谱
(视场光 阑)
二次像
投影镜
三次像
电子显微图象
电子衍射花样
TEM成像过程符合Abbe成像原理
平行电子束入射到周期结构物样 时,便产生衍射现象。

材料研究方法电子衍射花样与标定

材料研究方法电子衍射花样与标定

k2 1
l2 1
h2 2
k2 2
l2 2
算出任意两个衍射斑点的夹角。核对夹角,若符合则标定正确,否则重返设定新的晶面, 直至符合为止。
3)矢量法得其它各点。并由矢量叉乘得晶带轴指数,晶带轴与电子束的入射方向反向平行。
4)核查各过程,计算晶格常数。
四、单晶体电子衍射花样的标定
2. 未知晶体结构的花样标定
未知晶体结构时,可由N规律,初步确定其结构,再定其晶面指数。 举例2 已知相机常数K=1.700mm.nm,各直径见表,确定物相。
由N的规律确定为BCC结构,由d=Lλ/r得d,查ASTM卡片发现α-Fe最符,故为α-Fe相。
谢谢!再见!
五、多晶体的电子衍射花样
多晶体的电子衍射花样等同于多晶体的X射线衍射花样,为系列同心圆。 其花样标定相对简单,同样分以下两种情况: 1.已知晶体结构 具体步骤如下: 1)测定各同心圆直径Di,算得各半径Ri; 2)由Ri/K(K为相机常数)算得1/di; 3)对照已知晶体PDF卡片上的di值,直接确定各环的晶面指数{hkl}。 2.未知晶体结构
四、单晶体电子衍射花样的标定
6)由确定了的两个斑点指数(h1k1l1)和(h2k2l2),通过矢量合成其它点
7)定出晶带轴。
u k1l 2 k 2l1
v
l1h2
l 2h1
w h1k 2 h2k1
8)系统核查各过程,算出晶格常数。
举例1已知纯镍(fcc)简单电子 衍射花样(a=0.3523nm),花样 见图,定谱。
当晶体的点阵结构未知时,首先分析斑点的特点,确定其所属的点阵结构,然后再由前面所 介绍的8步骤标定其衍射花样。如何确定其点阵结构呢?主要从斑点的对称特点(见表6-1) 或1/d2值的递增规律(见表6-2)来确定。 花样标定的具体步骤: 1)判断是否简单电子衍射谱。如是则选择三个与中心斑点最近斑点:P1、 P2、P3,并与中心构成平行四边形,并测量三个斑点至中心的距离ri。 2)测量各衍射斑点间的夹角。 3)由rd=Lλ,将测的距离换算成面间距di。 4)由试样成分及处理工艺及其它分析手段,初步估计物相,并找出相应的卡片,与实验得到 的di对照,得出相应的{hkl}. 5)用试探法选择一套指数,使其满足矢量叠加原理。 6)由已标定好的指数,根据ASTM卡片所提供的晶系计算相应的夹角,检验计算的夹角是否 与实测的夹角相符。 7)若各斑点均已指数化,夹角关系也符合,则被鉴定的物相即为STAM卡片相,否则重新标 定指数。

电子衍射花样标定教程和电子衍射图谱解析

电子衍射花样标定教程和电子衍射图谱解析
20
一个新的Bi基超导相的结构确定
在Bi系氧化物超导体的研究中,发现一个新的物相。经EDS成分 分析,该物相为Bi4(SrLa)8Cu5O7)。下面是在电镜中绕C*轴倾转晶体获 得的一套电子衍射图谱,其倾转角分别标在每张衍射谱左下端。
0.0
12.9
24.7
100
008
080
34.6
49.0
b*c*
7
电子衍射几何的基本公式
晶体对电子衍射的布拉格(Bragg)定律
2d hkl Sinθ = nλ 或 1d Sinθ = 2λ d Rd = Lλ
R = Ltg 2θ ≈ 2 LSinθ = Lλ 即
L:相机长度 λ:电子波长 (Lλ : 相机常数) R:衍射斑距透射斑长度 d: 衍射斑对应的晶面间距
23
多次电子衍射谱
晶体对电子的散射能力强,衍射束往往可视为晶体内新的入射束而产 生二次或多次Bragg反射。这种现象称为二次衍射或多次衍射效应。
二次衍射的基本条件是:
111 002
g1 + g 2 = g 3
即:
000 111
h1k1l1 + h2 k 2l2 = h3k3l3
金刚石结构中,002 是禁止衍射,因二 次衍射使 002 衍射斑点通常出现。
17
旋转晶体重构三维倒易点阵法
通过绕晶体某一特定 晶轴旋转试样,获得一系 列电子衍射花样,根据这 些电子衍射花样和旋转角 度,重构三维倒易点阵, 可确定未知结构所属晶系 及点阵参数。 试用简单立方晶体予 以说明。
18
c*
c*
θ1
c*
c*
θ2
θ3
b*
b*
b*
b*

