模拟电子技术复习题2
电子技术基础(模拟)Ⅱ习题及答案
七、
1.电容C的位置错，可去掉或改动 的位置
2.去掉电容C2
3. 的极性错
八、画出下面电路的直流通路和微变等效电路。
直流通路：
微变等效电路：
九、解：
1. 、 、
2.交流负载线：过Q点，与横轴的焦点是
3.到饱和区的最大 ；到截止区的最大 。因此这道题要出现失真，应该是饱和失真，答同时出现也可以。
二、选择题
1.B，A，A2.B，A3.A，B，C
三、填空题
1.放大区、截止区、饱和区、放大区
2.电源、直流信号、交流信号源、交流信号、电容、交流信号源、电容、电源
3.电压放大倍数、输入电阻、带宽
4.静态工作点、交流负载线、交流负载线的中间、基极电阻、增大
四、
1. X——发射极、Y——集电极、Z——基极、
负反馈自激振荡的条件是：
观察放大电路的波特图。当 时，若幅频响应曲线在零点以下，则电路稳定；否则可能产生自激振荡。
2.选择正确答案填空
A电压串联负反馈B电压并联负反馈
C电流串联负反馈D电流并联负反馈
(1)为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应引入C
(2)为了实现电流-电压转换，应引入B
(3)为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载能力，应引入A
(4)为了实现电流放大，应引入D。
三、判断图示电路引入了何种反馈？
模2第五章练习题答案
一、判断题
1 .√ 2. √ 3.X4. X 5. X
二、填空题
1. F D C A B E A C
2. C B A D
三、判断图示电路引入了何种反馈？
电流并联负反馈电压串联负反馈
电压并联正反馈电流并联负反馈
模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)
《模拟电子技术》复习试题一一、填空（每空1分，共20分）1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。
2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。
3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。
4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。
5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，T接成共基1组态，T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。
6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。
7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。
8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T 。
二、简答（共3小题，每小题5分，共15分）1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。
601.06===B C I I β， 985.01≈+=ββα （各1分，共2分）2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？R应如何接入？（在图中连接）f答：应接入电压串联负反馈（1分）R接法如图（1分）f（2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。
答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分）3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。
答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。
模拟电子技术综合复习
4.放大电路的输入电压 Ui=10mV，输出电压 UO=1V，该放大电路的电压放大倍数为 -100 ， 电压增益为 40 dB。
5.集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反相输入 端，前者的极性与输
出端 相同 ，后者的极性与输出端 相反 。 6.理想运算放大电器工作在线性状态时，两输入端电压近似相等，称为
2. 在单相桥式整流电路中，若将 4 只二极管全部反接，试分析对输出有何影响？若将其中的 1 只二极管反接，对输出有何影响？
VT1 VT2
V1
VT4
V2
VT3
+
R uo
-
六、计算题
= 100，RS= 1 k，RB1= 62 k，RB2= 20 k, RC= 3 k，RE = 1.5 k，RL= 5.6 k，VCC = 15 V。 求：“Q”，Au，Ri，Ro。
（√ ）
10.乙类互补对称功率放大电路产生的失真是交越失真。
（ √）
四、判断三极管工作状态（每小题 4 分，共 12 分）
-5V
-1.7 V
3.3V 3.7V
6V 2V
-2V
3V
a.（截止
） b.（ 饱和 ）
3V
c.（ 截止
）
五、分析题（每小题 9 分，共 18 分）
1. 试分析图示电路中，级间交流反馈 是正反馈还是负反馈，是电压反馈还是电 流反馈，是串联反馈还是并联反馈？
