模电课程练习

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模电第一章练习习题

模电第一章练习习题(总14页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

（1）在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。

（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（×）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（√）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（×）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS大的特点。

（√）（6）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。

（×）解：二、选择正确答案填入空内。

（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）稳压管的稳压区是其工作在。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（4）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。

A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）B （4）A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。

图解：U O1≈，U O2＝0，U O3≈－，U O4≈2V，U O5≈，U≈－2V。

O6四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

图解：(a)图能击穿稳压，U O1＝6V ；(b)图不能击穿，靠电阻分压，U O2＝5V 。

五、电路如图所示，V CC ＝15V ，β＝100，U BE ＝。

试问：（1）R b ＝50k Ω时，u O ＝（2）若T 临界饱和，则R b ≈解：（1）R b ＝50k Ω时，基极电流、集电极电流和管压降分别为26bBE BB B =-=R U V I μAV2mA 6.2 C C CC CE B C =-===R I V U I I β所以输出电压U O ＝U CE ＝2V 。

模拟电子技术基础习题及答案

第一章半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。

如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。

（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。

此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。

已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。

试求：（1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。

解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。

模电习题课(答案版)

C．+10V D．共源极放大电路第 3 页，共3 页]共源极放大电路页，共 7 页3-1 图3-2构成互补对称输出级电路；、2T 提供预偏置，使1T 、2T 微导通而达到消除图3-3同类题VD = 0.7v ，Vom = ±15v 解：（1）当i V ＞0时，0102,i om V V V V ==-图3-41）1T 、2T 构成差分放大电路；3T 、4T 构成比例式镜像电流源电路；同时作为差放的长尾，理想运放A 构成同相比例运算电路。

2）()4030120.7112 4.61R V R K I i mA R K K K---==⋅≈+ T 1 T 2 T 4 T 3第 10 页，共 10 页f R 引入深度电压串联负反馈，则采用分离法：101111f vf ff vf vf V R R V R R R A R R ==+∴==+R f页第 12 页，共页4．图示放大电路中，三极管的β＝40，U BE ＝0.8V ，C 1、C C E 足够大。

求：（1）输入电压u i =0.15sin ωtV 时，输出电压u 0=?（2）输出端接负载电阻R L ＝1.5k Ω后，输出电压u （3）R L ＝1.5k Ω时，换一个同类型的三极管β＝50BE ＝0.7V ，C 1、C 2、C E 足够大。

时，输出电压u 0=?Ω后，输出电压u 0=?时，换一个同类型的三极管β＝60，输出电压u 0=?页第 14 页，共 14 页（3）分别是什么反馈类型？对电路有什么影响？2-1 图2-2管构成共基极放大电路；页第16 页，共页页VZ=6V，稳定电流范围为IZ=5～20mA，额定功率为能稳压，设V0 = 6V页页页（2）画出满足要求的电路图。

