晶体管输入输出特性曲线测试电路实验报告
晶体管输出特性曲线测试电路的设计实验报告
晶体管输出特性曲线测试电路的设计无29班 宋林琦 2002011547一、实验任务:设计一个测量NPN 型晶体管特性曲线的电路。
测量电路设置标有e 、b 、c 引脚的插孔。
当被测晶体管插入插孔通电后,示波器屏幕上便显示出被测晶体管的输出特性曲线。
要有具体指标的要求。
二、实验目的:1、了解测量双极型晶体管输出特性曲线的原理和方法。
2、熟悉脉冲波形的产生和波形变换的原理和方法。
3、熟悉各单元电路的设计方法。
三、实验原理:晶体管共发射极输出特性曲线如图1所示,它是由函数ic =f (v CE )|i B=常数,表示的一簇曲线。
它既反映了基极电流i B 对集电极电流i C 的控制作用,同时也反映出集电极和发射极之间的电压v CE 对集电极电流i C 的影响。
如使示波器显示图1那样的曲线,则应将集电极电流i C 取样,加至示波器的Y 轴输入端,将电压v CE 加至示波器的X 轴输入端。
若要显示i B 为不同值时的一簇曲线,基极电流应为逐级增加的阶梯波形。
通常晶体管的集电极电压是从零开始增加,达到某一图2 晶体管输出特性测试电路图1 晶体管输出特性曲线 V CE V CC 0IsI B =0I B =5μAI B =10μA103 Ic/mA数值后又回到零值的扫描波形,本次实验采用锯齿波。
测量晶体管输出特性曲线的一种参考电路框图如图2所示。
矩形波震荡电路产生矩形脉冲输出电压v O1。
该电路一方面经锯齿波形成电路变换成锯齿波v O2,作为晶体管集电极的扫描电压;另一方面经阶梯波形成电路,通过隔离电阻送至晶体管的基极,作为积极驱动电流i B ,波形见图3的第三个图(波形不完整,没有下降)。
电阻R C 将集电极电流取样,经电压变换电路转换成与电流i C 成正比的对地电压V O3,加至示波器的Y 轴输入端,则示波器的屏幕上便会显示出晶体管输出特性曲线。
需要注意,锯齿波的周期与基极阶梯波每一级的时间要完全同步(用同一矩形脉冲产生的锯齿波和阶梯波可以很好的满足这个条件)。
晶体管的特性曲线
晶体管的特性曲线晶体管特性曲线即管子各电极电压与电流的关系曲线,是管子内部载流子运动的外部表现,反映了晶体管的性能,是分析放大电路的依据。
为什么要研究特性曲线:(1) 直观地分析管子的工作状态(2) 合理地选择偏置电路的参数,设计性能良好的电路重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线1.测量晶体管特性的实验线路图1 共发射极电路共发射极电路:发射极是输入回路、输出回路的公共端。
如图1所示。
2.输入特性曲线输入特性曲线是指当集-射极电压U CE为常数时,输入电路( 基极电路)中基极电流I B与基-射极电压U BE之间的关系曲线I B = f (U BE),如图2所示。
图2 3DG100晶体管的输入特性曲线U CE=0V时,B、E间加正向电压,这时发射结和集电结均为正偏,相当于两个二极管正向并联的特性。
U CE≥1V时,这时集电结反偏,从发射区注入基区的电子绝大部分都漂移到集电极,只有小部分与空穴复合形成I B。
U CE>1V以后,I C增加很少,因此I B 的变化量也很少,可以忽略U CE对I B的影响,即输入特性曲线都重合。
由输入特性曲线可知,和二极管的伏安特性一样,晶体管的输入特性也有一段死区。
只有在发射结外接电压大于死区电压时,晶体管才会导通,有电流I B。
晶体管死区电压:硅管0.5V,锗管0.1V。
晶体管正常工作时发射结电压:NPN型硅管U BE0.6 ~ 0.7) VPNP型锗管U BE0.2 ~ 0.3) V3.输出特性曲线输出特性曲线是指当基极电流I B为常数时,输出电路(集电极电路)中集电极电流I C与集-射极电压U CE之间的关系曲线I C = f (U CE),如图3所示。
变化曲线,所以晶体管的输出特性曲在不同的I B下,可得出不同的I C随UCE线是一族曲线。
下面结合图4共发射极电路来进行分析。
图3 3DG100晶体管的输出特性曲线图4 共发射极电路晶体管有三种工作状态,因而输出特性曲线分为三个工作区(1) 放大区在放大区I C=βI B,也称为线性区,具有恒流特性。
晶体管的输入输出特性曲线详解
晶体管的输入输出特性曲线详解届别系别专业班级姓名指导老师二零一二年十月晶体管的输入输出特性曲线详解学生姓名:指导老师:摘要:晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。
根据晶体管的结构进行分类,晶体管可以分为:NPN型晶体管和PNP 型晶体管。
依据晶体管两个PN结的偏置情况,晶体管的工作状态有放大、饱和、截止和倒置四种。
晶体管的性能可以有三个电极之间的电压和电流关系来反映,通常称为伏安特性。
生产厂家还给出了各种管子型号的参数也能表示晶体管的性能。
利用晶体管制成的放大电路的可以是把微弱的信号放大到负载所需的数值晶体管是一种半导体器件,放大器或电控开关常用。
晶体管是规范操作电脑,手机,和所有其他现代电子电路的基本构建块。
由于其响应速度快,准确性,晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能,包括放大,开关,稳压,信号调制和振荡器。
晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域,可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。
关键字:晶体管、输入输出曲线、放大电路的静态分析和动态分析。
