模电100个知识点
模电100个知识点总结
模电100个知识点总结1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为压降约为_0.2_V。
2、二极管的正向电阻3。
ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时，PN特性。
7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7 伏；其门坎电压Vth约为 0.5 伏。
8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
N型半导体的多子为自由电子、本征半空穴（P）半导体和电子，它的两个主要参数是反映正向特、在常温下，硅二极管的开启电压约为 0.5 V压降约为 0.7 V。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。
15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、极管的β增加，则IBQ 增大，ICQ增大，UCEQ减小。
19饱和，放大。
集成运算放大器是一种采用20Va = 1.2V， Vb= 0.5V, Vc= 3.6V, 试问该三极管是硅管管（材料）， NPN 型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的 C 。
21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 80 dB，总的电压放大倍数为 10000 。
22、三极管实现放大作用的外部条件是：发射结正偏、集电结反偏。
某放大电路中的三极管，测得管脚电压Va = -1V，Vb=-3.2V, Vc=-3.9V, 这是硅管（硅、锗）， NPN 型，集电极管脚是a 。
模电基础知识
模拟电路基础 复习资料一、填空题1．在P 型半导体中，多数载流子是（ 空隙 ），而少数载流子是（ 自由电子 ）。
2．在N 型半导体中，多数载流子是（ 电子 ），而少数载流子是（ 空隙 ）。
3．当PN 结反向偏置时，电源的正极应接（ N ）区，电源的负极应接（ P ）区。
4．当PN 结正向偏置时，电源的正极应接（ P ）区，电源的负极应接（ N ）区。
4.1、完全纯净的具有晶体结构完整的半导体称为 本征半导体 ，当掺入五价微量元素便形成 N 型半导体 ，其电子为 多数载流子，空穴为 少数载流子 。
当掺入三价微量元素便形成 P 型半导体 ，其 空穴为多子 ，而 电子为少子 。
4.2、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。
4.3、二极管有一个PN 结，它具有单向导电性，它的主要特性有：掺杂性、热敏性、光敏性。
可作开关、整流、限幅等用途。
硅二极管的死区电压约为0.5V ，导通压降约为0.7V ，锗二极管的死区电压约为0.1V 、导通压降约为0.2V 。
5、三极管具有三个区：放大区、截止区、饱和区，所以三极管工作有三种状态：工作状态、饱和状态、截止状态，作放大用时，应工作在放大状态，作开关用时，应工作在截止、饱和状态。
5.1、三极管具有二个结：即发射结和集电结。
饱和时：两个结都应正偏；截止时：两个结都应反偏。
放大时：发射结应（ 正向 ）偏置，集电结应（ 反向 ）偏置。
5.2、三极管放大电路主要有三种组态，分别是： 共基极电路、共集电极电路、共发射极电路。
共射放大电路无电压放大作用，但可放大电流。
共基极放大电路具有电压放大作用，没有倒相作用。
且共基接法的输入电阻比共射接法低.5.3、共射电极放大电路又称射极输出器或电压跟随器,其主要特点是电压放大倍数小于近似于1、输入电阻很大、输出电阻很小。
5.4单管共射放大电路中，1.交直流并存，2.有电压放大作用，3.有倒相作用。
模电100个知识点
模电100个知识点总结1．在常温下，硅二极管得门槛电压约为，导通后在较大电流下得正向压降约为0、7V；锗二极管得门槛电压约为向压降约为_0、2_V。
2、二极管得正向电阻3、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层4、二极管最主要得电特性就是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术与数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化得电压或电流信号下工作得电子电路及其技术，称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时，PN性。
7、硅二极管导通后，其管压降就是恒定得，且不随电流而改变，典型值为 0、7 伏；其门坎电压Vth约为 0、5 伏。
8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子得扩散运动形成。
N型半导体得多子为自由电子、本征半导、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体与电子（N）它得两个主要参数就是反映正向、在常温下，硅二极管得开启电压约为 0、5 V压降约为 0、7 V。
13、频率响应就是指在输入正弦信号得情况下，输出随频率连续变化得稳态响应。
15、N型半导体中得多数载流子就是电子，少数载流子就是空穴。
16、按一个周期内一只三极管得导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙管得β增加，则IBQ 增大，ICQ增大，UCEQ减小。
19，饱与，放大。
集成运算放大器就是一种采用20Va = 1、2V， Vb=0、5V, Vc= 3、6V, 试问该三极管就是硅管管（材料）， NPN 型得三极管，该管得集电极就是a、b、c中得 C 。
21、已知某两级放大电路中第一、第二级得对数增益分别为60dB与20dB, 则该放大电路总得对数增益为 80 dB，总得电压放大倍数为 10000 。
22、三极管实现放大作用得外部条件就是：发射结正偏、集电结反偏。
某放大电路中得三极管，测得管脚电压Va = -1V，Vb=-3、2V, Vc=-3、9V, 这就是硅管（硅、锗）， NPN 型，集电极管脚就是 a 。
模电面试知识点