第四章 复杂电子衍射花样1

第四章 复杂电子衍射花样1

ruvw (hkl)
(uvw)*
g⊥
ghkl
g//
(uvw)0*
14

g hkl = g // + g ⊥


→ → → = h a ∗ + k b∗ + l c ∗
ruvw (hkl)
(uvw)*
g⊥
The normal of (uvw)* is

r [uvw] = u a + v b + w c
(note that
), we obtain
→→ →→ ∗ 2 + v( a ⋅ b ) + w( a ⋅ c ) u = ua →→ →→ ∗ 2 + w( b ⋅ c ) v = u ( a ⋅ b ) + vb →→ →→ w∗ = u ( a ⋅ c ) + v( b ⋅ c ) + wc 2
5
5
1. 高阶劳厄带斑点的形成
入射电子束的波长越 长,则Ewald球的半 径会越小,会增加高 层倒易面上的倒易点 与Ewald球相交的机 会;
SOLZ FOLZ ZOLZ
6
当晶体点阵常数较 大(即倒易面间距 较小),导致Ewald 球可同时与几层相 互平行的倒易面上 的阵点相交,产生 几套衍射斑。
第四章 复杂电子衍射花样
Complex diffraction patterns
1
复杂电子衍射花样
高阶劳厄带斑点 超点阵衍射斑点 菊池衍射花样 孪晶衍射花样 二次衍射花样
2
2
第一节 高阶劳厄带斑点
3 3
1. 高阶劳厄带斑点的形成
在有些情况下,除零层倒易平面与反射球相截外,与此平 行的高层倒易平面上的阵点也可能与反射球相截,从而产 生相应的衍射.称这些衍射斑点为高阶劳厄带斑点 高阶劳厄带斑点

复杂电子衍射花样标定的简单方法——Carine法

复杂电子衍射花样标定的简单方法——Carine法
作。
关键词 : 电子衍 射花样 , aie软 件 , 定 方法 Cr n 标
中 图分 类 号: G 5. 3: T I 2 文献标 识 码 : ; 章编 号 : O — 6 8 2 0 ) 4 2 1 A文 1 6 9 5 (0 8 0 — O 在 电子衍 射谱 的标定 中 ,仅 靠零 层 或单 晶衍 射 谱往 往不 能 唯一 地确 定衍 射 相 的 晶体 结 构 。复 杂劳 厄点( 高阶、 晶、 如 孪 超点 阵 等 ) 含有 三维 空 间的 晶体 结 构参 数 , 对确 定 衍射 相 的 晶体结 构是 十 分有 用 的 。
1 . , 2 1 .8 R O3 R = 35 , 与 R 夹 角 为 6 。 算 得 R l 3 2 6。 =
131 . 。
晶 体 电子 衍 射 花 样 在 材料 科 学 的应 用 很 广 , 在 标 定衍 射 花 样时 ,一 般是 采 用尝 试一 校 核法 和 标 准
收 稿ห้องสมุดไป่ตู้日期 :0 8 0 — 5 20 — 3 2
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材 料 工 艺 ia EI . E I O.Ge l T FM &T O. I ! i I I I O N
图 2 衍 射 斑 点 测 量 图
Hae ” 。 n s项
图 4 实 际 斑 点 分 布
( ) 在 弹 出 的 对 话 框 中 , 输 入 加 速 电 压 为 4 10 V, 中“ ” 号 , 时可 算 出相应 的相机 常 数 为 5k 选 >符 此

