半导体三极管的参数有哪些
半导体三极管主要参数
1. 电流放大系数、ββ直流（静态）电流放大系数β=___C B I I ΔΔβ=C B I I 交流（动态）电流放大系数当晶体管接成共射极电路时，注意：和β 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且I CEO 较小的情况下，两者数值接近β 常用晶体管的β 值在20 ~ 200之间由于晶体管的输出特性曲线是非线性的，只有在特性曲线的近于水平部分，I C 随I B 成正比变化，β 值才可认为是基本恒定的表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据2.31.5Q 2Q 1大放区例：在U CE = 6 V 时，在 Q 1 点 I B = 40μA, I C = 1.5mA ； Q 2 点 I B = 60 μA, I C =2.3mA15375004β===C B ...I I Δ231540Δ006004β-===-C B ....I I 在以后的计算中，一般作近似处理：β = β在 Q 1 点，有由 Q 1 和Q 2点，得2. 集-基极反向截止电流 I CBOI CBO 是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大温度↑→I CBO ↑I CBO 3. 集-射极反向截止电流（穿透电流）I CEOμA I CEO I B = 0+–I CEO 受温度影响大。
温度↑→ I CEO ↑，所以I C 也相应增加。
三极管的温度特性较差μA +–E C4. 集电极最大允许电流I CM集电极电流I C上升会导致三极管的β值的下降，当β值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为I CM5. 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO当集-射极之间的电压U CE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。
手册上给出的数值是25︒C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO6. 集电极最大允许耗散功耗P CMP CM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管 P C≤P CM =I C U CE硅管允许结温约为150︒C，锗管约为70~90︒CI CM 由三个极限参数可画出三极管的安全工作区I CU CEO I C U CE = P CM安全工作区U (BR)CEO温度对晶体管参数影响1、温度每增加10︒C，I CBO增大一倍。
三极管参数介绍
三极管参数介绍
三极管是一种常见的电子元件，广泛应用于电子电路中。
它是一种半导体器件，由三个掺杂不同材料的半导体层构成，其中夹在中间的一层称为基极，两侧的层分别称为发射极和集电极。
三极管的参数是指它的一些重要性能指标，下面我们来介绍一下。
首先是三极管的放大倍数，也称为电流放大倍数。
它是指三极管输出电流与输入电流之比，通常用β表示。
β值越大，表示三极管的放大能力越强。
一般来说，β值在几十到几百之间，不同型号的三极管β值也有所不同。
其次是三极管的最大耗散功率。
它是指三极管在正常工作条件下能够承受的最大功率。
如果超过这个值，三极管就会过热而损坏。
最大耗散功率与三极管的封装形式、散热条件等因素有关，一般在几百毫瓦到几瓦之间。
再来是三极管的最大工作电压。
它是指三极管能够承受的最大电压，超过这个值就会击穿。
最大工作电压与三极管的结构、材料等因素有关，一般在几十伏到几百伏之间。
最后是三极管的响应时间。
它是指三极管从输入信号发生变化到输出信号发生变化所需的时间。
响应时间与三极管的结构、工作状态等因素有关，一般在几纳秒到几十纳秒之间。
除了以上几个参数外，三极管还有许多其他的参数，如输入电阻、
输出电阻、噪声系数等。
这些参数都对三极管的性能和应用有着重要的影响，需要在具体的电路设计中进行综合考虑。
三极管是一种重要的电子元件，它的参数对于电路的设计和性能有着重要的影响。
在选择和使用三极管时，需要根据具体的应用需求和电路要求进行综合考虑，以达到最佳的效果。
三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数
三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数
（原创实用版）
目录
1.三极管的主要参数
- 直流参数
- 交流参数
- 极限参数
正文
三极管是一种常见的半导体元器件，广泛应用于放大、开关、调制、稳压等电路。
了解三极管的主要参数对于选择和使用三极管至关重要。
三极管的主要参数分为直流参数、交流参数和极限参数。
1.直流参数
- 集电极一基极反向饱和电流（icbo）：发射极开路（ie0）时，基极和集电极之间加上规定的反向电压 vcb 时的集电极反向电流。
icbo 只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基极的反向饱和电流。
良好的三极管，icbo 很小。
- 集电极—发射极反向截止电流（iceo）：当基极电流ib0 时，集电极—发射极之间在规定反向电压时的集电极电流。
要求 iceo 越小越好。
2.交流参数