（ ×）
2.二极管在工作电流大于最大整流电流 IF 时会损坏。 3.三极管基极为高于发射极电位，三极管一定处于放大状态。
（√ ） （ ×）
4.放大电路的输出电阻只与放大电路的负载有关，而与输入信号源内阻无关。（ × ）
模拟电子技术期末复习题及答案
《电子技术基础2》复习题一、判断题（本大题共10个小题，每小题2分，共20分）1、N型半导体的多数载流子是空穴。
（）2、P型半导体的多数载流子是空穴。
（）3、负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量相同。
（）4、运算电路中一般引入负反馈。
（）5、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。
（）6、在放大电路中引入正反馈，主要目的是改善放大电路的性能。
（）7、在放大电路中引入负反馈，主要目的是改善放大电路的性能。
（）8、若放大电路的放大倍数为零，则引入的反馈一定是负反馈。
（）9、在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
（）10、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立。
（）11、阻容耦合多级放大电路只能放大交流信号。
（）12、直接耦合可以放大缓慢变化的信号。
（）13、只有电路既放大电流又放大电压，才算其有放大作用。
（）14、共发射极放大电路输出与输入反相。
（）15、共基极放大电路输出与输入反相。
（）16、共集电极放大电路输出与输入反相。
（）17、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。
（）18、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
（）19、在运算电路中，集成运放的输入端均可采用虚短和虚断。
（）20、运放的共模抑制比K CMR越大越好。
（）21、运放的共模抑制比K CMR越小越好。
（）22、运放的共模放大倍数越小越好。
（）23、运放的差模放大倍数越小越好。
（）24、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
（）25、当输入电压U I和负载电流I L变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。
（）26、直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换成直流能量。
（）27、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。
（）28、半波整流输出电压平均值是全波整流的一半。
（）29、用于滤波的电容通常串联连接。
模拟电子技术基础复习资料
模拟电路基础复习资料一、填空题1. 在P型半导体中, 多数载流子是（空隙）, 而少数载流子是（自由电子）。
2. 在N型半导体中, 多数载流子是（电子）, 而少数载流子是（空隙）。
3. 当PN结反向偏置时, 电源的正极应接（ N ）区, 电源的负极应接（ P ）区。
4．当PN结正向偏置时, 电源的正极应接（ P ）区, 电源的负极应接（ N ）区。
5. 为了保证三极管工作在放大区, 应使发射结（正向）偏置, 集电结（反向）偏置。
6．根据理论分析, PN结的伏安特性为,其中被称为（反向饱和）电流, 在室温下约等于（ 26mV ）。
7. BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（漏极）、（栅极）和（源极）与之相应。
8. 在放大器中, 为稳定输出电压, 应采用（电压取样）负反馈, 为稳定输出电流, 应采用（电流取样）负反馈。
9. 在负反馈放大器中, 为提高输入电阻, 应采用（串联－电压求和）负反馈, 为减少输出电阻, 应采用（电压取样）负反馈。
10.放大器电路中引入负反馈重要是为了改善放大器. 的电性. ）。
11. 在BJT放大电路的三种组态中, （共集电极）组态输入电阻最大, 输出电阻最小。
（共射）组态即有电压放大作用, 又有电流放大作用。
12.在BJT放大电路的三种组态中，.共集电. ）组态的电压放大倍数小于1，.共.）组态的电流放大倍数小于1。
13. 差分放大电路的共模克制比KCMR＝（）, 通常希望差分放大电路的共模克制比越（大）越好。
14. 从三极管内部制造工艺看, 重要有两大特点, 一是发射区（高掺杂）, 二是基区很（薄）并掺杂浓度（最低）。
15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后, 它的差模放大倍数将（不变）, 而共模放大倍数将（减小）, 共模克制比将（增大）。
16. 多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（阻容）, （变压器）和（直接）耦合三种。
17. 直接耦合放大器的最突出的缺陷是（零点漂移）。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
模拟电子技术试卷2附答案
考试科目 《模拟电子技术》 专业 （A 类B 卷）学号 姓名 考试日期： 年 月 日一、选择题(8小题,每空2分，共20分)1．电路如图所示，()V sin 05.0i t u ω=，当直流电源电压V 增大时，二极管V D 的动态电阻将__ __。
