电力电子技术-研究生(A卷)
电力电子技术考试卷
8。
__________控制就是对脉冲宽度进行调制的技术,即通过对一系列脉冲的宽度进行调制，来等效地获得所需要的波形，其控制技术的理论基础是__________。
生成所需等效波形的方法主要有__________、__________和跟踪控制方法。
9.使开关开通前其两端电压为零，这种开关称为__________；使开关关断前其电流为零,这种开关称为__________。
10. 根据软开关技术发展的历程可以将软开关电路可以分为__________、__________和__________三类。
11。
UPS是指__________.12。
三相桥式整流电路是两组三相半波整流电路的__________,而双反星整流电路则是两组三相半波整流电路的__________，且后者需用平衡电抗器。
二、单项选择题（每题1分，共10分）1。
以下英文缩写表示门极可关断晶闸管的是（)。
A。
GTO B。
MOSFET C。
GTR D。
IGBT2. 普通晶闸管属于( ).A.全控型器件B。
半控型器件 C.不控型器件 D.以上都不是3。
随着晶闸管门极电流的幅值的增大，其正向转折电压( ）。
A.增大B。
减小C。
不变 D.无法确定4.带大电感阻感负载的单相桥式全控整流电路,控制角α的移相范围为（)。
A。
0°~ 120°B.0°～180° C. 。
0°~ 90°D。
0°～150°5。
考虑变压器漏感对整流电路的影响，整流电路输出直流电压平均值与不考虑变压器漏感时相比（）。
A.升高B.降低C。
不变 D.无法确定6。
一般来说,如果在输出电压半个周期内开关器件开通和关断各k次，考虑到PWM波四分之一周期对称,共有k个开关时刻可以控制，则用特定谐波消去法可以消去( )个频率特的定谐波.A.2kB.kC.k+1 D。
k-17。
采用PWM控制的降压斩波电路中，已知电源电压E=20V,输出负载电压U=10V，管子开通时间为2ms,则其斩波周期为( ）。
电力电子技术试题及答案
《电力电子技术》试卷题号一二三四合计分数阅卷人得分一、选择（每题1.5分，共60分）1、晶闸管内部有（）个PN结。
A、1B、2C、3D、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。
A、越大B、越小C、不变D、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值D、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电极。
A、一个B、两个C、三个D、四个5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT器件电路符号的是（）6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）A、700VB、750VC、800VD、850V16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V才导通D、超过0.7V才导通18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。
电力电子技术试题(二)
电力电子技术 试题（A ）注：卷面85分，平时成绩15分一、 回答下列问题1、下列器件的分类表中，将符合每一类别的全部选项添入表中。
（8分）选项：（根据选项填空时，只需写选项的代号，如：A,B,….） A. SCR B.GTO C.GTR D.P-MOSFET E.IGBTF.电力二极管G.MCT 。
2、判断下列各题的正确性，正确的打“√”，不正确的打“×” 。
（6分） （1） 某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V ，反向重复峰值电压700V ，则该晶闸管的额定电压是700V 。
（ ）第 1 页 （共 8 页）试 题：电力电子技术 班号： 姓名：（2）对于输入接整流变压器的可控整流电路，变压器存在直流磁化的有三相半波整流电路、单相半波整流电路和单相全波整流电路。
（）（3）单相全控桥式变流电路，“阻感——反电势”负载，已知60β= ，2100U V=，50E V=,电路处于可逆变状态。
（）3、画出全控型器件RCD关断缓冲电路，并分析缓冲电路中各元件作用。
（6分）第 2 页（共 8 页）试题：电力电子技术班号：姓名：二、对于三相全控桥式变流电路，在不同的负载形式和控制要求下，回答下列问题。
1、 画出该电路带“阻感——反电势” 负载，并工作于整流方式时的电路图（要标明反电势极性）。
（5分）3、设该电路为大电感负载且工作于整流状态，V U 1002=，负载中E=47V ，Ω=5R ,当60α= 时，试计算整流输出平均电压d U 、负载电流d I 和晶闸管电流平均值dVT I 。
（5分）第 3 页 （共 8 页）试 题：电力电子技术 班号： 姓名：u u u 2、当该电路工作于整流状态时，设触发角60α= 且负载电流连续，请在图中画出此时整流器 输出电压u d 和晶闸管电流1VT i 在一个周期内的波形。
（5分）i 0三、H型单极同频模式PWM的功率转换电路如下图（a）所示。
它由四个大功率IGBT和四个续流二极管组成。
2020—2021学年秋季学期输配电及用电工程专业《电力电子技术》期末考试题试卷(试卷A)
