单晶实验报告
晶体光学实验报告_详解(3篇)
第1篇实验名称:晶体光学性质观测分析实验日期:2023年11月10日实验地点:实验室晶体光学实验室一、实验目的1. 熟悉单轴晶体光学性质,包括晶体的消光现象、干涉色级序等。
2. 了解偏光显微镜原理,并掌握其使用方法。
3. 观察晶体的类别、轴向和光性正负等特征,估计晶片的光程差。
4. 通过实验加深对晶体光学性质的理解,为后续相关研究打下基础。
二、实验原理晶体光学性质是指晶体对光的传播、反射、折射等过程所表现出的特殊性质。
晶体中的原子、离子或分子按照一定的规律排列,形成周期性结构,导致光在晶体中传播时,表现出各向异性。
本实验通过观测和分析晶体光学性质,了解晶体内部结构对光传播的影响。
三、实验仪器与材料1. 仪器:偏光显微镜、光源、起偏器、检偏器、物镜、目镜、载物台、旋转台、光源控制器等。
2. 材料:各种晶体样品(如石英、方解石、云母等)。
四、实验步骤1. 准备工作:将晶体样品放置在载物台上,调整光源和显微镜的焦距,确保能够清晰地观察到样品。
2. 起偏器调节:将起偏器放置在显微镜的光路上,调整起偏器的角度,观察样品在不同偏振方向下的光学现象。
3. 观察消光现象:在起偏器固定位置下,旋转样品,观察消光现象。
记录消光位置,分析晶体的消光规律。
4. 观察干涉色级序:调整起偏器和检偏器的角度,观察样品在不同干涉级序下的颜色变化,记录干涉色级序。
5. 观察晶体类别、轴向和光性正负:通过偏光显微镜观察样品的晶面、晶轴和光性,记录观察结果。
6. 光程差测量:利用偏光显微镜测量晶片的光程差,计算晶片的光学厚度。
五、实验结果与分析1. 消光现象:在实验过程中,观察到晶体样品在不同偏振方向下呈现出消光现象。
根据消光位置,分析出样品的消光规律,进一步了解晶体内部结构。
2. 干涉色级序:在调整起偏器和检偏器角度的过程中,观察到样品在不同干涉级序下呈现出不同的颜色。
根据干涉色级序,分析出样品的光学性质。
3. 晶体类别、轴向和光性正负:通过偏光显微镜观察,确定了样品的晶体类别、轴向和光性正负。
单晶分析报告
单晶分析报告1. 简介本文档是对某种单晶进行分析的报告。
我们将从晶体的基本信息、晶体结构、晶体性质以及应用领域等方面进行详细的分析和讨论。
2. 晶体基本信息•晶体名称:[晶体名称]•晶体化学式:[化学式]•晶体结构类型:[结构类型]•晶胞参数:[晶胞参数]•晶体密度:[密度]3. 晶体结构分析本节将对该晶体的结构进行详细的分析和描述,并给出具体的晶体结构参数。
同时,我们还将通过晶体结构图和结构模型展示晶体的结构特征。
4. 晶体性质分析本节将对该晶体的物理、化学性质进行分析和研究。
我们将主要从以下几个方面进行讨论:4.1. 光学性质•折射率:[折射率]•双折射:[双折射]•颜色:[颜色]4.2. 磁学性质•磁性:[磁性性质]•磁矩:[磁矩大小]4.3. 热学性质•热膨胀系数:[热膨胀系数]•热导率:[热导率]4.4. 电学性质•电导率:[电导率]•介电常数:[介电常数]5. 应用领域根据该晶体的性质和特点,我们可以将其应用于以下领域:•光学器件制造•电子器件制造•磁性材料制备6. 结论通过对该晶体的分析和研究,我们得出以下几点结论:1.该晶体具有良好的光学性质,适合用于光学器件的制造。
2.该晶体具有较高的磁矩,可用于制造磁性材料。
3.该晶体的热膨胀系数适中,可用于高温环境下的应用。
7. 参考文献•[参考文献1]•[参考文献2]•[参考文献3]以上是对某种单晶进行分析的报告,希望能对您的工作和研究有所帮助。
单晶切片实习报告
一、实习目的本次实习旨在通过实际操作,掌握单晶切片的基本原理和工艺流程,提高对单晶材料制备过程的了解,培养实际操作能力和团队协作精神。
二、实习时间2023年X月X日至X月X日三、实习地点XX大学材料科学与工程学院实验室四、实习内容1. 单晶生长原理及设备介绍首先,我们了解了单晶生长的基本原理,包括熔体生长、气相生长和溶液生长等。
接着,我们对实验室中使用的单晶生长设备进行了了解,如籽晶炉、生长炉等。
2. 单晶切片工艺流程(1)单晶切割:采用切割机对单晶进行切割,得到所需尺寸和形状的样品。
(2)单晶抛光:使用抛光机对切割后的单晶样品进行抛光,使其表面光滑、平整。
(3)单晶清洗:将抛光后的样品放入清洗液中,进行清洗,去除表面的杂质。
3. 单晶切片操作(1)切割:根据实验要求,选择合适的切割机进行切割。
在切割过程中,要注意切割速度、切割角度和切割力等因素。
(2)抛光:将切割后的样品放入抛光机,按照设定的抛光参数进行抛光。
抛光过程中,要注意抛光液的选择、抛光时间和抛光力度等。
(3)清洗:将抛光后的样品放入清洗液中,按照清洗液的种类和清洗时间进行清洗。
五、实习成果通过本次实习,我们掌握了单晶切片的基本原理和工艺流程,提高了实际操作能力。
具体成果如下:1. 成功完成单晶切割、抛光和清洗等操作,得到所需的单晶样品。
2. 熟悉了实验室中使用的单晶生长设备和单晶切片设备。
3. 增强了团队协作精神,与同学共同完成实验任务。
六、实习体会1. 实践是检验真理的唯一标准。
通过实际操作,我们对单晶切片过程有了更深入的了解。
2. 团队协作精神在实验过程中至关重要。
只有团结协作,才能完成实验任务。
3. 实验过程中,我们要严谨对待每一个环节,确保实验结果的准确性。
4. 实习过程中,我们遇到了一些困难,但在老师和同学的帮助下,我们克服了这些困难,提高了自己的实际操作能力。
总之,本次实习让我们受益匪浅,不仅掌握了单晶切片的基本原理和工艺流程,还提高了自己的实际操作能力和团队协作精神。
单晶实验报告精品
引言概述:单晶实验是材料科学领域中一项重要的实验技术,在各个学科领域都有广泛的应用。
本文将围绕单晶实验进行详细的讲解与分析。