模电面试知识点1. 电路基础知识•电流、电压、电阻的概念及其关系•基本电路元件：电阻、电容、电感的特性和应用•安培定律、基尔霍夫定律和欧姆定律的应用•串联、并联电路的计算方法和特性2. 放大器•放大器的基本原理及分类•放大器的增益计算方法•放大器的输入、输出阻抗和增益的关系•放大器的频率响应和带宽3. 滤波器•滤波器的基本原理及分类•一阶和二阶滤波器的特性和应用•滤波器的频率响应和截止频率的计算方法•滤波器的阻抗匹配和输入输出阻抗的影响4. 振荡器•振荡器的基本原理及分类•正弦波振荡器和方波振荡器的特性和应用•振荡器的频率稳定度和调谐方法•振荡器的启动条件和稳定性分析5. 运放•运放的基本原理和特性•运放的反馈机制和放大模式•运放的输入、输出阻抗和增益的计算方法•运放的应用：比较器、积分器、微分器等6. 数字电路基础•逻辑门及其真值表和特性•组合逻辑电路和时序逻辑电路的区别和应用•逻辑门的布尔代数和逻辑运算•数制转换和编码方法7. 传感器和信号处理•常见传感器的工作原理和特性•传感器的信号调理和放大方法•模数转换和数模转换的原理和应用•传感器信号的滤波和增强技术8. 电源和稳压电路•常见电源的类型和特点•线性稳压电路和开关稳压电路的原理和应用•电源的效率、纹波和稳定性分析•电源滤波和短路保护技术9. 模拟与数字信号的转换•模拟信号的采样和量化方法•数字信号的编码和解码方法•数字信号处理的基本原理和算法•模拟信号与数字信号的互相转换10. 模电实验和测量技术•基本电路元件的测量方法和仪器•放大器的电压和电流测量方法•滤波器的频率响应和截止频率的测量•模电实验的设计、搭建和分析方法以上是模电面试的一些基本知识点，希望对你有所帮助。
在准备面试时，建议结合教材和相关资料，进行深入学习和实践。
祝你面试顺利！。
模电知识点总结
模电知识点总结1. 电路基本原理电路是电子技术的基础，它是由电阻、电容和电感等元件组成的。
在模拟电子技术中，我们经常需要分析和设计各种电路。
因此，了解电路基本原理是学习模拟电子技术的第一步。
电路分析包括欧姆定律、基尔霍夫定律、节点电压法和网孔电流法等。
这些原理是分析电路的重要工具，可以帮助我们理解电路中各个元件之间的关系。
2. 放大器放大器是模拟电子技术中的重要部分，它的作用是放大电压或电流信号。
放大器包括各种类型，例如运放放大器、电子管放大器和功率放大器等。
学习放大器的原理和特性可以帮助我们设计各种类型的放大器电路。
在实际应用中，放大器经常用于音频放大、信号处理和通信系统等领域。
3. 滤波器滤波器是模拟电子技术中的重要部分，它的作用是通过滤波器电路来处理信号中的不同频率成分。
常见的滤波器包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器等。
了解滤波器的原理和特性可以帮助我们设计滤波器电路以及实现信号处理和分析等功能。
4. 模拟信号处理电路模拟信号处理电路是模拟电子技术的核心内容，它包括各种模拟信号处理和传输电路。
常见的模拟信号处理电路包括模拟加减法器、积分器、微分器、比较器和信号发生器等。
了解这些电路的原理和特性可以帮助我们设计各种模拟信号处理系统和仪器。
5. 模拟数字转换模拟数字转换（ADC和DAC）是模拟电子技术中的重要部分，它的作用是将模拟信号转换为数字信号或将数字信号转换为模拟信号。
了解ADC和DAC的原理和特性可以帮助我们设计各种模拟数字转换电路以及实现数字信号处理和传输等功能。
总之，模拟电子技术是电子工程中的一个重要分支，它在通信、音频、视频和医疗等领域都有广泛的应用。
通过学习模拟电子技术的知识点，我们可以掌握电子技术的基本原理和技能，为未来的工作和研究打下良好的基础。
希望以上总结的知识点能对学习模拟电子技术的朋友们有所帮助。
模电100个知识点学习资料
模电100个知识点模电100个知识点总结1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为降约为_0.2_V。
2、二极管的正向电阻3。
ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层4极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时，PN特性。
7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 0.7 伏；其门坎电压V th约为 0.5 伏。
8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
N型半导体的多子为自由电子、本征半、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子，它的两个主要参数是反映正向特、在常温下，硅二极管的开启电压约为 0.5 V压降约为 0.7 V。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。
15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、极管的β增加，则I BQ增大，I CQ增大，U CEQ减小。
19，饱和，放大。
集成运算放大器是一种采用20Va = 1.2V， Vb=0.5V, Vc= 3.6V, 试问该三极管是硅管管（材料）， NPN 型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的 C 。
21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 80 dB，总的电压放大倍数为 10000 。
22、三极管实现放大作用的外部条件是：发射结正偏、集电结反偏。
某放大电路中的三极管，测得管脚电压V a = -1V，V b =-3.2V, V c =-3.9V, 这是硅管（硅、锗）， NPN 型，集电极管脚是 a 。
(完整版)模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结
1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
特性：热敏性、光敏性、掺杂性。
2、本征半导体：完全纯净的具有晶体结构完整的半导体。
3、在纯净半导体中掺入三价杂质元素，形成P型半导体，空穴为多子，电子为少子。
4、在纯净半导体中掺入五价杂质元素，形成N型半导体，电子为多子、空穴为少子。
5、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。
6、硅管Uo n和Ube：0.5V和0.7V ；锗管约为0.1V和0.3V。
7、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。
