第四章 倒易点阵及晶体衍射方向
晶体X射线衍射学4_衍射强度全解
• 结构因子中不包含点阵常数。因此,结构 因子只与原子种类和在晶胞中的位置有关 ,而不受晶胞形状和大小的影响。例如: 只要是体心晶胞,则体心立方、正方体心 、斜方体心,系统消光规律是相同的。
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结构因子与倒易点阵
• 倒易点阵的物理意义:每个倒易阵点代表 一组干涉面,它们的结构因子不同,则其 强度就不同。 倒易阵点 结构因子 衍射强度
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温度因子e -2M
• 由于温度的作用,晶体中原子并非处于理 想的晶体点阵位置静止不动,而是在晶体 点阵附近作热振动。温度越高,原子偏离 平衡位置的振幅也愈大。这样原子热振动 导致原子散射波的附加位相基使得在某一 衍射方向上衍射强度减弱。因此,在衍射 强度公式中又引入了一项小于1的因子,即 温度因子e -2M。
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4.4.3 亚晶块尺寸对积分强度的影响
假设:
• 1, 忽略晶体对X射线的吸收,即上层亚晶 块不影响入射到下层亚晶块上的入射束强 度。 • 2,由于取向差,各个亚晶块间的衍射线没 有固定的周相关系,各自独立地贡献强度。 • 3,入射束发散度固定到某一程度。
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小晶粒的衍射强度
• 在布拉格角附近记录到的是取向适合的晶 粒内,各个亚晶块的(HKL)晶面产生衍射 的总能量,即积分强度,等于衍射峰的面 积。 • 在稍微偏离布拉格角时,衍射强度峰并不是 在对应于布拉格角的位置出现的一根直线, 而是在θ 角附近±Δ θ范围内出现强度。
各元素的原子散射因数的数值可 以由X射线书中的附录查到。
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• 上面讨论的原子散射因数是在假定电子处 于无束缚、无阻尼的自由电子状态。实际 电子受核束缚,束缚电子与自由电子的散 射能力不同。一般条件下,这个因素可以 忽略,但当入射波长接近某一吸收限,如λ k 时,f 值就会出现明显的波动,称为反常 散射效应。在这种情况下,要对f 值进行色 散修正,数据在国际X射线晶体学表中可以 查到。
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Байду номын сангаас倒易点阵和晶体的衍射方向
46、法律有权打破平静。——马·格林 47、在一千磅法律里,没有一盎司仁 爱。— —英国
48、法律一多,公正就少。——托·富 勒 49、犯罪总是以惩罚相补偿;只有处 罚才能 使犯罪 得到偿 还。— —达雷 尔
50、弱者比强者更能得到法律的保护 。—— 威·厄尔
谢谢
第四章--倒易点阵及晶体衍射方向
第四章 倒易点阵及晶体衍射方向1. 布拉格定律一定波长的 X 射线或入射电子与晶体试样相互作用 , 可以用布拉格定律来表征产生衍射的条件。
图 4.1 布拉格定律的几何说明如图 4.1, 设平行电子束σ0入射到晶体中面间距为 d hkl 的晶体面网组 (hkl), 在人射波前 SS' 处 , 两电子波位相相同, 如果左边一支波经历波程 PA+AD = n λ,n 为包括零的整数 , 则两支波离开晶体后达到新波前 TT' 时 , 将具有相同的位相 , 相干结果可以达到衍射极大; 反之, 若 PA+AD ≠ n λ, 则达到TT' 时, 它们位相不同 , 不能相干得到衍射极大。
由图 4.1 可知,PA+AD =2d hkl sin θ=n λ (4.1)此即布拉格方程,n 称为衍射级数。
式(4.1)也可以写成:λθ=⎪⎭⎫⎝⎛sin 2n d hkl (4.1a)因为 d hkl /n=d nh, nk, hl ,故可把n 级 (hkl) 反射看成是与 (hkl) 平行 但面网间距缩小 n 倍的、 (nh, nk, nl) 的一级反射。
这样 , 布拉格方程可以写成一般形式 :λθ=sin 2hkl d (4.1a) 还可以写成下述形式:λθ/2/1sin hkld =(4.1b) 只要满足布拉格方程 , 就获得了产生衍射极大的条件。
式 (4.1a) 中 d hkl 为晶体中晶面组 (hkl) 的晶面间距;λ为入射电子束的波长;θ为人射电子束方向相对于晶面 (hkl) 的掠射角。
2. 倒易点阵2.1 倒易点阵定义 (1)倒易点阵:若已知晶体点阵的单位矢量 a 、b 、c, 可以定义倒易点阵的单位矢量a *、b *、c *,该点阵的方向矢量垂直于同名指数的晶体平面, 它的大小等于同名指数晶面间距的倒数,该点阵称为倒易点阵。
(2)正点阵与倒易点阵和基矢量的相互关系:图4.2 正点阵与倒易点阵和基矢量的相互关系取一晶体单胞 , 如图 4.2, 晶体点阵的单位矢量为 a 、b 和 c , 相应点阵的 6 个参数是a 、 b 、 c 、α、β和 γ。
材料分析测试方法部分课后习题答案
第一章X射线物理学根底2、假设X射线管的额定功率为1.5KW,在管电压为35KV时,容许的最大电流是多少?答:1.5KW/35KV=0.043A .4、为使Cu靶的K 3线透射系数是K〞线透射系数的1/6,求滤波片的厚度.答:因X光管是Cu靶,应选择Ni为滤片材料.查表得:科m a =49.03cm2 /g, m 3 = 290cm2/g, 有公式,,,故:,解得:t=8.35um t6、欲用Mo靶X射线管激发Cu的荧光X射线辐射,所需施加的最低管电压是多少?激发出的荧光辐射的波长是多少?答:eVk=hc/ 入Vk=6.626 X10-34 >2.998 M08/(1.602 M0-19 X0.71 M0-10)=17.46(kv)入0=1.24/v(nm)=1.24/17.46(nm)=0.071(nm)其中h为普郎克常数,其值等于 6.626 X10-34e为电子电荷,等于1.602 X10-19C故需加的最低管电压应声7.46(kv),所发射的荧光辐射波长是0.071纳米.7、名词解释:相干散射、不相干散射、荧光辐射、吸收限、俄歇效应答:⑴ 当x射线通过物质时,物质原子的电子在电磁场的作用下将产生受迫振动,受迫振动产生交变电磁场,其频率与入射线的频率相同, 这种由于散射线与入射线的波长和频率一致,位相固定,在相同方向上各散射波符合相干条件,故称为相干散射.⑵当x射线经束缚力不大的电子或自由电子散射后, 可以得到波长比入射x射线长的X射线,且波长随散射方向不同而改变,这种散射现象称为非相干散射.