- 共射电流放大系数（ic/ib）：在共射极放大电路中，若交流输入信号为零，则管子各极间的电压和电流都是直流量，此时的集电极电流ic 和基极电流 ib 的比就是共射直流电流放大系数。
当共射极放大电路有交流信号输入时，相应的也会引起 ic 的变化，两电流变化量的比称为共射交流电流放大系数。
3.极限参数
- 极限电流：三极管能承受的最大电流。
超过该值会导致三极管损坏。
- 极限电压：三极管能承受的最大电压。
超过该值会导致三极管损坏。
综上所述，了解三极管的直流参数、交流参数和极限参数对于选择和使用三极管至关重要。
常用三极管数据
常用三极管数据三极管是一种常用的半导体器件，广泛应用于电子电路中。
三极管的性能参数对电路的工作性能起着至关重要的作用。
本文将介绍常用的三极管数据，匡助读者更好地了解和应用三极管。
一、三极管的基本参数1.1 饱和电流（Icmax）：三极管在饱和状态下的最大电流。
通常情况下，饱和电流越大，三极管的工作性能越好。
1.2 最大功耗（Pmax）：三极管能够承受的最大功率。
超过最大功耗可能导致三极管损坏。
1.3 最大耗散功率（Pdmax）：三极管在正常工作状态下能够承受的最大耗散功率。
二、三极管的频率参数2.1 最大工作频率（fT）：三极管能够正常工作的最高频率。
频率越高，三极管的响应速度越快。
2.2 输入电容（Cib）：三极管输入端的电容。
输入电容越小，三极管对输入信号的响应越灵敏。
2.3 输出电容（Cob）：三极管输出端的电容。
输出电容越小，三极管对输出信号的响应越灵敏。
三、三极管的放大特性参数3.1 峰值电流增益（hFE）：三极管的放大倍数。
峰值电流增益越大，三极管的放大效果越好。
3.2 输入电阻（Rin）：三极管输入端的电阻。
输入电阻越大，三极管对输入信号的影响越小。
3.3 输出电阻（Rout）：三极管输出端的电阻。
输出电阻越小，三极管对输出信号的影响越小。
四、三极管的温度特性参数4.1 温度系数（α）：三极管的基极电流随温度变化的系数。
温度系数越小，三极管的温度稳定性越好。
4.2 温度上升系数（β）：三极管的饱和电流随温度升高的系数。
温度上升系数越小，三极管的工作稳定性越好。
4.3 温度范围（Tj）：三极管能够正常工作的温度范围。
超出温度范围可能导致三极管性能下降。
五、三极管的封装参数5.1 封装类型：三极管的封装形式，如TO-92、SOT-23等。
不同封装类型适合于不同的应用场景。
5.2 封装材料：三极管封装的材料，如塑料、金属等。
封装材料的选择影响三极管的散热性能。
5.3 封装尺寸：三极管封装的尺寸，包括封装的长、宽、高等参数。
三极管规格书
三极管规格书摘要：1.三极管概述2.三极管的分类3.三极管的主要参数4.三极管的结构和工作原理5.三极管的应用领域正文：一、三极管概述三极管，又称双极型晶体管（BJT），是一种常见的半导体器件。
它具有放大和开关等功能，被广泛应用于放大器、振荡器、脉冲发生器等电子电路中。
根据电流放大系数不同，三极管可以分为两类：NPN 型和PNP 型。
二、三极管的分类1.按照结构分类，三极管可以分为三极管晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。
2.按照材料分类，三极管可以分为硅晶体管和锗晶体管。
3.按照电流放大系数分类，三极管可以分为NPN 型和PNP 型。
三、三极管的主要参数1.电流放大系数：三极管的电流放大系数是指在输入端施加微小信号时，输出端电流与输入端电流之比。
2.截止区：三极管的截止区是指当输入端电流为零时，输出端电流也等于零的区域。
3.放大区：三极管的放大区是指当输入端施加正向电压时，输出端电流正向增大的区域。
4.饱和区：三极管的饱和区是指当输入端施加足够大的正向电压时，输出端电流不再随输入端电压增大而增大的区域。
四、三极管的结构和工作原理三极管主要由三个区域组成：发射区、基区和集电区。
发射区和集电区由P 型半导体制成，基区由N 型半导体制成。
当在发射区施加正向电压时，电子和空穴分别从发射区和基区注入，形成电流。
这个电流经过基区后，再流入集电区，从而实现信号的放大。
五、三极管的应用领域1.信号放大：三极管在信号放大器中具有广泛应用，可以实现微小信号的放大。
2.开关控制：由于三极管具有高速开关特性，所以在脉冲电路、振荡器和开关电源等领域具有重要应用。
3.振荡和脉冲发生：三极管可以用于制作振荡器和脉冲发生器，实现特定频率的信号产生。
三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数
三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数题目三极管的主要参数包括直流参数，交流参数，极限参数。
A.正确B.错误答案：A三极管的主要参数有直流参数、交流参数、极限参数三类。
它们是选用三极管的依据。
三极管的分类三极管有多种类型:三极管如按结构可分为NPN型和PNP型;按所用的半导体材料可分为硅管和锗管;按功率可分为大功率管、中功率管、小功率管;按频率特性可分为低频管、中频管、高频管和超频管;按输人方式不同可分为普通三极管、光敏三极管、磁敏三极管;按封装内电路结构分为普通三极管、带阻三极管、达林顿三极管、差分对管、功率对管;按封装形式不同分为金属封装三极管、塑料封装三极管表面封装三极管、陶瓷封装三极管:按用途分为通用管、RF三极管列和达林顿管等;按安装方式分为插件三极管和贴片三极管。