A ．增大，B ．减小，C ．保持不变2．已知某N 沟道增强型MOS 场效应管的)GS(th U ＝4V 。
GS u =3V ，DS u =10V ，判断管子工作在 。
A ．恒流区，B ．可变电阻区 ，C ．截止区3. 某直接耦合放大电路在输入电压为 0.1V 时，输出电压为 4V ；输入电压为 0.2V 时，输出电压为 8V （均指直流电压）。
则该放大电路的电压放大倍数为________________。
A ．80 ，B ．40，C ．－40，D ．20 4. 在某双极型晶体管放大电路中，测得)m V 20sin (680BE t u ω+=，A μ)10sin (20B t i ω+=，则该放大电路中晶体管的_ ___。
A ．2，B ．34，C ．0.4，D ．15. 差分放大电路如图所示。
设电路元件参数变化所引起静态工作点改变不会使放大管出现截止或饱和。
若R e 增加，差模电压放大倍数d u A 。
A ．增大，B ．减小，C ．基本不变6. 为使其构成OCL 电路，V 2CES ≈U ，正常工作时，三极管可能承受的最大管压降≈CEmax U 。
A ．36VB ．34VC ．32VD ．18V(-18V)7. 已知图示放大电路中晶体管的＝50，＝1k 。
该放大电路的中频电压放大倍数约为___ _ _（A ．50， B ．100， C ．200）；下限截止频率约为___ __Hz（A ．16， B ．160， C ．1.6k ）；当输入信号频率f ＝时，输出电压与输入电压相位差约为 _ _（A ．45°， B ．－45°， C ．－135°， D ．－225°）。
模拟电子技术习题2及答案
习题2 解答2.1 选择正确答案填入空内。
（1）有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的情况下，测得电路A 的输出电压小。
这说明电路A 的 （ ）。
A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D. 输出电阻小（2）有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一理想电压源信号进行放大。
在连接相同负载的情况下，测得电路A 的输出电压小。
这说明电路A 的 （ ）。
A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D. 输出电阻小（3）在电压放大电路的上限截止频率点或下限截止频率点，电压增益比中频区增益下降3dB ，这时在相同输入电压条件下，与中频区比较，输出电压下降为（ ）倍。
A ．1B ．10C ．1.414D ．0.707（4）当负载电阻R L = 1k Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路时输出电压减少20%，该放大电路的输出电阻R o 为（ ）。
A ．0．25 k ΩB ．0．5 k ΩC ．1 k ΩD ．1．5k ΩΩ==-=-=----k R V V V V R V V R V V o oo oo OL oo LOLooo OL oo 25.045)2.01()1(负载电压开路电压设：（5）电路如题图2.1.5所示，放大电路的输出端直接与输入端相连，则输出电阻R o （ ）。
A ．R 1 B ．（1+β）R 1 C ．R 1/ 1+β D ．R 1/ β E ．0（6）差模输入信号是两个输入端信号的（ ），共模信号是两个输入端信号的（ ）。
A .差 B .和 C .平均值答案 （1）B （2）C （3）D （4）A （5）E （6）ACo s V2.2 将正确答案填入空内。
（1）在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰－峰值分别为5μA 和5 mV ，它们的相位相同；此时，输出端接2k Ω电阻负载，测量到正弦电压信号峰－峰值为1V ，则该放大电路的电压增益A v 等于 ，电流增益A i 等于 ，功率增益A p 等于 。
模拟电子技术复习题
（ 2） 若 测 得 U i 和 U o 的 有 效 值 分 别 为 1 mV 和 100 mV， 则 负 载 电 阻 R L 为 多 少 千 欧 ？
2. 下图所示电路中，已知晶体管的β=100，UBEQ=0.6V，rbb＇=100Ω，Vcc=10V。 （1） 求静态工作点； （2） 画中频微变等效电路图； （3） 求 Au 和 Aus；
(2)晶体管的 rbe 为 rbe= rbb + (1 + 放大电路的电压放大倍数为
)
I2E（6（Q mmVA））
300
+
61
26 1.32
1502W
Au
Ui
Ic (RC // RL ) I b rbe
RL rbe
60
放大电路的输入电阻和输出电阻为
Ri= Rb1// Rb2// rbe =1.36 kW Ro Rc =3 kW
3. 电 路 如 图 所 示 ， 晶 体 管 的 ＝ 80， rbe=1kΩ 。 （1）求 出 Q 点； （ 2） 分 别 求 出 R L＝ ∞ 和 R L＝ 3kΩ 时 电 路 的 Au 和 R i； （3）求出 Ro。
4. 电路如图所示，设ＶCC＝１５Ｖ，Ｒb1＝6０ｋΩ，Ｒb2＝２0ＫΩ，ＲC＝3ｋΩ，Ｒe＝2ｋΩ, ＲS＝600Ω,电容 C1,C2 和 C3 都足够大，β=60，UBE=0.7V,RL=3KΩ。试计算：
I BQ
I CQ
20μA
Rb
VCC U BEQ I BQ
565kW
（ 2） 求 解 RL：