⑶一个具有足够能量的x射线光子从原子内部打出一个K电子,当外层电子来填充K空位时,将向外辐射K系x射线,这种由x射线光子激发原子所发生的辐射过程,称荧光辐射.或二次荧光.⑷指x射线通过物质时光子的能量大于或等于使物质原子激发的能量, 如入射光子的能量必须等于或大于将K电子从无穷远移至K层时所彳^的功W,称此时的光子波长入称为K系的吸收限.⑸原子钟一个K层电子被光量子击出后,L层中一个电子跃入K层填补空位,此时多余的能量使L层中另一个电子获得能量越出吸收体,这样一个K层空位被两个L层空位代替的过程称为俄歇效应.第二章X射线衍射方向2、下面是某立方晶第物质的几个晶面, 试将它们的面间距从大到小按次序重新排列:(123 ), (100) , (200) , (311 ) , ( 121 ) , ( 111 ) , (210) , (220) , ( 130), (030), ( 221 ), (110).答:立方晶系中三个边长度相等设为a,那么晶面间距为d=a/那么它们的面间距从大小到按次序是:(100)、(110)、(111)、(200)、(210)、(121)、(220)、(221)、(030)、(130)、(311 )、( 123).4、〞-Fe属立方晶体,点阵参数a=0.2866 .如用CrKoX射线(入=0.2291mm )照射,试求(110)、(200)及(211)可发生衍射的掠射角.答:立方晶系的晶面间距:=a / ,布拉格方程:2dsin 0 =入,故掠射角0 =arcsin (入/2 ),由以上公式得:2d(110)sin 0 1=入,得0 1=34.4 °,同理0 2=53.1 °, 0 3=78.2 °.6、判别以下哪些晶面属于[111]晶带:(110), (231 ) , (231 ), (211 ) , (101 ), (133), (112), (132) , (011 ), (212).答:(110)、(231)、(211)、(112)、(101)、(011)属于[111]晶带.由于它们符合晶带定律公式:hu+kv+lw=07、试计算(311 )及(132)的共同晶带轴.答:由晶带定律:hu+kv+lw=0 ,得:-3u+v+w=0 (1) , -u-3v+2w=0 (2), 联立两式解得:w=2v, v=u,化简后其晶带轴为:[112].第三章X射线衍射强度1、用单色X射线照射圆柱柱多晶体试样, 其衍射线在空间将形成什么图案?为摄取德拜图相,应当采用什么样的底片去记录?答:当单色X射线照射圆柱柱多晶体试样时,衍射线将分布在一组以入射线为轴的圆锥而上.在垂直于入射线的平底片所记录到的衍射把戏将为一组同心圆. 此种底片仅可记录局部衍射圆锥,故通常用以试样为轴的圆筒窄条底片来记录.2、原子散射因数的物理意义是什么?某元素的原子散射因数与其原子序数有何关系?答:(1)原子散射因数f是一个原子中所有电子相干散射波的合成振幅与单个电子相干散射波的振幅的比值.它反映了原子将X射线向某一个方向散射时的散射效率.(2)原子散射因数与其原子序数有何关系, Z越大,f越大.因此,重原子对X射线散射的水平比轻原子要强.3、洛伦兹因数是表示什么对衍射强度的影响?其表达式是综合了哪几个方面考虑而得出的?答:洛伦兹因数是表示几何条件对衍射强度的影响. 洛伦兹因数综合了衍射积分强度, 参加衍射的晶粒分数与单位弧长上的积分强度.4、多重性因数的物理意义是什么?某立方第晶体,其{100}的多重性因数是多少?如该晶体转变为四方系,这个晶体的多重性因数会发生什么变化?为什么?答:(1)表示某晶面的等同晶面的数目.多重性因数越大,该晶面参加衍射的几率越大,相应衍射强度将增加.(2)其{100}的多重性因子是6; (3)如该晶体转变为四方晶系多重性因子是4; (4)这个晶面族的多重性因子会随对称性不同而改变.6、多晶体衍射的积分强度表示什么?今有一张用CuKa摄得的鸨〔体心立方〕的德拜相,试计算出头4根线的相对积分强度〔不计算A〔 3和e-2M,以最强线的强度为100〕.头4根线的.值如下:答:多晶体衍射的积分强度表示晶体结构与实验条件对衍射强度影响的总和I = I0832 卡〔e2 mc2 〕 2 V VC2 P|F|2 〔f〕〔 @A〔昵-2M即:查附录表 F 〔p314〕,可知:20.20 Ir = P F 2 1+COS2 0 sin2 tecs 0 = 14.12; 29.20 Ir =P F 21+COS2 0 sin2 6cos 0 = 6.135 ; 36.70 Ir = P F 2 1+COS2 0 sin2 Scos 0 = 3.777 ; 43.60Ir = P F 2 1+COS2 0 sin2 Qcos 0 = 2.911不考虑A〔9〕〕、e-2M、P 和|F|2 I1=100; I2=6.135/4.12=43.45; I3=3.777/14.12=26.75;I4=2.911/4.12=20.62头4根线的相对积分强度分别为100、43.45、26.75、20.26.第四章多晶体分析方法2、同一粉末相上背射区线条与透射区线条比拟起来其.较高还是较低?相应的d较大还是较小?既然多晶粉末的晶体取向是混乱的,为何有此必然的规律.答:背射区线条与透射区线条比拟, .较高,相应的d较小.产生衍射线必须符合布拉格方程,2dsin 0= %对于背射区属于2.高角度区,根据d= "2sin Q.越大,d越小.3、衍射仪测量在入射光束、试样形状、试样吸收以及衍射线记录等方面与德拜法有何不同?答:〔1〕入射X射线的光束:都为单色的特征X射线,都有光栏调节光束.不同:衍射仪法:采用一定发散度的入射线,且聚焦半径随 2 0变化;德拜法:通过进光管限制入射线的发散度.〔2〕试样形状:衍射仪法为平板状,德拜法为细圆柱状.〔3〕试样吸收:衍射仪法吸收时间短,德拜法吸收时间长,约为10〜20h .〔4〕记录方式:衍射仪法采用计数率仪作图,德拜法采用环带形底片成相,而且它们的强度〔I〕对〔2.〕的分布〔I-2.曲线〕也不同;4、测角仪在采集衍射图时, 如果试样外表转到与入射线成30.角,那么计数管与入射线所成角度为多少?能产生衍射的晶面,与试样的自由外表呈何种几何关系?答:当试样外表与入射X射线束成30.角时,计数管与入射线所成角度为60.,能产生衍射的晶面与试样的自由外表平行.第八章电子光学根底1、电子波有何特征?与可见光有何异同?答:〔1〕电子波与其它光一样,具有波粒二象性. 〔2〕可见光的波长在390 —760nm ,在常用加速电压下,电子波的波长比可见光小5个数量级.2、分析电磁透镜对电子波的聚焦原理,说明电磁透镜的结构对聚焦水平的影响.答:电磁透镜的聚焦原理:利用通电短线圈制造轴对称不均匀分布磁场,是进入磁场的平行电子束做圆锥螺旋近轴运动.