1、大功率、中功率、小功率三极管按照耗散功率的不同,三极管可分为大功率三极管、中功率三极管、小功率三极管、极管功率不同,在封装形式上是有明显区别的。
一般来说功率大的，封装外形体积也就主一般可以从外形体积大小大致看出三极管的功率类型。
2.高低频三极管频率特性是三极管的重要指标。
一般把特征频率低于3MHz的三极管称为低频三极管;把特征频率高于3MHz而低于30MHz的三极管称为中频三极管;把特征频率高于30MHz而低于300MHz的三极管称为高频三极管;把特征频率高于300MHz的三极管称为超高频三极管。
超高频三极管也称微波三极管，其频率特性一般高于500MHz，主要用于电视机、雷达和导航等领域中处理微波波段（300MHZ以上的频率）的信号。
三极管的频率特性不能从它的外观看出，只能从型号参数中查到！半导体三极管的应用广泛，主要用途是利用其电流放大作用组成各种放大电路。
其次是在开关电路、逻辑电路以及作为驱动电路的应用。
npn三极管参数
npn三极管参数NPN三极管是一种普遍使用的半导体器件，也是最常见的一种晶体管形式。
它具有易于制作、可靠性高、发挥作用有效的等优点，因此成为了许多电子设备的重要组成部分。
NPN三极管的参数能够决定它的功能和性能，也是评价其质量的重要依据。
NPN三极管的基本参数包括：饱和电流（Ics）、集电极-发射极电压（Vbe）、发射极-漏极电压（Vce）、集电极-发射极电流（Ibe）和发射极漏极电流（Ice）。
饱和电流（Ics）是NPN三极管发射极和漏极之间的最大电流值，它决定着NPN三极管承受的最大电流量，从而影响着NPN三极管在使用负载电路中的运行稳定性。
集电极-发射极电压（Vbe）是NPN三极管的一个重要参数，它描述的是NPN三极管的正向电压，可以根据这一参数来推测NPN三极管的工作是否正常。
发射极-漏极电压（Vce）是NPN三极管在正向偏压作用下的输出电压，它受到NPN三极管的放大倍数的影响，可以用来评估NPN三极管的性能。
集电极-发射极电流（Ibe）是NPN三极管内部集电极到发射极之间的电流，它描述了NPN三极管的发射极基极和发射极的低压电压之间的电流，通常是衡量NPN三极管质量的重要参数。
发射极漏极电流（Ice）是NPN三极管的输出电流，与Vce的值有关。
它的大小决定了NPN三极管在正向偏压作用下能输出的最大电流量，因此它也是衡量NPN三极管质量的重要参数。
此外，NPN三极管还有一些其他参数，如放大倍数、线性度、最大转换频率等，这些参数也是衡量NPN三极管性能和品质的重要参考。
NPN三极管参数的质量完全决定了NPN三极管性能和品质，因此在购买NPN三极管时要特别注意其参数的质量情况，以保证NPN三极管的正常使用。
NPN三极管参数的质量是我们设计电子电路时的重要依据，因此要认真研究NPN三极管参数，以便对其有充分的了解，以便更好的运用NPN三极管来进行设计。
NPN三极管的参数是它的重要特性，它是确定NPN三极管功能和性能的重要参数，也是衡量NPN三极管质量的重要参考。
半导体三极管(BJT)
3.1 半导体三极管（BJT ）3.1.1 BJT 的结构简介：半导体三极管有两种类型：NPN 型和PNP 型。
结构特点：发射区的掺杂浓度最高；集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。
3.1.2 BJT 的电流分配与放大原理三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。
外部条件：发射结正偏，集电结反偏。
1. 内部载流子的传输过程发射区：发射载流子；集电区：收集载流子；基区：传送和控制载流子（以NPN 为例）。
以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管，或BJT (Bipolar Junction Transistor)。
2. 电流分配关系3. 三极管的三种组态 共发射极接法：发射极作为公共电极，用CE 表示。
共基极接法：基极作为公共电极，用CB 表示。
共集电极接法：集电极作为公共电极，用CC 表示。
载流子的传输过程ααββ-=⨯=1B C i i EB i i ⨯-=)1(αEC i i ⨯=α4. 放大作用综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。
实现这一传输过程的两个条件是：（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。
（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。
3.1.3 BJT 的特性曲线1. 输入特性曲线const V BE B CE V f i ==|)(。
(1) 当V V CE0=时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。
(2) 当V V CE 1≥时，V V V V BE CE CB 0>-=，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的V BE 下，I B 减小，特性曲线右移。
(3) 输入特性曲线的三个部分：死区；非线性区；线性区。
2. 输出特性曲线放大区：v CE = 0V v CE ≥ 1VBJT 的三种组态consti CE C B V f i ==|)(i C平行于v CE轴的区域，曲线基本平行等距。
常用三极管参数大全
常用三极管参数大全三极管是一种常见的半导体器件，主要用于放大电流和控制电流的流动。