页页页页三、判断以下电路能否放大交流信号，若不能，请改正其中的错误使其能起放大作用。

第25 页，共25页26 页（C ）A 图不能放大交流信号，改正：去掉B 图能够放大交流信号四、请判断下列电路中的反馈的类型，并说明哪些元件起反馈作用。

《模拟电子技术基础》习题课1-2章-概念

三种基本组态放大电路特性与分析
三种组态为：BJT的共射、共基、共集 FET的共源、共栅、共漏
BJT
FET
差放
共射共射共集共基共源共漏共栅差模共模（带反馈Re）
微变等效电路
p74
Ri
Ro
Av
15
模拟电路习题课（一）
共射小信号（微变）等效分析输入电阻、输出电阻和增益
Ri
vi ii
rbe // Rb
Av
vo vi
(1 1)R'L rbe (1 1)R'L
1
R'o
rbe
1 1
//
rce1
rbe
1 1
Ro R'o // ro2 R'o
共集放大器的Ri比共射大很多
电压放大倍数接近于1（小于1）因此称为射随器
共集放大器的Ro比共射的小很多
17
模拟电路习题课（一）
共基小信号（微变）等效分析
R'i
U
反向击穿电压VBR
2
二极管的电阻
模拟电路习题课（一）
直流等效电阻 RD：
RD
VD ID
交流（动态）电阻 rd：
rd
(
diD dvD
)Q1
2vd 2id
rd
(
diD dvD
)Q1
VT ID
3
模拟电路习题课（一）
共射（共E）BJT工作原理
以发射极（E极）作为公共端，EB结正偏，CB结反偏。
iC
参见 P12 图1.3.4
7
3. 饱和区
vCE<vBE vCB<0
4
集电结正偏

《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)

项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。

2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。

3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。

三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。

4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。

5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。

6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。

图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。

（b）VD截止，U AB=-12 V。

（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。

（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。

7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。

图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。

试画出u i与的波形。

解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。

9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。

图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。

模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)

第1章常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。

试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。

1、两个管子都正接。

（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。

模拟电子技术基础-课程作业

教材模拟电子技术基础（第四版）清华大学模拟电子技术课程作业第1章半导体器件1将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将( b )。

(a)变宽 (b)变窄 (c)不变2半导体二极管的主要特点是具有( b )。

(a)电流放大作用 (b)单向导电性(c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。

(a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压4若将PN 结短接，在外电路将( c )。

(a)产生一定量的恒定电流 (b)产生一冲击电流 (c)不产生电流5电路如图所示，二极管D 1、D 2为理想元件，则在电路中( b )。

(a)D 1起箝位作用，D 2起隔离作用 (b)D 1起隔离作用，D 2起箝位作用 (c)D 1、D 2均起箝位作用 (d)D 1、D 2均起隔离作用D 1V 2V u O6二极管的反向饱和峰值电流随环境温度的升高而( a )。

(a)增大(b)减小 (c)不变7电路如图所示，二极管型号为2CP11，设电压表内阻为无穷大，电阻R =5k Ω，则电压表V 的读数约为( c )。

(a)0.7V (b)0V (c)10VR8电路如图所示，二极管D 为理想元件，输入信号u i 为如图所示的三角波，则输出电压u O的最大值为( c )。

(a)5V (b)10V (c)7VDu O9电路如图所示，二极管为理想元件，u i =6sin ωt V ，U =3V ，当ωt =π2瞬间，输出电压 u O 等于( b )。

(a)0V (b)6V(c)3VDu O10电路如图所示，二极管D 1，D 2，D 3均为理想元件，则输出电压u O ＝( a )。

(a)0V (b)－6V (c)－18V0V3--11电路如图所示，设二极管D1，D2为理想元件，试计算电路中电流I1，I2的值。

23k+-答：D1导通、D2截止.所以：I1=（12V+3V）/ 3k=5mA I2=012电路如图1所示，设输入信号u I1,u I2的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压uO的波形，并说明t1,t2时间内二极管D1，D2的工作状态。

模电课堂练习总汇

R4
拟与数字电路”考题）
3. 一个可调的电压基准电路如图。A 为理想运放：（1）计算输出电压的可调范围；（2）当负载 RL 发生变化时，Vo 会随之变化吗？（3）若把运放 A 的负电源取消（即 −12V 端接地），分析此电路能否正常工作？
2k 1k 6V 2k
+12V 2k
+
Vo
A
−
−12V RL
−12V −9.2V
−12.3V A
−1.2V B 题3 图
+6.0V
+5.3V +5.3V C
4. 如下电路能否实现正常放大？为什么？
Rb
+ C1 Vi
C2
+Vcc Rc
C3 +
Re Ce
Vo
A
Rb 510k C1
+Vcc Rc
3k
+
10μ
Vi
Re C2
1k 100μ
RL 3k
+ Vo
B
5. 某同学为验证基本共射极放大电路的电压放大倍数与静态工作点的关系，在线性放大条件下，对同一
（1）画出小信号等效电路；（2）求放大电路的中频电压放大倍数 AV 及 ri 、 ro 的表达式。
C1 T1
+
T2
+ RC Vo
Vi
Rg
VBB
VGG
VCC
题7图
C1 T1
+
Vi
Rg
−VCC
T2
Re
C2
+ RL Vo
题8图
7
模电课堂练习汇编 9. 图示FET放大电路中，两管T1和T2的小信号参数相同，低频跨导为 g ，C1～C3为耦合、旁路电容：（1）T1在电路中起什么作用？（2）画出放大电路的中频小信号等效电路。