【Keywords】The transistor, the input/output curve, amplifying circuit static analysis and dynamic analysis.一、晶体管的基本结构晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,如图1-1(a)、(b)所示。
从三个区引出相应的电极,发射极,基极,集电极,各用“E”(或“e”)、“B”(或“b”)、“C”(或“c”)表示。
发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电极。
基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。
晶体管的输入输出特性曲线详解
晶体管的输入输出特性曲线详解届别系别专业班级姓名指导老师二零一二年十月晶体管的输入输出特性曲线详解学生姓名:指导老师:摘要:晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。
根据晶体管的结构进行分类,晶体管可以分为:NPN型晶体管和PNP 型晶体管。
依据晶体管两个PN结的偏置情况,晶体管的工作状态有放大、饱和、截止和倒置四种。
晶体管的性能可以有三个电极之间的电压和电流关系来反映,通常称为伏安特性。
生产厂家还给出了各种管子型号的参数也能表示晶体管的性能。
利用晶体管制成的放大电路的可以是把微弱的信号放大到负载所需的数值晶体管是一种半导体器件,放大器或电控开关常用。
晶体管是规范操作电脑,手机,和所有其他现代电子电路的基本构建块。
由于其响应速度快,准确性,晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能,包括放大,开关,稳压,信号调制和振荡器。
晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域,可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。
关键字:晶体管、输入输出曲线、放大电路的静态分析和动态分析。
【Keywords】The transistor, the input/output curve, amplifying circuit static analysis and dynamic analysis.一、晶体管的基本结构晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,如图1-1(a)、(b)所示。
从三个区引出相应的电极,发射极,基极,集电极,各用“E”(或“e”)、“B”(或“b”)、“C”(或“c”)表示。
发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电极。
基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。
晶体管特性曲线
晶体管特性曲线实验报告无910张昊2009011011一、实验目的1、了解测量双极型晶体管输出特性曲线的原理和方法。
2、熟悉脉冲波形的产生和波形变换的原理和方法。
3、熟悉各单元电路的设计方法。
最终目的是得到下面这条曲线:二、实验任务设计实现一个晶体管输出特性测试电路。
基本内容:完成窄脉冲、锯齿波、阶梯波、电压电流转换电路;选做内容1:在基本内容的基础上加装电路,能够测量双极型晶体管的输出特性;选做内容2:选做内容1的基础上实测晶体管,测量误差小于10%;改进电路,使其能测量PNP 型晶体管。
要求:1、矩形波频率不作严格要求,但必须高于800Hz, 占空比为4%~6%(在输出幅度50%处测量),(输出电压幅度为V 20V或5V)。
2、电平阶梯波级数多于10 级,ΔV=1V,误差±10%。
或ΔV =0.5V,误差±10%。
三.电路及仿真分析用multisim进行仿真分析: 脉冲波产生电路:仿真分析结果:输出幅度满足要求。
计算占空比约为5.2%,符合误差。
锯齿波发生电路:幅度符合要求阶梯脉冲发生电路:两级差约为523mv,符合输出要求 电压电流转换电路:仿真:接10K电阻后电压差约为9.36mv,符合要求 减法器电路:四.实验数据及结果:用万用表测得为253左右五、思考题1、在框图(图4)中,被测晶体管发射结压降不同对测量结果会不会有影响?如果要求测量以发射结电压 为参变量的转移特性曲线,应如何修改电路?没有影响。
电压-电流转换电路为内阻极大的电流源,转换电路的输出电流(即晶体管可以将电压阶梯波通过一个电阻连接到路和阶梯波形成电路后,产生锯齿波扫描电压和阶梯基极电流,这是为什么?如果用锯齿基极阶梯电流,可以吗?为什么? 是一个阶梯的高度。
随v 使T 导通, T 的集电极电流使T 的基极电流进一步加大,这种正反馈作用使T ,T 迅速饱梯波振荡电路分别产生锯齿扫描电压和基极阶梯电流,就无法保证上述条件,无法正确测量。
晶体管输出特性及静态工作点的测量
浙江万里学院实验报告课程名称:电子技术基础 实验名称:晶体管输出特性及静态工作点的测量专业班级:计算机164 姓名:林文辉 学号:2016011147 实验日期:2017.9.25一、实验目的:1.掌握三极管输出特性曲线的2.掌握放大电路静态工作点的调整方法及其对放大电路性能的影响。
3.学习掌握protues 常用器件和仪表的使用。
二、实验内容:(写出实验过程、步骤、结果、截图) 三 实验内容及步骤(一)晶体管的输出特性曲线晶体管,当基极电流I B 为常数时,集电极电流与I C 集射间电压U CE 的关系称为输出特性。
函数式为I C =f(U CE )|I B =常数当IB 改变时,可以得到对应的一簇曲线,这些曲线直接反映了晶体管的性能参数,是分析和设计放大电路的依据。
