模拟电子技术基础选择题

模拟电子技术基础选择题

2.1.1·在绝对零度（0K）时，本征半导体中_________ 载流子。

A. 有

B. 没有

C. 少数

D. 多数

2.1.2·在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。

A. 负离子

B. 空穴

C. 正离子

D. 电子-空穴对

2.1.3半导体中的载流子为_________。

A. 电子

B. 空穴

C. 正离子

D. 电子和空穴

2.1.4.N型半导体中的多子是_________。

A. 电子

B. 空穴

C. 正离子

D. 负离子

2.1.5.P型半导体中的多子是_________。

A. 电子

B. 空穴

C. 正离子

D. 负离子

2.2.1·当PN结外加正向电压时，扩散电流_________漂移电流。

A. 大于

B. 小于

C. 等与

2.2.2·当PN结外加反向电压时，扩散电流_________漂移电流。

A. 大于

B. 小于

C. 等于

3.2.11在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的

相位_________。

A. 同相

B. 反相

C. 相差90度

D. 不确定

3.2.12·在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的

相位_________。

A. 同相

B. 反相

C. 相差90度

D. 不确定

3.2.13·既能放大电压，也能放大电流的是_________组态放大电路。

A. 共射

B. 共集

C. 共基

D. 不确定

3.6.10·在单级共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的

相位_________。

A. 同相

B. 反相

C. 相差90度

D. 不确定

3.6.12·可以放大电压，但不能放大电流的是_________组态放大电路。

A. 共射

B. 共集

C. 共基

D. 不确定

3.6.13·可以放大电流，但不能放大电压的是_________ 组态放大电路。

A. 共射

B. 共集

C. 共基

D. 不确定

3.6.14·在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的

是_________组态。

A. 共射

B. 共集

C. 共基

D. 不确定

3.6.15在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最大的

是_________组态。

A. 共射

B. 共集

C. 共基

D. 不确定

3.6.16在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最小的

是_________组态。

A. 共射

B. 共集

C. 共基

D. 不确定

3.6.17在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输出电阻最小的

是_________组态。

A. 共射

B. 共集

C. 共基

D. 不确定

3.7.10·多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比他的任何一级都_________。

A. 大

B. 小

C. 宽

D. 窄

3.7.11多级放大电路的级数愈多则上限频率f H越_________。

A. 大

B. 小

C. 宽

D. 窄

3.7.12多级放大电路的级数愈多则高频附加相移_________。

A. 大

B. 小

C. 宽

D. 窄

·4.1.1场效应管是利用外加电压产生的_________来控制漏极电流的大小的。

A. 电流

B. 电场

C. 电压

4.1.2场效应管是_________器件。

A. 电压控制电压

B. 电流控制电压

C. 电压控制电流

D. 电流控制电流

4.1.3·三极管是_________器件。

A. 电压控制电压

B. 电流控制电压

C. 电压控制电流

D. 电流控制电流

4.1.4结型场效应管利用删源极间所加的_________来改变导电沟道的电阻。

A. 反偏电压

B. 反向电流

C. 正偏电压

D. 正向电流

4.1.5·场效应管漏极电流由_________的漂移运动形成。

A. 少子

B. 电子

C. 多子

D. 两种载流子

4.1.6P沟道结型场效应管的夹断电压V p为_________。

A. 正值

B. 负值

C.v GS

D. 零

4.3.1·N沟道结型场效应管的夹断电压V P为_________。

A. 正值

B. 负值

C. 零

4.3.2·P沟道耗尽型MOS管的夹断电压V P为_________。