模电习题

模拟电子技术课程习题第一章习题1-1 PN 结上存在内电场，用导线将P 区端和N 区端短接起来，导线中是否有电流流过？若加光照或加热，导线中是否有电流？为什么？1-2 如用万用表的电阻档测量二极管的正向电阻时，发现用R ×10档测出的电阻值较用R ×100档测得的电阻值小，试用伏安特性曲线解释。

1-3 如图题1.3所示，试判断电路中哪个二极管导通，哪个二极管截止?设各二极管导通时的正向压降为0.7V ，求U 0。

(a) （b ）题1-3图1-4一个二极管工作在正向导通阶段是否有稳压作用?稳压管工作在正向导通阶段是否有稳压作用。

为什么?1-5两只稳压管的稳定电压分别是4V 和6V ，它们的正向导通电压为O ．7V ，试问用它们串联和并联可以得到几种稳压值?1-6 如图1-6所示，若电源电压的有效值为12V ， A 、B 、C 为三只相同的灯泡，问哪只灯泡最亮，并求各灯泡两端电压的平均值。

题1-6图1-7 有人用万用表测量二极管反向电阻时，为了使表棒和二极管引线接触好一些，用双手把两端捏紧，结果测得二极管的反向电阻比较小，认为不合格，但在设备上却正常工作，这是什么原因？这样的操作和判断是否正确?为什么?1-8要使稳压性能好，稳压管的稳压值是大一些好还是小一些好?工作电流是大一些好还是小一些好?温度系数是大一些好还是小一些好?1-9既然三极管有两个PN 结，可否用两个二极管相联以构成一只三极管？说明理由。

1-10 一只NPN型的三极管，具有e、b、c三个电极，能否将e、c两个电极交换使用？为什么？1-11一块正常工作的放大电路板上，测得某晶体管的三只管脚对地电压分别为-6V,-6.2V,-9V，试问这只晶体三极管是PNP型还是NPN型？是锗管还是硅管？并确定各管脚哪个是基极、发射极、集电极。

1-12 测量某硅三极管的各极对地电压值如下：1）V C=6V，V B=7V，V E=0V；2）V C=6V，V B=67V，V E=5.4V; V C=3.6V，V B=47V，V E=3.40V 试判别管子工作在什么区域?1-13能不能用鉴别晶体管的简易方法来鉴别场效应管的三个电极和它的性能好坏?1-14 场效应管的跨导是大一些好还是小一些好？如果管子已经确定，为了使跨导大一些应该如何改变U GS的变化范围？第二章习题2-1 说明如图2-1放大电路中的R B和R C的作用。

模拟电子技术基础部分练习题含答案

模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。

A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。

A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。

A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。

A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。

模电课堂练习

1.图1所示为恒流源电路，已知稳压管工作在稳压状态，试求负载电阻中的电流。

2如图所示电路：（1）要实现电压串联负反馈，反馈应如何接入?确定运放输入端的极性并计算引入深度电压串联负反馈后的闭环电。

压放大倍数Avf （2）要实现并联电压负反馈，反馈应如何接入?确定运放输入端的极性并计算引入深度电压并联负反馈后的闭环电。

压放大倍数Avf3.利用N 沟道JFET 构成的差分电路如图所示。

设JFET 的，若要求静态电流，差模电压增益，问：（1）源极电阻应选多大？（2）漏极电阻应选多大？V V V CC DD 12==mA I V V DSS P 2,2=−=mA I I D D 5.021==15≥VD A SR DRi v 2i v4．电路如图(a)所示，设A 1,A 2为理想运放，输电阻，夹断电压，电容C 上的初始电压Vc (0)=0，试对应，,画出输出电压的波形。