正文内容:一、单晶实验的概述1.单晶实验的定义和背景2.单晶实验的意义和应用范围3.单晶实验的基本原理和步骤4.单晶实验中的常见实验器具和试剂5.单晶实验的实验条件和要求二、单晶的制备方法1.凝固法制备单晶的原理和步骤2.溶液法制备单晶的原理和步骤3.熔融法制备单晶的原理和步骤4.化学气相输运法制备单晶的原理和步骤5.拉伸法制备单晶的原理和步骤三、单晶实验的性质表征1.X射线衍射技术在单晶实验中的应用2.傅里叶变换红外光谱技术在单晶实验中的应用3.核磁共振技术在单晶实验中的应用4.电子显微镜技术在单晶实验中的应用5.热分析技术在单晶实验中的应用四、单晶的结构与性能研究1.单晶的结构研究方法及其原理2.单晶的晶体学参数测定方法3.单晶的晶格缺陷与材料性能的关系探究4.单晶的应力分析和变形机制研究5.单晶的磁性与电性能分析与研究五、单晶实验的准确性和可靠性分析1.单晶实验中的误差来源分析2.单晶实验结果的可重复性和验证性3.单晶实验中数据处理与分析方法4.单晶实验的数据精确度和精密度评估5.单晶实验结果的解读和应用前景总结:本文对单晶实验进行了全面深入的讲解和分析,从单晶实验的概述开始,详细介绍了单晶的制备方法、性质表征、结构与性能研究以及实验的准确性和可靠性分析。
通过本文的阐述,读者可以全面了解单晶实验的基本知识和操作技巧,并且对其在材料科学领域中的应用有更深入的了解和认识。
希望本文能为单晶实验的研究提供有价值的参考。
最新单晶实验报告
最新单晶实验报告
在本次实验中,我们对单晶硅的生长过程进行了深入研究。
首先,我
们采用了Czochralski方法(CZ法)来培养单晶硅。
这种方法涉及将
硅材料置于高温的石英坩埚中,并利用加热元件加热至硅的熔点以上。
通过缓慢提拉坩埚和/或旋转加热元件,我们成功地生长了一根直径均匀、无明显缺陷的单晶硅锭。
在实验过程中,我们严格控制了温度梯度和生长速率,以确保单晶的
质量。
我们还监测了氧气和碳的含量,因为这些杂质会对单晶的性能
产生显著影响。
通过优化生长参数,我们得到了具有较低氧含量和碳
含量的单晶硅。
此外,我们还对单晶硅的结构和性能进行了详细分析。
利用X射线衍
射(XRD)技术,我们确认了单晶硅的晶体结构。
通过扫描电子显微镜(SEM)观察,我们发现单晶表面光滑,无宏观缺陷。
电学性能测试显示,单晶硅的载流子迁移率和电阻率均符合预期,表明其适合用于高
性能电子器件。
最后,我们探讨了通过改变生长条件来进一步改善单晶硅性能的可能性。
例如,通过调整提拉速率和温度梯度,我们可以控制晶格中的掺
杂剂分布,从而优化电子特性。
未来的工作将集中在这些方面的优化,以及探索新的单晶生长技术,如浮区法(FZ法)和磁控溅射法。
总结来说,本次实验成功地生长了高质量的单晶硅,并对其结构和性
能进行了全面评估。
这些成果为进一步研究和开发高性能硅基电子材
料奠定了坚实的基础。
单晶实习报告
一、实习目的通过本次单晶硅实习,了解单晶硅的生产工艺流程,掌握单晶硅的生产技术,熟悉单晶硅生产设备,提高自己的实际操作能力,为今后从事相关工作打下基础。
二、实习时间及地点实习时间:2023年X月X日至2023年X月X日实习地点:XX科技有限公司三、实习内容1. 单晶硅生产工艺流程(1)硅料熔化:将高纯度的硅粉和硼粉按一定比例混合,放入单晶炉中进行熔化。
(2)单晶生长:将熔化后的硅液倒入籽晶杆上,通过单晶炉的冷却系统,使硅液缓慢凝固,形成单晶硅棒。
(3)单晶硅棒切割:将生长出的单晶硅棒进行切割,得到所需尺寸的单晶硅片。
(4)单晶硅片清洗:对切割出的单晶硅片进行清洗,去除表面杂质。
(5)单晶硅片扩散:将清洗后的单晶硅片进行扩散处理,形成PN结。
(6)单晶硅片蚀刻:对扩散后的单晶硅片进行蚀刻,形成太阳能电池的电极。
(7)太阳能电池片封装:将蚀刻后的单晶硅片进行封装,形成太阳能电池片。
2. 单晶硅生产设备(1)单晶炉:用于熔化硅料和生长单晶硅棒。
(2)切割机:用于切割单晶硅棒,得到所需尺寸的单晶硅片。
(3)清洗设备:用于清洗单晶硅片,去除表面杂质。
(4)扩散炉:用于扩散处理单晶硅片,形成PN结。
(5)蚀刻机:用于蚀刻单晶硅片,形成太阳能电池的电极。
(6)封装机:用于封装单晶硅片,形成太阳能电池片。
3. 实习操作(1)观察单晶炉熔化硅料的过程,了解熔化温度、时间等因素对硅料熔化的影响。
(2)学习单晶生长过程中的冷却系统操作,掌握冷却速度、温度等参数的调整方法。
(3)观察切割机切割单晶硅棒的过程,了解切割速度、压力等因素对切割质量的影响。
(4)学习清洗设备清洗单晶硅片的方法,掌握清洗液的配比、清洗时间等参数。
(5)观察扩散炉扩散处理单晶硅片的过程,了解扩散温度、时间等因素对PN结形成的影响。
(6)学习蚀刻机蚀刻单晶硅片的方法,掌握蚀刻液配比、蚀刻时间等参数。
(7)观察封装机封装单晶硅片的过程,了解封装材料、封装工艺等因素对太阳能电池片性能的影响。
单晶运行工实习报告
一、实习背景随着科技的飞速发展,半导体行业在我国得到了迅猛的发展。
单晶硅作为半导体行业的基础材料,其生产过程对技术要求极高。
为了深入了解单晶硅生产过程,提高自己的专业技能,我于2023年在某半导体企业进行了为期一个月的单晶运行工实习。
二、实习单位及岗位实习单位:某半导体企业实习岗位:单晶运行工三、实习内容1. 单晶硅生产原理及工艺流程在实习期间,我首先学习了单晶硅的生产原理及工艺流程。
单晶硅的生产主要包括以下几个步骤:(1)原料准备:将石英砂、焦炭等原料进行混合,制成硅料。
(2)还原:将硅料在高温下进行还原,得到多晶硅。
(3)熔炼:将多晶硅熔炼成硅锭。
(4)拉晶:将硅锭在高温下进行拉晶,得到单晶硅棒。
(5)切割、抛光:将单晶硅棒切割成硅片,并进行抛光处理。
2. 单晶生长设备操作及维护在实习期间,我学习了单晶生长设备的基本操作及维护方法。
单晶生长设备主要包括:(1)单晶炉:用于熔炼多晶硅和生长单晶硅。
(2)机械臂:用于操作硅锭、硅棒等。
(3)检测设备:用于检测硅锭、硅棒的质量。
(4)冷却系统:用于保证单晶生长过程中的温度稳定。
我跟随师傅学习了单晶炉的操作流程,包括设备启动、硅锭的放置、温度控制等。
同时,我还学习了设备的维护保养方法,确保设备正常运行。
3. 单晶硅质量控制单晶硅的质量直接影响到半导体器件的性能。
在实习期间,我学习了单晶硅的质量控制方法,包括:(1)外观检查:检查硅锭、硅棒的外观是否有裂纹、杂质等。
(2)化学成分分析:分析硅锭、硅棒的化学成分是否符合要求。
(3)电阻率测试:测试硅锭、硅棒的电阻率。
(4)晶向测试:测试硅锭、硅棒的晶向。
4. 安全生产及应急预案在实习期间,我学习了安全生产的基本知识和应急预案。
安全生产是企业发展的基础,作为一名单晶运行工,我深知安全生产的重要性。
我学习了如何正确佩戴个人防护用品,如何应对突发事件等。