下面是一些常用的三极管参数的详细介绍。
1. 最大电流 (Ic max)：这是三极管能够承受的最大电流。
当超过这个电流时，三极管可能会被烧毁。
2. 最大电压 (Vce max)：这是三极管的最大耐压能力，也就是能够承受的最大电压。
当超过这个电压时，三极管可能会发生击穿。
3.放大倍数(β)：也叫直流电流放大因子，表示输入电流和输出电流之间的比例关系。
β值越大，放大效果越好。
一般来说，普通的低功率三极管的β值在20到100之间。
4. 饱和电流 (Icsat)：当三极管被正确偏置并处于饱和状态时，电流的最大值。
一般来说，这个值应该小于最大电流的一半。
5.收集极电阻(Rc)：也叫输出电阻，表示三极管作为放大器时，输出端所呈现的电阻值。
一般来说，Rc越大，输出电阻越大。
6.音频频带宽度(fT)：这是三极管的最高工作频率。
对于放大高频信号，fT应该足够高，以保持信号的完整性。
7.噪声系数(NF)：表示三极管产生的噪音的大小。
通常用分贝(dB)为单位表示，值越小表示噪音越小。
8. 输入电阻 (Rin)：表示对输入信号的阻力。
一般来说，输入电阻应该足够大，以避免对信号源的影响。
9. 输出电阻 (Rout)：表示三极管的输出端对外部电路的负载能力。
一般来说，输出电阻应该足够小，以避免对外部电路的影响。
10.温度系数(TC)：表示三极管参数对温度变化的敏感程度。
一般来说，温度系数越小，三极管的性能越稳定。
除了上述常用的参数外，三极管还有很多其他参数，如频率响应、输入/输出电容、功率耗散、失真等等。
这些参数在不同的应用场合中具有不同的重要性。
总的来说，了解三极管的参数对于选择合适的器件、设计电路以及优化电路性能至关重要。
不同的应用需要关注的参数也有所不同，需要根据具体情况进行选择和权衡。
半导体三极管的极限参数
半导体三极管的极限参数半导体三极管是一种电子器件，广泛应用于电路设计中。
它有一些重要的极限参数，对电路设计和性能有着重要的影响。
首先，最重要的参数之一是最大封装功率（Pdmax）。
这是指三极管能够将电力转化为热量的最大量。
当超过这个功率极限时，三极管可能会损坏，甚至烧毁。
因此，在使用三极管时，我们必须确保设计电路的功耗不会超过Pdmax。
另一个重要的参数是最大耐压（VCEO）。
这是指三极管可以承受的最大集电极与发射极之间的电压。
如果电压超过这个极限，三极管的结构可能会破坏，导致器件失效。
因此，在设计电路时，我们必须确保电压不会超过VCEO的值。
此外，三极管还有最大集电电流（ICmax）的极限。
这是指三极管所能承受的最大电流。
当电流超过这个极限时，三极管可能会过载，发热过多，甚至导致器件永久损坏。
因此，在设计电路时，我们必须确保电流不会超过ICmax。
除了这些极限参数之外，还有一些其他的参数需要考虑。
例如，三极管的最大工作温度（Tjmax）是指器件能够正常工作的最高温度。
当超过这个温度时，三极管的性能可能会受到影响，甚至失效。
因此，在选择三极管时，我们需要考虑工作环境的温度范围，确保Tjmax能够满足需求。
此外，三极管的最大频率（fT）也是一个重要的参数。
它表示三极管能够工作的最高频率。
当工作频率超过这个极限时，三极管可能无法正常工作，导致信号失真。
因此，在设计高频电路时，我们需要选择具有较高fT值的三极管。
总之，半导体三极管的极限参数对于电路设计和性能至关重要。
通过合理地选择和使用三极管，我们可以确保电路的稳定性和可靠性。
同时，了解和理解这些参数，可以帮助我们更好地设计和优化电子电路，提高系统性能。
三极管参数大全范文
三极管参数大全范文三极管是一种半导体器件，它具有放大和开关功能，被广泛应用于电子电路中。
以下是三极管的一些常见参数：1.最大耗散功率（Pd）：三极管在工作时会产生一定的热量，最大耗散功率表示器件能够承受的最大热量。
通常以瓦特（W）为单位。
2.最大收集电流（Ic）：三极管作为放大器时，通过其集电极的最大电流，通常以安培（A）为单位。
3.最大基极电流（Ib）：三极管放大时，通过其基极的最大电流，通常以安培（A）为单位。
4.最大封装温度（Tj）：三极管可以安装在不同的外壳中，最大封装温度表示器件可以承受的最高温度。
5.最大封装功率（Pc）：三极管在封装外壳中所能承受的最大功率。
6. 最大封装电压（Vcbo）：三极管收集极与基极之间的最高电压，通常以伏特（V）为单位。
7. 最大集电极-基极电压（Vceo）：三极管集电极与基极之间的最高电压。
8. 最大集电极-发射极电压（Vceo）：三极管集电极与发射极之间的最高电压。
9.倍数增益（β）：三极管在放大模式下的电流放大比例。
10. 饱和电流（Icsat）：三极管作为开关时，通过其集电极的最大电流。
11.截止频率（fT）：三极管在放大模式下的最大工作频率。
12. 输入电阻（Rin）：三极管放大器的输入电阻。
13. 输出电阻（Rout）：三极管放大器的输出电阻。
14. 最小反向传导（Yfs）：三极管放大时的反向电导。
15.最小反向电容（Cr）：三极管放大时的反向电容。
以上是一些常见的三极管参数，不同型号的三极管具有不同的参数范围。
这些参数对于设计电子电路和选取适当的三极管非常重要，因为它们直接影响着三极管的性能和可靠性。
半导体三极管的参数
半导体三极管的参数摘要：一、半导体三极管的基本结构和种类二、半导体三极管的主要极限参数三、半导体三极管的电性能参数及其意义四、半导体三极管的应用和型号正文：一、半导体三极管的基本结构和种类半导体三极管，顾名思义，具有三个电极，由两个PN 结构组成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b 表示）。