（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。
8、二极管主要用途：开关、整流、稳压、限幅、继流、检波、隔离（门电路）等。
9、三极管的三个区：放大区、截止区、饱和区。
三种状态：工作状态、截止状态、饱和状态，放大时在放大状态，开关时在截止、饱和状态。
三个极：基极B、发射极E和集电极C。
二个结：即发射结和集电结。
饱和时：两个结都正偏；截止时：两个结都反偏；放大时：发射结正偏，集电结反偏。
三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数β=I C / I B (或I C=β I B)和开关作用.10、当输入信号I i很微弱时,三极管可用H参数模型代替(也叫微变电路等效电路)。
11、失真有三种情况:⑴截止失真原因I B、I C太小，Q点过低，使输出波形正半周失真。
调小R B，以增大I B、I C，使Q点上移。
⑵饱和失真原因I B、I C太大，Q点过高，使输出波形负半周失真。
调大R B，以减小I B、I C，使Q点下移。
⑶信号源U S过大而引起输出的正负波形都失真，消除办法是调小信号源。
1、放大电路有共射、共集、共基三种基本组态。
（固定偏置电路、分压式偏置电路的输入输出公共端是发射极，故称共发射极电路）。
共射电路的输出电压U0与输入电压U I反相，所以又称反相器。
模电知识点总结讲义
模电知识点总结讲义第一部分：基本概念1. 电子元件电子元件是指能处理信息的基本部件，包括电阻、电容、电感、二极管、晶体管等。
- 电阻：用于限制电流或降低电压的元件。
- 电容：用于储存电荷或储存能量的元件。
- 电感：用于储存磁场能量或阻碍电流变化的元件。
- 二极管：用于整流、开关、放大等功能的元件。
- 晶体管：用于放大、开关、稳压等功能的元件。
2. 电路电路是由电子元件连接而成的路径，用于传输电流或信号。
- 直流电路：电流方向不变的电路。
- 交流电路：电流方向时而正时而负的电路。
- 数字电路：用于处理数字信号的电路。
- 模拟电路：用于处理模拟信号的电路。
3. 电路分析电路分析是指根据电路中元件的特性和连接关系，计算电压、电流等参数的过程。
- 基尔霍夫定律：电路中各节点的电流代数和为零。
- 欧姆定律：电流与电压成正比，电阻是电压和电流的比值。
- 诺顿定理：任意线性电路均可用一个等效的电压源和串联电阻来替代。
- 戴维南定理：任意线性电路均可用一个等效的电流源和并联电阻来替代。
4. 信号处理信号是指传输信息的载体，信号处理是对信号进行增强、滤波、调制等操作的过程。
- 放大器：用于增强信号幅度的电路。
- 滤波器：用于去除或增强特定频率的电路。
- 调制器：用于将低频信号调制到高频载波上的电路。
第二部分：放大器1. 放大器类型- 基本放大器：包括共射、共集、共底极等类型。
- 差分放大器：用于抑制共模信号的放大器。
- 电压跟随器：用于输出跟随输入信号的放大器。
2. 放大器设计- 选型：根据放大器的功率、频率、噪声等性能要求选择适当的器件。
- 偏置：通过电阻、电容等元件来设置放大器工作点。
- 反馈：通过串联或并联的电阻、电容等元件来控制放大器的增益、带宽等性能。
3. 放大器应用- 信号放大：用于将传感器输出的微弱信号放大到可测量范围。
- 信号传输：用于增强信号以便传输到远处或驱动加载。
第三部分：滤波器1. 滤波器类型- 低通滤波器：允许低频信号通过，阻断高频信号。
模电笔记知识点总结
模电笔记知识点总结一、模拟信号处理1. 模拟信号与数字信号模拟信号是指信号的数值是连续变化的，可以用连续的数学函数表示。
数字信号是指信号的数值是离散的，需要经过模数转换才能表示成数值输出。
模拟信号处理的目的是将模拟信号转换为数字信号，或者将数字信号转换为模拟信号。
2. 采样与保持采样是指将连续的模拟信号按照一定的时间间隔进行取样，得到一系列的离散数值。
保持是指在采样之后，保持所获得的信号值，直到下一次采样。
3. 模拟信号重构模拟信号重构是指将数字信号重新转换为模拟信号。
通常通过数字到模拟转换器（DAC）来实现。
4. 模拟信号滤波模拟信号滤波是指对模拟信号进行频率特性的调整，滤除不需要的频率成分，以及放大需要的频率成分。
常见的滤波器包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器。
5. 模拟信号调制模拟信号调制是指将模拟信号转换为相应的调制信号，以便在传输和处理中更容易应用。
常见的模拟信号调制方式包括调幅调制（AM）、调频调制（FM）和调相调制（PM）。
二、放大器设计1. 放大器的基本原理放大器是一种电路，它可以放大输入信号的幅度，并输出相应的放大信号。
放大器的核心原理是利用晶体管或运算放大器等电子器件的非线性特性，实现信号的增益。
放大器的设计目标通常包括增益、带宽、输入/输出阻抗、噪声等方面的考虑。
2. 放大器的分类放大器可以根据其工作方式、频率响应等特性进行分类。
比较常见的放大器包括运算放大器、差分放大器、共模抑制放大器、功率放大器等。
3. 放大器的频率特性放大器的频率特性是指放大器对不同频率信号的响应。
常见的频率特性包括通频带、截止频率、增益带宽积等。
4. 放大器的非线性失真非线性失真是指放大器输出信号与输入信号之间存在非线性关系，导致输出信号不完全等于输入信号。
常见的非线性失真包括谐波失真、交调失真等。
5. 放大器的稳定性放大器的稳定性是指当放大器输出端负载发生变化时，放大器是否能够保持稳定的工作状态。
模拟电路基础知识大全
模拟电路基础知识大全5、三极管放大作用的外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic会(增大)，发射结压降(减小)。
7、三极管放大电路共有三种组态，分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用(直流)负反馈，为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。
9、负反馈放大电路的放大倍数AF为(A/1+AF)，对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/F)。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW，其中BW=(fh-fl)，(1+AF)称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为(共模)信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为(差模)信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真，而采用(甲乙)类互补功率放大器。