四、实习收获1. 提高了自己的专业技能通过实习,我对单晶硅的生产过程有了更加深入的了解,提高了自己的专业技能。
单晶硅熔接实验报告(Diping Test Report)
使用上一炉的引晶部分进行熔接,因不需用母籽晶与熔液接触,这样母籽晶就没 有什么损耗,而且由于留取一段上一炉引晶部分,多次试温过程母籽晶也没有任 何的损耗。因此只要母籽晶与籽晶夹接触没有破损或母籽晶在生产中本身没有缺 陷的产生,那么一个母籽晶就可以N次的使用。
验设备)拉制次数、受率
与熔接试验拉制次数、受 率比较如下:
Pre-Test
Post-Test
Normal
Average Pre-Test Post-Test Normal
Att# 2.2 2.3 3.4
Yield
Avg. Yield (%)
Production Yield
82.49% 81.42% 72.94%
T2
1200℃
L
T1 : Dipping Position,
T2 : Seed Chuck & Weight k : Conductivity A : Cross-section Area L : Distance T1 ~ T2
1300℃ 1380℃ 1400℃
T1
Finally, the Dip Power is depend on Seed chuck & Weight cold or hot.
Pre-Test
Post-Test
Normal
Ⅱ. 试验结果分析
试验结果分析
由以上数据及分析可以得知: 1. 新熔接方法单晶拉制工艺比较稳定,引晶次数都在1 -3之间,没有很大的波动; 2. 引晶的平均次数为2.3,低于12月份整个生产平均引晶次数3.4,相应的提高了产能 ; 3. 因为拉制的单晶棒都为完整的晶棒,很少拉二节,所以单晶的合格率远高于12月
半导体硅单晶实验报告
引言
概述
我们将介绍硅单晶的基本性质和制备方法。
然后,我们将讨论测量硅单晶的晶体结构的方法,包括X射线衍射和电子显微镜。
接着,我们将深入研究硅单晶的电学性质,包括其电子能带结构和载流子传输特性。
我们将介绍硅单晶在电子器件中的应用,包括晶体管和集成电路等。
正文内容
1.硅单晶的基本性质和制备方法
1.1硅单晶的晶格结构和原子排列
1.2硅单晶的晶体形态和生长方法
1.3单晶生长中的缺陷和纯度要求
2.测量硅单晶的晶体结构的方法
2.1X射线衍射原理和实验方法
2.2电子显微镜观察晶体形貌和晶格结构
2.3对比硅单晶和多晶硅材料的结构差异
3.硅单晶的电学性质
3.1硅单晶的电子能带结构
3.2硅的参数和电学性能
3.3载流子传输特性和电导率测量方法
4.硅单晶在电子器件中的应用
4.1晶体管的工作原理和结构
4.2掺杂技术对硅单晶的影响
4.3集成电路的制备和工艺流程
5.典型硅单晶器件的性能和特点
5.1硅单晶晶体管的工作参数和优点
5.2集成电路的功能和应用领域
5.3硅单晶器件的发展趋势和未来应用前景
总结
硅单晶作为一种重要的半导体材料,具有广泛的应用前景。
通过制备硅单晶并测量其晶体结构,我们可以深入了解其晶体性质。
研究硅单晶的电学性质和载流子传输特性,则可以帮助我们理解其在电子器件中的应用原理。
我们介绍了硅单晶在晶体管和集成电路等电子器件中的应用,并展望了硅单晶器件未来的发展趋势。
通过本实验的探索,我们对硅单晶的性质和应用有了更深入的了解,这对于推动半导体技术的发展具有重要意义。
单晶实验报告
单晶实验报告一、实验目的本次单晶实验的主要目的是通过特定的实验方法和条件,生长出高质量的单晶材料,并对其结构和性能进行分析和研究。
二、实验原理单晶是指其内部原子或分子按照一定的周期性和对称性规则排列的固体材料。
在单晶生长过程中,通常需要控制温度、溶液浓度、过饱和度等因素,以促使晶体在特定的晶面上优先生长。
常见的单晶生长方法包括提拉法、坩埚下降法、水热法等。
本次实验采用了水热法来生长单晶。
水热法是在高温高压的水溶液环境中,使反应物发生化学反应并结晶生长的方法。
其原理是利用水在高温高压下的特殊物理化学性质,提高反应的活性和溶解度,从而促进晶体的形成和生长。
三、实验材料与设备1、实验材料反应原料:_____、_____等。
溶剂:去离子水。
2、实验设备高压反应釜:具有良好的密封性能和耐温耐压能力。
烘箱:用于干燥样品。
电子天平:精确称量实验原料。
磁力搅拌器:使反应体系均匀混合。
四、实验步骤1、按照一定的化学计量比称取反应原料,并将其放入高压反应釜的内衬中。
2、加入适量的去离子水,使反应原料充分溶解。
3、安装好高压反应釜,将其放入烘箱中,设置反应温度和时间。
4、反应结束后,自然冷却至室温,取出反应产物。
5、对产物进行过滤、洗涤和干燥处理,得到初步的单晶样品。
五、实验结果与分析1、晶体外观经过处理得到的单晶样品外观呈现出规则的几何形状,表面光滑,色泽均匀。
2、晶体结构分析通过 X 射线衍射(XRD)技术对单晶的结构进行分析,得到了清晰的衍射图谱。
经过与标准卡片对比和数据拟合,确定了晶体的结构类型和晶格参数。
3、成分分析采用能谱分析(EDS)等方法对单晶的成分进行了测定,结果表明样品的成分与预期相符,没有明显的杂质元素存在。
4、性能测试对单晶进行了相关性能测试,如电学性能、光学性能等。
测试结果显示,该单晶在特定条件下表现出了良好的性能,具有一定的应用潜力。
六、实验中遇到的问题及解决方法1、反应釜密封不严在实验过程中,发现反应釜存在密封不严的问题,导致压力无法达到设定值。
单晶技术员实习汇报
单晶技术员实习汇报第一篇:单晶技术员实习汇报实习报告在本周的实习过程当中,我学到了很多,也发现了很多,我学的越多,就发现不知道的更多。
收尾的过程中,我学到了在作业指导书中没有的,师傅们经验丰富。
通常收尾都看的是剩料的重量,然而有些时候那个数字并不是很准确,师傅们凭借经验把一个一个的尾巴完美的收好。
看锅位,看锅边,看液口距,以及剩料的重量,才能做到安全收尾。
有一天的夜班的我发现,我附近的四台炉子液面晃动的厉害,当我站在炉台旁边的铁板上时,铁板震动的厉害,当我仔细一听,发现只真空泵的振动很大,我下到一楼进行了观察,泵油少的振动明显的比油多的要大。
观察发现下面尽然有两种真空泵,一种是上海产的,一种的浙江产的,发现在同等的状况下,振动明显的不一样。
在下面感觉到振动非常大,虽然炉台的底座是用大石墩固定,但是就不会产生一点点的影响吗,也许是我多疑了。