A u
Uo Ui
100
Au
RL'
模拟电子技术试卷
模拟电子技术测验 试卷二一、 填空题：将正确的答案填入空格中。
（本大题分15小题，每小题2分，共30分）1． 在分析BJT 放大电路高频响应时，常应用BJT 的__________________________模型对放大电路进行分析。
2． 稳压管反向击穿区的特性曲线越陡，管子的动态电阻就越_____________，稳压性能就越_____________。
3． P N 结在外加正向电压作用下，扩散电流____________漂移电流。
PN 结在外加反向电压作用下，扩散电流_____________漂移电流。
4． 在图示电路中，D 1和D 2均为理想二极管，则当v i >12V 时，v o =_____________V 。
5． 电路如图所示，当v i ＝ 3V 时，v o ＝_____________V 。
vv i v o6． 功率放大电路是在大信号下工作。
研究的重点是如何在允许的失真情况下，尽可能提高__________________________和__________________________。
7． 乙类双电源互补对称功放电路如下图所示，v i 为正弦波。
在BJT 的饱和压降V CES 忽略不计的条件下，负载R L 上能得到的最大输出功率P om =_____________W 。
8． 理想运算放大器的共模抑制比等于_____________，输出电阻等于_____________。
9． 根据相位平衡条件，判断下图所示电路是否可能振荡。
答：_____________。
v o v i 12 VR B2R B110．电路如图所示，，已知R 1＝5k Ω，R 2＝15k Ω，R 3＝10k Ω，R C＝2k Ω，R E ＝，该电路中的晶体管状态。
11．一单级阻容耦合放大电路的通频带是50Hz ~50kHz ，中频电压增益dB 40=VMA ，最大不失真交流输出电压峰值范围是－3V ~＋3V 。
大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(二)
大学《模拟电子技术》试题及答案一、填空题1、当PN结外加正向电压时，P区接电源极，N区接电源极，此时，扩散电流漂移电流。
2、二极管最主要的特性是。
3、一个放大电路的对数幅频特性如图所示。
由图1-3可知，中频放大倍数|A vm|=__ __。
图1-3 图1-74、乙类放大器中每个晶体管的导通角是_ __，该放大器的理想效率为__ __，每个管子所承受的最大电压为__ _____。
5、差动放大电路的基本功能是对差模信号的_ _作用和对共模信号的_ _作用。
6、小功率直流稳压电源由变压、、__ __、四部分组成。
7、图1-8 (a)和(b)是两个放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它们的导电类型分别为___________ 型和___________型，用半导体材料___________和___________制成，电流放大系数β分别为___________和___________。
二、选择题图2-3 图2-8 图2-9 图2-101、图2-3所示复合管中，下列答案正确的是( )。
A NPN 型B PNP 型C 不正确 2、N 型半导体是在本征半导体中加入（ ）后形成的杂质半导体。
A 空穴 B 三价元素 C 五价元素 3、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝2Ｖ，V 2＝2.7Ｖ， V 3＝6Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：e 、2：b 、3：cB 1：c 、2：e 、3：bC 1：c 、2：b 、3：eD 其它情况4、用万用表直流电压档测得电路中PNP 型晶体管各极的对地电位分别是：V b ＝－12.3Ｖ，V e ＝－12Ｖ，V c ＝－18Ｖ。
则三极管的工作状态为（ ）。
A 放大B 饱和C 截止5、判断图2-5电路中的反馈组态为（ ）。
A 电压并联负反馈B 电压串联负反馈C 电流串联负反馈D 电流并联负反馈6、已知降压变压器次级绕组电压为12V ，负载两端的输出电压为10.8V ，则这是一个单相( )电路．A 桥式整流B 半波整流C 桥式整流电容滤波D 半波整流电容滤波7、直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应（ ）。
第2章模拟电子技术练习题
第二章模拟电子技术练习题2-1 电路如题2-1图所示，二极管为理想元件，t sin 3u i ω=V ，U=3V ，当ωt = 0 瞬间，输出电压 u O 等于何值？ A ． 0 V B ． 3 VC ． —3 VD ． 0.7Vu O题2-1图2-1正确答案是A ．提示：ωt = 0 瞬间u i = 0，二极管D 的阳极为电位最低点，因而此时二极管D 承受反向电压截止，0u u i 0==。
2-2 电路如题2-2图所示，二极管D 为理想元件，U S =5 V ，则电压u 0等于多少？ A ．U s B ．U S / 2 C ．0V D ．0.7Vu O题2-2图2-2正确答案是A ．提示：二极管承受正向电压而导通，二极管D 为理想元件，所以电阻两端电压应等于电压源电压，即u O = U s 。