2020—2021学年秋季学期输配电及用电工程专业《电力电子技术》期末考试题试卷 （试卷A ）一、填空题。
1．可控硅又称＿＿＿＿，常用的有＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿两大类，广泛应用于＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿设备中。
2．利用＿＿＿＿＿＿＿＿＿元件的＿＿＿＿＿＿＿＿＿特性可实现整流，若要实现可控整流可采用＿＿＿＿＿＿＿＿＿元件。
3．单向可控硅内部有＿＿＿个PN 结，双向可控硅有＿＿＿个PN 结。
4．要使导通的可控硅关断，必须＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
5．可控硅具有＿＿＿＿电控制＿＿＿＿＿电的作用。
6．单向可控硅触发电路常用＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿组成触发电路，双向可控硅常用＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿组成触发电路。
7．单结晶体管的负阻特性指的是当＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿电流增加时，＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿反而减少。
8．双向可控硅有三个电极＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿＿。
院（系） 班级姓名学号……………………………………………装…………………………订………………………9．二极管的状态有＿＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿＿，三极管的状态有＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿，可控硅的状态有＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿。
10．单向可控硅导通必须具备两个条件：一是：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿，二是：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
11．电子线路中的电信号按其信号形式分为＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿两大类，其中＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿都是离散的信号叫数字信号。
12．数字信号的基本工作信号是＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿进制的数字信号，对应在电路上需要在＿＿＿＿＿＿种不同状态下工作，即＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿＿。
13．数字电路主要研究电路的输出信号与输入信号之间的＿＿＿＿＿＿＿关系。
14．二极管作为开关使用时，应满足条件：其＿＿＿＿＿＿电阻和＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿电阻有＿＿＿＿＿＿＿差别。
电力电子技术习题与答案
《电力电子技术》试卷A一、填空（每空1分，36分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT 是MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ- 四种。
二、判断题,（每题1分，10分）（对√、错×）1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。
（√）2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。
（×）3、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。
（×）4、逆变角太大会造成逆变失败。
（×）5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。
0电力电子试题a.答案
《电力电子技术》试题A答案一、名词解释（每题4分，共20分）1．PW M异步调制--载波信号和调制信号不同步的调制方式；通常保持f c 固定不变，当fr变化时，载波比N是变化的2．PW M控制技术--即通过对一系列脉冲的宽度进行调制，来等效的获得所需要的波形（含形状和幅值）。
3．强迫换流--设置附加的换流电路，给欲关断的晶闸管强迫施加反压或反电流的换流方式称为强迫换流。
通常利用附加电容上所储存的能量来实现，因此也称为电容换流。
4．交流电力控制电路--只改变电压,电流或控制电路的通断,而不改变频率的电路。
交流调压电路——相位控制，交流调功电路——通断控制。
5．逆变--把直流电转变成交流电，整流的逆过程；分有源逆变电路和无源逆变电路二、填空题（每空1分，共20分）1．电力变换四大类即：交流变直流、交流变交流、直流变直流、直流变交流。
