如何选用合适的三极管
常见三极管型号选型参考

常见三极管型号选型参考简介,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是⼀种控制电流的半导体器件。
其作⽤是把微弱信号放⼤成幅度值较⼤的电信号,也⽤作⽆触点开关。
三极管是半导体基本元器件之⼀,具有电流放⼤作⽤,是电⼦电路的核⼼元件。
三极管是在⼀块半导体基⽚上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列⽅式有PNP和NPN两种。
常见三极管的型号9011: 除是⾳频低噪⾳管外.还是长尾可变放⼤倍数的第⼀中放专⽤管. 长尾--即使电流⼀直延伸到接近0. 仍不会截⽌.可变放⼤倍数--电流变⼩.放⼤倍数不断变⼩.好象⼏乎是⽇常常⽤管中唯⼀⼀只第⼀中放专⽤管9012: PNP9013: NPN, Ic = 500mA, 中功率, 低频, 能推动普通⾳频输出的中功率放⼤9014: NPN, Ic = 100mA, MHz, ⼩功率, 低频, 低噪放⼤9015: PNP9018: NPN, Ic = 50mA, fT = ~ 620 ~ 1100 MHz, ⼩功率, ⾼频, ⼩电流低噪⾳8050: NPN, Ic = 1000~1500mA, ⾼频放⼤, 速度慢⼀些, 中功率管, ⼩功率放⼤电路中配对管, ⼩电⼦产品, ⾼频电路和电话中常见8550: PNP, Ic = 1000~1500mA, ⾼频放⼤, 速度慢⼀些, 中功率管2N3904: NPN,2N3906: PNP, Ic = 200mA, ⼩功率管, 速度⽐较快, 延时特别少, 最⼤通过的电流是在200mA, It is a 200 mA, 40 V, 625 mW transistor with a transition frequency of 300 MHz,[4] with a minimal beta, or current gain, of 100 at a collector current of 10 mA. It is used in a variety of analog amplification and switching applications. The 2N3904 is used very frequently in hobby electronics projects, including home-made ham radios, code-practice oscillators and as an interfacing device for microcontrollers.2N2222: NPN, Ic = 500mA, 可与2N2907/2N2907A PNP管做互补对称管使⽤, common NPN bipolar junction transistor (BJT) used for general purpose low-power amplifying or switching applications. It is designed for low to medium current, low power, medium voltage, and can operate at moderately high speeds. It was originally made in the TO-18 metal can as shown in the picture2N2907: PNP,2N5551: NPN, Ic = 600mA, VCEO=160V, ⾼反压三极管, 主要⽤途是1)做⾼压开关管, 2)做中功率功放, 3)做视频放⼤器2N5401: PNPBC184: NPN, VCEO=30V, Ic = 500mA, ICBO=<15nA, 通⽤⼩信号放⼤BC550: NPN, VCEO=45V, Ic = 100mA, ICBO=<15nA, 通⽤⼩信号放⼤BC560: PNP, VCEO=-45V, Ic = -100mA, ICBO=<15nA, 通⽤⼩信号放⼤MMBTA63, LMBTA63, SMBTA63: PNP, Darlington, Ic = -500mA, VCEO=-30V, hFE=5k~10kMPSA64, MMBTA64, LMBTA64, SMBTA64: PNP, Darlington, VCEO=-30V, Ic = -100mA, hFE=10k~20k,MPSA14, KSP14: NPN, Darlington, Ic在0.1~100mA之间hFE为1万⾄4万, 80mA处达到最⼤.hFE随温度上升明显升⾼, 低噪⾳微⼩信号放⼤KSP13: NPN, Darlington, Ic = 500mA, VCEO=30V, hFE=5k~10kMPSA18: NPN, ICBO=<15nA, 低噪⾳微⼩信号放⼤MPSA92: PNP, VCEO=-300V, Ic = -30mA, ⾼压⼩信号, 功放MPSA42: NPN, VCEO=300V, Ic = 30mA, ⾼压⼩信号, 功放与MPSA92组成对管FMMT734: PNP, Darlington, Ic = -800mA, VCEO=-100V, hFE=20k~60k, ⾼负压⾼电流⼤放⼤倍数达林顿管, 室温下Ic在1~100mA间能保持7.5万的hFE. hFE随温度上升明显升⾼FMMT634: NPN, DarlingtonMPSA系列⼩信号三极管主要参数选⽤三极管需要了解三极管的主要参数,三极管的四个极限参数:Icm, BVCEO, Pcm及fT是最基本的,另外,还要了解三极管的特征频率、噪⾳和输出功率。
三极管型号及参数选用大全

NPN与PNP三极管的区别电子知识2008-08-29 16:06 阅读25 评论0字号:大中小小NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同,说得“专业”一点,就是“极性”问题。
NPN 是用B→E 的电流(IB)控制C→E 的电流(IC),E极电位最低,且正常放大时通常C极电位最高,即VC > VB > VEPNP 是用E→B 的电流(IB)控制E→C 的电流(IC),E极电位最高,且正常放大时通常C极电位最低,即VC < VB < VE总之VB 一般都是在中间,VC 和VE 在两边,这跟通常的BJT 符号中的位置是一致的,你可以利用这个帮助你的形象思维和记忆。
而且BJT的各极之间虽然不是纯电阻,但电压方向和电流方向同样是一致的,不会出现电流从低电位流向高电位的情况。
如今流行的电路图画法,通常习惯“男上女下”,哦不对,“阳上阴下”,也就是“正电源在上负电源在下”。
那NPN电路中,E 最终都是接到地板(直接或间接),C 最终都是接到天花板(直接或间接)。
PNP电路则相反,C 最终都是接到地板(直接或间接),E 最终都是接到天花板(直接或间接)。
这也是为了满足上面的VC 和VE的关系。
一般的电路中,有了NPN的,你就可以按“上下对称交换”的方法得到PNP 的版本。
无论何时,只要满足上面的6个“极性”关系(4个电流方向和2个电压不等式),BJT电路就可能正常工作。
当然,要保证正常工作,还必须保证这些电压、电流满足一些进一步的定量条件,即所谓“工作点”条件。
对于NPN电路:对于共射组态,可以粗略理解为把VE当作“固定”参考点,通过控制VB来控制VBE(VBE=VB-VE),从而控制IB,并进一步控制IC(从电位更高的地方流进C极,你也可以把C极看作朝上的进水的漏斗)。
对于共基组态,可以理解为把VB当作固定参考点,通过控制VE来控制VBE(VBE=VB-VE),从而控制IB,并进一步控制IC。
电子镇流器元件选用技巧(电感、磁环、滤波电解、三极管、电阻)

