微电子封装复习题

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2014电子封装复习题_61020(1)

2014电子封装复习题_61020(1)

请仅参考PPT课件即可以下为填空题部分,个别几个概念题已做标注1、微电子封装的作用?PPT第一章第2页作用---为芯片及部件提供保护、能源、冷却、与外部环境的电气连接+机械连接2、引线键合技术通常采用的压焊方法有哪些?PPT第2章第3页扩散焊、冷压焊、热压焊、超声波焊、超生-热压焊,钎焊,电阻焊3、引线键合技术中被连接的金属丝通常是?Au或铝;膜焊盘通常为什么焊盘?铝4、通常采用什么方法形成芯片正面的金属化,该方法由于覆层均匀而成为金属化技术的主流。

PPT第1章第22页溅射沉积5、采用金属合金键合技术将芯片背面连接到层压基板腔室内的芯片粘接区,通常采用的连接方法有?PPT第1章第29页金属合金键合、有机粘接、无机粘接6、目前具有最高的输入/输出(I/O)互连密度的封装技术是?PPT第1章第38页倒装芯片键合7、前、后模塑封装的优缺点?PPT第1章第60页一句话后模塑封装易引起的引线跨度变形和芯片表面应变等问题,前模塑封装避免了这些封装应力8、采用层压塑料封装技术的典型元器件是?PPT第1章第61页最后一行通孔插装类型(TH)的塑料针栅阵列(PPGA)和表面组装用的塑料焊球阵列(PBGA)。

9、概念:封装漏率;PPT第1章第70页25℃下,在高压一侧的为一个大气压和低压一侧不大于1mm汞柱的情况下每秒通过的单个或多个泄漏通道的干燥空气量9、引线键合时劈刀压力的影响?PPT第2章第18页全部内容拉断载荷与球的变形率成正比;键合加载力越大,接头强度越高。

但太大则可能损坏硅片,或引线颈缩;劈刀压力应使焊点引线宽度增加到原来引线直径的4/3一3/2为宜;键合时间过短或表面有污染时,拉断载荷要比正常的低。

10、氧化膜的硬度对氧化膜破碎的影响?PPT第2章第19页氧化膜的硬度越大(氧化膜越脆),母材的性质越软,氧化膜容易被破碎。

11、、冷压焊通常用于焊接微电子器件的什么外壳,实现冷压焊非常重要的是什么?要求被焊金属在低温下有很大的塑性-PPT第2章第21和23页12、对超声波焊焊点进行焊后加热,可使接头强度提高,说明什么?第2章第33页在超声压接时所形成的扩散是不充分的。

电子封装技术基础知识单选题100道及答案解析

电子封装技术基础知识单选题100道及答案解析

电子封装技术基础知识单选题100道及答案解析1. 电子封装的主要作用不包括()A. 保护芯片B. 提供电气连接C. 提高芯片性能D. 增加芯片尺寸答案:D解析:电子封装的主要作用是保护芯片、提供电气连接以及在一定程度上优化芯片性能,而不是增加芯片尺寸。

2. 以下哪种材料常用于电子封装的基板()A. 玻璃B. 陶瓷C. 木材D. 塑料答案:B解析:陶瓷具有良好的热性能和电性能,常用于电子封装的基板。

3. 电子封装中的引线键合技术常用的材料是()A. 铝B. 铜C. 铁D. 锌答案:A解析:在电子封装中,铝是引线键合技术常用的材料。

4. 下列哪种封装形式具有较高的集成度()A. DIPB. BGAC. SOPD. QFP答案:B解析:BGA(球栅阵列封装)具有较高的集成度。

5. 电子封装中用于散热的材料通常是()A. 橡胶B. 金属C. 纸D. 布答案:B解析:金属具有良好的导热性能,常用于电子封装中的散热。

6. 以下哪种封装技术适用于高频应用()A. CSPB. PGAC. LGAD. MCM答案:D解析:MCM(多芯片模块)适用于高频应用。

7. 电子封装中,阻焊层的主要作用是()A. 增加电阻B. 防止短路C. 提高电容D. 增强磁场答案:B解析:阻焊层可以防止线路之间的短路。

8. 以下哪种封装的引脚间距较小()A. QFPB. TSSOPC. PLCCD. DIP答案:B解析:TSSOP 的引脚间距相对较小。

9. 在电子封装中,模塑料的主要成分是()A. 金属B. 陶瓷C. 聚合物D. 玻璃答案:C解析:模塑料的主要成分是聚合物。

10. 哪种封装形式常用于手机等小型电子产品()A. CPGAB. BGAC. SPGAD. DPGA答案:B解析:BGA 由于其尺寸小、集成度高等特点,常用于手机等小型电子产品。

11. 电子封装中,芯片粘结材料常用的是()A. 硅胶B. 水泥C. 胶水D. 沥青答案:A解析:硅胶是芯片粘结材料常用的一种。

(完整版)微电子封装必备答案

(完整版)微电子封装必备答案

微电子封装答案微电子封装第一章绪论1、微电子封装技术的发展特点是什么?发展趋势怎样?(P8、9页)答:特点:(1)微电子封装向高密度和高I/O引脚数发展,引脚由四边引出向面阵排列发展。

(2)微电子封装向表面安装式封装发展,以适合表面安装技术。

(3)从陶瓷封装向塑料封装发展。

(4)从注重发展IC芯片向先发展后道封装再发展芯片转移。

发展趋势:(1)微电子封装具有的I/O引脚数将更多。

(2)微电子封装应具有更高的电性能和热性能。

(3)微电子封装将更轻、更薄、更小。

(4)微电子封装将更便于安装、使用和返修。

(5)微电子封装的可靠性会更高。

(6)微电子封装的性能价格比会更高,而成本却更低,达到物美价廉。

2、微电子封装可以分为哪三个层次(级别)?并简单说明其内容。

(P15~18页)答:(1)一级微电子封装技术把IC芯片封装起来,同时用芯片互连技术连接起来,成为电子元器件或组件。

(2)二级微电子封装技术这一级封装技术实际上是组装。

将上一级各种类型的电子元器件安装到基板上。

(3)三级微电子封装技术由二级组装的各个插板安装在一个更大的母板上构成,是一种立体组装技术。

3、微电子封装有哪些功能?(P19页)答:1、电源分配2、信号分配3、散热通道4、机械支撑5、环境保护4、芯片粘接方法分为哪几类?粘接的介质有何不同(成分)?。

(P12页)答:(1)Au-Si合金共熔法(共晶型) 成分:芯片背面淀积Au层,基板上也要有金属化层(一般为Au或Pd-Ag)。

(2)Pb-Sn合金片焊接法(点锡型) 成分:芯片背面用Au层或Ni层均可,基板导体除Au、Pd-Ag外,也可用Cu(3)导电胶粘接法(点浆型) 成分:导电胶(含银而具有良好导热、导电性能的环氧树脂。