2-3 电路如题2-3图所示，D 1，D 2 均为理想二极管，设V 6U 2=， U 1 的值小于 6V ， 则U 0 为多大？A ．+12VB ．+6VC ．U 1D ．U 1 － U 2O题2-3图2-3正确答案是C ．提示：D 1，D 2 均承受正向电压而导通，二极管为理想元件。
所以 u O = U 1 。
2-4 在同一测试条件下，测得三个同型号二极管的参数如下表所示，其中性能最好的一个二极管是哪一个？2-4提示：其他条件相同的情况下反向电流越小的二极管性能越好。
2-5 电路如题2-5图所示，A 点与 B 点的电位差U AB 约等于多少？A ．0.3VB ．－2.3VC ．1.0VD ．1.3VΩ100k Ω18k Ω6k ΩB题2-5图2-5正确答案是A ．提示：先将二极管摘开，求出A 点和B 点的电位：Vk k VV Vk k VV B A 36)618(126100)100100(12=Ω⨯Ω+==Ω⨯Ω+=再判断二极管承受电压情况：二极管承受正向电压而导通，2AP15是锗管，导通管压降为0.3V 。
模电试题及答案 (2)
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。
A.二 B.三 C.四 D 五2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于 B.等于 C.小于3、本征半导体温度升高以后， C 。
A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。
A. 83 B. 91 C. 100 D. 1010、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为 D ；图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]硅管 硅管 锗管 锗管12、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。
A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。
模拟电子技术综合复习(二)
9处于放大状态的NPN型晶体管，各电极的电 位关系是_______。
A. VB＞VC＞VE C. VC＞VB＞VE B. VE＞VB＞VC D. VC＞VE＞VB
10.处于放大状态的PNP型晶体管，各电极的 电位关系是_______。
A. VB＞VC＞VE C. VC＞VB＞VE B. VE＞VB＞VC D. VC＞VE＞VB
V1 4V ,V2 1.2V ,V3 1.5V
二、选择题 1. 测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、 5.3V和-6V，则该三极管的类型为（ ）。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型
2.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为8V、 2.3V和2V，则该三极管的类型为（ ）。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型 3. 测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、 5.3V和12V，则该三极管的类型为（ ）。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型 4.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、 5.7V和-6V，则该三极管的类型为（ ）。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型
6、工作在放大状态的双极型晶体管是 （ ）。 A.电流控制元件 B.电压控制元件 C.不可控元件 7、用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别 为V1=1V，V2=1.3V，V3=-5V，则三个电极为 （ ）。 A.1为e；2为b；3为c B.1为e；2为c；3为b C.1为b；2为e；3为c D.1为b；2为c；3为e 8．用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别 为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则三个电极为 （ ）。 A.1为e；2为b；3为c B.1为e；2为c；3为b C.1为b；2为e；3为c D.1为b；2为c；3为e
模拟电子技术模电-第2章答案(含大题)
第二章训练题一、判断题：1.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
（×）2. 放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
（×）3.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（× ）4.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
5. 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
（×）6. 当单级放大电路的静态工作点过高时，根据I b=I c/β，可选用β大的晶体三极管来减小I b 。