0.11mm&TImes;6 股 60W80W:¢0.11mm&TImes;10 股 80W110W:¢0.2mm&TImes;10 股 也可以考虑导入阴极电流的 4.5 倍为平 方 1mm=1A 2、磁环 磁环又叫脉冲变压器,我以 2.5K 为主:7W 以下的灯用¢8*5*3mm、 3:13:3.720W 的灯用¢10*6*3mm、3:7:3.2030W 的灯用¢10*6*5mm 3:5:3 , 3080W 的灯用¢10*6*5mm、3:3:3.80110W 的灯用¢12*7*5mm、2:2:2 3、 滤波电解 7W 以下的灯用 1.5~1.8uF,711 瓦的灯用 1.8~2.7uF,1115 瓦的灯用 3.3uF,1520 瓦的灯用 6.8uF,2030 瓦的灯用 10uF ,3045 瓦的灯用 15uF,4560 瓦 的灯用 22uF,6080 瓦的灯用 33 UF 80100 瓦的灯用 47uF,100110 瓦的灯用 68uF
耐压在 400V~450V,电解在镇流器中,寿命相对较短,定要注意选择容量,漏
电流,高温度寿命.
4、三极管
10W 以下:1300120W 以下:13002,30 以下:13003,55W 以下:13005,85W 以下
13007,110W 以下:13009
考虑到它的放大倍数,开关时间,做好配对,三极管 13001 0.82~0.92 13002
电子镇流器元件选用技巧(电感、磁环、滤波电解、
三极管、电阻)
1. 电感 1.1 磁芯 EE10:10W 以下 EE13:13W 以下 EE16:18W 以下 EE19:24W 以下 EE19 加厚,EE20:30W 以下 EE25,EI25:45W 以下 EE25 加厚 EI28: 80 W 以下 EI33:110 W 以下 大于 55W 建议用 2 个电感 功率可做 3W~~~~125W 1.2 间隙,EE10 EE13 开 0.6 其它可以都开在 1.0 ,注意一点,间隙最大不可 以超过中间长度的 1/3,一般小功率 10W~20 W 0.4 30w~40w 0.6 60w~80w 0.8 100w~110w 1.0 1.3 线径 7W¢:0.11 713W: ¢0.13, 1320W:¢0.2, 2030W:¢0.25, 3060W:¢
三极管的判断方法

三极管的判断方法一,三极管类型1. 先判定基极b(一般中间的就是):先假定一个管脚是b,把红表笔接这个b,用黑表笔分别接触另两个管脚,测得或者都是高阻值时,说明假定正确。
2.因为红表笔实际是表电源的负极,所以当测得都是低阻值时,b是N型材料,两端是P型材料,就是PNP型。
3.所以当测得都是高阻值时,b是P型材料,两端是N型材料,就是NPN型。
4.我们一般可以容易找到基极b,但另外两个电极哪个是集电极c,哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO 的方法确定集电极c和发射极e。
(1) 对于NPN型三极管,用手指捏住b极与假设的c极,管脚间利用我们的手指充当电阻的作用,用黑表笔接假设的c 极,红表笔接假设的e极,万用表打到*1K档测量两极间的电阻Rce;之后将假设的c ,e极对调再测一次。
虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小,但仔细观察,总会有一次偏转角度稍大,此时电流的流向一定是:黑表笔→c极→b极→e极→红表笔,所以此时黑表笔所接的一定是集电极c,红表笔所接的一定是发射极e。
(2) 对于PNP型的三极管,道理也类似于NPN型,其电流流向一定是:黑表笔→e极→b极→c极→红表笔,其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致,所以此时黑表笔所接的一定是发射极e,红表笔所接的一定是集电极c。
4.直流放大倍数的hFE的测量:先转动开关至晶体管调节Adj位置上,将红黑测试笔短接,调节欧姆调零电位器,使指针对准300hFE刻度线上,然后转动开关到hFE位置,将要测的晶体管脚分别插入晶体管测试座的ebc管座内,指针偏转所示数值约为晶体管的直流放大倍数ß值。
N型插入N型插座,P型插入P型插座。
5.(2)发射极e和集电极c的判断利用万用表测量β(HFE)值的档位,判断发射极e和集电极c。
将档位旋至MFE基极插入所对应类型的孔中,把其于管脚分别插入c、e孔观察数据,再将c、e孔中的管脚对调再看数据,数值大的说明管脚插对了。
模拟电路-三极管