0)(≈on DS r iv V V P 3−=i v G v o o v v ,121321310KR610KR710KR4R25K R35K viVOTJFET NvGC /v246t/m st/m s(a)v G v 1o v例5(1)等效电路：5(2)等效电路：5.电路如图所示。

（1）写出u O 与u I1、u I2的运算关系式；（2）当R W 的滑动端在最上端时，若u I1＝10mV ，u I2＝20mV ，则u O ＝？（3）若u O 的最大幅值为±14V ，输入电压最大值u I1max＝10mV ，u I2max。

模拟电子技术课程习题第七章集成运放的应用

第七章集成运放的应用7．1在下列描述中错误的是[ ]A 级联放大器的带宽比各级放大器带宽小B 负反馈的引入可以起到展宽放大器频带的作用C 集成运算放大器电路中广泛采用了以电流源为负载的放大器结构D 理想运放在线性与非线性工作区均有虚断、虚短两个重要特性7．2在输入信号从极小到极大的一次变化过程中，迟滞比较器的输出会发生[ ]次翻转。

A 0B 1C 2D 37．3希望抑制1KHz以下的信号，应采用的滤波电路是[ ]A.低通滤波电路B. 高通滤波电路C.带通滤波电路D. 带阻滤波电路7．4有用信号频率为7Hz,应采用的滤波电路是[ ]A.低通滤波电路B. 高通滤波电路C.带通滤波电路D. 带阻滤波电路填空1．比例运算电路的输入电流基本上等于流过反馈电阻的电流，而比例运算电路的输入电流几乎等于零。

（同相，反相）2．反相比例放大电路的输入电阻较，同相比例放大电路的输入电阻较。

（高，低）3．在进行反相比例放大时，集成运放两个输入端的共模信号uIC= ；若同相输入端接u1，则由集成运放组成的比例放大电路的共模信号uIC= 。

试从a.低通滤波电路，b.高通滤波电路，c.带通滤波电路，d.带阻滤波电路四种电路名称中选择一种填写下列各空；1．在理想情况下，在f=0和f→∞时的电压放大倍数相等，且不为零；2．在f=0和f→∞时，电压放大倍数都等于零。

3．的直流电压放大倍数就是它的通带电压放大倍数。

4．在理想情况下，在f→∞时的电压放大倍数就是它的通带电压放大倍数。

在负反馈运算放大电路的三种输入方式（a.反相输入，b.同相输入，c.差动输入）中，选择合适的方式填入下面的空格。

（以下各题均只在单个运放电路且反馈网络为线性电阻的范围内讨论问题）1．为给集成运放引入电压串联负反馈，应采用方式；2．要求引入电压并联负反馈，应采用方式。

3．在多个输入信号情况下，要求各输入信号互不影响，应采用方式。

4．要求向输入信号电压源索取的电流尽量小，应采用方式。

模电练习题

说明：① 用于训练和评价课程目标1的达成。

② 每个学生独立完成。

1-1、设二极管D 的正向导通压降为0.7V ，选择二极管D 的近似模型（画出模型）并判断其工作状态，计算A 点的电位。

1-2、设二极管均为理想二极管，判断各二极管的工作状态并依据二极管的工作状态画出电路（消除二极管后）的等效模型，列出求AB 间电压的表达式（数学模型）并计算。

1-3、已知V1等于5V ，V2等于0.3V ；LED 的正向导通电压降落为1.7V ，导通电流范围为8~10mA ；写出求电阻R1大小的数学模型表达式并选择一个电阻R1的标称值。