K=32c . mA 。

() 5 输入 从衍 射 花样 中测 得 的 R , :及 交 角 n R , 。 ( ) 下 “ ” 号 , 计 算 出相 应 的 面 间 距 , 6按 >符 可 d,

材料现代分析技术-6高能电子衍射

材料现代分析技术-6高能电子衍射
结构
低能电子 衍射
低能电子衍射
• 以能量为10~500eV的电子束照射晶体样 品表面所产生的衍射现象
• 给出样品表面1~5个原子层的结构信息
单晶表面原子与二维点阵
• 单晶表面原子排列有三种状态 • 二维点阵的排列可用5种布拉菲点阵表达
二维点阵的倒易点阵
• 二维倒易点阵平面与二维正点阵平面平行
Rd = Lλ 这就是电子衍射基本公式。
L为衍射相机长度,当加速电压一定时,λ 值确定, L和λ 的乘积为一常数: K = Lλ
电子衍射的基本公式
R= g =λ
LKd
Rd = λL
K = λL
r R
=
λLgr
K:相机常数 L:相机长度
L
O
Νhkl
K'
K
ghkl G O*
G''
d = λL = K
RR
高能电子 衍射
电子衍射
• 早在1927年,戴维森(Davisson)和革末(Germer)就已用电子衍射 实验证实了电子的波动性,但电子衍射的发展速度远远落后于X射线衍射。 直到50年代,才随着电子显微镜的发展,把成像和衍射有机地联系起来后, 为物相分析和晶体结构分析研究开拓了新的途径。许多材料和粘土矿物中的 晶粒只有几十微米大小,有时甚至小到几百纳米,不能用X射线进行单个晶 体的衍射,但却可以用电子显微镜在放大几万倍的情况下,用选区电子衍射 和微束电子衍射来确定其物相或研究这些微晶的晶体结构。另一方面,薄膜 器件和薄晶体透射电子显微术的发展显著地扩大了电子衍射的研究和范围, 并促进了衍射理论的进一步发展。
电子衍射的基本公式
• 当电子束I0照射到试样晶面间距为d的晶面组 (hkl),在满足布拉格条件是,将产生衍射。透射 束和衍射束 在相机底版相交得到透射斑点O’和衍射 斑点G,它们的距离为R。

电子衍射及衍射花样标定

电子衍射及衍射花样标定

q
d
q L
q
G’ r
O
G’’
立方晶体[001]晶带
晶体中,与某一晶向[uvw]平行的 所有晶面(hkl)属于同一晶带, 称为[uvw]晶带,该晶向[uvw]称 为此晶带的晶带轴. 如 [001] 晶 带 中 包 括 ( 100 ) , (010)、(110)、(210)等 晶面。
[001]
晶带定律:若晶面(hkl)属于晶 带轴[uvw], 则有 hu+kv+lw=0 这就是晶带定理。
相机常数未知、晶体结构已知时衍射花样的标定
以立方晶系为例来讨论电子衍射花样的标定 电子衍射基本公式
同一物相,同一衍射花样而言, 为常数,有 R12:R22 :R32:…Rn2=N1:N2:N3:…Nn
立方晶系点阵消光规律 R12:R22 :R32:…Rn2=N1:N2:N3:…Nn
衍射 线序 号n 1 2 3 4 简单立方 体心立方
H、K、L全奇或全偶
4.单晶电子衍射花样标定

例:下图为某物质的电子衍射花样 ,试指标化并求其晶 胞参数和晶带方向。 RA=7.1mm, RB=10.0mm, RC=12.3mm, (RARB)90o, (rArC)55o.
A
C
B 000
4.单晶电子衍射花样标定
解2:
2 2 2 1)由 RA : RB : RC N1 : N2 : N3 2 : 4 : 6
晶面间距
立方晶系的晶面间距公式为:
d
四方晶系的晶面间距公式为:
a h2 k 2 l 2
1 h2 k 2 l 2 2 2 a c
d
六方晶系的晶面间距公式为:
d
a 4 2 a (h hk k 2 ) ( ) 2 l 2 3 c

