真空沉积技术

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物理气相沉积(PVD)技术

物理气相沉积(PVD)技术

物理气相沉积(PVD)技术第一节 概述物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)技术表示在真空条件下,采用物理方法,将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。

物理气相沉积技术早在20世纪初已有些应用,但在最近30年迅速发展,成为一门极具广阔应用前景的新技术。

物理气相沉积的主要方法有,真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜,及分子束外延等。

发展到目前,物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。

真空蒸镀基本原理是在真空条件下,使金属、金属合金或化合物蒸发,然后沉积在基体表面上,蒸发的方法常用电阻加热,高频感应加热,电子柬、激光束、离子束高能轰击镀料,使蒸发成气相,然后沉积在基体表面,历史上,真空蒸镀是PVD法中使用最早的技术。

溅射镀膜基本原理是充氩(Ar)气的真空条件下,使氩气进行辉光放电,这时氩(Ar)原子电离成氩离子(Ar+),氩离子在电场力的作用下,加速轰击以镀料制作的阴极靶材,靶材会被溅射出来而沉积到工件表面。

如果采用直流辉光放电,称直流(Qc)溅射,射频(RF)辉光放电引起的称射频溅射。

磁控(M)辉光放电引起的称磁控溅射。

电弧等离子体镀膜基本原理是在真空条件下,用引弧针引弧,使真空金壁(阳极)和镀材(阴极)之间进行弧光放电,阴极表面快速移动着多个阴极弧斑,不断迅速蒸发甚至“异华”镀料,使之电离成以镀料为主要成分的电弧等离子体,并能迅速将镀料沉积于基体。

因为有多弧斑,所以也称多弧蒸发离化过程。

离子镀基本原理是在真空条件下,采用某种等离子体电离技术,使镀料原子部分电离成离子,同时产生许多高能量的中性原子,在被镀基体上加负偏压。

这样在深度负偏压的作用下,离子沉积于基体表面形成薄膜。

物理气相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤:(1)镀料的气化:即使镀料蒸发,异华或被溅射,也就是通过镀料的气化源。

真空技术在半导体生产中的应用

真空技术在半导体生产中的应用

真空技术在半导体生产中的应用在半导体生产过程中,真空技术被广泛应用。

半导体工艺的基础是通过各种化学方法在硅晶片上形成层层薄膜,建立各种微细器件的结构和功能,而真空技术则是这些过程中不可或缺的环节。

一、真空技术在半导体生产中的作用在半导体生产过程中,真空技术主要用于以下几个方面:1. 沉积层沉积层是半导体生产中最常见的工艺,它用于制作各种微电子元器件的介质层、金属导线、触头等。

真空沉积技术可以将材料在真空中加热,使其蒸发并在晶片表面沉积。

这种技术可以实现单硅片和批量生产,具有高效、稳定、精度高等特点。

2. 蒸镀技术蒸镀技术是一种利用真空条件下金属蒸发并在物体表面沉积薄膜的技术,它通常用于制作金属导体、金属连接器等。

真空蒸镀技术可以避免其他工艺中可能产生的杂质,保证薄膜质量的稳定性。

3. 离子注入技术离子注入是一种特殊的真空处理技术,在半导体制造过程中用于控制芯片上的材料化合物平衡、修改材料表面物理化学特性等。

该技术可以使材料表面受到强制注入离子,从而形成特定的化学物质,达到对材料表面的改造和调节作用。

以上三个技术是半导体生产中最常见的真空技术,它们的应用使生产过程更加自动化、准确和稳定,并且提高了生产效率和产品质量。

二、真空技术的重要性真空技术在半导体生产中的应用是非常关键的,其重要性主要有以下几点:1. 高纯度材料的制备半导体生产过程中的高纯度材料对产品质量的影响非常大,而真空技术可以在高真空状态下对材料进行加工和制备,避免了空气中可能产生的污染物和杂质,确保生产的材料高纯度。