转移特性
转移特性描述的是基极电流与集电极 电流之间的关系。在一定基极电流下, 集电极电流随着基极电流的增大而增 大,表现出一定的线性关系。
放大系数:描述三极管放大能力的一 个参数,表示集电极电流变化量与基 极电流变化量之比。
频率特性
频率响应
描述三极管在不同频率信号下的响应能力。三极管的频率响 应受其内部结构影响,存在一个截止频率和最大可用频率。
继电器的吸合和断开,实现电气设备的自动控制。
振荡器
总结词
三极管作为振荡器中的核心元件,能够产生 高频振荡信号,常用于无线通信、电子测量 等领域。
详细描述
三极管作为振荡器中的核心元件,其工作原 理是利用三极管的放大和正反馈作用,形成 一个自激振荡回路,从而产生高频振荡信号 。在无线通信中,三极管可以产生高频载波 信号,用于调制和解调无线电波。在电子测 量领域,三极管可以产生高频脉冲信号,用
于测量电子元件的响应特性和频率特性。
04
三极管的特性
输入与输出特性
输入特性
描述三极管输入端电压与电流的关系。随着输入电压的增加,基极电流逐渐增大 ,表现出非线性特性。
输出特性
描述三极管输出端电压与电流的关系。根据三极管类型(NPN或PNP),输出特性 曲线分为三个区域,分别是截止区、放大区和饱和区。
详细描述
随着温度的升高,三极管的放大倍数可能会减小,导致其性能不稳定。为了解决这一问题,可以采取散热措施, 如安装散热片或风扇,以降低三极管的温度。此外,选用具有高热稳定性的三极管型号也是解决方案之一。
噪声问题
总结词
噪声问题是指三极管在工作过程中产生 的噪声干扰,可能影响信号的传输质量 。
VS
详细描述
根据电路需求选择合适的三极管型号,如 直流参数、交流参数、功率参数等。
2 三极管及放大电路基础

特性曲线如图所示。
基极不加偏置电阻时工作波形
2.2.2 静态工作点和放大原理
二、共射放大电路的工作原理 在放大电路中,输入信
号u i 经过 C1耦合加至三极管 b、e极后,各极电压、电流 大小均在直流量的基础上, 叠加了一个随 u i 变化而变化 的交流量,这时电路处于交 流状态或动态工作状态,简 称为 三极管的结构与符号
二、三极管的结构与符号
按两个PN结组合方式不同,三极管可分为PNP型、NPN型两类。如果边 三极管有三个电极,分别从三极管 内部引出,三极管的核心是两个互相联 是N区,中间夹着P区,就称为NPN型三极管;反之,则称为PNP型三管。如 系的PN结,它是根据不同的掺杂工艺在 图所示。
CE
C
IC iC I B
iB
U CE 常量
U CE 常量
2.1.4 三极管的使用常识
一、三极管器件手册查阅
2.常用三极管主要参数查阅 2)极间反向电流 I CEO 和 I CBO (1)集-基反向饱和电流 I CBO 电流。 (2)集-射反向饱和电流 I CEO 的穿透电流。
I CEO 是基极开路时集电极和发射极之间 I CBO 是发射极开路时集电极的反向饱和
Ap是指放大电路输出电压有效值和输入电压有效
Ap
2.2.4 放大电路的分析方法
一、主要性能指标
2. 输入电阻 Ri 输入电阻 R 是从放大电路输入端
i
看进去的等效电阻,如图所示。对信 号源来说,就是负载。放大电路从信 号源索取电流的大小反映了放大电路 对信号源的影响程度,R 定义为输入
i
电压有效值和输入电流有效值之比,
一、三极管器件手册查阅
1.三极管型号命名
三极管的主要参数和选用

三极管的主要参数和选用余姚市职成教中心学校陈雅萍在使用三极管前,应从有关器件手册或网上查找到三极管的型号、主要用途、主要参数和器件的外形尺寸与引脚排列等,这些资料是正确使用三极管的重要依据。
“3” 表示三极管PNP 型锗材料NPN 型锗材料PNP 型硅材料NPN 型硅材料X——低频小功率管G——高频小功率管D——低频大功率管A——高频大功率管示例:3AG54A 表示锗材料PNP 型高频小功率管。
——国产三极管三极管的型号美国和日本的常以“2N”或“2S”开头。
如2N1307、2SD880等。
N ——表示是美国电子工业协会注册产品S ——表示是日本电子工业协会注册产品示例:2SD880表示硅材料NPN 型低频中功率管。
查阅手册韩国生产的通常是90系列的。
如9013、9011等。
——国外型号三极管三极管的型号三极管的主要参数h FE :直流电流放大系数。
I CM :集电极最大允许电流。
P CM :集电极最大允许耗散功率。
也称β。
是三极管的电流放大倍数。
三极管的集电极工作电流不能超过此值。
是三极管的最大允许平均功率。
超过此值,三极管会过热而损坏三极管的选用1.三极管的使用频率明确高频还是低频。
一般要求三极管的频率>3倍电路工作频率2.三极管工作的安全性三极管的主要参数和选用1.三极管的型号如3AG54A、2SD880、9013等2.三极管的主要参数I CM、P CM、h FE使用频率、工作的安全性。
三极管的原理

三极管的原理、应用、检测一、三极管半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。
三极管顾名思义具有三个电极。
二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。
其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。
由于不同的组合方式,形成了一种是NPN型的三极管,另一种是PNP型的三极管。
二、晶体三极管的类型晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。
它最主要的功能是电流放大和开关作用。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
三、三极管的材料三极管的材料有锗材料和硅材料。
它们之间最大的差异就是起始电压不一样。
锗管PN结的导通电压为0.2V左右,而硅管PN结的导通电压为0.6~0.7V。
在放大电路中如果用同类型的锗管代换同类型的硅管,或用同类型的硅管代换同类型的锗管一般是可以的,但都要在基极偏置电压上进行必要的调整,因为它们的起始电压不一样。
但在脉冲电路和开关电路中不同材料的三极管是否能互换必须具体分析,不能盲目代换。
四、三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类,引脚的排列方式具有一定的规律。
对于小功率金属封装三极管,底视图位置放置,使三个引脚构成等腰三角形的顶点上,从左向右依次为e b c;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为ebc。
目前,国内各种类型的晶体三极管有许多种,管脚的排列不尽相同,在使用中不确定管脚排列的三极管,必须进行测量确定各管脚正确的位置,或查找晶体管使用手册,明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
五、晶体三极管的电流放大作用晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。
三极管的选用