我们大家都在工艺方面努力的改进,然而我觉的在设备方面的改进比工艺方面的更好,他的本质的在设备,工艺能提高的,他是受设备的限制,只有更好的设备才能把拉晶做的更好。
如果的把设备和工艺同时改进,那才能做到效益最大化。
在拆装热场方面,我看到我们的辅助工以及主操为高纯卫生而小心翼翼,但是当我看到他们本身时,我感到心凉,因为他们有的人的本身的工服以及手套之类的还有除尘管,这些都比热场更脏,这样就算如何的小心,最终热场也是被污染,而不是被清理。
这些我不知道有没有规定,希望在这些方面可以有有点建议以及改善。
在成晶率方面大家都看的很重,然而我就有不同的感想,员工的心理都是在每根棒子的单个成晶率,就算拉很长的时间,也不去管,只管成晶率,我认为我们应该考虑的是单位时间内的成晶率,而不是单炉的成晶率,只有更高的单位时间的产出才能效益的做的更好,缩短单炉的运行时间,这个方面有好多可以改进,比如拆装炉的时间,调温的时间,等晶成长的拉速(并不是拉速慢的就好),对运行工时严格把关,这样会节省很多的时间,从而增加效率。
x射线单晶衍射实验报告doc
x射线单晶衍射实验报告篇一:晶体X射线衍射实验报告篇二:X射线衍射实验报告X射线衍射实验报告姓名:XXX 专业:有机化学学号:3时间:一、实验目的1. 了解X射线衍射仪的结构;2. 熟悉X射线衍射仪(原文来自:小草范文网:x 射线单晶衍射实验报告)的工作原理;3. 掌握X射线衍射仪的基本操作。
二、实验原理X射线是原子内层电子在高速运动电子的轰击下跃迁而产生的光辐射,主要有连续X射线和特征X射线两种。
晶体可被用作X光的光栅,这些很大数目的原子或离子/分子所产生的相干散射将会发生光的干涉作用,从而影响散射的X 射线的强度增强或减弱。
由于大量原子散射波的叠加,互相干涉而产生最大强度的光束称为X射线的衍射线。
满足衍射条件,可应用布拉格公式:2dsinθ=λ应用已知波长的X射线来测量θ角,从而计算出晶面间距d,这是用于X射线结构分析;另一个是应用已知d的晶体来测量θ角,从而计算出特征X射线的波长,进而可在已有资料查出试样中所含的元素。
三、仪器组成X射线衍射仪的基本构造原理图, 主要部件包括4部分。
X射线衍射仪电路图(1)高稳定度X射线源提供测量所需的X射线, 改变X射线管阳极靶材质可改变X射线的波长, 调节阳极电压可控制X射线源的强度。
(2)样品及样品位置取向的调整机构系统样品须是单晶、粉末、多晶或微晶的固体块。
(3)射线检测器检测衍射强度或同时检测衍射方向, 通过仪器测量记录系统或计算机处理系统可以得到多晶衍射图谱数据。
(4)衍射图的处理分析系统现代X射线衍射仪都附带安装有专用衍射图处理分析软件的计算机系统, 它们的特点是自动化和智能化。
四、实验步骤1)开启循环水系统:将循环水系统上的钥匙拧向竖直方向,打开循环水上的控制器开关ON,此时界面会显示流量,打开按钮RUN即可。
调节水压使流量超过3.8L/min,如果流量小于3.8L/min,高压将不能开启。
2)开启主机电源:打开交流伺服稳压电源,即把开关扳到ON的位置,然后按开关上面的绿色按钮FAST START, 此时主机控制面板上的“stand by”灯亮。
单晶学徒实习报告
一、实习背景随着我国半导体产业的快速发展,单晶硅作为半导体材料的基础,其制备技术日益受到重视。
为了更好地了解单晶硅制备工艺,提高自己的专业技能,我于2021年7月至9月在XX公司进行了为期两个月的单晶学徒实习。
二、实习单位及部门实习单位:XX公司部门:生产部——单晶车间三、实习目的1. 了解单晶硅制备的基本原理和工艺流程;2. 掌握单晶硅生长过程中的操作技能;3. 培养自己的团队协作和沟通能力;4. 提高自己的动手实践能力。
四、实习内容1. 单晶硅制备基本原理在实习期间,我了解了单晶硅制备的基本原理。
单晶硅制备主要分为两个阶段:提拉法和区熔法。
提拉法是将熔融的硅料通过旋转的提拉杆,使其在籽晶上缓慢生长成单晶硅;区熔法是将硅料熔化后,通过加热和冷却的方式,使硅料在籽晶上生长成单晶硅。
2. 单晶硅生长工艺流程在实习过程中,我熟悉了单晶硅生长的工艺流程。
主要包括以下步骤:(1)熔化硅料:将硅料放入石英舟中,通过加热使其熔化。
(2)籽晶插入:将熔融的硅料温度降至一定范围,将籽晶插入熔融硅料中。
(3)提拉生长:通过旋转提拉杆,使熔融硅料在籽晶上缓慢生长成单晶硅。
(4)切割:将生长好的单晶硅切割成所需尺寸。
3. 单晶硅生长过程中的操作技能在实习过程中,我学习了单晶硅生长过程中的操作技能,包括:(1)熔化硅料:掌握加热温度、加热时间等参数,确保硅料充分熔化。
(2)籽晶插入:根据熔融硅料温度,选择合适的籽晶插入时机。
(3)提拉生长:掌握提拉速度、提拉角度等参数,确保单晶硅生长质量。
(4)切割:掌握切割机操作方法,确保切割尺寸精度。
4. 团队协作与沟通能力在实习过程中,我与车间其他同事密切配合,共同完成生产任务。
通过与他们的交流,我学会了如何与团队成员有效沟通,提高了自己的团队协作能力。
五、实习收获1. 理论知识与实践技能相结合:通过实习,我将所学的理论知识与实际操作相结合,提高了自己的专业技能。
2. 增强了动手实践能力:在实习过程中,我积极参与各项操作,锻炼了自己的动手实践能力。
单结晶制备实验实验报告
一、实验目的1. 了解单结晶的基本原理和过程;2. 掌握单结晶的实验操作步骤;3. 通过实验,观察单结晶的形态和生长过程;4. 学习单结晶在材料科学、药物合成等领域的应用。
二、实验原理单结晶是指在一定条件下,物质从溶液中析出,形成具有规则几何外形的晶体。
单结晶的制备方法有蒸发结晶、冷却结晶、化学沉淀等。
本实验采用冷却结晶法,通过降低溶液温度,使溶质在溶液中达到饱和,进而形成单结晶。
三、实验仪器与试剂1. 仪器:锥形瓶、烧杯、玻璃棒、滤纸、蒸发皿、酒精灯、温度计、恒温水浴锅、天平;2. 试剂:NaCl固体、蒸馏水、硝酸银溶液。
四、实验步骤1. 称取5.0g NaCl固体,放入锥形瓶中;2. 加入50ml蒸馏水,用玻璃棒搅拌使其溶解;3. 将溶液放入恒温水浴锅中,加热至50℃;4. 保持50℃水浴,使溶液充分溶解;5. 将溶液缓慢降温至室温,观察溶液中单结晶的形成;6. 待单结晶形成后,用滤纸过滤,收集晶体;7. 将晶体用少量蒸馏水洗涤,去除杂质;8. 将晶体放入蒸发皿中,用酒精灯加热蒸干,得到纯净的单结晶。