2. 制程条件的可控性在制造半导体产品时,要求制程条件非常严格,而真空技术可以使生产环境具有良好的控制性和统一性,使生产过程稳定可靠。

3. 生产成本控制半导体生产中的成本问题一直是困扰制造商的难题,而真空技术可以通过高效能的设备和技术来降低生产成本,提高收益。

总之,真空技术对于半导体生产具有重要的意义,不仅可以提高产品的质量和制造的效率,而且可以降低成本,进一步推动半导体产业的发展。

真空技术在物理实验中的蒸发与沉积方法

真空技术在物理实验中的蒸发与沉积方法

真空技术在物理实验中的蒸发与沉积方法在物理实验中,真空技术被广泛应用于各个领域,其在材料科学研究中的蒸发与沉积方法尤为重要。

蒸发与沉积是指将固体材料升华或气相物质沉积到基底上的过程。

本文将针对真空技术的蒸发与沉积方法展开论述。

一、蒸发技术1. 热源蒸发法热源蒸发法是最常见的蒸发技术之一。

通过加热材料到其蒸发温度,使其直接升华,形成蒸气沉积在基底上。

这种方法可以用于制备纯净的金属、氧化物和半导体材料。

但是,热源蒸发法的主要缺点是易导致样品结构的变化,同时,材料的浓度难以控制。

2. 电子束蒸发法电子束蒸发法利用电子束轰击材料进行蒸发。

电子束蒸发法具有较高的功率密度,可以实现较大范围的蒸发。

此外,这种方法可以通过控制电子束的扫描速度和轰击功率来实现对材料的精确控制,从而使蒸发过程更加稳定。

3. 溅射蒸发法溅射蒸发法是一种基于物理性质的蒸发方法。

在真空室中,通过在目标材料上施加电压,产生高速离子束与目标相撞击,使材料升华并沉积在基底上。

这种方法适用于制备薄膜材料,并且可以实现对薄膜沉积速率和形貌的精确控制。

二、沉积技术1. 化学气相沉积法化学气相沉积法利用气体在真空环境中进行化学反应的原理,将材料从气相沉积到基底上。

这种方法特别适用于制备高纯度、均匀的薄膜材料。

在化学气相沉积法中,还有化学气相沉积(CVD)和分子束外延(MBE)等不同的方法。

2. 电子束蒸发沉积法电子束蒸发沉积法是利用电子束轰击材料产生的高能量电子使其升华,并通过自由传播到基底上进行沉积的方法。

这种方法具有较高的温度控制精度和较小的基底污染,适用于制备单晶材料。

3. 磁控溅射沉积法磁控溅射沉积法是一种在真空环境中通过磁场控制离子和中性粒子的轨迹来实现材料沉积的方法。

这种方法具有高沉积速率、良好的附着力和均匀性等优点。

它在制备金属薄膜和合金薄膜方面有着广泛的应用。

总结起来,真空技术在物理实验中的蒸发与沉积方法主要包括热源蒸发法、电子束蒸发法、溅射蒸发法、化学气相沉积法、电子束蒸发沉积法和磁控溅射沉积法等。

陶瓷真空电镀工艺

陶瓷真空电镀工艺

陶瓷真空电镀工艺
陶瓷真空电镀工艺是一种将金属材料沉积在陶瓷表面的工艺。

该工艺采用真空技术和电化学原理,通过在真空环境下加热金属丝,使其蒸发并沉积在预先处理好的陶瓷表面上,形成金属镀层。

在陶瓷真空电镀工艺中,首先需要对陶瓷进行处理,通常是采用化学物质对表面进行清洗,去除陶瓷表面上的杂质和油脂,以保证金属沉积的质量和陶瓷表面的平整度。

随后,将处理好的陶瓷放置在真空室内,通过泵抽除室内空气,以创造真空环境。

接着,将金属丝加热至蒸发温度,使金属蒸气沉积在陶瓷表面上,形成金属镀层。

金属镀层的厚度和质量可以通过控制金属丝的加热温度、真空度和镀层时间来调节。

陶瓷真空电镀工艺的优点在于,能够为陶瓷表面增加金属镀层,提高其耐磨损性、耐腐蚀性和导电性等性能,同时还具有美观的外观效果。

此外,该工艺还具有环保性和良好的耐高温性能等特点。

真空技术应用

真空技术应用

真空技术应用真空技术是一种应用于各个领域的高科技技术,它基于将空间中的气体分子抽取出来,创造出一种稀薄的气压环境。

真空技术在工业制造、科学研究、医疗领域等方面都有广泛的应用。

本文将探讨真空技术在这些领域的应用以及其所带来的益处。

一、工业制造领域中的1. 真空薄膜沉积技术真空薄膜沉积技术是一种通过在材料表面沉积一层薄膜来改善其性能的方法。

这项技术在半导体、光电、化工以及其他领域的制造过程中起着至关重要的作用。

通过将材料放置在真空室中,控制气压和温度,以及注入相应的材料气体,可以在材料表面沉积出精确、均匀的薄膜。

这种技术不仅提高了产品的质量和性能,而且还可保护材料免受环境腐蚀。

2. 真空包装技术真空包装技术利用真空环境抽取包装容器中的气体,形成一种低氧、低湿、低压的环境,有效地延长了食品和药品等易腐产品的保质期。

真空包装不仅可以防止氧化和细菌滋生,还能够减少产品的体积和重量,方便储存和运输。

此外,真空包装还可以保持产品的新鲜度和口感,提高产品的质量。

二、科学研究领域中的1. 真空管真空管是一种在真空环境中运作的电子元件,它是电子技术的基础。

通过将真空管内的空气抽出,可以防止电子器件中的氧化反应和能级跃迁,从而保证电子管的顺利工作。

真空管在放大、开关、调谐和检波等电子电路中有着广泛的用途,是现代通信、计算机、音频设备等高端技术的重要组成部分。

2. 真空中的实验在科学研究中,真空环境可以模拟太空的真实条件,便于进行各种物理、化学和生物实验。

例如,通过在真空中进行材料合成实验,可以控制反应的速率和纯度,得到更纯净的材料。

此外,真空条件下的观测和测量也可以得到更准确的数据,为科学研究提供更可靠的依据。

三、医疗领域中的1. 真空吸引装置真空吸引装置是一种医疗设备,通过抽取患者体内的气体或液体,减轻内压,促进创伤恢复或发挥其他治疗效果。

例如,在手术中,真空吸引装置可以帮助清除手术现场的血液和分泌物,保持手术视野的清晰;在创伤和烧伤治疗中,真空吸引装置可以减少伤口的感染和促进伤口愈合。

高速精密齿轮传动装置的表面处理与涂层技术研究

高速精密齿轮传动装置的表面处理与涂层技术研究

高速精密齿轮传动装置的表面处理与涂层技术研究一、引言高速精密齿轮传动装置在现代工业中具有重要的应用,广泛应用于航空、航天、汽车、机械等领域。

因其承受高速转动、大扭矩和严苛工况的特点,表面处理和涂层技术显得尤为重要。

本文旨在研究高速精密齿轮传动装置的表面处理与涂层技术,以提高其耐磨性、耐腐蚀性、减少摩擦损失,从而提高齿轮传动装置的使用寿命和效率。

二、表面处理技术1. 碳化处理碳化处理是齿轮传动装置表面处理的一种常见方法。

通过在齿轮表面加入足够碳源,在高温下进行热处理,将碳渗透到表面,形成一层高硬度的碳化物,如碳化铁或碳化钨等。

这种处理可以提高齿轮的硬度和耐磨性,减少齿轮在高速转动时的磨损。

2. 氮化处理氮化处理是另一种常用的表面处理方法。

通过在高温和氮气气氛中进行处理,氮原子渗透到齿轮表面,形成一层氮化物。

氮化物具有较高的硬度和耐磨性,可以显著提高齿轮的表面硬度和磨损性能。

3. 渗氮处理渗氮处理是将氮元素渗透到齿轮表面的一种方法。

这种处理方法可以提高齿轮的硬度和强度,减少齿轮在高速运动时的变形和磨损。

4. 表面涂层表面涂层是一种将涂层材料覆盖在齿轮表面的方法。

常用的涂层材料包括钼二硫化物(MoS2)、氮化硼(BN)、钛氮化物(TiN)等。

这些涂层具有优异的润滑性能和耐磨性,可以有效减少齿轮之间的摩擦损失,提高齿轮传动装置的效率和寿命。

三、涂层技术的研究进展1. 真空沉积技术真空沉积技术是一种常用的表面涂层技术。

该技术通过在高真空条件下沉积涂层材料,可以形成一层均匀、致密且具有良好粘附力的涂层。

但是该技术成本较高,工艺复杂,且涂层厚度有限。

2. 离子束沉积技术离子束沉积技术是近年来发展起来的一种先进的表面涂层技术。

该技术利用离子束轰击齿轮表面,使涂层材料离子化并沉积在表面上。

离子束沉积技术具有高沉积速率、可调控的沉积厚度和较好的涂层质量等优点。

3. 溅射技术溅射技术是一种通过溅射源将材料溅射到齿轮表面的方法。

osp工艺

osp工艺

01
02
• 控制有机金属化合物的浓度和沉
积温度,影响薄膜性能
• 对基材进行预处理,提高基材与
• 调节稀释气体和反应气体的流量,
薄膜的结合力
改善薄膜性能
加强薄膜性能测试
03
04
加强后处理过程控制
• 采用合适的测试方法,准确评估
• 采用合适的表面处理方法,提高
薄膜性能
薄膜的稳定性
• 根据测试结果调整工艺参数,优
• 提高光电转换效率、降低成本等方面的技术创新,推动Osp工艺技术
的市场需求
表面工程领域
• 各种材料表面的处理需求不断增加,Osp工艺技术的市场需求扩大
• 提高耐腐蚀性、耐磨损性等方面的技术创新,推动Osp工艺技术的市场
需求