1-4、设三极管T 导通时U BE 为0.7V ，β为100；在E1分别等于0V 、1V 、2V 时，分析判别三极管T 的工作状态（给出判断依据），同时分别写出求AB 间电压的表达式（数学模型）并计算。

ΩABABLED1-5、设三极管T 导通时U BE 为0.7V ，饱和管压降U BES 为0.5V ，β为100；在下列情况下，分别判别三极管T 的工作状态，同时分别写出求AB 间电压的数学模型表达式并给出结果。

①正常情况；②R1开路；③R2开路；④R2短路；⑤R3开路。

1-6、已知三极管β=80，Rc =1k Ω ，r be =200Ω ，Vcc =12V ，R L =1k Ω ，U CEQ =7.5V ，U BEQ =0.7V ；写出估算电阻Rb 大小的相关数学模型表达式并依次计算；写出求空载时交流电压放大倍数和带负载时交流电压放大倍数的数学模型表达式并计算出结果。

1-7、多级放大电路中，阻容耦合和直接耦合各有什么特点？如何根据输入信号类型来选择阻容耦合还是直接耦合电路模型? 如何根据对信号放大的频率特性要求来选择阻容耦合还是直接耦合电路模型?ABR1R2。

模拟电子技术课程试卷及答案

模拟电子技术课程试卷及答案（本题共5小题，每小题4分，共20 分）一、填空题1. 稳压二极管正常工作在伏安特性曲线上的区；变容二极管正常工作在伏安特性曲线的区；发光二极管正常工作在伏安特性曲线的区，光敏二极管正常工作在伏安特性曲线的区。

2. 双极型三极管是用控制集电极大电流的控制型器件；单极型三极管是用控制漏极大电流的控制型器件。

3. 根据静态工作点设置的不同，功率放大电路可分为类放大电路、类放大电路和类放大电路三种类型。

其中类功放电路存在交越失真。

4. 集成运算放大器的理想化条件是：差模输入电阻r id=∞；电压放大倍数A UO= ；输出电阻r o=0；共模抑制比K CMR= 。

根据上述理想化条件导出和两个重要概念，成为分析线性运放应用电路的重要依据。

5. 小功率并联型直流稳压电源系统中，整流部分采用的电路是整流电路，滤波环节采用的元件是元件；串联型直流稳压电路的调整管正常工作在状态；开关型直流稳压电路的调整管正常工作在状态。

（本题共10小题，每小题1分，共10分）二、判断正、误题1. 二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。

（）2. 三极管无论是哪种组态的放大电路，均有输入、输出反相。

（）3. 若本征半导体掺入三价杂质元素，会生成N型半导体，其多子是自由电子载流子。

（）4. OCL甲乙类功放采用了单电源供电方式，输出大电容起负电源的作用。

（）5. 差动放大电路利用其对称性，可以有效地抑制零点漂移现象。

（）6. 放大电路的输出无论发生饱和失真或截止失真，还是频率失真，都属于非线性失真。

（）7. 非线性应用的集成运算放大电路中，虚断的概念不再成立，虚短的概念仍然适用。

（）8. 相对于单门限比较器，滞回比较器的灵敏度高，但抗干扰能力较弱。

（）9. 文氏桥正弦波发生器中的RC串并联网络的主要作用是放大反馈信号。

（）10. 复合管的类型，总是与输入相连接的第一只管子的类型相同。

（）（本题共10小题，每小题2分，共20分）三、单项选择题1. NPN型三极管用于放大时，应使发射结、集电结处于（）。

模拟电子技术简明教程课后习题

+ U&i Rb1 -
+
RF RL
U&o
Re Ce -
UCEQ VCC ICQRc IEQ RF Re 5.3V
②微变等效电路 Rb Rb1 // Rb2
R+s U&s-
+
Ui Rb rbe -
Ib RL
Uo
RF Rc
③
rbe