五、实验结果与分析1. 实验结果:在降温过程中,溶液中逐渐形成单结晶,呈立方体状,晶体表面光滑,大小均匀;2. 实验分析:本实验采用冷却结晶法,通过降低溶液温度,使溶质在溶液中达到饱和,进而形成单结晶。
实验过程中,溶液温度的降低速度对单结晶的形成有较大影响,温度降低速度过快,可能导致晶体生长不完整;温度降低速度过慢,则可能导致晶体生长速度过慢,影响实验效果。
六、实验讨论1. 实验过程中,溶液温度的降低速度对单结晶的形成有较大影响,应合理控制降温速度;2. 在单结晶过程中,溶液中可能存在杂质,需要通过洗涤等手段去除;3. 单结晶在材料科学、药物合成等领域具有广泛的应用,本实验有助于加深对单结晶制备方法的理解。
七、实验总结本实验通过冷却结晶法,成功制备了NaCl单结晶。
实验过程中,掌握了单结晶的基本原理和操作步骤,观察到了单结晶的形成过程,为后续实验奠定了基础。
单晶硅实训报告
一、实训目的通过本次单晶硅实训,旨在了解单晶硅的生产工艺流程,掌握单晶硅生长的基本原理和操作技能,提高对光伏产业的认知,为今后从事相关领域的工作打下坚实基础。
二、实训环境实训地点:某光伏企业单晶硅生产车间实训设备:单晶炉、切割机、抛光机、检测设备等实训人员:本实训小组共5人,分别担任操作员、观察员、记录员等角色。
三、实训原理单晶硅生产过程主要包括:石英砂的提纯、硅料的制备、单晶硅的生长、切割、抛光和检测等环节。
1. 石英砂提纯:通过化学方法将石英砂中的杂质去除,得到高纯度的石英砂。
2. 硅料的制备:将提纯后的石英砂与碳还原剂在高温下反应,生成硅料。
3. 单晶硅生长:采用直拉法或区熔法等工艺,将硅料熔化后,通过提拉方式生长出单晶硅。
4. 切割:将生长出的单晶硅棒切割成所需尺寸的硅片。
5. 抛光:对切割后的硅片进行抛光处理,提高其表面质量。
6. 检测:对抛光后的硅片进行检测,确保其质量符合要求。
四、实训过程1. 实训第一天:参观单晶硅生产车间,了解生产工艺流程及设备功能。
2. 实训第二天:学习石英砂提纯、硅料制备等理论知识,并进行实际操作。
(1)石英砂提纯:学习化学提纯方法,实际操作包括溶解、过滤、结晶等步骤。
(2)硅料制备:学习碳还原法,实际操作包括高温还原、冷却、破碎等步骤。
3. 实训第三天:学习单晶硅生长原理,实际操作包括直拉法生长单晶硅。
(1)直拉法生长单晶硅:学习设备操作、温度控制、生长参数调整等技能。
(2)实际操作:按照规范操作步骤,进行单晶硅生长实验。
4. 实训第四天:学习切割、抛光和检测等工艺。
(1)切割:学习切割机操作,实际操作包括切割单晶硅棒、硅片等。
(2)抛光:学习抛光机操作,实际操作包括抛光单晶硅片。
(3)检测:学习检测设备操作,实际操作包括检测硅片质量。
5. 实训第五天:总结实训过程,撰写实训报告。
五、实训结果1. 通过本次实训,我们掌握了单晶硅的生产工艺流程,了解了各环节的操作要点。
单晶硅生产实习报告
一、实习背景随着全球能源危机的加剧和环境保护意识的提高,太阳能光伏产业得到了迅速发展。
单晶硅作为太阳能光伏产业的核心原材料,其生产技术的研究和应用具有重要意义。
为了深入了解单晶硅生产过程,提高自身实践能力,我于2023年在某知名太阳能电池生产企业进行了为期一个月的单晶硅生产实习。
二、实习目的1. 学习单晶硅生产的基本原理和工艺流程;2. 了解单晶硅生产设备、工艺参数和操作规范;3. 掌握单晶硅生产过程中的质量控制方法;4. 提高实际操作技能,为今后从事相关工作打下基础。
三、实习内容1. 单晶硅生产原理在实习期间,我首先学习了单晶硅生产的原理。
单晶硅生产主要分为以下几个步骤:(1)石英砂的提纯:通过化学反应将石英砂中的杂质去除,得到高纯度的硅料;(2)多晶硅的制备:将高纯度硅料与还原剂在高温下反应,得到多晶硅;(3)多晶硅的提纯:通过化学气相沉积(CVD)等方法,将多晶硅中的杂质去除,得到高纯度的多晶硅;(4)单晶硅棒的拉制:将高纯度多晶硅熔化后,通过直拉法或区熔法等工艺,拉制成单晶硅棒;(5)单晶硅棒的切割、抛光和清洗:将单晶硅棒切割成硅片,并进行抛光、清洗等工艺处理。
2. 单晶硅生产设备在实习过程中,我熟悉了单晶硅生产的主要设备,包括:(1)石英舟:用于装载高纯度硅料,在制备多晶硅的过程中起到载体作用;(2)多晶硅炉:用于将高纯度硅料与还原剂在高温下反应,制备多晶硅;(3)CVD炉:用于多晶硅的提纯;(4)直拉炉:用于单晶硅棒的拉制;(5)切割机、抛光机、清洗机等:用于单晶硅棒的切割、抛光和清洗。
3. 单晶硅生产操作规范在实习期间,我学习了单晶硅生产过程中的操作规范,包括:(1)设备操作:严格按照设备操作规程进行操作,确保设备安全运行;(2)工艺参数控制:根据工艺要求,控制温度、压力、流量等参数,保证产品质量;(3)质量检测:对生产过程中的产品进行定期检测,确保产品质量符合标准。
4. 单晶硅质量控制在实习过程中,我了解了单晶硅质量控制的方法,包括:(1)原料检验:对石英砂、还原剂等原料进行检验,确保原料质量;(2)过程检验:在生产过程中对关键工艺参数进行监测,及时发现并解决问题;(3)成品检验:对单晶硅棒、硅片等成品进行检验,确保产品质量符合标准。
射线单晶衍射实验报告(二)
射线单晶衍射实验报告(二)引言概述射线单晶衍射实验是一种重要的实验方法,通过该实验可以研究晶体的结构与性质。
本文以“射线单晶衍射实验报告(二)”为题,旨在对实验过程、观察结果和数据分析做出详细阐述。
本实验的目的是进一步研究晶体的结构,通过射线单晶衍射的方法,观察晶体衍射光的特点,分析晶格常数和晶体的结构。
正文1. 实验准备1.1 准备样品和单晶片a. 选择适当的样品,具有较好的结晶质量。
b. 从样品中选择适当的单晶片。
c. 对单晶片进行清洗和处理,确保其表面光滑。
1.2 设置实验仪器a. 确定射线单晶衍射仪的实验条件。
b. 调整仪器参数,使其符合实验要求。
1.3 搭建实验装置a. 按照实验要求搭建射线单晶衍射装置。
b. 确保装置稳定,避免干扰因素。
2. 实验过程2.1 样品装载a. 将单晶片固定在样品座上,并确保其位置准确。
b. 确定样品的晶面方向。
2.2 实验参数设置a. 调节射线单晶衍射仪的具体参数,如入射角度。
b. 设置出射器和接收器的位置。
2.3 开始实验a. 打开射线单晶衍射仪的电源,使其工作。