三极管的选用介绍(1)选用三极管的种类很多,用途各异,恰当,合理地选用三极管是保证电路正常工作的关键,下面介绍选用步骤:1)根据不同电路的要求,选用不同类型的三极管。
在不同的电子产品中,电路各有不同,如高频放大电路、中频放大电路、功率放大电路、电源电路、振荡电路、脉冲数字电路等等。
由于电路的功能不同,构成电路所需要的三极管的特性及类型也不同,如高频放大电路所需要的是高频小功率管,如3DG79、3DG80、3DG8l等,也可选用3DG91、3DG92、3DG93等超高频低噪声小功率管。
又如电源电路的调整管可选用3DA581、DF104D、2SC1875、2SC2060等。
功率放大电路可选用2SC1893、2SC1894、D2027、2SC2383、DA2271等。
2)根据电路要求合理选择三极管的技术参数,由于三极管的参数较多,但其中主要的参数要满足电路的需求,否则将影响电路的正常工作如:①电流放大系数hFE;②集电极最大电流Icm;③集电极最大耗散功率;④特征频率fT等。
对于特珠用途的三极管除满足上述的要求外,还必须满足对特殊管的参数要求。
如选用光敏晶体管时,就要考虑光电流、暗电流和光谱范围是否满足电路要求。
3)根据整机的尺寸合理选择三极管的外形及其封装。
由于三极管的外形有圆形的、方形的、高简形的、扁平形等,封装又可分为金属封装、塑料封装等,尤其是近年来采用了表面封装三极管,其体积很小,节约了很多的空间位置,使整机小型化。
选用三极管时在满足型号、参数的基础上,就要考虑外形和封装,在安装位置允许的前提下,优先选用小型化产品和塑封产品,以减小整机尺寸、降低成本。
(2)三极管的使用1)把选好的三极管进行复合后方可装人电路,复合内容主要是三极管的1作电压是否与电源电压适应、特征频率、fT、耗散功率PCM等是否符合电路要求。
2)识别好三极管的三个引脚,装人电路时,不能装错脚位,一且接错,轻者不起作用,重者就要损坏。
三极管参数详解

三极管参数详解2篇一、三极管参数详解三极管是一种重要的电子元件,广泛用于各种电子设备中。
在理解和应用三极管时,我们需要了解一些重要的参数。
本文将详细介绍三极管的两个重要参数:放大因子和饱和电流。
放大因子是三极管的一个重要参数,用来描述三极管的放大能力。
放大因子越大,三极管的放大能力就越强。
具体地说,放大因子是指三极管输出电流与输入电流之间的比值。
一般情况下,放大因子被定义为集电极电流(IC)与基极电流(IB)之比。
放大因子一般用符号β来表示,即β=IC/IB。
放大因子的数值通常在20到200之间,但是具体数值会根据三极管的型号和工作条件而有所不同。
饱和电流是另一个重要的三极管参数。
在正常工作区域内,当三极管的集电极电流达到其最大值时,我们称之为饱和电流。
饱和电流可以通过计算集电极电流和基极电流的差值来得到。
在饱和状态下,三极管的集电极电流不再受控制,而是处于最大电流状态。
饱和电流的大小取决于三极管的材料和结构特性,一般情况下,饱和电流越大,三极管的工作能力越强。
了解三极管的这两个重要参数,可以帮助我们更好地理解和应用三极管。
在实际应用中,我们可以根据需求选择合适的三极管型号和工作条件,以获得最佳的放大效果和稳定性。
例如,如果需要高放大倍数的放大器,我们可以选择放大因子较大的三极管;如果需要承受大电流的功率放大器,我们可以选择饱和电流较大的三极管。
总之,放大因子和饱和电流是三极管的两个重要参数,对于理解和应用三极管起着关键的作用。
通过了解这些参数,我们可以选择适合的三极管,以满足不同的电子设备的需求。
三极管的参数还有很多,但是放大因子和饱和电流是我们应该重点关注和深入了解的两个参数。
二、三极管参数详解三极管是一种重要的电子元件,广泛应用于电子设备中。
在理解和应用三极管时,我们需要了解一些重要的参数。
本文将详细介绍三极管的两个关键参数:最大功耗和最大电压。
最大功耗是三极管的一个重要参数,用于描述三极管所能承受的最大功率。
三极管简介

半导体双极型三极管又称晶体三极管,通常简称晶体管或三极管,它是一种电流控制电流的半导体器件,可用来对微弱信号进行放大和作无触点开关。
它具有结构牢固、寿命长、体积校、耗电省等一系列独特优点,故在各个领域得到广泛应用。
基本介绍双极性晶体管(英语:bipolar transistor),全称双极性结型晶体管(bipolar junction transistor, BJT),俗称三极管,是一种具有三个终端的电子器件。
双极性晶体管是电子学历史上具有革命意义的一项发明,其发明者威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布喇顿被授予了1956年的诺贝尔物理学奖。
这种晶体管的工作,同时涉及电子和空穴两种载流子的流动,因此它被称为双极性的,所以也称双极性载流子晶体管。
这种工作方式与诸如场效应管的单极性晶体管不同,后者的工作方式仅涉及单一种类载流子的漂移作用。
两种不同掺杂物聚集区域之间的边界由PN结形成。
双极性晶体管由三部分掺杂程度不同的半导体制成,晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。
以NPN晶体管为例,按照设计,高掺杂的发射极区域的电子,通过扩散作用运动到基极。
在基极区域,空穴为多数载流子,而电子为少数载流子。
由于基极区域很薄,这些电子又通过漂移运动到达集电极,从而形成集电极电流,因此双极性晶体管被归到少数载流子设备。
双极性晶体管能够放大信号,并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力,所以它常被用来构成放大器电路,或驱动扬声器、电动机等设备,并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。
工作原理晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。
而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管,两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
NPN管它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。
三极管的主要参数