rbb

(1

)
26 I EQ
Ro Rc 3.9k
习题2-15 设图P2-15中三极管的β=100, UBEQ=0.6V,rbb’ =100Ω,
VCC=10V, Rc=3kΩ, Re=1.8kΩ, RF=200Ω, Rb1=33kΩ, Rb2=100kΩ,
负载电阻RL=3kΩ，电容C1、C2、C3均足够大。
①求静态工作点；
-1.3V
+11.7V
0V (e)
截止
+5V (f)
临界饱和
-1V (g)
放大
+12V (h)
放大
习题1-16 已知一个N沟道增强型MOS场效应管的输出特性曲线如图P1-16所示。试作出uDS=15V时的转移特性曲线，并由特性曲线求出该场效应管的开启电压 UGS(th )和 IDO值，以及当uDS=15V，uGS=4V时的跨导gm。
Ri和输出电阻Ro。
Rb C1 +
_U&i
Rc
C2 +
RL U&_o
解：①
I BQ
VCC
U BEQ Rb
10 A
ICQ IBQ 0.6mA

《模电》习题集

《模拟电子技术》练习填空1.半导体是一种导电能力介于 ________与 ________ 之间的物质。

2.当外界温度、光照等发生变化时，半导体的______能力会发生很大变化。

3.在半导体中，参与导电的不仅有_________，而且还有_______，这是半导体区别导体导电的重要特征。

4.N 型半导体主要靠_______导电，P 型半导体主要靠______导电。

5.PN 结正向偏置是将P 区接电源的______极，N 区接电源的_____极。

6.PN 结加正向电压时______，加反向电压时________，这种特性称为PN 结的______________________________。

7.整流二极管的最主要特性是__________，使用时应考虑的两个主要参数是__________和______________。

8.在常温下，硅二极管的死区电压约为______V ，导通后在较大电流下的正向压降约为________V ，锗二极管的死区电压约为_______V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_______ V 。

9.当加在二极管两端的反向电压过高时，二极管会被 ________ 。

10.用指针式万用表的两表棒分别接触一个二极管的两端，当测得的电阻值较小时，黑表笔所接触的一端是二极管的________极。

11.电路如图所示，试确定二极管是正偏还是反偏。

设二极管正偏时的正向压降为0.7V ，估算 U A ~ U D 值。

图 a ：VD 1_______ 偏置， U A =_____，U B =_______；图 b ：VD 2________ 置， U C =_____，U D =_______。

12.判断下图所示各电路中二极管是导通还是截止，并求出AB 两端电压U AB （设二极管均为理想二极管）图a ：VD_______，U AB _______。

图b ：VD_______，U AB _______。

模拟电子技术习题及答案完整版本

习题88.1判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。

（1）与分立元件比较，集成电路的主要优势是低成本和优良的性能。

（）（2）集成放大器采用直接耦合的主要原因是集成电路技术很难制造大容量的耦合电容。

（3）直接耦合的主要缺点是零点漂移。

（）（4）晶体管的参数受温度的影响，但不影响零点漂移。

（）（5）零点漂移受电源电压变化、器件参数老化和温度变化的影响。

（）（6）在集成电路中元件的对称性差。

（）（1）集成放大器主要有由输入级、中间放大级、输出级和偏置电路组成。

（）答：（1）√（2）√（3）√（4）×（5）√（6）×（7）√8.2选择合适答案填入空内。

（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为。

A．可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小C．集成工艺难于制造大容量电容（2）通用型集成运放适用于放大。

A．高频信号 B. 低频信号C. 任何频率信号（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的。

A. 指标参数准确B. 参数不受温度影响C．参数一致性好（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。

A．减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。

A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路答：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A8.3 电路如题图8.3所示，已知β1=β2=β3=100。