13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路；OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1)，输入电阻(大)，输出电阻(小)等特点，所以常用在输入级、输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移，也称(温度)漂移，所以它广泛应用于(集成)电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波)，未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为(载波信号)。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy)。
1.当温度升高时，三极管的等电极电流I会增大，发射结压降UBE会减小。
2.晶体三极管具有放大作用时，发射结为正偏，集电结为反偏。
3.三极管放大电路共有三种组态：共射极、共基极、共集电极放大电路。
4.为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用直流负反馈；为了减小输出电阻，采用电压负反馈。
5.负反馈放大电路的放大倍数Af为A/(1+AF)，对于深度负反馈，Af为1/F。
6.共模信号是大小相等、极性相同的两个信号。
模电必考知识点总结
模电必考知识点总结一、基本电路理论1. 电路基本定律欧姆定律、基尔霍夫定律、电路中的功率计算等基本电路定律是模拟电子技术学习的基础，了解和掌握这些定律对于学习模拟电子技术是非常重要的。
2. 电路分析了解如何对电路进行简化、等效电路的转换、戴维南定理和诺依曼定理等电路分析的基本方法。
3. 电路稳定性掌握电路的稳定性分析方法，包括如何对直流放大电路和交流放大电路进行稳定性分析。
4. 传输线理论了解传输线的基本特性，包括传输线的阻抗、反射系数、传输线的匹配等知识。
二、放大电路1. 二极管放大电路了解二极管的基本特性和放大电路的设计原理，包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的二极管放大电路。
2. 晶体管放大电路了解晶体管放大电路的基本原理和设计方法，包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的晶体管放大电路。
3. 放大电路的频率响应了解放大电路的频率响应特性，包括截止频率、增益带宽积等相关知识。
4. 反馈电路掌握反馈电路的基本原理和分类，了解正反馈和负反馈电路的特点和应用。
三、运算放大电路1. 运算放大器的基本特性了解运算放大器的基本特性，包括输入输出阻抗、放大倍数、共模抑制比等相关知识。
2. 运算放大器的电路应用了解运算放大器在反馈电路、比较电路、滤波电路、振荡电路等方面的应用，掌握运算放大器的基本应用方法。
四、滤波器电路1. RC滤波器和RL滤波器了解RC滤波器和RL滤波器的基本原理、特性和应用，包括一阶和二阶滤波器的设计和性能分析。
2. 增益电路和阻抗转换电路掌握增益电路和阻抗转换电路的设计原理和方法，了解它们在滤波电路中的应用。
3. 模拟滤波器设计了解低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻（陷波）滤波器的设计方法和特性，掌握模拟滤波器的设计技巧。
五、功率放大电路1. BJT功率放大电路了解晶体管功率放大电路的基本原理和设计方法，包括类A、类B、类AB和类C功率放大电路的特点和应用。
模电基础知识
模电基础知识模电基础1.有源滤波器和无源滤波器的区别有源滤波器：电路主要由集成运放和R、C组成。
具有不用电感、体积小、重量轻的优点。
集成运放的开环电压增益和输入阻抗均很高，输出电阻小，构成有源滤波电路后还具有一定的电压放大和缓冲作用。
但集成运放带宽有限，所以有源滤波电路的工作频率难以做的很高。
无源滤波器：电路主要有无源元件R、C、L组成。
（按内部是否有电源，或者看元件工作时是否消耗能量和将电能转换为其他电能量分为有源元件和无源元件）2.什么是负载？什么时带负载能力？把电能转换为其他形式的能量叫负载。
负载的变化对于电路输出特性（输出电压、输出电流）的影响很小，不会因负载的剧烈变化而变化，这就是电路的带负载能力。
3.什么是输入电阻和输出电阻？在独立源不作用（电压源短路、电流源开路）的情况下，由端口看入，电路可用一个等效电阻看待，这个等效电阻称为该电路的输入电阻Ri；从放大电路看入的等效内阻称为输出电阻Ro。
4.差模信号和共模信号两个大小相等、极性相反的一对信号称为差模信号。
两个大小相等、极性相同的一对信号称为共模信号。
在差动放大器中，有用信号用差模输入，干扰信号用共模输入，干扰信号将被抑制的很小。
5.阻抗匹配阻抗匹配指信号源或者传输线和负载之间的一种合适的搭配，阻抗匹配分为低频和高频两种情况讨论。
低频电路：负载电阻跟信号源内阻相等时，负载输出功率最大。
对于纯电阻电路，低、高频电路都适合此结论。
对于含有容性或感性电阻的交流电路，信号源与负载电阻的实部相等，虚部互为相反数，此为共轭匹配。
高频电路：负载阻抗和传输线的特征阻抗应该相等，这就是传输线的阻抗匹配。
否则在负载端会产生反射。
6.电压放大、电流放大、功率放大主要考虑的放大指标是什么，就叫什么放大。
例如只考虑输出功率与输入功率的关系，就叫功率放大，其实输出的还有电压。
7.晶体管工作在放大区、饱和区、截至区，发射结和集电结的偏置状况8.闩锁效应又称寄生pnpn效应或可控硅整流器效应，在整体硅的CMOS管下，不同极性掺杂的区域间都会构成PN结，而两个靠近的反方向的PN结就构成了一个双极性晶体三极管。
模电 知识点总结
模电知识点总结一、基本概念1. 电路元件：模拟电子技术的基本元件包括电阻、电容、电感、二极管、晶体管等。
其中，电阻用于限制电流，电容用于储存电荷，电感用于储存能量，二极管用于整流、开关等，晶体管用于放大、开关等。
2. 信号：在模拟电子技术中，信号是指随时间或空间变化的电压或电流。
常见的信号形式有直流信号、交流信号、脉冲信号等。
3. 放大器：放大器是模拟电子技术中的重要元件，用于放大输入信号的幅度。
常见的放大器有运放放大器、晶体管放大器等。
4. 滤波器：滤波器是用于选择特定频率范围内的信号，常用于滤除噪声、提取特定频率成分等。