以NPN 型低功耗三极管2N3393为例,测试其输出特性曲线,搭建电路如图所示。
(1) 器件的选取如下表1。
选取器件完成仿真电路图,并进行相应的修改。
可以双击图表修改。
(1)元件:直流电源(DC );三极管(diode );终端接地(ground );电流探针(current probe ),分析图表(TRANSFER )✧ 选图标,点击P ,选择三极管(Transistors-Bipolar-2N3393)。
✧ 在电路中添加直流仿真电压源。
点击,选择DC 并放置,双击修改GeneratorName 。
✧ 在电路中添加直流仿真电流源。
点击,选择DC 并放置,双击,属性项改为CurrentSource ,修改Generator Name 。
✧ 点击图标,放置地(GROUND )。
✧点击直流信号源,在编辑框中点选manual Edits?如下图。
✧点击加入电流探针。
直接将探针搭在被测支路上,注意调整电流方向✧点击放置TRANSFER,选中,在适当位置拖动,点击左键放置,用于观察变化量的变化过程。
(2)双击分析图表,对ib,uce的范围进行设置,如下图所示。
实验二 晶体管特性的测量
实验二 晶体管特性的测量与晶体管的测试一、实验目的1. 了解晶体管图示仪的基本原理和晶体管的引脚及类型判别 2. 掌握用晶体管图示仪测量晶体管特性曲线的方法 3. 掌握运用特性曲线求晶体管特性参数的方法 二、实验内容1. 测试2AP11正反向特性 ⑴ 正向特性a . 慢慢增大峰值扫描电压,直至I D =10mA ,把曲线绘在绘图纸上。
b . 读测I DQ =5mA 时的正向压降V DQ ,计算直流电阻R D =V DQ /I DQ 、交流电阻r D =△V D /△I D 。
⑵ 反向特性a . 逐渐增大峰值扫描电压至100V ,描下反向特性曲线。
b . 读测V R =100V 时的反向电流I'R 以及I R =20µA 时的反向电压V R 。
2. 测试2CW19稳压特性a . 读测稳压值V ZQ 。
b . 在I EQ =50mA 时,求动态电阻R=△V Z /△I Z 。
c . 读测I Zmin 值3. 测试晶体管共射输入输出特性(1) 测量3DG12B 的共射输出特性a . 描下输出特性曲线族。
b . 在V CEQ =5V ,I CQ =4~6mA 求 VV BC CE I I 5Q ==β ,CE QV V BC CE I I =∆∆=βc . 按下”零电流”开关(或断开基极) I .在V CE =10V 时,读出I CEOII .调节峰值电压,使I C =100µA 时,读取BV CEO (2) 测量3DG12B 的共射输入特性a . 描下输入特性曲线族。
b . 从输入特性曲线上求输入电阻 BBEbe I V r ∆∆= (3) 测量3AX31的共射输出特性a . 描下输出特性曲线族。
b . 在V CEQ =5V ,I CQ =3~5mA 时,求,βc . 按下”零电流”开关(或断开基极)I .在V CE = -6V 时,读出I CEOII .调节峰值电压,使I C =1mA 时,读取BV CEO (4) 测量3AX31的共射输入特性a . 描下输入特性曲线族。
晶体管输出特性曲线实验报告
回零的时刻应与阶梯波跳变的时刻严格一致,否则得不到右图所示
曲线族。
②电容
C1
的充电时间为
T1=
������1������2 ������1+������2
������1ln(1
+
2������3),放电时间
������4
T2=������1������1ln(1
+
2������3),矩形波周期
������4
在锯齿波发生电路与电阻 R14 之间,波形为较理想的锯齿波,如图 4,但经过电阻 R14 之后,波形似 乎是两个频率之比近似为 9 的锯齿波相乘的结果,如图 5.
图4
图5
阶梯波发生电路的运放输出端不与电阻 R13 相连时,也能得到较理想的阶梯波。与电阻 R13 以及被测 三极管相连时,在运放输出端与 R13 之间的测得的阶梯波已有畸变。在较高的台阶处,本应水平的部 分向下倾斜了一定的角度,即电容 C3 通过电阻 R13 和被测三极管的 B-E 极进行缓慢放电,如图 6.而 在 R13 与被测三极管之间,阶梯波已经完全消失,如图 7.
2
1. 矩形波的设计频率为 800Hz(设计过程中,并未忽略 D1 导通时 R1 的分流作用),由于电阻、电容等 器件的不精确性,以及实际二极管的正向电阻并不为零,当矩形波发生电路不与其他任何电路相连 时,其频率 f=761Hz,占空比为 5.3%,Vopp=16V.当与阶梯波和锯齿波发生电路相连时,频率 f=910Hz,占空比变为 9%,Vopp=11.6V.
回扫线,本人尝试过将 R10 变为 0(短路)以及同时加大 R10 和 R2 两种方案。这两种方案所得回扫线的形
状与特性曲线十分相似,在屏幕上的位置相当于特性曲线向下平移了一定的距离。将 R10 变为 0 得到的
用晶体管特性图示仪测试晶体管主要参数
用晶体管特性图示仪测试晶体管主要参数一.实验目的掌握晶体管特性图示仪测试晶体管的特性和参数的方法。
二.实验设备(1)XJ4810晶体管特性图示仪(2)QT 2晶体管图示仪(3)3DG6A 3DJ7B 3DG4三.实验原理1.双极型晶体(以3DG4NPN 管为例)输入特性和输出特性的测试原理(1)输入特性曲线和输入电阻i R ,在共射晶体管电路中,输出交流短路时,输入电压和输入电流之比为i R ,即=常数CE V B BEi I V R ∂∂= (1.1)它是共射晶体管输入特性曲线斜率的倒数。
例如需测3DG 4在V CE =10时某一作点Q 的R 值,晶体管接法如图1.1所示。