三极管的主要参数三极管的参数反映了三极管各种性能的指标,是分析三极管电路和选用三极管的依据。
一、电流放大系数1.共发射极电流放大系数(1)共发射极直流电流放大系数,它表示三极管在共射极连接时,某工作点处直流电流I C与I B的比值,当忽略I CBO时(2)共发射极交流电流放大系数β它表示三极管共射极连接、且U CE恒定时,集电极电流变化量ΔI C与基极电流变化量ΔI B之比,即管子的β值大小时,放大作用差;β值太大时,工作性能不稳定。
因此,一般选用β为30~80的管子。
2.共基极电流放大系数共基极直流电流放大系数它表示三极管在共基极连接时,某工作点处I C 与I E的比值。
在忽略I CBO的情况下(2)共基极交流电流放大系数α,它表示三极管作共基极连接时,在U CB恒定的情况下,I C和I E的变化量之比,即:通常在I CBO很小时,与β,与α相差很小,因此,实际使用中经常混用而不加区别。
二、极间反向电流1.集-基反向饱和电流I CBOI CBO是指发射极开路,在集电极与基极之间加上一定的反向电压时,所对应的反向电流。
它是少子的漂移电流。
在一定温度下,I CBO是一个常量。
随着温度的升高I CBO将增大,它是三极管工作不稳定的主要因素。
在相同环境温度下,硅管的I CBO比锗管的I CBO小得多。
2.穿透电流I CEOI CEO是指基极开路,集电极与发射极之间加一定反向电压时的集电极电流。
I CEO与I CBO的关系为:I CEO= I CBO+I CBO=(1+)I CBO GS0125该电流好象从集电极直通发射极一样,故称为穿透电流。
I CEO和I CBO一样,也是衡量三极管热稳定性的重要参数。
三、频率参数频率参数是反映三极管电流放大能力与工作频率关系的参数,表征三极管的频率适用范围。
1.共射极截止频率fβ三极管的β值是频率的函数,中频段β=βo几乎与频率无关,但是随着频率的增高,β值下降。
三极管知识简介

三极管知识简介半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。
它最主要的功能是电流放大和开关作用。
三极管顾名思义具有三个电极。
二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。
其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。
由于不同的组合方式,形成了一种是NPN型的三极管,另一种是PNP型的三极管。
三极管的种类很多,并且不同型号各有不同的用途。
三极管大都是塑料封装或金属封装,常见三极管的外观,有一个箭头的电极是发射极,箭头朝外的是NPN型三极管,而箭头朝内的是PNP型。
实际上箭头所指的方向是电流的方向。
电子制作中常用的三极管有90××系列,包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低噪声管9014(NPN),高频小功率管9018(NPN)等。
它们的型号一般都标在塑壳上,而样子都一样,都是TO-92标准封装。
在老式的电子产品中还能见到3DG6(低频小功率硅管)、3AX31(低频小功率锗管)等,它们的型号也都印在金属的外壳上。
我国生产的晶体管有一套命名规则,电子工程技术人员和电子爱好者应该了解三极管符号的含义。
符号的第一部分“3”表示三极管。
符号的第二部分表示器件的材料和结构:A——PNP 型锗材料;B——NPN型锗材料;C——PNP型硅材料;D——NPN型硅材料。
符号的第三部分表示功能:U——光电管;K——开关管;X——低频小功率管;G——高频小功率管;D——低频大功率管;A——高频大功率管。
另外,3DJ型为场效应管,BT打头的表示半导体特殊元件。
三极管最基本的作用是放大作用,它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号,当然这种转换仍然遵循能量守恒,它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。
三极管有一个重要参数就是电流放大系数b。
当三极管的基极上加一个微小的电流时,在集电极上可以得到一个是注入电流 b 倍的电流,即集电极电流。
高频三极管的选用方法和原则

高频三极管的选用方法、设计使用原则高频微波低噪声功率晶体三极管管是一种基于N 型外延层的宽带晶体管,具有高功率增益、低噪声的功率特性以及宽频带大动态范围和理想的电流特性。
高频三极管一般应用在卫星电视接收器、电视机顶盒、VHF 、UHF 、CATV 、无线遥控数传、射频模块、微波雷达感应开关模块、无线安防报警器等高频宽带低噪声放大器上,这些使用场合大都用在高频(模拟数字无线信号频率超过300MHz 以上)、低电压、小信号、小电流条件下。
一般情况下,将特征频率f T 在5GHz 以上的三极管芯片称作高频微波三极管。
其功率PCM 最小0.1瓦,最大2.25瓦,集电极电流I C 最小18毫安,最大200毫安,击穿电压VCEO 一般在5V 至16V 之间,其在产品选用以及设计、使用过程中应该注意如下事项:1. 如果集电极直流电源电压V CE 在3.5V 、输入的是接收的小信号时,击穿电压BV CEO 最好选为5-12V, 如果集电极电压BV CEO 在5V 时,击穿电压BV CEO 最好选为10-12V,如果集电极复合电压V CE (也就是直流电压加上交流信号)在12-15V 时,击穿电压BV CEO 最好选为15V 以上。
如果,加在CE 上的交直流复合电压超过芯片的BV CEO 则三极管会击穿烧毁或者处于击穿的临界状态。
一般情况下,V CE 不小于3V , I C 不小于I CM 的四分之一。
如右图所示,要尽可能使工作点在放大区的中心点附近,避免进入击穿区、饱和区、截止区;2. 三极管的最佳工作点-集电极电流I C 和V CE 并不等同于其标称的I CM 和BV CEO ,一般的都是其规格书上测试h FE 和插入增益∣S 21∣2或G UM 时的工作点电流电压,基极上的最佳电压一般都是BV EB0=0.8-1.4V ;;051015V CE (V )I C (mA )20COLLECTOR CURRENT vs.COLLECTOR TO EMRRENT VOLTAGE放大区真击穿区顶失真COLLECTOR CURRENT vs.COLLECTOR TO EMRRENT VOLTAGE3.选用的高频三极管的f T越高,其在高频频段的增益也就越高。
丝印l13的三极管