⌛️
03
Osp工艺技术的主要设备及材料
Osp工艺技术的主要设备
01
真空沉积设备
• 具有较低的活性,不易与稀释气体发生反应
04
Osp工艺技术的工艺流程及操作要点
Osp工艺技术的工艺流程
01
预处理基材
• 清洁基材表面,去除杂质
02
03
• 对沉积薄膜进行导电性、光学性能、耐腐
• 将有机金属化合物和稀释气体通入真空室
• 在真空环境下进行热分解或化学气相沉积
• 进行表面处理,提高基材与薄膜的结合力
化薄膜性能
作,避免损坏薄膜
Osp工艺技术的质量控制
基材质量控制
沉积过程控制
薄膜性能测试
后处理过程控制
• 保证基材的来源和性能,
• 控制有机金属化合物的
• 采用合适的测试方法,
• 采用合适的表面处理方
避免杂质影响薄膜性能

PVD(物理气相沉积)简介

PVD(物理气相沉积)简介

书山有路勤为径,学海无涯苦作舟
PVD(物理气相沉积)简介
1. PVD 简介PVD 是英文Physical Vapor Deposition(物理气相沉积)的缩写,是指在真空条件下,采用低电压、大电流的电弧放电技术,利用气体放
电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离,利用电场的加速作用,使被
蒸发物质及其反应产物沉积在工件上。

2. PVD 技术的发展PVD 技术出现于二十世纪七十年代末,制备的薄膜具
有高硬度、低摩擦系数、很好的耐磨性和化学稳定性等优点。

最初在高速钢刀
具领域的成功应用引起了世界各国制造业的高度重视,人们在开发高性能、高
可靠性涂层设备的同时,也在硬质合金、陶瓷类刀具中进行了更加深入的涂层
应用研究。

与CVD 工艺相比,PVD 工艺处理温度低,在600℃以下时对刀具材料的抗弯强度无影响;薄膜内部应力状态为压应力,更适于对硬质合金精密复
杂刀具的涂层;PVD 工艺对环境无不利影响,符合现代绿色制造的发展方向。

目前PVD 涂层技术已普遍应用于硬质合金立铣刀、钻头、阶梯钻、油孔钻、铰刀、丝锥、可转位铣刀片、异形刀具、焊接刀具等的涂层处理。

PVD 技术不仅提高了薄膜与刀具基体材料的结合强度,涂层成分也由第
一代的TiN 发展为TiC、TiCN、ZrN、CrN、MoS2、TiAlN、TiAlCN、TiN- AlN、CNx、DLC 和ta-C 等多元复合涂层。

3. 星弧涂层的PVD 技术增强型磁控阴极弧:阴极弧技术是在真空条件下,通过低电压和高电流将靶材离化成离子状态,从而完成薄膜材料的沉积。

增强型磁控阴极弧利用电磁场的共同作用,将靶材表面的电弧加以有效地控
制,使材料的离化率更高,薄膜性能更加优异。

真空沉积技术

真空沉积技术


膜 溅射镀膜也是由三个阶段组成。 的
原 理
正离子
溅射原子




基 片
靶面原子 的溅射
溅射原子向 基片的迁移
溅射原子在 基片沉积
溅 靶面原子的溅射
射 镀 膜
当高速正离子轰击作为阴极的靶材时;靶面产生许多 复杂的现象
的 原 理 及 特 点
离子轰击固体表面发溅射 离子散射 离子的

• 工作气体的种类 • 靶的温度;温度高更有利
于溅射
10-2 10-3
Xe Ar
Ne
He H
• 工作气体离子入射的角
10-4
O

10-15 01 102 103 104 105 106
正离子量Q的增加;虽能增加溅射量S; 但这将增加工作气体的压力;伴随带 来杂质的增加;影响膜层质量
能量 (eV)
溅射产额与入射离子
理 泵外;还要考虑解吸气体的影响

• 污染作用 残余气体分子以一定速度在真空室内作无规则的运动;
其 并以一定的几率与工件表面相碰撞 即使在高真空的条件下;单位时
基 间内与基片碰撞的气体分子数也是十分可观的 残余气体分子到达基
本 片后;一部分留在基片上;一部分飞走
过 程
在大多数系统中;水汽是残余气体的主要组成部分 如真空度为1 3104Pa时;残余气体中90%是水
材料的蒸汽压px; 材料的摩尔质量M;

蒸发温度T
程 另外;还有蒸镀材料表面洁净程度 蒸发料上出现污物;蒸发速度降低
特别是氧化物;它可以在被蒸镀金属上生成不易渗透的膜皮而影响蒸
发 不过;如果氧化物较蒸镀材料易于蒸发如SiO2对Si或氧化物加热时 分解;或蒸发料能穿过氧化物而迅速扩散;则氧化物膜将不会影响蒸