（×）7. 只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（×）8. 若单管共射放大电路中的三极管为NPN型，输出电压的底部失真时为饱和失真。
（√）9. 在共射放大电路中，若晶体管为NPN，输出电压u o出现底部失真，则该失真为截止失真。
（×）10. 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
（×）11.可以说任何放大电路都有功率放大作用；（√）12.若单管共射放大电路出现截止失真，可适当增大基极电阻R B消除失真。
（ × ）13.某二级电压放大电路中，已知A u1=－10、A u2=－50 ，则总的电压放大倍数为500。
（√）14. 某二级电压放大电路中，已知Au1=50、Au2=100 ，则总的电压放大倍数为150。
（√）15. 现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
（×）16. 有人测得晶体管的U BE=0.7V, I B=20µA，因此推算出：be r=U BE/I B=0.7V/20µA=35KΩ。
（×）17.放大电路如图1所示，已知：U CC＝12V，R B＝240kΩ，R C＝3kΩ，晶体管β＝40，且忽略U BE。
模拟电子技术（西安交大）模拟考题二及参考答案
模拟电子技术基础模拟考试题二及参考答案一、填空（每题2，共2分）1．硅稳压二极管在稳压电路中稳压时，通常工作于（）。
(a) 正向导通状态 (b) 反向电击穿状态(c) 反向截止状态 (d) 热击穿状态2、整流的目的是（）。
(a) 将交流变为直流 (b) 将高频变为低频(c) 将正弦波变为方波 (d) 将方波变为正弦波3、当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈（）。
(a) 容性 (b) 阻性 (c) 感性 (d) 无法判断4、为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用的滤波电路是（）。
(a) 带阻 (b) 带通 (c) 低通 (d) 高通5、能实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均大于零的运算电路是（）。
(a) 加法 (b) 减法 (c) 微分 (d) 积分6、欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）。
(a) 电压串联负反馈 (b) 电压并联负反馈(c) 电流串联负反馈 (d) 电流并联负反馈7、集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）。
(a) 可获得很大的放大倍数 (b) 可使温漂小(c) 集成工艺难于制造大容量电容 (d) 放大交流信号8、要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用，第二级应采用。
（）(a) 共射电路, 共集电路 (b) 共集电路, 共射电路(c) 共基电路, 共集电路 (d) 共射电路, 共基电路9、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。
(a) 电阻阻值有误差 (b) 晶体管参数的分散性(c) 电源电压不稳定 (d) 晶体管参数受温度影响10、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。
(a) 83 (b) 91 (c) 100 (d) 120【解】1 、(b) 2 、(a) 3 、(c) 4 、(b) 5 、(a) 6 、(d) 7 、(c) 8 、(b) 9 、(d) 10 、(c)二、填空（共10题，每题2分，共20分）1、在室温（27℃）时，锗二极管的死区电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V，硅二极管的死区电压约 V；导通后在较大电流下的正向压降约 V。
模拟电子技术习题2及答案
习题2 解答选择正确答案填入空内。
（1）有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的情况下，测得电路A 的输出电压小。
这说明电路A 的 （ ）。
A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D. 输出电阻小（2）有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一理想电压源信号进行放大。
在连接相同负载的情况下，测得电路A 的输出电压小。
这说明电路A 的 （ ）。
A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D. 输出电阻小（3）在电压放大电路的上限截止频率点或下限截止频率点，电压增益比中频区增益下降3dB ，这时在相同输入电压条件下，与中频区比较，输出电压下降为（ ）倍。
A ．1B ．10C ．D ．（4）当负载电阻R L = 1k Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路时输出电压减少20%，该放大电路的输出电阻R o 为（ ）。