电磁透镜的励磁安匝数越大,电子束偏转越大,焦距越短.3、电磁透镜的像差是怎样产生的?如何来消除和减少像差?答:电磁透镜的像差包括球差、像散和色差.(1)球差即球面像差,是磁透镜中央区和边沿区对电子的折射水平不同引起的,增大透镜的激磁电流可减小球差.(2)像散是由于电磁透镜的轴向磁场不对称旋转引起.可以通过引入一强度和方位都可以调节的矫正磁场来进行补偿(3)色差是电子波的波长或能量发生一定幅度的改变而造成的.稳定加速电压和透镜电流可减小色差.4、说明影响光学显微镜和电磁透镜分辨率的关键因素是什么?如何提升电磁透镜的分辨率?答:(1)光学显微镜分辨本领主要取决于照明源的波长;衍射效应和像差对电磁透镜的分辨率都有影响.(2)使波长减小,可降低衍射效应.考虑与衍射的综合作用,取用最正确的孔径半角.5、电磁透镜景深和焦长主要受哪些因素影响?说明电磁透镜的景深大、焦长长,是什么因素影响的结果?假设电磁透镜没有像差, 也没有衍射埃利斑,即分辨率极高,此时它们的景深和焦长如何?答:(1)电磁透镜景深为Df=2 Ar0/tan %受透镜分辨率和孔径半角的影响.分辨率低,景深越大;孔径半角越小,景深越大.焦长为DL=2 Ar0加2/ , M为透镜放大倍数.焦长受分辨率、孔径半角、放大倍数的影响.当放大倍数一定时,孔径半角越小焦长越长.(2)透镜景深大,焦长长,那么一定是孔径半角小,分辨率低. (3)当分辨率极高时,景深和焦长都变小.第九章透射电子显微镜1、透射电镜主要由几大系统构成?各系统之间关系如何?答:(1)由三大系统构成,分别为电子光学系统、电源与限制系统和真空系统.(2)电子光学系统是透射电镜的核心, 为电镜提供射线源, 保证成像和完成观察记录任务.供电系统主要用于提供电子枪加速电子用的小电流高压电源和透镜激磁用的大电流低压电源.真空系统是为了保证光学系统时为真空, 预防样品在观察时遭到污染, 使观察像清楚准确.电子光学系统的工作过程要求在真空条件下进行.2、照明系统的作用是什么?它应满足什么要求?答:照明系统由电子枪、聚光镜和相应的平移对中、倾斜调节装置组成.它的作用是提供一;.束亮度高、照明孔经角小、平行度好、束流稳定的照明源.要求:入射电子束波长单一,色差小,束斑小而均匀,像差小.3、成像系统的主要构成及其特点是什么?答:成像系统主要是由物镜、中间镜和投影镜组成.(1)物镜:物镜是一个强激磁短焦距的透镜,它的放大倍数较高,分辨率高.(2)中间镜:中间镜是一个弱激磁的长焦距变倍透镜,可在0到20倍范围调节.(3)投影镜:和物镜一样,是一个短焦距的强激磁透镜.4、分别说明成像操作与衍射操作时各级透镜(像平面与物平面)之间的相对位置关系,并画出光路图.答:如果把中间镜的物平面和物镜的像平面重合, 那么在荧光屏上得到一幅放大像, 这就是电子显微镜中的成像操作,如图(a)所示.如果把中间镜的物平面和物镜的后焦面重合,那么在荧光屏上得到一幅电子衍射把戏, 这就是电子显微镜中的电子衍射操作, 如图(b)所示.5、样品台的结构与功能如何?它应满足哪些要求?答:结构:有许多网孔,外径3mm的样品铜网.(1)样品台的作用是承载样品,并使样品能作平移、倾斜、旋转,以选择感兴趣的样品区域或位向进行观察分析. 透射电镜的样品台是放置在物镜的上下极靴之间, 由于这里的空间很小,所以透射电镜的样品台很小,通常是直径3mm的薄片.(2)对样品台的要求非常严格. 首先必须使样品台牢固地夹持在样品座中并保持良好的热;在2个相互垂直方向上样品平移最大值为十mm ;样品平移机构要有足够的机械密度,无效行程应尽可能小.总而言之,在照相暴光期间样品图像漂移量应相应情况下的显微镜的分辨率.6、透射电镜中有哪些主要光阑,在什么位置?其作用如何?答:(1)透镜电镜中有三种光阑:聚光镜光阑、物镜光阑、选区光阑.(2)聚光镜的作用是限制照明孔径角,在双聚光镜系统中,它常装在第二聚光镜的下方;物镜光阑通常安放在物镜的后焦面上, 挡住散射角较大的电子, 另一个作用是在后焦面上套取衍射来的斑点成像;选区光阑是在物品的像平面位置,方便分析样品上的一个微小区域.7、如何测定透射电镜的分辨率与放大倍数. 电镜的哪些主要参数限制着分辨率与放大倍数?答:(1)分辨率:可用真空蒸镀法测定点分辨率;利用外延生长方法制得的定向单晶薄膜做标样,拍摄晶格像,测定晶格分辨率.放大倍数:用衍射光栅复型为标样,在一定条件下拍摄标样的放大像,然后从底片上测量光栅条纹像间距, 并与实际光栅条纹间距相比即为该条件下的放大倍数.(2)透射电子显微镜分辨率取决于电磁透镜的制造水平,球差系数,透射电子显微镜的加速电压.透射电子显微镜的放大倍数随样品平面高度、加速电压、透镜电流而变化.8、点分辨率和晶格分辨率有何不同?同一电镜的这两种分辨率哪个高?为什么?答:(1)点分辨率像是实际形貌颗粒, 晶格分辨率测定所使用的晶格条纹是透射电子束和衍射电子束相互干预后的干预条纹, 其间距恰好与参与衍射的晶面间距相同, 并非晶面上原子的实际形貌相.(2)点分辨率的测定必须在放大倍数时测定,可能存在误差;晶格分辨率测定图需要先知道放大倍数,更准确.所以,晶格分辨率更高.第十章电子衍射1、分析电子衍射与X射线衍射有何异同?答:电子衍射的原理和X射线相似,是以满足(或根本满足)布拉格方程作为产生衍射的必要条件,两种衍射技术所得到的衍射把戏在几何特征上也大致相似. 但电子波作为物质波,又有其自身的特点:(1)电子波的波长比X射线短得多,通常低两个数量级;(2)在进行电子衍射操作时采用薄晶样品,薄样品的倒易点阵会沿着样品厚度方向延伸成杆状,因此,增加了倒易点阵和爱瓦尔德球相交截的时机, 结果使略微偏离布拉格条件的电子束也可发生衍射.(3)因电子波的波长短,采用爱瓦尔德球图解时,反射球的半径很大,在衍射角较小的范围内反射球的球面可以近似地看成是一个平面, 从而也可以认为电子衍射产生的衍射斑点大致分布在一个二维倒易截面上.(4)原子对电子的散射水平远高于它对X射线的散射水平(约高出四个数量级)2、倒易点阵与正点阵之间关系如何?倒易点阵与晶体的电子衍射斑点之间有何对应关系?答:倒易点阵是在正点阵的基石^上三个坐标轴各自旋转90度而得到的.关系:零层倒易截面与电子衍射束是重合的, 其余的截面是在电子衍射斑根底上的放大或缩小.3、用爱瓦尔德图解法证实布拉格定律.答:作一个长度等于1/入的矢量K0,使它平行于入射光束,并取该矢量的端点O作为倒点阵的原点.然后用与矢量K0相同的比例尺作倒点阵.以矢量K0的起始点C为圆心,以1/入为半径作一球,那么从(HKL)面上产生衍射的条件是对应的倒结点HKL (图中的P点)必须处于此球面上,而衍射线束的方向即是C至P点的联接线方向,即图中的矢量K的方向.当上述条件满足时,矢量(K- K0)就是倒点阵原点O至倒结点P (HKL)的联结矢量OP, 即倒格失R* HKL.