常见变容二极管参数18种

二极管的主要参数

二极管的主要参数正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。

正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。

最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。

反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。

正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。

反向电流IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。

结电容C：电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。

最高工作频率FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。

2.常用二极管（1）整流二极管将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。

通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装（见图二）由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。

2.常用二极管（1）整流二极管将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。

通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装（见图二）由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。

2）检波二极管检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。

（3）开关二极管在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。

开关二极管有接触型，平面型和扩散台面型几种，一般IF＜500毫安的硅开关二极管，多采用全密封环氧树脂，陶瓷片状封装，如图三所示，引脚较长的一端为正极。

4）稳压二极管稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）其图形符号见图4稳压管的伏安特性曲线如图5所示，当反向电压达到Vz时，即使电压有一微小的增加，反向电流亦会猛增（反向击穿曲线很徒直）这时，二极管处于击穿状态，如果把击穿电流限制在一定的范围内，管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。

(整理)常用变容二极管

常用变容二极管变容二极管（Varactors ），又称为电压调谐电容（Voltage variable Capactors ，VVC ）或调谐二极管（Tuning Diodes ），当在二极管两端加上反向偏压时，会产生电容效应，通常变容二极管的电容量，随反向偏压增大而减小。

变容二极管优点主要表现在：（1）体型小巧易于安装；（2）易于实现自动电子调谐（Auto Electronic Tuning ），方便遥控的电子调谐器的设计。

如今的电视系统或通信系统中的频道选择及呼叫等电路，基本上都由变容二极管完成。

1、变容二极管工作原理变容二极管的等效电路如图1（a ）所示。

图1 （a ）变容二极管的等效电路（b ）变容二极管的简化等效电路其中，R p ——反向偏压的结电阻（Junction Resistance ）；'s L ——外部引线电感； s L ——内部引线电感； c C ——封装电容； s R ——二极管体电阻； j C ——结电容。

通常，等效电路中的电感与封装电容等都可略去不计，简化后的等效电路如图1（b ）所示。

一般地，变容二极管与外加电压的关系可表示为(1)j j DC C v V γ=- (1) j C 为变容二极管的结电容，0j C 为变容管加零偏压时的结电容；V D 为变容管PN 结内建电位差（硅管V D =0.7V ，锗管V D =0.3V ）；γ为变容二极管的电容变化指数，与频偏的大小有关；v 为变容管两端所加的反向电压。

在小频偏情况下，选γ=1的变容二极管可近似实现线性调频；在大频偏情况下，必须选γ=2的超突变结变容二极管，才能实现较好的线性调频。

变容二极管的j C v - 特性曲线如图2所示。

当加入的反向电压为cos Q Q m v V v V V t ΩΩ=+=+Ω时，设电路工作在线性调制状态，在静态工作点Q 处，可得曲线的斜率为/c k C V =∆∆。

图2 变容二极管的j C v -特性曲线2、变容二极管重要参数：变容比率与Q 值（1）变容比率，实际上就是在两个不同偏压下的电容量比值，设为C R ，可得近似的变容比率为max min max min ()C ()R V C V C V V γ⎛⎫=≈ ⎪⎝⎭(2)式中，min ()C V ——在偏压最小时的结电容值；max ()C V ——在偏压最大时的结电容值。

变容二极管

变容二极管（VaractorS）,又称为电压调谐电容（Voltage variable Capactors VVC ）或调谐二极管（Tuning Diodes）,当在二极管两端加上反向偏压时，会产生电容效应，通常变容二极管的电容量，随反向偏压增大而减小。

变容二极管优点主要表现在：（1）体型小巧易于安装；（2）易于实现自动电子调谐（Auto Electronic Tuning），方便遥控的电子调谐器的设计。

如今的电视系统或通信系统中的频道选择及呼叫等电路，基本上都由变容二极管完成。

1、变容二极管工作原理变容二极管的等效电路如图4-7（a）所示。

图4-7 （a）变容二极管的等效电路（b）变容二极管的简化等效电路其中，Rp ---- 反向偏压的结电阻（Jun ction Resista nee；Ls'——外部引线电感；Ls——内部引线电感；Cc ――封装电容；Rs --- 二极管体电阻；C j——结电容。

通常，等效电路中的电感与封装电容等都可略去不计，简化后的等效电路如图4-7 （b）所示。

一般地，变容二极管与外加电压的关系可表示为C j = C j0（4-5）（1-丄）V DC j为变容二极管的结电容，C j0为变容管加零偏压时的结电容；V D为变容管PN 结内建电位差（硅管V D=0.7V,锗管VD =0.3V）；丫为变容二极管的电容变化指数，与频偏的大小有关；v为变容管两端所加的反向电压。