A ．0．25 k ΩB ．0．5 k ΩC ．1 k ΩD ．1．5k ΩΩ==-=-=----k R V V V V R V V R V V o oo oo OL oo LOLooo OL oo 25.045)2.01()1(负载电压开路电压设：（5）电路如题图所示，放大电路的输出端直接与输入端相连，则输出电阻R o （ ）。
A ．R 1B ．（1+β）R 1C ．R 1/ 1+βD ．R 1/ βE ．0（6）差模输入信号是两个输入端信号的（ ），共模信号是两个输入端信号的（ ）。
A.差B.和C.平均值答案 （1）B （2）C （3）D （4）A （5）E （6）AC+_osV将正确答案填入空内。
（1）在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰－峰值分别为5μA 和5 mV ，它们的相位相同；此时，输出端接2k Ω电阻负载，测量到正弦电压信号峰－峰值为1V ，则该放大电路的电压增益A v 等于 ，电流增益A i 等于 ，功率增益Ap 等于 。
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模拟电子技术复习题2
5.1．场效应管是电压控制元件，而双极型管是电流控制元件。
在放大电路中，场效应管工作在饱和区，双极型管工作在放大区。
5.2电路如右图所示，其中
(a) (b)
图(a)是__C __组态。
A.共源-共射
B.共漏-共射
C.共漏-共集
D.共源-共集
图(b)是_ _D__组态。
A.共源-共射
B.共漏-共射
C.共漏-共集
D.共源-共集
5.3在右图所示放大电路中，耗尽型MOS管的g
=1ms,r d趋于无穷大，各电容对交流信号可视为短路。
m
该电路的=_A___。
A. -3
B. 3
C. -5
D. 5
该电路的R i =___C_ 。
A. ∞
B. 3kΩ
C. 5MΩ
D. 5kΩ
该电路的R o =__D__。
A. ∞
B. 3kΩ
C. 5MΩ
D. 5kΩ
若C3开路，R 、R d 和R L不变，则的大小_A___。
A. 减小
B. 增大
C. 不变
6.1电流源电路的特点是：__D____。
A. 一个双口网络
B. 端口电流恒定，交流等效电阻小
C. 端口电压恒定，交流等效电阻大
D. 端口电流恒定，交流等效电阻大
6.2三极管电流源电路正常工作时，三极管处于____ _B____工作状态。
A. 截止
B. 放大
C. 饱和
D. 不确定
6.3电流源常用于放大电路，其作用是：___B ______。
A. 提高放大倍数的稳定性
B. 提供静态偏置，提高放大倍数
C. 作为放大电路的输入信号
D. 用来放大信号
6.4 4个电流源电路如图所示。
其中哪个电路不能正常工作？___C _____。
6.5放大电路产生零点漂移的主要原因是：__ B______。
A. 电压增益太大
B. 环境温度变化
C. 采用直接耦合方式
D. 采用阻容耦合方式
6.6多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是____A____工作状态。
A. 输入级
B. 中间级
C. 输出级
D. 增益最高的一级
6.7差分放大电路中，当vi1=300mV，vi2=200mV时，分解为共模输入信号为___ C_____。
A. 500mV
B. 100mV
C. 250mV
D. 50mV
6.8电路如图所示，设T1、T2两管参数对称，且VBE1=VBE2=0.7V。
则静态时，VCE1的值为__ _D_____。
A. 0.7V
B. 2.65V
C. 3.35V
D. 4.05V
6.9差分放大电路中，当vi1=300mV，vi2=280mV，A VD=100，A VC=1时，输出电压为__ ___C___。
A. 580mV
B. 1.71V
C. 2V
D. 2.29V
6.10电路如图所示，设β1=β2=β3=β4=100，VBE1= VBE2=0.7V，VBE3= VBE4=0.6V。
则静态时，VCE1的值为______。
A. 5.3V
B. 3.1V
C. 3.6V
D. 2.4V
6.11共摸抑制比KCMR越大，表明电路___ _A_____。
A. 放大倍数越稳定
B. 交流放大倍数越大
C. 抑制零漂能力越强
D. 输入信号中的差模成分越大
6.12差分放大电路如图所示。
在差模输入信号作用下的交流等效电路中。
Re相当于_______。
A. 开路
B. 短路
C. 2Re
D. Re
6.13差分放大电路由双端输入变为单端输入，则差模电压增益__c____。
A. 增加一倍
B. 为双端输入时的1/2
C. 不变
D. 不确定
6.14差分放大电路如图所示。
Re的主要作用是___C______。
A. 提高输入电阻
B. 提高差模电压增益
C. 提高共模抑制比
D. 提高共模电压增益
6.15差分放大电路由双端输出改为单端输出，共模抑制比KCMR 减小的原因是___D____。
A. 减小，增大
B. 减小，
不变
C. 不变，
增大
D. 增大，
减小
7.1 在放大电路的输入量保持不变的情况下，若引入反馈后____B_____，则说明引入的反馈是正反馈。
A. 输出量增大
B. 净输入量增大
C. 净输入量减小
D. 反馈量增加
7.2 判断：在深度负反馈下，闭环增益
几乎与开环增益
无关，因此可省去正向放大通道，只留下反馈网络，以获得稳定的闭环增益。
（错误）
7.3 判断：若放大电路的负载固定，为使其电压增益稳定，可以引入电压负反馈，也可以引入电流负反馈。
(错误)
7.4负反馈放大电路产生自激振荡的条件是_____C____。
A.