于是衍射方程K- K0=R* HKL得到了满足.即倒易点阵空间的衍射条件方程成立.又由g*=R* HK , 2sin d/ Fg* , 2sin d/ 入=1/d , 2dsin 0= X,证毕.9、说明多晶、单晶及非单晶衍射把戏的特征及形成原理.答:单晶衍射斑是零层倒易点阵截面上的斑点, 是有规律的斑点;多晶衍射斑是由多个晶面在同一晶面族上构成的斑点, 构成很多同心圆,每个同心圆代表一个晶带;非晶衍射不产生衍射斑,只有电子束穿过的斑点.第十一章晶体薄膜衍衬成像分析1、制备薄膜样品的根本要求是什么?具体工艺过程如何?双喷减薄与离子减薄各适用于制备什么样品?答:1、根本要求:〔1〕薄膜样品的组织结构必须和大块样品的相同,在制备过程中,组织结构不发生变化;〔2〕相对于电子束必须有足够的透明度〞;〔3〕薄膜样品应有一定的强度和刚度,在制备、夹持和操作过程中不会引起变形和损坏;〔4〕在样品制备的过程中不允许外表氧化和腐蚀.2、工艺为:〔1〕从实物或大块试样上切割厚度为0.3mm-0.5mm 厚的薄皮;〔2〕样品薄皮的预先减薄,有机械法和化学法两种;〔3〕最终减薄.3、离子减薄:1〕不导电的陶瓷样品;2〕要求质量高的金属样品;3〕不宜双喷电解的金属与合金样品.双喷减薄:1〕不易于腐蚀的裂纹端试样;2〕非粉末冶金样式;3〕组织中各相电解性能相差不大的材料;4〕不易于脆断、不能清洗的试样.2、什么是衍射衬度?它与质厚衬度有什么区别?答:由于样品中不同位向的晶体的衍射条件不同而造成的衬度差异叫做衍射衬度. 质厚衬度是由于样品不同微区间存在的原子序数或厚度的差异而形成的.4、什么是消光距离?影响消光距离的主要物性参数和外界条件是什么?答:〔1〕由于衍射束与透射之间存在强烈的相互作用, 晶体内透射波与入射波的强度在晶体深度方向上发生周期性的振荡,此振荡的深度周期叫消光距离.〔2〕影响因素:晶体特征,成像透镜的参数.9、说明挛晶与层错的衬度特征,并用各自的衬度形成原理加以解释.答:〔1〕挛晶的衬度特征是:挛晶的衬度是平直的,有时存在台阶,且晶界两侧的晶粒通常显示不同的衬度,在倾斜的晶界上可以观察到等厚条纹.〔2〕层错的衬度是电子束穿过层错区时电子波发生位相改变造成的.其一般特征是:1〕平行于薄膜外表的层错衬度特征为,在衍衬像中有层错区域和无层错区域将出现不同的亮度,层错区域将显示为均匀的亮区或暗区. 2〕倾斜于薄膜外表的层错,其衬度特征为层错区域出现平行的条纹衬度. 3〕层错的明场像,外侧条纹衬度相对于中央对称,当时,明场像外侧条纹为亮衬度,当时,外侧条纹是暗的;而暗场像外侧条纹相对于中央不对称, 外侧条纹一亮一暗.4〕下外表处层错条纹的衬度明暗场像互补, 而上外表处的条纹衬度明暗场不反转.10、要观察钢中基体和析出相的组织形态,同时要分析其晶体结构和共格界面的位向关系, 如何制备样品?以怎样的电镜操作方式和步骤来进行具体分析?答:把析出相作为第二相来对待,把第二相萃取出来进行观察,分析晶体结构和位向关系;利用电子衍射来分析,用选区光阑套住基体和析出相进行衍射, 获得包括基体和析出相的衍射把戏进行分析,确定其晶体结构及位向关系.第十三章扫描电子显微镜1、电子束入射固体样品作用时会产生哪些信号?它们各具有什么特点?答:主要有六种:1〕背散射电子:能量高;来自样品外表几百nm深度范围;其产额随原子序数增大而增多.用作形貌分析,显示原子序数称度,定性地用作成分分析2〕二次电子:能量较低;对样品外表状态十分敏感.不能进行成分分析.主要用于分析样品表面形貌.3〕吸收电子:其衬度恰好和SE或BE信号调制图像衬度相反;与背散射电子的衬度互补. 吸收电子能产生原子序数衬度,即可用来进行定性的微区成分分析.4〕透射电子:透射电子信号由微区的厚度、成分和晶体结构决定.可进行微区成分分析.5〕特征X射线:用特征值进行成分分析,来自样品较深的区域.6〕俄歇电子:各元素的俄歇电子能量值很低;来自样品外表1 —2nm范围.它适合做外表分析.2、扫描电镜的分辨率受哪些因素影响?用不同信号成像时,其分辨率有何不同?所谓扫描电镜的分辨率是指用何种信号成像时的分辨率?答:在其他条件相同的情况下, 电子束的束斑大小、检测信号的类型以及检测部位的原子序数是影响扫描电镜分辨率的三大因素. 不同信号成像时,其作用体不同,二次电子分辨率最高,其最用的体积最小.所以扫描电镜的分辨率用二次电子像分辨率表示.3、扫描电镜的成像原理与透射电镜有何不同?答:不用电磁透镜放大成像, 而是以类似电视摄影显像的方式, 利用细聚焦电子束在样品表面扫描激发出来的物理信号来调质成像的.4、二次电子像和背射电子像在显示外表形貌衬度时有何相同与不同之处?答:在成像过程中二者都可以表示外表形貌;二次电子像作用区域小, 对外表形貌的作用力大;背散射电子作用区域大,对其外表形貌作用水平小.第十五章电子探针显微分析1、电子探针仪与扫描电镜有何异同?电子探针如何与扫描电镜和透射电镜配合进行组织结构与微区化学成分的同位分析?答:二者结构上大体相同, 但是探测器不同,电子探针检测仪根据检测方式有能谱仪和波谱仪,扫描电镜探测器主要是光电倍增管,对电子和背散射电子.电子探针仪与扫描电镜再加一个能谱仪进行组合.2、波谱仪和能谱仪各有什么优缺点?答:〔1〕波谱仪是用来检测X射线的特征波长的仪器,而能谱仪是用来检测X射线的特征能量的仪器.与波谱仪相比能谱仪:〔2〕优点:1 〕能谱仪探测X射线的效率高;2〕在同一时间对分析点内所有元素X射线光子的能量进行测定和计数, 在几分钟内可得到定性分析结果, 而波谱仪只能逐个测量每种元素特征波长.3〕结构简单,稳定性和重现性都很好;4〕不必聚焦,对样品外表无特殊要求,适于粗糙外表分析.〔3〕缺点:1〕分辨率低;2〕能谱仪只能分析原子序数大于11的元素;而波谱仪可测定原子序数从4到92间的所有元素;3〕能谱仪的Si〔Li〕探头必须保持在低温态,因此必须时时用液氮冷却.4、要分析钢中碳化物成分和基体中碳含量,应选用哪种电子探针仪?为什么?答:对碳元素〔6号元素〕能谱仪分析仪误差大,应用波谱仪;能谱仪分析轻元素检测困难且精度低,波谱仪可分析原子序数从4到92间的所有元素.5、要在观察断口形貌的同时, 分析断口上粒状夹杂物的化学成分, 选用什么仪器?用怎样的操作方式进行具体分析?答:应选用配置有波谱仪或能谱仪的扫描电镜. 具体的操作分析方法是:通常采用定点分析,也可采用线扫描方式.。
倒易点阵
倒易点阵:晶体点阵结构与其电子衍射斑点之间可以通过另外一个假想的点阵很好地联系起来,这就是~零层倒易截面:电子束沿晶带轴的反向入射时,通过原点的倒易平面只有一个,我们把这个二维平面叫做~消光距离:透射束或衍射束在动力学相互作用的结果,在晶体深度方向上发生周期性的振荡,这种振荡的深度周期叫做~明场像:通过衍射成像原理成像时,让透射束通过物镜光阑而把衍射束挡掉形成的图像称为明场像。