在小频偏情况下，选=1的变容二极管可近似实现线性调频；在大频偏情况下，必须选=2的超突变结变容二极管，才能实现较好的线性调频。

变容二极管的C j -v特性曲线如图2所示。

当加入的反向电压为v -V Q v^<_V Q■V[m cos'」t时，设电路工作在线性调制状态，在静态工作点 Q 处，可得曲线的斜率为k^ ：C ：V图4-8变容二极管的5 —v 特性曲线2、变容二极管重要参数：变容比率与 Q 值(1)变容比率，实际上就是在两个不同偏压下的电容量比值，设为C R ，可得近似的变容比率为式中，C(V min )――在偏压最小时的结电容值；C(V max ) —一在偏压最大时的结电容值。

常用二极管型号及参数手册

常用二极管型号及参数手册查询 >> 二极管资料 >> 二极管资料大全硅双向触发二极管参数二极管资料大全常用快速恢复二极管资料稳压二极管参数变容二极管参数电视机\VCD\DVD用二极管发光二极管参数发光二极管符号显示圆形发光二极管参数激光二极管参数特殊模型发光二极管光电二极管参数七段发光二极管参数九段发光二极管参数字母发光二极管参数4×4圆矩发光二极5×7圆矩发光二极5×8圆矩发光二极6×8圆矩发光二极8×8圆矩发光二极16×16圆矩发光装饰式七段发光二极裸发光二极管灯参数裸发光二极管显示器圆形发光二极管参数闪烁圆形发光二极管通用激光二极管参数带监视器激光二极管圆形发光二极管参数金属封装发光二极管圆柱平顶发光二极管1.塑封整流二极管序号型号I F V RRM V F Trr 外形A V V μs1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-12 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-413 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-154 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-155 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-67 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-68 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.09 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-4110 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-4111 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-4112 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-4113 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-4114 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-1515 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD16 BY550-200～1000 5A 200-1000V 1.1 R-517 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX20 ERA15-02～13 1A 200-1300V 1.0 R-121 ERB12-02～13 1A 200-1300V 1.0 DO-1522 ERC05-02～13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-1523 ERC04-02～13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-1524 ERD03-02～13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-1526 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-1527 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-1528 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-1529 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD2.快恢复塑封整流二极管序号型号I F V RRM V F Trr 外形A V V μs（1）快恢复塑封整流二极管圆柱V形发光二极管轴型表面发光二极管雪崩光电二极管参数蓝光光电二极管参数视敏光电二极管参数通用光电二极管参数红外光电二极管参数激光光电二极管参数插件式光电二极管参紫外光电二极管参数红外发光二极管参数光敏二极管参数变阻二极管参数硅整流二极管参数锗二极管与硒二极管隧道二极管参数稳流二极管参数混频二极管参数检波二极管参数P-I-N结构二极二极管阵列参数瞬变抑制二极管应用指南1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-12 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1.3 0.15-0.53 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-414 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0.5 DO-415 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-416 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD7 EU1-EU2 0.25A-1A 100-1000V 1.3 0.4 DO-418 20DF1-20DF10 2A 100-1000V 1.3 0.2 DO-159 30DF1-30DF10 3A 100-1000V 1.3 0.2 DO-201AD10 RU1-RU4 0.25A-3A 100-1000V 1.3 0.411 ERA22-02～10 0.5A 200-1000V 1.3 0.4 R-112 ERA18-02～10 0.8A 200-1000V 1.3 0.4 R-113 ERB43-02～10 0.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-4114 ERB44-02～10 1A 200-1000V 1.3 0.4 DO-1515 ERC18-02～10 1.2A 200-1000V 1.3 0.4 DO-1516 ERD28-02～10 1.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD17 ERD29-02～10 2.