5. 调制解调：调制是将基带信号调制到载波上，解调是将载波信号解调还原为基带信号。
调制解调技术是模拟电子技术中的重要应用之一。
二、基本电路1. 电阻电路：电阻是最基本的电路元件之一，常用于限制电流、调节电压和波形、分压等。
常见的电阻电路包括电压分压电路、电流分压电路、电阻网络等。
2. 电容电路：电容是能存储电荷的元件，常用于滤波、积分、微分等。
常见的电容电路包括RC电路、LC电路、多级滤波器等。
3. 电感电路：电感是储存能量的元件，常用于振荡器、磁耦合放大器等。
常见的电感电路包括RLC电路、振荡电路、滤波器等。
4. 滤波器电路：滤波器是用于选择特定频率范围内的信号的电路，常用于滤除杂散信号、提取特定频率成分等。
常见的滤波器包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、陷波滤波器等。
5. 放大器电路：放大器是用于放大电压、电流信号的电路，常用于信号调理、传感器信号放大、运算放大器电路等。
常见的放大器电路包括运算放大器电路、放大器电路、多级放大器电路等。
6. 混频器电路：混频器是用于将两路信号进行混频得到中频信号的电路，常用于调频收音机、超外差接收机等。
常见的混频器电路包括倍频器电路、调频接收机电路、超外差接收机电路等。
7. 调制解调电路：调制解调电路是用于调制解调信号的电路，常用于调制解调的通信系统、调幅收音机、调频收音机等。
模电总结知识点复习资料大全
模电总结知识点复习资料⼤全模电总结知识点复习资料⼤全第⼀章节半导体⼆极管的基本原理⼀.半导体的基础知识讲解1.半导体---导电能⼒介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流⼦----带有正、负电荷的可移动的空⽳和电⼦统称为载流⼦。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺⼊微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺⼊微量的三价元素（多⼦是空⽳，少⼦是电⼦）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺⼊微量的五价元素（多⼦是电⼦，少⼦是空⽳）。
6. 杂质半导体的特性定理*载流⼦的浓度---多⼦浓度决定于杂质浓度，少⼦浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体⾃⾝的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，⼀种杂质半导体可以改型为另外⼀种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截⽌。
8. PN结的伏安特性⼆. 半导体⼆极管*单向导电性------正向导通，反向截⽌。
*⼆极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析⽅法------将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳1）图解分析算法该式与伏安特性曲线的交点叫静态⼯作点Q。
2) 等效电路算法直流等效电路法*总的解题⼿段----将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳*三种模型微变等效电路法三. 稳压⼆极管及其稳压电路*稳压⼆极管的特性---正常⼯作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压⼆极管在电路中要反向连接。
模电知识点复习总结
模电知识点复习总结模拟电子技术（模电）是电子工程中的重要基础学科之一，主要研究电路中的电压、电流以及能量的传输和转换。
下面是我对模电知识点的复习总结：一.基础知识1.电路基本定律：欧姆定律、基尔霍夫定律、电压分压定律、电流分流定律、功率定律。
2.信号描述与频域分析：时间域与频域的关系。
傅里叶级数和傅里叶变换的基本概念和应用。
3.理想放大器：增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗的概念和计算方法。
4.放大器基本电路：共射、共集、共基放大器的特点、电路结构和工作原理。
二.放大器设计1.放大器的参数：增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗。
2.放大器的稳定性：稳态稳定性和瞬态稳定性。
3.放大器的频率响应：截止频率、增益带宽积、输入/输出阻抗对频率的影响。
4.放大器的非线性失真：交趾略失真、交调失真、互调失真等。
5.放大电路的优化设计：负反馈、输入/输出阻抗匹配、增益平衡等。
三.运算放大器1.运算放大器的基本性质：增益、输入阻抗、输出阻抗、共模抑制比。
2.电压放大器：非反转放大器、反转放大器、仪表放大器、差分放大器。
3.运算放大器的应用电路：比较器、积分器、微分器、换相器、限幅器等。
4.运算放大器的非线性失真：输入失真、输出失真、交调失真等。
四.双向可调电源1.双向可调电源的基本原理：输入电压、输出电压和控制信号之间的关系。
2.双向可调电源的电路结构：移相电路、比较器、反相放大器、输出级等。
3.双向可调电源的控制方式：串行控制和并行控制。
五.滤波器设计1.常见滤波器类型：低通、高通、带通和带阻滤波器。
2.滤波器的频率响应特性：通频带、截止频率、衰减量。
3.滤波器的传输函数：频率选择特性、阶数选择。
4.滤波器的实现方法：RC、RL、LC和电子管等。
六.可控器件1.二极管：理想二极管模型、二极管的非理想特性、二极管的应用。
2.可控硅：双向可控硅、单向可控硅、可控硅的触发电路和应用。
3.功率晶体管：NPN、PNP型功率晶体管的特性参数、功率放大电路设计。
模电知识点总结笔试
模电知识点总结笔试一、基础理论知识1. 电子学基础（1）电子学的基本概念：电子、电荷、电流、电压等。
（2）半导体物理学：半导体材料的性质、PN结的特性等。
2. 电路基础（1）电路分析方法：基尔霍夫定律、戴维南定理、叠加原理等。
（2）电路中的元件：电阻、电容、电感等实际应用。
二、模拟信号处理1. 信号与系统（1）信号的分类：连续信号、离散信号、周期信号、非周期信号等。
（2）系统的分类：线性系统、非线性系统、时变系统、时不变系统等。
2. 模拟滤波（1）滤波器的分类：低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器等。
（2）滤波器的设计：巴特沃斯滤波器、切比雪夫滤波器、椭圆滤波器等。