暗场像:通过衍射成像原理成像时,让衍射束通过物镜光阑而把透射束挡掉形成的图像称为暗场像。
衍射衬度:由于样品中不同位向的晶体的衍射条件不同而造成的衬度差别叫~质厚衬度:是建立在非晶体样品中原子对入射电子的散射和透射电子显微镜小孔径角成像基础上的成像原理,是解释非晶态样品电子显微图像衬度的理论依据。
二次电子:在入射电子束作用下被轰击出来并离开样品表面的样品的核外电子叫~吸收电子:入射电子进入样品后,经多次非弹性散射能量损失殆尽,然后被样品吸收的电子。
透射电子:如果被分析的样品很薄,那么就会有一部分入射电子穿过薄样品而成为透射电子。
结构消光:当Fhkl=0时,即使满足布拉格定律,也没有衍射束产生,因为每个晶胞内原子散射波的合成振幅为零。
这叫做~分辨率:是指成像物体(试样)上能分辨出来的两个物点间的最小距离。
焦点:一束平行于主轴的入射电子束通过电磁透镜时将被聚焦在轴线上一点。
焦长:透镜像平面允许的轴向偏差.景深:透镜物平面允许的轴向偏差.磁转角:电子束在镜筒中是按螺旋线轨迹前进的,衍射斑点到物镜的而一次像之间有一段距离,电子通过这段距离时会转过一定的角度.电磁透镜:透射电子显微镜中用磁场来使电子波聚焦成像的装置。
透射电子显微镜:是以波长极短的电子束作为照明源,用电磁透镜聚焦成像的一种高分辨率,高放大倍数的电子光学仪器。
弹性散射:当一个电子穿透非晶体薄样品时,将与样品发生相互作用,或与原子核相互作用,或与核外电子相互作用,由于电子的质量比原子核小得多,所以原子核入射电子的散射作用,一般只引来电子改变运动方向,而能量没有变化,这种散射叫做弹性散射。
第四章 透射电镜电子衍射衍射花样标定解析
V
V
V
式中V为正点阵中单胞的体积:
V a (b c) b (c a) c (a b)
表明某一倒易基矢垂直于正点阵中和自己异名的 二基矢所成平面。
2.倒易点阵的性质
(1)根据倒易点阵中单位矢量的定义和矢量运算法则可推出:
a * b a * c b * a b * c c * a 0
R21 : R22 : R23 :1: 2:3: 4:5:6:8:9:10:11:12:13:14:16:17:
实际晶体要产生衍射,除要求满足布拉格定律外,还要满
足一定条件,如体心立方晶体要求 H+K+L为偶数;面心立 方晶体要求H、K、L为全奇数或全偶数,否则产生结构消光。
因此体心立方晶体和面心立方晶体遵循的规律如下:
342.25
Ri2/R12 {hkl}
3 {111}
8 {220}
11 {311}
20 {420}
表明为面心立方晶体。
②任取A为(111),尝试B为(220),并测得之间的夹角为900,
之间的夹角为580,由选取的A,B点所对应的晶面指数计算
夹角的余弦:cos
h1h2 k1k2 l1l2
(1)未知相机常数及晶体结构情况下指标化方法
铝单晶电子衍射花样及标定
①选取靠近中心O附近且不在一条直线上的四个斑点A、B、C、 D,分别测量它们的R值,并且找出Ri2/R12比值规律,确定点 阵类型及斑点的晶面组指数。
斑点
A
B
C
D
R(mm) 7
11.4
11.3
18.5
R2
49
129.96
182.25
计算晶面间距d如果相机常数未知可用标准样品计算出实验条件下电镜的相机常数kl然后根据衍射环的的相对强度查出pdf卡片确认与所测数据相对应的物r2r1r3r42多晶电子衍射分析的作用主要有两个
1-4倒易点阵
四、倒易点阵
2 怎样拟定倒易点阵
2.1 什么是倒易基矢 我们将正点阵中晶胞中旳a、b、c、、、六个点阵
常数用三个基矢 a、b、c 来替代,那么 a、b、c 就能
四、倒易点阵
4 实际晶体中旳倒易点阵
倒易点阵中出现节点旳条件: 正点阵中相互平行旳(hkl)面旳全体包括(经过)全部旳正点阵节 点。 例如:BCC和FCC旳(002)平行晶面族包括了全部原子
(001)平行晶面族只包括了二分之一原子 所以:在BCC和FCC旳倒易点阵中只出现(0,0,2)节点,而不 出现(0,0,1)节点。
四、倒易点阵
1 什么是倒易点阵
• 为了从几何学上形象旳拟定衍射条件, 人们就找到一个新旳点阵(倒易点阵),使 其与正点阵(实际点阵)相相应。
•
相应旳条件:新点阵中旳每一个结点都 相应着正点阵旳一定晶面,该结点既反O映P 该
晶面旳取向也反映该晶面旳面间距。
•
具体条件:OP 1/d(hkl)
• a. 新点阵中原点O到任意结点P(hkl) (倒易 点)旳矢量 正好沿正点阵中{hkl}面旳法 线方向。
(100)
四、倒易点阵
2.2 怎样拟定倒易基矢 2经过怎正样点拟阵定,倒能易够点得阵到:
d(100) =a
b b
c c
(2)
将(2)式代入(1)式得到:
a*= bc bc abc V
一样:b*
=
c
a V
c*
ab V
V 为正点阵晶胞旳体积。
(100)
四、倒易点阵
2 怎样拟定倒易点阵
第四章X射线衍射方法
X射线测角仪----试样
根据聚集圆原理,试样应为与圆相吻的弧 面,实际上为制造方便,采用平板试样.将 粉末试样放在20mm×15mm×2mm的 样品框中,填平、压紧、刮平.粉末颗粒大 小适中,过粗难压紧成型,且照射的颗粒少, 衍射强度不稳定.过细使衍射线宽化,并妨 碍弱线的出现.
计数测量中的主要电路
◆探测与记录系统---计数器
1. 定标器(间歇式): ①定时计数法:设定时间内,接收电压脉冲数,求
出单位时间光子数(CPS) ②定数计时法:设定脉冲数,测定计数时间,求出
单位时间光子数(CPS) 2.计数率仪(连续式) 经RC电路计数计时同时进行测量单位时间的脉冲 数,并转化为平均直流电压值(与平均脉冲速率 成正比)输出,再由电子电位差计绘出平均直流电 压值与衍射角变化曲线,即衍射图.
原理:将单色器置于衍射线光路上,试样与接 收狭缝之间选单晶体的某个反射能力强的晶面 平行于外表面,由试K 样衍射产生的衍射线(一 次)投射到单晶体上,调整弯晶的方位,使其 高反射本能的平行晶面与一次衍射线的夹角刚 好等于该晶面对Kα 辐射的布拉格角,这样由弯 晶发出的二次衍射线为纯净的与试样衍射线对 应的Kα 衍射线。因以Kα 外的射线与弯晶不满 足衍射条件而滤掉。常用石墨弯晶(0002)晶 面。
2 连动: 试样表面处在入射线和衍射线的
反射位置上,确保狭缝光阑、探测器处于衍射方 向,接收相应晶面的衍射线. 聚集圆: 入射线管焦斑S、被照射的试样表面 MON、反射线的会聚点F(狭缝光阑)位于同一 聚集圆上,确保反射线在F点聚焦接收
固体物理(第4课)倒易空间
-b1+b2
-b1-b2
b1+b2 b1-b2
离原点再远的倒格点有4个:
2b1,-2b1,2b2,-2b2.