其他的两个电极成为集电极（用字母c 表示）和发射极（用字母e 表示）。
由于不同的组合方式，形成了一种是npn 型的三极管，另一种是pnp 型的三极管。
二、半导体三极管的主要极限参数半导体三极管的主要极限参数包括以下几个：1.集电极最大允许电流icm：半导体三极管允许通过的最大电流即为icm。
当集电极电流ic 增大到一定程度时，值便会明显下降，这时三极管不至于烧坏，但已不宜使用。
因此，规定值下降到额定值的2/3 时所对应的集电极电流为集电极最大电流icm。
2.集电极最大允许耗散功率pcm：集电极耗散功率实际上是集电极电流ic 和集电极电压uce 的乘积。
三、半导体三极管的电性能参数及其意义半导体三极管的电性能参数包括以下几个：1.VCEO--集电极- 发射结饱和电压：表示集电极和发射极之间的电压达到最大值时，三极管的电流不再增加，此时的电压即为集电极- 发射结饱和电压。
2.ICBO--集电结反向饱和电流：表示当集电极和发射极之间的电压为负时，三极管的电流不再减小，此时的电流即为集电结反向饱和电流。
四、半导体三极管的应用和型号半导体三极管主要用于电流放大和开关作用，广泛应用于各种电子电路和设备中。
由于不同的型号和生产厂家，三极管的性能和参数可能会有所不同。
常见的三极管型号有2SC33740（或2SC3374B），蓝箭电子、江苏长江电子等。
常用三极管数据
常用三极管数据标题：常用三极管数据引言概述：三极管是一种常见的半导体器件，广泛应用于电子电路中。
了解三极管的数据对于电子工程师和爱好者来说是非常重要的。
本文将详细介绍常用三极管的数据，包括参数、特性以及应用。
一、三极管的基本参数1.1 放大倍数（hFE）：三极管的放大倍数是指输入信号与输出信号之间的放大比例。
不同型号的三极管的放大倍数范围广泛，普通在50至1000之间。
1.2 最大集电极-发射极电压（VCEO）：VCEO是三极管能够承受的最大集电极-发射极电压，通常以伏特（V）为单位。
这个参数决定了三极管能够承受的最大工作电压。
1.3 最大集电极-基极电压（VCBO）：VCBO是三极管能够承受的最大集电极-基极电压，也以伏特（V）为单位。
这个参数对于三极管的使用和安全性至关重要。
二、三极管的特性2.1 饱和区和截止区：三极管在工作时会处于饱和区和截止区两种状态。
在饱和区，三极管的集电极-发射极之间的电压较低，电流较大；在截止区，电压较高，电流很小。
2.2 频率响应：三极管的频率响应是指它对输入信号频率的响应能力。
普通来说，三极管的频率响应范围在几十千赫兹至几百兆赫兹之间。
2.3 温度特性：三极管的工作温度会影响其性能。
普通来说，三极管的温度特性是负的，即温度升高时，其放大倍数会下降。
三、三极管的应用3.1 放大器：三极管最常见的应用是作为放大器，将输入信号放大到所需的输出信号。
3.2 开关：三极管还可以用作开关，控制电路的通断。
3.3 振荡器：三极管还可以用于构建振荡器电路，产生一定频率的信号。
四、常用三极管型号及参数4.1 BC547：BC547是一种常用的NPN型三极管，其放大倍数在100至800之间，VCEO为45V，VCBO为50V。
4.2 2N3904：2N3904是另一种常用的NPN型三极管，其放大倍数在200至300之间，VCEO为40V，VCBO为60V。
4.3 2N2222：2N2222是一种常用的PNP型三极管，其放大倍数在100至300之间，VCEO为40V，VCBO为60V。
三极管型号及参数大全
三极管型号及参数大全三极管（Transistor）是一种由半导体材料制成的电子器件，常用于放大和开关电路中。
根据导电类型的不同，可以将三极管分为NPN型和PNP型。
以下是一些常见的三极管型号及其参数：1.2N2222:是一种NPN型小功率晶体管，它的最大集电极电流（IC）为600mA，最大击穿电压（VCEO）为40V，最大功耗（PD）为600mW，封装形式一般为TO-922.2N2907:是一种PNP型小功率晶体管，它的最大集电极电流（IC）为600mA，最大击穿电压（VCEO）为40V，最大功耗（PD）为600mW，封装形式一般为TO-923.BC547:是一种NPN型小功率晶体管，它的最大集电极电流（IC）为100mA，最大击穿电压（VCEO）为45V，最大功耗（PD）为500mW，封装形式一般为TO-924.BC557:是一种PNP型小功率晶体管，它的最大集电极电流（IC）为100mA，最大击穿电压（VCEO）为45V，最大功耗（PD）为500mW，封装形式一般为TO-925.2N3055:是一种NPN型功率晶体管，它的最大集电极电流（IC）为15A，最大击穿电压（VCEO）为60V，最大功耗（PD）为115W，封装形式一般为TO-36.2N3906:是一种PNP型小功率晶体管，它的最大集电极电流（IC）为200mA，最大击穿电压（VCEO）为40V，最大功耗（PD）为625mW，封装形式一般为TO-928.BD136:是一种PNP型中功率晶体管，它的最大集电极电流（IC）为1.5A，最大击穿电压（VCEO）为45V，最大功耗（PD）为12.5W，封装形式一般为TO-1269.TIP31C:是一种NPN型功率晶体管，它的最大集电极电流（IC）为3A，最大击穿电压（VCEO）为40V，最大功耗（PD）为40W，封装形式一般为TO-220。