b. 调整设备,使其达到所需的实验状态。
2.4 数据记录a. 记录实验过程中的各项数据,如衍射角度和衍射光强度。
b. 确保记录准确,避免误差。
3. 观察结果3.1 衍射光的特点a. 观察衍射光的数量和分布情况。
b. 分析衍射光的强度和角度的关系。
3.2 晶格常数的测量a. 根据衍射光的性质,计算晶格常数。
b. 比较实验结果与文献值的差异。
4. 数据分析4.1 晶格结构的分析a. 根据衍射光的分布情况,推断晶体的晶格结构。
b. 通过数据分析,进一步验证晶体的结构状况。
4.2 实验误差分析a. 分析实验数据的误差来源。
b. 计算并评估实验误差对结果的影响。
5. 总结本实验通过射线单晶衍射的方法,研究了晶体的结构与性质。
实验结果显示,观察到的衍射光特征与晶格常数的计算结果基本吻合,验证了晶体的结构状况。
射线单晶衍射实验报告(一)
射线单晶衍射实验报告(一)引言:射线单晶衍射实验是材料科学领域中一项重要的实验技术,通过该实验可以了解晶体结构和晶体缺陷等信息。
本文将对射线单晶衍射实验进行详细阐述,包括实验目的、实验原理、实验所需设备和实验步骤等内容。
正文:一、实验目的1. 了解射线单晶衍射实验的基本原理和方法。
2. 学习使用X射线衍射仪进行晶体结构分析。
3. 掌握射线单晶衍射实验的数据处理方法。
二、实验原理1. X射线的产生原理和基本性质。
2. X射线与晶体的相互作用过程。
3. Bragg方程的推导及其在射线单晶衍射中的应用。
三、实验所需设备1. X射线衍射仪。
2. 单晶样品及其支架。
3. X射线源。
4. 探测器。
四、实验步骤1. 配置和调试X射线衍射仪的各个部分。
a) 放置单晶样品及其支架。
b) 设置和调整X射线源的位置和角度。
c) 调节探测器的位置和角度。
2. 进行射线单晶衍射实验。
a) 调整X射线源的位置和角度,使得X射线垂直入射到单晶样品上。
b) 记录并测量每个衍射峰的位置和强度。
c) 根据得到的数据绘制衍射图谱。
3. 数据处理和分析。
a) 使用Bragg方程计算每个衍射峰的结构参数。
b) 分析衍射图谱,确定晶体的晶格常数和晶体结构。
c) 计算并讨论晶体的晶格缺陷。
4. 实验安全注意事项。
a) 注意X射线的辐射防护。
b) 调试设备时要小心操作,防止意外发生。
c) 使用射线单晶衍射仪时需佩戴适当的防护眼镜。
五、总结通过本次射线单晶衍射实验,我们深入了解了射线单晶衍射的原理和方法,掌握了实验所需设备的使用和实验步骤的操作技巧。
通过数据处理和分析,我们成功获得了晶体的结构参数和晶体缺陷的信息。
这些结果对于材料科学研究和材料工程应用具有重要的意义。
总的来说,射线单晶衍射实验为我们提供了一种了解晶体结构和晶格缺陷的可靠方法,为进一步的研究和应用提供了有效的基础。
射线单晶衍射实验过程中需要注意安全事项,确保实验顺利进行。
单晶实验报告
高级物理化学实验报告实验项目名称:X-射线单晶衍射实验:单晶结构分析及应用学生姓名与学号:指导教师:黄长沧老师成绩评定:评阅教师:日期:2014 年月日X-射线衍射法测定物质结构一. 实验目的1. 学习了解X 射线衍射仪的结构和工作原理。
2. 了解X-射线单晶衍射仪的使用方法。
3. 掌握X 射线衍射物相定性分析的方法及步骤。
二.实验原理根据晶体对X 射线的衍射特征-衍射线的位置、强度及数量来鉴定结晶物质之物相的方法,就是X 射线物相分析法。
利用晶体形成的X 射线衍射,对物质进行内部原子在空间分布状况的结构分析方法。
将具有一定波长的X 射线照射到结晶性物质上时,X 射线因在结晶内遇到规则排列的原子或离子而发生散射,散射的X 射线在某些方向上相位得到加强,从而显示与结晶结构相对应的特有的衍射现象。
利用单晶体对X 射线的衍射效应来测定晶体结构实验方法。
衍射X 射线满足布拉格(W.L.Bragg )方程:2dsinθ=nλ式中:λ是X 射线的波长;θ是衍射角;d 是结晶面间隔;n 是整数。
波长λ可用已知的X 射线衍射角测定,进而求得面间隔,即结晶内原子或离子的规则排列状态。
将求出的衍射X 射线强度和面间隔与已知的表对照,即可确定试样结晶的物质结构。
样品X-射线衍射采集的数据采用Crystalclear 程序还原,使用multi-scan 或numberic 方式进行吸收校正。
结构解析使用SHELX-97程序包,用直接法解出。
非氢原子的坐标和各向异性温度因子采用全矩阵最小二乘法进行结构修正。
配合物的氢原子坐标由差傅里叶合成或理论加氢程序找出。
所有或部分氢原子的坐标和各向同性温度因子参加结构计算,但不参与结构精修。
结构分析过程中使用的最小二乘函数、偏离因子、权重偏离因子、权重因子等数学表达式如下:最小二乘函数: Ls =1()ncioi i FF =-∑2温度因子:Ueq=1/3∑i∑j U ij αi *.αj *.αi . αj偏离因子:11nci oii noii F F R F==-=∑∑权重偏离因子:()221/221221n i ci oi i noi i w F F wR F ==⎡⎤-⎢⎥⎢⎥=⎢⎥⎢⎥⎣⎦∑∑权重因子:()()2122o w F AP BP σ-⎡⎤=++⎣⎦,()222/3o c p F F =+每一种结晶物质都有各自独特的化学组成和晶体结构。
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高级物理化学实验报告实验项目名称:X-射线单晶衍射实验:单晶结构分析及应用学生姓名与学号:指导教师:黄长沧老师成绩评定:评阅教师:日期:2014 年月日X-射线衍射法测定物质结构一. 实验目的1. 学习了解X 射线衍射仪的结构和工作原理。
2. 了解X-射线单晶衍射仪的使用方法。
3. 掌握X 射线衍射物相定性分析的方法及步骤。
二.实验原理根据晶体对X 射线的衍射特征-衍射线的位置、强度及数量来鉴定结晶物质之物相的方法,就是X 射线物相分析法。
利用晶体形成的X 射线衍射,对物质进行内部原子在空间分布状况的结构分析方法。
将具有一定波长的X 射线照射到结晶性物质上时,X 射线因在结晶内遇到规则排列的原子或离子而发生散射,散射的X 射线在某些方向上相位得到加强,从而显示与结晶结构相对应的特有的衍射现象。
利用单晶体对X 射线的衍射效应来测定晶体结构实验方法。