)(4)有机树脂基粘接法(点胶型) 成分:有机树脂基(低应力且要必须去除α粒子)5、简述共晶型芯片固晶机(粘片机)主要组成部分及其功能。

答:系统组成部分:1 机械传动系统2 运动控制系统3 图像识别(PR)系统4 气动/真空系统5 温控系统6、和共晶型相比,点浆型芯片固晶机(粘片机)在各组成部分及其功能的主要不同在哪里?答:名词解释:取晶、固晶、焊线、塑封、冲筋、点胶第二章芯片互连技术1、芯片互连的方法主要分为哪几类?各有什么特点?(P13页)答:(1)引线键合(WB)特点:焊接灵活方便,焊点强度高,通常能满足70um以上芯片悍区尺寸和节距的焊接需要。

微电子封装考试内容(带选择题)PLUS版

微电子封装考试内容(带选择题)PLUS版

第1章:绪论微电子封装技术中常用封装术语英文缩写的中文名称。

主要封装形式: DIP、QFP(J)、PGA、PLCC、.SOP(J)、SOT、SMC/D BGA CCGA、KGD、CSP、DIP:双列直插式封装QFP(J):四边引脚扁平封装PGA:针栅阵列封装PLCC:塑料有引脚片式载体SOP(J): IC 小外形封装.SOT:小外形晶体管封装SMC/D:表面安装元器件BGA:焊球阵列封装CCGA:陶瓷焊柱阵列封装KGD:优质芯片(己知合格芯片)CSP:芯片级封装MC主要封装工艺技术: WB、TAB、FCB、OLB、ILB、C4、UBM、SMT、THT、COB、COG等。

M(P)、WLP等。

WB:引线键合TAB:载带自动焊FCB:倒装焊OLB:外引线焊接.ILB:内引线焊接C4:可控塌陷芯片连接UBM:凸点下金属化SMT:表面贴装技术THT:通孔插装技术COB:板上芯片COG:玻璃上芯片M(P):WLP:圆片级封装不同的封装材料: C、P等。

C:陶瓷封装P:塑料封装T:薄型F:窄节距B:带保护垫简写的名字DIP:双列直插式封装QFP:四边扁平封装BGA:焊球阵列封装MCP:多芯片封装/金属罐式封装MCM:多芯片组件3.芯片封装实现的5个功能。

(1)电能传输,主要是指电源电压的分配和导通。

电子封装首先要接通电源,使芯片与电路导通电流。

其次,微电子封装的不同部位所需的电压有所不同,要能将不同部位的电压分配适当,以减少电压的不必要损耗,这在多层布线基本上尤为重要,同时,还要考虑接地线的分配问题。

(2)信号传递,主要是要使电信号的延迟尽可能的小,在布线时要尽可能的使信号线与芯片的互连路径以及通过封装的I/O接口引出的路径达到最短。

对于高频信号,还要考虑到信号间的串扰,以进行合理的信号分配布线和接地线的分配。

(3)提供散热途径,主要是指各芯片封装要考虑元器件、部件长时间工作时如何将聚集的热量散发出去的问题。

微电子芯片封装标准试卷

微电子芯片封装标准试卷

上海建桥学院2008-2009学年第二学期期中考试(2009年4月)《集成电路芯片封装技术》试卷(本卷考试时间:90分钟)本科、专科级专业班学号姓名一、填空题(30分,每空0.5分)1.按引脚分布形态,封装元器件有、、、下列英文简写的中文意思分别为DIP 、PQFP 、CPGACSP 、PCCC 、PLCC 、TSOP2.按器件与电路板互连方式,封装可区分、。

按封装中组合集成电路芯片数目,芯片封装分为、。

3.封装流程分为两个部分,前段操作;后段操作。

4.塑料封装的成型技术包括、、。

5.硅片背面减薄技术主要有、、、等。

6.常见的芯片贴装有、、、。

7.芯片互连技术主要有、、。

8.主要的打线键合技术有、、。

大规模生产中封装的引线键合方法有、两种。

9.常见金属材料与铝键合反应产生的金属间化合物有、两种;键合点金属与金属间化合物自家安的交互扩散产生现象。

10.TAB的关键技术、、。

11.失效机制可以粗略分为失效、失效。

12.静电放电(ESD)定义(1分)。

13.UBM底部金属层一般为,从芯片金属化层往上,依次为、、、。

14.常用的凸点制作技术包括、、、、打球凸点制作法、激光法、叠层制作法及柔性凸点制作法。

15.产品可靠性的浴盆曲线包括、、三个区。

16.TAB按结构和形状分为、、和Cu-PI-Cu双金属带等四种。

二、问答题1.什么是集成电路封装。

芯片封装实现的功能是什么?(6分)2.简述封装工程的技术层次,说明各层次的概念及作用。

(8分)3.简述封装技术的工艺流程。

(10分)4.芯片切割中,芯片划片槽的断面往往比较粗糙,有少量微裂纹和凹槽存在等问题,为改善划片质量,开发了哪两种划片工艺?分别叙述之并说明这两种方法的好处。

(9分)5.简述共晶连接法。

(5分)6.芯片互连技术有哪几种?分别解释说明并简述各种技术的工艺步骤。

(22分)7.简述TAB三层带的主要工艺制作过程。

(12分)。

哈尔滨理工大学——微电子封装考试复习题

哈尔滨理工大学——微电子封装考试复习题

1、微电子封装定义及封装的作用?1)为基本的电子电路处理和存储信息建立互连和合适的操作环境的科学和技术,是一个涉及多学科并且超越学科的制造和研究领域。

2)作用---为芯片及部件提供保护、能源、冷却、与外部环境的电气连接+机械连接2、什么是电迁移?电迁移是指在高电流密度(105-106A/cm2)下金属中的质量迁移的现象。