pvd真空镀膜原理

pvd真空镀膜原理

pvd真空镀膜原理
PVD真空镀膜原理是基于物理气相沉积(PVD)技术的一个镀膜过程。

在该过程中,通过将材料加热到高温,并在低压下蒸发,形成薄膜并沉积在物体表面。

本文将详细阐述PVD真空镀膜原理及其应用。

一、准备工作
首先,需要将所需材料加入到熔融或固态加热器中,并将试件放置在沉积室内。

在开始蒸发前,需要将原料加热到一定温度,以使其变为蒸汽。

同时,要保证沉积室内的低压状态,使蒸发出的原料可以被吸附在试件表面。

二、蒸发过程
在低压状态下,原料加热器的温度升高,形成蒸汽。

蒸汽会沉积在试件表面,形成一个薄膜。

原料进入室内后首先经过气体介质,达到前室与后室间相对稳定的负压状态,然后通过中介层传递到材料表面,沉积在表面上形成膜层。

三、膜层形成
蒸发速率和失踪速率是影响膜层形成的两个主要因素。

如果蒸发速率比失踪速率快,就会在试件表面形成薄膜。

如果失踪速率比蒸发速率快,试件表面就不会形成薄膜。

因此,需要准确控制压力和温度,以保证形成均匀和质量稳定的薄膜。

四、应用
PVD真空镀膜技术广泛应用于表面处理、防腐蚀、电子器件等领域。

例如,在电子器件领域中,可以使用该技术制造光阴极、太阳能电池、LED、半导体器件等。

在航空、汽车、医疗等领域中,也可以使用它来提高材料的耐磨性、抗腐蚀性等性能。

总之,PVD真空镀膜技术是一种高效、环保和可靠的表面处理技术。

通过准确控制蒸发速率和失踪速率,可以形成具有高质量和均匀性的薄膜,大大提高了材料的性能和实用性。

PVD应用技术介绍

PVD应用技术介绍

PVD应用技术介绍PVD(Physical Vapor Deposition)是一种在大气压或接近真空的条件下进行的一种薄膜沉积技术。

PVD技术是将固体材料通过高速蒸发、离子激发、电弧熔化等方法,以气态形式沉积在表面上,形成一层均匀、致密、具有特定功能的薄膜。

PVD技术在材料科学、纳米科技、电子工程等领域有广泛的应用。

PVD技术的应用可以分为以下几个方面:1.光学镀膜:通过PVD技术可以制备出高透明、高折射率的光学薄膜,用于制造光学器件,如镜片、滤光片等。

这些光学薄膜能够实现对光的反射、透射和吸收的控制,提高光学器件的性能。

2.金属涂层:通过PVD技术可以对金属表面进行涂层,提高金属材料的耐磨性、耐腐蚀性和装饰性。

这些金属涂层广泛应用于汽车、航空航天、五金工具等领域。

3.电子器件制造:PVD技术可以用于制造电子器件中的金属导线、金属电极和电池材料等。

这些电子器件需要具有良好的导电性、机械强度和耐腐蚀性,PVD技术能够满足这些要求。

4.硬质涂层:通过PVD技术可以制备出高硬度、高耐磨性的硬质涂层,用于刀具、模具、轴承等机械零件上,提高它们的使用寿命和性能。

5.太阳能电池:PVD技术可以制备出具有高光吸收率和高电导率的太阳能电池背电极材料,提高太阳能电池的能量转换效率。

6.生物医学材料:PVD技术可以制备出具有抗菌性、生物相容性的生物医学材料,用于人工关节、人工血管等医疗器械上,减少感染风险和提高疗效。

在实际应用中,PVD技术有几种常见的方式,包括磁控溅射、电弧离子镀、电子束蒸发等。

这些方式在不同的情况下具有不同的优势和适用范围。

例如,磁控溅射是一种常见的PVD技术,适用于金属和陶瓷材料的沉积,可以制备出致密、致密、高质量的薄膜。

电子束蒸发适用于低温、高密度的薄膜沉积,可以制备出高显色度的金属薄膜。

电弧离子镀适用于大面积的薄膜沉积,可以制备出高硬度的涂层。

总之,PVD技术具有宽广的应用前景和发展空间,它不仅可以用于改善材料的性能和功能,还可以用于制造高性能器件和应用于生物医学领域。

工业上利用真空技术的例子

工业上利用真空技术的例子

工业上利用真空技术的例子工业上利用真空技术的例子有很多,下面我将列举十个符合要求的例子。

一、真空电镀真空电镀是一种利用真空技术进行表面处理的方法,通过将待处理物体放入真空室中,使其表面暴露在高真空环境下,再通过电子束蒸发、离子镀等方法将金属蒸发成薄膜,沉积在待处理物体表面,起到美化、增强耐腐蚀性等作用。

二、真空冷却真空冷却是一种利用真空技术进行制冷的方法,通过将物体放置在真空容器中,通过排除空气和其他气体,减少传热和传质,从而实现物体的快速冷却。

该技术广泛应用于食品冷冻、药品冷藏等领域。

三、真空干燥真空干燥是一种利用真空技术去除物体中的水分或其他挥发性物质的方法,通过将物体放入真空室中,降低压力,使水分或其他挥发性物质在低压下迅速蒸发,从而实现物体的干燥。

该技术广泛应用于食品加工、化工等领域。

四、真空包装真空包装是一种利用真空技术将物体密封在真空袋中的方法,通过将物体放入真空袋中,排除空气和其他气体,从而延长物体的保鲜期。

这种包装方法广泛应用于食品、药品等领域。

五、真空脱气真空脱气是一种利用真空技术将物体中的气体排除的方法,通过将物体放入真空容器中,降低压力,使物体内部的气体迅速蒸发和排出,从而实现脱气。

该技术广泛应用于电子、化工等领域。

六、真空烧结真空烧结是一种利用真空技术进行烧结的方法,通过将待烧结的粉末放入真空炉中,降低压力,使粉末表面的氧化物迅速脱除,从而实现粉末的烧结。

该技术广泛应用于金属材料、陶瓷材料等领域。

七、真空淬火真空淬火是一种利用真空技术进行金属淬火的方法,通过将金属放入真空炉中,降低压力,使金属表面的氧化物迅速脱除,从而实现金属的快速冷却。

该技术广泛应用于金属加工、汽车制造等领域。

八、真空吸附真空吸附是一种利用真空技术进行气体吸附的方法,通过将气体暴露在高真空环境下,利用吸附剂吸附气体,从而实现气体的去除。

该技术广泛应用于环境保护、空气净化等领域。

九、真空输送真空输送是一种利用真空技术进行物料输送的方法,通过在密闭管道中建立真空,使物料被吸入管道内,并通过真空泵等设备进行输送。

真空技术在科学实验中的应用

真空技术在科学实验中的应用

真空技术在科学实验中的应用在科学实验中,真空技术是一项至关重要的技术。

通过将实验装置中的气体抽除并创造出极低的气压,真空技术为研究者提供了一个无气体干扰的条件,使得科学实验能够更加精确、可靠地进行。

本文将介绍真空技术在科学实验中的应用及其重要性。

一、真空技术在物理实验中的应用在物理实验中,真空技术被广泛应用于以下几个方面:1. 材料研究:真空条件下,能够去除材料表面的气体分子层,使研究者能够更加准确地观察材料的物理性质,比如电子束蒸发技术可以制备出高纯度的薄膜。