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD18 ERD32-02～10 3A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD19 ERD09-13～15 3A 1300-1500V 1.5 0.6 R-5（2）SK、2CG系列快恢复整流二极管1 SK1-02～30 1.5A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-152 SK2-02～30 1A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-413 SK3-02～30 2A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-154 SK4-02～30 0.5A 300-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-415 2CG04-2CG30 0.2A 300-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-41（3）快恢复塑封阻尼二极管1 2CN1-2CN1C 1A 200-1200V 1.32 DO-412 2CN2D-2CN2M 0.5A 200-1000V 1.3 2 DO-413 2CN3D-2CN3M 1A 200-1000V 1.3 6 DO-414 2CN4D-2CN4M 1.5A 200-1000V 1.3 0.8 DO-155 2CN5D-2CN5M 1.5A 200-1000V 1.0 1 DO-156 2CN6D-2CN6M 1A 200-1000V 1.3 6 DO-417 2CN12D-2CN12M 3A 200-1000V 1.3 1 DO-201AD8 RH1Z-RH1C 0.6A 200-1000V 1.3 4 DO-419 TVR4J-TVR4N 1.2A 600-1000V 1.2 20 DO-153.超高频塑封二极管1 ERA34-10 0.1A 1000V 3 0.15 R-12 ERA32-02～10 1A 200-1000V 1.3 0.1 DO-413 ERB32-02～10 1.2A 200-1000V 1.3 0.1 DO-154 ERC30-02～10 1.5A 200-1000V 1.3 0.1 DO-155 ERC32-02～10 3A 200-1000V 1.3 0.1 DO-201AD6 EG01E-EG01C 0.5A 200-1000V 2 0.1 DO-417 EG1E-EG1C 1A 200-1000V 1.8 0.1 DO-418 RG10Z-RG10C 1.2A 200-1000V 2 0.1 DO-159 RG2Z-RG2C 1.5A 200-1000V 1.8 0.1 DO-1510 RG4Z-RG4C 3A 200-1000V 2 0.1 D0-201AD4.超快恢复塑封二极管序号型号I F V RRM V F Trr 外形A V V ns（1）超快恢复塑封二极管1 SF10-SF50 1-5A 50-1000V 0.95-1.7 352 SF80-SF160 8-16A 50-600V 0.95-1.4 35 TO-2203 EGP10-EGP50 1-5A 50-200V 1.1 354 ERC38～04-ERC38～10 1A 400-1000V 1.7 50 DO-415 RL2-RL2C 2A 400-1000V 1.7 50 DO-156 RL3-RL3C 3A 400-1000V 1.7 50 DO-201AD7 1H1-1H8 1A 50-1000V 1.1-1.7 50-75 R-18 HER10-HER60 1-6A 50-1000V 1.1-1.7 50-759 HER80-HER160 8-6A 50-1000V 1.1-1.7 50-75 TO-22010 UF10-UF60 1-6A 50-1000V 1.1-1.7 50-7511 EL1Z-EL1 1.5A 200-350V 1.3 50 DO-15（2）MUR超快恢复整流二极管1 MUR120-MUR1120 1A 200-1200V 0.95-1.5 35-50 DO-412 MUR420-MUR4120 4A 200-1200V 0.95-1.6 35-75 DO-201AD3 MUR820-MUR8120 8A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AC4 MUR1020-MUR10120 10A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AC5 MUR1520-MUR15120 15A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AC6 MUR2020-MUR20120 20A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AB7 MUR3020-MUR30120 30A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-247AD8 MUR6020-MUR60120 60A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-247AD（3）RHRP、RHRG超快恢复二极管1 RHRP820-RHRP8120 8A 200-1200V 2.1-3.2 35-70 TO-220AC2 RHRP1520-RHRP15120 15A 200-1200V 2.1-3.2 40-75 TO-220AC3 RHRP3020-RHRP30120 30A 200-1200V 2.1-3.2 45-75 TO-220AC4 RHRG3020-RHRG30120 30A 200-1200V 2.1-3.2 45-75 TO-247AC5 RHRG5020-RHRG50120 50A 200-1200V 2.1-3.2 50-100 TO-247AC6 RHRG6020-RHRG60120 60A 200-1200V 2.1-3.2 45-75 TO-247AD（4）BYV29～79、BYT28～79超快恢复二极管1 BYW29-100～200 8A 100-200V 1.1 25 TO-220AC2 BYV29-300～500 9A 300-500V 1.25 60 TO-220AC3 BYQ28-100～200 10A 100-200V 1.1 20 TO-220AB4 BYT28-300～500 10A 300-500V 1.4 60 TO-220AB5 BYV79-100～200 14A 100-200V 1.3 30 TO-220AC6 BYT79-300～500 14A 300-500V 1.4 60 TO-220AC7 BYV32-100～200 20A 100-200V 1.1 25 TO-220AB8 BYV34-300～500 20A 300-500V 1.1 60 TO-220AB9 BYV42-100～200 30A 100-200V 1.1 28 TO-220AB10 BYV44-300～500 30A 300-500V 1.25 60 TO-220AB5.肖特基整流二极管序号型号I F V RRM V F外形A V V（1）肖特基塑封整流二极管1 1N5817-1N5819 1A 20-40V 0.45-0.6 DO-412 1N5820-1N5822 3A 20-40V 0.45-0.6 DO-201AD3 SRT12-SRT100 1A 20-100V 0.55-0.85 R-14 SR10-SR50 1-5A 20-100V 0.55-0.855 SB120-SB1B0 1A 20-100V 0.55-0.85 DO-416 SB220-SB2B0 2A 20-100V 0.55-0.85 DO-157 SB320-SB3B0 3A 20-100V 0.55-0.85 DO-201AD8 SB520-SB5B0 5A 20-100V 0.55-0.85 D0-201AD9 ERA81-002～009 1A 20-90V 0.55-0.9 DO-4110 ERB81-002～009 2A 20-90V 0.55-0.9 DO-1511 ERC81-002～009 3A 20-90V 0.55-0.9 DO201AD12 EK03-EK09 1A 20-90V 0.55-0.81 