3、什么是芯片尺寸封装?芯片尺寸封装(CSP)是指封装外壳尺寸比芯片本身尺寸仅大一点(最大为芯片尺寸的1.2倍)的一类新型封装技术。

5、可作为倒装芯片凸点的材料有哪些?高可靠性的焊凸点应该在那个工艺阶段制作?凸点的典型制作方法有哪些?其中什么方法也常用于BGA器件焊球的植球?1)凸点材料:a) 钎料:单一钎料连接:高Pb (3Sn97Pb、5Sn95Pb )-陶瓷芯片载体;低Pb (60Sn40Pb )-有机芯片载体双钎料连接:高熔点凸点用低熔点钎料连接到芯片载体C4-Controled Collapse Chip Connection)b) 金属:Au、Cuc) 导电环氧树脂:低成本、低可靠性2)高可靠性的焊凸点制作,是在IC还处于圆片阶段时制作焊凸点。

3)蒸发沉积法;模板印刷法;电镀法;钉头凸点法;钎料传送法;微球法;钎料液滴喷射(印刷)法4)微球法6、扩散焊在什么情况下会采用中间层?中间层材料应具有哪些性能?1)结晶化学性能差别较大的两种材料连接时,极易在接触界面生成脆性金属间化合物。

措施:选择中间层,使中间层金属与两侧材料都能较好的结合,生成固溶体,则实现良好的连接。

2)两种材料的热膨胀系数差别大,在接头区域极易产生很大的内应力。

措施:用软的中间层(甚至几个中间层)过渡,缓和接头的内应力3)扩散连接时,中间层材料非常主要,除了能够无限互溶的材料以外,异种材料、陶瓷、金属间化合物等材料多采用中间夹层的扩散连接。

4)中间层可采用多种方式添加,如薄金属垫片、非晶态箔片、粉末(对难以制成薄片的脆性材料)和表面镀膜(如蒸镀、PVD、电镀、离子镀、化学镀、喷镀、离子注入等)。

微电子封装技术答案

微电子封装技术答案

《微电子封装技术》试卷标准答案一、填空题(每空2分,共40分)1、膜技术2、粘度3、金属氧化物4、金属5、转移成型技术6、软式印制电路板7、极性/非离子污染8、热膨胀系数9、倒线10、可靠性11、陶瓷球栅阵列12、预型片13、打线键合14、光刻工艺15、挥发性物质16、四边引脚17、凸点18、功能相19、收缩20、倒装芯片。

二、简答题(每小题6分,共30分)1、答:一般可将厚膜浆料分为:聚合物厚膜、难熔材料厚膜与金属陶瓷厚膜三种类型。

…………………………………………2分传统的金属陶瓷厚膜包括4种成分,分别为:(1)有效物质:确定膜的功能,即确定膜为导体、介质层、电阻。

…………………………………………1分(2)粘贴成分:提供与基板的粘贴以及使有效物质颗粒保持悬浮状态的基体。

…………………………………………1分(3)有机粘贴剂:提供丝网印刷印制的合适流动性能。

…………………………………………1分(4)溶剂或稀释剂:它决定运载剂的粘度。

…………………………………………1分2、答:(1)传递电能,主要是电源电压的分配和导通。

(2)传递电信号,主要是将电信号的延迟尽可能减小,在布线时应尽可能使信号线与芯片的互联路径以及通过封装的I/O接口引出的路径达到最短。

(3)提供散热途径,主要是指各种芯片封装都要考虑元器件、部件长期工作时如何将聚集的热量散失的问题。

(4)提供结构保护与支撑,主要是指芯片封装的机械可靠性。

…………………………………………6分3、答:工艺流程如下:……………………3分先划片后减薄:即在背面磨削之前先将硅片的正面切割出一定深度的切口,然后再进行背面磨削;减薄划片:即在减薄之前先用机械的或化学的方法切割出切口,然后用磨削的方法减薄到一定厚度以后,采用常压等离子体腐蚀去除剩余加工量,实现裸芯片的自动分离。

……………………3分4、答:工艺流程如下:PCB板覆铜箔——镀胶(光刻胶,正胶或负胶)——曝光(利用掩膜板,正胶的掩膜板和实际电路模型一样,负胶的掩膜板则是实际电路外地线路模型)——显影(显出实际电路图型,以正胶为例)——镀锡(保护实际电路防止污染)——去胶(显出非电路部分的铜箔,实际电路被锡覆盖)——刻蚀(刻蚀掉非线路部分的铜箔)——去锡(显出实际电路图形)。

新材料在微电子封装技术的应用考核试卷

新材料在微电子封装技术的应用考核试卷
1.以下哪种材料常用于微电子封装的基板?( )
A.玻璃
B.塑料
C.陶瓷
D.金属
2.下列哪个不是微电子封装的主要功能?( )
A.保护芯片
B.散热
C.供电
D.信号传输
3.下列哪种材料被认为是未来微电子封装中极具潜力的散热材料?( )
A.铜材料
B.硅胶
C.碳纳米管
D.硅脂
4.在下列封装材料中,哪一种的热导率最高?( )
A.硅橡胶
B.环氧树脂
C.聚酰亚胺
D.金属涂层
17.以下哪些因素会影响微电子封装的尺寸和重量?( )
A.芯片尺寸
B.封装类型
C.材料选择
D.制造工艺
18.以下哪些是微电子封装中常用的散热解决方案?( )
A.散热片
B.散热膏
C.热管
D.主动冷却系统
19.以下哪些条件是微电子封装材料需要满足的?( )
A.良好的电气绝缘性
答案:
6.新型微电子封装技术中,________是一种常用的三维封装方法,可以有效提高封装密度。
答案:
7.为了提高微电子封装的气密性,常常在封装中使用________材料进行密封。
答案:
8.在微电子封装领域,________是一种具有高热导率和良好机械性能的散热材料。
答案:
9.微电子封装中,________技术可以减少信号延迟和干扰,提高信号完整性。
D. DIP封装
14.以下哪个过程不是微电子封装过程的一部分?( )
A.芯片贴装
B.焊接
C.编程
D.封装
15.以下哪种材料在提高微电子封装的电气性能方面具有潜力?( )
A.金
B.铝
C.碳纳米管

微电子材料与器件复习题(终极版)(1)

微电子材料与器件复习题(终极版)(1)