2. 粒子加速器:在高能物理实验中,粒子加速器通过真空技术创造高真空条件,使得高能粒子能够在无气体碰撞的情况下进行高速运动和碰撞,从而探索基本粒子结构和宇宙早期的奥秘。

3. 真空电子学:真空技术在电子器件研究和制造中的应用越来越广泛,比如真空电子管、电子枪等,这些器件可以在真空环境中发挥更好的性能,提高电子设备的工作效率和可靠性。

二、真空技术在化学实验中的应用在化学实验中,真空技术也扮演着重要的角色:1. 热分析实验:真空技术可以应用于热重分析等实验中,通过在真空环境下加热样品,可以准确测量样品的质量损失,从而研究化学反应、燃烧过程等。

2. 沉积技术:真空技术被广泛应用于沉积工艺中,例如化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD),可以在真空环境中合成纳米材料和薄膜,广泛应用于材料科学和电子器件制造等领域。

3. 催化剂研究:真空技术可以通过去除氧气和水等气体分子,使催化剂表面处于无气体干扰的状态,从而更好地研究催化剂的活性和稳定性,促进催化剂设计和应用的发展。

三、真空技术在生物实验中的应用真空技术在生物实验中也有着广泛的应用:1. 细胞培养:在细胞培养实验中,通过使用真空泵将培养皿中的气体抽除,可以创造出低氧条件,模拟体内组织缺氧环境,从而研究细胞耐受性和药物作用。

2. 冷冻保存:真空冷冻技术广泛应用于生物样品和生物制品的保存与运输中。

磁过滤阴极真空弧沉积

磁过滤阴极真空弧沉积

磁过滤阴极真空弧沉积
磁过滤阴极真空弧沉积是一种常用的表面处理技术,适用于许多领域,如航空航天、电子、汽车、医疗等。

该技术通过使用磁场过滤离子束,从而增加涂层的质量和附着力。

在磁过滤阴极真空弧沉积中,电极在真空环境下产生电弧,将金属材料蒸发成为离子。

这些离子在磁场的作用下,被引导到工件表面进行沉积。

与传统的离子镀相比,磁过滤阴极真空弧沉积不仅可以得到更高质量的涂层,还能处理更大和更不规则的工件。

使用磁过滤阴极真空弧沉积技术可以得到多种涂层,如金属、陶瓷、纳米涂层等。

这些涂层可以提高工件的耐磨性、耐腐蚀性、电导率和光学性能。

此外,由于使用了真空环境,磁过滤阴极真空弧沉积可以避免氧化和污染,确保了涂层质量。

磁过滤阴极真空弧沉积技术的应用广泛。

在航空航天领域,该技术用于制造高温合金和涡轮叶片。

在电子领域,它被用于制造半导体晶体管和显示器件。

在医疗领域,它可以制造人工关节和种植材料。

此外,汽车、电池、光学仪器等各种领域都可以使用磁过滤阴极真空弧沉积技术。

总之,磁过滤阴极真空弧沉积是一种先进的表面处理技术,它可以制造出高质量、高附着力的涂层,广泛应用于各种领域。

未来,随着技术的不断进步,磁过滤阴极真空弧沉积技术将进一步发展,推动各行各业的发展。

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涂装车间实习小结_汽车焊装车间工作总结

涂装车间实习小结_汽车焊装车间工作总结

涂装车间实习小结_汽车焊装车间工作总结我在一家汽车制造公司的涂装车间实习了两个月,通过这段时间的实习,我对汽车涂装生产线的工作流程、技术以及管理有了深入的了解和学习。

下面是我的实习小结。

一、工作流程1. 汽车涂装生产线基本工作流程:清洗→磷化→中间漆→上色→涂装→烘干→喷漆→烘干→最终喷涂。

2. 清洗环节:主要是将车身表面的油脂、灰尘、污垢等物质清除干净,以保证表面的无尘、无油污、无水渍、可靠的粘结性。

3. 磷化环节:是将车身表面形成一层磷酸化膜,该膜有助于中间漆和涂料的附着性和防腐性。

4. 中间漆和上色环节:是把涂装车身和车身部件平铺在生产线上,用机械手、输送机、涂料喷枪逐步完成车身表面的中间漆和色彩初始选取,需要考虑涂料的流量、压力和配方等。

二、技术方面1. 固体颗粒气溶胶喷涂技术:又称为静电粉末喷涂技术,将喷涂的涂料转换成粉末状态,使其悬浮在空气中,然后通过电场的作用使粉末附着在喷漆的部位上,然后在高温下熔化和退火,形成光滑、平整、耐腐蚀和抗磨损的表面。

2. 真空沉积技术:是利用真空技术,在真空条件下对汽车表面进行镀金、镀铬以及纳米级补补覆技术。

采用这种技术可使涂层的表面光滑而均匀,远远超过传统的基于溶剂的涂层工艺。

3. 燃气燃烧涂装技术:是利用高热量的燃气火焰,燃烧的燃料喷出充去与空气的混合体可以形成超高的气温,以破坏涂层表面的环氧树脂,并产生包覆性较好的氧化铝层,这可以加强涂层与表面的结合,输出耐久的涂装表面。