各旋扭位置为峰值电压%80% 峰值电压范围0~10V 功耗电阻50Ω X 轴作用基极电压1V/度 Y 轴作用 阶梯选择μ20A/极 级/簇10 串联电阻10K 集电极极性 正(+)把X 轴集电极电压置于1V/度,调峰值电压为10V ,然后X 轴作用扳回基极电压0.1V/度,即得CE V =10V 时的输入特性曲线。
这样可测得图1.2:V CE V B BEi I V R 10=∆∆= (1.2)根据测得的值计算出i R 的值图1.1晶体管接法 图1.2输入特性曲线 (2)输出特性曲线、转移特性曲线和β、FE h在共射电路中,输出交流短路时,输出电流和输入电流增量之比为共射晶体管交流电流放大系数β。
在共射电路中,输出端短路时,输出电流和输入电流之比为共射晶体管直流电流放大系数FE h 。
晶体管接法如图1.1所示。
旋扭位置如下:峰值电压范围10V 峰值电压%80% 功耗电阻250Ω X 轴集电极电压1V/度 Y 轴集电极电流2mA/度 阶梯选择μ20A/度 集电极极性 正(+)得到图1.3所示共射晶体管输出特性曲线,由输出特性曲线上读出V V CE 5=时第2、4、6三根曲线对应的C I ,B I 计算出交流放大系数BC I I ∆∆=β (1.3) FE h >β主要是因为基区表面复合等原因导致小电流β较小造成的,β、FE h 也可用共射晶体管的转移特性(图1.4)进行测量只要将上述的X 轴作用开关拨到“基极电流或基极源电压”即得到共射晶体管的转移特性。
晶体管特性曲线测试电路
近代电子学实验之晶体管特性曲线测试电路实验设计项目名称:晶体管特性曲线测试电路实验设计摘要:该电路可以实现NPN型晶体管输出特性曲线(Ic—Vce)的测试。
在晶体管的基极通入恒定的电流,在集电极加载一定的电压,集电极就会产生放大后的电流输出。
此时,便得到了晶体管的一条Ic—Vce曲线,即是晶体管的特性曲线的一条。
若往基极通阶梯波,集电极加载锯齿波,那么输出特性曲线就是一簇曲线。
该曲线可以得到晶体管的工作状态,对于研究晶体管特性静态特性有很大的用处。
搭好电路后,最终的波形将在数字示波器上显示。
实验设计目的:1、应用运算放大器产生一些基本脉冲波:矩形波、锯齿波、阶梯波。
2、熟悉掌握运算放大器运用与设计。
3、应用这些脉冲波形构成简单的晶体三极管特性曲线测试电路。
实验设计内容及要求:1、矩形波:频率为500Hz,幅度-10V—+10V。
2、锯齿波:幅度0—10V连线可调,输出极性可变。
3、阶梯波:3—10阶连线可调。
4、电压—电流变换器:0.001<=I1<=0.2(mA),输出电流方向可变(每阶0.001<=Ib<=0.02(mA))。
实验设计的基本原理:三极管特性曲线测量电路的基本原理:晶体三极管为电流控制器件,他们特性曲线的每一根表示当Ib一定时Vc与Ic的关系曲线,一簇表示不同Ib时Vc与Ic的关系曲线的不同关系曲线,就称为单晶体三极管的输出特性曲线,所以在晶体三极管的基级加上阶梯电流源表示不同 Ib。
在每级阶梯内测量集射极电压 Vc和集电极定值负载电阻上的电压 Vr,通过电压变换电路将 Vr换算成集电极电流 Ic, 以 Ic作为纵轴, Vc 为横轴, 在数字示波器上即可显示一条晶体管输出特性曲线。
示波器的地线与测量电路地不可相通。
即测量电路的稳压电源不能接大地。
(因为示波器外壳已接大地)晶体三极管特性曲线测量电路原理框图如下:框图在本测量电路中,两种波形的准确性直接影响到了输出曲线的好坏。
测量晶体管输出特性曲线
测量晶体管输出特性曲线1.实验目的1)理解晶体管输出特性;2)掌握直流扫描分析方法;3)掌握后处理器的使用。
2.实验内容如图1所示为晶体管输出特性曲线测试电路,在multiSIM2001 环境下,无须通过逐点测量来产生特性曲线,使用DC Sweep 分析功能,并通过后处理器的配合使用,可以直接获得晶体管输出特性曲线。
图1(1)直流扫描分析①执行菜单“Simulate”→“Analyses”→“DC Sweep”进行参数扫描分析。
②根据图2所示进行参数设置,其中Source 1 设置为Use,Source 2 设置为Ib。
图2③设置输出节点为流过电压源Vce的电流,即vvce#branch,实际上就是-Ic。
④单击图2中的【Simulate】按钮,系统进行仿真分析,屏幕弹出如图3所示的分析结果图。
显然,该图中的曲线与实际的晶体管输出特性曲线有一定的不同,主要在于纵坐标,图中为vvce#branch,实际上就是-Ic,这不符合正常的习惯,所以要通过后处理器来解决这个问题,即把纵坐标倒相。
图3(2)后处理器的使用①执行菜单“Simulate”→“Post process”,屏幕弹出后处理器对话框,如图4所示。
图4②单击【New Page】按钮,建立新页“NPN型晶体管输出特性曲线”。
③单击【New Graph】按钮,建立新曲线“NPN特性曲线”。
④在Analysis Results 栏中选中“DC transfer characteristic (dc01)”;然后选中Availabefunctions 栏中的函数“—”,单击【Copy Function To Track】按钮;再选中Analysis Variables 栏中的变量“vvce#branch”,单击【Copy Variable To Track】按钮,定义变量;最后单击【Add Track】按钮,确定曲线“-dc01.vvce#branch”(即把纵坐标改为Ic),并显示在Track to plot栏中。
晶体管特性实验报告--大学生电子信息系作业
指导老师:康天龙姓名:陈飞
班别:电子095
实验报告
实验目的:通过测绘晶体管特性曲线,熟悉晶体管输入出特性和电流放大作用。
实验原理:当固定某一定值条件下,可以测得的关系绘出输入特性曲线。
当固定某一定值条件下,可以测得的关系绘出输出特性曲线,从而得到四个参数的全部关系。