2b2
-2b1
2b1 -2b2
二维正方晶格的布里渊区
二维长方晶格的布里渊区
二维六方晶格的十个布里渊区
(3) 三维晶格a. 简来自方晶格 倒易空间示意图aaa321
ai aj ak
图5 闪锌矿结构的本征GaN材料的能带结构图,导带最小和价带最大。
作
业
1 试证简单立方晶格的倒易点阵仍为简单立方晶格,体 心立方和面心立方互为倒易点阵。分别计算其第一 布里渊区的体积(假设其晶胞晶格常数为a)。
2 有一二维晶格,其原胞基矢分别为
a1
2
i
,a2
4j
(a1、a2的长度均以
A为单位),
布里渊区示意图2-2
:坐标原点0,0,0 : 100 H: 2 1,0,0
a
: 110 N: 2 1 , 1 ,0
a 2 2
: 111 P: 2 1 , 1 , 1
a 2 2 2
简约布里渊区:正十二面体
V
2
2
a
3
V倒易原胞
返回
布里渊区示意图3-1
倒易
面心立方的倒 易点阵是体心 立方
结论: 若两矢量点积为2的整数倍, 且其中一个矢量
为正点阵位矢, 则另一个矢量必为倒易点阵的位矢。
为什么在倒易关系中存在2π 因子,这是因为如此定 义的互为倒易的两个矢量G与T之间满足下面简洁的
恒等式:
eiGT 1
(3) 两个点阵原胞体积之间的关系:
V* b1 (b2 b3 )
倒易点阵[整理版]
倒易点阵:晶体点阵结构与其电子衍射斑点之间可以通过另外一个假想的点阵很好地联系起来,这就是~零层倒易截面:电子束沿晶带轴的反向入射时,通过原点的倒易平面只有一个,我们把这个二维平面叫做~消光距离:透射束或衍射束在动力学相互作用的结果,在晶体深度方向上发生周期性的振荡,这种振荡的深度周期叫做~明场像:通过衍射成像原理成像时,让透射束通过物镜光阑而把衍射束挡掉形成的图像称为明场像。
暗场像:通过衍射成像原理成像时,让衍射束通过物镜光阑而把透射束挡掉形成的图像称为暗场像。
衍射衬度:由于样品中不同位向的晶体的衍射条件不同而造成的衬度差别叫~质厚衬度:是建立在非晶体样品中原子对入射电子的散射和透射电子显微镜小孔径角成像基础上的成像原理,是解释非晶态样品电子显微图像衬度的理论依据。
二次电子:在入射电子束作用下被轰击出来并离开样品表面的样品的核外电子叫~吸收电子:入射电子进入样品后,经多次非弹性散射能量损失殆尽,然后被样品吸收的电子。
透射电子:如果被分析的样品很薄,那么就会有一部分入射电子穿过薄样品而成为透射电子。
结构消光:当Fhkl=0时,即使满足布拉格定律,也没有衍射束产生,因为每个晶胞内原子散射波的合成振幅为零。
这叫做~分辨率:是指成像物体(试样)上能分辨出来的两个物点间的最小距离。
焦点:一束平行于主轴的入射电子束通过电磁透镜时将被聚焦在轴线上一点。
焦长:透镜像平面允许的轴向偏差.景深:透镜物平面允许的轴向偏差.磁转角:电子束在镜筒中是按螺旋线轨迹前进的,衍射斑点到物镜的而一次像之间有一段距离,电子通过这段距离时会转过一定的角度.电磁透镜:透射电子显微镜中用磁场来使电子波聚焦成像的装置。
透射电子显微镜:是以波长极短的电子束作为照明源,用电磁透镜聚焦成像的一种高分辨率,高放大倍数的电子光学仪器。
弹性散射:当一个电子穿透非晶体薄样品时,将与样品发生相互作用,或与原子核相互作用,或与核外电子相互作用,由于电子的质量比原子核小得多,所以原子核入射电子的散射作用,一般只引来电子改变运动方向,而能量没有变化,这种散射叫做弹性散射。
晶体学基础与X射线衍射分析
晶体学基础与X射线单晶衍射分析一、晶体及其对称性晶体是由原子(离子,分子)在空间周期地排列构成地固体物质,为了更好的描述晶体这种周期排列的性质,可以把晶体中按周期重复的区域里的结构抽象成一个点,这样周期排列的点就构成了一个点阵,晶体的结构就可以表示成:晶体结构=点阵+结构基元的形式。
用三个不相平行的单位矢量a,b,c可以点阵在空间排列的坐标,这三个矢量的长度a,b,c及其相互之间的夹角γ,β,α称为点阵参数或晶胞参数。
点阵在空间的排列是高度有序的,这决定了其可以做某些对称操作。
固定一个点不动的对称操作(包括旋转,镜像,中心反映)可以有32种,对应32个点群。
实际晶体中除了点操作外,还可以存在螺旋轴,滑移面,若把这些操作和点操作进行组合,可以产生230种对称操作,对应230个空间群,所有晶体的对称操作只可能是这230个空间群中的一个。
了解晶体所属的空间群对测定晶体结构,判断晶体性质是极为重要的。
二、倒易点阵和衍射方向由于晶体具有周期性的排列结构,X射线照射到晶体上会产生衍射,为了更方便的解释晶体的衍射现象,引入了倒易点阵的概念。
倒易点阵是从是从晶体点阵中抽象出来的一套点阵。
它与晶体点阵的关系可以用下面的公式描述:其中a*,b*,c*是倒易点阵的单位矢量,倒易点阵上的点h,k,l的向量H可以表示为:H=ha∗+kb∗+lc∗向量H的与晶体点阵中的平面(h,k,l)垂直,其长度与点阵中d hkl成反比,即:H=1/dℎkl.晶体产生衍射的基本条件满足布拉格方程:也即:sinθhkl =1d ℎkl 2λ=H ℎkl 2λ 从这里可以看出,只有倒易点阵H hkl 对应的方向才是晶体衍射极大值出射的方向。
三、晶体基本信息的测定晶体的基本信息也就是晶体的晶胞参数和所属的空间群,其中晶胞参数可以在数据处理时利用布拉格方程来计算,为减小误差可以选用高角度的衍射点来求算。
由于在没有反常散射的情况下,晶体的衍射强度满足Friedel 定律,衍射点在H hkl 和H hkl̅̅̅̅̅的强度是相等的,也就是衍射点的分布都是中心对称的。
倒易点阵和晶体的衍射方向PPT文档22页
39、没有不老的誓言,没有不变的承 诺,踏 上旅途 ,义无 反顾。 40、对时间的价值没有没有深切认识 的人, 决不会 坚韧勤 勉。
66、节制使快乐增加并使享受加强。 ——德 谟克利 特 67、今天应做的事没有做,明天再早也 是耽误 了。——裴斯 泰洛齐 68、决定一个人的一生,以及整个命运 的,只 是一瞬 之间。 ——歌 德 69、懒人无法享受休息之乐。——拉布晶体的衍射方向
36、“不可能”这个字(法语是一个字 ),只 在愚人 的字典 中找得 到。--拿 破仑。 37、不要生气要争气,不要看破要突 破,不 要嫉妒 要欣赏 ,不要 托延要 积极, 不要心 动要行 动。 38、勤奋,机会,乐观是成功的三要 素。(注 意:传 统观念 认为勤 奋和机 会是成 功的要 素,但 是经过 统计学 和成功 人士的 分析得 出,乐 观是成 功的第 三要素 。
半导体物理-晶体衍射和倒易点阵
4、若一个晶面截晶轴与原点的负侧,则相应的指数就是负的,在其上方放置
负号作为标记,例如 (hkl)
2.1 晶体结构22
• 练习:证明在立方晶体中,[hkl]晶向垂直于 (hkl)晶面
zˆ
(0,0,a/l)
平面方程
x + y + z =1 a/h a/k a/l
(a/h,0,0)
-当来自这些平行原子平面的反射发生相长干涉时,就会得出衍 射束。
-假设为弹性散射,反射后X射线的能量不改变
θ
θ
2d sinθ = nλ
θ
d
-只对某些θ值,才会产生强反射束
d sinθ
-点阵周期性导致布喇格定律
2.2 晶体衍射和倒易点阵3
2.2.2 倒易点阵
-晶体性质的周期性
r T
=
uar
+
r vb
-以周期为a的一维周期函数n(x)的处理为例
-将n(x)展开为含有余弦和正弦的傅立叶级数
n(x) = n0 + ∑[Cp cos(2πpx / a) + Sp sin(2πpx / a)] p>0
-p是正整数;Cp、Sp是实常数,称为展开式的傅立叶系数
-幅角中的2π/a保证n(x)具有周期a,即n(x+a)=n(x)
CsCl 结构 简单立方+CsCl
2.1 晶体结构25
2.1.5 常见晶体结构范例
C
A
A
B
A
1
1 2
A 面心立方
A
位置B
2B
位置C
c / a = 8 = 1.633 3
A 六角密堆积结构 (He晶体)
2.4倒易点阵、晶带
这样的点阵就称为倒易点阵。
❖ 倒易点阵是描述晶体结构的一种数学抽象方法,倒易点阵本 身是一种几何构图,它和空间点阵具有倒易关系。一个实在 的晶体点阵经过一定转化导出一套抽象点阵,这个抽象点阵 的每一个阵点和实在点阵中的一个点阵平面有相对应的倒易 关系。