三、管理方面1. 在涂装生产线中应做好安全管理工作,对员工进行岗前培训,严格执行安全操作规程,科学使用劳动保护用品,防止生产事故的发生。

2. 设置专人管理质量检验,提高产品的质量水平,不断提升产品竞争能力。

3. 建立合理的人员机器协作模式,不仅要考虑科技的发展,还要考虑人的质量,不断推出更好、更高效的涂装生产线。

以上就是我的实习小结,我在涂装生产线中学到了很多实用的技术和管理方法,也更加深入地了解了汽车涂装生产线的工作流程。

真空气相沉积法

真空气相沉积法

真空气相沉积法
真空气相沉积法(Vacuum Chemical Vapor Deposition,简称
V-CVD)是一种化学气相沉积技术,常用于制备薄膜材料。

它基于在真空环境中将气态前驱物转化为固态材料的原理。

V-CVD的工作原理是将气态前驱物加热至升华温度,生成气
态分子。

然后将气态分子输送到待涂层的基底材料表面,在表面上发生化学反应,并生成固态薄膜。

在此过程中,因为真空环境中没有气体分子来扩散或干扰反应,因此可以获得高纯度、良好质量的薄膜。

V-CVD可以用于制备各种材料的薄膜,例如金属、半导体、
陶瓷等。

它广泛应用于微电子、光电子、光伏、光学涂层等领域。

与其他气相沉积技术相比,V-CVD具有以下优点:
1. 可以在较低的温度下实现沉积,从而减小基底材料的热膨胀和变形风险。

2. 真空环境下没有气体分子的干扰,可以获得高质量、低杂质的薄膜。

3. 可以通过控制气态前驱物的供应速率和反应温度等参数来控制薄膜的成分和结构。

然而,V-CVD也存在一些局限性,如设备复杂、成本高昂、
需要高真空环境等。

另外,由于反应发生在真空中,无法应用于大规模材料制备。

尽管如此,V-CVD仍然是一种重要的薄
膜制备技术,为许多领域的研究和应用提供了重要的支持。

真空技术在现代科学中的应用

真空技术在现代科学中的应用

真空技术在现代科学中的应用随着科学技术的不断发展,真空技术已经在现代科学中发挥着越来越重要的作用。

真空技术不仅可以帮助我们研究大自然,还可以应用于各种领域,如能源、材料、电子、航空航天等。

本文将从各个方面来探讨真空技术在现代科学中的应用。

一、真空技术的意义真空技术是指在一定温度下,将空气或其它气体排除,创造一种不同于常压下的低压状态。

真空环境下,分子之间的碰撞次数、压力、化学反应等都将发生变化,因此真空技术在科学研究和各领域的应用中具有不可替代的作用。

首先,真空技术可以帮助我们研究大自然,了解地球和宇宙的演化和变化过程。

例如,科学家利用真空技术制造出空气极其稀薄的环境,来模拟太空中真实的环境。

这样能够更真实地观察宇宙中恒星和星云的演化过程,探索宇宙的奥秘。

其次,真空技术在工业上的应用也非常广泛。

在制造过程中,很多产品都需要在真空环境下进行生产或处理。

例如,真空蒸发技术可以制造高质量的光学玻璃、集成电路等,真空淬火技术可以提高工件的硬度和强度,真空包装技术可以延长食品的保质期等等。

二、真空技术在能源领域的应用真空技术在能源领域中的应用非常广泛,可以帮助我们研究各种能源的性质和特点,以便更好地利用它们。

首先,真空技术可以提高燃料电池的效率。

燃料电池是一种能够将化学能转化为电能的设备,其原理是通过在氢气和氧气之间引入电解质,将氢气氧化成水的同时产生电流。

真空技术可以帮助我们控制燃料电池反应中的气体流动,从而提高燃料电池的效率。

其次,真空技术可以帮助我们研究核能的性质和特点。

由于核反应需要在真空环境下进行,因此真空技术在核能领域中有着重要的应用。

例如,科学家可以利用真空技术制造出超高真空环境,来研究核反应中的粒子行为,从而更好地研究核能的性质和特点。

三、真空技术在材料科学中的应用真空技术在材料科学中的应用非常广泛,可以帮助我们制造出高质量的材料。

首先,真空技术可以用于热处理和淬火。

在真空环境下,钢铁等材料可以被加热到几千摄氏度,随后迅速冷却,从而获得高硬度和强度的材料。

oled EAC工艺流程

oled EAC工艺流程

oled EAC工艺流程OLED(有机发光二极管)是一种基于有机化合物的显示技术,它可以实现高对比度、宽视角和快速响应的优势。

EAC(全称Emitter-Assisted Catalysis)是一种在OLED生产中广泛应用的技术,可以提高OLED器件的亮度和效率。

下面将介绍OLED EAC工艺流程。

首先是有机物的合成。

有机发光材料起到发光的作用,对OLED的性能影响很大。

在EAC工艺中,有机物的合成通常采用溶液法。

首先,根据需要的发光颜色选择适当的有机物质,并将其溶解在合适的溶剂中。

然后,通过化学合成方法将原材料转化为所需的有机发光材料。

接下来是OLED器件的制备。

在EAC工艺中,通常采用真空沉积的方法来制备OLED器件。

首先,在玻璃或塑料衬底上涂敷透明导电层,如ITO(锡氧化铟)层。

然后,在ITO层上涂敷有机发光材料。

使用真空沉积技术,将有机物溶液放入真空室中,通过加热和强制蒸发的方式将有机物质沉积在ITO 层上。

这个过程需要控制沉积速度和厚度,以获得均匀且适当的沉积层。

在有机发光材料沉积后,接下来是阴阳极材料的沉积。

通常,阴阳极由金属或合金材料制成,可以通过真空蒸镀技术将其沉积在有机发光材料上。

阴阳极的沉积需要保持真空环境,同时控制温度和沉积时间,以获得均匀和适当的沉积层。

完成阴阳极材料的沉积后,接下来是封装过程。

在OLED制备中,封装非常重要,可以保护有机层和电极层免受空气和湿度的侵蚀。

通常,采用真空封装或屏蔽封装的方法。

在真空封装中,使用真空设备将OLED器件和衬底封装在密封的容器中。

在屏蔽封装中,使用屏蔽材料将OLED器件封装在透明的玻璃或塑料层中。

封装过程需要保证有效的密封以防止湿气的侵入。

最后是测试和检验。

在制造OLED设备之后,需要对其进行测试和检验,以验证其性能和质量。

通常,采用电性能测试和光学测试来评估OLED器件的亮度和效率。

以上是OLED EAC工艺流程的大致步骤。

通过合成有机发光材料,制备OLED器件,并进行封装和测试,可以生产出高质量的OLED屏幕。

第四章-真空沉积技术

第四章-真空沉积技术
• 总的说来,PCVD仍处于发展阶段,随着此项技 术的成熟,必将在表面技术中发挥更大作用。
2021/8/2
15