10.TIP32C:是一种PNP型功率晶体管，它的最大集电极电流（IC）为3A，最大击穿电压（VCEO）为40V，最大功耗（PD）为40W，封装形式一般为TO-220。
半导体三极管的参数
半导体三极管的主要参数有以下几个：1. 集电极最大允许电流（ICM）：半导体三极管允许通过的最大电流。
当集电极电流IC 增大到一定程度时，三极管的电流放大系数会明显下降，此时三极管尚可使用，但已不宜继续加大电流。
因此，规定IC 下降到额定值的2/3 时所对应的集电极电流为集电极最大电流ICM。
2. 集电极最大允许耗散功率（PCM）：集电极耗散功率实际上是集电极电流IC 和集电极电压UC 的乘积。
这是三极管能够正常工作的最大功耗，超过这个功耗值三极管可能会过热损坏。
3. 电流放大系数（hFE）：也称为电流增益，是指三极管输出电流与输入电流之比。
电流放大系数越大，说明三极管的放大能力越强。
4. 带宽（fT）：三极管在工作状态下，输出信号的频率响应受到限制，这个限制频率称为带宽。
带宽反映了三极管响应速度的快慢，带宽越宽，响应速度越快。
5. 输入阻抗（Zi）：三极管输入端的阻抗，影响三极管对输入信号的吸收能力。
输入阻抗越大，吸收能力越强。
6. 输出阻抗（Zo）：三极管输出端的阻抗，影响三极管驱动外部负载的能力。
输出阻抗越小，驱动能力越强。
7. 极性：半导体三极管有npn 型和pnp 型两种极性，分别由n 型半导体基底、p 型半导体基底和n 型半导体构成。
8. 温度系数：三极管的性能参数（如电流放大系数、带宽等）随温度的变化而变化的程度。
9. 饱和电压（Vceo）：当三极管的集电极电流IC 增大到一定程度时，集电极与发射极之间的电压达到峰值，此电压称为饱和电压。
10. 开启电压（Vge）：当三极管的基极电压Vb 大于开启电压时，三极管开始导通。
11. 关闭电压（Vce）：当三极管的基极电压Vb 小于关闭电压时，三极管截止。
三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数
三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数摘要：一、三极管简介二、三极管的主要参数1.直流参数2.交流参数3.极限参数三、参数对三极管性能的影响四、总结正文：一、三极管简介三极管，全称为半导体三极管，是一种常用的半导体器件，具有放大和开关等功能。
它由三个区域组成：n型区（发射极）、p型区（基极）和n型区（集电极）。
通过调整基极电流，可以控制集电极电流，从而实现信号的放大和开关。
二、三极管的主要参数1.直流参数直流参数主要包括静态工作点、静态电流和最大耗散功率。
静态工作点是指三极管在直流偏置下的工作状态，它决定了三极管的放大性能和稳定性。
静态电流是三极管在静态工作点下的基极电流，它影响了三极管的电流放大系数。
最大耗散功率是指三极管在最大工作电流下所能承受的热功率，它限制了器件的输出功率。
2.交流参数交流参数主要包括交流放大倍数、交流输入阻抗和交流输出阻抗。
交流放大倍数是指三极管在交流信号下的电流放大能力，它决定了三极管的信号放大性能。
交流输入阻抗是指三极管在交流信号下的输入阻抗，它影响了信号的传输效果。
交流输出阻抗是指三极管在交流信号下的输出阻抗，它影响了负载的驱动能力。
3.极限参数极限参数主要包括最大额定电压、最大额定电流和最小工作温度。
最大额定电压是指三极管能承受的最大电压，超过该电压可能导致器件损坏。
最大额定电流是指三极管能承受的最大电流，超过该电流可能导致器件过载。
最小工作温度是指三极管能正常工作的最低温度，低于该温度可能导致器件性能下降。
三、参数对三极管性能的影响直流参数、交流参数和极限参数共同决定了三极管的性能。
静态工作点的选择影响了三极管的放大性能和稳定性；静态电流的大小影响了三极管的电流放大系数；最大耗散功率决定了器件的输出功率；交流放大倍数、交流输入阻抗和交流输出阻抗影响了三极管的信号放大性能和驱动能力；最大额定电压、最大额定电流和最小工作温度则决定了器件的可靠性和稳定性。
四、总结三极管的主要参数包括直流参数、交流参数和极限参数。
三极管有哪些主要参数？型号如何进行选择？
三极管有哪些主要参数？型号如何进行选择？选用三极管需要了解三极管的主要参数, 主要了解三极管的四个极限参数：I cm, BV CEO, P cm及f T即可满足95%以上的使用需要。
1、I cm是集电极最大允许电流，三极管工作时，当它的集电极电流超过一定数值时，他的电流放大系数β将下降。
为此规定三级电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为I cm。
所以在使用中当集电极电流I c超过I cm时不至于损坏三级管，但会使β值减小，影响电路的工作性能；2、BV CEO是三级管基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压。
如果在使用中加载集电极与发射极之间的电压超过这个数值时，将可能使三极管产生很大的集电电流，这种现象叫击穿。
三极管击穿后会造成永久性损坏或性能下降；3、P cm是集电极最大允许耗散功率。
三极管在工作是，集电极电流集电在集电结上会产生热量而使三极管发热。
若耗散功率过大，三极管将烧坏。
在使用中如果三极管在大于P cm下长时间工作，将会损坏三极管。
需要注意的是大功率的三极管给出的最大允许耗散功率都是在加有一定规格散热器情况下的参数。
使用中一定要注意这一点。
4、特征频率f T。