电路原理图:
设备:直流电源、万用表、实验线路板
输入特性曲线测量:
输出特性曲线测量:
实验结语:
这次测量晶体管特性的实验,我们主要涉及到共射极电路,所以我们主要做NPN三极管共射极接法时的特性曲线的实验。
这次的测量,让我更深入的理解了三极管的输入与输出特性。
从使用角度看,了解三极管的伏安特性曲线,能够帮助我们直观地理解三极管的运行情况。
晶体管输出特性曲线实验报告
实验题目:晶体管输出特性曲线测试电路的设计姓名:林霁澜学号:2014011144日期:2015.11.24&2015.12.1一、实验目的(1)了解测量双极型晶体管输出特性曲线的原理与方法。
(2)熟悉脉冲波形的产生和波形变换的原理和方法。
(3)熟悉各单元电路的设计方法。
(4)了解进行小型电子系统设计的一般思路和过程。
二、实验电路图及其说明晶体管共发射极输出特性曲线:晶体管共发射极输出特性曲线如图所示。
它以基极电流i B为参考变量,集电极电流i C与集电极和发射极之间的电压v CE的关系曲线。
因此,输出特性曲线既反映了基极电流i B对集电极电流i C的控制作用,同时也反映出集电极和发射极之间的电压v CE对集电极电流i C的影响。
实验参考电路框图:如图:矩形波振荡电路产生矩形波脉冲输出电压v o1。
该电压一方面经过锯齿波形成电路变换成锯齿波v o2,作为晶体管集电极的扫描电压;另一方面经过阶梯波形成电路及电压电流转换电路变换成阶梯电流,通过隔离电阻送至晶体管的基极,作为基极驱动电流。
电阻R C将集电极电流i C取样,经电压变换电路转换成与电流i C成正比的对地电压v o3,加至示波器Y输入端,将晶体管的v CE加至示波器的X输入端,则示波器屏幕上会显示出晶体管的输出特性曲线。
为了测量并且在示波器上显示晶体管输出特性曲线:1、将集电极电流i C转换为电压信号后加至示波器的Y轴输入端,集电极与发射极之间的电压v CE应为扫描信号(锯齿波),加至X轴输入端,示波器工作在XY模式。
2、要显示基极电流i B为不同值时的一簇曲线,则i B应为逐级增加的阶梯电流。
3、为了使显示稳定,必须保证v CE与i B严格同步,即对应i B波形的每一级台阶,示波器X轴都要完成一次扫描,因此有n级阶梯电流,就会显示n条输出特性曲线。
4、为了使波形不闪烁,还需满足每一簇完整的输出特性曲线显示频率不低于50Hz。
(1)矩形波振荡电路设计参考要求:频率在1kHz以上,占空比小于10%(在输出幅度50%处测量),矩形波电压幅度为V pp≈20V(由运放产生)或V pp≈5V(由555产生)。
晶体三极管的输入输出特性曲线
晶体三极管的输入、输出特性曲线三极管的特性曲线是指三极管各极上的电压和电流之间的关系曲线,是三极管内部性能的外部表现。
从使用三极管的角度来说,了解它的特性曲线是重要的。
由于三极管有两个PN结,因此它的特性曲线不像二极管那样简单。
最常用的有输入特性和输出特性曲线两种,在实际应用中,通常利用晶体管特性图示仪直接观察,也可用图1的电路开展测试逐点描绘。
(一)输入特性曲线输入特性是指,当三极管的集电极与发射极之间电压UCE保持为某一固定值时,加在三极管基极与发射极之间的电压UBE与基极电流IB之间的关系。
以3DG130C为例,按图1实验电路测试。
当UCE分别固定在O和1伏两种情况下,调整RPl测得的IB和UBE的值,列于表1。
它的输入特性曲线,如图2所示。
为了说明输入特性,图中画出两种曲线,表示UCE不同的两种情况。
但两条线不会同时存在。
图1晶体三极管输入、输出特性实验电路图2晶体三极管输入特性曲线表1三极管输入特性数据1.当UCE = O伏时,也就是将三极管的集电极与发射极短接,如图3所示,相当于正向接法的两个并联二极管。
图2中曲线A的形状跟二极管的正向伏安特性曲线非常相似,IB和UBE 也是非线性关系。
2.当UCE=I伏时,集电结反偏,产生集电极电流IC, 在一样的UBE条件下,基极电流IB就要减小。
(图2中a点降到b 点),因此曲线B相对曲线A右移一段距离。
可见,UCE 对IB有一定影响。
当UCE>1伏以后,IB与UCE几乎无关,其特性曲线和UCE = I优那条曲线非常接近,通常按UCE = I 伏的输出特性曲线分析。
图3 UCE=O时的等效电路图4 3AX52B的输入特性曲线图4是3AX52B错三极管的输入特性,注意横坐标是一UBE,这是指PNP型错管的基极电位低于发射极电位。
可见,错管和硅管它们的输入特性曲线都是非线性的,都有“死区”, 错管和硅管相比,错管在较小的UBE值下,就可使发射结正偏导通。
电子技术试验:三极管输入、输出特性曲线的测试
五、下次预习要求
(P147实验4.14)
现代电子技术实验
4.13、三极管输入、输出特性曲线 的测试
现代电子技术实验
预习情况检查
1.半导体管特性图示仪的基本原理与应用。 2.晶体三极管的伏安特性曲线的特点及其主要
参数定义。
现代电子技术实验
一.实验目的
1. 进一步熟悉晶体管图示仪的面板旋钮。 2. 掌握晶体管输入输出特性的图测方法。 3. 掌握用晶体管特性曲线求参数的方法。
பைடு நூலகம்
设VCE =5V,适当选择和记录IBQ
ebc
1008:NPN型
IC
I B VCE 5V
IC
IB VCE 5V
iC
△IC IC
IB 10 A IB 8 A
IB 4 A
IB 2 A
VCE =5V
vCE
四、实验报告要求
1.写出所测参数的定义及其物理意义。 2.用坐标纸定量描绘特性曲线,正确标明相应
2.共射输出特性曲线
以输入口电流iB为参变量,反映输出口iC与vCE的函 数关系曲线。
iC f (vCE ) IB 常数
iC
iB5 iB4
iB3
iB2 iB1
O
uCE
3.三极管输出特性测试电路