复杂电子衍射花样(材料分析方法)

复杂电子衍射花样(材料分析方法)

复杂电子衍射花样(材料分析方法)材料研究方法第五节复杂电子衍射花样一、多晶衍射花样的分析多晶体样品的电子衍射花样和某射线粉末照相法所得到的花样的几何特征非常相似,是由一系列不同半径的同心圆环所组成的。

这种环形花样的产生,是由于受到入射束幅照的样品区域内存在着大量取向杂乱的细小晶体颗粒,d值相同的同一{hkl}晶面族内符合衍射条件的晶面组所产生的衍射束,构成以入射束为轴、2θ为半顶角的圆锥面,它与照相底板的交线即为半径R=λL/d的圆环(图1)。

实际上,属于同一{hkl}晶面族、但取向杂乱的那些晶面组的倒易阵点,在空间构成以O某为中心、g=1/d为半径的球面,它与爱瓦尔德球面的交线是一个圆。

衍射花样中的圆环,就是这一交线的投影放大象。

d值不同的晶面族,将产生半径不同的圆环。

图1多晶体样品电子衍射花样的产生多晶衍射花样的分析,其目的也不外乎两方面:一是利用已知晶体样品标定相机常数,二是鉴定大量弥散的抽取复型粒子或其他多晶粒子的物相。

多晶花样的分析,一般采用以下步骤:1、测量每个衍射环的半径R1、R2、R3、为减少测量误差,通常测量衍射环的直径2R,然后计算得R;2、计算R,并分析R比值得递增规律,确定各衍射环得N值,并写出衍射环得指数{hkl};3、对于已知物质,也可根据d=λL/R计算各衍射环得晶面间距,对照ASTM卡片材料研究方法二、复杂花样的分析除了简单花样的规则斑点以外,在单晶电子衍射花样中常常出现一些“额外的斑点”或其他图案,构成所谓的复杂花样。

复杂花样的种类较多,常见的有下列几种:1、因爱瓦尔德球的曲率半径有限,可能有不止一个晶带的晶面组参与衍射而出现的高阶劳厄带斑点;2、因晶体结构的变化如有序化固溶体产生的超点阵衍射斑点;3、因入射电子在样品晶体内受到多次散射而导致的双衍射和菊池衍射花样;4、孪晶花样;5、由于晶体的形状、尺寸、位向以及缺陷所引起的衍射斑点的变形和位移。

下面介绍两种复杂花样:(一)超点阵斑点当晶体内部的原子或离子产生有规律的位移或不同种原子产生有序排列时,将引起其电子衍射结果的变化,即可以使本来消光的斑点出现,这种额外的斑点称为超点阵斑点。

材料科学研究:复杂电子衍射花样

材料科学研究:复杂电子衍射花样

g m
其对应的倒易点指数为hkl,孪晶后该点的指数为htktlt,对应的倒矢量为 g t
由孪晶的特点可知,孪晶中的倒易点可以通过基体中任一倒易矢量或倒易阵点绕
孪晶轴旋转180°获得,见图6-28,有下列关系:
g g
t m
gt
g m
n[HKL]
n
为孪晶轴的单位矢量,大小取决于HKL的值,即
二、孪晶斑点
谢谢!再见!
如果入射电子束的方向与孪晶面不平行,得到的衍射花样就不能直观地反映孪晶与基体
之间取向的对称性,几何法标定孪晶花样将非常困难,此时可采用矩阵代数法算出孪晶斑点
指数,立方系的变换矩阵推导过程简述如下:
二、孪晶斑点
图6-28 基体与孪晶的倒易点阵关系图
设 孪晶面为(HKL),孪晶轴即孪晶面的法线[HKL],基体中的任一倒易矢量为
a
a
h2 k 2 l2 (nH h)2 (nK k)2 (nL l)
解之得:n
(2 hH+kK lL) H 2 K 2 L2
得孪晶斑点得指数矩阵:
h t
k t
lt
h k l
2H (hH kK lL)
H 2 K 2 L2 2K (hH kK lL)
H 2 K 2 L2 2L(hH kK lL)
ht
k
t
lt
h 2 H (H kK lL) 3
k 2 K (hH kK lL) 3
l 2 L(hH kK lL) 3
三 、高阶劳厄斑点
1)原理
(a)对称劳埃带
(b)不对称劳埃带
(c)重叠劳埃带
图6-29 三种劳埃带的示意图
三 、高阶劳厄斑点
2)应用
由零层劳埃带的存在范围R0和相机长度L,可以估算晶体在入射方向上的厚度t:

材料分析方法教学课件DM电子衍射花样标定

材料分析方法教学课件DM电子衍射花样标定
R L 1
d
求出相应的晶面间距d1,d2,d3,d4 ••••
3) 因为晶体结构是已知的,某一d值即为该晶体某一晶面族的晶面间距,故可 根据d值定出相应的晶面族指数{hkl},即由d1查出{h1k1l1},由d2查出 {h2k2l2},依次类推。
4) 测定各衍射斑点之间的夹角。 5) 决定离开中心斑点最近衍射斑点的指数。
花样特征:
单晶电子衍射花样就是(uvw)*0零层倒易截面的放大像 成像原理和典型衍射花样见下图,
单晶电子衍射花样几何特征的表达
已知单晶花样是一个零层二维倒易截面,其倒易点规则排列,具有明显对 称性,且处于二维网络的格点上。
表达花样对称性的基本单元为平行四边形。
平行四边形可用两边夹一角来表征。 平行四边形的选择: 1. 最短边原则 R1<R2<R3<R4 2. 锐角原则:600 ≤θ≤900
(2)未知晶体结构时,可根据系列衍射斑点计算的面间距 来查JCPDS(PDF)卡片的方法
(3)标准花样对照法
(4)根据衍射斑点特征平行四边形的查表方法
一、已知晶体结构衍射花样的标定 1. 尝试-核算(校核)法 1) 测量靠近中心斑点的几个衍射斑点至中
心斑点距离R1,R2,R3,R4 ••••(见图) 2) 根据衍射基本公式
比值法2未知晶体结构时可根据系列衍射斑点计算的面间距来查jcpdspdf卡片的方法3标准花样对照法4根据衍射斑点特征平行四边形的查表方法一已知晶体结构衍射花样的标定测量靠近中心斑点的几个衍射斑点至中心斑点距离r因为晶体结构是已知的某一d值即为该晶体某一晶面族的晶面间距故可根据d值定出相应的晶面族指数hkl即由d两个指数为0的晶面族有6种标法因此第一个指数可以是等价晶面中的任意一个

4-电子衍射花样分析-无底板

4-电子衍射花样分析-无底板
多晶衍射花样是同心圆环 圆锥+爱瓦尔德球=圆环 圆环由d值相等的晶面族{hkl}组 成 分析花样就是确定每个衍射环的晶 面指数,或者确定晶体结构

昆明理工大学材料学院 王剑华
12
衍射花样标定基础

立方晶系中,晶面间距d
d
2
a h2 k 2 l 2
R1 R3 R2
1 d
h k l N a a
i
F f 1 ei ( h k l )


001 101 000 100 ½½½ 110 111
011
F 2f F 0
当 h k l 为偶数 当 h k l 为奇数
010
eni cos n i sin n
当n为奇数, 当n为偶数
昆明理工大学材料学院 王剑华
e ni 1 e
ni
体心立方能产生衍射的是H+k+l = 偶数的晶面 110, 200, 220, 310, 222, 321,400,
9
1
常见晶系可以出现衍射的条件
晶体类型 简单立方 体心立方 出现衍射条件 任意 h+k+l=2n 结构因子F f2 2f2 晶胞中原子数 1 2
面向立方
衍射环号
1
2
3
4
5
6
7
R(mm)
R2 Ri2/R12
6.28
1.00
7.27
1.34
10.29 12.05 12.57 14.62 15.87
2.68 3.68 11 311 4.06 12 222 5.42 16 400 6.38 18 331
39.44 52.35 105.9 145.2 158.0 213.8 251.8
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第五节复杂电子衍射花样一、多晶衍射花样的分析多晶体样品的电子衍射花样和X射线粉末照相法所得到的花样的几何特征非常相似,是由一系列不同半径的同心圆环所组成的。