微电⼦材料与器件复习题(终极版)(1)《微电⼦材料与器件》复习题1.设计制备NMOSFET的⼯艺,并画出流程图。

概括的说就是先场氧,后栅氧,再淀多晶SI,最后有源区注⼊(1)衬底P-SI;(2)初始氧化;光刻I;场区注硼,注硼是为了提⾼场区的表⾯浓度,以提⾼场开启;场区氧化;去掉有源区的SI3N4和SIO2;预栅氧,为离⼦注⼊作准备;调整阈电压注⼊(注硼),⽬的是改变有源区表⾯的掺杂浓度,获得要求的晶硅;光刻II,刻多晶硅,不去胶;离⼦注⼊,源漏区注砷,热退⽕;去胶,低温淀积SIO2;光刻III刻引线孔;蒸铝;光刻IV刻电极;形成N阱初始氧化淀积氮化硅层光刻1版,定义出N阱反应离⼦刻蚀氮化硅层N阱离⼦注⼊,注磷形成P阱去掉光刻胶在N阱区⽣长厚氧化层,其它区域被氮化硅层保护⽽不会被氧化去掉氮化硅层P阱离⼦注⼊,注硼推阱退⽕驱⼊去掉N阱区的氧化层形成场隔离区⽣长⼀层薄氧化层淀积⼀层氮化硅光刻场隔离区,⾮隔离区被光刻胶保护起来反应离⼦刻蚀氮化硅场区离⼦注⼊热⽣长厚的场氧化层去掉氮化硅层形成多晶硅栅⽣长栅氧化层淀积多晶硅光刻多晶硅栅刻蚀多晶硅栅形成硅化物淀积氧化层反应离⼦刻蚀氧化层,形成侧壁氧化层淀积难熔⾦属Ti或Co等低温退⽕,形成C-47相的TiSi2或CoSi去掉氧化层上的没有发⽣化学反应的Ti或Co⾼温退⽕,形成低阻稳定的TiSi2或CoSi2形成N管源漏区光刻,利⽤光刻胶将PMOS区保护起来离⼦注⼊磷或砷,形成N管源漏区形成P管源漏区光刻,利⽤光刻胶将NMOS区保护起来离⼦注⼊硼,形成P管源漏区形成接触孔化学⽓相淀积磷硅玻璃层退⽕和致密光刻接触孔版反应离⼦刻蚀磷硅玻璃,形成接触孔形成第⼀层⾦属淀积⾦属钨(W),形成钨塞淀积⾦属层,如Al-Si、Al-Si-Cu合⾦等光刻第⼀层⾦属版,定义出连线图形反应离⼦刻蚀⾦属层,形成互连图形形成穿通接触孔化学⽓相淀积PETEOS通过化学机械抛光进⾏平坦化光刻穿通接触孔版反应离⼦刻蚀绝缘层,形成穿通接触孔形成第⼆层⾦属淀积⾦属层,如Al-Si、Al-Si-Cu合⾦等光刻第⼆层⾦属版,定义出连线图形反应离⼦刻蚀,形成第⼆层⾦属互连图形合⾦形成钝化层在低温条件下(⼩于300℃)淀积氮化硅光刻钝化版刻蚀氮化硅,形成钝化图形测试、封装,完成集成电路的制造⼯艺2.集成电路⼯艺主要分为哪⼏⼤类,每⼀类中包括哪些主要⼯艺,并简述各⼯艺的主要作⽤。

微电子封装技术-模拟题2及答案

微电子封装技术-模拟题2及答案

微电子封装技术-模拟题2及答案
微电子封装技术习题练习2及答案
一.填空题
1、TAB按其结构和形状分为、、、四种。

2、芯片凸点下多层金属化是指在Al焊区上形成的多层金属化系统。

3、封装是气密性封装,是非气密性封装。

4、常用铅-锡焊丝作为焊料,其含铅量越高,焊丝的熔点温度也就越,片式元器件最常用的焊接方法是。

5、金刚石是一种理想的基板材料,是具有、、
、、、、的材料。

6、BGA的焊球分布有和两种方法。

7、IC小外形封装结构的引脚有两种不同的形式,分别是型和型。

二、名词解释
1、PGA:
2、QFP:
3、C4技术:
4、WB:
三、简答题
1、焊球连接缺陷有哪几种?分别由什么原因引起的?
2、2、简述SMD元器件与通孔元器件相比,有哪些优势?
3、BGA封装的特点有哪些?
4、CSP封装的特点有哪些?
5、AlN陶瓷材料具有哪些特点?
四、综合题
1、画出PQFP封装工艺流程
2、根据器件外形写出其相应封装类型。

真空电子器件的微机电系统封装考核试卷

真空电子器件的微机电系统封装考核试卷
14.以下哪些是微机电系统封装的挑战?()
A.微小间距的互连
B.高温下的可靠性
C.封装材料的选择
D.器件的功耗
15.以下哪些应用领域使用了微机电系统封装技术?()
A.消费电子
B.生物医疗
C.航空航天
D.汽车工业
16.以下哪些因素会影响微机电系统封装的热性能?()
A.封装材料的厚度
B.封装材料的热导率
4.讨论微机电系统封装在生物医疗领域中的应用,并举例说明这些应用如何改善了医疗设备的性能和患者的治疗体验。
标准答案
一、单项选择题
1. C
2. D
3. D
4. D
5. D
6. C
7. A
8. A
9. C
10. C
11. D
12. B
13. D
14. D
15. D
16. C
17. A
18. A
19. D
A.倒装焊
B.引线键合
C.硅通孔(TSV)
D.表面贴装技术
4.以下哪些材料可用于微机电系统封装的气密封装?()
A.硅橡胶
B.金
C.环氧树脂
D.氧化铝
5.真空电子器件微机电系统封装中,以下哪些因素对热管理至关重要?()
A.封装材料的热导率
B.器件的功耗
C.封装结构的几何设计
D.器件的工作频率
6.以下哪些封装方式适用于高频应用?()
D.电子显微镜
9.以下哪些是微机电系统封装技术的优势?()
A.提高器件性能
B.减小器件尺寸
C.降低生产成本
D.提高生产效率
10.以下哪些因素会影响微机电系统封装的电学性能?()
A.封装材料的选择