B.
C.
D .
7.5（1）如图7.5.1所示电路中，已知R e1＝1k Ω，R f ＝15k Ω，判断电路中引入了哪种反馈
组态，并求出深度负反馈下uuf
A 。
8.1 判断：顾名思义，功率放大电路有功率放大作用，电压放大电路只要电压放大作用而没有功率放大作用。
（正确）
8.2 判断：由于功率放大电路中的晶体管处于大信号工作状态，所以常常是利用晶体管的特性曲线通过图解法来进行分析计算的。
（正确）
8.3 乙类互补对称电路会出现交越失真，它是一种______C___失真。
A. 截止失真
B. 饱和失真
C. 非线性失真
D. 线性失真 o -U R 图7.5.1
8.4 为了消除交越失真，应当使功率放大电路工作在____B_____状态。
A. 甲类
B. 甲乙类
C. 乙类
8.5 在甲乙类双电源互补对称功放电路中，已知V CC = 12V，R L= 8Ω，v i为正弦波，则负载上可得到的最大输出功率为_____9____W。
8.6 功放电路如下图所示，设V CC =12V，R L =8Ω，BJT的极限参数为I CM =2A，|V(BR)CEO | =30V，P CM =5W。
试求：
（1）最大输出功率P omax值，并检验所给BJT是否能安全工作？
（2）放大电路在η=0.6时的输出功率P o值。
解：（1）求P omax，并检验BJT的安全工作情况
由最大输出功率公式，可求出
通过BJT的最大集电极电流、BJT的c、e极间最大压降和它的最大管耗分别为
所求i Cmax 、v CEmax和P T1max ，均分别小于极限参数I CM、|V(BR)CEO| 和P CM ，故BJT能安全工作。
（2）求η=0.6的P o值
由效率公式可求出
将V om 代入输出功率公式中得
9.1希望抑制50Hz 的交流电源干扰，可选用___带阻______滤波电路。
9.2 理想情况下，当f =0和f =∞时的电压增益都等于零，该电路为____带通_____滤波电路。
9.3 判断：从结构上来看，正弦波振荡电路是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器。
（正确）
9.4 若要求振荡频率在100Hz ～1kHz 范围内，则应采用 类型的正弦波振荡器。
（ A ）
A. RC
B. LC
C.多谐
9.5若要求振荡频率在10MHz ～20MHz 范围内，则应采用 类型的正弦波振荡器。
（ B ）
A. RC
B. LC
C.多谐
9.6 判断下图电路是什么形式的正弦波振荡电路？指出其选频网络、反馈网络。
判断其是否满足振荡的相位平衡条件。
9.7．如图5-2所示，设A1、A2、A3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。
若输入为1V 的直流电压，则各输出端uO1、uO2、uO3的电压为多大?
10.1 直流稳压电源由哪几部分组成？各部分的作用是什么？
10.2 桥式整流电路输出电压的平均值Vo是电源变压器V2的 0.9 倍？若再在输出端并联一电容滤波，则输出输出电压的平均值Vo又是电源变压器V2的 1.2 倍？。