DO-4113 EK13-EK19 1.5A 20-90V 0.55-0.81 DO-1514 EK33-EK39 2A 20-90V 0.55-0.81 DO-1515 EK43-EK49 3A 20-90V 0.55-0.81 DO-201AD（2）MBR、PBYR系列大电流肖特基整流二极管1 MBR1020-MBR1060 10A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AC2 MBR1620-MBR1660 16A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AC3 MBR2020CT-2060CT 20A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AB4 MBR2520CT-2560CT 25A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AB5 MBR3020PT-3060PT 30A 20-60V 0.57-0.8 TO-247AD6 MBR4020PT-4060PT 40A 20-60V 0.57-0.8 TO-247AD7 MBR6020PT-6060PT 60A 20-60V 0.57-0.8 TO-247AD8 PBYR735-745 7A 20-45V 0.56-0.66 TO-220AC9 PBYR1020-1060 10A 20-60V 0.56-0.77 TO-220AC10 PBYR1635-1660 16A 20-60V 0.56-0.77 TO-220AC11 PBYR2020CT-2045CT 20A 20-45V 0.56-0.65 TO-220AB12 PBYR3035PT-3060PT 30A 20-60V 0.56-0.77 TO-247AD6.玻球快恢复二极管、玻钝芯片塑封二极管序号型号I F V RRM V F Trr 外形A V V ns（1）BYV、BYT、BYM、BYW玻球快恢复二极管1 BYV26A-BYV26E 1A 200-1000V 1.5 0.03 DO-204AP2 BYV12-BYV16 1.5A 100-1000V 1.5 0.3 DO-204AP3 BYV96A-BYV96E 1.5A 100-1000V 1.5 0.3 DO-204AP4 BYV27-50～200 2A 50-200V 1.1 0.025 DO-204AP5 BYV28-50～200 3.5A 50-200V 1.1 0.03 G36 BYT52A-BYT52M 1A 50-1000V 1.3 0.2 DO-204AP7 BYT54A-BYT54M 1.25A 50-1000V 1.5 0.1 DO-204AP8 BYT53A-BYT53M 1.5A 50-1000V 1.1 0.05 DO-204AP9 BYT56A-BYT56M 3A 200-1000V 1.4 0.1 G310 BYM26A-BYM26M 2.3A 200-1000V 1.5 0.03 G311 BYM36A-BYM36M 3A 200-1000V 1.1 0.15 G312 BYW32-BYW38 2A 200-1000V 1.1 0.2 DO-204AP13 BYW52-BYW56 2A 200-1000V 1.1 4 DO-204AP14 BYW72-BYW76 3A 200-600V 1.1 0.2 G315 BYW96A-BYW96E 3A 200-1000V 1.5 0.2 G316 BY228 3A 1500V 1.5 20 G3（2）GP、RGP系列玻钝芯片塑封二极管17 GP10-GP30 1-3A 50-1000V 1.118 RGP01-10～RGP01-20 0.1A 1000-2000V 2 0.2-0.5 DO-4119 RGP05-10～RGP05-20 0.5A 1000-2000V 2 0.2-0.5 DO-4120 RGP10-RGP60 1-6A 50-2000V 1.3 0.15-0.57.PD、TR、PR系列高压塑封二极管1 PD0112-PD0160 0.1A 1200-6000V 1.2-5 DO-412 PD0312-PD0360 0.3A 1200-6000V 1.2-5 DO-153 PD0512-PD0560 0.5A 1200-6000V 1.2-5 DO-154 PD112-PD130 1A 1200-3000V 1.2-4 DO-155 PD1512-PD1530 1.5A 1200-3000V 1.2-4 DO-156 PD212-PD220 2A 1200-2000V 1.2-2.5 DO-201AD7 PD312-PD320 3A 1200-2000V 1.2-2.5 DO-201AD8 PD612-PD620 6A 1200-2000V 1.2-2.5 R-69 TR0112-TR0160 0.1A 1200-6000V 1.5-8 0.5-0.8 DO-4110 TR0312-TR0360 0.3A 1200-6000V 1.5-8 0.5-0.8 DO-1511 TR0512-TR0560 0.5A 1200-6000V 1.5-8 0.5-0.8 DO-1512 TR112-TR130 1A 1200-3000V 1.5-6 0.5-0.8 DO-1513 TR1512-TR1530 1.5A 1200-3000V 1.5-6 0.5-0.8 DO-1514 TR212-TR220 2A 1200-2000V 1.5-2.7 0.5-0.8 DO-201AD15 TR312-TR320 3A 1200-2000V 1.5-2.7 0.5-0.7 DO-201AD16 TR612-TR620 6A 1200-2000V 1.5-2.7 0.5-0.8 R-617 PR01-PR1 0.1-1A 1200-3000V 1.5-4 0.1-0.5 DO-1518 RC2 0.3A 2000V 3 0.5 DO-4119 RU4D-RP3F 1.5A-2A 1300-1500V 1.5 0.3 DO-201AD8.稳压二极管序号名称型号P ZM V ZW V1稳压二极管BZX55 0.5W 2.4V-47V2 1N5985B～1N6031B 0.5W 2.4V-200V3 1N4728～1N4764 1W 3.3V-100V4 1N5911B～1N5956B 1.5W 2.7V-200V5 2CW37-2.4～36 0.5W 2.4V-36V6 2CW51-2CW68 0.25W 3V-28.5V7 2CW101-2CW121 1W 3V-37.5V8 2DW50-2DW64 1W 41V-190V9 2DW80-2DW190 3W 41V-190V10 2DW110-2DW151 10W 4.3V-470V11 2DW170-2DW202 50W 4.3V-200V12温度补偿稳压二极管2DW230-2DW236 0.2W 5.8V-6.6V9.高速开关二极管序号型号I C V RM Trr 外形mA V ns1 1N4148 150 100V 4 DO-352 1N4149-1N4154 150 35-100V 2-4 DO-353 1N4446-1N4454 150 40-100V 1-4 DO-354 1N914 75 100V 4 DO-355 BAV17-BAV21 250 25-250V 50 DO-356 BAW75-BAW76 300 35-75V 4 DO-357 2CK70-2CK79 10-280 20-60V 3-10 DO-358 2CK80-2CK85 10-300 20-60V 5-10 DO-359 1S1553-1S1555 100 70-35V 3 DO-3510 1S2471-1S2473 130-110 90-40V 3 DO-35 会员中心| 联系我们| 留言建意| 免责声明| 广告服务| 网站建设| 相关执照| 生产厂家| 帮助工具| 友情连接。