2．电力电子器件的损耗主要损耗：通态、断态、开关损耗。
3．光隔离一般采用光电耦合器，磁隔离的元件通常是脉冲变压器。
4．晶闸管交交变频电路，当采用6脉波三相桥式电路时，电网频率为50Hz 时，交交变频电路的输出上限频率约为 20Hz 。
5．换流有：电网、器件、强迫、负载换流四种方式。
6.抑制过电压的方法之一是用__储能元件吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
7.180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在_同一相_的上、下二个开关元件之间进行。
8.改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变输出电压基波的幅值。
9.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是(一个)较大的负电流。
10．功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用_快速恢复型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
11．三相全控桥式整流电路中的六个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差600度。
12．为防晶闸管误触发，可在晶闸管的控制极和阴极间加反向电压。
三、问答题（共30分）1．使晶闸管导通的条件是什么？维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？（8分）答：承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。
(完整word版)电力电子技术A试卷带答案
****************2014－2015 学年第二学期出题教师：【电力电子技术】课程试题(A卷) 【闭卷考试】姓名学号专业及班级本试卷共有4道大题题号一二三四总分得分阅卷人一、填空题（共20分，每空1分，共11道小题）1.电子技术包括和两大分支。
2.电力变换通常可以分为四大类，即、、交流变交流（AC-AC）和。
3.为了减小本身的损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在状态。
4.按照能够被控制电路信号所控制的程度，电力电子器件分为、和不可控器件。
5.按照载流子参与导电的情况，电力电子器件分为、双极型器件和。
6.典型的全控型器件主要包括、电力晶体管(GTR)、电力场效应晶体管(Power MOSFET) )和。
7.IGBT其开通和关断是由的电压决定的。
8. 度导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂的上下两个元件之间进行；度导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行。
9.在交流交流变流电路中，只改变电压、电流对电路的通断进行控制，而不改变频率的电路称为，改变频率的电路称为。
10.如图1所示电路的输出电压u d一周期脉动次。
图111.除相位控制和斩波控制的交流电力控制电路外，还有以交流电源周波数为控制单位的电路以及对电路通断进行控制的。
二、选择题（满分20分，每小题2分，共10道小题）1. 对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说，正常工作时触发脉冲相位应依次差度。
A.60B. 180C. 1202. 晶闸管属于。
A.不可控器件B. 全控器件C.半控器件3. 下列变压器漏抗对整流电路的影响中正确的是。
A.输出电压平均值增加B.整流电路的工作状态减少C.晶闸管的di/dt增大D.换相时晶闸管电压出现缺口4. 下列电路中，存在变压器直流磁化问题的有。
A.单相全控桥整流电路B.单相全波可控整流电路C.三相全控桥整流电路D.三相半波可控整流电路5. 带阻感负载的单相交流调压电路中，稳态时α的移相范围为。
电力电子技术
电力电子技术安徽机电职业技术学院《 电力电子技术 》期终考试卷（A ）班级 姓名 学号得分 评卷复核一、填空题（每空1分，共30分）1效率转换与控制的一门学科，它包括 电力电子器件 、 电力电子电路 和控制技术 三个组成部分。
2、常用的全控型电力电子器件以 GTR （电力晶体管） 、 MOSFET （功率场效应晶体管） 和 IGBT （绝缘栅双极型晶体管） 为代表。
3、晶闸管通过门极控制信号只能控制其 开通 而不能控制其 关断 。
要关断只能使阳极电流小于 维持 电流。
4、功率集成电路是将电力电子器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上。
5、电力电子器件的换流方式可分为 器件换流、电网换流、负载换流 、 和强迫换流。
6、三相半波共阳极接法电路中三只晶闸管VT 2 、VT 4和VT 6各自自然换相点分别在U 相电压起点的 90’ 、 210’ 和 330’ 处。
7、单结晶体管的b 2与b 1间加正向电压后，当e 的电位达到b 2与b 1间电压的某一比值时e 与b 1间的特性会由 高阻 立刻变成 低阻 。
8、 电力电子装置内因过电压主要来自装置内部器件在控制 换流 的开关过程中，由于电流发生 突变 由电路 电感 产生的过电压。