图示仪面板主要包括
阶梯信号部分
晶体管输出特性的动态测量
半 导 体 特 性 图
示 集电 仪 极电 操源
作 面 板
测试台
Y轴
X轴 阶梯电
源
三、实验内容
1.晶体管输出特性的测量
(1)调节图示仪有关控制旋钮,测绘输出特性曲线。
(2)在曲线上标出饱和区、截止区和放大区。
晶体管特性曲线的测量
课程名称:电路与电子技术实验Ⅱ指导老师:成绩:__________________实验名称:晶体管特性曲线的测量类型:___________________同组学生姓名:__________ 一、实验目的和要求(必填)二、实验内容和原理(必填)三、主要仪器设备(必填)四、操作方法和实验步骤五、实验数据记录和处理六、实验结果与分析(必填)七、讨论、心得一、实验目的和要求1.复习三极管的输入特性曲线2.掌握三极管输入输出特性曲线的实验设计方法3.通过分析特性曲线,求取三极管主要参数二、实验内容和原理1.三极管的输入特性曲线三极管在共射连接情况下,保持U CE不变,通过不断增加U BE,测得U BE与i B之间的伏安特性曲线,即为三极管的输入特性曲线。
在输入特性曲线中,U CE=0的曲线与PN结的伏安特性曲线相类似。
当U CE增大至1V的过程中,曲线逐渐右移。
当U CE从1V起继续增大,曲线近似与U CE=1V保持不变,可用任何一条曲线代替所有曲线。
2.三极管的输出特性曲线三极管在共射连接情况下,保持i B不变,通过不断增加U CE,测得U CE与i C之间的伏安特性曲线,即为三极管的输出特性曲线。
在输出特性曲线中分为三个区:截止区、放大区、饱和区。
截止区:发射结反偏,集电结反偏,i C≤I CEO,I C近似认为为0。
放大区:发射结正偏,集电结反偏。
对于硅管,UCE>0.7,对于锗管,UCE>0.3。
iC仅决定于iC,与UCE无关。
理想情况下,放大区的曲线是一族横轴的等距离平行线,iC=βiB,△iC=β△iB。
饱和区:发射结正偏,集电结正偏。
当深度饱和的时候,对于硅管,UCE=0.3,对于锗管,UCE=0.1。
三、主要实验仪器DP832A 可编程线性直流电源;MY61数字万用表;综合实验箱四、操作方法和实验步骤1.测量输入特性曲线①将三极管插入万用表的测量三极管增益系数的插口中,大致测量β的近似值。
实验2 晶体管的特性曲线测量
实验二晶体管的特性测量一.实验目的(1)熟练掌握晶体管的简易测量方法;(2)熟练掌握各种晶体管管脚及优劣的辨别;(3)掌握二极管的正、反向特性,三极管的输入输出特性及主要参数的测量。
二.实验原理1.二极管(1)二极管的工作原理二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode),它是半导体设备中的一种最常见的器件,具有单向导电性,在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。
(2)二极管的导电特性①正向特性②反向特性(3)二极管的主要参数二极管类型不同的特性参数不同。
这里主要讨论以下几个参数:①额定正向工作电流是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值,二极管使用中不要超过其额定正向工作电流值。
例如,常用的IN4001锗二极管的额定正向工作电流为1A。
②最高反向工作电压为了保证二极管使用安全,规定了最高反向工作电压值。
例如,IN4001二极管反向耐压为50V,IN4007反向耐压为1000V。
2.三极管(1)晶体三极管的电流放大作用晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。
(2)晶体三极管的三种工作状态放大状态:饱和导通状态:截止状态:三.实验材料(1)数字式万用表。
(2)晶体二极管:发光二极管、常用二极管。
(3)常用PNP、NPN晶体三极管。
(4)电阻若干。
四.实验内容和步骤1.二极管好坏的检验2.二极管的反向特性曲线的测量图2-1 二极管测量图3.用万用表判别三极管的管型及管脚极性(1)基极的判定(2)三极管的管型判断(3)发射极和集电极的判别(4)根据上述的方法,判断所给三极管的管型和各个引脚极性。
图2-2三极管测量图5.三极管的输出特性曲线的测量三极管输出特性测量电路如图2-2所示,按照图连接电路,然后按照表2-2要求,将测量数据填好后,电流为纵坐标,电压为横坐标,画出三极管的输出特性曲线。
四.思考题(1)二极管导通时,PN结两端的电压是多少?(2)上述实验所用三极管的直流放大倍数是多少?。
Proteus实现晶体管输入输出特性曲线的仿真测试
1 输 入 特 性 曲 线测 试 图1 直流源U 住
13 放 置 测 量 探 针 .
图2 直 流 源 U 图3 电流 探 针 l 匪 甘
选 中电路 中1 日 电流探针 ,按下 鼠标 左键 拖动到 图表 中 , 如
图5 示 。 所
首先 启动Po u I,在 原理 图编辑 区左侧 点击C mp — rt sSS e I o o
nn( et元件 ) 图标 , 点选 “ ” P 按钮 , rnio( 在Tas t 晶体管 ) 中选择 sr 库 2 2 2 本文 以2 2 2 N2( N 2 三极 管为例 ) 将晶体管 添加到 对象选择 , 器后关 闭对话 框 。接着选 中对象选 择器 中的2 2 2 在编辑 区 N2,
输出特性 曲线 , 该方法不仅简单易行而且方便快捷 。在Po u rt s e
库中提供 了很多类型和型号的晶体 管, 设计 者可以根据实际需 要选用不 同型号 的晶体管进行测试 。
参考文献 : [ 马 志兵 . 于5 单 片机 的 简 易 晶体 管输 出特 性 图 示仪 原理 1 】 基 1