随着工作频率的升高，三极管的放大能力将会下降，对应β=1时的频率fT叫作三极管的特征频率小功率三极管在电子电路的应用最多。
主要用作小信号的放大、控制或振荡器。
选用三极管时首先要搞清楚电子电路的工作频率大概是多少。
如中波收音机的振荡器的最高频率是2MHz左右；而调频收音机的最高震荡频率为120MHz左右；电视机中 VHF频段的最高振荡率为250MHz左右：UHF 频段的最高振荡率接近1000MHz，因此工程设计中一般要求三极管的f T 大于3倍的实际工作频率。
所以可按照此要求来选择三极管的特征频率f T。
由于硅材料高频三极管的fT一般不低于50Hz，所以在音频电子电路中使用这类管子可不考虑fT这个参数。
小功率三极管BV CEO的选择可以根据电路的电源电压来决定，一般情况下只要三极管的BV CEO大于电路中电源的最高电压即可。
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(4) 最高振荡频率fM
最高振荡频率的定义为:当半导体三极管的功率增益等于1时的频率称为半导体三极管的最高振荡频率fM。当工作频率大于fM时，三极管不能得到功率放大;当工作频率低于fM时，三极管可获得功率放大。可见fM 是半导体三极管的一个重要参数。在一般情况下，要使三极管工作稳定，又有一定的功放作用，三极管的实际工作频率应为(1/3 - 1/4)fM 。
在放大区，β值基本不变，可在共射接法输出特性曲线上，通过垂直于X轴的直线求取△IC/△IB。或在图02.08上通过求某一点的斜率得到β。具体方法如图6所示
2）特征频率fT
三极管的β值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的β将会下降。当β下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。
(2)集电极最大允许耗散功率PCM
集电极耗散功率实际上是集电极电流IC和集电极电压UCE的乘积。在使用三极管时，实际功耗不允许超过PcM，还应留有较大的余量。耗散功率会引起三极管发热，使结温升高。如果集电极的耗散功率过大，将会使集电结的温度超过允许值而被烧坏。为了提高PCM的数值，大功率三极管都要求加装散热片，此时手册中给出的大功率三极管的PCM是指带有散热片时的数值。
1.共发射极电流放大系数β
在共发射极电路中，在一定的集电极电压UCE下，集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB，的比值称为电流放大系数β，即
由于β反映了变化量之比，在放大电路中变化量实际上是交流信号，因此把β值称为共发射极交流电流放大系数hFE 。有时手册中会给出直流电流放大系数hFE ， 它是集电极直流电流IC与基极直流电流IB之比，即
在放大区基本不变。在共发射极输出特性曲线上，通过垂直于X轴的直线(vCE=const)来求取IC / IB ，如图3所示。在IC较小时和IC较大时，会有所减小，这一关系见图4。
2）极间反向电流
①集电极-基极间反向饱和电流ICBO
ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于集电结的反向饱和电流。
(3) 极限参数
1）集电极最大允许电流ICM
如图02.08所示，当集电极电流增加时，β 就要下降，当β值下降到线性放大区β值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。至于β值下降多少，不同型号的三极管，不同的厂家的规定有所差别。可见，当IC＞ICM时，并不表示三极管会损坏。
V(BR)CBO≈V(BR)CES＞V(BR)CER＞V(BR)CEO＞V(BR)EBO
由最大集电极功率损耗PCM、ICM和击穿电压V(BR)CEO，在输出特性曲线上还可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图8。
半导体三极管的技术参数
半导体三极管除了特性曲线可以表示其特性外，还要用一些技术参数，而且两者可以互相补充，以利于合理地选用半导体三极管。在半导体三极管手册中可以看到以下一些常用的主要技术参数。
(5)发射极一基极反向击穿电压BVebo(Vebo)
BVebo是指三极管集电极开路时，发射结的反向最大电压。使用时，发射结承受的反向电压不应超过此值的规定。
半导体三极管的参数
半导体三极管的参数分为直流参数、交流参数和极限参数三大类。
(1) 直流参数
1）直流电流放大系数
②集电极-发射极间的反向饱和电流ICEO
ICEO和ICBO有如下关系:
相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值，如图5所示。
(2) 交流参数
1）交流电流放大系数
①共发射极交流电流放大系数β
4 半导体三极管极间的反向电流
半导体三极管极间的反向电流指的是集电极一基极间反向电流ICBO 和集电极一发射极间反向电流ICEO。ICEO使用得较多，它是指三极管基极开路时，集电极C和发射极E之间的反向电流，又称为穿透电流或反向击穿电流。小功率错三极管的ICEO 较大，通常在500μA 以下，硅三极管的ICEO都很小，通常在1μA 以下，同一个三极管的ICEO比ICBO大得多，且随温度的升高而急剧增加，因此这个参数是衡量三极管稳定性好坏的重要参数之一。
2）集电极最大允许功率损耗PCM