• 80年代后期发展的新趋势是渗、镀结合的 复合处理。
• 镀层虽然硬,但由于基体软,重载下易变 形,使镀层破碎。
• 复合处理则在基体中渗入碳、氮等可达数 百微米厚,对表面薄膜(镀层)有足够的 支持强度。
2021/8/2
12
• 1980年Archer利用PCVD技术的沉积出 TiC,TiN与TiCN镀层。
• 1983 年 我 国 的 李 世 直 采 用 直 流 与 射 频 PCVD在高速钢基体上沉积出TiC,TiN与 TiCN镀层。
• 随后日本的Kikuchi和美国的Hilton、联邦 德国的 Mayt、韩国的Dong Hong Jang 以 及 奥 地 利 的 Laimer 等 都 报 道 了 PCVD 沉积TiN的研究结果。
2021/8/2
7
• 在 1963年D.M.Mattox已提出了离子镀 技术,并于 1967年取得了美国专利。
• 时隔两年,美国的IBM公司研制出射频溅射 法 。 这 两 种 技 术 与 蒸 镀 构 成 了 PVD 的 三 大 系列。
2021/8/2
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• 进人70年代,PVD技术的崛起与CVD技术的提 高,使得表面镀层技术进人了全面的发展。
第四章 真空沉积技术
2021/8/2
1
引言
• 目前,气相沉积硬质镀层TiN已被广泛用于提 高耐磨工模具的寿命,具有很大的经济效益和 广阔的发展前景。
• 然而,沉积理论落后于沉积技术的现象已在很 大程度上影响了此项技术的进一步发展,例如 镀层质量的测试及评定方法;开展新型的膜基 体系和膜基间的相互关系的研究;开展复合镀、 多层镀的机理研究等。

真空蒸汽沉积技术

真空蒸汽沉积技术

真空蒸汽沉积技术1. 简介真空蒸汽沉积技术(Vacuum Vapor Deposition,简称VVD)是一种常用的薄膜制备技术,广泛应用于电子、光学、材料等领域。

它通过在真空环境下,利用物质的蒸发和凝结过程,将原料物质沉积在基底表面上,形成具有特定功能和性质的薄膜。

2. 工艺原理真空蒸汽沉积技术主要包括三个基本步骤:物质的蒸发、气体分子的传输和沉积。

2.1 物质的蒸发在真空室中,将待沉积材料加热至其熔点以上,并保持在一定温度范围内。

待沉积材料通过热量吸收和传导逐渐升温,最终达到蒸发温度。

在此过程中,材料表面分子逐渐增加动能,克服表面张力和外界压力而从固态向气态转变。

2.2 气体分子的传输经过物质的蒸发,真空室内产生了一定的蒸汽。

蒸汽分子在真空室中自由运动,与其它气体分子进行碰撞和扩散。

为了保持较高的真空度,通常需要使用机械泵、分子泵等真空设备来抽取气体,以减少气体分子与蒸汽分子的碰撞。

2.3 沉积蒸汽分子在真空室中传输到基底表面后,会发生凝结现象。

凝结过程中,蒸汽分子失去热能并重新排列成固态结构,与基底表面相互作用形成附着层。

沉积速率受到多种因素影响,包括温度、压力、材料性质等。

3. 主要应用真空蒸汽沉积技术在多个领域有广泛应用。

3.1 电子器件制造真空蒸汽沉积技术可用于制备金属导电薄膜、绝缘层和半导体材料等。

例如,在集成电路制造中,利用VVD技术可以在硅片上制备金属线路和晶体管结构。

3.2 光学薄膜制备利用真空蒸汽沉积技术,可以制备具有特定光学性能的薄膜。

例如,利用光学多层膜结构的VVD技术,可以制备透镜、滤光片、反射镜等光学元件。

3.3 材料科学研究真空蒸汽沉积技术也被广泛应用于材料科学研究领域。

通过调节沉积条件和材料组分,可以制备具有特殊结构和性质的材料。

例如,通过控制沉积速率和温度梯度,可以制备纳米结构或多层复合材料。

4. 发展趋势随着科技的不断进步,真空蒸汽沉积技术也在不断发展和改进。

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2

真空容器(提供蒸发所需
膜 原
的真空环境), 蒸发源(为蒸镀材料的蒸
7
理 及 其
发提供热量), 基片(即被镀工件,在它 上面形成蒸发料沉积层), 基片架(安装夹持基片)
基 加热器。

3
4 5

6

1.基片架和加热器
2. 蒸发料释出的气体
3. 蒸发源 4. 挡板 5. 返流气体
6. 真空泵 7. 解吸的气体
而影响蒸发。不过,如果氧化物较蒸镀材料易于蒸发(如SiO2对Si) 或氧化物加热时分解,或蒸发料能穿过氧化物而迅速扩散,则氧化
物膜将不会影响蒸发。
真 • 蒸发分子的迁移过程

蒸发材料分子进入气相,就在气相内自由运动,其运动的特点
蒸 和真空度有密切关系。常温下空气分子的平均自由程为
发 镀
0.652(cm)
第九章 真空沉积技术
1. 物理气相沉积
1.1 真空蒸发镀膜原理及其基本过程 1.2 溅射镀膜 1.3 离子镀膜
2. 化学气相沉积
2.1 化学气相沉积的一般原理 2.2 化学气相沉积技术 2.3 化学气相沉积技术的应用
物理气相沉积(PVD)














真空蒸发镀膜原理及其基本过程
真空表面沉积技术起始于真空蒸发镀膜,其基本 过程是:

由此得
p0
Q0 Qa
pa
可见,要降低p0,必须增大工作气体的量Qa,相当于用Ar气
冲洗真空室。为了保证要求的工作压强,必须匹配较大抽速的真空泵。
另外,提高真空室的预真空度,这样Q0就小。也就是说,所
配真空系统的极限真空度要高。如溅射工作压强为1.310-1Pa,预真空 度应为1.310-4Pa或更高。
若用单位面积、单位时间内蒸发的质量,则有:
理 及 其 基 本
G z5 .8 3 1 2 0 p x(M T)1 /2(g/2c s)m
所以,影响材料蒸发速度的因素,包括:
材料的蒸汽压px,
材料的摩尔质量M,

蒸发温度T
程 另外,还有蒸镀材料表面洁净程度。蒸发料上出现污物,蒸发速度
降低。特别是氧化物,它可以在被蒸镀金属上生成不易渗透的膜皮
K=10-610-4
Ar+ (能量100eV到10keV)入射
溅 溅射量S

S = Q
镀 式中Q为入射的正离子数。所以,要提高溅射量S,必须提高溅

射率,或增加正离子量Q。
溅射产额(原子/离子)
的 原
影响溅射率的因素:
• 元素的种类,
102 101

• 工作气体的离子能量。
10
及 适当的离子能量,有最佳
中并不发生碰撞,因此迁移中无能量损耗。当它们入射到接近于 基片的若干原子直径范围时,便进入工件表面力的作用区域,并 在工件表面沉积,形成薄膜。