各管的V B E均为0.7V，试求I C2的值。

题图8.3解：分析估算如下： 100BE1BE2CC =--=RU U V I R μAC2E2C11C1C0C2C0C22C2222(2)111111()2210022B R R I I I I I I I I I I I I A ββββββββββββββμββ++==+===+++++=+=+++==++8.4 多路电流源电路题图8.4所示，已知所有晶体管的特性均相同，V B E 均为0.7V ，β0=β1=β2=β3=100。

模拟电子技术习题课1-经典

1.8已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。
1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
管号上中下管型材料
2.9 已知图所示电路中晶体管的＝100，rbe=1kΩ。（1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb约为多少千欧；（2）若测得Ui和U0的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻RL为多少千欧？
解：（1）求解Rb
I CQ I BQ Rb VCC U CEQ Rc I CQ 20 μA 565k 2mA
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路。
2.4 电路如图（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时UBEQ＝0.7V。利用图解法分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom（有效值）。
解：空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V，有效值约为3.75V。带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V，有效值约为1.63V。如解图所示。
解：（1）当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。2）当VBB ＝1V时，因为
I BQ
VBB U BEQ Rb
60 I CQ I BQ 3mA u O VCC I CQ RC 9V
所以T处于放大状态。
（3）当VBB＝3V时，因为
I BQ
VBB U BEQ Rb
2.1分别改正图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。

模拟电子技术课程习题第一章常用半导体器件

第一章常用半导体器件1.1 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体管的类型是[ ]A.NPN 型硅管B.PNP 型硅管 C.NPN 型锗管图D. PNP 型锗管 1.3V b1.2 某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是[ ]A. 饱和B. 放大C. 截止图1.2D. 已损坏1.3 在如图1.3所示电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA 。

若把电源电压调整到V=10V ，则电流的大小将是 [ ]A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定图1.31.4 在如图1-7所示电路中电源V=5V 不变。

当温度为20O C 时测得二极管的电压U D =0.7V 。

当温度上生到为40O C 时,则U D 的大小将是[ ]A.仍等于0.7VB.大于0.7VC. 小于0.7VD.不能确定图1.41.5 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷1.6 对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是 [ ]A.I CBOB.I CESC.I CERD.I CEO1.7二极管的主要特性是 [ ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性1.8 温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.9 下列选项中，不属三极管的参数是[ ]A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM1.10 温度升高时，三极管的β值将A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.11 在N型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.12 下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大1.13 在如图1.13所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反向饱和电流为0.1 mA, 反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[ ]A. 0.1 mAB. 2.5mAC. 5mAD. 15 mA图 1.131.14 在P型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.15 下列对场效应管的描述中，不正确的是[ ]A 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点；B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET；C 场效应管工作时多子、少子均参与导电；D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。

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20 lg Au dB
40 20 0 100 20×105
f（Hz）