微电子封装材料进展考核试卷

微电子封装材料进展考核试卷
18. D
19. C
20. A
二、多选题
1. ABD
2. ABC
3. AB
4. AB
5. AB
6. ABCD
7. ABC
8. ABCD
9. ABC
10. ABC
11. ABCD
12. ABCD
13. ABD
14. ABCD
15. ABC
16. ABCD
17. ABC
18. ABCD
19. ABCD
20. ABCD
三、填空题
1.电气
2.锡铅焊料
3.焊接
4. BGA
5.高密度
6.高热导率
7.材料老化
8. SMT
9.无铅
10.热膨胀系数
四、判断题
1. ×
2. √
3. ×
4. √
5. ×
6. ×
7. √
8. ×
9. ×
10. ×
五、主观题(参考)
1.微电子封装主要保护芯片免受外界环境影响,提供电气连接和机械保护,对电子器件的可靠性和性能至关重要。
C. SOP
D. DIP
5.微电子封装技术的发展趋势不包括以下哪一项?()
A.高密度封装
B.高可靠性能
C.大尺寸封装
D.环保节能
6.下列哪种材料在微电子封装中用于填充芯片与封装体之间的空隙?()
A.环氧树脂
B.锡铅焊料
C.硅胶
D.红胶
7.下列关于微电子封装材料性能的描述,错误的是:()
A.热膨胀系数小
微电子封装材料进展考核试卷
考生姓名:__________答题日期:_______年__月__日得分:_____________判卷人:___________

增材制造装备在微电子封装的技术考核试卷

增材制造装备在微电子封装的技术考核试卷
D.环境友好性
13.下列哪种技术在增材制造微电子封装中具有较好的表面质量?()
A.选择性激光熔化
B.立体光固化
C.直接金属激光烧结
D.熔融沉积建模
14.在增材制造微电子封装中,以下哪个因素会影响设备的生产效率?()
A.材料种类
B.打印速度
C.光斑直径
D.环境温度
15.下列哪种材料在增材制造微电子封装中具有较好的热稳定性?()
9.增材制造微电子封装的设备不需要定期维护。()
10.增材制造技术可以完全替代传统的微电子封装工艺。()
五、主观题(本题共4小题,每题5分,共20分)
1.请简述增材制造技术在微电子封装领域的优势及可能面临的挑战。
2.描述选择性激光熔化(SLM)技术在微电子封装中的应用,并分析其关键工艺参数对封装质量的影响。
2.应用:精密电子元件封装。影响:激光功率、扫描速度、层厚、粉末粒度。
3.优化:设计合理的支撑结构、减少悬空区域、材料选择与工艺参数匹配。
4.多材料加工:实现功能集成、提高组件性能、案例:传感器与天线一体化封装。
A.材料类型
B.打印速度
C.光斑直径
D.环境湿度
11.下列哪种设备在增材制造微电子封装中具有较高精度?()
A.选择性激光熔化设备
B.立体光固化设备
C.直接金属激光烧结设备
D.熔融沉积建模设备
12.在增材制造微电子封装中,以下哪个因素会导致设备维护成本增加?()
A.高精度加工
B.材料多样性
C.高效率生产
A.选择性激光熔化
B.立体光固化
C.直接金属激光烧结
D.喷墨打印
18.增材制造微电子封装中,哪些因素可能导致打印失败?()

显示器件的微型化封装技术考核试卷

显示器件的微型化封装技术考核试卷
D. LQFP(Low-profile Quad Flat Package)
9.微型化封装过程中的关键工艺步骤是什么?()
A.印刷焊膏
B.贴片
C.焊接
D.所有以上选项
10.下列哪种封装技术适用于高密度、小间距的显示器件?()
A. QFN(Quad Flat No-leads Package)
B. DFN(Dual Flat No-leads Package)
8. ×
9. ×
10. ×
五、主观题(参考)
1.微型化封装技术在显示器件领域的重要性体现在其能显著减小器件体积,提高集成度和便携性,满足现代电子产品对轻薄短小的需求。其应用前景广阔,随着技术进步,未来将更广泛应用于智能手机、可穿戴设备、车载显示等众多领域。
2.确保焊接质量的方法包括优化焊膏印刷质量、控制焊接温度曲线、使用高精度贴片设备和进行严格的焊接后检测。提高焊接质量的方法有采用无铅焊料、改进焊接工艺、实施自动化生产等。
A.更高的封装密度
B.更低的成本
C.更好的性能
D.所有以上选项
二、多选题(本题共20小题,每小题1.5分,共30分,在每小题给出的四个选项中,至少有一项是符合题目要求的)
1.显示器件微型化封装时,以下哪些因素需要特别注意?()
A.焊接温度
B.封装材料的耐热性
C.器件的可维修性
D.所有以上选项
2.以下哪些是微型化封装技术的优点?()
D.高温固化
7.微型化封装技术在显示器件领域的应用主要包括哪些?()
A.液晶显示屏
B.发光二极管
C.光学传感器
D.所有以上选项
8.下列哪种封装形式具有更好的热性能?()
A. QFP(Quad Flat Package)

玻璃微电子封装考核试卷

玻璃微电子封装考核试卷
D.材料对环境的影响
17.以下哪些因素可能导致玻璃微电子封装的信号干扰?()
A.封装材料的选择
B.封装结构的设计
C.环境电磁干扰
D.芯片与封装材料间的界面
18.以下哪些方法可以提升玻璃微电子封装的散热性能?()
A.增加散热片
B.使用高热导率填充材料
C.优化封装结构
D.增大芯片表面积
19.以下哪些是玻璃微电子封装中常见的设计考虑因素?()
A.玻璃粉
B.金属粉末
C.纤维素
D.橡胶颗粒
17.在玻璃微电子封装中,以下哪个因素可能导致焊点脱落?()
A.过高的焊接温度
B.过低的焊接温度
C.过长的焊接时间
D.焊接速度过快
18.下列哪种玻璃具有较好的耐热冲击性能?()
A.硼硅玻璃
B.铝硅玻璃
C.镁铝硅玻璃
D.硅酸锂玻璃
19.下列哪种方法可以检测玻璃微电子封装的气密性?(")
A.液体浸渍法
B.气体泄漏法
C.高压水射法
D.红外热成像法
20.在玻璃微电子封装领域,以下哪个公司是全球知名的企业?()
A.索尼
B.三星
C.高通
D.英特尔
二、多选题(本题共20小题,每小题1.5分,共30分,在每小题给出的四个选项中,至少有一项是符合题目要求的)
1.玻璃微电子封装具有以下哪些优点?()
A.玻璃熔化
B.芯片粘接
C.封接固化
D.清洗表面
14.下列哪种现象表示玻璃微电子封装的粘接效果良好?()
A.表面光滑
B.无气泡
C.无分层
D.以上都是
15.下列哪种因素会影响玻璃微电子封装的导热性能?()
A.玻璃的热导率