二极管的主要参数

二极管的主要参数正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。

正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。

最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。

反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。

正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。

??反向电流IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。

结电容C：电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。

最高工作频率FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。

2.常用二极管（1）?整流二极管?将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。

通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装（见图二）由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。

2.常用二极管（1）?整流二极管?将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。

通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装（见图二）由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。

2）?检波二极管?检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。

（3）开关二极管?在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。

开关二极管有接触型，平面型和扩散台面型几种，一般IF＜500毫安的硅开关二极管，多采用全密封环氧树脂，陶瓷片状封装，如图三所示，引脚较长的一端为正极。

4）稳压二极管?稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）其图形符号见图4?稳压管的伏安特性曲线如图5所示，当反向电压达到Vz时，即使电压有一微小的增加，反向电流亦会猛增（反向击穿曲线很徒直）这时，二极管处于击穿状态，如果把击穿电流限制在一定的范围内，管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。

常见变容二极管参数18种

常见变容二极管参数18种1.阈值电压（VT）：变容二极管的工作电压范围，一般以伏特（V）为单位。

2.最大顶峰电流（IPK）：变容二极管能够承受的最大电流峰值，通常以安培（A）为单位。

3.最大连续电流（IO）：变容二极管能够持续承受的最大电流值，通常以安培（A）为单位。

4.最大反向电流（IR）：在反向偏置时，变容二极管所能承受的最大反向电流值，通常以安培（A）为单位。

5. 回复时间（TRR）：变容二极管从正向偏置到反向偏置的时间延迟，通常以纳秒（ns）为单位。

6.反向导电性（RR）：变容二极管在反向偏置时的导电能力，通常以欧姆（Ω）为单位。

7.串联电阻（RS）：变容二极管正向电压条件下的串联电阻，通常以欧姆（Ω）为单位。

8.导通电压（VF）：变容二极管正向偏置时的导通电压，通常以伏特（V）为单位。

9.导通电流（IF）：变容二极管正向偏置时的导通电流，通常以安培（A）为单位。

10.最大反向耐压（VR）：变容二极管能够承受的最大反向电压，通常以伏特（V）为单位。

11.最大耗散功率（PD）：变容二极管能够耗散的最大功率，通常以瓦特（W）为单位。

12.最大峰值倒换电流（IFSM）：变容二极管在瞬态工作条件下能够承受的最大倒换电流，通常以安培（A）为单位。

13. 最大工作温度（TJ max）：变容二极管能够工作的最高温度，通常以摄氏度（°C）为单位。

14. 最小存储温度（TSTG min）：变容二极管能够存储的最低温度，通常以摄氏度（°C）为单位。

15.包装类型：变容二极管的封装形式，如导线封装、表面封装、贴片封装等。

16. 尺寸：变容二极管的尺寸，通常以毫米（mm）为单位。

17.重量：变容二极管的重量，通常以克（g）为单位。

18.可靠性：变容二极管的可靠性参数，如寿命、失效率等。

以上是常见的变容二极管参数，不同型号的变容二极管可能具有不同的参数组合。

根据具体的应用需求，选择适合的变容二极管型号进行设计和应用。

变容二极管参数

型号电容量（工作电压）电容比率工作频率最小值最大值303B 3~5p(25V) 18p(3V) >6 1000MHz2AC1 2p(25V) 27p(3V) >7 50MHz2CC1 3.6p(25V) 20p(3V) 4~6 50MHz2CB14 3p(25V) 18~30p(3V) 5~7 50MHz2CC-32 2.5p(25V) 25p(3V) 4.5 >800MHzISV-101 12p(10V) 32p(2.5V) 2.4 100MHzAM-109 30p(9V) 460p(1V) 15 AMBB-112 17p(6V) 12p(3V) 1.8 AMISV-149 30p(8V) 540p(1V) 18 AMS-153 2.3p(9V) 16p(2V) 7 >600MHzMV-209 11p(9V) 33p(1.5V) 3 UHFKV-1236 30p(8V) 540p(1V) 20 AMKV-1310 43p(8V) 93p(2V) 2.3 >100MHzIS149 30p(8V) 540p(1V) 18 AMS208 2.7p(9V) 17p(4V) >4.5 >900MHzMV2105 6p(9V) 22p(4V) 2.5 UHFDB300 6.8p(25V) 18p(3V) 1.8 50MHzBB112 10p(25V) 180p(3V) >16 AM变容二极管(Varactor Diodes)又称可变电抗二极管。