[ 陈敏 诗 Mu im20 实 现 晶体 管 特 性 曲 线 的 仿 真 测 试 【. 4 ] hs 0 1 i J 】
电子 制 作 .0 4 ( :2- . 2 0 .9) - 4 43
按 快捷键 [pc】开始仿真 , Sae, 电路仿 真结果如 图8 所示。
在 图表 窗口点击 鼠标左键 , 放置探针测量 曲线上各点对应
的集电极电流1 集—射 电压% 和基极 电流I 如 图8 、 , 所示 ,= i
晶体管特性曲线实验报告
竭诚为您提供优质文档/双击可除晶体管特性曲线实验报告篇一:Lab3三极管特性实验报告丁俐夫实验报告课程名称:_______________________________指导老师:________________成绩:__________________实验名称:_______________________________实验类型:________________同组学生姓名:__________一、实验目的和要求(必填)二、实验内容和原理(必填)三、主要仪器设备(必填)四、操作方法和实验步骤五、实验数据记录和处理六、实验结果与分析(必填)七、讨论、心得一、实验目的1.2.3.4.1.2.3.4.理解三极管的基本结构、工作原理与工作特性理解三极管非门电路的基本原理,会设计基本的三极管非门电路学会测量三极管非门电路的特性理解集成门电路的基本构造,学会测试集成门电路的静态逻辑功能,并测量集成门电路的特性使用万用表或multisim仿真测试三极管的特性利用三极管设计简单的非门电路,测试三极管非门电压传输的特性测量集成门电路的输入输出信号与静态逻辑功能测试集成非门电压传输的特性二、实验内容三、实验原理1.万用表判断三极管类型与极性的方法1)导通法测量类型与极性假定我们并不知道被测三极管是npn型还是pnp型,也分不清各管脚是什么电极。
首先判断哪个管脚是基极。
这时,我们任取两个电极(如这两个电极为1、2),用万用表二极管蜂鸣档位正反向测量,再取1、3电极和2、3电极,分别正反向测量。
在这三次颠倒测量中,必然有一次正反向均不导通,这一次的两极分别为集电极(c)和发射极(e),剩下的一个管脚必然是要寻找的基极(b)。
找到基极后我们可以判断三极管的类型。
将万用表置于二极管蜂鸣档位,把红表笔接在基极上,将黑表笔先后接在其余两个极上,如果两次均导通,则为npn 型,否则为pnp型。
最后判断集电极与发射极。
对npn型二极管用二极管档位,红表笔与基极相连,把红表笔接在基极上,将黑表笔先后接在其余两个极上,有两次读数,大的一次就是发射极。
演示实验:用晶体管特性图示仪测得的共射输入和输出特性曲线
演示实验:用晶体管特性图示仪测得的共射输入和输出特性曲线1.共射输入特性曲线当U CE 为某一定值时,基极电流i B 和发射结电压 u BE 之间的关系曲线入下图所示。
当U CE =0时,输入特性曲线与二极管的正向伏安特性相似,存在死区电压U on (也称开启电压),硅管U on ≈0.5V ,锗管约0.1V 。
只有当U BE 大于U on 时,基极电流i B 才会上升,三极管正常导通。
硅管导通电压约0.7V ,锗管约0.3V 。
随着U CE 的增大输入特性曲线右移,但当U CE 超过一定数值(U CE >1)后,曲线不再明显右移而基本重合。
2.共射输出特性曲线在基极电流I B 为一常量的情况下,集电极电流i C 和管压降u CE 之间的关系曲线入下图所示。
1)截止区 I B =0曲线以下的区域称为截止区。
2)饱和区 u CE 较小的区域称为饱和区。
三极管饱和时的u CE 值称为饱和电压降U CES ,BE 040 输入特性曲线小功率硅管约为0.3V ,锗管约为0.1V 。
3)放大区 一族与横轴平行的曲线,且各条曲线距离近似相等的区域称为放大区。
此时,表现出三极管放大时的两个特性:①电流受控,即Δi C =βΔi B ;②恒流特性,只要I B 一定,i C 基本不随u CE 变化而变化。
例:如图说示是某三极管的输出特性曲线,从曲线上可以大致确定该三极管在U CE =6.5V ,I B =60µA (b 点)附近的β和β值。
解:在图示的输出特性曲线上作U CE =6.5V 的垂线,与I B =60µA 的输出特性曲线交于 b点,由此可得该点对应的4160105.23B C =⨯==I I β 402010)7.15.2(3B C =⨯-=∆∆=i i βΔi BΔi CA A /V1 2 34。
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实验题目:晶体管输入输出特性曲线测试电路的设计
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一、实验目的
1. 了解测量双极型晶体管输出特性曲线的原理与方法
2. 熟悉脉冲波形的产生和波形变换的原理与方法
3. 熟悉各单元电路的设计方法
二、实验电路图及其说明
晶体管共发射极输出特性曲线如图所示,它是由函数i c=f (v CE)|i B=常数,表示的一簇曲线。
它既反映了基极电流i B对集电极电流i C 的控制作用,同时也反映出集电极和发射极之间的电压v CE对集电极电流i C的影响。
如使示波器显示图那样的曲线,则应将集电极电流i C取样,加至示波器的Y轴输入端,将电压v CE加至示波器的X轴输入端。
若要显示i B为不同值时的一簇曲线,基极电流应为逐级增加的阶梯波形。
通常晶体管的集电极电压是从零开始增加,达到某一数值后又回到零值的扫描波形,本次实验采用锯齿波。
测量晶体管输出特性曲线的一种参考电路框图如图所示。
矩形波震荡电路产生矩形脉冲输出电压v O1。
该电路一方面经锯齿波形成电路变换成锯齿波v O2,作为晶体管集电极的扫描电压;另一方面经阶梯波形成电路,通过隔离电阻送至晶体管的基极,作为积极驱动电流i B,波形见图3的第三个图(波形不完整,没有下降)。