这种环形花样的产生,是由于受到入射束幅照的样品区域内存在着大量取向杂乱的细小晶体颗粒,d值相同的同一{hkl}晶面族内符合衍射条件的晶面组所产生的衍射束,构成以入射束为轴、2θ为半顶角的圆锥面,它与照相底板的交线即为半径R=λL/d 的圆环(图1)。

实际上,属于同一{hkl} 晶面族、但取向杂乱的那些晶面组的倒易阵点,在空间构成以O*为中心、g=1/d为半径的球面,它与爱瓦尔德球面的交线是一个圆。

衍射花样中的圆环,就是这一交线的投影放大象。

d值不同的晶面族,将产生半径不同的圆环。

图1 多晶体样品电子衍射花样的产生多晶衍射花样的分析,其目的也不外乎两方面:一是利用已知晶体样品标定相机常数,二是鉴定大量弥散的抽取复型粒子或其他多晶粒子的物相。

多晶花样的分析,一般采用以下步骤:1、测量每个衍射环的半径R1、R2、R3、……。

为减少测量误差,通常测量衍射环的直径2R,然后计算得R;2、计算R,并分析R比值得递增规律,确定各衍射环得N值,并写出衍射环得指数{hkl};3、对于已知物质,也可根据d=λL/ R 计算各衍射环得晶面间距,对照ASTM卡片写出环的指数;对于未知物质,如果已知相机常数,可计算晶面间距d值,估计衍射环的相对强度,根据三强线的d值查ASTM索引,找出数据接近的几张卡片,仔细核对所有d值和相对强度,并参考已经掌握的其他资料,确定样品的物相。

二、复杂花样的分析除了简单花样的规则斑点以外,在单晶电子衍射花样中常常出现一些“额外的斑点”或其他图案,构成所谓的复杂花样。

复杂花样的种类较多,常见的有下列几种:1、因爱瓦尔德球的曲率半径有限,可能有不止一个晶带的晶面组参与衍射而出现的高阶劳厄带斑点;2、因晶体结构的变化如有序化固溶体产生的超点阵衍射斑点;3、因入射电子在样品晶体内受到多次散射而导致的双衍射和菊池衍射花样;4、孪晶花样;5、由于晶体的形状、尺寸、位向以及缺陷所引起的衍射斑点的变形和位移。

下面介绍两种复杂花样:(一)超点阵斑点当晶体内部的原子或离子产生有规律的位移或不同种原子产生有序排列时,将引起其电子衍射结果的变化,即可以使本来消光的斑点出现,这种额外的斑点称为超点阵斑点。

AuCu3合金是面心立方固溶体,在一定的条件下会形成有序固溶体,如图2(书上图10-20)所示,其中Cu原子位于面心,Au位于顶点。

图2 AuCu3合金中各类原子多占据的位置(a)无序相αb)有序相α/)面心立方晶胞中有四个原子,分别位于(0,0,0)、(0,1/2,1/2)、(1/2,0,1/2)和(1/2,1/2,0)位置。

在无序的情况下,对h、k、l全奇或全偶的晶面组,结构振幅:F=4f平均=0.75f Au+0.25f Cu。

当h、例如:含有0.75Cu、0.25Au的AuCu3无序固溶体,f平均k、l有奇有偶时,F=0,产生消光。

但在AuCu3有序相中,晶胞中四个原子的位置分别地由一个Au原子和三个Cu 原子所占据。

这种有序相的结构振幅为:所以,当h、k、l全奇全偶时,F/a=f Au+3f Cu;而当h、k、l有奇有偶时,F/a=f Au -f Cu≠0,即并不消光。

从两个相地倒易点阵老看,在无序固溶体中,原来由于结构消光应当抹去地一些阵点,在有序化转变之后F也不为零,构成所谓“超点阵”。

于是,衍射花样中也将出现相应地额外斑点,叫做超点阵斑点。

图3(书上图10-21)为AuCu3有序化合金超点阵斑点及指数化结果,它是有序相α/与无序相α两相衍射花样地叠加。

其中两相共有地面心立方晶体地特征斑点{200}、{220}等互相重合,因为两相点阵参数无大差别,且保持{100}α∥{100}α/,<100>α∥<100>α/的共格取向关系。