丝印l13的三极管1.引言1.1 概述丝印l13三极管作为一种电子元件,在电子设备中起到了重要的作用。
它是一种电流放大器,常用于各种电子设备中,如收音机、电视、音响等。
丝印l13三极管通过调节控制电流的大小来实现对输出电流的放大或控制,从而起到信号放大的作用。
在现代电子技术中,丝印l13三极管的应用非常广泛。
它不仅可以用于通信设备、计算机、汽车电子等领域,还可以用于医疗设备、工业控制等众多领域。
丝印l13三极管以其可靠性高、体积小、价格低等优势,受到了广大电子工程师的青睐。
丝印l13三极管具有一些独特的特点。
首先,它的结构相对简单,由三个不同掺杂的半导体材料组成。
其次,丝印l13三极管能够在较小的电压范围内实现较大的电流放大,从而具有较高的放大倍数。
此外,它还具有较高的频率响应,能够处理高频信号。
最后,丝印l13三极管的封装形式多样,可以适应不同的安装和使用环境。
通过对丝印l13三极管的介绍和特点分析,我们可以看出它在现代电子技术中的重要性和广泛应用。
随着科技的发展和需求的增长,丝印l13三极管在未来还将继续发挥其重要作用。
我们可以预见,在新的应用领域和技术创新中,丝印l13三极管将会有更加广阔的发展空间。
1.2文章结构文章结构部分的内容可以包括以下内容:文章的结构是指文章的组织框架和组成部分,它决定了整篇文章的逻辑性和条理性。
本文将按照以下结构进行展开:1. 引言:介绍本篇文章的背景和重要性,解释为什么选择研究丝印l13三极管。
2. 正文:详细介绍丝印l13三极管的特点和应用。
包括但不限于以下方面:2.1 丝印l13三极管的概述:简要介绍丝印l13三极管的基本概念、原理和类别等。
2.2 丝印l13三极管的结构和工作原理:详细解释丝印l13三极管的内部结构、工作原理和特殊设计。
2.3 丝印l13三极管的性能指标:列举丝印l13三极管的常见性能指标,如最大功率、最大工作频率等。
2.4 丝印l13三极管的应用领域:介绍丝印l13三极管在电子领域的常见应用,如放大器、开关等。
2SC系列三极管参数

2SC系列三极管参数1.封装类型:2SC系列三极管有多种封装类型可供选择,常见封装类型包括TO-92、TO-126、TO-220、TO-3P等。
不同封装类型适用于不同的应用场景,需根据具体的应用需求进行选择。
2. 最大集电极电压(Vceo):2SC系列三极管的最大集电极电压是指在特定条件下,三极管的集电极与发射极之间的最高电压。
最大集电极电压是选取三极管时需要考虑的一个重要参数。
3.最大集电极电流(Ic):2SC系列三极管的最大集电极电流是指在特定条件下,三极管的集电极上的最大电流。
这个参数也是选取三极管时需要考虑的一个重要参数。
4.最大功耗(Pd):2SC系列三极管的最大功耗是指在特定条件下,三极管能够安全耗散的最大功率。
这个参数的取值一般与封装类型、散热设计相关。
5.最大封装温度(Tj):2SC系列三极管的最大封装温度是指在特定条件下,三极管能够安全工作的最高温度。
超过最大封装温度可能导致三极管损坏或性能不稳定。
6.功能特点:2SC系列三极管具有高电流增益、低噪声、低漏电流等特点,适用于中等功率的放大器、开关和稳压器电路等应用。
7.应用领域:2SC系列三极管广泛应用于音频放大器、功率放大器、电源管理电路、交流电机驱动器、通信设备等领域。
8.典型参数值范围:以下是2SC系列三极管的一些典型参数值范围,具体数值可能因具体型号和厂家的不同而有所差异。
- 最大集电极电压(Vceo)范围:20V至120V-最大集电极电流(Ic)范围:100mA至10A-最大功耗(Pd)范围:0.4W至40W-最大封装温度(Tj)范围:150°C至200°C- 输入电容(Cie)范围:10pF至100pF-频率特性范围:几十MHz至几GHz9.常见型号:2SC系列三极管有多个具体型号,包括2SC945、2SC1815、2SC5200等,每个型号具有不同的参数性能和应用场景。
总结而言,2SC系列三极管是一种低功耗、中等功率、中频信号放大器三极管,其具有多种封装类型、不同参数范围和广泛的应用领域。
三极管的选用

三极管种类(1)低频小功率三极管低频小功率三极管一般指特征频率在3MHz以下,功率小于1W的三极管。
一般作为小信号放大用。
高频小功率三极管高频小功率三极管一般指特征频率大于3MHz,功率小于1W的(2)三极管。
主要用于高频振荡、放大电路中。
低频大功率三极管低频大功率三极管指特征频率小于3MHz,功率大于1W的三极管。
(3)低频大功率三极管品种比较多,主要应用于电子音响设备的低频功率放大电路种;用于各种大电流输出稳压电源中作为调整管。
高频大功率三极管高频大功率三极管指特征频率大于3MHz,功率大于1W的三极管。
(4)主要用于通信等设备中作为功率驱动、放大。
开关三极管开关三极管是利用控制饱和区和截止区相互转换二工作的。
开关三极管(5)的开关过程需要一定的响应时间。
开关响应时间的长短表示了三极管开关特性的好坏。
差分对管差分对管是把两只性能一致的三极管封装在一起的半导体器件。
它能以最简(6)单的方式构成性能优良的差分放大器。
复合三极管复合三极管是分别选用各种极性的三极管进行复合连接,在组成复合三极(7)管时,不管选用什么样的三极管,这些三极管按照一定的方式连接后可以看成是一个高β的三极管。
组合复合三极管时,应注意第一只管子的发射极电流方向必须与第二只管子的基极电流方向相同。
复合三极管的极性取决于第一只管子。
复合三极管的最大特点是电流放大倍数很高,所以多用于较大功率输出的电路中。
三极管的选用(1) 根据电路对三极管进行选用高频电路选用高频管。
fT一般应是工作频率的三倍,放大倍数应适中,不应过大。
脉冲电路应选用开关三极管,且具有电流容量大,大电流特性好,饱和压降低的性能。
直流放大电路应选用对管。
要求三极管饱和压降、直流放大系数、反向截止电流等直流电参数基本一致。
功率驱动电路应按电路功率、频率选用功率管。
(2) 根据三极管主要性能优势进行选用一只三极管一般有十多项参数,有的特点是频率特性好、开关速度快;有的是具有自动增益控制、高频低噪声;有的是特性频率高、功率增益高,噪声系数小。
全系列三极管参数