电阻R C将集电极电流取样,经电压变换电路转换成与电流i C成正比的对地电压V O3,加至示波器的Y轴输入端,则示波器的屏幕上便会显示出晶体管输出特性曲线。
需要注意,锯齿波的周期与基极阶梯波每一级的时间要完全同步(用同一矩形脉冲
产生的锯齿波和阶梯波可以很好的满足这个条件)。
阶梯波有多少级就会显示出多少条输出特性曲线。
另外,每一整幅图形的显示频率不能太低,否则波形会闪烁。
选作:晶体管特性曲线数目可调:
主要设计指标和要求:
1、矩形波电压(V O1)的频率f大于500Hz,误差为±10Hz,占空比为4%~6%,电压幅度
峰峰值大约为20V。
2、晶体管基极阶梯波V O3的起始值为0,级数为10级,每极电压0.5V~1V。
3、晶体管集电极扫描电压V O2的起始电压为0V,幅度大约为10V。
三、预习
理论计算:电路设计与仿真:
1.矩形波电路:仿真图如下:
2.锯齿波产生电路:仿真图如下:
波形如下:
3.阶梯波产生电路:仿真如下:
波形如下:
4.电压电流转换电路:
电压相减电路:
实验总体电路:
示波器波形仿真结果:
四、实验数据整理与分析
1.三种波形:
矩形波:
锯齿波:
阶梯波:
老师签字:
2.输入输出特性曲线:
选作:
5条:
10条:
五、实验总结
1.本次实验为模拟电路的综合设计实验,但是,虽然为综合性实验,其本质还是以分块设计的小电路为主,比如矩形波发生电路、锯齿波发生电路、阶梯波发生电路、电压变换电路等等。
所谓的综合性是以实现各个分立电路的功能为基础的。
比如:锯齿波和阶梯波都必须依赖于矩形脉冲波的输入,首先矩形脉冲波的幅度和占空比必须符合要求,其次才能使其它电路满足要求。
同时整个电路的完成又是靠各个分立电路的协调匹配来实现的。
如果某个电路出现问题,势必会影响到其它电路和整个测试电路。
2.虽然各个分立电路对整体电路起着至关重要的作用,但是即使每个分立电路独力工作正常,整个电路也未必会工作正常,因为这里面还涉及到电路间的匹配和连接,如果某个电路的允许输入阻抗和另一个电路的输出阻抗之间差异太大,则会严重影响分立电路的功能。
比如本次实验中,阶梯波与晶体管的基极输入端之间的连接电阻,对晶体管的直流工作点调节起着至关重要的作用,如果该电阻阻值选取不当,则会造成很多影响(比如输出特性曲线成为贴在一起的竖直一簇)。
3.实验过程中,如何合理的安排面包板上电路布局和如何插线是非常值得注意的。
可以充分利用导线的颜色来区分节点,比如:正向电源接红色导线、反向电源接黑色导线、接地端接白色导线、输出端接绿色导线等等。
4.检查电路时要注意对电路原理的理解,否则电路排错将无从下手,此外,注意更换二极管,确保二极管输出波形正常。
六、书后思考题解答
(1)在图3.38所示电路中,被测晶体管发射结的压降不同对测量结果会不会产生影响?如果要求测量以发射结电压vBE为参变量的输出特性曲线,电路应如何修改?
解:由于电压—电流转换电路可视为恒流源,恒流输出,因此发射结的压降vBE 不同不会影响基极电流IB,即对测量结果不会产生影响。
如果要求测量以发射结电压vBE为参变量的输出特性曲线,应在发射结加阶梯电压,即将阶梯波产生电路直接接在晶体管基极上。
(2)在图3.38所示的电路中,使用一个矩形波振荡电路产生矩形脉冲,分别经锯齿波形成电路和阶梯波形成电路产生锯齿扫描电压和阶梯基极电流,这是为什么?如果用锯齿波振荡电路和阶梯波振荡电路分别产生锯齿扫描电压和阶梯基极电流,这样设计可以吗?为什么?
解:使用一个矩形波振荡电路激发产生锯齿波和阶梯波是为了使锯齿波和阶梯波的频率配合严格一致。
由于阶梯波控制基极电流,锯齿波控制集电极电压,锯齿波经过一个周期时阶梯波应提高一级阶梯,这样才能在示波器上显示清晰稳定的输出特性曲线。
如果产生锯齿扫描电压和阶梯基极电流,两者的频率很难严格配合,即使稍有差别输出特性曲线波形也会不稳定。
因此不能分别产生。
(3)在图3.38所示的电路中,RC为集电极电流的取样电阻,也是被测管的集电
极负载电阻,应如何选取的RC阻值?
解:由于RC为集电极电流的取样电阻,为了在示波器上显示足够宽的波形,应使RC上电压较大,因此应使RC较大;又由于RC是被测管的集电极负载电阻,如果RC太大,在比较小的IB时ICRC已经很大,使晶体管饱和,输出特性曲线的条数太少。
因此,RC的选取应兼顾以上两方面,选取适中的阻值。
(4)在实验中发现示波器在显示晶体管输出特性曲线的图形时有回扫线,这是什么原因?应如何解决?
解:回扫线是由于锯齿波的下降段时间过长导致的,具体说来是由于锯齿波产生电路中电容放电不够快造成的。
可以通过减小放电回路的等效电阻阻值来减小放电时间常数,从而加快放电,使锯齿波的下降段时间减小,消除回扫线。
七、课件思考题解答
1.为何要求矩形波频率不能太低,占空比不能太大?
解:矩形波频率太低,容易造成波形闪烁,不能看到稳定的波形;占空比太大,容易造成锯齿波的波形不明显,容易造成输出普通三角波的情况。
2. 锯齿波产生电路中R2阻值远小于R1为什么?
解:电容通过R2支路充电,通过R1支路放电,由于是反相输入,充电时Vo是下降的,只有在R2阻值远小于R1时,才能使电容充电时间远小于放电时间,从而产生锯齿波。
3. 电压相减电路中为了测量的晶体管输出特性曲线的条数足够多,RC不可过大为什么?
解:由于RC是被测管的集电极负载电阻,如果RC太大,在比较小的IB时IC*RC 已经很大,使晶体管饱和,使输出特性曲线的条数太少。
4. 由于晶体管的输出电阻rce很大,为了最大限度地减小测试电路对所测特性曲线的影响,应尽量加大电压相减电路的输入电阻为什么?
解:电压相减电路的输入电阻越大,则ic能更多的流入到该电阻,使输出特性曲线斜率不会过大。