三、放大电路1. 放大器的基本概念（1）放大器的分类：按输入输出信号类型分为模拟放大器和数字放大器。
（2）放大器的性能参数：增益、带宽、输入阻抗、输出阻抗等。
2. 放大电路设计（1）基本放大电路：共射放大器、共集放大器、共基放大器等。
（2）放大电路稳定性分析：稳定性条件、负反馈、电容耦合等。
四、信号发生与调制1. 信号发生器（1）基本信号源：RC震荡器、LC震荡器、晶体振荡器等。
（2）信号源的稳定性分析：频率稳定度、振幅稳定度、相位噪声等。
2. 调制技术（1）调制原理：调频、调幅、调相等基本调制方式的原理和特点。
（2）调制电路设计：频率调制电路、幅度调制电路、相位调制电路等。
五、反馈电路1. 反馈的基本概念（1）反馈电路的分类：正反馈、负反馈。
（2）反馈电路的性能：增益稳定、带宽拓展、非线性失真降低等。
2. 反馈网络设计（1）反馈网络结构：电流负反馈、电压负反馈。
（2）反馈网络应用：放大电路、振荡器、滤波器等反馈电路的设计。
六、运算放大器1. 运算放大器的特性（1）运算放大器的基本原理：差分输入、单端输出、大增益、高输入阻抗等。
（2）运算放大器的理想模型：无输入偏置电流、无输入偏置电压等。
2. 运算放大器的应用（1）运算放大器在电路中的基本应用：比较器、积分器、微分器等。
模电知识点笔记
模电知识点笔记一、半导体基础知识。
1. 半导体材料。
- 本征半导体：纯净的、具有晶体结构的半导体，如硅（Si）和锗（Ge）。
在本征半导体中，存在两种载流子：电子（带负电）和空穴（带正电）。
电子是由于共价键中的价电子挣脱共价键的束缚而形成的自由电子，空穴是共价键中留下的空位，它可以吸引相邻共价键中的电子来填补，从而表现出正电荷的移动。
- 杂质半导体。
- N型半导体：在本征半导体中掺入五价元素（如磷P），五价元素的四个价电子与周围硅原子形成共价键，多余的一个价电子很容易成为自由电子，因此N型半导体中电子是多数载流子（多子），空穴是少数载流子（少子）。
- P型半导体：在本征半导体中掺入三价元素（如硼B），三价元素与周围硅原子形成共价键时会产生一个空穴，所以P型半导体中空穴是多子，电子是少子。
2. PN结。
- 形成：当P型半导体和N型半导体结合在一起时，由于P区空穴浓度高，N区电子浓度高，空穴和电子会发生扩散运动。
P区的空穴向N区扩散，N区的电子向P区扩散，扩散的结果是在交界面附近形成一个空间电荷区，这个空间电荷区就是PN结。
- 特性。
- 单向导电性：当PN结外加正向电压（P区接电源正极，N区接电源负极）时，称为正向偏置。
此时，外电场削弱内电场，多子的扩散运动增强，形成较大的正向电流，PN结导通。
当PN结外加反向电压（P区接电源负极，N区接电源正极）时，称为反向偏置。
外电场增强内电场，少子的漂移运动增强，但少子数量少，形成很小的反向电流（几乎为零），PN结截止。
二、二极管及其应用。
1. 二极管的结构和符号。
- 结构：二极管是由一个PN结加上相应的电极引线和管壳构成的。
- 符号：二极管的符号中，箭头方向表示正向电流的方向，即从P区指向N区。
2. 二极管的伏安特性。
- 正向特性：当二极管正向偏置时，正向电压较小时，正向电流几乎为零，这个区域称为死区。
硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.1V。
当正向电压超过死区电压后，正向电流随正向电压的增加而迅速增大。
(完整版)模电知识总结
第一部分半导体的基本知识二极管、三极管的结构、特性及主要参数；掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。
1、导体导电和本征半导体导电的区别：导体导电只有一种载流子：自由电子导电半导体导电有两种载流子：自由电子和空穴均参与导电自由电子和空穴成对出现，数目相等，所带电荷极性不同，故运动方向相反。
2、本征半导体的导电性很差，但与环境温度密切相关。
3、杂质半导体（1）N型半导体——掺入五价元素（2）P型半导体——掺入三价元素4、PN结——P型半导体和N型半导体的交界面在交界面处两种载流子的浓度差很大；空间电荷区又称为耗尽层反向电压超过一定值时，就会反向击穿，称之为反向击穿电压5、PN结的单向导电性——外加电压正向偏置反向偏置6、二极管的结构、特性及主要参数（1）P区引出的电极——阳极；N区引出的电极——阴极温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线下移。
二极管的特性对温度很敏感。
其中，Is为反向电流，Uon为开启电压，硅的开启电压——0.5V，导通电压为0.6~0.8V，反向饱和电流<0.1μA，锗的开启电压——0.1V，导通电压为0.1~0.3V，反向饱和电流几十μA。
（2）主要参数1）最大整流电流I：最大正向平均电流2）最高反向工作电流U：允许外加的最大反向电流，通常为击穿电压U的一半3）反向电流I：二极管未击穿时的反向电流，其值越小，二极管的单向导电性越好，对温度越敏感4）最高工作频率f：二极管工作的上限频率，超过此值二极管不能很好的体现单向导电性7、稳压二极管在反向击穿时在一定的电流范围内（或在一定的功率耗损范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性，广泛应用于稳压电源和限幅电路中。
（1）稳压管的伏安特性（2）主要参数1）稳定电压U：规定电流下稳压管的反向击穿电压2）稳定电流I：稳压管工作在稳定状态时的参考电流。
电流低于此值时稳压效果变坏，甚至根本不稳压，只要不超过稳压管的额定功率，电流越大稳压效果越好。
模电常见知识点总结
模电常见知识点总结一、基本概念1. 电压、电流、功率：电压是电势差，单位是伏特；电流是电荷在单位时间内通过导体的数量，单位是安培；功率是单位时间内能量的转化率，单位是瓦特。
2. 电路元件：电路元件主要包括电阻、电容和电感。
电阻是电流对电压的阻碍作用，单位是欧姆；电容是储存电荷的能力，单位是法拉；电感是存储磁场能量的元件，单位是亨利。
3. 信号处理：模拟信号是连续的信号，可以采用模拟电子技术进行处理。
模拟信号的处理包括滤波、放大、混频等操作。
4. 放大器：放大器是一种能够增加信号幅度的电路，通常包括运放放大器、功率放大器等类型。
5. 混频器：混频器是一种能够将两个不同频率的信号进行混合的电路，主要用于调频、调相和倍频等应用。
6. 滤波器：滤波器可以根据频率特性对输入信号进行滤波，主要包括低通滤波器、带通滤波器和高通滤波器等。
7. 稳压器：稳压器是一种能够在负载变化时保持输出电压稳定的电路，主要包括线性稳压器和开关稳压器。