全系列三极管参数三极管是一种常用的电子元件,主要由三个控制电极组成:基极、发射极和集电极。
它可以将小信号放大成大信号,并具有放大和开关两种应用。
下面将详细介绍三极管的各种参数。
1.DC参数:(1)E-B击穿电压:控制电极到基极之间的击穿电压,通常是5V。
(2)集电极饱和电压:集电极电压和基极电压之间的差,通常是0.2V。
(3)极化电压:基极与发射极之间的电压,一般为0.6V。
(4)漂移电流:无输入信号时集电极电流,通常为1μA。
2.小信号参数:(1)共射放大参数:-电流放大倍数:基极电流和集电极电流之比,通常为20。
-输入电阻:基极电阻,通常为50kΩ。
-输出电阻:发射极电阻,通常为100Ω。
-最大功率增益:集电极功率和输入功率之比,通常为300。
-频率响应:放大器对不同频率信号的放大能力。
-带宽:能够通过的频率范围。
(2)共集放大参数:-电流放大倍数:发射极电流和集电极电流之比,通常为1-输入电阻:发射极电阻,通常为10Ω。
-输出电阻:集电极电阻,通常为10kΩ。
-最大功率增益:集电极功率和输入功率之比,通常为1-频率响应:放大器对不同频率信号的放大能力。
-带宽:能够通过的频率范围。
(3)共基放大参数:-电流放大倍数:基极和集电极电流之比,通常为0.99-输入电阻:集电极电阻,通常为10kΩ。
-输出电阻:发射极电阻,通常为0.1Ω。
-最大功率增益:集电极功率和输入功率之比,通常为0.99-频率响应:放大器对不同频率信号的放大能力。
-带宽:能够通过的频率范围。
3.大信号参数:(1)最大集电极电流:集电极电流的最大值。
(2)最大功率:集电极电流和集电极电压之积的最大值。
(3)最大集电极电压:集电极电压的最大值。
(4)开关时间:从信号输入到放大器开关的时间,一般小于1μs。
4.噪声参数:(1)噪声系数:直流电流吸收后引起的输出噪声。
(2)输出噪声电压:由于内部噪声而引起的输出电压。
以上是三极管的一些重要参数,这些参数可以帮助我们了解三极管的性能和适用范围。
MOS管与三极管的区别 作用 特性 参数 选用注意与事项

MOS管与TVS管综合信息三极管和MOS管的区别MOS管的特性、工作原理,与真空电子管类似:栅极没有电流,即没有输入电流,具有高输入阻抗;漏极电流由栅极电压控制,是电压控制器件……半导体三极管是两个P-N结组成,由基极电流来控制集电极电流,是一个电流控制器件;基极输入的是电流,输入阻抗低,需要输入功率……工作性质:1、三极管用电流控制,MOS管属于电压控制,2、成本问题:三极管便宜,mos管贵。
3、功耗问题:三极管损耗大。
4、驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
实际上就是三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。
MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管,不行的话考虑MOS管四、场效应管的作用1、场效应管可应用于放大。
由于场效应管放大器的输进阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输进阻抗非常适合作阻抗变换。
常用于多级放大器的输进级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
MOS集成电路)极易被静电击穿,使用时应留意以下规则:(1). MOS器件出厂时通常装在玄色的导电泡沫塑料袋中,切勿自行随便拿个塑料袋装。
也可用细铜线把各个引脚连接在一起,或用锡纸包装(2).取出的MOS器件不能在塑料板上滑动,应用金属盘来盛放待用器件。
(3). 焊接用的电烙铁必须良好接地。
(4). 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接,再MOS器件焊接完成后在分开。
(5). MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。
拆机时顺序相反。
(6).电路板在装机之前,要用接地的线夹子往碰一下机器的各接线端子,再把电路板接上往。
(7). MOS场效应晶体管的栅极在答应条件下,最好接进保护二极管。
在检验电路时应留意查证原有的保护二极管是否损坏实际上说电流控制慢,电压控制快这种理解是不对的。
如何选用合适的三极管