蒸发材料蒸气分子到达基片的数量可用下式表示:
原 理 及
z m z 3 .5 12p 0 2 x(T 1)1 M /2 (个/c 分 2 m s ) 子
二 (3) 射频溅射(RF溅射)

当靶材为绝缘体,使用直流溅射,则Ar+离子会在靶表面积蓄,从
溅 射
而使靶面电位升高,结果导致放电停止。
射频溅射:在绝缘材料背面的金属板电极(将绝缘材料紧贴在金属
电极上)上通以10MHz以上的射频电源,由于在靶上的电容偶合,就

真空室内的残余气体

对于一个具有密闭的、洁净的、设计良好的真空系统的镀膜机来
蒸 说,当气压为1.310-4Pa时,除了蒸发源在蒸发时释气外(如果蒸镀
发 镀
材料较纯,这种释气是不多的),真空室内壁解吸的吸附气体分子 是主要的气体来源。
膜 残余气体的影响: 原 • 在计算镀膜机真空系统抽气能力时,除根据真空室容积选择真空 理 泵外,还要考虑解吸气体的影响。
• 在真空容器中将蒸镀材料(金属或非金属)加热, 当达到适当温度后,便有大量的原子和分子离开 蒸镀材料的表面进入气相。
• 因为容器内气压足够低,这些原子或分子几乎 不经碰撞地在空间内飞散,
• 当到达表面温度相对低的被镀工件表面时,便 凝结而形成薄膜。

9
1
空 蒸
蒸发成膜系统如右图 8 所示。

主要部分有:
1exp(l )
即迁移途中发生碰撞的分子数
此式的图形见下页
及 其
z1z0[1expl()]

本 由上式可以算出:
过 程
当蒸发源到基片的距离l = , 则z1 = 63%z0 当蒸发源到基片的距离l = 10 ,则z1 = 9 %z0
即蒸发源到基片的距离愈大,发生碰撞的分子数愈少。
碰撞分子百分数 ( z1/z0 100 )
p
膜 原
在p = 1.310-1Pa时, = 5cm;
p = 1.310-4Pa时, 5000cm。
理 在压力p = 1.310-4Pa时,虽然在每cm3 空间中还有3.21010个分
及 子,但分子在两次碰撞之间,有约50m长的自由途径。
其 在通常的蒸发压强下,平均自由程较蒸发源到基片
基 的距离大得多,大部分蒸发材料分子将不与真空室内剩余气

• 污染作用。残余气体分子以一定速度在真空室内作无规则的运
其 动,并以一定的几率与工件表面相碰撞。即使在高真空的条件下,
基 单位时间内与基片碰撞的气体分子数也是十分可观的。残余气体分 本 子到达基片后,一部分留在基片上,一部分飞走。

在大多数系统中,水汽是残余气体的主要组成部分。如真空度为
程 1.310-4Pa时,残余气体中90%是水。
射 表面将受到低能量的正离子轰击,使吸附的气体解吸,
提高膜的纯度。
由于负偏压的存在,对膜的生长速度有不利的影响。
(2) 不对称交流溅射
其特点是应用不对称交流电源。在靶和基片之间通以50Hz的低频
交流电压。当靶为负极性时,溅射出来的粒子沉积在工件 上。但在另半周,工件上沉积的薄膜发生再溅射。
在电路设计时,使靶为负极性时放电电流显著大于工件为负极时 的放电电流。宏观上的总效果在工件上有薄膜沉积,且膜层结合牢 固。
1 2
9
3
8
7
4
5
6
1.钟罩 2. 阴极屏蔽 3. 阴极 4. 阳极 5. 加热器 6. 高压 7. 高压屏蔽 8. 高压线路 9. 基片
直流二极溅射
溅射镀膜
二 在直流二极溅射的基础上,发展出多种二极溅射的形式
极 (1) 偏压溅射

在基片上加接 -100 -200V的直流负偏压,在溅射过程中工件



溅 • 薄膜的纯度。

要提高薄膜的纯度,必须减少碰撞工件的不纯物质和杂质气
镀 体,特别与“残余气体压力/成膜速度”的比值有关。

设p0为残余气体压力,pa为工作气体Ar的压力,
的 原
Q0为残余气体量, Qa为进入的Ar气量,则
p0V = Q0, paV = Qa
理 及 特
p0 Q0 pa Qa
态进入气相。 在真空的条件下,金属或非金属材料的蒸发与在大
气压条件下相比要容易得多。
理 及 其 基
沸腾蒸发温度大幅度下降,熔化蒸发过程大大缩短,蒸发效率
提高。以金属铝为例,在一个大气压条件下,铝要加热到2400C 才 能 达 到 沸腾 而 大 量 蒸发 , 但 在1.3mPa 压 强 下 , 只 要 加热到 847C就可以大量蒸发。
特 的值(右图)。
10-1

• 工作气体的种类。 • 靶的温度,温度高更有
利于溅射。
10-2 10-3
Xe Ar
Ne
He H
• 工作气体离子入射的角
10-4
O
度。
10-15 01 102 103 104 105 106
正离子量Q的增加,虽能增加溅射量 S,但这将增加工作气体的压力,伴 随带来杂质的增加,影响膜层质量。
能量 (eV)
溅射产额与入射离子
能量的关系
溅 溅射成膜过程中的几个重要问题
射 镀 膜
• 沉积速率
沉积速率与粒子从阴极逸出的速率成正比,即
的 原 理
z = CS = CQ
式中C是表示溅射装置特性的常数。 影响z的因素,除了前面已讨论的、Q以外,为了收集最多的溅
射粒子,工件应尽可能靠近作为阴极的靶面而又不影响辉光放电。

80

70

60

50

40

30
原 理 及 其 基 本
20 10 0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
实际行程/平均自由程(l / )

迁移途中发生碰撞的分子百分数与程ຫໍສະໝຸດ 实际路程对平均自由程之比的关系
平均自由程必须较蒸发源到基片的距离大得多,才能在 迁移过程中避免发生碰撞现象。

先自由蒸发一段时间(此时用挡板挡住基片,防止镀在基片上),

然后打开挡板开始蒸镀。由于室内活性气体减少,提高了膜层

质量。
其 基 本
(3) 提高真空度。把真空度提高到1.310-4Pa以上,使蒸镀
材料分子到达基片的速率高于残余气体分子到达率。


真 • 在基片上淀积成膜过程

蒸 发 镀
在通常的蒸发压强下,原子或分子从蒸发源迁移到基片的途程
8. 基片 9. 钟罩
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