❖ 倒易点阵的衍射理论是一般的衍射理论,它是了解射线在晶 体中的衍射几何和解释晶体射线衍射图谱的强有力工具,因 此学习倒易点阵可为以后的有关课程作基础准备,而在本章 中倒易点阵使晶面取向、晶带、晶面间距等问题更容易描述。
晶面间距愈大,该晶面上的 原子排列愈密集;晶面间距 最大的面总是阵点(或原子) 最密排的晶面。 晶面间距愈小,该晶面上的原子排列愈稀疏。 正是由于不同晶面和晶向上的原子排列情况不同,使晶体表现 为各向异性。
晶面间距公式的推导:从
Z
C
原点作(h k l)晶面的法线,
γ
N
则法线被最近的(h k l)面所
h : k : l cos : cos : cos
如图:ON为晶面(hkl)的法线,ON与该晶面交于D点;OA、OB、OC
分别为(hkl)在X、Y、Z轴上的截距;ON与X、Y、Z轴之间的夹角分
别为α、β、γ;cosα、cosβ、cosγ就是法线ON的方向余弦。立方点阵中
晶胞的三个基矢相等,设其为a,则根据晶面指数的确定方法可知:
同一晶带轴中的所有晶面的共同特点是:所有晶面 的法线都与晶带轴垂直 。
根据倒易点阵的性质,晶面(h k l)的法线方向
平行于倒易矢量 ha kb lc
ua vb wc• ha kb lc 0
上式展开就是晶体学中十分重要的晶带方程
hu + kv + lw = 0
材料研究方法倒易点阵与晶带定律
六、结论
1)倒易矢量的端点表示正空间中的晶面;端点坐标由不带括号的三位数表示; 2)倒易矢量的长度表示正空间中晶面间距的倒数; 3)倒易矢量的方向表示该晶面的法线方向; 4)倒空间中的直线点列表示正空间中一个系列平行晶面; 5)倒空间中的阵平面表示正空间中同一晶带的系列晶带面。 6)倒空间中的阵球面表示正空间中多晶中同一晶面。
1 a、1 b、1 c hkl
则AC、CB、BA矢量分别为:
(1 c
1
a)、( 1
b
1
c)、( 1
a
1
b)
lh kl hk
因为g(. 1
a
1
b)(ha
kb
lc)(. 1
a
1
b )
0
hk
hk
所以g (1 a 1 b)同理
g
(1
c
1
a);g
(
1
b
1
c)
因此g (hkl)
hk
lh
kl
(2)倒易矢量 g 的大小等于(hkl)晶间距的倒数, 即 g 1
b
a
c
b
c
b
a
c
a
c
b
0
(2) a 垂直于
b,
c
所在面:
ar
r
r b
v
cr
r
a (b c)
b
垂直于
c, a
所在面:
r b
bv cr(cvar av)
c
垂直于
a,
b
所在面: cv cvav(avbvbv)
立方晶系时: a // a
b // b
c // c
倒易点阵与衍射
Xi’an Jiaotong University
倒易矢量的数学定义
a*·a=c*·c=b*·b=1 同文字的倒易矢量与正矢量的 数量积为1的图形解释见图2. 从图2可知,c cosδ是(001) 面的面间距d001,因此: c*·c=c* c cosδ=c*d001=1 可得 c*=1/d001 b*
倒易空间不同点阵面与反射球相交的投影示意图
磁学与磁性材料
Xi’an Jiaotong University
几点讨论 (2)如果晶胞的尺寸增加,倒易点阵参数将较小, 各个结点将更互相靠近,从而使它们与反射球交 截得几率更大,衍射斑点也更靠近。 (3)如果用于照射晶体的X射线波长较短,则反射 球的半径增大,这时能落到球面上的结点当然亦 会增多,增加晶体衍射的光点数目。
磁学与磁性材料
d P a B θ 1 2θ A t b
图6.在倒易空间中反射的几何条件 a—入射线;b—反射球; C—反射线;d—反射线方向。
c θ θ
R t
Hhkl O
Xi’an Jiaotong University
三、厄瓦尔(Ewald)图解
将倒易点阵置于反射球中, 就可将衍射和倒易点阵联系 起来。 如图6,以O点作为倒易点阵 原点,而入射线的方向BO与 倒易点阵的基本平移矢量一 致。在这种情况下,所有落 到球面上的结点均处于射线 束的反射位置。例如有一个 倒易结点落到球面的P点 处,则反射线的方向将与反 射球的中心A到P点的连线相 平行。
磁学与磁性材料
Xi’an Jiaotong University
二、衍射方程
倒易点阵不仅可使晶体几何 学问题的解决简化,更为重 要的是同衍射问题相联系。 设入射光波长为λ,其方向 由单位质量 S0 表示;衍射光 方向由单位矢量 S 表示。 设晶体沿三个轴方向的的那 位矢量为 a, b, c. 若希望 在 S 方向上的散射加强,则 在与此相垂直的波阵面上, 晶体中各原子的散射线的位 相必须相同。
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第四章倒易点阵及晶体衍射方向1. 布拉格定律一定波长的X 射线或入射电子与晶体试样相互作用 , 可以用布拉格定律来表征产生衍射的条件。
图 4.1 布拉格定律的几何说明如图4.1, 设平行电子束σ0入射到晶体中面间距为d hkl的晶体面网组(hkl), 在人射波前SS' 处, 两电子波位相相同, 如果左边一支波经历波程PA+AD = nλ,n 为包括零的整数, 则两支波离开晶体后达到新波前TT' 时, 将具有相同的位相, 相干结果可以达到衍射极大; 反之, 若PA+AD ≠nλ, 则达到TT' 时, 它们位相不同, 不能相干得到衍射极大。
由图4.1 可知,PA+AD =2d hkl sinθ=nλ(4.1)此即布拉格方程,n称为衍射级数。
式(4.1)也可以写成:λθ=⎪⎭⎫⎝⎛sin 2nd hkl (4.1a) 因为 d hkl /n=d nh, nk, hl ,故可把n 级 (hkl) 反射看成是与 (hkl) 平行 但面网间距缩小 n 倍的、 (nh, nk, nl) 的一级反射。
这样 , 布拉格方程可以写成一般形式 :λθ=sin 2hkl d (4.1a) 还可以写成下述形式:λθ/2/1sin hkld =(4.1b) 只要满足布拉格方程 , 就获得了产生衍射极大的条件。
式 (4.1a) 中 d hkl 为晶体中晶面组 (hkl) 的晶面间距;λ为入射电子束的波长;θ为人射电子束方向相对于晶面 (hkl) 的掠射角。
2. 倒易点阵2.1 倒易点阵定义 (1)倒易点阵:若已知晶体点阵的单位矢量 a 、b 、c, 可以定义倒易点阵的单位矢量a *、b *、c *,该点阵的方向矢量垂直于同名指数的晶体平面, 它的大小等于同名指数晶面间距的倒数,该点阵称为倒易点阵。
(2)正点阵与倒易点阵和基矢量的相互关系:图4.2 正点阵与倒易点阵和基矢量的相互关系取一晶体单胞 , 如图 4.2, 晶体点阵的单位矢量为 a 、b 和 c , 相应点阵的 6 个参数是a 、 b 、 c 、α、β和 γ。
其晶体点阵的倒易点阵所具有的 3 个单位倒易矢量为a *、b *、c *。
相应的倒易点阵的 6 个参数是a *、b *、c *、α*、β*和γ*。
根据倒易点阵的定义可求出a *。
其表达示为:100100100**/1/1h d R a ===式中的 h 100 为晶体平行六面体单胞中垂直于 (100) 面的高 OA 。
设 OA 与 a 的夹角为α。
则以下两个同名基矢的标量积应有如下结果: (a ) 正点阵与倒易点阵的同名基矢的点乘积等于 11/cos 1001000==⋅=⋅**h h a a a a α1=⋅=⋅=⋅***c c b b a a (4.2)倒易基矢长度为:[]1)cos(-**∧⋅=a a a a[]1)cos(-**∧⋅=b b b b (4.3)[]1)cos(-**∧⋅=c c c c(b ) 正点阵与倒易点阵的异名基矢之间是相互垂直的, 即 a *⊥b ,a *⊥c 。
正点阵与倒易点阵的异名基矢的点乘积等于零。
a *∙b = a *∙c = b *∙a = b *∙c = c *∙a = c *∙b = 0 (4.4)(c )定义晶体正点阵的单位基矢 (a 、 b 和 c) 与倒易点阵的单位基矢 (a *、b *和 C * ) 之间有如下关系:V c b a ⨯=****⨯=Vc b a V a c b ⨯=*(4.5) ***⨯=Va cb (4.6) V b ac ⨯=****⨯=Vb ac 其中 V 和V *分别是正点阵和倒易点阵单胞的体积。