当你制作一个小电路时如何选用适宜的三极管呢当你在修理中需要一只三极管,而又找不到同型号的管子时,如何用其它型号的管子代替呢本文可以替你当一个参谋。
一、三极管的类型及材料初学者首先必须清楚三极管的类型及材料。
常用三极管的类型有NPN型与PNP型两种。
由于这两类三极管工作时对电压的极性要求不同,所以它们是不能相互代换的。
三极管的材料有锗材料和硅材料。
它们之间最大的差异就是起始电压不一样。
锗管PN 结的导通电压为0.2V左右,而硅管PN结的导通电压为0.6~0.7V。
在放大电路中如果用同类型的锗管代换同类型的硅管,或用同类型的硅管代换同类型的锗管一般是可以的,但都要在基极偏置电压上进展必要的调整,因为它们的起始电压不一样。
但在脉冲电路和开关电路中不同材料的三极管是否能互换必须具体分析,不能盲目代换。
二、三极管的主要参数选用三极管需要了解三极管的主要参数。
假设手中有一本晶体管特性手册最好。
三极管的参数很多,根据实践经历,我认为主要了解三极管的四个极限参数:ICM、BVCEO、PCM及fT即可满足95%以上的使用需要。
1. ICM是集电极最大允许电流。
三极管工作时当它的集电极电流超过一定数值时,它的电流放大系数β将下降。
为此规定三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为ICM。
所以在使用中当集电极电流IC超过ICM时不至于损坏三极管,但会使β值减小,影响电路的工作性能。
2. BVCEO是三极管基极开路时,集电极-发射极反向击穿电压。
如果在使用中加在集电极与发射极之间的电压超过这个数值时,将可能使三极管产生很大的集电极电流,这种现象叫击穿。
三极管击穿后会造成永久性损坏或性能下降。
3. PCM是集电极最大允许耗散功率。
三极管在工作时,集电极电流在集电结上会产生热量而使三极管发热。
假设耗散功率过大,三极管将烧坏。
在使用中如果三极管在大于PCM下长时间工作,将会损坏三极管。
需要注意的是大功率三极管给出的最大允许耗散功率都是在加有一定规格散热器情况下的参数。
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当你制作一个小电路时如何选用合适的三极管呢?当你在修理中需要一只三极管,而又找不到同型号的管子时,如何用其它型号的管子代替呢?本文可以替你当一个参谋。
一、三极管的类型及材料
初学者首先必须清楚三极管的类型及材料。
常用三极管的类型有NPN型与PNP型两种。
由于这两类三极管工作时对电压的极性要求不同,所以它们是不能相互代换的。
三极管的材料有锗材料和硅材料。
它们之间最大的差异就是起始电压不一样。
锗管PN 结的导通电压为0.2V左右,而硅管PN结的导通电压为0.6~0.7V。
在放大电路中如果用同类型的锗管代换同类型的硅管,或用同类型的硅管代换同类型的锗管一般是可以的,但都要在基极偏置电压上进行必要的调整,因为它们的起始电压不一样。
但在脉冲电路和开关电路中不同材料的三极管是否能互换必须具体分析,不能盲目代换。
二、三极管的主要参数
选用三极管需要了解三极管的主要参数。
若手中有一本晶体管特性手册最好。
三极管的参数很多,根据实践经验,我认为主要了解三极管的四个极限参数:ICM、BVCEO、PCM及fT 即可满足95%以上的使用需要。
1. ICM是集电极最大允许电流。
三极管工作时当它的集电极电流超过一定数值时,它的电流放大系数β将下降。
为此规定三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为ICM。
所以在使用中当集电极电流IC超过ICM时不至于损坏三极管,但会使β值减小,影响电路的工作性能。
2. BVCEO是三极管基极开路时,集电极-发射极反向击穿电压。
如果在使用中加在集电极与发射极之间的电压超过这个数值时,将可能使三极管产生很大的集电极电流,这种现象叫击穿。
三极管击穿后会造成永久性损坏或性能下降。
3. PCM是集电极最大允许耗散功率。
三极管在工作时,集电极电流在集电结上会产生热量而使三极管发热。
若耗散功率过大,三极管将烧坏。
在使用中如果三极管在大于PCM下长时间工作,将会损坏三极管。
需要注意的是大功率三极管给出的最大允许耗散功率都是在加有一定规格散热器情况下的参数。
使用中一定要注意这一点。
4. 特征频率fT。
随着工作频率的升高,三极管的放大能力将会下降,对应于β=1时的频率fT叫作三极管的特征频率。
三、一般小功率三极管的选用
小功率三极管在电子电路中的应用最多。
主要用作小信号的放大、控制或振荡器。
选用三极管时首先要搞清楚电子电路的工作频率大概是多少。
如中波收音机振荡器的最高频率是2MHz左右;而调频收音机的最高振荡频率为120MHz左右;电视机中VHF频段的最高振荡频率为250MHz左右;UHF频段的最高振荡频率接近1000MHz左右。
工程设计中一般要求三极管的fT大于3倍的实际工作频率。
所以可按照此要求来选择三极管的特征频率fT。
由于硅材料高频三极管的fT一般不低于50MHz,所以在音频电子电路中使用这类管子可不考虑fT这个参数。
小功率三极管BVCEO的选择可以根据电路的电源电压来决定,一般情况下只要三极管的BVCEO大于电路中电源的最高电压即可。
当三极管的负载是感性负载时,如变压器、线圈等时BVCEO数值的选择要慎重,感性负载上的感应电压可能达到电源电压的2~8倍(如节能灯中的升压三极管)。
一般小功率三极管的BVCEO都不低于15V,所以在无电感元件的低电压电路中也不用考虑这个参数。
一般小功率三极管的ICM在30~50mA之间,对于小信号电路一般可以不予考虑。
但对
于驱动继电器及推动大功率音箱的管子要认真计算一下。
当然首先要了解继电器的吸合电流是多少毫安,以此来确定三极管的ICM。
当我们估算了电路中三极管的工作电流(即集电极电流),又知道了三极管集电极到发射极之间的电压后,就可根据P=U×I来计算三极管的集电极最大允许耗散功率PCM。
国产及国外生产的小功率三极管的型号极多,它们的参数有一部分是相同的,有一部分是不同的。
只要你根据以上分析的使用条件,本着“大能代小”的原则(即BVCEO高的三极管可以代替BVCEO低的三极管;ICM大的三极管可以代替ICM小的三极管等),就可对三极管应用自如了。
四、大功率三极管的选用
对于大功率三极管,只要不是高频发射电路,我们都不必考虑三极管的特征频率fT。
对于三极管的集电极-发射极反向击穿电压BVCEO这个极限参数的考虑与小功率三极管是一样的。
对于集电极最大允许电流ICM的选择主要也是根据三极管所带的负载情况而计算的。
三极管的集电极最大允许耗散功率PCM是大功率三极管重点考虑的问题,需要注意的是大功率三极管必须有良好的散热器。
即使是一只四五十瓦的大功率三极管,在没有散热器时,也只能经受两三瓦的功率耗散。
大功率三极管的选择还应留有充分的余量。
另外在选择大功率三极管时还要考虑它的安装条件,以决定选择塑封管还是金属封装的管子。
如果你拿到一只三极管又无法查到它的参数,可以根据它的外形来推测一下它的参数。
目前小功率三极管最多见的是TO-92封装的塑封管,也有部分是金属壳封装。
它们的PCM一般在100~500mW之间,最大的不超过1W。
它们的ICM一般在50~500mA之间,最大的不超过1.5A。
而其它参数是不好判断的。
在修理电子设备中还会遇到形形色色的半导体元器件,它们的替换还需查阅有关手册。