哈尔滨理工大学——微电子封装考试复习题

哈尔滨理工大学——微电子封装考试复习题

1、微电子封装定义及封装的作用?1)为基本的电子电路处理和存储信息建立互连和合适的操作环境的科学和技术,是一个涉及多学科并且超越学科的制造和研究领域。

2)作用---为芯片及部件提供保护、能源、冷却、与外部环境的电气连接+机械连接2、什么是电迁移?电迁移是指在高电流密度(105-106A/cm2)下金属中的质量迁移的现象。

3、什么是芯片尺寸封装?芯片尺寸封装(CSP)是指封装外壳尺寸比芯片本身尺寸仅大一点(最大为芯片尺寸的1.2倍)的一类新型封装技术。

5、可作为倒装芯片凸点的材料有哪些?高可靠性的焊凸点应该在那个工艺阶段制作?凸点的典型制作方法有哪些?其中什么方法也常用于BGA器件焊球的植球?1)凸点材料:a) 钎料:单一钎料连接:高Pb (3Sn97Pb、5Sn95Pb )-陶瓷芯片载体;低Pb (60Sn40Pb )-有机芯片载体双钎料连接:高熔点凸点用低熔点钎料连接到芯片载体C4-Controled Collapse Chip Connection)b) 金属:Au、Cuc) 导电环氧树脂:低成本、低可靠性2)高可靠性的焊凸点制作,是在IC还处于圆片阶段时制作焊凸点。

3)蒸发沉积法;模板印刷法;电镀法;钉头凸点法;钎料传送法;微球法;钎料液滴喷射(印刷)法4)微球法6、扩散焊在什么情况下会采用中间层?中间层材料应具有哪些性能?1)结晶化学性能差别较大的两种材料连接时,极易在接触界面生成脆性金属间化合物。

措施:选择中间层,使中间层金属与两侧材料都能较好的结合,生成固溶体,则实现良好的连接。

2)两种材料的热膨胀系数差别大,在接头区域极易产生很大的内应力。

措施:用软的中间层(甚至几个中间层)过渡,缓和接头的内应力3)扩散连接时,中间层材料非常主要,除了能够无限互溶的材料以外,异种材料、陶瓷、金属间化合物等材料多采用中间夹层的扩散连接。

4)中间层可采用多种方式添加,如薄金属垫片、非晶态箔片、粉末(对难以制成薄片的脆性材料)和表面镀膜(如蒸镀、PVD、电镀、离子镀、化学镀、喷镀、离子注入等)。

微电子封装与焊接技术

微电子封装与焊接技术

微电子封装与焊接技术复习题一•填空题1•微焊接工艺设计的主要内容包括(焊点可靠性设计)、(电路板焊盘设计)、(印刷网板开口设计)2•焊点可靠性设计的目标是确定(必要的焊料量)。

3•下图所示现象称为(曼哈顿)现象。

4•下图所示连接器所采用的连接技术为(压配)连接。

5•板对板连接器的两个主要类别为:(卡边缘连接器)和(两件式连接器)。

6•连接器的可靠性是指在特定时间间隔内在规定条件下产品执行其所设计功能的(概率)7•连接器使用的贵金属镀层有(金)、(钯)和(金或者钯的合金)等。

8•连接器使用的非贵金属镀层有(锡)、(银)和(镍)。

9•锡镀层发生微振腐蚀的主要根源为(插合)循环。

10•接触镀层的选择很大程度上取决于(应用)要求,主要是(耐用性)和(电阻稳定性)11. 接触界面的主要设计参数包括(接触镀层)、(接触正压力)和(接触表面的几何形状)12. 压接系统包括(电线)、(压接端)和、(压接工具的适当组合)。

13. 在可控气氛下进行软钎焊,其中可控气氛一般可分为(反应性)气氛和(保护性)气氛。

14. 对焊点可靠性设计和可靠性评价重点应该是(焊料)的材料特性。

15. 无铅焊料的基体必须是(锡基)。

16. 无铅合成物的熔化温度一般都(高于)63Sn/37Pb的熔化温度。

17. 连接器按应用分类,可分为(信号)应用和(功率)应用。

18. 下图所示连接器采用的连接技术为(压接连接技术)。

19. 连接器的可靠性是指在特定时间间隔内在规定条件下产品执行其所设计功能的(概率)20. 连接器的插合耐久性取决于(接触镀层)、(正压力)和(接触件的几何形状)。

21. 在保持弹性的同时,接触簧片实现的最大正压力由簧片材料的(屈服强度)决定。

22. 电线的规格通常用(其横截面积(平方毫米))或(美国线规(AWG ))来表示。

23. 连接器外壳的电气功能是使各个接触簧片间(相互绝缘)。

24. 除了手工焊接,对于通孔安装的元器件,一般采用(波峰焊)焊接技术,对于SMT元器件,一般采用(回流焊)焊接技术。

微电子封装技术总复习

微电子封装技术总复习

微电子封装技术总复习1、微电子封装技术中常用封装术语英文缩写的中文名称。

主要封装形式:DIP、QFP(J)、PGA、PLCC、SOP(J)、SOT、SMC/D BGA、CCGA、KGD、CSP、DIP:双列直插式封装QFP(J):四边引脚扁平封装PGA:针栅阵列封装PLCC:塑料有引脚片式载体SOP(J):IC小外形封装SOT:小外形晶体管封装SMC/D:表面安装元器件BGA:焊球阵列封装CCGA:陶瓷焊柱阵列封装KGD:优质芯片(已知合格芯片)CSP:芯片级封装MC主要封装工艺技术:WB、TAB、FCB、OLB、ILB、C4、UBM、SMT、THT、COB、COG等。

M(P)、WLP等。

WB:引线键合TAB:载带自动焊FCB:倒装焊OLB:外引线焊接ILB:内引线焊接C4:可控塌陷芯片连接UBM:凸点下金属化SMT:表面贴装技术THT:通孔插装技术COB:板上芯片COG:玻璃上芯片M(P):WLP:圆片级封装不同的封装材料:C、P等。