包括 换相 过电压和关断过电压。
9、斩波器是通过对电力电子器件的 通断 控制，将直流电压 断续的 地加到负载上，通过改变 占空比D 来改变输出电压平均值。
10、交－交变频电路能直接将电网 固定 频率的交流电变换为 所需 频率的交流电。
题号 一 二 三 四 五 六 得分 得分二、选择题（每小题2分，共20分）1、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（ C ）电极。
A、一个B、两个C、三个D、四个2、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ B ）A、IGBTB、 MOSFETC、 GTRD、 GTO3、可在第一和第四象限工作的变流电路是( A )A、三相半波可控变电流电路B、接有续流二极管的三相半控桥C、单相半控桥D、接有续流二极管的单相半波可控变流电路4、变压器一次侧接入压敏电阻的目的是为了防止（ C ）对晶闸管的损坏。
电力电子技术试题(二)
电力电子技术 试题（A ）注：卷面85分，平时成绩15分一、 回答下列问题1、下列器件的分类表中，将符合每一类别的全部选项添入表中。
（8分）选项：（根据选项填空时，只需写选项的代号，如：A,B,….） A. SCRF.电力二极管 。
2、判断下列各题的正确性，正确的打“√”，不正确的打“×”。
（6分）（1）某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压700V，则该晶闸管的额定电压是700V。
（）第 1 页（共 8 页）试题：电力电子技术班号：姓名：（2）对于输入接整流变压器的可控整流电路，变压器存在直流磁化的有三相半波整流电路、单相半波整流电路和单相全波整流电路。
（）（3）单相全控桥式变流电路，“阻感——反电势”负载，已知60β=o，2100U V=，50E V=,电路处于可逆变状态。
（）3、画出全控型器件RCD关断缓冲电路，并分析缓冲电路中各元件作用。
（6分）第 2 页 （共 8 页）试 题： 电力电子技术 班号： 姓名：二、对于三相全控桥式变流电路，在不同的负载形式和控制要求下，回答下列问题。
1、画出该电路带“阻感——反电势” 负载，并工作于整流方式时的电路图（要标明反电势极性）。
（5分）u uu 2、当该电路工作于整流状态时，设触发角60α=o 且负载电流连续，请在图中画出此时整流器 输出电压u d 和晶闸管电流1VT i 在一个周期内的波形。
（5分） i VT103、设该电路为大电感负载且工作于整流状态，V U 1002=，负载中E=47V ，Ω=5R ,当60α=o 时，试计算整流输出平均电压d U 、负载电流d I 和晶闸管电流 平均值dVT I 。
（5分）第 3 页 （共 8 页）试 题：电力电子技术 班号： 姓名：三、H 型单极同频模式PWM 的功率转换电路如下图（a ）所示。
它由四个大功率IGBT 和四个续流二极管组成。
当控制指令0i u >时，1V 和2V 工作在交替开关状态，3V 截止关断 ，4V 饱和导通。
电力电子技术A卷答案
电力电子技术 复习资料一、名词解释 (每小题2分，共10分) 1.自然换相点 2.GTR3.换相重叠角γ4.同步5.脉宽调制法二、填空题(每空1分，共20分)1.晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt 和通态电流临界上升率等，若du/dt 过大，就会使晶闸管出现________，若di/dt 过大，会导致晶闸管________。
2.单相全控桥可控整流电路中功率因数cos φ 比单相半波可控整流电路的功率因数提高了________倍。
各管上承受的最大反向电压为________。
3.三相零式可控整流电路带电阻性负载工作时，在控制角α>30°时，负载电流出现________。
晶闸管所承受的最大反向电压为________。
4.在单相全控桥整流电路带反电势负载时，若交流电源有效值为U 2，反电势为E 时，不导电角δ=________，若晶闸管不导通时，输出电压应为______。
5.三相零式可控整流电路，在电阻性负载时，当控制角α≤30°，每个晶闸管的导通角θ=________。
此电路的移相范围为________。
6.三相全控桥可控整流，其输出电压的脉动频率为________，十二相可控整流，其输出电压的脉动频率为________。
7.在晶闸管触发脉冲产生电路中，常用的同步电压有________和________两种。
8.单结晶体管又称为________，利用它伏安特性的________，可作成弛张振荡器。
9.在晶闸管触发脉冲产生的电路中，为满足不会产生逆变失败所需的最小逆变角 βmin 值，常将________和________相叠加，从而有效地限制了逆变角β的大小。
10.在逆变器中，晶闸管的自然关断法，是利用负载回路中的电感L 和________在产生振荡时，电路中的电流具有________的特点，从而使晶闸管发生自然关断。
三、画图题(6分)说明下面斩波电路的类型及其工作原理，画出输出电压o u 、输出电流o i 波形 四、问答题(第1小题6分，第2小题8分，共14分) 1.对整流电路的输出电压进行谐波分析后，能得出什么结论?2.在分析了晶闸管的主要参数后，在使用晶闸管时，应注意什么? 五、分析题 (10分)下面逆变电路采用何种方式换流？试分析它的工作原理与过程。
电力电子技术试题(二)