衍射X 射线满足布拉格(W.L.Bragg )方程:2dsinθ=nλ式中:λ是X 射线的波长;θ是衍射角;d 是结晶面间隔;n 是整数。
波长λ可用已知的X 射线衍射角测定,进而求得面间隔,即结晶内原子或离子的规则排列状态。
将求出的衍射X 射线强度和面间隔与已知的表对照,即可确定试样结晶的物质结构。
样品X-射线衍射采集的数据采用Crystalclear 程序还原,使用multi-scan 或numberic 方式进行吸收校正。
结构解析使用SHELX-97程序包,用直接法解出。
非氢原子的坐标和各向异性温度因子采用全矩阵最小二乘法进行结构修正。
配合物的氢原子坐标由差傅里叶合成或理论加氢程序找出。
所有或部分氢原子的坐标和各向同性温度因子参加结构计算,但不参与结构精修。
结构分析过程中使用的最小二乘函数、偏离因子、权重偏离因子、权重因子等数学表达式如下:最小二乘函数: Ls =1()ncioi i FF =-∑2温度因子:Ueq=1/3∑i∑j U ij αi *.αj *.αi . αj偏离因子:11nci oii noii F F R F==-=∑∑权重偏离因子:()221/221221n i ci oi i noi i w F F wR F ==⎡⎤-⎢⎥⎢⎥=⎢⎥⎢⎥⎣⎦∑∑权重因子:()()2122o w F AP BP σ-⎡⎤=++⎣⎦,()222/3o c p F F =+每一种结晶物质都有各自独特的化学组成和晶体结构。
没有任何两种物质,它们的晶胞大小、质点种类及其在晶胞中的排列方式是完全一致的。
因此,当X 射线被晶体衍射时,每一种结晶物质都有自己独特的衍射花样,它们的特征可以用各个衍射晶面间距d 和衍射线的相对强度I /I 0来表征。
其中晶面间距d 与晶胞的形状和大小有关,相对强度则与质点的种类及其在晶胞中的位置有关。
所以任何一种结晶物质的衍射数据d 和I /I 0是其晶体结构的必然反映,因而可以根据它们来鉴别结晶物质的物相[1]。
X-射线衍射数据收集是在日本理学公司Rigaku Saturn 724 CCD 单晶衍射仪上完成。
在293K 条件下,采用石墨单色化的Mo K α射线 (λ=0.71073 Å )作为X 射线源,以ω扫描方式在一定的角度范围内收集衍射点,选取I>2σ(I)的独立衍射点用于单晶结构分析。
三. 实验仪器1. Rigaku Saturn 724 CCD 单晶衍射仪 日本理学公司2.XTS20体式变倍显微镜(×4.5倍) 北京泰克仪器有限公司四.实验步骤1.培养晶体 主要方法有:溶剂挥发法,溶剂热法(水热法)等2.挑选合适大小的单晶在显微镜下挑选晶体,晶体合适尺寸范围:金属配合物和金属有机化合物为0.1~0.5mm ;纯有机物为0.3~0.5mm;纯无机化合物0.1mm 左右。
3.仪器的开机3.1开墙上的电源和UPS 电源(包括冷却水的) 3.2开隔壁的冷却水系统3.3开衍射仪后左下角的主电源开关3.4开衍射仪前面左下门里面的三个电源开关 3.5开衍射仪后面地上的CCD 冷却系统Cryo Tiger3.6开衍射仪前面右下门里面的控制电脑3.7开桌上的PC机3.8开衍射仪左面板上的Power,开X-Ray。
等面板上的显示稳定后,先缓慢调整电压到50 KV,然后再缓慢调整电流到40 mA。
3.9打开PC电脑桌面上的Crystalclear程序开始收集和测试。
4.单晶安装及测试将挑选好的单晶置于单晶衍射仪的载晶台上,调整好晶体的位置,收集一定数量衍射画面的衍射点用于确定晶体的单胞参数和质量,精确度在90%以上即可进行数据测定。
根据晶体的类别、大小和衍射强弱,设定衍射实验所需的曝光时间。
5.收集衍射强度数据及还原数据通过CCDX-射线单晶衍射仪对数据进行采集,再进行数据吸收校正和还原。
五.单晶结构解析1.晶体的初始结构模型,在PC机上用SHELX-97结构解析程序,选用直接法或Patterson法解出。
2.利用SHELX-97结构解析程序,非氢原子的坐标和各向异性温度因子采用全矩阵最小二乘法进行结构修正。
化合物的氢原子坐标由差Fourier合成和理论加氢程序找出。
3.通过软件进行结构精修,画出结构图形。
如下图所示。
4.化合物的晶体学数据和衍射强度的收集条件见表。
六.配合物晶体结构描述和分析该[Cd2(OH)(Cl)(atz)(isonic)]n•nxH2O其中[(Hatz = 5-amino-tetrazolate), (Hisonic = isonicotinic acid)] 配合物属于单斜晶系,C2/m空间群。
不对称单元包括2个Cd(II),Cd1处在镜面上,Cd2位于对称中心的特殊位置上,这个atz-以及isonic- 离子贯穿这个镜面。
Cl-以及羟基上的氧,游离的水也处在镜面上。
如图一所示,这个羟基桥联了三个Cd, 形成了一个以OH-为中心的等腰三角形Cd3(µ3-OH),其中O偏离这个三角形平面0.5464 (22) Å。
这个三角形的每一条边桥联一个atz-,形成Cd3(µ3-OH)(atz)3单元。
因为Cd2位于对称中心,这个对称操作将Cd3(µ3-OH)(atz)3形成[Cd2(OH)(atz)]n沿a 方向的带子形状(如图二所示)。
这条带子的边缘有与Cd1配位的氯离子。
而层状带子之间通过弱的配位键Cd-Cl viii形成二维的波浪层状结构,再由柱撑的isonic- 构筑三维结构。
在这个配合物中Cd均为八面体的六配位模式,Cd1与µ3-OH,以及来自两个atz-的N [N2 与N2ii; 对称操作: (ii) x, -y+1, z], 一个Cl-。
轴向位置则由一个异烟酸中吡啶上的N [N1i, 对称操作: (i) x+1/2, y+1/2, z]以及一个Cl- [Cl1viii, 对称操作: (viii) -x, y,-z] 所占据。
Cd2 配位八面体中的赤道平面由两个羧基中的两个O [O1 and O1iii, 对称操作: (iii) -x+1/2, -y+1/2, -z+1] 以及两个µ3-OH 中的两个O [O2 and O2vii, 对称操作: (vii) -x+1/2, y-1/2, -z+1]占据。
轴向位置由两个atz-中两个N [N3, N3iii ] 占据。