Байду номын сангаас
图示电路中，u21=-u22= 2 U2。试回答下列问题：（5分）（1）估算输出电压平均值UO(AV)；（2）若电容C开路，估算输出电压平均值UO(AV)；（3）若电容C开路，二极管D1、D2承受的最大反向电压有多大？（4）若D1、D2极性都接反，uo有什么变化？
C2
RL 6K Ω
+ uo
2. 已知VCC=VEE=12V，Rb＝6 kΩ, Rc＝48 kΩ，RL＝48 kΩ,Re＝27 kΩ ，R1＝36 kΩ，R2＝12kΩ，三极管的UBE=0.6V, β=50, rbb’=100Ω， UCES=1.0V。试计算：（8分） 1）IC1、 IC2、 IC3、 UC1、UC2；2）求差模电压放大倍数Aud ； 3）若ui1=40mV,ui2=20mA,求uod和uC1；4）判断ui1和ui2哪个为同相输入端，哪个为反相输入端。
+VCC Rb1 C
Cb
Rb2
Re
Ce
1.假设单管共射放大电路的对数幅频特性如图所示。（5分）（1）说明该放大电路的中频电压放大倍数 A & um 、下限频率fL 、上限频率fH等于多少。
（2）若引入电压串联负反馈，希望频带展宽为10Hz～20MHz，问反馈深度、中频闭环放大倍数分别为多少？
RC1 Re3
T3 T1 T2 R3 39K D1 D2 +20V
RW
T4
Ui
UO RL
T5 -VCC -20V 8
2K
R1
Re
2K
R2
R4
1. 共集放大电路如图题3.1所示。已知UBE=0.7V，β ＝50， rbb’=300Ω 。（12分）（1）试计算Q点(IBQ、ICQ 、UCEQ)；（2）画出H参数微变等效电路；（3）试计算Ri、RO；（4）试计算Au 、Aus；（5）当RL=?时uo下降至开路时的一半。
-VEE
3.由理想运算放大器A1、A2构成图示电路（8分），（1）请说明由A1、A2分别构成什么电路，它们是否均存在虚地；（2）R’阻值应该满足什么条件？（2）试写出UO1和UO的表达式。 R4
R2 R1
UI
_
R3
∞
_∞ A2 + + UO
A1 + UO1 R + R’
u1
+ u21 _ _ u22 +
+ D1 C uo RL _
D2
三、计算题共基电路如图所示。已知VCC=18V，Re＝1.7 kΩ , Rc＝2.3 kΩ ，RL＝5.1 kΩ ,Rb1＝26 kΩ ，Rb2＝10 kΩ ，Rs＝10kΩ ，三极管的UBE=0.7V, β =100, rbb’＝100Ω 。（13分）（1）试计算静态Q点(IBQ、ICQ 、UCEQ)；（2）画H参数微变等效电路图；（3）计算Ri、Ro、Au 、Aus。
二、分析判断题
试用相位平衡条件判断图示电路是否可能产生正弦振荡。若不可能振荡，说明如何改正；若可能振荡，写出振荡频率的表达式。（2分）
+VCC
Rb
Rc
R Re2 C
Re1
Ce
R
C
试用相位平衡条件判断图示电路是否可能产生正弦振荡。若不可能振荡，说明如何改正；并说明该电路属于何种类型的正弦振荡器。
c
1.说明电阻 Re 的作用； 2.求静态电流 I CQ1、 I CQ2 以及集电极静态电位 U CQ1 和 U CQ2
Rid 、 3.求差模放大倍数 Aud 、 Rod
4.若 ui1 25mV 、ui2 15mV 且共模电压放大倍数的影响可忽略，求两管集电极对地电压 u C1 、u C 2
+VCC RW Ui T1 R1 D1 D2 R2 -VCC A RL T2 + UO -
某功率放大电路如图所示,设T4、T5的饱和压降及静态时的管耗忽略不计，其中R1=R2=2KΩ,R3=39KΩ, RL=8Ω, VCC=20V。试求：（1）判断R3、R2组成的深度负反馈的组态，求Auf 。（2）若输入电压有效值Ui=0.5V时,计算电路的输出功率Po及效率。（3）Ui（有效值）为多大时,电路可获得最大输出功率Pomax,并计算 +VCC Pomax值。
如图所示电路中输入信号 u i 为矩形波，在t=0时，电容C两端的初始电压为零。试求：
（1）理想运算放大器A1、A2分别构成什么电路，写出 uo1、uo的表达式；（2）画出uo1、uo的波形，并在图中标出t=10s、t=20s时相应的 uo1、uo的值。
某OCL互补对称电路如图所示，已知三极管T1、T2的饱和压降 UCES=1V，VCC=18V，RL=8Ω。(7分) （1）说明该功率放大器工作于哪一类放大？（2）计算电路的最大不失真输出功率Pomax；（2）计算电路此时的效率；（3）求每个三极管的最大管耗PT1max。