倒易基矢 a *在正 点阵单胞基矢 b 、c 构成的平面法线方向, 它的长度等于这个平面族的面间距的倒数。
同理,b *与 c 、a 构成的平面正交,c *与 a 、b 构成的平面正交, 它们的长度也分别等于这两个平面族的面间距的倒数。
正倒点阵单胞的体积 V 和 V *分别等于 a 、 b 、 c 和 a *、b *、c *的三重标量积。
b ac a c b c b a V ⨯⋅=⨯⋅=⨯⋅= (4.7)b ac a c b c b a V ⨯⋅=⨯⋅=⨯⋅=****** (4.8) 由倒易基矢a *、b *、C *组成的倒易矢量是****++=lc kb ha r hkl (4.9)它的端点是 hkl 倒易阵点。
如 h 、k 、l 取遍所有整数值 , 即构成一个无穷尽的倒易点阵 , 正如在正空间中 wc vb ua r uvw ++=的端点处的阵点构 成的一个正点阵一样。
正点阵与倒易点阵有完全对应的倒易关系。
(3) 正点阵与倒易点阵基矢之间的定量关系假设它们基矢的列矩阵间存在矩阵因子[M], 其关系式表示如下:[]⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡=⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡***c b a M c b a (4.10)等式两边分别右乘以正点阵的行矩阵 [a b c], 则有 [][][][]⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅=⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡=⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡************c c b c a c c b b b a b c a b a a a M c b a c b a M c b a c b a上述等式右方最后一个矩阵为单元矩阵,可求出[M]并表示如下:[][]⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡=⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅=⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡=222cos cos cos cos cos cos c cb ca bc b ba ac ab a c c b c a c c b b b a b c a b a a a c b a c b a M αβαλβγ(4.11)式中α、β、γ分别是晶体基轴b 与c ,c 与a 和a 与b 之间的夹角。
将等式(4.10)两边同时左点乘以[M]的逆矩阵[M]-1,得到以下结果:[]⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡=⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡⋅***-c b a c b a M 1等式两边同时右点乘以倒易点阵基矢的行矩阵[]***c b a ,有[]⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅=******************-c c b c ac c b b b a b c a b a a a M 1 (4.12) 进一步解得:[]⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎣⎡------=-2222221sin cos cos cos cos cos cos cos cos cos sin cos cos cos cos cos cos cos cos cos sin 1c cbca bc b abacab a A M γββγβγαβγββλβαβγαγβαα(4.13)式中γβαγβαCOS COS COS COS COS COS A 21222+---=。
表4.1 不同晶系的坐标变换矩阵[M]及[M]-12.2倒易关系从式 (4.2) 和式 (4.4) 可以看出, 正点阵单胞的基矢与倒易点阵单胞 的基矢是完全对称的, 两者互为倒易关系。
倒易点阵在晶体几何方面的重要意义就在于它与正点阵间存在有一系列的倒易关系。
分别从a 、b 和 c 与****++=lc kb ha r hkl的标量积得出:1/=⋅*h a r , 1/=⋅*k b r , 1/=⋅*l c r (4.14)它们是正点阵矢量r 与倒易点阵矢量r *的标量积:n r r =⋅* (n 为任意整数 )的几个特例, 0=⋅*r r 表示 r 在r *上的投影为零。
所有与r *正交的正 点阵矢量 r 都满足这一关系, 并都坐落在一个通过原点且与 r * 正交的平面上。
根据倒易点阵矢量****++=lc kb ha rhkl的定义 ,h 、k 、l 均为整 数, 因此,(hkl) 点阵平面的指数也必定是整数。
可将正点阵与倒易点阵之间的关系归纳如下 :(1) 正点阵与倒易点阵互为倒易, 即正点阵的倒易是倒易点阵。
倒易点阵的倒易是正点阵, 这一点可以通过式 (4.5)、式 (4.6)、式 (4.7) 和式 (4.8) 反映出来。
(2)倒易点阵中的方向[hkl]*与正点阵中同名指数(hkl )正交(图4.3),倒易原点到倒易点的距离hkl hkld r/1=*。
同样,正点阵中的晶向[υϖω]与倒易点阵中同名支书倒易平面(υϖω)*正交,正点阵原点到υϖω阵点的距离uvwuvw dr *=/1,uvwd*是倒易面(υϖω)*的面间距,如图4.4所示。
图4.3 点阵平面(hkl )与倒易点 图4.4 点阵平面(uvw )*与点阵阵方向[hkl]*正交,且hkl hkl d r /1*= 方向[uvw]正交,且*/1uvwuvwl d r =表4.2 正空间和倒空间的相互关系注意 , 只有在立方晶系情况下 , 正点阵中的晶向[υϖω]才与正点阵中同名指数晶面 (υϖω) 正交, 而其他晶系则不一定有这种正交关系 ( 见表 4.2)。
(3) 常见的七个晶系空间倒易关系见表 4.2 。
如图 4.5 中以面心、体 心立方为例, 示意说明两者互为倒易情况。
图中,(a)为正空间的面心立方, 其相应的倒空间为体心立方(b);(c) 为正空间的体心立方, 其相应的倒空间为面心立方(d);(a )、(c) 上圆点代表原子;(b)、(d)上的圆点是倒空间的倒易点, 从坐标原点到这些点的向量称为倒易矢量, 它代表正空间一族晶面。
(4) 正点阵与倒易点阵的单胞体积互为倒易关系。
由式 (4.4)、(4.5)、(4.6)、(4.7)、(4.8)和(4.11)不难得到如下结果:V 2 = ∣M ∣ VV * =1由此得 V * = 1/V =∣M ∣½图4.5 面心立方、体心立方正空间与倒空间的相互关系3. 正点阵与倒易点阵的指数变换3.1 晶带及晶带定律晶体中的许多晶面族(η κ λ) 同时与一个晶向[υ ϖ ω] 平行时( 见图 4.6), 这些晶面族总称为一个晶带, 这个晶向称为晶带轴。
常常用晶带轴代表整个品带, 如[υ ϖ ω] 晶带。
图4.6 晶带的示意图既然这些晶面族都平行于晶带轴的方向 , 那么它们的倒易矢量**+**hakbr+=lc就构成一个与晶带轴方向+r+=vbwcua正交的二维倒易点阵平面 (υ ϖ ω)*。
易于证明 , 当 r 在 f 上的投影为零间 (0=⋅*r r ) 时 , 可得出晶带定律0=++lw kv hu (4.16)上式也可写成四轴形式0=+++lw it kv hu (4.17)它反映了正空间与倒空间一些 有特定关系的矢量与平面指数间的关系 :(1) 说明了相互垂直的正空间 矢量[υ ϖ ω]和倒空间矢量 [η κ λ]*之 间的指数关系或者理解为相互垂直的正空间平面 (η κ λ) 与倒空间平面 (υ ϖ ω)* 之间的指数关系。