8. 模拟信号的采样与保持、量化与编码：在数字信号处理中，要将模拟信号转换为数字信号，需要进行模拟信号的采样与保持、量化与编码等操作。
二、基本电路分析方法1. 基尔霍夫定律：基尔霍夫定律是电路分析中的重要方法之一，包括基尔霍夫电流定律和基尔霍夫电压定律。
2. 节点分析法和支路分析法：节点分析法和支路分析法是电路分析中常用的两种方法，用于求解电路中的电压和电流。
3. 物理尺解法：物理尺解法是一种将电路问题转化为几何问题进行求解的方法，通常用于分析长线搭接、三角形回路等特殊电路。
4. 电压源法和电流源法：电压源法和电流源法是一种简化复杂电路的方法，适用于求解电路中的等效电阻和电流分布。
5. 理想变压器：理想变压器是一个重要的电路模型，可以通过它来求解电路中的电压和电流。
6. 交流电路分析：交流电路分析是模拟电子技术中的重要内容，包括交流电路中的阻抗、功率、相位等内容。
7. 电路的频率响应：电路的频率响应是指电路对不同频率信号的响应情况，可以通过传递函数或频率特性曲线来描述。
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模电100个知识点总结1 •在常温下，硅二极管的门槛电压约为_，导通后在较大电流下的正向压降约为锗二极管的门槛电压约为，导通后在较大电流下的正向压降约为。
2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性°PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻o5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。
6PN结反向偏置时，PN结的内电场_增强°PN具有 ________ 具有单向导电 ____ 特性。
7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为伏；其门坎电压V th约为________ 伏o8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
9、P型半导体的多子为 _空穴_、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为—电子一空穴对二。
10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（巳半导体和电子（N）半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的_最大整流电流___ 和反映反向特性的_反向击穿电压_。
12、在常温下，硅二极管的开启电压约为二V，导通后在较大电流下的正向压降约为_V。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应_。
15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、_乙类、甲乙类三种基本类型。
17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路 _电容，影响高频信号放大的是结电容。
18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的B增加，贝U I BQ 增大，I CQ 增大，U C E Q减小。
19、三极管的三个工作区域是—截止饱和，放大。
集成运算放大器是一种采用—直接|_耦合方式的放大电路。
20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压W =，V b = , V c =,试问该三极管是硅管管（材料），NPN 型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的C 。
21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB,则该放大电路总的对数增益为80 dB ，总的电压放大倍数为10000 。
22、三极管实现放大作用的外部条件是：发射结正偏、集电结反偏。
某放大电路中的三极管，测得管脚电压V a = -1V，V b =, V==,这是_____________ 管（硅、锗），NPN 型，集电极管脚是 a 。
23、三种不同耦合方式的放大电路分别为：阻容（RC耦合、直接耦合和_变压器耦合_,其中直接耦合_能够放大缓慢变化的信号。
24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的____ 负载_____ ，而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。
多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带______ 要窄。
25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12k Q的负载电阻后，输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为 4 k Q 026、为了保证三极管工作在放大区，要求：①发射结正向偏置,集电结反向偏置。
②对于NPN型三极管，应使V BC V 0 027、放大器级间耦合方式主要有阻容（RC耦合、直接耦合和变压器耦合三大类。
28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，共射组态有电流放大作用,一共射组态有倒相作用; 共集组态带负载能力强，共集组态向信号源索取的电流小, 共基组态的频率响应好。
29、三极管放大电路的三种基本组态是—共集_、_共基_、_共射_。
30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有■ |直接耦合_阻容耦合_ , _变压器耦合一031、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察V O和V的波形，则V O和V的相位差为180 0;当为共集电极电路时，贝U V O和V的相位差为_0—032、放大器有两种不同性质的失真，分别是饱和失真和截止失真。
33、晶体管工作在饱和区时，发射结_a_，集电结_a_;工作在放大区时，集电结_b __ ，发射结_a ___ o （填写a正偏，b反偏，c零偏）34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用共射组态;希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用共集组态。