注：卷面85分，平时成绩15分1、下列器件的分类表中，将符合每一类别的全部选项添入表中。
（8分）选项：（根据选项填空时，只需写选项的代号，如：A,B,….）A.SCRF.电力二极管。
2、判断下列各题的正确性，正确的打“√”，不正确的打“×”。
（6分）（1）某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压700V，则该晶闸管的额定电压是700V。
（）第 1 页（共 8 页）试题：电力电子技术班号：姓名：（2）对于输入接整流变压器的可控整流电路，变压器存在直流磁化的有三相半波整流电路、单相半波整流电路和单相全波整流电路。
（）（3）单相全控桥式变流电路，“阻感——反电势”负载，已知60β=，2100U V=，50E V=,电路处于可逆变状态。
（）3、画出全控型器件RCD关断缓冲电路，并分析缓冲电路中各元件作用。
（6分）第 2 页（共 8 页）试题：电力电子技术班号：姓名：二、对于三相全控桥式变流电路，在不同的负载形式和控制要求下，回答下列问题。
1、画出该电路带“阻感——反电势” 负载，并工作于整流方式时的电路图（要标明反电势极性）。
（5分）3、设该电路为大电感负载且工作于整流状态，V U 1002=，负载中E=47V ， Ω=5R ,当60α=时，试计算整流输出平均电压d U 、负载电流d I 和晶闸管电流u u u 2、当该电路工作于整流状态时，设触发角60α=且负载电流连续，请在图中画出此时整流器平均值dVTI。
（5分）第 3 页（共 8 页）试题：电力电子技术班号：姓名：三、H型单极同频模式PWM的功率转换电路如下图（a）所示。
它由四个大功率IGBT和四个续流二极管组成。
当控制指令iu>时，1V和2V工作在交替开关状态，3V截止关断，4V饱和导通。
设该电路工作在轻载情况下（a MU E≈），1V、2V、3V和4V的栅极激励电压如图（b）所示。
1、试画出电机电枢电压au和电枢电流a i波形图（可直接画在图(b) 上）。
北京科技大学12-13电力电子技术试题A
A 30º-35º B 10º-15º
C 0º-10º
D 0º。
5、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ）。
A IGBT
B MOSFET
C GTR D GTO
得 分 三、 简答题（共 20 分）
1、 三相桥式全控整流电路中，电阻性负载，请在下面的波形 图中做出如果有晶闸管 VT4 不能导通时控制角为 30O 的输出电 压 ud 的波形?（3 分）如果有一个晶闸管被击穿而短路，其他晶闸管受什 么影响?（2 分）
自
觉 遵装
守 考订
试线 规
则内 ， 诚不 信
考得
试 ，答 绝
不题
作
弊
A 0°~90° B 30°~120° C 60°~150° D 90°~150°
3、下列不可以实现逆变的电路是( )式晶闸管电路。
A 单相全控桥 B 三相不控桥 C 三相全控桥 D 单相半控桥
4、在可逆电路中，最小逆变角βmin 选在下面那一种范围合理( ) 。
北京科技大学 2012-2013 学年第一学期《电力电子技术》期末试卷 A 第 7 页 共 8 页
北京科技大学 2012-2013 学年第一学期《电力电子技术》期末试卷 A 第 8 页 共 8 页
北京科技大学 2012-2013 学年第一学期《电力电子技术》期末试卷 A 第 4 页 共 8 页
自
觉 遵装
守 考订
试线 规
则内 ， 诚不 信
考得
试 ，答 绝
不题
作
弊
得 分 五、计算题（40 分）
1、三 相 桥 式 全 控 整 流 电 路 ， 变 压 器 二 次 侧 电压 的 有 效 值 U2=100V，带电阻电感负载，R=5Ω，L 值极大，当α=60°时， ①画出 ud，id，iVT1 和 ia 的波形；（4 分） ②计算 Ud、Id、和 IVT；（6 分） ③计算三相桥全控电路的输入功率因数；（2 分） ④计算变压器二次侧电流 i2（以 a 相电流 ia 为例）的 5、7 次谐波分量的 有效值 I25、I27。（2 分） ⑤如果给负载并接续流二极管，输出电压 ud 的波形有变化吗？当α=90° 时输出电压 ud 的波形与未接续流二极管时有变化吗？为什么(4 分)
河北科技大学801电力电子技术2020年考研真题试卷试题
一、填空题（共30分，每空1分。
答案一律写在答题纸上，否则无效。
）1. 电力电子器件与信息电子技术中的半导体器件的主要区别在于：电力电子器件只工作在（），目的是为了（）。
2. 电力变换的四种基本类型为：（）、（）、（）、（）。
3. 晶闸管正常导通的条件是（）和（）。
在开通过程中，当晶闸管阳极电流大于（）时，认为晶闸管已进入导通状态。
4. 单相桥式整流电路，每周期内输出电压波头数为（）个；三相半波整流电路，每周期内输出电压波头数为（）个。
三相桥式整流电路，每周期内输出电压波头数为（）个。
5. 变压器漏抗使相控整流电路产生换流重叠过程，从而使整流输出直流平均电压（），当变压器漏抗为定值时，换相压降正比于（）。
6. 晶闸管相控整流电路工作在有源逆状态时，要求逆变角β（），但当β（）换流重叠角γ时，会导致逆变颠覆。
7. 升压斩波电路输入电压为Ui，占空比为D，其输出电压与输入电压之间的关系表达式为（），而电感的平均电压为（），该电路能够升压的原因是（）和（）。
8. 交流调压电路控制目的是（），常用的控制方式为（），单相交流调压电路在阻感负载时触发角α的移相范围为（）（设负载阻抗角为φ）。