集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= ICVCB≈ICVCE，因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB。
3）反向击穿电压
反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力，其测试时的原理电路如图7所示。
①V(BR)CBO--发射极开路时的集电结击穿电压。下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，C、B代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。
②V(BR)EBO--集电极开路时发射结的击穿电压。
③V(BR)CEO--基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。
对于V(BR)CER表示BE间接有电阻，V(BR)CES表示BE间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系：
(2) 共发射极截止频率fβ
共发射极截止频率又称β截止频率。它与fa的定义相似，在共发射极电路里，电流放大系数β值在降低到βo的 时所对应的频率便是fβ，如图15-7 所示。fβ和fa有下列关系:
在实际工作中，工作频率f 等于fa或fβ时，并不等于半导体三极管就截止不工作了，它仍有相当的工作能力。其规律是f=fa或f=fβ时， α= 0.707αo或β= 0.707βo;当f=fa或f=fβ时， α= 0.5αo或β= 0.5βo。但在电路设计中选用三极管时，若电路的工作频率较高，应尽量选用fa 或fβ值大的三极管。
(3)特征频率fT
当ห้องสมุดไป่ตู้作频率超过截止频率fβ以后，β值开始下降，当β值下降为1时，所对应的频率叫做特征频率fT如图15-7 所示。
当工作频率f =fT时，半导体三极管就完全失去了电流放大功能。由于f·β=常数，有时称fT为增益带宽乘积。例如:在频率为5MHz 时，测得某三极管的β值为6 ，则该三极管的特征频率fT为
(3)集电极一发射极反向击穿电压BVCEO ( VCEO )
BVCEO是指三极管基极开路时，加在集电极C 和发射极E 之间的最大允许电压。使用时，若｜VCE｜ > BVCEO。则会导致三极管击穿而损坏。
(4) 集电极一基极反向击穿电压BVCBO ( VCBO )
BVCBO是指三极管发射极开路时，集电结的反向最大电压。使用时，集电极与基极间的反向电压不允许超过此值的规定。
(3)集电极一发射极反向击穿电压BVceo(Vceo)
BVceo是指三极管基极开路时，加在集电极C和发射极E之间的最大允许电压。使用不当时，则会导致三极管击穿而损坏。
(4)集电极一基极反向击穿电压BVcbo(Vcbo)
BVcbo是指三极管发射极开路时，集电结的反向最大电压。使用时，集电极与基极间的反向电压不允许超过此值的规定。
β值的标志方法有两种，即色标法和字母法。色标法使用得较早，通常将颜色涂在三极管的顶部，用不同的颜色来表示管子β值的大小。国产小功率管色标颜色与β值的对应关系如表15-3 所示。
2. 共基极电流放大系数α
在共基极电路中，在一定的集电极与基极电压UCB下，集电极电流的变化量△IC与发射极电流变化量△IE的比值称为电流放大系数α ，即
(5) 发射极基极反向击穿电压BVCEO( VCEO)
BVEBO是指三极管集电极开路时，发射结的反向最大电压。使用时，发射结承受的反向电压不应超过此值的规定.
半导体三极管的参数有哪些?
半导体三极管的极限参数介绍
各种电子元器件都有一个使用极限值要求，对于半导体三极管来讲，它的主要极限参数有以下几个。
(1)集电极最大允许电流ICM
半导体三极管允许通过的最大电流即为ICM。当集电极电流IC增大到一定程度时，β值便会明显下降，这时三极管不至于烧坏，但已不宜使用。因此，规定尸值下降到额定值的2/3时所对应的集电极电流为集电极最大电流ICM。
5. 半导体三极管的极限参数
各种电子元器件都有一个使用极限值要求，对于半导体三极管来讲，它的主要极限参数有以下几个。
(1)集电极最大允许电流ICM
半导体三极管允许通过的最大电流即为ICM 。当集电极电流IC增大到一定程度时，β值便会明显下降，这时三极管不至于烧坏，但已不宜使用。因此，规定β值下降到额定值的2/3 时所对应的集电极电流为集电极最大电流ICM。
(2) 集电极最大允许耗散功率PCM
集电极耗散功率实际上是集电极电流IC和集电极电压UCE的乘积。在使用三极管时，实际功耗不允许超过PCM还应留有较大的余量。耗散功率会引起三极管发热，使结温升高。如果集电极的耗散功率过大，将会使集电结的温度超过允许值而被烧坏。为了提高PCM的数值，大功率三极管都要求加装散热片，此时手册中给出的大功率三极管的PCM是指带有散热片时的数值。
3. 半导体三极管的频率特性参数
半导体三极管用于交流放大时，电流放大系数与频率有关。当三极管工作频率较低时，hFE值变化不大，但三极管用于高频电路时，电流放大系数将会随着工作频率的升高而不断减小，这时就需要考虑频率特性参数了。频率特性参数主要有以下几个。
( 1 )共基极截止频率fa
共基极截止频率又叫α 截止频率。在共基极电路中，电流放大系数α 值在工作频率较低时基本上为一常数。当工作频率f>fa以后，电流放大系数α 随频率的升高而下降，当α值下降到αo(共基极放大器最低频率时的电流放大系数)的时所对应的频率便是fa 。