35、场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻大，热稳定性好36、影响放大电路通频带下限频率f L的是隔直电容和极间电容。
37、三极管工作在放大区时，它的发射结保持正向偏置,集电结保持反向偏置。
38、场效应管有共源、共栅、共漏三种组态。
39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。
40、场效应管从结构上分成结型FET和MOSFET两大类型，它属于电压控制型器件。
41、场效应管属于电压控制电流型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件。
42、场效应管是电压控制电流器件，只依靠多数载流子导电。
43、根据场效应管的输出特性，其工作情况可以分为可变电阻区、恒流区、击穿区和截止区四个区域。
44、当栅源电压等于零时，增强型FET 无导电沟道，结型FET的沟道电阻最小_。
45、FET是电压控制器件，BJT是电流控制器件。
46、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为甲类。
47、一个输出功率为10W的扩音机电路，若用乙类推挽功放，则应选额定功耗至少应为2W 的功率管 2 只。
48、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中,效率最低的电路为甲类，为了消除交越失真常采用甲乙类电路。
49、乙类功放的主要优点是效率高，但出现交越失真，克服交越失真的方法是采用甲乙类50、乙类互补对称功率放大电路产生特有的失真现象叫交越失真。
51、双电源互补对称功率放大电路（OCL中V=8v, R_=8Q，电路的最大输出功率为4W，此时应选用最大功耗大于 ________ 功率管。
52、差动放大电路中的长尾电阻R e或恒流管的作用是引人一个共模负反馈。
53、已知某差动放大电路A=100、K cM=60dB,则其A C=_________ 。
集成电路运算放大器一般由差分输入级、中间级、输出级、偏置电路四部分组成。
54、差分式放大电路能放大直流和交流信号，它对差模信号具有放大能力，它对共模信号具有抑制能力。
55、差动放大电路能够抑制零漂和共模输入信号。
56、电路如图1所示，「、T2和T3的特性完全相同，则I 2〜______________ mA,I 3 ~，贝U R3 ~ 10 ____ k Q 。
图157、集成运放通常由输入级、中间级；输出级、偏置级四个部分组成。
58、正反馈是指反馈信号增强净输入信号：负反馈是指反馈信号减弱净输入信号。
59、电流并联负反馈能稳定电路的输出电流，同时使输入电阻减小。
60、负反馈对放大电路性能的改善体现在：提高增益的稳定性、减小非线性失真、抑制反馈环内噪声、扩展频带、改变输入电阻和输出电阻。
61、为了分别达到下列要求，应引人何种类型的反馈：①降低电路对信号源索取的电流：串联负反馈。
②当环境温度变化或换用不同值的三极管时，要求放大电路的静态工作点保持稳定：直流负反馈。
③稳定输出电流：_____ 。
62、电压串联负反馈能稳定电路的输出电压，同时使输入电阻大____ 。
63、某负反馈放大电路的开环放大倍数A =100000,反馈系数卩=，贝贝闭环放大倍数100 。
64、负反馈放大电路产生自激振荡的条件是____ 。
65、负反馈放大电路的四种基本类型是电压串联、电压并联、电流串联、电流并联。
66、为稳定电路的输出信号，电路应采用负反馈。
为了产生一个正弦波信号，电路应采用正反馈。
67、理想集成运算放大器的理想化条件是A ud= g、R d= g、K CM=g、R D= 068、理想运算放大器的理想化条件中有A vd= 无^ , K CM=无穷。
69、电流源电路的特点是，直流等效电阻小，交流等效电阻大。
70、电流源的特点是输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大__ 。
71、工作在线性区的理想集成运放有两条重要结论是虚断和虚短。
72、理想运算放大器，A d= 无穷大、R= 无穷大、R=_0 。
73、在构成电压比较器时集成运放工作在开环或正反馈状态。
74、如果有用信号频率高于1000Hz,可选用高通滤波器;如果希望500 Hz 以下的有用信号，可选用低通滤波器。
75、选取频率高于1000Hz的信号时，可选用高通滤波器：抑制50 Hz的交流干扰时，可选用带阻滤波器;如果希望抑制500 Hz以下的信号，可选用高通_滤波器。
76、有用信号频率高于1000Hz,可选用高通滤波器：希望抑制50 Hz的交流电源干扰，可选用带阻滤波器；如果希望只通过500Hz到1kHz的有用信号，可选用带通滤波器。
77、根据工作信号频率范围滤波器可以分为：低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器及带阻滤波器。
78、集成运算放大器在线性状态和理想工作条件下,得出两个重要结论，它们是：虚断和虚短。
79、通用型集成运算放输入级大多采用差分放大电路,输出级大多采用共集电路。
80、正弦波振荡电路是由放大电路、反馈网络、选频网络、稳幅环节四个部分组成。
81、正弦波振荡电路产生振荡时，幅度平衡条件为_______ ，相位平衡条件为—n=0、1、2 …。
82、信号发生器原理是在电路负反馈时=- _______ ，例如自激电路。
在正反馈时=1______ ，例如文氏振荡电路。
83、石英晶体振荡器是LC 振荡电路_______ 的特殊形式，因而振荡频率具有很高的稳定性。
84、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是—、其中相位平衡条件是一n为整数、为使电路起振，幅值条件是 ______ 。
85、正弦波振荡电路必须由放大电路、反馈网络、选频网络、稳幅环节四部分组成。
86、RC正弦波振荡电路达到稳定平衡状态时有：=3、=_、=_。
87、正弦波自激振荡电路振荡的平衡条件是____ 、n为整数。
88、正弦波振荡电路起振的条件是和n为整数。
89、有用信号频率高于1000Hz,可选用高通滤波器。
文氏电桥振荡器中的放大电路电压放大倍数A f》3 ,才能满足起振条件。
90、为了稳定电路的输出信号，电路应采用交流负反馈。
为了产生一个正弦波信号，电路应采用_正_』反馈。
91、直流电源是将电网电压的交流电转换成直流电的能量转换电路。