9. 在单相交交变频电路中有正组、反组两组变流器，输出电压波形一个周期内，存在正组整流、正组逆变，反组整流、反组逆变四种工作状态。
每个阶段正组工作还是反组工作由（）决定；具体工作在整流还是逆变状态由（）决定。
10. 电压型逆变电路直流侧采用（）滤波，除了等效直流电压源作用外，与各桥臂上并联二极管还起到了（）作用。
11. SPWM控制的理论基础是（）。
采用SPWM控制的三相电压型逆变电路中，输出线电压的谐波特点为：不含（）次谐波，并且谐波分布在（）附近。
二、选择题（共24分，每题2分，答案不一定唯一，多选或错选均不得分，答案一律写在答题纸上，否则无效。
）1. 下列电力电子器件中，属于双极型全控型的器件为（）。
A. 晶闸管B. GTRC. Power MOSFETD. IGBT2. 下列电路中，为防止失控，需要采用续流二极管的电路有（）。
电气工程及其自动化专业《电力电子技术》考试题试卷及答案(卷A)
XXX 大学电气工程及其自动化专业《电力电子技术》考试题试卷及答案（卷A ）一、填空（30分）。
1、双向晶闸管的图形符号是 ，三个电极分别是 ， 和 ；双向晶闸管的触发方式有 、 ； 、 。
2、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 。
三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 。
（电源相电压为U 2）。
3、要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种：一是用 触发； 二是用 触发。
4、在同步电压为锯齿波的触发电路中，锯齿波底宽可达 度；实际移相才能达 度。
5、异步电动机变频调速时，对定子频率的控制方式有 ；院系： 专业班级： 学号： 姓名： 座位号：；；。
6、软开关电路种类很多，大致可分成电路，电路两大类。
7、变流电路常用的换流方式有；；；四种。
8、逆变器环流指的是只流经；而不流经的电流，环流可在电路中加来限制。
9、提高变流置的功率因数的常用方法有；、。
10、绝缘栅双极型晶体管是以作为栅极，以作为发射极与集电极复合而成。
二、判断题,（20分）（对√、错×）。
1、半控桥整流电路，大电感负载不加续流二极管，输出电压波形中没有负向面积。
( )；2、采用两组反并联晶闸管的可逆系统，供直流电动机四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。
（）；3、晶闸管并联使用时，必须注意均压问题。
（）；4、无源逆变指的是不需要逆变电源的逆变电路。
（）；5、并联谐振逆变器必须是呈电容性电路。
（）；6、直流斩波电路只能实现降低输出直流电压的作用。
（）；7、无源逆变指的是把直流电能转变成交流电能回送给电网。
（）；8、在三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反压为2倍相电压U2。
（）；9、三相全控桥整流电路中，输出电压的脉动频率为150Hz。
（）；10、变频调速实际是改变电动机内旋转磁场的速度，达到改变输出转速的目的。
（）；三、选择题（每题2分 10分）。
电力电子技术-研究生(A卷)
一、填空题（每空1分，共15分）1、晶闸管导通的条件是正向阳极电压、正向门极触发电流。
2、电子器件据其能被控制信号所控制的程度，可分为三大类: 不控型、半控型、全控型。
3、擎住电流是指晶闸管刚从断态转入通态, 移除触发信号使元件保持导通所需最小阳极电流。
4、绝缘栅晶体管（IGBT）是GTR（或电力晶体管）和MOSFET（或功率场效应管或电力场效应管) 的复合型器件.5、根据无源逆变器直流输入端接入滤波器的不同，可分为电压(或电压源) 型逆变器和电流(或电流源）型逆变器,按电子开关的工作规律分，无源逆变器的基本类型为1800导电型和1200导电型。
6、将一个不可控直流电压变换为适合于负载要求的可控直流电压的技术称为直流斩波技术。
二、简答题（每题5分,共30分)1、全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？试分析RCD缓冲电路各元件的作用？(1）抑制电力电子器件内因过电压，du/dt 或过电流和di/dt，减少器件的开关损耗。
（2）C限制关断时电压的上升,R限制电流的大小。
D利用单向导电性, 关断时起作用.2、简述电压型逆变器和电流型逆变器主电路中每一桥臂的结构,并分析二极管的作用。
（1）电压型逆变器每个桥臂由电子开关和一个反并联的二极管组成，二极管起续流作用。
(2）电流型逆变器每个桥臂由电子开关串联一个二极管组成,二极管确保每一个桥臂的电流单方向流动。
3、什么是逆变失败? 如何防止逆变失败？(1）逆变运行时,一旦发生换流失败，外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路，或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联，由于逆变电路内阻很小，形成很大的短路电流，称为逆变失败。
（2)防止逆变失败的方法: 采用精确可靠的触发电路,使用性能良好的晶闸管,保证交流电流的质量，留出充足的换向裕量角等.4、什么是IGBT掣住效应？它有什么危害?(1）在额定集电极电流范围内,在NPN管的基极与发射极之间的体内短路电阻Rs上的偏压很小，对NPN管无影响.(2)如果集电极电流大到一定程度，Rs上压降上升，相当于加一正偏电压,使NPN管导通,进而使NPN、PNP两晶体管同时处于饱和状态，造成寄生晶闸管开通IGBT 栅极失去控制作用，这就是所谓的掣住效应。