是一种利用PN结电容（势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二极管。

所用材料多为硅或砷化镓单晶，并采用外延工艺技术。

反偏电压愈大，则结电容愈小。

A TMEL代理变容二极管具有与衬底材料电阻率有关的串联电阻。

主要参量是：零偏结电容、零偏压优值、反向击穿电压、中心反向偏压、标称电容、电容变化范围（以皮法为单位）以及截止频率等，对于不同用途，应选用不同C和Vr特性的变容二极管，如有专用于谐振电路调谐的电调变容二极管、适用于参放的参放变容二极管以及用于固体功率源中倍频、移相的功率阶跃变容二极管等。

常见变容二极管参数18种

常见变容二极管参数18种慧聪电子元器件商务网2003-09-12 14:42:05型号电容量（工作电压）电容比率工作频率最小值最大值303B3～5p(25V)18p(3V)>61000MHz2AC12p(25V)27p(3V)>750MHz2CC1 3.6p(25V)20p(3V)4～650MHz2CB143p(25V)18～30p(3V)5～750MHz2CC-32 2.5p(25V)25p(3V) 4.5>800MHzISV-10112p(10V)32p(2.5V) 2.4100MHzAM-10930p(9V)460p(1V)15AMBB-11217p(6V)12p(3V) 1.8AMISV-14930p(8V)540p(1V)18AMS-153 2.3p(9V)16p(2V)7>600MHzMV-20911p(9V)33p(1.5V)3UHFKV-123630p(8V)540p(1V)20AMKV-131043p(8V)93p(2V) 2.3>100MHzIS14930p(8V)540p(1V)18AMS208 2.7p(9V)17p(4V)>4.5>900MHzMV21056p(9V)22p(4V) 2.5UHFDB300 6.8p(25V)18p(3V) 1.850MHzBB11210p(25V)180p(3V)>16AM信息来源：常见铝电解电容器的套管颜色与含义慧聪电子元器件商务网2003-09-12 14:42:05一般情况下，铝电解电容器的铝壳外面都有一个塑料套管。

塑料套管的颜色有多种，例如浅蓝色的、橙色的、黄色的等。

生产厂家之所以把铝电解电容器的套管制成五颜六色，其目的并非仅仅为了美观，而是具有特定的意义，在选用和更换铝电解电容器时应重视这一特点。

现给出常见铝电解电容器的套管颜色与含义如下表所示，供广大的电子爱好者参考。

附表：铝电解电容器的套管颜色与其代表的特性系列特点通用小型薄型低阻双极低漏用途电压范围容量范围管套颜品化化抗性电色MG 小型标准品y y 一般电路6V3~250V 0y22~10000μF 黑MT105℃小型标准品y y高温一电路6V3~100V 0y22~1000μF 橙SM 高度为7㎜y y y 微型机6V3~63V 0y1~190μF 蓝MG-9 高度为9㎜y y y 薄型机6V3~50V 0y1~470μF 黑BP 双极性品y y极性反转回路6V3~50V 0y47~470μF 浅蓝EP 高稳y y 定时电路, 16~50V 0y1~470μF 浅蓝定品代替钽电容LL 低漏电电流y y 定时电路, 10~50V 0y1~1000μF 黄小信号电路BPC耐高波纹电流y y y 电视机S 25~50V 1~12μF 深蓝校正用BPA 音质改善用y y y y 音频电路25~63V 1~10μF 海蓝HF 低阻抗y y 开关电路6V3~63V 22~2200μF 灰HV 高耐压高压电路160~4000V 1~100Μf西太青蓝常用稳压二极管技术数据82种慧聪电子元器件商务网2003-09-04 9:02:06。