C:陶瓷封装P:塑料封装T:薄型F:窄节距B:带保护垫2、微电子封装的分级。

零级封装:芯片的连接,即芯片互连级。

一级封装:用封装外壳将芯片封装成单芯片组件和多芯片组件;二级封装:将一级封装和其他组件一同组装到印刷电路板(或其他基板)上;三级封装:将二级封装插装到母板上。

3、微电子封装的功能。

1)电源分配:保证电源分配恰当,减少不必要的电源消耗,注意接地线分配问题。

2)信号分配:使信号延迟尽可能减小,使信号线与芯片的互连路径及通过封装的I/O引出的路径达到最短。

3)散热通道:保证系统在使用温度要求的范围内能正常工作。

4)机械支撑:为芯片和其他部件提供牢固可靠的机械支撑,能适应各种工作环境和条件的变化。

5)环境保护:保护芯片不被周围环境的影响。

4、微电子封装技术中的主要工艺方法:(1)芯片粘接。

1)Au-Si合金法2)Pb-Sn合金片焊接法3)导电胶粘接法(2)互连工艺:WB:主要的WB工艺方法;热压超声焊主要工艺参数、材料;WB工艺方法:热压焊、超声焊(超声键合)和金丝球焊(也叫热压超声焊)热压超声焊主要工艺参数:1.热压焊的焊头形状----楔形,针形,锥形。

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电子封装是指将具有一定功能的集成电路芯片,放置在一个与之相适应的外壳容器中,为芯片提供一个稳定可靠的工作环境;同时,封装也是芯片各个输出、输入端的向外过渡的连接手段,以及起将器件工作所产生的热量向外扩散的作用,从而形成一个完整的整体,并通过一系列的性能测试、筛选和各种环境、气候、机械的试验,来确保器件的质量,使之具有稳定、正常的功能。

从整个封装结构讲,电子封装包括一级封装、二级封装和三级封装。

芯片在引线框架上固定并与引线框架上的管脚或引脚的连接为一级封装;管脚或引脚与印刷电路板或卡的连接为二级封装;印刷电路板或卡组装在系统的母板上并保证封装各组件相对位置的固定、密封、以及与外部环境的隔离等为三级封装。

前工程:从整块硅圆片入手,经过多次重复的制膜、氧化、扩散,包括照相制版和光刻等工序,制成三极管、集成电路等半导体组件卫电极等,开发材料的电子功能,以实现所要求的元器件特性。

后工程:从由硅圆片切分好的一个一个的芯片入手,进行装片、固定、键合连接、塑料灌封、引出接线端子、按印检查等工序,完成作为器件、部件的封装体,以确保元器件的可靠性并便于与外电路连接。

•环保和健康的要求•国内外立法的要求•全球无铅化的强制要求1、无铅钎料的熔点较高。

比Sn37Pb提高34~44 oC。

高的钎焊温度使固/液界面反应加剧。

2 、无铅钎料中Sn含量较高。

(SnAg中96.5% Sn ,SnPb中63%Sn),因为Pb不参与固/液和固/固界面反应,高Sn含量使固/液、固/固界面反应均加速。

3 小尺寸钎料在大电流密度的作用下会导致电迁移的问题。

(1) 无毒化,无铅钎料中不含有毒、有害及易挥发性的元素(2) 低熔点,无铅钎料的熔点应尽量接近传统的Sn-Pb 共晶钎料的熔点(183℃),熔化温度间隔愈小愈好。

(3) 润湿性,无铅钎料的润湿铺展性能应达到Sn-Pb 共晶钎料的润湿性,从而易于形成良好的接头。

(4) 力学性能,无铅钎料应具有良好的力学性能,焊点在微电子连接中一个主要作用是机械连接。

(5) 物理性能,作为微电子器件连接用的无铅钎料,应具有良好的导电性、导热性、延伸率,以免电子组件上的焊点部位因过热而造成损伤,从而提高微电子器件的可靠性。

(6) 成本,从Sn-Pb 钎料向无铅钎料转化,必须把成本的增加控制在最低限度。

因此应尽量减少稀有金属和贵重金属的含量,以降低成本。

电子元器件封装集成度的迅速提高,芯片尺寸的不断减小以及功率密度的持续增加,使得电子封装过程中的散热、冷却问题越来越不容忽视。

而且,芯片功率密度的分布不均会产生所谓的局部热点,采用传统的散热技术已不能满足现有先进电子封装的热设计、管理与控制需求,它不仅限制了芯片功率的增加,还会因过度冷却而带来不必要的能源浪 。

电子封装热管理是指对电子设备的耗热元件以及整机或系统采用合理的冷-~IJl 散热技术和结构设计优化,对其温度进行控制,从而保证电子设备或系统正常、可靠地工作。

热阻由于热导方程与欧姆定律形式上的相似性,可以用类似于电阻的表达式来定义热阻式中,∆T 是温差,q 为芯片产生的热量。

该式适用于各种热传递形式的计算。

1、具有极高耐热性 2、具有极高吸湿性 3、具有低热膨胀性 4、 具有低介电常数特性电解铜箔是覆铜板(CCL)及印制电路板(PCB)制造的重要的材料。

电解铜箔生产工序简单,主要工序有三道:溶液生箔、表面处理和产品分切。

qT R th ∆=性能指标:电解铜箔的抗剥离强度,电解铜箔的抗氧化性能,抗腐蚀性等WB/TAB/FCB三种基本方式BGA的全称是Ball Grid Array,是集成电路采用有机载板的一种封装法。

它具有:①封装面积减少②功能加大,引脚数目增多③PCB板溶焊时能自我居中,易上锡④可靠性高⑤电性能好,整体成本低等特点。

BGA可分为CBGA(陶瓷BGA)、PBGA(塑料BGA)、TBGA(载带BGA)和Micro BGA(微型BGA)。

其中PBGA是最常见的BGA 封装类型,也是目前应用最广泛的BGA器件,主要应用于通信类以及消费类电子产品,具有良好的热综合性能及电性能、较高的互联密度、较低的焊接工面性要求等优点。

影响装配质量的重要因素有:2.1 装配前预处理。

BGA 多为国外进口器件,如果采用铝箔密封干燥包装,包装袋里除了干燥剂之外还有湿度指示卡,指示卡上的色环标记会清晰地表示不同潮湿敏感等级的器件是否需要烘烤。

2.2 贴片精度的保证。

贴片的主要目的是使BGA 上的每个焊球与PCB 上的每个对应的焊盘对正[3],BGA 的贴片无法用肉眼直观地看出其位置是否准确,针对贴片机自动贴片以及返修工作站贴片,只能凭借一定的工艺经验来确定贴片的正确性。