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一、填空题（每空1分，共15分）1、晶闸管导通的条件是正向阳极电压、正向门极触发电流。
2、电子器件据其能被控制信号所控制的程度，可分为三大类: 不控型、半控型、全控型。
3、擎住电流是指晶闸管刚从断态转入通态, 移除触发信号使元件保持导通所需最小阳极电流。
4、绝缘栅晶体管(IGBT)是GTR(或电力晶体管) 和MOSFET(或功率场效应管或电力场效应管) 的复合型器件。
5、根据无源逆变器直流输入端接入滤波器的不同，可分为电压(或电压源) 型逆变器和电流(或电流源) 型逆变器,按电子开关的工作规律分，无源逆变器的基本类型为1800导电型和1200导电型。
6、将一个不可控直流电压变换为适合于负载要求的可控直流电压的技术称为直流斩波技术。
二、简答题（每题5分，共30分）1、全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？试分析RCD缓冲电路各元件的作用？(1)抑制电力电子器件内因过电压，du/dt 或过电流和di/dt，减少器件的开关损耗。
(2) C限制关断时电压的上升，R限制电流的大小。
D利用单向导电性, 关断时起作用。
2、简述电压型逆变器和电流型逆变器主电路中每一桥臂的结构,并分析二极管的作用。
(1)电压型逆变器每个桥臂由电子开关和一个反并联的二极管组成，二极管起续流作用。
(2)电流型逆变器每个桥臂由电子开关串联一个二极管组成，二极管确保每一个桥臂的电流单方向流动。
精选文库(1)逆变运行时,一旦发生换流失败,外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路,或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联,由于逆变电路内阻很小,形成很大的短路电流,称为逆变失败。
(2)防止逆变失败的方法: 采用精确可靠的触发电路,使用性能良好的晶闸管,保证交流电流的质量,留出充足的换向裕量角等。
4、什么是IGBT 掣住效应？它有什么危害？(1)在额定集电极电流范围内，在NPN 管的基极与发射极之间的体内短路电阻Rs 上的偏压很小，对NPN 管无影响。
(2)如果集电极电流大到一定程度，Rs 上压降上升，相当于加一正偏电压，使NPN管导通，进而使NPN 、PNP 两晶体管同时处于饱和状态，造成寄生晶闸管开通IGBT 栅极失去控制作用，这就是所谓的掣住效应。
(3)IGBT 一旦发生掣住效应，器件将失控，集电极电流将增大，早成过高的功耗，将导致器件损坏。
另外，它还关系着IGBT 的安全工作区的大小，在实际应用中是需要引以重视的问题。
5、简要说明锯齿波垂直移相触发电路中，控制电压、偏移电压各有什么作用？(1)改变控制电压就可以改变触发脉冲产生的时刻，达到移相的目的。
(2)设置偏移电压的目的是确定控制电压的初始相位。
6、简述电力晶体管产生二次击穿的原因。
(1)当GTR 的C 、E 极间施加的电压高于晶体管的电压的额定值时，GTR 的电流雪崩式增加，呈现负阻特性，即出现一次击穿现象。
(2)若GTR 出现一次击穿后继续增大外加反向电压u ce ，反向电流将继续增大，元件将会吸收足够的能量，其工作状态将以极快的速度移向负阻区，形成二次击穿，结果是在纳秒或微秒时间内器件永久性损坏。
三、计算题（每题15分，共30分）1、单相桥式全控整流电路为阻感负载，变压器次级电压有效值为200V ，R L >>ω，精选文库 20R =Ω，60α=︒。
(1) 求输出整流电压与电流平均值，晶闸管电流平均值与有效值。
(2) 绘制电路波形d u ，d i ，1VT u 。
解：(1)输出电压的平均值为：20.9cos d U U α= =0.9×200×cos600=90 V输出电流的平均值为: dd U I R = =4.5 A 流过晶闸管的电流的平均值为：2ddVT I I = =2.25 A有效值为: VT d I I = =3.2 A(2)电路波形如图dI2、三相半波可控整流电路为阻感负载，R L >>ω，若变压器次级相电压有效值为100V ， 20R =Ω，60α=︒。
(1 )计算输出整流电压与电流平均值。
(2) 选择晶闸管电压与电流定额。
(3) 绘制电路波形d u ，d i 。
解：(1)输出整流电压为：21.17cos d U U α==58.5V 电流平均值dd U I R ==11.7A 。
(2)2=245V考虑安全裕量，2(2~e U ==(490~735)V 流过晶闸管的电流的有效值为VT d I I ==6.8A 则晶闸管的电流定额为(1.5~2)1.57VTTa I I ==(6.5~8.6)A可以选用KP10-8型晶闸管。
(3)波形如图。
d I四、论述题（10分）试述实现有源逆变的条件，并说明有源逆变与无源逆变的异同。
实现有源逆变的条件可归纳如下：(1)负载侧要有一个提供直流电能的直流电动势，电动势极性对晶闸管而言为正向电压，在整流回路交流电源电压为负期间，提供使晶闸管维持导通的条件。
(2)交流装置必须工作在2πα>区间，使变流器输出电压极性为负，才能将直流功率逆变为交流功率反送电网。
(3)为了保证交流装置回路中的电流连续，逆变电路中一定要串联大电抗。
有源逆变是把工作在逆变状态的变流器的交流侧接到交流电源上，把直流电逆变为同频率的交流电反送到电网去。