花样中(100),(010)及(110)等即为有序相的超点阵斑点。

由于这些额外斑点的出现,使面心立方有序固溶体的衍射花样看上去和简单立方晶体规律一样。

应特别注意的是,超点阵斑点的强度低,这与结构振幅的计算结果是一致的。

图3 AuCu3有序相的超点阵花样(a)及指数化结果b)二、孪晶斑点材料在凝固、相变和变形过程中,晶体内的一部分相对于基体按一定的对称关系生长,即形成了孪晶。

图4(书上图10-22)为面心立方晶体基体(110)面上的原子排列,基体的(111)面为孪晶面。

若以孪晶面为镜面,则基体和孪晶的阵点以孪晶面作镜面反射。

若以孪晶面的法线为轴,把图下方基体旋转180°也能得到孪晶的点阵。

既然在正空间中孪晶和基体存在一定的对称关系,则在倒易空间中孪晶和基体也应存在这种对称关系,只是在正空间中的面与面之间的对称关系应转换成倒易阵点之间的对称关系。

所以,其衍射花样应是两套不同晶带单晶体衍射斑点的叠加,而这两套斑点的相对位向势必反映基体和孪晶之间存在着的对称取向关系。

最简单的情况是,电子束B平行于孪晶面,例如B=[110]M,所得到的花样如图5(书上图10-23)所示。

两套斑点呈明显对称性,并与实际点阵的对应关系完全一致。

如果将基体的斑点以孪晶面(111)作镜面反映,即与孪晶斑点重合。

如果以g111(即[111])为旋转180°,两套斑点也将重合。

图4 晶体中基体和孪晶的对称关系图5 面心立方晶体(111)孪晶的衍射花样(B=,按[111]面反映方式指数化)如果入射电子束和孪晶面不平行,得到的衍射花样就不能直观的反映出孪晶和基体间取向的对称性,此时可先标定出基体的衍射花样,然后根据矩阵代数导出结果,求出孪晶斑点的指数。

对体心立方晶体可采用下列公式计算:(10-19)其中(pqr)为孪晶面,体心立方结构的孪晶面是{112},共12个。

(hkl)是基体中将产生孪生的晶面,(h/k/l/)是(hkl)晶面产生孪晶后形成的孪晶晶面。

例如孪晶面将产生孪晶的晶面入上式得即(hkl)面发生孪晶转变后,其位置和基体的(222)重合。

对于面心立方晶体,其计算公式:(10-20)面心立方晶体孪晶面是{111},共有四个。

例如孪晶面为(111)时,当据上述计算(h/k/l/)为(600),即产生孪晶后其位置和基体的(600)重合,图6(书上图10-24)绘出单斜相ZrO2的孪晶衍射斑点。