常见变容二极管参数18种

常见变容二极管参数18种变容二极管是一种特殊的二极管，具有可调节电容值的功能。

它可以用于各种电子电路中，常见的有18种参数。

1. 最大电压（Maximum voltage）：变容二极管可以承受的最大电压。

超过这个值，会导致二极管破裂或烧毁。

2. 最小电容（Minimum capacitance）：变容二极管可以调节的最小电容值。

3. 最大电容（Maximum capacitance）：变容二极管可以调节的最大电容值。

4. 调节电压（Adjustment voltage）：用于调节变容二极管电容值的电压范围。

5. 零电压电容（Zero-voltage capacitance）：当变容二极管施加的电压接近于零时的电容值。

6. 最小调节电压（Minimum adjustment voltage）：可以使变容二极管电容值发生变化的最小电压。

7. 最大调节电压（Maximum adjustment voltage）：可以使变容二极管电容值发生变化的最大电压。

8. 失调电容（Mismatch capacitance）：在同一调节电压下，不同变容二极管之间电容值的差异。

9. 带宽（Bandwidth）：变容二极管在特定电压范围内，可以稳定工作的频率范围。

10. 线性度（Linearity）：变容二极管电容值和施加电压之间的关系是否是线性的。

12. 串联电容（Series capacitance）：多个变容二极管可以串联使用，得到更大的电容值。

13. 并联电容（Parallel capacitance）：多个变容二极管可以并联使用，得到更小的电容值。

14. 温度系数（Temperature coefficient）：变容二极管电容值随温度变化的比率。

15. 稳定性（Stability）：变容二极管在长时间使用和不同温度条件下，电容值是否保持稳定。

16. 导通电阻（On-resistance）：当变容二极管施加最小调节电压时，其电阻值。

常用二极管型号及参数手册

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常用变容二极管

常用变容二极管变容二极管（Varactors ），又称为电压调谐电容（Voltage variable Capactors ，VVC ）或调谐二极管（Tuning Diodes ），当在二极管两端加上反向偏压时，会产生电容效应，通常变容二极管的电容量，随反向偏压增大而减小。

变容二极管优点主要表现在：（1）体型小巧易于安装；（2）易于实现自动电子调谐（Auto Electronic Tuning ），方便遥控的电子调谐器的设计。

如今的电视系统或通信系统中的频道选择及呼叫等电路，基本上都由变容二极管完成。

1、变容二极管工作原理变容二极管的等效电路如图1（a ）所示。

图1 （a ）变容二极管的等效电路（b ）变容二极管的简化等效电路其中，R p ——反向偏压的结电阻（Junction Resistance ）； 's L ——外部引线电感；s L ——内部引线电感； c C ——封装电容； s R ——二极管体电阻； j C ——结电容。

通常，等效电路中的电感与封装电容等都可略去不计，简化后的等效电路如图1（b ）所示。

一般地，变容二极管与外加电压的关系可表示为(1)j j DC C v V=(1) j C 为变容二极管的结电容，0j C 为变容管加零偏压时的结电容；V D 为变容管PN 结内建电位差（硅管V D =0.7V ，锗管V D =0.3V ）；为变容二极管的电容变化指数，与频偏的大小有关；v 为变容管两端所加的反向电压。

在小频偏情况下，选 =1的变容二极管可近似实现线性调频；在大频偏情况下，必须选 =2的超突变结变容二极管，才能实现较好的线性调频。

变容二极管的j C v 特性曲线如图2所示。

当加入的反向电压为cos Q Q m v V v V V t = + =时，设电路工作在线性调制状态，在静态工作点Q 处，可得曲线的斜率为/c k C V = 。

图2 变容二极管的j C v 特性曲线2、变容二极管重要参数：变容比率与Q 值（1）变容比率，实际上就是在两个不同偏压下的电容量比值，设为C R ，可得近似的变容比率为max min max min ()C ()R V C V C V V=(2)式中，min ()C V ——在偏压最小时的结电容值；max ()C V ——在偏压最大时的结电容值。

二极管的主要参数

二极管的主要参数正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。

正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。

最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。

反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。

正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。

??反向电流IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。

结电容C：电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。

最高工作频率FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。

2.常用二极管（1）?整流二极管?将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。

通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装（见图二）由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。

2.常用二极管（1）?整流二极管?将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。

通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装（见图二）由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。

2）?检波二极管?检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。

（3）开关二极管?在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。

开关二极管有接触型，平面型和扩散台面型几种，一般IF＜500毫安的硅开关二极管，多采用全密封环氧树脂，陶瓷片状封装，如图三所示，引脚较长的一端为正极。

4）稳压二极管?稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）其图形符号见图4?稳压管的伏安特性曲线如图5所示，当反向电压达到Vz时，即使电压有一微小的增加，反向电流亦会猛增（反向击穿曲线很徒直）这时，二极管处于击穿状态，如果把击穿电流限制在一定的范围内，管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。

常用变容二极管

常用变容二极管变容二极管（Varactors ），又称为电压调谐电容（Voltage variable Capactors ，VVC ）或调谐二极管（Tuning Diodes ），当在二极管两端加上反向偏压时，会产生电容效应，通常变容二极管的电容量，随反向偏压增大而减小。

变容二极管优点主要表现在：（1）体型小巧易于安装；（2）易于实现自动电子调谐（Auto Electronic Tuning ），方便遥控的电子调谐器的设计。

如今的电视系统或通信系统中的频道选择及呼叫等电路，基本上都由变容二极管完成。

1、变容二极管工作原理变容二极管的等效电路如图1（a ）所示。

图1 （a ）变容二极管的等效电路（b ）变容二极管的简化等效电路其中，R p ——反向偏压的结电阻（Junction Resistance ）；'s L ——外部引线电感； s L ——内部引线电感； c C ——封装电容； s R ——二极管体电阻； j C ——结电容。