而无源逆变是把变流器的交流侧不与电网连接，而直接接到负载，把直流电逆变为某一频率或可调频率的交流电供给负载。
五、分析题（15分）画出升压式直流斩波器的电路拓扑，若电子开关采用全控型器件，(1) 推导电路的输出电压和输入电压的关系。
(2) 说明电子开关的控制方式。
(3) 说明电路的优缺点。
电路拓扑如图所示：R(1)当电子开关S 导通时，假设其导通时间为DT ，电感充电，二极管关断，可以得到等效电路为: R有下面关系，in L V V =。
当电子开关S 关断时，其时间为（1-D ）T ，电感放电，二极管导通，可以得到等效电路为:out有下面关系，in L out V V V +=。
由于在一个电子开关周期内，电感两端的电压的平均值为0，因此可以得到，1in out V V D=-。
(2)电子开关采用脉冲宽度调制控制（即PWM ）方式，可以采用定频调宽方式，也可以采用定宽调频，还可以采用调宽调频方式。
(3)本电路的优点是输入电流波动较小；缺点是输出电流波动较大，只能实现电压的升高。
一、填空题（每空1分，共15分）1、维持电流是指室温和门极断开时,元件维持通态所必需的最小阳极电流。
2、全控型开关器件：GTR，IGBT，MOSFET中属于电流型驱动的开关管有GTR 属于电压型驱动的开关管有MOSFET 、IGBT 。
3、有源逆变是将直流电(直流电能) 转化为和电网同频率的交流电(交流电能) 的过程。
4、无源逆变是将直流电(直流电能) 转化为负载所需要的不同频率和电压值的交流电(任意频率和电压值的交流电能) 。
5、斩波电路电力电子开关的控制方式主要有定频调宽、定宽调频和调频调宽。
6、对三相桥式整流电路,要保证晶闸管同时导通可采用以下两种触发方式: 宽脉冲或双窄脉冲触发脉冲。
7、将一个不可控直流电压变换为适合于负载要求的可控直流电压的技术称为直流斩波技术。
二、简答题（每题5分，共35分）1、为什么必须限制晶闸管的通态电流临界上升率(di/dt)?（6 分）(1)晶闸管在开通过程中，刚开始导通时是从门极附近的微小区域开始的，尔后才逐渐扩展到整个结面。
（2.5 分）(2)如果电流上升得太快，热量来不及散发，容易在门极附近形成热点集中，烧坏晶闸管，因此应当限制晶闸管的通态电流临界上升率。
（2.5 分）2、什么是IGBT掣住效应？它有什么危害？（6 分）(1)在额定集电极电流范围内，在NPN管的基极与发射极之间的体内短路电阻Rs上的偏压很小，对NPN管无影响。
（1 分）(2)如果集电极电流大到一定程度，Rs上压降上升，相当于加一正偏电压，使NPN管导通，进而使NPN、PNP两晶体管同时处于饱和状态，造成寄生晶闸管开通IGBT 栅极失去控制作用，这就是所谓的掣住效应。
（2 分）(3)IGBT一旦发生掣住效应，器件将失控，集电极电流将增大，早成过高的功耗，将导致器件损坏。
另外，它还关系着IGBT的安全工作区的大小，在实际应用中是需要引以重视的问题。
（2 分）3、简述电力晶体管产生二次击穿的原因。
（5 分）(1)当GTR的C、E极间施加的电压高于晶体管的电压的额定值时，GTR的电流雪崩式增加，呈现负阻特性，即出现一次击穿现象。
（2 分）(2)若GTR出现一次击穿后继续增大外加反向电压u ce，反向电流将继续增大，元件将会吸收足够的能量，其工作状态将以极快的速度移向负阻区，形成二次击穿，结果是在纳秒或微秒时间内器件永久性损坏。
（3 分）4、什么是逆变失败？如何防止逆变失败？（6 分）(1)逆变运行时,一旦发生换流失败,外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路,或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联,由于逆变电路内阻很小,形成很大的短路电流,称为逆变失败。
（2 分）(2)防止逆变失败的方法: 采用精确可靠的触发电路,使用性能良好的晶闸管,保证交流电流的质量,留出充足的换向裕量角等。
（3 分）5、根据逆变器直流输入端接入滤波器的不同,无源逆变器的基本类型是什么？各有何特点？（5分）(1)根据逆变器直流输入端接入滤波器的不同,无源逆变器的基本类型可以分为电压型逆变器和电流型逆变器。
（1 分）(2)电压型逆变器中间直流环节为一大电容，逆变器输入侧近似为电压源；（2 分）(3)电流型逆变器中间直流环节为一大电感，逆变器输入侧近似为电流源。
（2 分）6、解释单相半控桥式电路的自然续流现象和失控现象，怎样避免？（5 分）(1)在单相半控桥式电路带阻感性负载时，由于晶闸管是可控导通，而二极管是自然换相的，会出现在电源电压改变方向时，晶闸管由于电感储能继续导通，同一相的二极管自然导通，形成负载自然续流的现象。
(2.5 分)（2）失控现象是指在运行中，采用切除触发脉冲的方式使主电路阻断时，桥式半控整流电路可以发生原导通的1只晶闸管维持导通，2只二极管正负半周交替导通的异常现象。
可以通过在负载两端反并联一个续流二极管来消除自然续流现象，避免失控现象的发生。
(2.5 分)7、电力电子电路的基本类型有哪几种？各自实现什么电能变换?（5 分）(1)整流器(或交流(AC)/直流(DC)整流电路)：是用于将交流电能变换为直流电能的变换器。
(1分)(2)逆变器(或直流(DC) /交流(AC)逆变电路)：是用于将直流电能变换为交流电能的变换器。
(1分)(3)斩波器(或直流(DC)/直流(DC)电压变换电路)：是用于将直流电压变换为可调的或稳定的直流电压的变换器。