2.3 再流焊温度曲线的设定。

再流焊是形成焊点,实现器件和印制板机械电气互联的最终工序,也是整个装配过程最难控制的环节,获得合适的温度曲线对于BGA 的良好焊接非常重要。

信息系统核心的芯片集成,是将系统关键部件集成在一块芯片上;从广义角度讲, SoC 是一个微小型系统。

一个SoC 芯片内嵌有基本软件模块或可载入的用户软件等。

系统级芯片形成或产生过程包含以下三个方面:1) 基于单片集成系统的软硬件协同设计和验证;2) 再利用逻辑面积技术使用和产能占有比例有效提高即开发和研究IP 核生成及复用技术,特别是大容量的存储模块嵌入的重复应用等;3) 超深亚微米(VDSM) 、纳米集成电路的设计理论和技术。

SoC 设计的关键技术主要包括总线架构技术、IP 核可复用技术等,此外还要做嵌入式软件移植、开发研究,SOC 是集成电路发展的必然趋势,1. 技术发展的必然2. IC 产业未来的发展。

系統級封裝. 與在電路板上採用多個晶片的系統設計相比,使用SIP 實現的方案更小、更輕、更薄,另一個好處是這樣可以減少或消除客戶對高速電路設計的需求。

另一項與此相關的優勢是SIP 產生的EMI 噪音更小。

SIP 節省了電路板空間,因此也附帶降低了電路板成本。

甚至與SoC 相比,SIP 的開發周期更短而開發成本更低.隨著元件、製程和製造方法的發展和改進,SIP 技術有望為眾多電子產品提供更大的容量以及更加多樣化的系統解決方案。

隨著不斷提供能更好滿足客戶需求的產 品,SIP 產品將在PC 周邊、光碟、硬碟、娛樂系統和工業設備以及導航系統等? ?許多領域得到廣泛應用。

为确保封装的可靠性,在产品出厂之前要经过大量的试验来验证。

理想的做法是在与实际应用完全相同的环境下进行实验。

但通常电子产品的设计寿命都很长,这样不切实际。

即使时间不是问题,在实验室里模拟实际环境也是不可能的。

•加速实验为在适当的环境下、合理的时间内进行可靠性试验,这就需要进行加速实验。

热、力、电与环境湿度等因素构成了加速实验的基本要素。

•加速因子加速因子(AF)定义为正常使用环境寿命与加速实验寿命之比。

加速因子是非常重要的一个参数。

目前,这是一个非常热门的研究领域。

•β和λ为威布尔分布参数。

参数β 称为形状因子,它决定了平均失效时间附近的失效频率;λ称为寿命参数,在t=λ时,63. 2%的器件失效。

•有了威布尔分布,只需要少量的实验数据就可以得到关于器件可靠性的解析模型,从而可以估计在任何时间内的失效概率。

•更重要的是,一旦知道威布尔分布中的参数值,就可以通过数据来比较器件的性能。

比如,一组器件的λ值比另一组大,这说明λ值大的一组器件的平均寿命要长。

•化学失效:如腐蚀和超强应力腐蚀;•物理失效:如扩散和分层;如电迁移。

•热形变失效:如疲劳和蠕变。

沉淀析出(弥散)强化相蠕变抗力的大小次序:Sn-37Pb<Sn-0.7Cu<Sn-3.5Ag<Sn3.8Ag-0.7Cu蠕变温度相同,表观应力指数n a随着合金中第二相体积分数的增加而增大电迁移现象的物理本质是在电流流经焊点的过程中,大量的自由电子与焊点中的离子或原子发生非弹性碰撞,在碰撞过程中,电子会将一部分动量传递给原子。

在大量电子的连续作用下.焊点中的原子发生宏观迁移,原子迁移的方向通常与电子流动的方向一致。

当大量原子在电子流的作用下由阴极涌向阳极并且在阳极积累时,会导致阳极原子产生晶格压应力,而随着空位浓度的不断增大.阴极原子产生晶格拉应力。

阳极在不断增大的压应力作用下,会产生凸起(hillocks)、挤出、晶须(whiskers),甚至出现塑性变形等现象。

阴极由于原不断减少,原子之间的间距增大,在晶格拉应力的持续作用下就会诱发空洞(viods),形成裂纹。

而整个品格为了保持系统原有的平衡状态会随之产生反向背应(back stress),但反向背应力通常要小于电迁移作用力。

(孙敏写的,应该是下面几个式子)=()()1无铅钎料的熔点较高。

比Sn37Pb提高34~44 o C。

高的钎焊温度使固/液界面反应加剧。

2 无铅钎料中Sn含量较高。

(SnAg中96.5% Sn ,SnPb中63%Sn),因为Pb不参与固/液和固/固界面反应,高Sn含量使固/液、固/固界面反应均加速。

3 小尺寸钎料在大电流密度的作用下会导致电迁移的问题。

尺寸效应使接头承受更大的应力和电流密度;尺寸效应使界面IMC所占焊点的体积百分数增加;尺寸效应影响到界面反应,以及可靠性。

在50微米范围内,材料的模量,CTE,强度和塑性差异较大;基体金属的溶解导致焊点的成分、组织和性能变化;较高的钎焊工艺温度,使界面反应加速,热应力更严重。

在400-600um直径SAC/Cu焊点中,Ag3Sn化合物形态基本呈树枝网状,而在300um以下直径SAC/Cu焊点,Ag3Sn相则基本呈颗粒分布,可见随着焊点体积的减小,Ag3Sn化合物有逐渐细化的趋势。

第二相质点呈树枝网状分布将使材料的脆性增强,而弥散分布的颗粒状第第二相质点不仅具有第二相强化作用,而且能使材料保持良好的塑性,材料的力学性能较好。

因此,Ag3Sn化合物形态在不同体积焊点中的差异必将引起不同体积焊点力学行为的显著变化。

别外,界面处的Cu6Sn5化合物层也有细微差别,小体积焊点的Cu6Sn5比大体积焊点更加细密,这将大大增加金属间化合物层与钎料基体的接触面积,也会提高焊点的剪切强度。

因此,小体积焊点的剪切强度要高于大体积焊点。

在焊点内部发现的六棱柱状的C化合物,也将对焊点裂纹扩展产生一定的阻碍作用。

(无解)焊接是通过加热或加压,或两者并用,也可能用填充材料,使工件达到结合的方法。

通常有熔焊、压焊和钎焊三种。

钎焊是用比母材熔点低的钎料和焊件一同加热,使钎料熔化(焊件不熔化)后润湿并填满母材连接的间隙,钎料与母材相互扩散形成牢固连接的方法。

较之熔焊,钎焊时母材不熔,仅钎料熔化;较之压焊,钎焊时不对焊件施加压力。

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