图6 单斜相ZrO2的孪晶衍射斑点一般地,简单花样所提供的晶体学信息是最重要的,花样中出现额外的斑点或图案常常干扰对简单花样的正确分析。

但另一方面,复杂花样可以给出简单花样所不能提供的一些额外信息,利用这些信息有时一可使我们提高分析结果的精确性。

关十复杂花样的几何特征和分析方法请参阅有关书籍。

第十一章晶体薄膜衍衬成像分析一、透射电镜样品制备原理能否充分发挥透射电镜的作用,样品的制备是关键的一环。

供透射电镜观察的样品,必须根据不同仪器的要求和试样的特征来选择适当的制备方法,才能达到较好的效果。

问题在于,在透射电镜中,电子束是透过样品成像的,而电子束的穿透能力不大,这就要求要将试样制成很薄的薄膜样品。

电子束穿透固体样品的能力,主要取决于加速电压(或电子能量)和样品物质的原子序数。

一般来说,加速电压越高,样品原子序数越低,电子束可以穿透的样品厚度就越大。

对于透射电镜常用的50~100kV电子束来说,样品的厚度控制在100~200nm为宜。

这样薄的样品需用铜网承载,装入样品台中,再放入透射电镜的样品室中才可进行观察。

显然,要制备这样薄的固体样品并不是那么简单。

因此,自从透射电镜问世以来,人们就致力于发展样品制备技术。

到目前为止,透射电镜的样品制备方法已有很多,最常用的可分为支持膜法、复型法、晶体薄膜法和超薄切片法四种。

有机高分子材料必要时还要进行染色和刻蚀处理。

下面,简单讨论一下这几种方法的制样原理。

(一)支持膜法粉末试样和胶凝物质水化浆体多采用此法。

一般做法是将试样载在一层支持膜上或包在薄膜中,改薄膜再用铜网承载。

如图7所示。

支持膜的作用是支撑粉末等试样,而铜网的作用是加强支持膜。

图7铜网和支持膜支持样品示意图支持膜材料必须具备下列条件:(1)本身没有结构,对电子束的吸收不大,以免影响对试样结构的观察;(2)本身颗粒度要小,以提高样品分辨率;(3)本身有一定的力学强度和刚度,能承受电子束的照射而不致畸变或破裂。

常用的支持膜材料有:火棉胶、聚乙酸甲基乙烯酯、碳、氧化铝等。

表1列出了几种最常用的塑料类支持膜材料。

上述材料除了单独能作支持膜材料外,还可以在火棉胶等塑料支持膜上再镀上一层碳膜,以提高其强度和耐热性。

镀碳后的支持膜称为加强膜。

表1 常见的塑料支持膜和复型材料支持膜上的粉末试样要求高度分散,因而不易制作。

刻根据不同情况选用如下分散方法:(1)包藏法。

将适量的微粒试样加入制造支持膜的有机溶液中,使之分散,再制成支持膜,这样,试样即包藏在支持膜中。

(2)撒布法。

干燥分散的微粒试样可以直接撒在支持膜表面,然后用手轻轻扣击,或用超声波仪器进行处理,去掉多余的微粒,剩下的就分散在支持膜上。

(3)悬浮法。

未经干燥的微粒、悬浮液中的微粒可使用此法。

一般以蒸馏水或有机剂作为悬浮剂,但不能使用对试样或支持膜有溶解性的溶剂。

样品制成悬浮液后滴在支持膜上,干后即成。

胶凝物质如石灰、水泥的水化浆体的样品制作也类似于这个方法。

(4)糊状法。

对于在干燥、湿润状态易结团的微粒试样,油脂物质内的固体成分,可用此法。

用少量的悬浮剂和分散剂与微粒试样调成糊状,涂在金属网的支持膜上,然后浸入悬浮液或用悬浮液冲洗,则残留在支持膜上的试样就达到均匀分散的目的。

用凡士林作微粒分散剂,用苯奈溶去凡士林,也可得到良好的效果。

凡士林用悬浮法容易在干燥过程中产生再凝聚的试样,用此法较好。

(5)喷雾法。

凡用悬浮法在干燥过程中易产生凝聚的粉粒试样,也可用特制的喷雾器将悬浮液喷成极细的雾粒,黏附在支持膜上。

图8显示了用支持膜法制作白垩颗粒和聚苯乙烯塑料球透射电子显微图像。

图8 支持膜法显微镜图像(二)复型法复型是利用一种薄膜(如碳、塑料、氧化物薄膜)将固体试样表面的浮雕复制下来的一种间接样品。

因此,它只能作为试样形貌的观察和研究,而不能用来观察试样的内部结构。

但对于在电镜中易起变化的样品和难以制成电子束可以透过的薄膜的试样多采用复型法。

复型材料和支撑膜材料完全相同。

在材料研究中,复型法常用以下三种:1、塑料一级复型图9 塑料一级复型(未经投影)样品及电子强度示意图制备程序如下,以经过表面处理(如腐蚀)的试样表面上滴几滴醋酸甲脂溶液,然后滴一滴塑料溶液(常用火棉胶),刮平,干后将塑料膜剥离下来即成,薄膜厚度约70~100nm(图9),必要时再进行投影。

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