Cd1-O2、Cd1—N1i、Cd1—N2、Cd1—Cl1、Cd2—O2、Cd2—O1和Cd2—N3键长分别是2.256(2) Å、2.362 (3) Å、2.3978 (18) Å、2.5086 (14)Å、2.2301 (14) Å、2.2832 (17)Å和2.3627 (18)Å,他们与相关配合物的文献[2,3]报道键长一致。
图1 配合物的配位环境图对称操作码:(i) x+1/2, y+1/2, z; (ii) x, -y+1, z; (iii) -x+1/2, -y+1/2, -z+1; (iv) -x+1/2, y+1/2, -z+1; (v) x, -y, z; (vii) -x+1/2, y-1/2, -z+1; (viii) -x, y, -z; (ix) x, y+1, z.图2 一维[Cd2(OH)(atz)]n带状图图3 通过层状间的Cd-Cl键连接而成的二维结构。
图四通过异烟酸桥联形成的二维结构。
图五通过Cd-Cl 与桥联的异烟酸形成的三维结构。
Table 1. Crystal data and structure refinement for compound 1.Empirical formula C7 H7 Cd2 Cl N6 O3.14Formula weight 485.68Temperature 293(2) KWavelength 0.71073 ÅCrystal system MonoclinicSpace group C2/mUnit cell dimensions a = 19.479(4) Å alpha = 90degb = 6.9971(14) Å beta = 132.52(3)degc = 13.235(3) Å gamma = 90degV olume 1329.5(5) Å3Z 4Density (calculated) 2.426 Mg/m3Absorption coefficient 3.413 mm-1F(000) 916Crystal size 0.35 x 0.25 x 0.20 mmTheta range for data collection 3.08 to 27.48 deg.Index ranges -25<=h<=25; -8<=k<=9; -17<=l<=17 Reflections collected 6579Independent reflections 1648 [R(int) = 0.0218]Reflections observed (>2sigma) 1560Data Completeness 0.998Absorption correction NoneRefinement method Full-matrix least-squares on F@2Data / restraints / parameters 1648 / 0 / 110Goodness-of-fit on F@2 1.058Final R indices [I>2sigma(I)] R1 = 0.0169 wR2 = 0.0390R indices (all data) R1 = 0.0184 wR2 = 0.0395Largest diff. peak and hole 0.500 and -0.706e. Å-3Table 2. Atomic coordinates (x104) and equivalent isotropic displacement parameters (Å2 x 103) for 1.Atom x y z U(eq)Cd(1) 1421(1) 5000 1590(1) 17(1)Cd(2) 2500 2500 5000 16(1)Cl(1) 370(1) 5000 -970(1) 32(1)O(2) 1763(2) 5000 3594(2) 17(1)O(1) 1106(1) 1600(3) 4294(2) 39(1)N(1) -2091(2) 0 2310(3) 28(1)N(2) 1499(1) 1579(3) 1730(2) 20(1)N(3) 1992(1) 920(2) 3016(2) 20(1)N(4) 706(2) 0 -400(3) 36(1)C(1) -1637(2) -1605(4) 2569(4) 50(1)C(2) -736(2) -1669(4) 3106(4) 48(1)C(3) -265(2) 0 3404(3) 23(1)C(4) 739(2) 0 4051(3) 25(1)C(5) 1208(2) 0 960(3) 18(1)OW1 787(14) 5000 5240(20) 39(7)Table 3. Bond lengths [Å] and angles [deg] for 1.Cd1—O2 2.256 (2) Cd2—O2 2.2301 (14)Cd1—N1i 2.362 (3) Cd2—O1 2.2832 (17)Cd1—N2 2.3978 (18) Cd2—N3 2.3627 (18)Cd1—Cl1 2.5086 (14)O2—Cd1—N1i102.65 (10) N1i—Cd1—Cl1 101.76 (8)O2—Cd1—N2 87.50 (4) N2—Cd1—Cl1 93.18 (4)N1i—Cd1—N2 88.41 (4) O2—Cd2—O1 87.61 (8)N2ii—Cd1—N2 173.35 (8) O2—Cd2—N3iii96.34 (6)O2—Cd1—Cl1 155.59 (6) O1—Cd2—N3iii94.18 (7) Symmetry codes: (i) x+1/2, y+1/2, z; (ii) x, −y+1, z; (iii) −x+1/2, −y+1/2, −z+1.参考文献[1] 陈小明,蔡继文.单晶结构分析原理与实践(第二版).北京:科学出版社,2007[2] Liu, D.-S., Huang, G.-S., Huang, C.-C., Huang, X.-H., Chen, J.-Z. & You, X.-Z. (2009). Cryst. Growth Des. 9, 5117–5127.[3] Liu, D.-S., Huang, X.-H., Huang, C.-C., Huang, G.-S. & Chen, J.-Z. (2009). J. Solid State Chem. 182, 489–498.。