通常，等效电路中的电感与封装电容等都可略去不计，简化后的等效电路如图1（b ）所示。

一般地，变容二极管与外加电压的关系可表示为(1)j j DC C v V γ=- (1) j C 为变容二极管的结电容，0j C 为变容管加零偏压时的结电容；V D 为变容管PN 结内建电位差（硅管V D =0.7V ，锗管V D =0.3V ）；γ为变容二极管的电容变化指数，与频偏的大小有关；v 为变容管两端所加的反向电压。

在小频偏情况下，选γ=1的变容二极管可近似实现线性调频；在大频偏情况下，必须选γ=2的超突变结变容二极管，才能实现较好的线性调频。

变容二极管的j C v - 特性曲线如图2所示。

当加入的反向电压为cos Q Q m v V v V V t ΩΩ=+=+Ω时，设电路工作在线性调制状态，在静态工作点Q 处，可得曲线的斜率为/c k C V =∆∆。

图2 变容二极管的j C v -特性曲线2、变容二极管重要参数：变容比率与Q 值（1）变容比率，实际上就是在两个不同偏压下的电容量比值，设为C R ，可得近似的变容比率为max min max min ()C ()R V C V C V V γ⎛⎫=≈ ⎪⎝⎭(2)式中，min ()C V ——在偏压最小时的结电容值；max ()C V ——在偏压最大时的结电容值。

变容二极管

变容二极管（Varactors ），又称为电压调谐电容（Voltage variable Capactors ，VVC ）或调谐二极管（Tuning Diodes ），当在二极管两端加上反向偏压时，会产生电容效应，通常变容二极管的电容量，随反向偏压增大而减小。

变容二极管优点主要表现在：（1）体型小巧易于安装；（2）易于实现自动电子调谐（Auto Electronic Tuning ），方便遥控的电子调谐器的设计。

如今的电视系统或通信系统中的频道选择及呼叫等电路，基本上都由变容二极管完成。

1、变容二极管工作原理变容二极管的等效电路如图4-7（a ）所示。

图4-7 （a ）变容二极管的等效电路（b ）变容二极管的简化等效电路其中，Rp ——反向偏压的结电阻（Junction Resistance ）；'Ls ——外部引线电感；Ls ——内部引线电感；Cc ——封装电容；Rs ——二极管体电阻；j C ——结电容。

通常，等效电路中的电感与封装电容等都可略去不计，简化后的等效电路如图4-7（b ）所示。

一般地，变容二极管与外加电压的关系可表示为 γ)1(0Dj j V v C C -= （4-5） j C 为变容二极管的结电容，0j C 为变容管加零偏压时的结电容；D V 为变容管PN 结内建电位差（硅管D V =0.7V ，锗管D V =0.3V ）；γ为变容二极管的电容变化指数，与频偏的大小有关；v 为变容管两端所加的反向电压。

在小频偏情况下，选γ=1的变容二极管可近似实现线性调频；在大频偏情况下，必须选γ=2的超突变结变容二极管，才能实现较好的线性调频。

变容二极管的v C j -特性曲线如图2所示。

当加入的反向电压为t V V v V v m Q Q Ω+=+=ΩΩcos 时，设电路工作在线性调制状态，在静态工作点Q 处，可得曲线的斜率为V C k t ∆∆=。

图4-8 变容二极管的v C j -特性曲线2、变容二极管重要参数：变容比率与Q 值（1）变容比率，实际上就是在两个不同偏压下的电容量比值，设为R C ，可得近似的变容比率为 γ⎥⎦⎤⎢⎣⎡≈=min max max min )()(V V V C V C C R （4-6）式中，)(min V C ——在偏压最小时的结电容值；)(max V C ——在偏压最大时的结电容值。

ku波段变容二极管

ku波段变容二极管
Ku波段变容二极管是一种用于Ku波段通信系统的重要元件，它具有调制、解调和信号处理等功能。

Ku波段是一种微波频段，频率在12至18 GHz之间，主要用于卫星通信、雷达系统、无线电通信等领域。

变容二极管是一种电子元件，具有电容可变性，可用于频率调谐、信号调制、频率混频等应用。

Ku波段变容二极管在Ku波段通信系统中扮演着重要的角色，主要用于频率调谐和信号处理。

它可以根据需要调整电容值，实现对信号频率的调节和调整，从而实现信号的传输和处理。

在卫星通信系统中，Ku波段变容二极管常用于信号调制和解调，可以实现对信号频率的精确控制，保证信号传输的稳定性和可靠性。

Ku波段变容二极管具有频率响应快、调节范围广、调节精度高等特点，适用于各种频率调谐和信号处理应用。

它在Ku波段通信系统中可以实现信号的调频、调幅、调相等功能，提高系统的灵活性和性能。

同时，Ku波段变容二极管还具有体积小、功耗低、可靠性高等优点，适合在各种复杂环境下使用。

总的来说，Ku波段变容二极管是Ku波段通信系统中不可或缺的重要元件，它能够实现信号的调频、调谐和信号处理等功能，为通信系统的稳定运行和信号传输提供了可靠的支持。

随着通信技术的不断发展，Ku波段变容二极管的应用范围将进一步扩大，为通信领域的发展和进步做出更大的贡献。